TWI600808B - Method of manufacturing polycrystalline silicon ingot, method of making polycrystalline silicon ingot, and polycrystalline silicon ingot - Google Patents

Description

多晶矽錠製造方法、多晶矽錠之用途之製造方法及多晶矽錠

本發明係關於一種多晶矽錠製造方法、多晶矽錠之用途之製造方法及多晶矽錠。

替代對地球環境造成各種問題之石油等之自然能源之利用受到注目。其中，太陽電池因無需大型設備，且於運行時不產生噪音等，故而於日本或歐洲等地尤其被積極導入。

使用碲化鎘等化合物半導體之太陽電池亦一部分被實用化，但就物質本身之安全性及此前之實績、以及成本績效之方面而言，使用結晶矽基板之太陽電池占較大比例，其中使用多晶矽基板之太陽電池(多晶矽太陽電池)占較大比例。

通常廣泛用作多晶矽太陽電池之基板的多晶矽晶圓係將利用稱為澆鑄法之方法而製造之錠切成塊體，並藉由切片而晶圓化者，上述澆鑄法係於坩堝內使熔融矽進行單向凝固而獲得較大之多晶矽錠之方法。

關於利用澆鑄法製造之多晶矽晶圓，根據錠或塊體內之高度方向之位置，通常具有如圖8所示之太陽電池之輸出特性分佈。

產生圖8之特性分佈之原因通常說明如下。首先，於單向凝固之初始區域I中，因自坩堝擴散之雜質之影響而導致特性降低。在其上部側之區域II中，由偏析引起之原料中之雜質向結晶中之摻入或結晶缺陷之產生較少，因此於區塊中特性變得最為良好。進而，於上部側 之區域III中，除摻入結晶中之雜質量逐漸增加外，結晶缺陷亦增加，特性較區域II降低。進而，於上部側之區域IV中，除與區域III同樣地摻入結晶中之雜質量或結晶缺陷進一步增加外，於錠最後凝固後，雜質會自於最上部表面部分形成之雜質之高濃度部分逆擴散，而雜質量進一步增加，因此特性較區域III進一步顯著降低。

於上述說明中，考慮了原料中之雜質或自坩堝熔出之雜質之影響，但即便於假設不存在上述影響之情形時，由於在區域III及IV中，隨著朝向上部，成為少數載子陷阱(minority carrier trap)之結晶缺陷逐漸增加，因此亦存在太陽電池之特性降低之傾向。

先前，對於多晶矽錠之高品質化而言，提出有使結晶粒徑變大而使之接近單晶之方法，但近年來，例如專利文獻1所記載般，明確結晶粒徑較小者反而可抑制結晶缺陷之增加，且以整體作為太陽電池用錠較佳。

本發明者此前提出有如下方法：藉由將多晶矽錠之成長開始時之溫度變化率設定為較小而促進矽之初期核產生，而使較小結晶粒徑之多晶矽錠成長(專利文獻1)。

又，本發明者此前亦提出有如下方法：於多晶矽錠鑄造用鑄模之底板部上表面以促進矽結晶之核產生之方式配置晶粒(專利文獻2)。

又，於專利文獻3、4中，提出有將核產生促進層(a nucleation promotion layer)置於多晶矽錠鑄造用鑄模之底部，於其上裝填矽原料，且控制至少一個熱參數的方法。關於核產生促進層，作為其具體例，提出有粒子具有不規則幾何形狀且尺寸未達50mm之複數個晶粒、及包含熔點高於1400℃之材質且與矽熔融液之界面之粗糙度為300微米至1000微米之板。

[先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2013-129580號公報

專利文獻2：日本專利特開2013-177274號公報

專利文獻3：美國專利申請公開第2013-0136918號說明書

專利文獻4：美國專利申請公開第2014-0127496號說明書

雖此前利用專利文獻1、2所記載之方法亦獲得了良好之結果，但期望有製造時之控制更加容易之多晶矽錠之製造方法。

又，作為專利文獻3、4所記載之核產生促進層之例，於粒子具有不規則幾何形狀且尺寸未達50mm之複數個晶粒之情形時，雖局部地促進核產生而使高品質之多晶矽成長，但存在面內不均勻，亦無法確保再現性之問題。

