JP2005072805A

JP2005072805A - デュプレクサ

Info

Publication number: JP2005072805A
Application number: JP2003297873A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiko Goto; 義彦後藤; Masaki Takeuchi; 雅樹竹内; Yukio Yoshino; 幸夫吉野
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2003-08-21
Filing date: 2003-08-21
Publication date: 2005-03-17

Abstract

【課題】アイソレーション特性が向上された圧電共振子フィルタを用いたデュプレクサを提供する。
【解決手段】圧電薄膜を有する圧電共振子１１・１２・２１・２２を、梯子型に配置されてなるフィルタＦ１・Ｆ２が、互いに隣り合ってパッケージ１に搭載されているとともに、フィルタＦ１とフィルタＦ２との間には、フィルタＦ１・Ｆ２における入力端子Ａ１・Ｂ２、出力端子Ａ２・Ｂ１と、パッケージ１における端子Ｄ１〜Ｄ４とがワイヤＷ１〜Ｗ４で電気的に接続されている上記パッケージ１の平面に対して垂直方向から見たとき、上記ワイヤＷ１〜Ｗ７が圧電共振子１１・１２・２１・２２と交差しておらず、接地されている端子（Ａ３・４、Ｂ３・４、ワイヤＷ５〜Ｗ８）等の接地部材が設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明は、通信装置等に用いられる、圧電薄膜共振子からなるフィルタを備えるデュプレクサに関するものである。

近年、弾性バルク波を用いる圧電薄膜共振子を用いるフィルタ（圧電薄膜フィルタ）が開発されている。上記圧電薄膜フィルタは、小型かつ軽量であり、耐振性や耐衝撃性に優れ、製品のバラツキが少なく信頼性に富んでおり、回路の無調整化が図れるため、実装の自動化、簡略化が図れ、その上、高周波化を図っても、製造が容易という優れた各特性を有している。

また、上記のような圧電薄膜フィルタを備える分波器（デュプレクサ）が提案されている。例えば、特許文献１では、圧電薄膜共振子をラダー型に備えた圧電薄膜フィルタ（送信側フィルタまたは受信側フィルタ）、および、アンテナ端子と送信側フィルタもしくは受信側フィルタとの間に移相器を有するデュプレクサが開示されている。
特開２００１−２４４７６号公報（公開日：２００１年１月２６日）

このような圧電薄膜フィルタを用いたデュプレクサにおいては、小型化のために、送信側フィルタと受信側フィルタとを１つのパッケージに搭載することが行われている。しかしながら、１つのパッケージに送信側フィルタおよび受信側フィルタの双方を搭載すると、送信側フィルタと受信側フィルタとのアイソレーションが問題となる。特に、送信側フィルタの入力側と、受信側フィルタの出力側とにおける結合によるアイソレーション特性の劣化（クロストーク）は大きな問題となっている。

本発明は上記の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、アイソレーション特性が向上された圧電薄膜共振子を用いたデュプレクサを提供することである。

本発明のデュプレクサは、上記の課題を解決するために、開口部若しくは凹部を有する基板と、前記開口部若しくは凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する圧電共振子からなる送信側圧電フィルタ及び受信側圧電フィルタと、該送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタを搭載するパッケージとからなるデュプレクサであって、前記送信側圧電フィルタと受信側圧電フィルタとは、互いに隣り合ってパッケージに搭載されているとともに、送信側圧電フィルタと受信側圧電フィルタとの間には、少なくとも一つの接地用電極パッドが設けられていることを特徴としている。

また、本発明のデュプレクサは、上記の課題を解決するために、開口部若しくは凹部を有する基板と、前記開口部若しくは凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する圧電共振子からなる送信側圧電フィルタ及び受信側圧電フィルタと、該送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタを搭載するパッケージとからなるデュプレクサであって、前記送信側圧電フィルタと受信側圧電フィルタとは互いに隣り合ってパッケージに搭載されているとともに、送信側圧電フィルタと受信側圧電フィルタとの間には少なくとも一つの接地配線が設けられていることを特徴としている。

また、本発明のデュプレクサは、上記の課題を解決するために、開口部若しくは凹部を有する基板と、前記開口部若しくは凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する圧電共振子からなる送信側圧電フィルタ及び受信側圧電フィルタと、該送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタを搭載するパッケージとからなるデュプレクサであって、前記送信側圧電フィルタと受信側圧電フィルタとは互いに隣り合ってパッケージに搭載されているとともに、送信側圧電フィルタと受信側圧電フィルタとの間には、少なくとも一つの接地用電極パッドおよび該接地用電極パッドに接続された接地配線が設けられていることを特徴としている。

また、前記接地用電極パッドは、送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタのうち、少なくとも一方を構成する圧電共振子の接地される電極と接続されていることが好ましい。

また、前記デュプレクサは、前記送信側圧電フィルタを構成する圧電共振子の接地される電極と接続されている接地用電極パッドと、受信側圧電フィルタを構成する圧電共振子の接地されている接地用電極パッドとを有することが好ましい。

また、前記接地配線は、送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタのうち、少なくとも一方を構成する圧電共振子の接地される電極と接続されていることが好ましい。

また、前記デュプレクサは、前記送信側圧電フィルタを構成する圧電共振子の接地される電極と接続されている接地配線と、受信側圧電フィルタを構成する圧電共振子の接地されている接地配線とを有することが好ましい。

また、前記送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタはそれぞれ入力パッドおよび出力パッドを有し、前記パッケージは入力端子および出力端子を有しており、該入力パッドと入力端子とが、および出力パッドと出力端子とがそれぞれワイヤで接続されているとともに、該ワイヤは圧電共振子をまたがないように形成されていることが好ましい。

上記の構成によれば、接地部材が電磁シールドの役割を果たし、２つのフィルタの端子間のアイソレーションを向上させることができる。したがって、２つのフィルタにおけるアイソレーションを向上させることができる。

また、上記ワイヤは、圧電共振子と交差していない（またいでいない）ので、ワイヤを伝送される信号と圧電共振子における信号とが電気的に結合することが防止することができる。

また、本発明のデュプレクサは、上記の構成に加えて、前記送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタはそれぞれ入力パッドおよび出力パッドを有し、前記パッケージは入力端子および出力端子を有しており、該入力パッドと入力端子とが、および出力パッドと出力端子とがそれぞれワイヤで接続されていると共に、送信側圧電フィルタと受信側圧電フィルタとの少なくとも一方において、入力パッドと入力端子とを接続するワイヤと、出力パッドと出力端子とを接続するワイヤとが、その延長線上において平面方向視でほぼ垂直方向に交わるように形成されていることが好ましい。

上記の構成によれば、信号ラインを最短にして、完成するデュプレクサの出力端子と入力端子とを対向した位置にすることができる。こうすることで、損失が少なく、且つデュプレクサ実装時も出力信号と入力信号とのクロストークを防止することができる。

また、本発明のデュプレクサは、上記の構成に加えて、前記送信側圧電フィルタの入力パッドが該フィルタの基板における前記２つのフィルタの隣接する側の端部と対向する基板の端部近傍に形成され、且つ、前記受信側圧電フィルタの出力パッドが該フィルタの基板における前記２つのフィルタの隣接する側の端部と対向する基板の端部近傍に形成されていることが好ましい。

上記の構成によれば、送信側フィルタの入力端子と受信側フィルタの出力端子との距離を十分とることができる。したがって、送信側フィルタの入力端子における信号と、受信側フィルタの出力端子における信号とが結合することを防止することができる。

また、本発明のデュプレクサは、前記送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタの少なくとも一方において、開口部または凹部に複数の圧電共振子が形成されていると共に、該複数の圧電共振子が一直線上に並べて配置されており、複数の圧電共振子が並んでいる方向に対して垂直方向に、圧電共振子の接地される電極が引き出されており、該接地される電極が、送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタとの間に配置されていることが好ましい。

さらに、前記デュプレクサは、前記送信側圧電フィルタと、受信側圧電フィルタが梯子型フィルタ、ラティス型フィルタ、多重モード型フィルタのいずれであってもよい。

以上のように、本発明のデュプレクサは、圧電共振子をからなる２つのフィルタが、パッケージの搭載領域に搭載されているとともに、該２つのフィルタにおける入力パッド、出力パッドと、パッケージにおける端子とがワイヤで電気的に接続されているデュプレクサであって、接地用電極パッドと接地配線の少なくとも一方が、一方のフィルタの端子と他方のフィルタの端子との間に配置されている構成である。

上記の構成によれば、接地用電極パッドと接地配線の少なくとも一方が電磁シールドの役割を果たし、２つのフィルタの端子間のアイソレーションを向上させることができる。したがって、２つのフィルタにおけるアイソレーションを向上させることができる。また、パッケージとフィルタとをワイヤで接続する場合、ワイヤが圧電共振子をまたがないことが好ましい。上記ワイヤは、圧電共振子と交差していない（またいでいない）ので、ワイヤを伝送される信号と圧電共振子における信号とが結合することを防止することができる。

〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について、図１ないし図５に基づいて説明すれば、以下の通りである。

本実施の形態にかかるデュプレクサは、図１および図２に示すように、送信側端子Ｔｘ、受信側端子Ｒｘ、アンテナ端子ＡＮＴを備えている。上記デュプレクサは、アンテナ端子ＡＮＴと送信側端子Ｔｘとの間に設けられた送信側フィルタチップ（送信側フィルタ）Ｆ２、およびアンテナ端子ＡＮＴと受信側端子Ｒｘとの間に設けられた受信側フィルタチップ（受信側フィルタ）Ｆ１を備えている。また、本実施形態のデュプレクサでは、送信側フィルタＦ２および受信側フィルタＦ１がパッケージ１に搭載されている。

上記受信側フィルタチップＦ１は、長方形の基板１０上に、受信側フィルタ入力パッド（受信側フィルタ入力端子）Ａ１と、受信側フィルタ出力パッド（受信側フィルタ出力端子）Ａ２との間に直列共振子１１と並列共振子１２とをラダー型に備えている。また、上記並列共振子１２は、接地配線１６を介して受信側フィルタ接地用電極パッド（受信側フィルタグランド端子）Ａ３・Ａ４に接続されている。

上記送信側フィルタチップＦ２は、長方形の基板２０上に、送信側フィルタ出力パッド（送信側フィルタ出力端子）Ｂ１と、送信側フィルタ入力パッド（送信側フィルタ入力端子）Ｂ２との間に並列共振子２１と直列共振子２２とをラダー型に備えている。また、上記並列共振子２１は、接地配線２６を介して送信側フィルタ接地用電極パッド（送信側フィルタグランド端子）Ｂ３・Ｂ４に接続されている。

上記パッケージ１は、受信側フィルタ用入力端子Ｄ１、受信側フィルタ用出力端子Ｄ２、送信側フィルタ用出力端子Ｄ３、送信側フィルタ用入力端子Ｄ４、接地端子ＧＮＤ１〜ＧＮＤ４を備えている。

