JP5688654B2 - シリコン結晶、シリコン結晶の製造方法およびシリコン多結晶インゴットの製造方法 - Google Patents
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- ドープ元素としてボロン(B)とゲルマニウム(Ge)とを有し、前記ボロンの濃度が2×1014atoms/cm3以上、3×1018atoms/cm3以下の範囲であり、同時に添加する前記ゲルマニウムの濃度が1×1015atoms/cm3以上1×10 18 atoms/cm 3 以下の範囲であることを特徴とするシリコン結晶。
- 請求項1記載のシリコン結晶を、チョクラルスキー法により製造することを特徴とするシリコン結晶の製造方法。
- 請求項1記載のシリコン結晶を、キャスト法により製造することを特徴とするシリコン多結晶インゴットの製造方法。
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