又，於使用直徑數mm左右之較細之晶粒作為核產生促進層之情形時，亦存在由於矽結晶之比重小於矽熔融液，故而容易浮上液面，而未發揮作為核產生促進層之作用的情況，於該情形時似乎再現性亦存在問題。

又，作為專利文獻3、4所記載之核產生促進層之例，於使用熔點高於1400℃且與矽熔融液之界面之粗糙度為300微米至1000微米之板之情形時，根據板與矽熔融液之潤濕性、或板與矽熔融液之界面之特徵性變化之週期(如波長)而未必會促進核產生，且該方法於再現性之方面亦存在問題。又，於此處用作核產生促進層之板為如局部熔融之例如矽之類之材質的情形時，亦存在無法測定該板與矽熔融液之界面之粗糙度(roughness)，而無法進行控制之問題。

本發明之目的在於：鑒於上述問題，提供一種可控制性良好地製造結晶缺陷密度較低、作為太陽電池用錠較佳之高品質之多晶矽錠 的多晶矽錠製造方法，且藉此以低價格提供一種高品質之多晶矽錠及其用途。

本發明者反覆進行銳意研究，結果發現，於使坩堝中之熔融矽自坩堝之底部向上部進行單向凝固而製造多晶矽錠時，於多晶矽錠鑄造用鑄模之底板部上表面配置具有特定特徵之矽塊，使多晶矽自該矽塊成長，藉此可解決上述課題，從而完成本發明。

如此，根據本發明，提供一種結晶矽錠製造方法，其於坩堝底板上表面配置平均結晶粒徑為15mm以下之多晶矽塊，其後將矽原料投入坩堝內，使所投入之矽原料熔融後進行單向凝固而獲得多晶矽錠。

又，根據本發明，提供一種多晶矽錠之用途之製造方法，其使用藉由上述多晶矽錠製造方法而製造之多晶矽錠，獲得選自多晶矽塊體、多晶矽晶圓及太陽電池之用途。

又，根據本發明，提供一種多晶矽錠，其係單向凝固而成者，且具備包含複數個於單向凝固之方向上晶粒界變得不連續之部分之交界部。

於本說明書中，所謂「多晶矽塊之平均結晶粒徑」，並非意指多晶矽塊之外觀之大小，而是意指於排列於坩堝底板上時自垂直於坩堝底板之方向(通常為上方)觀察到之存在於多晶矽塊中之一個或複數個結晶區域的結晶學上之大小之平均值。

多晶矽塊之平均結晶粒徑之測定方法例如可觀察欲求出之多晶矽塊整體，對結晶粒之數量進行計數，自該等所占之面積求出。更簡便而言，亦可藉由於多晶矽塊之照片上等劃出適當長度之線段，對該線段內所含之晶粒界之數量進行計數，而求出近似之平均結晶粒徑。

又，於本說明書中，所謂「太陽電池」，意指構成最小單元之 「太陽電池胞」及將該複數個太陽電池胞電性連接而成之「太陽電池模組」。

根據本發明，可控制性良好地製造結晶缺陷密度較低、作為太陽電池用錠較佳之高品質之多晶矽錠。又，藉由對該多晶矽錠進行加工、處理，而可以低價格向市場供給高品質之多晶矽塊體、多晶矽晶圓、多晶矽太陽電池。

