JP2005071769A - コネクタ - Google Patents

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Abstract

【課題】 プラグ側、レセプタクル側のいずれか一方のシールド構造で十分なシールド効果を得られるコネクタを提供すること。
【解決手段】 プラグコネクタ21の挿入部232を受け容れる受容空間134を区画する側壁132,132,133,133をインシュレータ13に形成した。プラグコネクタ21の信号コンタクトに接触するシグナルコンタクトをインシュレータ13に保持させるとともに、高周波シールド部材17をインシュレータ13に保持させた。高周波シールド部材17は、側壁132,132,133,133の外面を覆うシールドプレート部171と、シールドプレート部171の一端に連なり、プラグコネクタ21のシールドコンタクト25´に接触する第1延長部172と、シールドプレート部171の他端に連なり、第1延長部172に対応する第2延長部173を有する。第1延長部172と第2延長部173とを接合した。
【選択図】 図12

Description

この発明はシールド構造を有するコネクタに関する。
従来、プラグコネクタとレセプタクルコネクタとからなる電気コネクタアッセンブリが知られている(下記特許文献1参照)。
プラグコネクタは、絶縁ハウジングと、絶縁ハウジングに装着された複数のターミナルと、絶縁ハウジングの嵌合部の外壁を覆う金属製のシールドとを備えている。
絶縁ハウジングの嵌合部の内壁には、絶縁ハウジングの長手方向に沿って所定のピッチで凹入溝が形成されている。
ターミナルの一端にコンタクト部があり、他端に半田テール部がある。ターミナルのコンタクト部は凹入溝に臨ませてある。
シールドは側壁と端壁とを有し、側壁の一端縁の一部を延長することによって延長リードが形成されている。延長リードは絶縁ハウジングの嵌合部の先端を超えて嵌合部内に延びて、凹入溝に収まり、レセプタクルコネクタのターミナルに係合する。
レセプタクルコネクタは、プラグコネクタの絶縁ハウジングと互いに嵌合可能に形成された細長い絶縁ハウジングと、この絶縁ハウジングに装着されたターミナルと、絶縁ハウジングの外側に配置された金属製のシールドとを備えている。
絶縁ハウジングの嵌合部には、絶縁ハウジングの長手方向に沿って所定のピッチで凹入溝が形成されている。
ターミナルの一端にコンタクト部があり、他端に半田テール部がある。このターミナルのコンタクト部は凹入溝に臨ませてあり、プラグコネクタのターミナルのコンタクト部に係合可能である。
シールドはプラグコネクタのシールドと同様に側壁と端壁とを有している。側壁及び端壁と絶縁ハウジングとの間に嵌入溝が形成される。また、側壁及び端壁にはU字状の切り溝によって係合片が形成してあり、この係合片がプラグコネクタのシールドの側壁及び端壁に弾性的に係合して両シールドが電気的に接続される。
特開平9−237655号公報(段落0011〜0015、図1参照)
上述のように従来のコネクタでは、十分なシールド効果を得るため、プラグコネクタとレセプタクルコネクタとの両方にシールドが備えられている。
このため、コネクタの部品点数が多く、組立に手間がかかり、製造コストが高くなるといった問題がある。
この発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その課題はプラグ側、レセプタクル側のいずれか一方のシールド構造で十分なシールド効果を得られるコネクタを提供することである。
前述の課題を解決するため請求項1の発明のコネクタは、相手側コネクタの挿入部を受け容れる受容空間を形成する側壁を有するインシュレータと、このインシュレータに保持され、前記相手側コネクタの信号コンタクトに接触するシグナルコンタクトと、前記インシュレータに保持される高周波シールド部材とを備えているコネクタにおいて、前記高周波シールド部材は、前記側壁の外面を覆うように設けられるシールドプレート部と、このシールドプレート部の一端に連なり、前記相手側コネクタのシールドコンタクトに接触する第1延長部と、前記シールドプレート部の他端に連なり、前記第1延長部に対応する第2延長部とを有し、前記第1延長部と前記第2延長部又は前記シールドプレート部とが接合されていることを特徴とする。
