JP2005060176A - Gaドープ結晶シリコン、その製造方法及びその製造方法に用いるGaドープ結晶シリコン製造装置、並びにGaドープ結晶シリコン基板を用いた太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
Gaドープ結晶シリコン、その製造方法及びその製造方法に用いるGaドープ結晶シリコン製造装置、並びにGaドープ結晶シリコン基板を用いた太陽電池及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005060176A JP2005060176A JP2003293389A JP2003293389A JP2005060176A JP 2005060176 A JP2005060176 A JP 2005060176A JP 2003293389 A JP2003293389 A JP 2003293389A JP 2003293389 A JP2003293389 A JP 2003293389A JP 2005060176 A JP2005060176 A JP 2005060176A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- manufacturing
- raw material
- doped
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】 Gaドープ結晶シリコンの製造方法において、原料シリコンと、ガリウムドーパントと、を混合して所定温度まで加熱して融解させる融解工程と、融解した前記原料シリコンを冷却し、結晶シリコンを成長させる結晶成長工程と、を含み、 前記結晶成長工程において、結晶の成長に伴って、融解した前記原料シリコン中に、新たな原料シリコンを追加するGaドープ結晶シリコン製造方法、及びその方法により製造したGaドープ結晶シリコン、並びにその製造方法に用いるGaドープシリコン結晶製造装置である。また、このGaドープ結晶シリコンを基板として用いた太陽電池及びその製造方法である。
【選択図】 図1
Description
キャスト多結晶Si型太陽電池が試作されたのは1976年であり、ドイツのワッカー社がこの試作をはじめて行った。同社では、溶融したシリコンを鋳型に流し込み、冷却してシリコンを結晶化(以下、単に「固化」と記すこともある。)した。同社は、この結晶化したシリコンを、スライス技術を用いてスライスし、角形の多結晶Si基板を製造した。また、同社は、この角形基板を用い、当時変換効率11%の太陽電池を試作している。
まず、本発明は、上記課題を解決するために、Gaドープ結晶シリコンの製造方法において、原料シリコンと、ガリウムドーパントと、を混合し、この混合物を所定温度まで加熱して融解する融解工程と、融解した前記原料シリコンを冷却し、前記ガリウムドーパントを含む結晶シリコンを成長させる結晶成長工程と、を含み、前記結晶成長工程において、結晶の成長に伴って、融解した前記原料シリコン中に、新たな原料シリコンを追加することを特徴とするGaドープ結晶シリコン製造方法である。
まず、本発明は、原料シリコンと、ガリウムドーパントと、を所定温度まで加熱して融解する融解工程と、融解した前記原料シリコンを冷却し、前記ガリウムドーパントを含む結晶シリコンを成長させる結晶成長工程と、を含み、 前記結晶成長工程において、結晶の成長に伴って、融解した前記原料シリコン中に、新たな原料シリコンを追加することを特徴とするGaドープ多結晶シリコン製造方法である。
本発明は、前記A又はBに記載のいずれかの方法により製造したGaドープ結晶シリコンである。
本発明は、上記Gaドープ結晶シリコン製造方法で用いる結晶シリコン製造装置であって、原料シリコンと、ガリウムドーパントとの混合物を充填する坩堝部と、前記坩堝部内の前記混合物を所定温度まで加熱して融解する融解手段と、前記坩堝内の融解した前記原料シリコンに、新たな原料シリコンを追加する追加手段と、を備え、前記追加手段は、上記結晶成長工程において、所定量の新たな前記原料シリコンを追加することを特徴とするGaドープ結晶シリコン製造装置である。
まず、本発明は、前記A又はBのいずれかに記載のGaドープ結晶シリコン製造方法で製造したGaドープ結晶シリコンから基板を製造する基板製造工程と、前記製造した基板に対してpn接合を形成するpn接合形成工程と、前記pn接合を形成した前記基板に電極を形成する電極形成工程と、を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法である。
・原料シリコンとGa不純物を高温で融解する。
・その後、固化することによって、結晶シリコンを得る。
本実施例1では、Gaドープの結晶シリコンが成長している最中に、原料シリコンのみを不連続に添加しながら結晶成長を継続させた。このように原料シリコンのみを不連続に添加することにより、製造したGaドープシリコンのインゴット内の抵抗率の大幅な変動を抑制することができる。
本実施例2では、Gaドープ多結晶が成長している最中に、原料シリコンのみを連続的に添加しながら結晶成長を継続させた。
窒化珪素離型材を内面に塗布した石英坩堝1中に5.0kgの原料Siを充填し、それにドーパントとしてGa金属0.2gを加えて良く混合した。上記実施例1で述べた方法と同様な方法で、上記石英坩堝1内の原料Siと、Ga金属と、を融解した。
