JP6487675B2 - 多結晶シリコンインゴット製造方法、多結晶シリコンインゴットの用途の製造方法及び多結晶シリコンインゴット - Google Patents
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Description
(多結晶シリコンインゴットの製造方法)
本実施の形態の多結晶シリコンインゴットの製造方法について、以下に図面に基づいてより具体的に説明するが、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
(多結晶シリコンインゴット)
本実施の形態の多結晶シリコンインゴットは、本実施の形態の多結晶シリコンインゴット製造方法により製造される。本実施の形態の多結晶シリコンインゴットは、平均結晶粒径が15mm以下の多結晶シリコン塊から部分的にエピタキシャル成長するため、結晶粒の構造に特徴を有する。結晶成長の核となった多結晶シリコン塊と、その上に成長した多結晶シリコンの界面近傍の境界部の結晶状態の様子を示す概略図を図5に示す。図5から明らかな通り、上記界面部分の断面観察した場合、界面部分で結晶構造に不連続が存在する。これは多結晶シリコン塊の結晶粒全てに対して必ずしも同一方位の結晶がエピタキシャル成長するわけではないためである。
(多結晶シリコンブロック)
本実施の形態の多結晶シリコンブロックは、本実施の形態の多結晶シリコンインゴットを加工することにより得られる。
(多結晶シリコンウェハ)
本実施の形態の多結晶シリコンウェハは、本実施の形態の多結晶シリコンブロックを加工することにより得られる。
(多結晶シリコン太陽電池)
本実施の形態の多結晶シリコン太陽電池は、本実施の形態の多結晶シリコンウェハを用いて製造される。
(実施例1〜10)多結晶シリコン塊の平均結晶粒径に関する検討
図6に示される多結晶シリコンインゴット製造装置内の黒鉛製坩堝台6(880mm×880mm×厚さ200mm)上に、黒鉛製外坩堝5(内寸:900mm×900mm×高さ460mm、底板肉厚および側面肉厚20mm)を設置し、その中に石英製坩堝3(内寸:830mm×830mm×420mm、底板肉厚および側面肉厚22mm)を設置した。また、温度測定用の熱電対を、坩堝3下面中央近傍および外坩堝5下面中央近傍の2ヵ所に設置した。
ランク2:出力93以上100未満
ランク3:出力93未満
得られた結果を表1および図7に示す。
2 シリコン原料
3 坩堝
4 多結晶シリコン
Claims (5)
- 坩堝底板上面に平均結晶粒径が15mm以下であって多結晶インゴットの一部を切り出した板状の多結晶シリコン塊を配置し、その後シリコン原料を坩堝内に投入し、投入されたシリコン原料を溶融させてから一方向凝固させて多結晶シリコンインゴットを得る、多結晶シリコンインゴット製造方法。
- 前記多結晶シリコン塊として、シリコン融液の一方向凝固により得られた多結晶シリコンインゴットの底部を用いる、請求項1に記載の多結晶シリコンインゴット製造方法。
- 請求項1または2に記載の多結晶シリコンインゴット製造方法により製造された多結晶シリコンインゴットを用いて、多結晶シリコンブロックを得る、多結晶シリコンブロックの製造方法。
- 請求項1または2に記載の多結晶シリコンインゴット製造方法により製造された多結晶シリコンインゴットを用いて、多結晶シリコンウェハを得る、多結晶シリコンウェハの製造方法。
- 請求項1または2に記載の多結晶シリコンインゴット製造方法により製造された多結晶シリコンインゴットを用いて、太陽電池を得る、太陽電池の製造方法。
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