本実施の形態のデュプレクサでは、送信側フィルタチップＦ２および受信側フィルタチップＦ１と、パッケージ１との接続は以下のとおりである。受信側フィルタ入力パッドＡ１は、ワイヤＷ１を介して上記受信側フィルタ用入力端子Ｄ１に接続されている。上記受信側フィルタ出力パッドＡ２は、ワイヤＷ２を介して受信側フィルタ用出力端子Ｄ２に接続されている。送信側フィルタ出力パッドＢ１はワイヤＷ３を介して送信側フィルタ用出力端子Ｄ３に接続されている。送信側フィルタ入力パッドＢ２は、ワイヤＷ４を介して送信側フィルタ用入力端子Ｄ４に接続されている。また、受信側フィルタ接地用電極パッドＡ３・Ａ４、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ３・Ｂ４は、それぞれ、ワイヤＷ５〜Ｗ８を介して接地端子ＧＮＤ１〜ＧＮＤ４に接続されている。ここで、送信側フィルタ用入力端子Ｄ４−ワイヤＷ４−送信側フィルタ入力パッドＢ２−配線２３−並列共振子２１−配線２４−直列共振子２２−配線２５−送信側フィルタ出力パッドＢ１−ワイヤＷ３−送信側フィルタ用出力端子Ｄ３の経路、および受信側フィルタ用出力端子Ｄ２−ワイヤＷ２−受信側フィルタ出力パッドＡ２−配線１５−直列共振子１１−配線１４−並列共振子１２−配線１３−受信側フィルタ入力パッドＡ１−ワイヤＷ１−受信側フィルタ用入力端子Ｄ１の経路を、各フィルタの信号ラインと定める。

また、本実施の形態における直列共振子１１・２２および並列共振子１２・２１としての圧電薄膜共振子の一例について、図３に基づいて説明する。

上記直列共振子１１・２２および並列共振子１２・２１としての圧電薄膜共振子は、シリコン（Ｓｉ）からなる支持基板３２、その支持基板３２の一方の面に形成されているＳｉＯ₂からなる絶縁膜３１を備えている。さらに、支持基板３２は、支持基板３２を厚さ方向に貫通し、絶縁膜３１まで達する開口部（空洞部）３７を備えている。また、この絶縁膜３１上には、順に、ＡｌＮからなる絶縁膜３３、Ａｌからなる下部電極３４、ＺｎＯからなる圧電薄膜３５、およびＡｌからなる上部電極３６を備えている。

上記ＳｉＯ₂からなる絶縁膜３１およびＡｌＮからなる絶縁膜３３はダイヤフラムを形成している。このダイヤフラムは、上記開口部（空洞部）３７に面している。

本実施の形態では、受信側フィルタ入力パッドＡ１と並列共振子１２とを接続する配線１３、並列共振子１２と直列共振子１１とを接続する配線１４、送信側フィルタ入力パッドＢ２と並列共振子２１とを接続する配線２３、および並列共振子２１と直列共振子２２とを接続する配線２４が上部電極３６に相当する。また、受信側フィルタ出力入力パッドＡ２と直列共振子１１とを接続する配線１５、並列共振子１２と受信側フィルタ接地用電極パッドＡ３・Ａ４とを接続する接地配線１６、送信側フィルタ出力パッドＢ１と直列共振子２２とを接続する配線２５、および並列共振子２１と受信側フィルタ接地用電極パッドＢ３・Ｂ４とを接続する接地配線２６が下部電極３４に相当する。

なお、上記では、ダイヤフラム構造が空洞部３７に面する例を挙げたが、上記ダイヤフラム構造は、空気等の気体に面していればよく、上記空洞部３７に代えて、図４に示すようにシリコン基板３２に設けた凹部３７ａを設けたものであってもよい。さらに、上記空洞部３７ａに代えて、シリコン基板３２との間に形成した空隙部に面するように設定してもよく、また圧電共振子を方持ばり構造や、オーバーハング構造に設定してもよい。

また、圧電薄膜共振子は、電極（Ｎｉ、Ａｌなど）、圧電薄膜（ＺｎＯなど）、ダイヤフラム構成膜（Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂など）から構成され、好ましくは厚み縦振動モードで振動するが、材料はこれらに限ることなく、圧電薄膜として、ＡｌＮやＰＺＴやＣｄＳなど、ダイヤフラム構成膜として、ＳｉＮなどでもよい。さらに、振動モードは、厚みすべり振動、広がり振動、屈曲振動でもよい。

上部電極３６の他の例としては、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｗ、ステンレス系の合金、Ａｌ合金、Ａｌに添加物（例えば、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｚｎ）、エリンバ等の恒弾性材料でもよい。上記エリンバとは、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系の合金で、磁気相転移点付近で熱処理することにより膨張係数をコントロールできるものである。

また、下部電極３４にも上記材料を用いても同等の効果が得られるが、好ましくは、圧電薄膜３５（この場合はＺｎＯ）の振動波が伝わる方向に垂直な方向の格子定数と電極材料の振動波が伝わる方向に垂直な方向の格子定数のミスフィットが５％程度以下であることが望ましい。この場合、下部電極３４上に形成される圧電薄膜３５の結晶性が向上し、圧電性がさらに向上する。

また、本実施の形態にかかるデュプレクサでは、受信側フィルタチップＦ１および送信側フィルタチップＦ２は、パッケージ１における同一の平面上に搭載されている。ここで、受信側フィルタチップＦ１の基板１０上に設けられている各部材、送信側フィルタチップＦ２の基板２０上に設けられている各部材、およびパッケージ１に設けられている各部材を、パッケージ１における上記平面に対して垂直方向から見た場合（上記平面に投射した場合）について説明する。接地されている受信側フィルタ接地用電極パッドＡ３、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ３、受信側フィルタ接地用電極パッドＡ４、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ４、接地配線１６・２６、およびワイヤＷ５〜Ｗ８などの接地部材は、上記基板１０と基板２０との互いに隣り合う辺の近傍に設けられている。また、パッケージ１では、受信側フィルタ用出力端子Ｄ２と送信側フィルタ用入力端子Ｄ４との間に接地端子ＧＮＤ２および接地端子ＧＮＤ４が設けられている。また、受信側フィルタ用入力端子Ｄ１と送信側フィルタ用出力端子Ｄ３との間に接地端子ＧＮＤ１および接地端子ＧＮＤ３が設けられている。

言い換えれば、本実施の形態では、基板１０・２０において、受信側フィルタ出力パッドＡ２と送信側フィルタ入力パッドＢ２とを結ぶ線分に垂直な平面と交差する領域に、接地されている受信側フィルタ接地用電極パッドＡ３、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ３、受信側フィルタ接地用電極パッドＡ４、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ４、接地配線１６・２６などの接地部材が設けられている。また、基板１０・２０において、受信側フィルタ入力パッドＡ１と送信側フィルタ出力パッドＢ１とを結ぶ線分に垂直な平面と交差する領域に、接地されている受信側フィルタ接地用電極パッドＡ３、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ３、受信側フィルタ接地用電極パッドＡ４、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ４、接地配線１６・２６などの接地部材が設けられている。さらに、パッケージ１においては、受信側フィルタ用出力端子Ｄ２と送信側フィルタ用入力端子Ｄ４とを結ぶ線分に垂直な平面と交差する領域に、接地されている接地端子ＧＮＤ２および接地端子ＧＮＤ４が設けられている。また、パッケージ１において受信側フィルタ用入力端子Ｄ１と送信側フィルタ用入力端子Ｄ３とを結ぶ線分に垂直な平面と交差する領域に、接地されている接地端子ＧＮＤ１および接地端子ＧＮＤ３が設けられている。さらに、上記ワイヤＷ１〜Ｗ８は、各直列共振子１１・２２、並列共振子１２・２１および配線１３〜１６・２３〜２６と交差しない（またがない）ようになっている。

上記の構成によれば、受信側フィルタ出力パッドＡ２、受信側フィルタ用出力端子Ｄ２またはワイヤＷ２と、送信側フィルタ入力パッドＢ２、送信側フィルタ用入力端子Ｄ４またはワイヤＷ４との間に、接地されている受信側フィルタ接地用電極パッドＡ３、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ３、受信側フィルタ接地用電極パッドＡ４、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ４、接地配線１６・２６、ワイヤＷ６・Ｗ８および接地端子ＧＮＤ２・ＧＮＤ４などの接地部材が設けられている。これら接地されている受信側フィルタ接地用電極パッドＡ３、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ３、受信側フィルタ接地用電極パッドＡ４、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ４、接地配線１６・２６、ワイヤＷ６・Ｗ８および接地端子ＧＮＤ２・ＧＮＤ４などの接地部材が電磁シールドの役割を果たすため、受信側フィルタ出力パッドＡ２、受信側フィルタ用出力端子Ｄ２またはワイヤＷ２と、送信側フィルタ入力パッドＢ２、送信側フィルタ用入力端子Ｄ４またはワイヤ４との間のアイソレーションが向上する。

また、受信側フィルタ入力パッドＡ１、受信側フィルタ用入力端子Ｄ１またはワイヤＷ１と、送信側フィルタ出力パッドＢ１、送信側フィルタ用入力端子Ｄ３またはワイヤＷ３との間に、接地されている受信側フィルタ接地用電極パッドＡ３、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ３、受信側フィルタ接地用電極パッドＡ４、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ４、接地配線１６・２６、ワイヤＷ５・Ｗ７および接地端子ＧＮＤ１・ＧＮＤ３などの接地部材が設けられている。これら接地されている受信側フィルタ接地用電極パッドＡ３、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ３、受信側フィルタ接地用電極パッドＡ４、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ４、接地配線１６・２６、ワイヤＷ５・Ｗ７および接地端子ＧＮＤ１・ＧＮＤ３などの接地部材が電磁シールドの役割を果たすため、受信側フィルタ入力パッドＡ１、受信側フィルタ用入力端子Ｄ１またはワイヤＷ１と、送信側フィルタ出力パッドＢ１、送信側フィルタ用入力端子Ｄ３またはワイヤＷ３との間のアイソレーションが向上する。

つまり、受信側フィルタＦ１と送信側フィルタＦ２とのアイソレーションを向上させることができる。受信側フィルタのＧＮＤから構成されるラインまたは送信側フィルタのＧＮＤから構成されているラインのいずれか一方は、電磁シールドの役割を果たすことができる。また、他に接地されている配線、ワイヤ等を設けてもよい。

さらに、上記ワイヤＷ１〜Ｗ８は、各直列共振子１１・２１、並列共振子１２・２２および配線１３〜１６・２３〜２６と交差しない（またがない）ようになっているので、各ワイヤＷ１〜Ｗ４を伝送する信号と、共振子における信号とが結合することがない。従って、受信側フィルタＦ１と送信側フィルタＦ２とのアイソレーションが劣化することを防止することができる。