上述のように第1延長部と第2延長部又はシールドプレート部とが接合されているので、高周波シールド部材内で発生した高周波電流をグランドへ流す経路が2つ形成される。
請求項2の発明は、請求項1記載のコネクタにおいて、一対の前記シグナルコンタクトが前記第1延長部に挟まれるように配置されていることを特徴とする。
上述のように一対のシグナルコンタクトが第1延長部に挟まれるように配置されているので、対のシグナルコンタクトで発生した高周波電流は第1延長部を通じてグランドへ流される。
以上説明したように請求項1の発明のコネクタによれば、例えば高周波シールド部材内で発生した高周波電流をグランドへ流す経路が2つ形成されるので、高周波シールド部材のシールド効果を従来のものよりも強化することができる。この結果、部品点数を減らし、製造コストを低減することができる。
請求項2の発明のコネクタによれば、対のシグナルコンタクトで発生した高周波電流は第1延長部を通じてグランドへ流されるので、隣接する対のシグナルコンタクトとの間のクロストークをより確実に防止することができる。
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1はこの発明の第1実施形態に係るレセプタクルコネクタの斜視図、図2は図1に示すレセプタクルコネクタを示し、同図(a)は正面図、同図(b)は平面図、同図(c)は側面図、図3は図2のIII−III線に沿う断面図、図4は図2のIV−IV線に沿う断面図、図5は図1に示すコネクタのシグナルコンタクトを示し、同図(a)は正面図、同図(b)は平面図、同図(c)は底面図、同図(d)は側面図、図6は図1に示すレセプタクルコネクタの高周波シールド部材を示し、同図(a)は正面図、同図(b)は平面図、同図(c)は底面図、同図(d)は同図(a)のD−D線に沿う断面図である。
図1に示すように、レセプタクルコネクタ11は1つのインシュレータ13と複数のシグナルコンタクト15と2つの高周波シールド部材17とを備える。
図2〜4に示すように、インシュレータ13は絶縁材料から形成され、上面が開口した筐体状であり、底板131と側壁132,132,133,133とを有する。側壁132,132,133,133によって後述するプラグコネクタ21の挿入部232を受け入れる受容空間134が形成される。
底板132の両側部には複数の保持溝131a及び孔131bが形成されている。保持溝131aは孔131bに通じている。保持溝131a及び孔131bは隣接するもの同士で1つの対になっており、一対の保持溝131a及び孔131bは等間隔に配置されている。
側壁132の内面には複数の保持溝132aが形成されている。保持溝132aは孔131bに通じている。
図3、5に示すように、シグナルコンタクト15は金属板を打ち抜いて折り曲げ、その後鍍金を施して形成される。シグナルコンタクト15は接触部151と保持部152と端子部153とを有する。接触部151は孔131bに通されて保持溝132aに保持されている。保持部152は接触部151に連なり、保持溝131aに保持されている。端子部153はクランク状であり、保持部152に連なり、底板131から突出している。端子部153は第1プリント基板(図示せず)の導体パターン(信号線)に半田付けされる。
図4、6に示すように、2つの高周波シールド部材17,17は同形状である。高周波シールド部材17は金属板を打ち抜いて折り曲げ、その後鍍金を施して形成される。2つの高周波シールド部材17,17はインシュレータ13のモールド成形時にモールド内に配置され、インシュレータ13の成形とともにインシュレータ13の所定箇所に固定される。
高周波シールド部材17はシールドプレート部171と第1延長部172と第2延長部173とを有する。
シールドプレート部171は側壁132,133の外面を覆っている。
第1延長部172はシールドプレート部171の一端に連なっている。第1延長部172は連結部172aとシールドコンタクト部172bと埋め込み部172cと端子部172dとを有する。連結部172aはシールドプレート部171とシールドコンタクト部172bとを連結し、側壁132の先端部に巻き付いている。シールドコンタクト部172bは側壁132の内側面に配置され、後述するシールドコンタクト25´に接触する。埋め込み部172cはシールドコンタクト部172bに連なり、底板131に埋め込まれている。端子部172dはクランク状であり、埋め込み部172cに連なり、インシュレータ13から突出している。端子部172dは第1プリント基板の導体パターン(グランド線)に半田付けされる。