1‧‧‧多晶矽塊

2‧‧‧矽原料

3‧‧‧坩堝

4‧‧‧多晶矽

5‧‧‧外坩堝

6‧‧‧坩堝台

7‧‧‧坩堝下熱電偶

8‧‧‧外坩堝下熱電偶

9‧‧‧腔室

10‧‧‧隔熱材

11‧‧‧控制裝置

12‧‧‧電阻加熱體

13‧‧‧冷卻槽

14‧‧‧升降驅動機構

A、B、C‧‧‧不連續之部分

圖1係表示用以對實施形態之多晶矽錠製造方法之基本步驟進行說明之概略構造的剖視圖。

圖2係表示用以對實施形態之多晶矽錠製造方法之基本步驟進行說明之概略構造的剖視圖。

圖3係表示用以對實施形態之多晶矽錠製造方法之基本步驟進行說明之概略構造的剖視圖。

圖4係表示用以對實施形態之多晶矽錠製造方法之基本步驟進行說明之概略構造的剖視圖。

圖5係表示實施形態之多晶矽錠之概略構造之主要部分剖視圖。

圖6係表示實施形態之多晶矽錠之製造方法所使用之裝置之一例的概略剖視圖。

圖7係表示實施例1~10及比較例中之多晶矽塊之平均結晶粒徑與太陽電池胞輸出等級1~3之產生率之關係的圖表。

圖8係表示通常之多晶矽錠之高度方向之位置與所製作之太陽電池之輸出之關係的概念圖。

以下，針對本發明之實施形態之多晶矽錠製造方法、多晶矽塊體、多晶矽晶圓及太陽電池之製造方法及多晶矽錠，參照圖進行說 明。

圖1~4係表示用以對本實施形態之多晶矽錠製造方法進行說明之概略構造之剖視圖。於圖1~4中，1係多晶矽塊，2係矽原料，3係坩堝，4係單向凝固而成之多晶矽。

本實施形態之多晶矽錠製造方法係於坩堝3底板上表面配置平均結晶粒徑為15mm以下之多晶矽塊1，其後將矽原料2投入坩堝3內，使所投入之矽原料熔融後進行單向凝固而獲得多晶矽錠。

對一連串之基本步驟進行說明，首先，如圖1所示，於坩堝3之底板之上表面配置平均結晶粒徑為15mm以下之多晶矽塊1，向坩堝3內投入矽原料2。

其次，如圖2所示，以使投入坩堝3內之矽原料2熔融之方式進行加熱。此處，設為不使多晶矽塊1完全熔融，而留下多晶矽塊1之至少一部分之狀態。

繼而，如圖3所示，將熔融之矽原料2以自坩堝3之底板側朝向上方之方式進行冷卻，沿圖3之箭頭方向使多晶矽4凝固，使多晶矽4自坩堝3之底板側進行單向凝固。此時，進行自熔融殘留之多晶矽塊1之各結晶粒繼承了上述結晶粒之方位之磊晶成長的傾向較高，因此初期成長之多晶矽4之平均結晶粒徑存在與配置於坩堝3底板上表面之多晶矽塊1之平均結晶粒徑變得大致同等的傾向。因此，藉由使用平均結晶粒徑為15mm以下者作為多晶矽塊1，而可實現大致同等之結晶粒徑之多晶矽4之成長。

此後，如圖4所示，進行冷卻直至凝固至熔融之矽原料2之上表面。

如上所述，藉由使用平均結晶粒徑為15mm以下者作為多晶矽塊1，而可實現大致同等之結晶粒徑之多晶矽4之成長，而可控制性良好地製造結晶缺陷密度低、作為太陽電池用錠較佳之高品質之多晶矽 錠。

於藉由本實施形態之多晶矽錠製造方法而製造之多晶矽錠中，如作為其主要部分剖視圖之圖5所示，並非於多晶矽塊1之所有結晶粒產生磊晶成長，因此當觀察多晶矽塊1與單向凝固之多晶矽4之界面部分之截面時，可發現結晶粒變得不連續之部分A、B、C，該方面成為本實施形態之多晶矽錠之特徵。再者，圖5表示包含交界部之部分，該交界部包含複數個於單向凝固之方向上晶粒界變得不連續之部分。

作為多晶矽塊1，可使用多晶矽錠之一部分或全部。例如可為自使用澆鑄法而製造之如高度為200mm以上之多晶矽錠切出的太陽電池用多晶矽錠之一部分，亦可使用同樣地使用澆鑄法而製造之高度為10mm左右之多晶矽錠之一部分或全部。

此外，例如可使用使矽成長用基板與矽熔融液進行接觸而使之成長之多晶矽錠、或向矽之熔點以下之材料澆鑄矽熔融液並使之固化而成之多晶矽錠、藉由加熱器或雷射等能量照射而使矽粒局部或整體熔解並固化而成的多晶矽錠等。

又，其中，於使用藉由澆鑄法(矽熔融液之單向凝固)而獲得之多晶矽之一部分之情形時，底部作為多晶矽塊1更加理想。此處，所謂底部，係自距多晶矽錠之底面之高度方向三分之一以內切出的部分。

底部中，就結晶粒徑之觀點而言，尤其沿平行於底(bottom)面之方向切出之多晶矽塊更加合適，進而，最佳為使用不用於太陽電池用之底側邊角材料。其理由在於：底側邊角材料不僅係原本不用作太陽電池用之部分，而且就結晶粒徑之觀點而言亦合適，且位錯等結晶缺陷亦較少，因此最合適成為高品質之多晶矽錠之成長起點。