また、図５に示すように、例えば受信側フィルタＦ１と、ＡＮＴとの間に、コンデンサＣおよびインダクタＬ等からなる整合回路をパッケージ１内に形成しても、実装基板に内蔵しても、実装基板上にチップＣ，Ｌを実装してもよい。

なお、本実施の形態では、送信側フィルタと受信側フィルタとを、それぞれ異なる基板に形成したが、同一の基板上に形成してもよい。

また、本実施の形態では、圧電フィルタは、ラダー型フィルタを用いたが、ラティス型フィルタや多重モード型フィルタであってもよい。

〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について図６および図７に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施の形態１にて示した各部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

本実施の形態にかかるデュプレクサは、図６および図７に示すように、受信側フィルタＦ１０と送信側フィルタＦ１１とを搭載したパッケージ５０を実装基板（プリント基板）４０に実装したものである。また、本実施の形態は、実施の形態１における受信側フィルタＦ１、送信側フィルタＦ２の構成、ならびにパッケージ１の端子の位置を変更したものである。

より詳細には、本実施の形態では、受信側フィルタＦ１０および送信側フィルタＦ１１は、それぞれ、受信側フィルタ入力パッド（受信側フィルタ入力端子）Ａ１１・送信側フィルタ出力パッド（送信側フィルタ出力端子）Ｂ１１と、受信側フィルタ出力パッド（受信側フィルタ出力端子）Ａ１２・送信側フィルタ入力パッド（送信側フィルタ入力端子）Ｂ１２との間に、並列共振子５１・６１、直列共振子５２・６２、並列共振子５３・６３を梯子型（ラダー型）に接続した構成である。また、並列共振子５１・５３・６１・６３は、それぞれ順に、受信側フィルタ接地用電極パッド（受信側フィルタグランド端子）Ａ１４、受信側フィルタ接地用電極パッド（受信側フィルタグランド端子）Ａ１３、送信側フィルタ接地用電極パッド（送信側フィルタグランド端子）Ｂ１４、送信側フィルタ接地用電極パッド（送信側フィルタグランド端子）Ｂ１３に接続されている。

また、パッケージ５０は、受信側フィルタ用入力端子Ｄ１１、受信側フィルタ用出力端子Ｄ１２、送信側フィルタ用出力端子Ｄ１３、送信側フィルタ用入力端子Ｄ１４、接地端子ＧＮＤ１１〜ＧＮＤ１４を備えている。また、受信側フィルタ用入力端子Ｄ１１、受信側フィルタ用出力端子Ｄ１２、送信側フィルタ用出力端子Ｄ１３、送信側フィルタ用入力端子Ｄ１４、接地端子ＧＮＤ１１〜ＧＮＤ１４は、それぞれ順に、受信側フィルタ入力パッドＡ１１、受信側フィルタ出力パッドＡ１２、送信側フィルタ出力パッドＢ１１、送信側フィルタ入力パッドＢ１２、受信側フィルタ接地用電極パッドＡ１３、受信側フィルタ接地用電極パッドＡ１４、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ１３、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ１４に、それぞれワイヤＷ１１・Ｗ１２・Ｗ１３・Ｗ１４・Ｗ１５・Ｗ１６・Ｗ１７・Ｗ１８により接続されている。

上記実装基板４０は、パッケージ５０とＡＮＴ、Ｒｘ、Ｔｘの各端子に接続するための配線４１〜４４、およびグランド配線ＧＮＤが実装基板４０上にプリントされているものである。また、実装基板４０の配線４１〜４４は、それぞれ順に、パッケージ５０の送信側フィルタ用出力端子Ｄ１３、受信側フィルタ用入力端子Ｄ１１、送信側フィルタ用入力端子Ｄ１４、受信側フィルタ用出力端子Ｄ１２に、例えばハンダ付けにより接続されている。また、実装基板４０における上記配線がプリントされている面の裏面は、全面グランド配線７０となっており、上記グランド配線とスルーホールＴＨを介して接続されている。また、整合回路となるコンデンサＣおよびインダクタＬのチップが実装基板４０に実装されている。ここで、配線４１−送信側フィルタ用出力端子Ｄ１３−ワイヤＷ１３−送信側フィルタ出力パッドＢ１１−並列共振子６３−直列共振子６２−並列共振子６１−送信側フィルタ入力パッドＢ１２−ワイヤＷ１４−送信側フィルタ用入力端子Ｄ１４−配線４３の経路、および配線４２−受信側フィルタ用入力端子Ｄ１１−ワイヤＷ１１−受信側フィルタ入力パッドＡ１１−並列共振子５３−直列共振子５２−並列共振子５１−受信側フィルタ出力パッドＡ１２−ワイヤＷ１２−受信側フィルタ用出力端子Ｄ１２−配線４４の経路を各フィルタの信号ラインと定める。

ここで、本実施の形態のデュプレクサにおいて、受信側フィルタＦ１０および送信側フィルタＦ１１を搭載しているパッケージ５０について、実施の形態１と同様に、パッケージ５０における受信側フィルタＦ１０および送信側フィルタＦ１１を搭載した平面に対して垂直方向から見た場合（上記平面に投射した場合）について説明する。

受信側フィルタＦ１０および送信側フィルタＦ１１は、パッケージ５０において、基板１０・２０の１辺が互いに隣り合うように搭載されている。基板１０・２０の互いに隣り合う辺の近傍には、受信側フィルタ接地用電極パッドＡ１３、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ１３などの接地部材が設けられている。さらに、基板１０・２０における互いに隣り合う辺の対向する辺の近傍には、それぞれ受信側フィルタ出力パッドＡ１２、送信側フィルタ入力パッドＢ１２が設けられている。また、受信側フィルタＦ１０では、基板１０上に、並列共振子５１、直列共振子５２および並列共振子５３が、並列共振子５１と直列共振子５２とを結ぶ線と、直列共振子５２と並列共振子５３とを結ぶ線とが直角になるように配置されている。また、送信側フィルタＦ１１では、基板２０上に、並列共振子６１、直列共振子６２および並列共振子６３が、並列共振子６１と直列共振子６２とを結ぶ線と、直列共振子６２と並列共振子６３とを結ぶ線とが直角になるように配置されている。また、受信側フィルタ入力パッドＡ１１、送信側フィルタ出力パッドＢ１１は、基板１０・２０における互いに隣り合う辺に隣り合う辺の近傍に配置されている。

上記の構成によれば、受信側フィルタ入力パッドＡ１１と送信側フィルタ出力パッドＢ１１とを結ぶ線分に垂直な平面と交差する領域に、接地されている受信側フィルタ接地用電極パッドＡ１３、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ１３、ワイヤＷ１５・Ｗ１７などの接地部材が設けられている。また、受信側フィルタ用入力端子Ｄ１１と送信側フィルタ用出力端子Ｄ１３とを結ぶ線分に垂直な平面と交差する領域に、接地されている接地端子ＧＮＤ１１・ＧＮＤ１３、ワイヤＷ１５・Ｗ１７が設けられている。接地されている受信側フィルタ接地用電極パッドＡ１３、送信側フィルタ接地用電極パッドＢ１３、接地端子ＧＮＤ１１・ＧＮＤ１３、ワイヤＷ１５・Ｗ１７などの接地部材が電磁シールドの役割を果たし、受信側フィルタＦ１０と送信側フィルタＦ１１との間のアイソレーションが向上する。また、受信側フィルタ出力パッドＡ１２と送信側フィルタ入力パッドＢ１２との距離を離して配置することにより、受信側フィルタ入力パッドＡ１２と送信側フィルタ入力パッドＢ１２とにおける信号の結合を防止することができる。

また、上記受信側フィルタＦ１０、送信側フィルタＦ１１は、パッケージ５０における長方形の領域に搭載されている。本実施の形態におけるパッケージ５０では、上記長方形の周囲に沿って各端子Ｄ１１〜Ｄ１４・ＧＮＤ１１〜ＧＮＤ１４が設けられている。上記受信側フィルタＦ１０および送信側フィルタＦ１１の基板１０・２０は、上記パッケージ５０における長方形の領域内に、パッケージ５０の長方形と平行になるように配置されている。

また、図８に示すように、受信側フィルタＦ１０および送信側フィルタＦ１１において、並列共振子５１・６１、直列共振子５２・６２および並列共振子５３・６３を基板１０・２０上に直線上に配置してもよい。また、この構成では、受信側フィルタ入力用電極パッドＡ１１、受信側フィルタ出力パッドＡ１２と受信側フィルタ接地用電極パッドＡ１３とが、および送信側フィルタ出力用電極パッドＢ１１、送信側フィルタ入力パッドＢ１２と送信側フィルタ接地用電極パッドＢ１３とが同一の電極によって形成されている。

なお、デュプレクサの整合回路としてのコンデンサＣおよびインダクタＬは、チップとして実装基板（プリント基板）に搭載しても、例えば多層基板からなるパッケージに内蔵しても、実装基板に内蔵してもよい。

また、デュプレクサは、送信側フィルタ、受信側フィルタ、およびＴｘ端子、Ｒｘ端子、ＡＮＴ端子を１つのパッケージ内にまとめたものでも、プリント基板に送信側フィルタ、受信側フィルタをそれぞれ搭載したパッケージを実装したものであってもよい。

さらに、デュプレクサの回路の変形例について、図９ないし図１２に示すように、送信側フィルタおよび受信側フィルタとも、直列共振子、並列共振子の数、整合回路としてのコンデンサＣ、インダクタＬ等の整合回路素子の有無等は特に限定されるものではない。また、各整合回路素子は、送信側フィルタおよび／または受信側フィルタに組み込んでもよい。

また、受信側フィルタ及び送信側フィルタの少なくとも一方において、２つのフィルタの入力端子同士、あるいは出力端子同士を接続するとともに、該２つのフィルタをスイッチで切り替えるようにしてもよい。これにより、異なる通過帯域を有するフィルタを用いることで、広帯域をカバーするデュプレクサを構成することができる。

なお、実施の形態１、２では、パッケージと、送信側フィルタ・受信側フィルタとをワイヤで接続したものを示しているが、本発明は、これに限らず、２つのフィルタの間に接地部材が配置されていれば、フリップチップボンディングで接続したものであってもよい。

ここで、上記実施の形態１・２のデュプレクサにおける送信側フィルタおよび受信側フィルタとして用いられ得る圧電フィルタの構成（第１の実施例〜第９の実施例）について、図１３ないし図３０に基づいて、より詳細に説明する。

（第１の実施例）
第１の実施例にかかる圧電フィルタについて図１３および図１４に基づいて説明すれば以下のとおりである。

第１の実施例にかかる圧電フィルタは、図１４に示すように、入力パッドＩＮと出力パッドＯＵＴとの間に、圧電薄膜共振子である並列共振子１２０、直列共振子１３０、並列共振子１４０および直列共振子１５０をＬ型ラダーに配置した構成である。