第2延長部173はシールドプレート部171の他端に連なっている。第2延長部173は端子部172dと平行に伸び、端子部172dに接触する。また、第2延長部173は鍍金によって端子部172dに電気的に接続されている。
図7は図1に示すレセプタクルコネクタの相手側コネクタであるプラグコネクタの斜視図、図8は図7に示すプラグコネクタのインシュレータを示し、同図(a)は正面図、同図(b)は平面図、同図(c)は側面図、図9は図8のIX−IXに沿う断面図、図10は図7に示すプラグコネクタの信号コンタクトを示し、同図(a)は正面図、同図(b)は平面図、同図(c)は側面図である。
次に、第1実施形態のレセプタクルコネクタの相手側コネクタであるプラグコネクタについて説明する。
図7に示すように、プラグコネクタ21は1つのインシュレータ23と複数の信号コンタクト25と複数のシールドコンタクト25´とを備える。
図8、9に示すように、インシュレータ23は絶縁材料から形成され、底板231と挿入部232とを有する。
底板231には複数の圧入溝231aが形成されている。複数の圧入溝231aはシグナルコンタクト15及びシールドコンタクト部172bに対応するように所定のピッチで配置されている。
挿入部232は底板231の上面に形成されている。挿入部232には複数の圧入溝231aに対応する複数の収容溝232aが形成されている。収容溝232aは圧入溝231aに通じている。
図10に示すように、信号コンタクト25は金属板を打ち抜いて折り曲げ、その後鍍金を施して形成される。信号コンタクト25は接触部251と圧入部252と端子部253とを有する。接触部251はインシュレータ23の奥行き方向a(図9参照)へ動くことができるように収容溝232aに収容されている。圧入部252は接触部251に連なり、圧入溝231aに圧入されている。端子部253はクランク状であり、圧入部252に連なり、底板231から突出している。端子部253は第2プリント基板(図示せず)の導体パターン(信号線)に半田付けされる。
シールドコンタクト25´と信号コンタクト25とは材質、形状及び大きさが同じである。インシュレータ23に配置される位置によって信号コンタクト25かシールドコンタクト25´かが区別される。シールドコンタクト25´も接触部251´と圧入部252´と端子部253´とを有する。端子部253´は第2プリント基板の導体パターン(グランド線)に半田付けされる。
図11は図1に示すレセプタクルコネクタと図7に示すプラグコネクタとを嵌合させる前の状態を示し、図3と同じ箇所の断面図、図12は図11に示すレセプタクルコネクタとプラグコネクタとを嵌合させる前の状態を示し、図4と同じ箇所の断面図、図13は図11に示すレセプタクルコネクタとプラグコネクタとを嵌合させた後の状態を示し、図11と同じ箇所の断面図、図14は図12に示すレセプタクルコネクタとプラグコネクタとを嵌合させた後の状態を示し、図12と同じ箇所の断面図である。
次に、レセプタクルコネクタ11とプラグコネクタ21との接続作業について説明する。
まず、図11、12に示すように、プラグコネクタ21の上方にレセプタクルコネクタ11を配置する。
次に、レセプタクルコネクタ11を下方へ下ろし、図13、14に示すように、プラグコネクタ21に嵌合させる。この結果、接触部251が接触部151に弾性的に接触し、シグナルコンタクト15と信号コンタクト25とが導通する。また、接触部251´がシールドコンタクト部172bに弾性的に接触し、高周波シールド部材17とシールドコンタクト25´とが導通する。この結果、レセプタクルコネクタ11とプラグコネクタ21とにより第1プリント基板と第2プリント基板とが電気的に接続される。このとき、レセプタクルコネクタ11及びプラグコネクタ21に発生した高周波電流やコネクタ外部のノイズは高周波シールド部材17を通じてグランド線に流される。例えば高周波シールド部材17に生じた高周波電流がグランド線に流される経路は、シールドプレート部171から第1延長部172を通る経路と、シールドプレート部171から第2延長部173を介して端子部172dを通る経路とがある。高周波電流等は最短の経路を通って効率よくグランド線に流される。
以上のように、この実施形態のレセプタクルコネクタ11によれば、レセプタクルコネクタ11の高周波シールド部材17だけで十分なシールド効果を得ることができる。この結果、プラグコネクタ21の部品点数を削減し、製造コストを低減することができる。