実施例1と同様の方法で厚さ300μmの多結晶Si基板を製造した。この多結晶Si基板の抵抗率は1.0Ω・cmであった。この多結晶Si基板をHNO3/HF液に浸漬し、表面の鏡面エッチング行った後、870℃に加熱し、p拡散法でpn接合を形成した。その後、SiNの反射防止膜を被着後、裏面にAl合金法でp+層を形成した。その後、表面と裏面にAg印刷電極を形成し、太陽電池を製造した。この太陽電池に疑似太陽光(AM1.5)を照射し、変換効率を測定した。測定開始1秒以内における変換効率は15.1%であった。その後、上記疑似太陽光を12時間連続照射した後、再び測定したが変化は見られなかった。
実施例2と同様の方法で厚さ300μmの多結晶Si基板を製造した。この多結晶Si基板の抵抗率は1.0Ω・cmであった。また、この多結晶Si基板を用いて実施例3と同様の方法で、太陽電池を製造した。この太陽電池に疑似太陽光(AM1.5)を照射し、変換効率を測定した。測定開始1秒以内における変換効率は15.1%であった。その後、上記疑似太陽光を12時間連続照射した後、再び測定したが変化は見られなかった。
実施例3におけるGaの代わりに、Bを添加した点を除き、実施例3と同様の方法により、厚さ300μmのBドープ多結晶キャストSi基板を有する太陽電池を製造した。この太陽電池に疑似太陽光(AM1.5)を照射し、変換効率を測定した。測定開始1秒以内における変換効率は14.3%であり、実施例4における太陽電池と比較して、低下していた。
2 液相シリコン
3、4 ヒータ
5 下部冷却版
6 固相シリコン
7 結晶成長炉
8 原料シリコン
9 断熱壁
10 追加装置
Claims (11)
- Gaドープ結晶シリコンの製造方法において、
原料シリコンと、ガリウムドーパントと、を混合し、この混合物を所定温度まで加熱して融解する融解工程と、
融解した前記原料シリコンを冷却し、前記ガリウムドーパントを含む結晶シリコンを成長させる結晶成長工程と、
を含み、
前記結晶成長工程において、結晶の成長に伴って、融解した前記原料シリコン中に、新たな原料シリコンを追加することを特徴とするGaドープ結晶シリコン製造方法。 - 請求項1記載のGaドープ結晶シリコン製造方法において、
前記結晶成長工程において、
融解した前記原料シリコン中に、前記新たな原料シリコンを連続して追加することを特徴とするGaドープ結晶シリコン製造方法。 - 請求項1記載のGaドープ結晶シリコン製造方法において、
前記結晶成長工程において、
融解した前記原料シリコン中に、前記新たな原料シリコンを不連続に追加することを特徴とするGaドープ結晶シリコン製造方法。 - Gaドープ多結晶シリコンの製造方法において、
原料シリコンと、ガリウムドーパントと、を所定温度まで加熱して融解する融解工程と、
融解した前記原料シリコンを冷却し、前記ガリウムドーパントを含む結晶シリコンを成長させる結晶成長工程と、
を含み、
前記結晶成長工程において、結晶の成長に伴って、融解した前記原料シリコン中に、新たな原料シリコンを追加することを特徴とするGaドープ多結晶シリコン製造方法。 - 請求項4記載のGaドープ多結晶シリコン製造方法において、
前記結晶成長工程において、
融解した前記原料シリコン中に、前記新たな原料シリコンを連続して追加することを特徴とするGaドープ多結晶シリコン製造方法。 - 請求項4記載のGaドープ多結晶シリコン製造方法において、
前記結晶成長工程において、
融解した前記原料シリコン中に、前記新たな原料シリコンを不連続に追加することを特徴とするGaドープ多結晶シリコン製造方法。 - 請求項1〜6のいずれかに記載のGaドープ結晶シリコン製造方法で製造したGaドープ結晶シリコンから基板を製造する基板製造工程と、
前記製造した基板に対してpn接合を形成するpn接合形成工程と、
前記pn接合を形成した前記基板に電極を形成する電極形成工程と、
を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項1〜6のいずれかに記載のGaドープ結晶シリコン製造方法で製造したGaドープ結晶シリコン。
- 請求項7に記載の太陽電池の製造方法で製造した太陽電池。
- 請求項1〜6のいずれかに記載のGaドープ結晶シリコン製造方法で用いる結晶シリコン製造装置であって、
原料シリコンと、ガリウムドーパントとの混合物を充填する坩堝部と、
前記坩堝部内の前記混合物を所定温度まで加熱して融解する融解手段と、
前記坩堝内の融解した前記原料シリコンに、新たな原料シリコンを追加する追加手段と、
を備え、
前記追加手段は、上記結晶成長工程において、所定量の新たな前記原料シリコンを追加することを特徴とするGaドープ結晶シリコン製造装置。 - 請求項1、3、4又は6のいずれかに記載のGaドープ結晶シリコン製造方法で用いる結晶シリコン製造装置であって、
原料シリコンと、ガリウムドーパントとの混合物を充填する坩堝部と、
前記坩堝部内の前記混合物を所定温度まで加熱して融解する融解手段と、
前記坩堝内の融解した前記原料シリコンに、新たな原料シリコンを追加する追加手段と、
を備え、
前記追加手段は、利用者が指示するタイミングで、所定量の新たな前記原料シリコンを追加することを特徴とするGaドープ結晶シリコン製造装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003293389A JP4534022B2 (ja) | 2003-08-14 | 2003-08-14 | Gaドープ結晶シリコン、その製造方法及びその製造方法に用いるGaドープ結晶シリコン製造装置、並びにGaドープ結晶シリコン基板を用いた太陽電池及びその製造方法 |