より詳細には、上記圧電フィルタは、図１３（ａ）（ｂ）に示すように、基板１１０上にＳｉＯ₂、ＡｌＮの２層からなる絶縁膜、下部電極１１１・１１２、圧電薄膜１１３、直列共振子用上部電極１１４・１１５、並列共振子用上部電極１１６・１１７を積層した構成である。基板１１０には、開口部１１８ａ・１１８ｂが形成されており、その開口部１１８ａ・１１８ｂにてダイヤフラムが構成されている。また、上記開口部１１８ａ上に並列共振子１２０および直列共振子１３０の振動部が形成され、開口部１１８ｂ上に並列共振子１４０および直列共振子１５０の振動部が形成されている。なお、図１３（ａ）では、わかりやすくするために基板および圧電薄膜を省略し、並列共振子用上部電極１１６・１１７を実線、直列共振子用上部電極１１４・１１５を鎖線、下部電極１１１・１１２を一点鎖線で示している。

詳細には、上記並列共振子１２０は、絶縁膜、下部電極１１１、圧電薄膜１１３および並列共振子用上部電極１１６からなる振動部を備えている。上記直列共振子１３０は、絶縁膜、下部電極１１２、圧電薄膜１１３および直列共振子用上部電極１１４からなる振動部を備えている。上記並列共振子１４０は、絶縁膜、下部電極１１２、圧電薄膜１１３および並列共振子用上部電極１１７からなる振動部を備えている。上記直列共振子１５０は、絶縁膜、下部電極１１２、圧電薄膜１１３および直列共振子用上部電極１１５からなる振動部を備えている。

また、上記圧電フィルタでは、各共振子１２０・１３０・１４０・１５０では、下部電極１１１・１１２を同一の膜厚とし、圧電薄膜１１３の膜厚を同じにした上で、直列共振子用上部電極１１４・１１５と並列共振子用上部電極１１６・１１７との膜厚を異ならせている。これにより、直列共振子１３０・１５０と並列共振子１２０・１４０との周波数を異ならせている。ここでは、直列共振子用上部電極１１４・１１５の膜厚よりも並列共振子用上部電極１１６・１１７の膜厚のほうが厚くなっている。そして、並列共振子用上部電極１１６と直列共振子用上部電極１１４とが重なり合うように形成されて、並列共振子１２０と直列共振子１３０とが接続されている。本実施例では、振動部の平面方向視での形状が三角形であるため、横モードに起因するスプリアスの影響を小さくすることができると共に、矩形のダイヤフラムに、複数の振動部も効率よく形成することができる。

上記圧電フィルタでは、各共振子１２０・１３０・１４０・１５０は、この順番で基板１１０上にて直線上に形成されている。また、並列共振子用上部電極１１６および直列共振子用上部電極１１５は、それぞれ基板１１０上にて上記直線上に引き出されて、入力パッドＩＮおよび出力パッドＯＵＴを形成している。さらに、並列共振子用上部電極１１７および下部電極１１１は、それぞれＧＮＤに接続するために、基板１１０上にて上記直線に対して垂直方向に引き出されて、接地用電極パッドＧＮＤ１０１・ＧＮＤ１００を形成している。また、接地用電極パッドＧＮＤ１０１・ＧＮＤ１００は、上記直線に対して互いに反対側に引き出されている。

ここで、上記圧電フィルタでは、入力パッドＩＮ−並列共振子用上部電極１１６−直列共振子用上部電極１１４−下部電極１１２−直列共振子用上部電極１１５−出力パッドＯＵＴの経路が信号ラインとなっている。

この接地用電極パッドＧＮＤ１０１・ＧＮＤ１００のどちらかが、デュプレクサにおけるもう一方の圧電フィルタとの間に配置されるように、本実施例の圧電フィルタは用いられる。

（第２の実施例）
第２の実施例にかかる圧電フィルタについて図１５および図１６に基づいて説明すれば以下のとおりである。

第２の実施例にかかる圧電フィルタは、図１６に示すように、入力パッドＩＮと出力パッドＯＵＴとの間に、圧電薄膜共振子である並列共振子２２０、直列共振子２３０、直列共振子２４０および並列共振子２５０をＬ型ラダーに配置した構成である。

より詳細には、上記圧電フィルタは、図１５（ａ）（ｂ）に示すように、基板２１０上にＳｉＯ₂、ＡｌＮの２層からなる絶縁膜、下部電極２１１・２１２、圧電薄膜２１３、直列共振子用上部電極２１４・２１５、並列共振子用上部電極２１６・２１７を積層した構成である。基板２１０には、開口部２１８ａ・２１８ｂが形成されており、その開口部２１８ａ・２１８ｂにてダイヤフラムが構成されている。また、上記開口部２１８ａ上に並列共振子２２０および直列共振子２３０の振動部が形成され、開口部２１８ｂ上に直列共振子２４０および並列共振子２５０の振動部が形成されている。なお、図１５（ａ）では、わかりやすくするために基板および圧電薄膜を省略し、並列共振子用上部電極２１６・２１７を実線、直列共振子用上部電極２１４・２１５を鎖線、下部電極２１１・２１２を一点鎖線で示している。

詳細には、上記並列共振子２２０は、絶縁膜、下部電極２１１、圧電薄膜２１３および並列共振子用上部電極２１６からなる振動部を備えている。上記直列共振子２３０は、絶縁膜、下部電極２１２、圧電薄膜２１３および直列共振子用上部電極２１４からなる振動部を備えている。上記直列共振子２４０は、絶縁膜、下部電極２１２、圧電薄膜２１３および直列共振子用上部電極２１５からなる振動部を備えている。上記並列共振子２５０は、絶縁膜、下部電極２１２、圧電薄膜２１３および並列共振子用上部電極２１７からなる振動部を備えている。

また、上記圧電フィルタでは、各共振子２２０・２３０・２５０・２４０では、下部電極２１１・２１２を同一の膜厚とし、圧電薄膜２１３の膜厚を同じにした上で、直列共振子用上部電極２１４・２１５と並列共振子用上部電極２１６・２１７との膜厚を異ならせている。これにより、直列共振子２３０・２４０と並列共振子２２０・２５０との周波数を異ならせている。ここでは、直列共振子用上部電極２１４・２１５の膜厚よりも並列共振子用上部電極２１６・２１７の膜厚のほうが厚くなっている。そして、並列共振子用上部電極２１６と直列共振子用上部電極２１４とが重なり合うように形成されて、並列共振子２２０と直列共振子２３０とが接続されている。

本実施例では、振動部の平面方向視での形状が三角形であるため、横モードに起因するスプリアスの影響を小さくすることができると共に、矩形のダイヤフラムに複数の振動部を効率よく形成することができる。

上記圧電フィルタでは、各共振子２２０・２３０・２４０・２５０は、この順番で基板２１０上にて直線上に形成されている。また、並列共振子用上部電極２１６は、基板２１０上にて上記直線上に引き出されて、入力パッドＩＮを形成している。直列共振子用上部電極２１５は、基板２１０上にて上記直線に対して垂直方向に引き出されて、出力パッドＯＵＴを形成している。さらに、並列共振子用上部電極２１７は、ＧＮＤに接続するために、基板２１０上にて上記直線上に引き出されて、接地用電極パッドＧＮＤ２０１を形成している。下部電極２１１は、ＧＮＤに接続するために、基板２１０上にて上記直線に対して垂直方向に引き出されて、接地用電極パッドＧＮＤ２００を形成している。また、直列共振子用上部電極２１５と下部電極２１１とは、直線に対して互いに反対側に引き出されている。

ここで、上記圧電フィルタでは、入力パッドＩＮ−並列共振子用上部電極２１６−直列共振子用上部電極２１４−下部電極２１２−直列共振子用上部電極２１５−出力パッドＯＵＴの経路が信号ラインとなっている。

この接地用電極パッドＧＮＤ２００がデュプレクサにおける、もう一方の圧電フィルタとの間に配置されるように、本実施例の圧電フィルタは用いられる。

（第３の実施例）
第３の実施例にかかる圧電フィルタについて図１７および図１８に基づいて説明すれば以下のとおりである。

第３の実施例にかかる圧電フィルタは、図１８に示すように、入力パッドＩＮと出力パッドＯＵＴとの間に、圧電薄膜共振子である並列共振子３３０、直列共振子３４０・３５０、並列共振子３６０、および直列共振子３７０・３８０をＬ型ラダーに配置した構成である。

より詳細には、上記圧電フィルタは、図１７（ａ）（ｂ）に示すように、基板３１０上にＳｉＯ₂、ＡｌＮの２層からなる絶縁膜、下部電極３１１・３１２・３１３・３１４、圧電薄膜３１５、直列共振子用上部電極３１６・３１７・３１８・３１９、並列共振子用上部電極３２０・３２１を積層した構成である。基板３１０には、開口部３２２ａ・３２２ｂ・３２２ｃが形成されており、その開口部３２２ａ・３２２ｂ・３２２ｃにてダイヤフラムが構成されている。また、開口部３２２ａ上に並列共振子３３０および直列共振子３４０の振動部が形成され、開口部３２２ｂ上に直列共振子３５０および並列共振子３６０の振動部が形成され、開口部３２２ｃ上に直列共振子３７０・３８０の振動部が形成されている。なお、図１７（ａ）では、わかりやすくするために基板および圧電薄膜を省略し、並列共振子用上部電極３２０・３２１を実線、直列共振子用上部電極３１６・３１７・３１８・３１９を鎖線、下部電極３１１・３１２・３１３・３１４を一点鎖線で示している。

詳細には、上記並列共振子３３０は、絶縁膜、下部電極３１１、圧電薄膜３１５および並列共振子用上部電極３２０からなる振動部を備えている。上記直列共振子３４０は、絶縁膜、下部電極３１２、圧電薄膜３１５および直列共振子用上部電極３１６からなる振動部を備えている。上記直列共振子３５０は、絶縁膜、下部電極３１２、圧電薄膜３１５および直列共振子用上部電極３１７からなる振動部を備えている。上記並列共振子３６０は、絶縁膜、下部電極３１３、圧電薄膜３１５および並列共振子用上部電極３２１からなる振動部を備えている。上記直列共振子３７０は、絶縁膜、下部電極３１４、圧電薄膜３１５および直列共振子用上部電極３１８からなる振動部を備えている。上記直列共振子３８０は、絶縁膜、下部電極３１４、圧電薄膜３１５および直列共振子用上部電極３１９からなる振動部を備えている。

