JP2005064470A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005064470A5
JP2005064470A5 JP2004191369A JP2004191369A JP2005064470A5 JP 2005064470 A5 JP2005064470 A5 JP 2005064470A5 JP 2004191369 A JP2004191369 A JP 2004191369A JP 2004191369 A JP2004191369 A JP 2004191369A JP 2005064470 A5 JP2005064470 A5 JP 2005064470A5
Authority
JP
Japan
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004191369A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2005064470A (ja
JP3938921B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2004191369A priority Critical patent/JP3938921B2/ja
Priority claimed from JP2004191369A external-priority patent/JP3938921B2/ja
Priority to US10/900,458 priority patent/US7547975B2/en
Priority to CNA2004100557098A priority patent/CN1578601A/zh
Priority to EP04254569.9A priority patent/EP1503409B1/en
Publication of JP2005064470A publication Critical patent/JP2005064470A/ja
Publication of JP2005064470A5 publication Critical patent/JP2005064470A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3938921B2 publication Critical patent/JP3938921B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

JP2004191369A 2003-07-30 2004-06-29 半導体ｉｃ内蔵モジュールの製造方法 Expired - Lifetime JP3938921B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004191369A JP3938921B2 (ja) 2003-07-30 2004-06-29 半導体ｉｃ内蔵モジュールの製造方法
US10/900,458 US7547975B2 (en) 2003-07-30 2004-07-28 Module with embedded semiconductor IC and method of fabricating the module
CNA2004100557098A CN1578601A (zh) 2003-07-30 2004-07-30 内置半导体ic模块及其制造方法
EP04254569.9A EP1503409B1 (en) 2003-07-30 2004-07-30 Module with embedded semiconductor IC which has a narrow electrode pitch and method of fabricating the module

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003283243 2003-07-30
JP2004191369A JP3938921B2 (ja) 2003-07-30 2004-06-29 半導体ｉｃ内蔵モジュールの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005064470A JP2005064470A (ja) 2005-03-10
JP2005064470A5 true JP2005064470A5 (da) 2005-09-02
JP3938921B2 JP3938921B2 (ja) 2007-06-27

Family

ID=34380217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004191369A Expired - Lifetime JP3938921B2 (ja) 2003-07-30 2004-06-29 半導体ｉｃ内蔵モジュールの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3938921B2 (da)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7547975B2 (en) 2003-07-30 2009-06-16 Tdk Corporation Module with embedded semiconductor IC and method of fabricating the module
TW200618705A (en) 2004-09-16 2006-06-01 Tdk Corp Multilayer substrate and manufacturing method thereof
JP2006339354A (ja) 2005-06-01 2006-12-14 Tdk Corp 半導体ｉｃ及びその製造方法、並びに、半導体ｉｃ内蔵モジュール及びその製造方法
JP4535002B2 (ja) * 2005-09-28 2010-09-01 Ｔｄｋ株式会社 半導体ｉｃ内蔵基板及びその製造方法
US8188375B2 (en) 2005-11-29 2012-05-29 Tok Corporation Multilayer circuit board and method for manufacturing the same
JP4835124B2 (ja) * 2005-11-29 2011-12-14 Ｔｄｋ株式会社 半導体ｉｃ内蔵基板及びその製造方法
JP2007194436A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Elpida Memory Inc 半導体パッケージ、導電性ポスト付き基板、積層型半導体装置、半導体パッケージの製造方法及び積層型半導体装置の製造方法
JPWO2007126090A1 (ja) * 2006-04-27 2009-09-17 日本電気株式会社 回路基板、電子デバイス装置及び回路基板の製造方法
WO2008065896A1 (fr) * 2006-11-28 2008-06-05 Kyushu Institute Of Technology Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur ayant une structure d'électrode à double face et dispositif semi-conducteur fabriqué par le procédé
JP4303282B2 (ja) 2006-12-22 2009-07-29 Ｔｄｋ株式会社 プリント配線板の配線構造及びその形成方法
JP4331769B2 (ja) 2007-02-28 2009-09-16 Ｔｄｋ株式会社 配線構造及びその形成方法並びにプリント配線板
JP5193503B2 (ja) * 2007-06-04 2013-05-08 新光電気工業株式会社 貫通電極付き基板及びその製造方法
JP5654109B2 (ja) * 2007-09-18 2015-01-14 オリンパス株式会社 積層実装構造体の製造方法
JP5690466B2 (ja) * 2008-01-31 2015-03-25 インヴェンサス・コーポレイション 半導体チップパッケージの製造方法
JP2009246104A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Kyushu Institute Of Technology 配線用電子部品及びその製造方法
JP5268459B2 (ja) * 2008-07-10 2013-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2010024233A1 (ja) * 2008-08-27 2010-03-04 日本電気株式会社 機能素子を内蔵可能な配線基板及びその製造方法
JP5436837B2 (ja) * 2008-10-30 2014-03-05 新光電気工業株式会社 半導体装置内蔵基板の製造方法
JP5491722B2 (ja) * 2008-11-14 2014-05-14 インヴェンサス・コーポレイション 半導体装置パッケージ構造及びその製造方法
JP2010205851A (ja) * 2009-03-02 2010-09-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法、並びに電子装置
US20120153501A1 (en) * 2009-08-28 2012-06-21 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6320681B2 (ja) * 2013-03-29 2018-05-09 ローム株式会社 半導体装置
KR102144367B1 (ko) * 2013-10-22 2020-08-14 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
JP6317629B2 (ja) * 2014-06-02 2018-04-25 株式会社東芝 半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BE2015C038I2 (da)
IN2014DN08288A (da)
BRPI0518216C1 (da)
BRPI0515516B8 (da)
BR122015024347A2 (da)
BRPI0508002A (da)
IN2006DE03895A (da)
JP2006044338A5 (da)
JP2005345383A5 (da)
BR122018073034B8 (da)
BRPI0508029A (da)
BRPI0419105B8 (da)
JP2005286377A5 (da)
JP2005285230A5 (da)
JP2005320843A5 (da)
BRPI0508026A (da)
JP2005273680A5 (da)
JP2005321294A5 (da)
JP2005299009A5 (da)
JP2006046404A5 (da)
JP2005304966A5 (da)
JP2005341935A5 (da)
BRPI0508033A (da)
AT501137B8 (da)
JP2006060592A5 (da)