また、対のシングルコンタクト15の両側にシールドコンタクト部172bが配置され、また、対の信号コンタクト25の両側にシールドコンタクト25´が配置されているので、より確実にクロストークを防止することができる。
なお、第1実施形態では、端子部172dと第2延長部173とを鍍金によって電気的に接続したが、端子部172dと第2延長部173とを半田付けしてもよく、また、端子部172dと第2延長部173とを接触させた状態で高周波シールド部材17をインシュレータ13にモールドインし、端子部172dと第2延長部173との接触状態を維持するようにしてもよい。
図15は第2実施形態に係るレセプタクルコネクタとその相手側コネクタであるプラグコネクタとを嵌合させるの前の状態を示し、図12と同じ箇所の断面図、図16は図15に示すレセプタクルコネクタとプラグコネクタとを嵌合させた後の状態を示し、図15と同じ箇所の断面図である。
第2実施形態は第1実施形態とほぼ同じ構成であるので、構成の同じ部分については第1実施形態と同じ符号を付してその説明を省略し、構成の異なる部分についてのみ説明する。
第1実施形態のレセプタクルコネクタ11では高周波シールド部材17の第2延長部173はインシュレータ13の外側へ向けて折り曲げられ、端子部172dに接続されているが、第2実施形態のレセプタクルコネクタ311では、図15に示すように、高周波シールド部材317の第2延長部373はインシュレータ13の内側ヘ向けて折り曲げられ、埋め込み部172cに接続されている。したがって、高周波電流等をグランド線に流す経路は、図16に示すように、シールドプレート部171から第1延長部172を通る経路と、シールドプレート部171から第2延長部373と埋め込み部172cとを経由して端子部172dを通る経路の2つがある。
レセプタクルコネクタ311はレセプタクルコネクタ11と同様の作用効果を奏する。
また、第2延長部373がインシュレータ13の内側へ向けて折り曲げられているので、第1実施形態のように第2延長部173を端子部172dに接続するために端子部172dに接続代を設ける必要が無く、その分だけ第1実施形態よりも実装面積を小さくすることができる。
なお、図15〜20に示されるプラグコネクタ21は図7に示すものと同じものであるので、その説明を省略する。
図17は第3実施形態に係るレセプタクルコネクタとその相手側コネクタであるプラグコネクタとを嵌合させるの前の状態を示し、図12と同じ箇所の断面図、図18は図17に示すレセプタクルコネクタとプラグコネクタとを嵌合させた後の状態を示し、図17と同じ箇所の断面図である。
第3実施形態は第1実施形態とほぼ同じ構成であるので、構成の同じ部分については第1実施形態と同じ符号を付してその説明を省略し、構成の異なる部分についてのみ説明する。
第1実施形態のレセプタクルコネクタ11では高周波シールド部材17の第1延長部172が端子部172dを有しているが、第3実施形態のレセプタクルコネクタ411では、図17に示すように、高周波シールド部材417の第2延長部473が端子部を構成している。第1延長部472の先端部は接続部472eを構成し、第2延長部(端子部)473に接続されている。したがって、高周波電流等をグランド線に流す経路は、図18に示すように、シールドプレート部171から第1延長部472を介して第2延長部473を通る経路と、シールドプレート部171から第2延長部473を通る経路の2つがある。
レセプタクルコネクタ411はレセプタクルコネクタ11,311と同様の作用効果を奏する。
図19は第4実施形態に係るレセプタクルコネクタとその相手側コネクタであるプラグコネクタとを嵌合させるの前の状態を示し、図17と同じ箇所の断面図、図20は図19に示すレセプタクルコネクタとプラグコネクタとを嵌合させた後の状態を示し、図19と同じ箇所の断面図である。
第4実施形態は第3実施形態とほぼ同じ構成であるので、構成の同じ部分については第3実施形態と同じ符号を付してその説明を省略し、構成の異なる部分についてのみ説明する。