また、上記圧電フィルタでは、各共振子３３０・３４０・３５０・３６０・３７０・３８０において、下部電極３１１・３１２・３１３・３１４を同一の膜厚とし、圧電薄膜３１５の膜厚を同じにした上で、直列共振子用上部電極３１６・３１７・３１８・３１９と並列共振子用上部電極３２０・３２１との膜厚を異ならせている。これにより、直列共振子３４０・３５０・３７０・３８０と並列共振子３３０・３６０との周波数を異ならせている。ここでは、直列共振子用上部電極３１６・３１７・３１８・３１９の膜厚よりも並列共振子用上部電極３２０・３２１の膜厚のほうが厚くなっている。そして、並列共振子用上部電極３２０と直列共振子用上部電極３１６とが重なり合うように形成されて、並列共振子３３０と直列共振子３４０とが接続されている。また、直列共振子用上部電極３１７と並列共振子用上部電極３２１とが重なり合うように形成されて、直列共振子３５０と並列共振子３６０とが接続されている。また、並列共振子用上部電極３２１と直列共振子用上部電極３１８とが重なり合うように形成されて、並列共振子３６０と直列共振子３７０とが接続されている。

上記圧電フィルタでは、各共振子３３０・３４０・３５０・３６０・３７０・３８０は、この順番で基板３１０上にて直線上に形成されている。また、並列共振子用上部電極３２０および直列共振子用上部電極３１９は、それぞれ基板３１０上にて上記直線上に引き出されて、入力パッドＩＮおよび出力パッドＯＵＴを形成している。さらに、下部電極３１１・３１３は、それぞれＧＮＤに接続するために、基板３１０上にて上記直線に対して垂直方向に引き出されて、接地用電極パッドＧＮＤ３００・ＧＮＤ３０１を形成している。また、接地用電極パッドＧＮＤ３０１・ＧＮＤ３００は、上記直線に対して互いに反対側に引き出されている。

ここで、上記圧電フィルタでは、入力パッドＩＮ−並列共振子用上部電極３２０−直列共振子用上部電極３１６−下部電極３１２−直列共振子用上部電極３１７−並列共振子用上部電極３２１−直列共振子用上部電極３１８−下部電極３１４−直列共振子用上部電極３１９−出力パッドＯＵＴの経路が信号ラインとなっている。

この接地用電極パッドＧＮＤ３００・ＧＮＤ３０１のどちらかが、デュプレクサにおけるもう一方の圧電フィルタとの間に配置されるように、本実施例の圧電フィルタは用いられる。

（第４の実施例）
第４の実施例にかかる圧電フィルタについて図１９および図２０に基づいて説明すれば以下のとおりである。

第４の実施例にかかる圧電フィルタは、図２０に示すように、入力パッドＩＮと出力パッドＯＵＴとの間に、圧電薄膜共振子である並列共振子４３０、直列共振子４４０・４５０、並列共振子４６０、および直列共振子４７０・４８０をＬ型ラダーに配置した構成である。

より詳細には、上記圧電フィルタは、図１９（ａ）（ｂ）に示すように、基板４１０上にＳｉＯ₂、ＡｌＮの２層からなる絶縁膜、下部電極４１１・４１２・４１３・４１４、圧電薄膜４１５、直列共振子用上部電極４１６・４１７・４１８・４１９、並列共振子用上部電極４２０・４２１を積層した構成である。基板４１０には、開口部４２２ａ・４２２ｂ・４２２ｃが形成されており、その開口部４２２ａ・４２２ｂ・４２２ｃにてダイヤフラムが構成されている。また、開口部４２２ａ上に並列共振子４３０および直列共振子４４０の振動部が形成され、開口部４２２ｂ上に直列共振子４５０および並列共振子４６０の振動部が形成され、開口部４２２ｃ上に直列共振子４７０・４８０の振動部が形成されている。なお、図１９（ａ）では、わかりやすくするために基板および圧電薄膜を省略し、並列共振子用上部電極４２０・４２１を実線、直列共振子用上部電極４１６・４１７・４１８・４１９を鎖線、下部電極４１１・４１２・４１３・４１４を一点鎖線で示している。

詳細には、上記並列共振子４３０は、絶縁膜、下部電極４１１、圧電薄膜４１５および並列共振子用上部電極４２０からなる振動部を備えている。上記直列共振子４４０は、絶縁膜、下部電極４１２、圧電薄膜４１５および直列共振子用上部電極４１６からなる振動部を備えている。上記直列共振子４５０は、絶縁膜、下部電極４１２、圧電薄膜４１５および直列共振子用上部電極４１７からなる振動部を備えている。上記並列共振子４６０は、絶縁膜、下部電極４１３、圧電薄膜４１５および並列共振子用上部電極４２１からなる振動部を備えている。上記直列共振子４７０は、絶縁膜、下部電極４１４、圧電薄膜４１５および直列共振子用上部電極４１８からなる振動部を備えている。上記直列共振子４８０は、絶縁膜、下部電極４１４、圧電薄膜４１５および直列共振子用上部電極４１９からなる振動部を備えている。

また、上記圧電フィルタでは、各共振子４３０・４４０・４５０・４６０・４７０・４８０において、下部電極４１１・４１２・４１３・４１４を同一の膜厚とし、圧電薄膜４１５の膜厚を同じにした上で、直列共振子用上部電極４１６・４１７・４１８・４１９と並列共振子用上部電極４２０・４２１との膜厚を異ならせている。これにより、直列共振子４４０・４５０・４７０・４８０と並列共振子４３０・４６０との周波数を異ならせている。ここでは、直列共振子用上部電極４１６・４１７・４１８・４１９の膜厚よりも並列共振子用上部電極４２０・４２１の膜厚のほうが厚くなっている。そして、並列共振子用上部電極４２０と直列共振子用上部電極４１６とが重なり合うように形成されて、並列共振子４３０と直列共振子４４０とが接続されている。また、直列共振子用上部電極４１７と並列共振子用上部電極４２１とが重なり合うように形成されて、直列共振子４５０と並列共振子４６０とが接続されている。また、並列共振子用上部電極４２１と直列共振子用上部電極４１８とが重なり合うように形成されて、並列共振子４６０と直列共振子４７０とが接続されている。

上記圧電フィルタでは、各共振子４３０・４４０・４５０・４６０・４７０・４８０は、この順番で基板４１０上にて直線上に形成されている。また、並列共振子用上部電極４２０は、基板４１０上にて上記直線上に引き出されて、入力パッドＩＮを形成している。また、直列共振子用上部電極４１９は、基板４１０上にて上記直線に対して垂直方向に引き出されて出力パッドＯＵＴを形成している。さらに、下部電極４１１・４１３は、それぞれＧＮＤに接続するために、基板４１０上にて上記直線に対して垂直方向に引き出されて、接地用電極パッドＧＮＤ４００・ＧＮＤ４０１を形成している。また、接地用電極パッドＧＮＤ４００および出力パッドＯＵＴと、接地用電極パッドＧＮＤ４０１とは、上記直線に対して互いに反対側に引き出されている。

ここで、上記圧電フィルタでは、入力パッドＩＮ−並列共振子用上部電極４２０−直列共振子用上部電極４１６−下部電極４１２−直列共振子用上部電極４１７−並列共振子用上部電極４２１−直列共振子用上部電極４１８−下部電極４１４−直列共振子用上部電極４１９−出力パッドＯＵＴの経路が信号ラインとなっている。

この接地用電極パッドＧＮＤ４０１が、デュプレクサにおけるもう一方の圧電フィルタとの間に配置されるように、本実施例の圧電フィルタは用いられる。

（第５の実施例）
第５の実施例にかかる圧電フィルタについて図２１および図２２に基づいて説明すれば以下のとおりである。

第５の実施例にかかる圧電フィルタは、図２２に示すように、入力パッドＩＮと出力パッドＯＵＴとの間に、圧電薄膜共振子である並列共振子５３０、直列共振子５４０、並列共振子５５０・５６０、直列共振子５７０および並列共振子５８０をπ型ラダーに配置した構成である。

より詳細には、上記圧電フィルタは、図２１（ａ）（ｂ）に示すように、基板５１０上にＳｉＯ₂、ＡｌＮの２層からなる絶縁膜、下部電極５１１・５１２・５１３、圧電薄膜５１４、直列共振子用上部電極５１５・５１６、並列共振子用上部電極５１７・５１８・５１９・５２０を積層した構成である。基板５１０には、開口部５２２ａ・５２２ｂ・５２２ｃが形成されており、その開口部５２２ａ・５２２ｂ・５２２ｃにてダイヤフラムが構成されている。また、開口部５２２ａ上に並列共振子５３０および直列共振子５４０の振動部が形成され、開口部５２２ｂ上に並列共振子５５０・５６０の振動部が形成され、開口部５２２ｃ上に直列共振子５７０および並列共振子５８０の振動部が形成されている。なお、図２１（ａ）では、わかりやすくするために基板および圧電薄膜を省略し、並列共振子用上部電極５１７・５１８・５１９・５２０を実線、直列共振子用上部電極５１５・５１６を鎖線、下部電極５１１・５１２・５１３を一点鎖線で示している。

詳細には、上記並列共振子５３０は、絶縁膜、下部電極５１１、圧電薄膜５１４および並列共振子用上部電極５１７からなる振動部を備えている。上記直列共振子５４０は、絶縁膜、下部電極５１２、圧電薄膜５１４および直列共振子用上部電極５１５からなる振動部を備えている。上記並列共振子５５０は、絶縁膜、下部電極５１２、圧電薄膜５１４および並列共振子用上部電極５１８からなる振動部を備えている。上記並列共振子５６０は、絶縁膜、下部電極５１２、圧電薄膜５１４および並列共振子用上部電極５１９からなる振動部を備えている。上記直列共振子５７０は、絶縁膜、下部電極５１２、圧電薄膜５１４および直列共振子用上部電極５１６からなる振動部を備えている。上記並列共振子５８０は、絶縁膜、下部電極５１３、圧電薄膜５１４および並列共振子用上部電極５２０からなる振動部を備えている。

また、上記圧電フィルタでは、各共振子５３０・５４０・５５０・５６０・５７０・５８０において、下部電極５１１・５１２・５１３を同一の膜厚とし、圧電薄膜５１４の膜厚を同じにした上で、直列共振子用上部電極５１５・５１６と並列共振子用上部電極５１７・５１８・５１９・５２０との膜厚を異ならせている。これにより、直列共振子５４０・５７０と並列共振子５３０・５５０・５６０・５８０との周波数を異ならせている。ここでは、直列共振子用上部電極５１５・５１６の膜厚よりも並列共振子用上部電極５１７・５１８・５１９・５２０の膜厚のほうが厚くなっている。そして、並列共振子用上部電極５１７と直列共振子用上部電極５１５とが重なり合うように形成されて、並列共振子５３０と直列共振子５４０とが接続されている。また、直列共振子用上部電極５１６と並列共振子用上部電極５２０とが重なり合うように形成されて、直列共振子５７０と並列共振子５８０とが接続されている。