本實施形態之多晶矽錠之製造方法可利用之多晶矽錠製造裝置並無特別限定，可使用公知之製造裝置實施。但是，對於中間加熱器(side heater)型與頂部加熱器型而言，就容易形成坩堝上下方向之溫 度分佈之方面而言，頂部加熱器型更合適。考慮到自坩堝底之冷卻與自加熱器之熱輸入之平衡，亦可使用中間加熱器。

(多晶矽錠之製造方法)

以下，基於圖式對本實施形態之多晶矽錠之製造方法更具體地進行說明，但本發明並不限定於該實施形態。本實施形態之多晶矽錠之製造方法亦可使用如圖6所示之公知裝置實施。

圖6係表示本實施形態之多晶矽錠之製造方法所使用之裝置之一例的概略剖視圖。

該裝置通常用以製造多晶矽錠，且具有構成電阻加熱爐之腔室(密閉容器)9。

可於腔室9之內部配置石墨製、石英(SiO₂)製等之坩堝3，且將腔室9之內部氣氛以密閉狀態進行保持。

於收容坩堝3之腔室9內配置有支持坩堝3之石墨製坩堝台6。坩堝台6可藉由升降驅動機構14而升降，且於其內部循環有冷卻槽13內之冷媒(冷卻水)。

於坩堝台6之上部配置有石墨製等之外坩堝5，於其中配置有坩堝3。亦可配置如包圍坩堝3之石墨製等之外罩代替外坩堝5。

以包圍外坩堝5之方式配置有如石墨加熱器之電阻加熱體12，進而以自上方覆蓋該等之方式配置有隔熱材10。

電阻加熱體12可自坩堝3之周圍進行加熱而使坩堝3內之矽原料2熔解。

只要藉由利用電阻加熱體12進行加熱、利用上述冷卻槽13自坩堝3下方進行冷卻、及利用升降驅動機構14使坩堝3升降，可形成坩堝內之上下方向之溫度分佈，且可使配置於坩堝底板上之多晶矽塊之一部分或全部殘留並使矽原料熔解，則發熱體等加熱機構之形態或配置並無特別限定。

為了檢測坩堝3之底面之溫度，而分別於坩堝3下表面中央附近配置坩堝下熱電偶7，於外坩堝5下表面之中央附近配置外坩堝下熱電偶8，且將該等之輸出輸入至控制裝置11，而控制基於電阻加熱體12之加熱狀態。除配置上述熱電偶以外，亦可配置用以檢測溫度之熱電偶或放射溫度計。

腔室9可以外部之氧氣、氮氣等不會流入之方式將其內部保持為密閉狀態，通常，於投入多晶矽等矽原料後且其熔融前，使腔室9內為真空，其後導入氬氣等惰性氣體，而保持為惰性氣氛。

藉由此種構成之裝置，基本上，藉由如下步驟，即向坩堝3填充矽原料2、利用脫氣(真空化)及惰性氣體之導入置換腔室9內之氣體、利用加熱使矽原料2熔融、確認熔融並進行保持、利用溫度控制及升降驅動機構14之動作而使凝固開始、確認固化完成及退火以及取出錠之步驟，而製造多晶矽錠。

於圖1~4中表示將本實施形態之多晶矽錠製造方法中之坩堝3內部簡化表示之剖視圖。首先，如圖1所示，於坩堝3之底板上配置平均結晶粒徑為15mm以下之多晶矽塊1，於其上填充矽原料2。於裝置內之脫氣(真空化)及惰性氣體置換後，以坩堝3上部之溫度高於下部之方式進行加熱、冷卻等加以控制，使上述多晶矽塊之一部分或全部殘留並使矽原料熔融(圖2)。其後，自下方進行單向凝固(圖3)，使整體凝固(圖4)。其後，進行退火，而可控制性良好地獲得高品質之多晶矽錠。再者，配置於坩堝3之底板上之多晶矽塊1未必必須以接觸於坩堝3底板之方式進行配置，只要以結晶成長自該多晶矽塊1開始之方式進行配置即可。

(多晶矽錠)