第3実施形態のレセプタクルコネクタ411では高周波シールド部材417の第1延長部472の接続部472eが第2延長部473に接続されているが、第4実施形態のレセプタクルコネクタ511では、高周波シールド部材517の第1延長部572の接続部572eがシールドプレート部171の他端に接続されている。したがって、高周波電流等をグランド線に流す経路は、図20に示すように、シールドプレート部171から第1延長部472とシールドプレート部171の他端とを経由して第2延長部473を通る経路と、シールドプレート部171から第2延長部473を通る経路の2つがある。
レセプタクルコネクタ511はレセプタクルコネクタ11,311と同様の作用効果を奏する。
図1はこの発明の第1実施形態に係るレセプタクルコネクタの斜視図である。 図2は図1に示すレセプタクルコネクタを示し、同図(a)は正面図、同図(b)は平面図、同図(c)は側面図である。 図3は図2のIII−III線に沿う断面図である。 図4は図2のIV−IV線に沿う断面図である。 図5は図1に示すコネクタのシグナルコンタクトを示し、同図(a)は正面図、同図(b)は平面図、同図(c)は底面図、同図(d)は側面図である。 図6は図1に示すレセプタクルコネクタの高周波シールド部材を示し、同図(a)は正面図、同図(b)は平面図、同図(c)は底面図、同図(d)は同図(a)のD−D線に沿う断面図である。 図7は図1に示すレセプタクルコネクタの相手側コネクタであるプラグコネクタの斜視図である。 図8は図7に示すプラグコネクタのインシュレータを示し、同図(a)は正面図、同図(b)は平面図、同図(c)は側面図である。 図9は図8のIX−IXに沿う断面図である。 図10は図7に示すプラグコネクタの信号コンタクトを示し、同図(a)は正面図、同図(b)は平面図、同図(c)は側面図である。 図11は図1に示すレセプタクルコネクタと図7に示すプラグコネクタとを嵌合させる前の状態を示し、図3と同じ箇所の断面図である。 図12は図11に示すレセプタクルコネクタとプラグコネクタとを嵌合させる前の状態を示し、図4と同じ箇所の断面図である。 図13は図11に示すレセプタクルコネクタとプラグコネクタとを嵌合させた後の状態を示し、図11と同じ箇所の断面図である。 図14は図12に示すレセプタクルコネクタとプラグコネクタとを嵌合させた後の状態を示し、図12と同じ箇所の断面図である。 図15は第2実施形態に係るレセプタクルコネクタとその相手側コネクタであるプラグコネクタとを嵌合させるの前の状態を示し、図12と同じ箇所の断面図である。 図16は図15に示すレセプタクルコネクタとプラグコネクタとを嵌合させた後の状態を示し、図15と同じ箇所の断面図である。 図17は第3実施形態に係るレセプタクルコネクタとその相手側コネクタであるプラグコネクタとを嵌合させるの前の状態を示し、図12と同じ箇所の断面図である。 図18は図17に示すレセプタクルコネクタとプラグコネクタとを嵌合させた後の状態を示し、図17と同じ箇所の断面図である。 図19は第4実施形態に係るレセプタクルコネクタとその相手側コネクタであるプラグコネクタとを嵌合させるの前の状態を示し、図17と同じ箇所の断面図である。 図20は図19に示すレセプタクルコネクタとプラグコネクタとを嵌合させた後の状態を示し、図19と同じ箇所の断面図である。
符号の説明
13 インシュレータ
132,133 側壁
134 受容空間
15 シグナルコンタクト
17 高周波シールド部材
171 シールドプレート部
172 第1延長部
173 第2延長部
21 プラグコネクタ
25 信号コンタクト
25´ シールドコンタクト

Claims (2)

  1. 相手側コネクタの挿入部を受け容れる受容空間を形成する側壁を有するインシュレータと、このインシュレータに保持され、前記相手側コネクタの信号コンタクトに接触するシグナルコンタクトと、前記インシュレータに保持される高周波シールド部材とを備えているコネクタにおいて、
    前記高周波シールド部材は、前記側壁の外面を覆うように設けられるシールドプレート部と、このシールドプレート部の一端に連なり、前記相手側コネクタのシールドコンタクトに接触する第1延長部と、前記シールドプレート部の他端に連なり、前記第1延長部に対応する第2延長部とを有し、
    前記第1延長部と前記第2延長部又は前記シールドプレート部とが接合されている
    ことを特徴とするコネクタ。
  2. 一対の前記シグナルコンタクトが前記第1延長部に挟まれるように配置されていることを特徴とする請求項1記載のコネクタ。
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