上記圧電フィルタでは、各共振子５３０・５４０・５５０・５６０・５７０・５８０は、この順番で基板５１０上にて直線上に形成されている。また、並列共振子用上部電極５１７は、基板５１０上にて上記直線上に引き出されて、入力パッドＩＮを形成している。直列共振子用上部電極５１６は、基板５１０上にて上記直線に対して垂直方向に引き出されて、出力パッドＯＵＴを形成している。また、下部電極５１１、並列共振子用上部電極５１８・５１９は、それぞれＧＮＤに接続するために、基板５１０上にて上記直線に対して垂直方向に引き出されて、接地用電極パッドＧＮＤ５００・ＧＮＤ５０１・ＧＮＤ５０２を形成している。また、並列共振子用上部電極５２０は、ＧＮＤに接続するために、基板５１０上にて上記直線上に引き出されて、接地用電極パッドＧＮＤ５０３を形成している。また、接地用電極パッドＧＮＤ５００・ＧＮＤ５０１および出力パッドＯＵＴと、接地用電極パッドＧＮＤ５０２とは、上記直線に対して互いに反対側に引き出されている。

ここで、上記圧電フィルタでは、入力パッドＩＮ−並列共振子用上部電極５１７−直列共振子用上部電極５１５−下部電極５１２−直列共振子用上部電極５１６−並列共振子用上部電極５２０−直列共振子用上部電極５１６−出力パッドＯＵＴの経路が信号ラインとなっている。

この接地用電極パッドＧＮＤ５０２が、デュプレクサにおけるもう一方の圧電フィルタとの間に配置されるように、本実施例の圧電フィルタは用いられる。

（第６の実施例）
第６の実施例にかかる圧電フィルタについて図２３および図２４に基づいて説明すれば以下のとおりである。

第６の実施例にかかる圧電フィルタは、図２４に示すように、入力パッドＩＮと出力パッドＯＵＴとの間に、圧電薄膜共振子である直列共振子６３０・６４０、並列共振子６５０、直列共振子６６０、並列共振子６７０および直列共振子６８０をＴ型ラダーに配置した構成である。

より詳細には、上記圧電フィルタは、図２３（ａ）（ｂ）に示すように、基板６１０上にＳｉＯ₂、ＡｌＮの２層からなる絶縁膜、下部電極６１１・６１２・６１３、圧電薄膜６１４、直列共振子用上部電極６１５・６１６・６１７・６１８、並列共振子用上部電極６１９・６２０を積層した構成である。基板６１０には、開口部６２２ａ・６２２ｂ・６２２ｃが形成されており、その開口部６２２ａ・６２２ｂ・６２２ｃにてダイヤフラムが構成されている。また、開口部６２２ａ上に直列共振子６３０・６４０の振動部が形成され、開口部６２２ｂ上に並列共振子６５０および直列共振子６６０の振動部が形成され、開口部６２２ｃ上に並列共振子６７０および直列共振子６８０の振動部が形成されている。なお、図２３（ａ）では、わかりやすくするために基板および圧電薄膜を省略し、並列共振子用上部電極６１９・６２０を実線、直列共振子用上部電極６１５・６１６・６１７・６１８を鎖線、下部電極６１１・６１２・６１３を一点鎖線で示している。

詳細には、上記直列共振子６３０は、絶縁膜、下部電極６１１、圧電薄膜６１４および直列共振子用上部電極６１５からなる振動部を備えている。上記直列共振子６４０は、絶縁膜、下部電極６１１、圧電薄膜６１４および直列共振子用上部電極６１６からなる振動部を備えている。上記並列共振子６５０は、絶縁膜、下部電極６１２、圧電薄膜６１４および並列共振子用上部電極６１９からなる振動部を備えている。上記直列共振子６６０は、絶縁膜、下部電極６１３、圧電薄膜６１４および直列共振子用上部電極６１７からなる振動部を備えている。上記並列共振子６７０は、絶縁膜、下部電極６１３、圧電薄膜６１４および並列共振子用上部電極６２０からなる振動部を備えている。上記直列共振子６８０は、絶縁膜、下部電極６１３、圧電薄膜６１４および直列共振子用上部電極６１８からなる振動部を備えている。

また、上記圧電フィルタでは、各共振子６３０・６４０・６５０・６６０・６７０・６８０において、下部電極６１１・６１２・６１３を同一の膜厚とし、圧電薄膜６１４の膜厚を同じにした上で、直列共振子用上部電極６１５・６１６・６１７・６１８と並列共振子用上部電極６１９・６２０との膜厚を異ならせている。これにより、直列共振子６３０・６４０・６６０・６８０と並列共振子６５０・６７０との周波数を異ならせている。ここでは、直列共振子用上部電極６１５・６１６・６１７・６１８の膜厚よりも並列共振子用上部電極６１９・６２０の膜厚のほうが厚くなっている。そして、直列共振子用上部電極６１６と並列共振子用上部電極６１９とが重なり合うように形成されて、直列共振子６４０と並列共振子６５０とが接続されている。また、並列共振子用上部電極６１９と直列共振子用上部電極６１７とが重なり合うように形成されて、並列共振子６５０と直列共振子６６０とが接続されている。

上記圧電フィルタでは、各共振子６３０・６４０・６５０・６６０・６７０・６８０は、この順番で基板６１０上にて直線上に形成されている。また、直列共振子用上部電極６１５・６１８は、基板６１０上にて上記直線上に引き出されて、入力パッドＩＮおよび出力パッドＯＵＴを形成している。また、下部電極６１２、並列共振子用上部電極６２０は、それぞれＧＮＤに接続するために、基板６１０上にて上記直線に対して垂直方向に引き出されて、接地用電極パッドＧＮＤ６００・ＧＮＤ６０１を形成している。また、接地用電極パッドＧＮＤ６００と接地用電極パッドＧＮＤ６０１とは、上記直線に対して互いに反対側に引き出されている。

ここで、上記圧電フィルタでは、入力パッドＩＮ−直列共振子用上部電極６１６−下部電極６１１−直列共振子用上部電極６１６−並列共振子用上部電極６１９−直列共振子用上部電極６１７−下部電極６１３−直列共振子用上部電極６１８−出力パッドＯＵＴの経路が信号ラインとなっている。

この接地用電極パッドＧＮＤ６００・ＧＮＤ６０１のいずれかが、デュプレクサにおけるもう一方の圧電フィルタとの間に配置されるように、本実施例の圧電フィルタは用いられる。

（第７の実施例）
第７の実施例にかかる圧電フィルタについて図２５および図２６に基づいて説明すれば以下のとおりである。

第７の実施例にかかる圧電フィルタは、図２６に示すように、入力パッドＩＮと出力パッドＯＵＴとの間に、圧電薄膜共振子である直列共振子７３０・７４０、並列共振子７５０、直列共振子７６０、並列共振子７７０および直列共振子７８０をＴ型ラダーに配置した構成である。

より詳細には、上記圧電フィルタは、図２５（ａ）（ｂ）に示すように、基板７１０上にＳｉＯ₂、ＡｌＮの２層からなる絶縁膜、下部電極７１１・７１２・７１３、圧電薄膜７１４、直列共振子用上部電極７１５・７１６・７１７・７１８、並列共振子用上部電極７１９・７２０を積層した構成である。基板７１０には、開口部７２２ａ・７２２ｂ・７２２ｃが形成されており、その開口部７２２ａ・７２２ｂ・７２２ｃにてダイヤフラムが構成されている。また、開口部７２２ａ上に直列共振子７３０・７４０の振動部が形成され、開口部７２２ｂ上に並列共振子７５０および直列共振子７６０の振動部が形成され、開口部７２２ｃ上に並列共振子７７０および直列共振子７８０の振動部が形成されている。なお、図２５（ａ）では、わかりやすくするために基板および圧電薄膜を省略し、並列共振子用上部電極７１９・７２０を実線、直列共振子用上部電極７１５・７１６・７１７・７１８を鎖線、下部電極７１１・７１２・７１３を一点鎖線で示している。

詳細には、上記直列共振子７３０は、絶縁膜、下部電極７１１、圧電薄膜７１４および直列共振子用上部電極７１５からなる振動部を備えている。上記直列共振子７４０は、絶縁膜、下部電極７１１、圧電薄膜７１４および直列共振子用上部電極７１６からなる振動部を備えている。上記並列共振子７５０は、絶縁膜、下部電極７１２、圧電薄膜７１４および並列共振子用上部電極７１９からなる振動部を備えている。上記直列共振子７６０は、絶縁膜、下部電極７１３、圧電薄膜７１４および直列共振子用上部電極７１７からなる振動部を備えている。上記並列共振子７７０は、絶縁膜、下部電極７１３、圧電薄膜７１４および並列共振子用上部電極７２０からなる振動部を備えている。上記直列共振子７８０は、絶縁膜、下部電極７１３、圧電薄膜７１４および直列共振子用上部電極７１８からなる振動部を備えている。

また、上記圧電フィルタでは、各共振子７３０・７４０・７５０・７６０・７７０・７８０において、下部電極７１１・７１２・７１３を同一の膜厚とし、圧電薄膜７１４の膜厚を同じにした上で、直列共振子用上部電極７１５・７１６・７１７・７１８と並列共振子用上部電極７１９・７２０との膜厚を異ならせている。これにより、直列共振子７３０・７４０・７６０・７８０と並列共振子７５０・７７０との周波数を異ならせている。ここでは、直列共振子用上部電極７１５・７１６・７１７・７１８の膜厚よりも並列共振子用上部電極７１９・７２０の膜厚のほうが厚くなっている。そして、直列共振子用上部電極７１６と並列共振子用上部電極７１９とが重なり合うように形成されて、直列共振子７４０と並列共振子７５０とが接続されている。また、並列共振子用上部電極７１９と直列共振子用上部電極７１７とが重なり合うように形成されて、並列共振子７５０と直列共振子７６０とが接続されている。

上記圧電フィルタでは、各共振子７３０・７４０・７５０・７６０・７７０・７８０は、この順番で基板７１０上にて直線上に形成されている。また、直列共振子用上部電極７１５は、基板７１０上にて上記直線上に引き出されて、入力パッドＩＮを形成している。直列共振子用上部電極７１８は、基板７１０上にて上記直線に対して垂直方向に引き出されて、出力パッドＯＵＴを形成している。また、下部電極７１２、並列共振子用上部電極７２０は、それぞれＧＮＤに接続するために、基板７１０上にて上記直線に対して垂直方向に引き出されて、接地用電極パッドＧＮＤ７００・ＧＮＤ７０１を形成している。また、接地用電極パッドＧＮＤ７００および出力パッドＯＵＴと、接地用電極パッドＧＮＤ７０１とは、上記直線に対して互いに反対側に引き出されている。

ここで、上記圧電フィルタでは、入力パッドＩＮ−直列共振子用上部電極７１５−下部電極７１１−直列共振子用上部電極７１６−並列共振子用上部電極７１９−直列共振子用上部電極７１７−下部電極７１３−直列共振子用上部電極７１８−出力パッドＯＵＴの経路が信号ラインとなっている。

この接地用電極パッドＧＮＤ７０１が、デュプレクサにおけるもう一方の圧電フィルタとの間に配置されるように、本実施例の圧電フィルタは用いられる。

（第８の実施例）
第８の実施例にかかる圧電フィルタについて図２７および図２８に基づいて説明すれば以下のとおりである。

第８の実施例にかかる圧電フィルタは、図２８に示すように、入力パッドＩＮと出力パッドＯＵＴとの間に、圧電薄膜共振子である直列共振子８３０、並列共振子８４０、直列共振子８５０、並列共振子８６０および直列共振子８７０をＴ型ラダーに配置した構成である。

より詳細には、上記圧電フィルタは、図２７（ａ）（ｂ）に示すように、基板８１０上にＳｉＯ₂、ＡｌＮの２層からなる絶縁膜、下部電極８１１・８１２・８１３、圧電薄膜８１４、直列共振子用上部電極８１５・８１６・８１７、並列共振子用上部電極８１８・８１９を積層した構成である。基板８１０には、開口部８２２ａ・８２２ｂ・８２２ｃが形成されており、その開口部８２２ａ・８２２ｂ・８２２ｃにてダイヤフラムが構成されている。また、開口部８２２ａ上に直列共振子８３０および並列共振子８４０の振動部が形成され、開口部８２２ｂ上に直列共振子８５０および並列共振子８６０の振動部が形成され、開口部８２２ｃ上に直列共振子８７０の振動部が形成されている。なお、図２７（ａ）では、わかりやすくするために基板および圧電薄膜を省略し、並列共振子用上部電極８１８・８１９を実線、直列共振子用上部電極８１５・８１６・８１７を鎖線、下部電極８１１・８１２・８１３を一点鎖線で示している。

詳細には、上記直列共振子８３０は、絶縁膜、下部電極８１１、圧電薄膜８１４および直列共振子用上部電極８１５からなる振動部を備えている。上記並列共振子８４０は、絶縁膜、下部電極８１１、圧電薄膜８１４および並列共振子用上部電極８１８からなる振動部を備えている。直列共振子８５０は、絶縁膜、下部電極８１１、圧電薄膜８１４および直列共振子用上部電極８１６からなる振動部を備えている。上記並列共振子８６０は、絶縁膜、下部電極８１２、圧電薄膜８１４および並列共振子用上部電極８１９からなる振動部を備えている。上記直列共振子８７０は、絶縁膜、下部電極８１３、圧電薄膜８１４および直列共振子用上部電極８１７からなる振動部を備えている。

また、上記圧電フィルタでは、各共振子８３０・８４０・８５０・８６０・８７０において、下部電極８１１・８１２・８１３を同一の膜厚とし、圧電薄膜８１４の膜厚を同じにした上で、直列共振子用上部電極８１５・８１６・８１７と並列共振子用上部電極８１８・８１９との膜厚を異ならせている。これにより、直列共振子８３０・８５０・８７０と並列共振子８４０・８６０との周波数を異ならせている。ここでは、直列共振子用上部電極８１５・８１６・８１７の膜厚よりも並列共振子用上部電極８１８・８１９の膜厚のほうが厚くなっている。そして、直列共振子用上部電極８１６と並列共振子用上部電極８１９とが重なり合うように形成されて、直列共振子８５０と並列共振子８６０とが接続されている。また、並列共振子用上部電極８１９と直列共振子用上部電極８１７とが重なり合うように形成されて、並列共振子８６０と直列共振子８７０とが接続されている。

上記圧電フィルタでは、各共振子８３０・８４０・８５０・８６０・８７０は、この順番で基板８１０上にて直線上に形成されている。また、直列共振子用上部電極８１５は、基板８１０上にて上記直線上に引き出されて、入力パッドＩＮを形成している。下部電極８１３は、基板８１０上にて上記直線に対して垂直方向に引き出されて、出力パッドＯＵＴを形成している。また、並列共振子用上部電極８１８、下部電極８１２は、それぞれＧＮＤに接続するために、基板８１０上にて上記直線に対して垂直方向に引き出されて、接地用電極パッドＧＮＤ８００・ＧＮＤ８０１を形成している。また、接地用電極パッドＧＮＤ８００および出力パッドＯＵＴと、接地用電極パッドＧＮＤ８０１とは、上記直線に対して互いに反対側に引き出されている。

ここで、上記圧電フィルタでは、入力パッドＩＮ−直列共振子用上部電極８１５−下部電極８１１−直列共振子用上部電極８１６−並列共振子用上部電極８１９−直列共振子用上部電極８１７−下部電極８１３−出力パッドＯＵＴの経路が信号ラインとなっている。

この接地用電極パッドＧＮＤ８０１が、デュプレクサにおけるもう一方の圧電フィルタとの間に配置されるように、本実施例の圧電フィルタは用いられる。

（第９の実施例）
第９の実施例にかかる圧電フィルタについて図２９および図３０に基づいて説明すれば以下のとおりである。

第９の実施例にかかる圧電フィルタは、図３０に示すように、入力パッドＩＮと出力パッドＯＵＴとの間に、圧電薄膜共振子である直列共振子９３０、並列共振子９４０、直列共振子９５０、並列共振子９６０および直列共振子９７０をＴ型ラダーに配置した構成である。

より詳細には、上記圧電フィルタは、図２９（ａ）（ｂ）に示すように、基板９１０上にＳｉＯ₂、ＡｌＮの２層からなる絶縁膜、下部電極９１１・９１２・９１３、圧電薄膜９１４、直列共振子用上部電極９１５・９１６・９１７、並列共振子用上部電極９１８・９１９を積層した構成である。基板９１０には、開口部９２２ａ・９２２ｂ・９２２ｃが形成されており、その開口部９２２ａ・９２２ｂ・９２２ｃにてダイヤフラムが構成されている。また、開口部９２２ａ上に直列共振子９３０および並列共振子９４０の振動部が形成され、開口部９２２ｂ上に直列共振子９５０および並列共振子９６０の振動部が形成され、開口部９２２ｃ上に直列共振子９７０の振動部が形成されている。なお、図２７（ａ）では、わかりやすくするために基板および圧電薄膜を省略し、並列共振子用上部電極９１８・９１９を実線、直列共振子用上部電極９１５・９１６・９１７を鎖線、下部電極９１１・９１２・９１３を一点鎖線で示している。

詳細には、上記直列共振子９３０は、絶縁膜、下部電極９１１、圧電薄膜９１４および直列共振子用上部電極９１５からなる振動部を備えている。上記並列共振子９４０は、絶縁膜、下部電極９１１、圧電薄膜９１４および並列共振子用上部電極９１８からなる振動部を備えている。直列共振子９５０は、絶縁膜、下部電極９１１、圧電薄膜９１４および直列共振子用上部電極９１６からなる振動部を備えている。上記並列共振子９６０は、絶縁膜、下部電極９１２、圧電薄膜９１４および並列共振子用上部電極９１９からなる振動部を備えている。上記直列共振子９７０は、絶縁膜、下部電極９１３、圧電薄膜９１４および直列共振子用上部電極９１７からなる振動部を備えている。

また、上記圧電フィルタでは、各共振子９３０・９４０・９５０・９６０・９７０において、下部電極９１１・９１２・９１３を同一の膜厚とし、圧電薄膜９１４の膜厚を同じにした上で、直列共振子用上部電極９１５・９１６・９１７と並列共振子用上部電極９１８・９１９との膜厚を異ならせている。これにより、直列共振子９３０・９５０・９７０と並列共振子９４０・９６０との周波数を異ならせている。ここでは、直列共振子用上部電極９１５・９１６・９１７の膜厚よりも並列共振子用上部電極９１８・９１９の膜厚のほうが厚くなっている。そして、直列共振子用上部電極９１６と並列共振子用上部電極９１９とが重なり合うように形成されて、直列共振子９５０と並列共振子９６０とが接続されている。また、並列共振子用上部電極９１９と直列共振子用上部電極９１７とが重なり合うように形成されて、並列共振子９６０と直列共振子９７０とが接続されている。

上記圧電フィルタでは、各共振子９３０・９４０・９５０・９６０・９７０は、この順番で基板９１０上にて直線上に形成されている。また、直列共振子用上部電極９１５および下部電極９１３は、基板９１０上にて上記直線上に引き出されて、入力パッドＩＮおよび出力パッドＯＵＴを形成している。また、並列共振子用上部電極９１８、下部電極９１２は、それぞれＧＮＤに接続するために、基板９１０上にて上記直線に対して垂直方向に引き出されて、接地用電極パッドＧＮＤ９００・ＧＮＤ９０１を形成している。また、接地用電極パッドＧＮＤ９００と、接地用電極パッドＧＮＤ９０１とは、上記直線に対して互いに反対側に引き出されている。

ここで、上記圧電フィルタでは、入力パッドＩＮ−直列共振子用上部電極９１５−下部電極９１１−直列共振子用上部電極９１６−並列共振子用上部電極９１９−直列共振子用上部電極９１７−下部電極９１３−出力パッドＯＵＴの経路が信号ラインとなっている。

この接地用電極パッドＧＮＤ９００・ＧＮＤ９０１のいずれかが、デュプレクサにおけるもう一方の圧電フィルタとの間に配置されるように、本実施例の圧電フィルタは用いられる。

上記第１〜第９の実施例の圧電フィルタは、上記デュプレクサの送信側フィルタまたは受信側フィルタの少なくとも一方に用いられる。

上記第１〜９の実施例の圧電フィルタは、接地用電極パッドのみを形成しているが、接地用電極パッドに接続された接地配線を形成してもよい。

特に、上記第１、第３、第６、第９の実施例の圧電フィルタは、２つのフィルタの間に接地用電極パッドや接地配線を形成しやすい圧電フィルタの構造である。つまり、上記第１、第３、第６、第９の実施例の圧電フィルタが、デュプレクサにおける受信側フィルタまたは送信側フィルタとしてパッケージに搭載された場合、もう一方の圧電フィルタは、各実施例の圧電フィルタにおける各共振子の並んでいる直線に対して、上記接地用電極パッドＧＮＤ１００・ＧＮＤ３０１・ＧＮＤ６０１・ＧＮＤ９０１またはＧＮＤ１０１・ＧＮＤ３００・ＧＮＤ６００・ＧＮＤ９００側に搭載される。そのため、上記接地用電極パッドＧＮＤ１００・ＧＮＤ３０１・ＧＮＤ６０１・ＧＮＤ９０１またはＧＮＤ１０１・ＧＮＤ３００・ＧＮＤ６００・ＧＮＤ９００のいずれかが、送信側フィルタと受信側フィルタとの間に配置されることとなる。この接地用電極パッドＧＮＤ１００・ＧＮＤ３０１・ＧＮＤ６０１・ＧＮＤ９０１またはＧＮＤ１０１・ＧＮＤ３００・ＧＮＤ６００・ＧＮＤ９００のいずれかがシールドとなる接地用部材に相当する。また、送信側フィルタと受信側フィルタとの間に配置された接地用電極パッドに、送信側フィルタと受信側フィルタとの間に形成した接地配線またはワイヤを接続することにより接地してもよい。この場合、上記接地配線、ワイヤもシールドとなる接地部材に相当する。また、ワイヤで接続する場合には、ワイヤが上記共振子をまたがないことが好ましい。