本實施形態之多晶矽錠係藉由本實施形態之多晶矽錠之製造方法而製造。本實施形態之多晶矽錠係自平均結晶粒徑為15mm以下之 多晶矽塊局部磊晶成長，因此於結晶粒之構造上具有特徵。將表示成為結晶成長之核之多晶矽塊、及於其上成長之多晶矽之界面附近之交界部之結晶狀態之情況的概略圖表示於圖5。自圖5可明確，於觀察上述界面部分之截面之情形時，於界面部分結晶構造上存在不連續。其原因在於：對於多晶矽塊之所有結晶粒，未必是同一方位之結晶進行磊晶成長。

於先前之多晶矽錠中，各結晶粒亦並非以同一結晶方位之狀態進行結晶成長，例如存在因(111)面之偏差而於Σ3粒界結晶構造產生不連續之情況。但是，於該情形時，由於上述不連續係於各結晶粒內獨立產生，故而並非會遍及較廣區域而產生不連續，與本發明之多晶矽錠明顯不同。

又，於結晶成長之過程中產生組成過冷(constitutional supercooling)之情形時，於液相中產生較細之矽結晶核，且與結晶粒方位無關地固著於已經成長之結晶粒表面。於該情形時，遍及成為組成過冷條件之較廣區域確認到結晶構造之不連續，但該情形亦與本發明之多晶矽錠明顯不同。

因此，於本實施形態之多晶矽錠中，上述界面部分(交界部)之結晶構造之不連續性並非因上述Σ3產生者，並且亦非因上述組成過冷產生者。

(多晶矽塊體)

本實施形態之多晶矽塊體係藉由加工本實施形態之多晶矽錠而獲得。

多晶矽塊體例如可藉由使用帶鋸等公知之裝置，對本實施形態之多晶矽錠中有擴散有坩堝材料等雜質之虞之表面部分進行切斷加工而獲得。

又，亦可視需要對多晶矽塊體之表面進行研磨加工。

(多晶矽晶圓)

本實施形態之多晶矽晶圓係藉由加工本實施形態之多晶矽塊體而獲得。

多晶矽晶圓例如可藉由使用多線鋸等公知之裝置，將本實施形態之多晶矽塊體切片加工為所期望之厚度而獲得。就現狀而言，厚度通常為170~200μm左右，但作為趨勢，有為了削減成本而薄型化之傾向。

又，亦可視需要對多晶矽晶圓之表面進行研磨加工。

(多晶矽太陽電池)

本實施形態之多晶矽太陽電池係使用本實施形態之多晶矽晶圓而製造。

多晶矽太陽電池胞例如可使用本實施形態之多晶矽晶圓，藉由公知之太陽電池胞製程而進行製造。即，使用公知之材料，藉由公知之方法，於摻雜有p型雜質之矽晶圓之情形時，摻雜n型雜質，形成n型層而形成pn接合，形成表面電極及背面電極而獲得多晶矽太陽電池胞。同樣地，於摻雜有n型雜質之矽晶圓之情形時，摻雜p型雜質，形成p型層而形成pn接合，形成表面電極及背面電極而獲得多晶矽太陽電池胞。或者，除利用該等矽彼此之pn接合者以外，亦有夾著薄絕緣層並蒸鍍金屬等而成之MIS(Metal Insulator Semiconductor，金屬絕緣半導體)型太陽電池、例如製作與多晶矽晶圓相反之導電型之非晶等之矽薄膜並利用不同構造之p型、n型矽異質接合者等。又，將上述多晶矽太陽電池胞複數個電性連接而獲得多晶矽太陽電池模組。

如上所述，於本說明書中，作為包含「太陽電池胞」與「太陽電池模組」之概念，僅稱為「太陽電池」。因此，例如只要為記載為「多晶矽太陽電池」者，則其成為包含「多晶矽太陽電池胞」及「多晶矽太陽電池模組」之含義。

[實施例]

以下，對實施例及比較例更具體地進行說明，但本發明不受該等例限定。

(實施例1~10)對多晶矽塊之平均結晶粒徑之研究

於圖6所示之多晶矽錠製造裝置內之石墨製坩堝台6(880mm×880mm×厚度200mm)上設置石墨製外坩堝5(內部尺寸：900mm×900mm×高度460mm，底板壁厚及側面壁厚20mm)，於其中設置石英製坩堝3(內部尺寸：830mm×830mm×420mm，底板壁厚及側面壁厚22mm)。又，將溫度測定用熱電偶設置於坩堝3下表面中央附近及外坩堝5下表面中央附近2處。