PCT/JP2004/002561 WO2005016821A1 (ja) | 2003-08-14 | 2004-03-02 | Gaドープ結晶シリコン、その製造方法及びその製造方法に用いるGaドープ結晶シリコン製造装置、並びにGaドープ結晶シリコン基板を用いた太陽電池及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003293389A JP4534022B2 (ja) | 2003-08-14 | 2003-08-14 | Gaドープ結晶シリコン、その製造方法及びその製造方法に用いるGaドープ結晶シリコン製造装置、並びにGaドープ結晶シリコン基板を用いた太陽電池及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005060176A true JP2005060176A (ja) | 2005-03-10 |
JP4534022B2 JP4534022B2 (ja) | 2010-09-01 |
Family
ID=34190994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003293389A Expired - Fee Related JP4534022B2 (ja) | 2003-08-14 | 2003-08-14 | Gaドープ結晶シリコン、その製造方法及びその製造方法に用いるGaドープ結晶シリコン製造装置、並びにGaドープ結晶シリコン基板を用いた太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4534022B2 (ja) |
WO (1) | WO2005016821A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105755532A (zh) * | 2016-04-13 | 2016-07-13 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种晶体硅的制备方法及晶体硅 |
CN112176399A (zh) * | 2020-09-21 | 2021-01-05 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 一种含掺杂元素的单晶的制备方法与制备装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102732960B (zh) * | 2011-04-14 | 2015-07-08 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 晶体硅生长速度的测试方法及系统 |
CN102296354B (zh) * | 2011-09-19 | 2013-12-11 | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 | 一种硅料的铸锭方法 |
CN106222742B (zh) * | 2016-09-12 | 2019-01-29 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种晶体硅及其制备方法 |
CN106222743A (zh) * | 2016-09-19 | 2016-12-14 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种多晶硅锭及其制备方法和用于制备多晶硅锭的铸锭炉 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0664913A (ja) * | 1992-07-17 | 1994-03-08 | Daido Hoxan Inc | シリコン等多結晶質物体の鋳造方法 |
JP2001064007A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-03-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ga添加多結晶シリコンおよびGa添加多結晶シリコンウエーハ並びにその製造方法 |
-
2003
- 2003-08-14 JP JP2003293389A patent/JP4534022B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-02 WO PCT/JP2004/002561 patent/WO2005016821A1/ja active Search and Examination
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0664913A (ja) * | 1992-07-17 | 1994-03-08 | Daido Hoxan Inc | シリコン等多結晶質物体の鋳造方法 |