また、上記第２、第４、第５、第７、第８の実施例の圧電フィルタは、入力パッドと入力パッドとを接続するワイヤと、出力パッドと出力パッドとを接続するワイヤとが、その延長線上において平面方向視でほぼ垂直に交わるようにするとともに、２つのフィルタの間に、接地用電極パッドや接地配線を形成しやすい圧電フィルタの構造である。つまり、上記第２、第４、第５、第７、第８の実施例の圧電フィルタが、デュプレクサにおける受信側フィルタまたは送信側フィルタとしてパッケージに搭載された場合、もう一方の圧電フィルタは、各実施例の圧電フィルタにおける各共振子の並んでいる直線に対して、出力パッドＯＵＴとは反対側に引き出された接地用電極パッドＧＮＤ２００・ＧＮＤ４０１・ＧＮＤ５０２・ＧＮＤ７０１・ＧＮＤ８０１側に搭載される。そのため、接地用電極パッドＧＮＤ２００・ＧＮＤ４０１・ＧＮＤ５０２・ＧＮＤ７０１・ＧＮＤ８０１は、２つの圧電フィルタの間に配置されることとなる。この接地用電極パッドＧＮＤ２００・ＧＮＤ４０１・ＧＮＤ５０２・ＧＮＤ７０１・ＧＮＤ８０１がシールドとなる接地部材に相当する。また、入力パッドＩＮは各共振子が並んでいる直線上に引き出され、出力パッドは各共振子が並んでいる直線に対して垂直になるように引き出されている。そのため、入力パッドに接続されるワイヤと、出力パッドに接続されるワイヤとは、基板においてその延びる方向がほぼ垂直に交わりやすい構成となっている。

また、第６および第７の実施例の圧電フィルタは、入力側の共振子を２つの直列接続の共振子で構成しているため、共振子にかかる電力が１つのときと比べて１／２となり、電力負荷が軽減され、電力印加によるストレスが軽減される。

また、第８および第９の実施例の圧電フィルタは、入力パッドＩＮと出力パッドＯＵＴとが逆であってもよい。

また、送信側フィルタおよび受信側フィルタを同一の基板で形成してもよい。この場合、送信側フィルタと受信側フィルタとの間に、接地用電極パッドと接地配線との少なくとも一方を該基板上に形成すると共に、該接地用電極パッドおよび／または接地配線が、送信側フィルタおよび受信側フィルタのそれぞれに接続されていることが好ましい。実施例では、矩形形状となるダイヤフラムに効率よくおさめることができる上下電極の重なりが、三角形となる共振子を例示したが、上下電極の重なり形状については任意の形状をとることができる。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

本発明の実施の一形態に係るパッケージに収納されたデュプレクサの概略の平面図である。上記デュプレクサの回路図である。上記デュプレクサにおける圧電薄膜共振子の構造を示す断面図である。上記圧電薄膜共振子の変形例の構造を示す断面図である。上記デュプレクサの変形例を示す概略の平面図である。本発明の実施の一形態に係る実装基板に実装されたデュプレクサの概略の平面図、およびＸ−Ｘ’線における断面図である。上記デュプレクサの回路図である。上記デュプレクサの変形例の概略の平面図である。上記デュプレクサの他の変形例の回路図である。上記デュプレクサのさらに他の変形例の回路図である。上記デュプレクサのさらに他の変形例の回路図である。上記デュプレクサのさらに他の変形例の回路図である。（ａ）は上記ディプレクサに用いられる圧電フィルタの第１の実施例を示す平面図であり、（ｂ）はそのＹ１−Ｙ１’線矢視断面図である。図１３の圧電フィルタの回路図である。（ａ）は上記ディプレクサに用いられる圧電フィルタの第２の実施例を示す平面図であり、（ｂ）はそのＹ２−Ｙ２’線矢視断面図である。図１５の圧電フィルタの回路図である。（ａ）は上記ディプレクサに用いられる圧電フィルタの第３の実施例を示す平面図であり、（ｂ）はそのＹ３−Ｙ３’線矢視断面図である。図１７の圧電フィルタの回路図である。（ａ）は上記ディプレクサに用いられる圧電フィルタの第４の実施例を示す平面図であり、（ｂ）はそのＹ４−Ｙ４’線矢視断面図である。図１９の圧電フィルタの回路図である。（ａ）は上記ディプレクサに用いられる圧電フィルタの第５の実施例を示す平面図であり、（ｂ）はそのＹ５−Ｙ５’線矢視断面図である。図２１の圧電フィルタの回路図である。（ａ）は上記ディプレクサに用いられる圧電フィルタの第６の実施例を示す平面図であり、（ｂ）はそのＹ６−Ｙ６’線矢視断面図である。図２３の圧電フィルタの回路図である。（ａ）は上記ディプレクサに用いられる圧電フィルタの第７の実施例を示す平面図であり、（ｂ）はそのＹ７−Ｙ７’線矢視断面図である。図２５の圧電フィルタの回路図である。（ａ）は上記ディプレクサに用いられる圧電フィルタの第８の実施例を示す平面図であり、（ｂ）はそのＹ８−Ｙ８’線矢視断面図である。図２７の圧電フィルタの回路図である。（ａ）は上記ディプレクサに用いられる圧電フィルタの第９の実施例を示す平面図であり、（ｂ）はそのＹ８−Ｙ８’線矢視断面図である。図２９の圧電フィルタの回路図である。

符号の説明

１パッケージ
Ｆ１受信側フィルタ
Ｆ２送信側フィルタ
Ａ１受信側フィルタ入力パッド（受信側フィルタ入力端子）
Ａ２受信側フィルタ出力パッド（受信側フィルタ出力端子）
Ｂ１送信側フィルタ出力パッド（送信側フィルタ出力端子）
Ｂ２送信側フィルタ入力パッド（送信側フィルタ入力端子）
Ａ３・Ａ４受信側フィルタ接地用電極パッド（受信側フィルタグランド端子）
Ｂ３・Ｂ４送信側フィルタ接地用電極パッド（送信側フィルタグランド端子）
Ｄ１受信側フィルタ入力端子
Ｄ２受信側フィルタ出力端子
Ｄ３送信側フィルタ出力端子
Ｄ４送信側フィルタ入力端子
ＧＮＤ１〜ＧＮＤ４接地端子
Ｗ１〜Ｗ８ワイヤ
１１・２１直列共振子
２１・２２並列共振子
ＡＮＴアンテナ端子
Ｔｘ送信側端子
Ｒｘ受信側端子

Claims

開口部若しくは凹部を有する基板と、前記開口部若しくは凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する圧電共振子からなる送信側圧電フィルタ及び受信側圧電フィルタと、
該送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタを搭載するパッケージとからなるデュプレクサであって、
前記送信側圧電フィルタと受信側圧電フィルタとは、互いに隣り合ってパッケージに搭載されているとともに、送信側圧電フィルタと受信側圧電フィルタとの間には、少なくとも一つの接地用電極パッドが設けられていることを特徴とする、デュプレクサ。
開口部若しくは凹部を有する基板と、前記開口部若しくは凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する圧電共振子からなる送信側圧電フィルタ及び受信側圧電フィルタと、
該送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタを搭載するパッケージとからなるデュプレクサであって、
前記送信側圧電フィルタと受信側圧電フィルタとは互いに隣り合ってパッケージに搭載されているとともに、送信側圧電フィルタと受信側圧電フィルタとの間には少なくとも一つの接地配線が設けられていることを特徴とする、デュプレクサ。
開口部若しくは凹部を有する基板と、前記開口部若しくは凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する圧電共振子からなる送信側圧電フィルタ及び受信側圧電フィルタと、
該送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタを搭載するパッケージとからなるデュプレクサであって、
前記送信側圧電フィルタと受信側圧電フィルタとは互いに隣り合ってパッケージに搭載されているとともに、送信側圧電フィルタと受信側圧電フィルタとの間には、少なくとも一つの接地用電極パッドおよび該接地用電極パッドに接続された接地配線が設けられていることを特徴とする、デュプレクサ。
前記接地用電極パッドは、送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタのうち、少なくとも一方を構成する圧電共振子の接地される電極と接続されていることを特徴とする、請求項１または３に記載のデュプレクサ。
前記送信側圧電フィルタを構成する圧電共振子の接地される電極と接続されている接地用電極パッドと、受信側圧電フィルタを構成する圧電共振子の接地されている接地用電極パッドとを有することを特徴とする請求項１、３または４に記載のデュプレクサ。
前記接地配線は、送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタのうち、少なくとも一方を構成する圧電共振子の接地される電極と接続されていることを特徴とする、請求項２または３に記載のデュプレクサ。
前記送信側圧電フィルタを構成する圧電共振子の接地される電極と接続されている接地配線と、受信側圧電フィルタを構成する圧電共振子の接地されている接地配線とを有することを特徴とする請求項２、３または６に記載のデュプレクサ。
前記送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタはそれぞれ入力パッドおよび出力パッドを有し、前記パッケージは入力端子および出力端子を有しており、
該入力パッドと入力端子とが、および出力パッドと出力端子とがそれぞれワイヤで接続されているとともに、該ワイヤは圧電共振子をまたがないように形成されていることを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか１項に記載のデュプレクサ。
前記送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタはそれぞれ入力パッドおよび出力パッドを有し、前記パッケージは入力端子および出力端子を有しており、
該入力パッドと入力端子とが、および出力パッドと出力端子とがそれぞれワイヤで接続されていると共に、送信側圧電フィルタと受信側圧電フィルタとの少なくとも一方において、入力パッドと入力端子とを接続するワイヤと、出力パッドと出力端子とを接続するワイヤとが、その延長線上において平面方向視でほぼ垂直方向に交わるように形成されていることを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか１項に記載のデュプレクサ。
前記送信側圧電フィルタの入力パッドが該フィルタの基板における前記２つのフィルタの隣接する側の端部と対向する基板の端部近傍に形成され、且つ、前記受信側圧電フィルタの出力パッドが該フィルタの基板における前記２つのフィルタの隣接する側の端部と対向する基板の端部近傍に形成されていることを特徴とする、請求項９に記載のデュプレクサ。
前記送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタの少なくとも一方において、開口部または凹部に複数の圧電共振子が形成されていると共に、該複数の圧電共振子が一直線上に並べて配置されており、
複数の圧電共振子が並んでいる方向に対して垂直方向に、圧電共振子の接地される電極が引き出されており、
該接地される電極が、送信側圧電フィルタおよび受信側圧電フィルタとの間に配置されていることを特徴とする、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のデュプレクサ。
前記送信側圧電フィルタと、受信側圧電フィルタが梯子型フィルタ、ラティス型フィルタ、多重モード型フィルタのいずれかであることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載のデュプレクサ。