繼而，將實施例1、實施例2、實施例3、實施例4、實施例5、實施例6、實施例7、實施例8、實施例9及實施例10之多晶矽塊1排列於坩堝3之底板上後，將以錠之比電阻成為約1.5Ωcm之方式調整了硼摻雜劑濃度之420kg原料矽4裝入坩堝3中後，對裝置內進行抽真空，以氬氣進行置換。其後，使用加熱機構(石墨加熱器12)使矽原料熔解，加熱至配置於底板上之多晶矽塊1局部熔融後，開始自坩堝3下方向之冷卻，自坩堝3下方朝向上方進行單向凝固，使多晶矽4成長。其後，以約1200℃進行2小時退火，以100℃/小時之冷卻速度進行降溫，自裝置取出多晶矽錠。再者。實施例1~10中所使用之多晶矽塊1係使用自利用澆鑄法使矽熔融液自下部向上部進行單向凝固而獲得之多晶矽錠之底部分，沿與底面平行之方向切出之(錠之高度方向)厚度13mm左右者。又，作為比較例，設為使多晶矽塊1完全熔融，除此以外以與上述實施例1~10相同之方式製作之情形時之多晶矽錠。

針對以上述方式獲得之實施例1~10及比較例之多晶矽錠，分別使用帶鋸而加工成塊體(156mm×156mm×220mm)，進而使用線鋸進行切片，而自各多晶矽錠獲得多晶矽晶圓(156mm×156mm×厚度0.18 mm)約16,000片。

將所得之多晶矽晶圓投入通常之太陽電池胞製程，每個錠製作16,000個太陽電池胞，測定該等太陽電池胞之輸出(W)。

將各太陽電池胞自高輸出側起按下述方式分類為等級1~3，並算出每個錠之各等級之存在比率(%)。

等級1：輸出100以上(將等級1之下限輸出設為100，以下標準化)

等級2：輸出93以上且未達100

等級3：輸出未達93

將所得之結果示於表1及圖7中。

自表1及圖7明確可知：於本次實施例之範圍內，多晶矽塊之平均結晶粒徑越小，高等級品(高輸出品)之產生率越高，錠品質越良好。

於多晶矽塊之平均結晶粒徑小於15mm之情形時，獲得較完全熔融後開始單向凝固之比較例略微良好之結果，但若平均結晶粒徑為25mm，則與比較例同等，未發現效果。因此，於多晶矽塊之平均結晶粒徑為0.1mm以上且15mm以下之範圍內，獲得較比較例更良好之結果。若平均結晶粒徑為8.6mm以下，則獲得進一步良好之結果，只要 平均結晶粒徑為0.1mm以上，則越變小至5.2mm以下、3.1mm以下、2mm以下、1mm以下、0.3mm以下，就獲得越良好之結果。

藉由使用輸出良好之太陽電池胞，而將其等複數排列而成之太陽電池模組亦獲得良好之特性。

應認為本次揭示之實施形態及實施例於所有方面均為例示而並非限制性者。本發明之範圍係藉由申請專利範圍表示而並非由上述說明表示，且意圖包含與申請專利範圍均等之意義及範圍內之所有變更。

Claims (6)

1. 一種多晶矽錠製造方法，其係於坩堝底板上表面配置平均結晶粒徑15mm以下之多晶矽塊，其後將矽原料投入坩堝內，使所投入之矽原料熔融後進行單向凝固而獲得多晶矽錠，上述多晶矽塊係將多晶矽錠之一部分切出而成之板狀。
2. 如請求項1之多晶矽錠製造方法，其中作為上述多晶矽塊，為藉由矽熔融液之單向凝固而獲得之多晶矽錠之底部。
3. 一種多晶矽塊體之製造方法，其係使用藉由如請求項1或2之多晶矽錠製造方法而製造之多晶矽錠，獲得多晶矽塊體。
4. 一種多晶矽晶圓之製造方法，其係使用藉由如請求項1或2之多晶矽錠製造方法而製造之多晶矽錠，獲得多晶矽晶圓。
5. 一種太陽電池之製造方法，其係使用藉由如請求項1或2之多晶矽錠製造方法而製造之多晶矽錠，獲得太陽電池。
6. 一種多晶矽錠，其係單向凝固而成者，且具備包含複數個於單向凝固之方向上晶粒界變得不連續之部分之交界部。