JP2001064007A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-03-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ga添加多結晶シリコンおよびGa添加多結晶シリコンウエーハ並びにその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105755532A (zh) * | 2016-04-13 | 2016-07-13 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种晶体硅的制备方法及晶体硅 |
CN112176399A (zh) * | 2020-09-21 | 2021-01-05 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 一种含掺杂元素的单晶的制备方法与制备装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4534022B2 (ja) | 2010-09-01 |
WO2005016821A1 (ja) | 2005-02-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8591851B2 (en) | Methods and apparatuses for manufacturing cast silicon from seed crystals | |
JP3679366B2 (ja) | Ga添加太陽電池用CZシリコン単結晶および太陽電池用シリコン単結晶ウエーハ並びにその製造方法 | |
JP3855082B2 (ja) | 多結晶シリコンの作製方法、多結晶シリコン、及び太陽電池 | |
US20070006916A1 (en) | Solar-cell polycrystalline silicon and method for producing the same | |
WO2017019453A1 (en) | Systems and methods for low-oxygen crystal growth using a double-layer continuous czochralski process | |
JP4534022B2 (ja) | Gaドープ結晶シリコン、その製造方法及びその製造方法に用いるGaドープ結晶シリコン製造装置、並びにGaドープ結晶シリコン基板を用いた太陽電池及びその製造方法 | |
CN105951172A (zh) | N型/p型单晶硅晶锭的制造方法 | |
WO2013145558A1 (ja) | 多結晶シリコンおよびその鋳造方法 | |
JP2003286024A (ja) | 一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板及びスパッタリング用ターゲット素材 | |
JP2001064007A (ja) | Ga添加多結晶シリコンおよびGa添加多結晶シリコンウエーハ並びにその製造方法 | |
JP4723082B2 (ja) | Gaドープシリコン単結晶の製造方法 | |
JP4599067B2 (ja) | Ga化合物ドープ多結晶シリコンとその製造方法 | |
JP6095060B2 (ja) | Si多結晶インゴットの製造方法 | |
TWI600808B (zh) | Method of manufacturing polycrystalline silicon ingot, method of making polycrystalline silicon ingot, and polycrystalline silicon ingot | |
AU2012203668A1 (en) | Methods and apparatuses for manufacturing cast silicon from seed crystals | |
JP2005119955A (ja) | 結晶シリコンの連続製造方法、及び製造装置 | |
JP5688654B2 (ja) | シリコン結晶、シリコン結晶の製造方法およびシリコン多結晶インゴットの製造方法 | |
JP2011176180A (ja) | 太陽電池用多結晶シリコン | |
JP2002134410A (ja) | 半導体基板とこれを利用した太陽電池セルおよびそれらの製造方法 | |
JP2007184496A (ja) | 結晶半導体粒子の製造方法および光電変換装置 | |
CN105755538A (zh) | 一种掺锡冶金多晶硅铸锭的制备方法 | |
JP2004277239A (ja) | 板状シリコンの製造方法、板状シリコン及び太陽電池 | |
JPH06227889A (ja) | 溶融層法による単結晶引き上げ方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090324 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090519 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100427 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100519 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |