JP2005058978A - 減圧処理装置および蒸着装置 - Google Patents
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 134
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 title abstract 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 50
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 29
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229920006169 Perfluoroelastomer Polymers 0.000 claims description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010828 elution Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002449 FKM Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
【解決手段】 減圧処理装置を構成するるつぼ、ガスケット等の各部材から有機物成分が放出され、当該放出された有機物成分によって素子が汚染されることを見出し、有機物成分の放出を軽減する処理を減圧処理装置の各部材に施す。例えば、るつぼは蒸着材料に対して触媒性の低い材料によって形成し、ガスケットは有機物の溶出低減処理を施したものを使用するか、有機物の少ない材料のものを使用する。
【選択図】 図1
Description
12 排気用1次ポンプ
13 排気用2次ポンプ
14 処理対象物導入扉
15 第1のガスケット
16 第2のガスケット
17 ガス導入機構
21 処理室
24 ゲート弁
25 基板
26 基板ホルダー
31 基板導入室
34 基板導入扉
28、38 ポンプゲート弁
22、32 1次ポンプ
23、33 2次ポンプ
27、37 ポンプパージガス導入機構
29 処理室ガス導入機構
41 蒸着源室
42 蒸着源容器
43 ヒーター
44 シャッター機構
52,53,54,55,56,57,58,59,60 ガスケット
Claims (32)
- 減圧容器と、該減圧容器に結合する排気手段と、該減圧容器にガスケットを介して接続された被処理物導入扉とを含む減圧処理装置において、該ガスケットは有機物放出の少ない材料で構成されていることを特徴とする減圧処理装置。
- 請求項1に記載の減圧処理装置において、前記ガスケットの構成材料は有機物を含むことを特徴とする減圧処理装置。
- 請求項2に記載の減圧処理装置において、前記ガスケットの構成材料は80℃以上の水に接触させる工程を経ていることを特徴とする減圧処理装置。
- 請求項2または3に記載の減圧処理装置において、前記有機物の主成分はパーフロロエラストマーであることを特徴とする減圧処理装置。
- 減圧容器と、該減圧容器に接続された排気手段と、該減圧容器に接続された被処理物導入扉と、該減圧容器の気密を保つ複数のガスケットとを含む減圧処理装置において、前記複数のガスケットのうち着脱頻度の少ない部位の気密を保つガスケットの構成材料は金属およびセラミックスの少なくとも一方であることを特徴とする減圧処理装置。
- 請求項5に記載の減圧処理装置において、着脱頻度の多い部位の気密を保つガスケットの構成材料は有機物を含むことを特徴とする減圧処理装置。
- 請求項6に記載の減圧処理装置において、前記有機物を含むガスケットは80℃以上の水に接触させる工程を経ていることを特徴とする減圧処理装置。
- 請求項6または7に記載の減圧処理装置において、前記有機物の主成分はパーフロロエラストマーであることを特徴とする減圧処理装置。
- 請求項1乃至8のどれか一つに記載の減圧処理装置において、前記排気手段はポンプを含み、該ポンプの上流もしくはポンプパージ部に少量の不活性ガスを流すことを特徴とする減圧処理装置。
- 請求項1乃至8のどれか一つに記載の減圧処理装置において、前記排気手段は1次ポンプと、該1次ポンプの排気側に接続された2次ポンプと、該1次ポンプおよび該2次ポンプの間に不活性ガスを導入するガス導入部とを含むことを特徴とする減圧処理装置。
- 請求項1乃至10のどれか一つに記載の減圧処理装置において、処理時の真空度が100Torr以下であることを特徴とする減圧処理装置。
- 減圧容器と、該減圧容器に結合する排気手段と、該減圧容器にガスケットを介して接続された基板導入扉と、蒸着源容器とを含む蒸着装置において、該ガスケットは有機物放出の少ない材料で構成されていることを特徴とする蒸着装置。
- 請求項12に記載の蒸着装置において、前記ガスケットの構成材料は有機物を含むことを特徴とする蒸着装置。
- 請求項13に記載の蒸着装置において、前記ガスケットの構成材料は80℃以上の水に接触させる工程を経ていることを特徴とする蒸着装置。
- 請求項13または14に記載の蒸着装置において、前記有機物の主成分はパーフロロエラストマーであることを特徴とする蒸着装置。
- 減圧容器と、該減圧容器に接続された排気手段と、該減圧容器に接続された基板導入扉と、該減圧容器の気密を保つ複数のガスケットと、蒸着源容器とを含む蒸着装置において、前記複数のガスケットのうち着脱頻度の少ない部位の気密を保つガスケットの構成材料は金属およびセラミックスの少なくとも一方であることを特徴とする蒸着装置。
- 請求項16に記載の蒸着装置において、着脱頻度の多い部位の気密を保つガスケットの構成材料は有機物を含むことを特徴とする蒸着装置。
- 請求項17に記載の蒸着装置において、前記有機物を含むガスケットは80℃以上の水に接触させる工程を経ていることを特徴とする蒸着装置。
- 請求項17または18に記載の蒸着装置において、前記有機物の主成分はパーフロロエラストマーであることを特徴とする蒸着装置。
- 請求項12または16に記載の蒸着装置において、前記蒸着源容器は触媒性の少ない材料で構成されていることを特徴とする蒸着装置。
- 請求項20に記載の蒸着装置において、前記蒸着源容器内面はSi、Cr、Al、La、Y、Ta、Ti、Bから選ばれる元素の酸化物もしくは窒化物のいずれかを少なくとも含むことを特徴とする蒸着装置。
- 請求項12または16に記載の蒸着装置において、前記蒸着源容器は高熱伝導率材料で構成されていることを特徴とする蒸着装置。
- 請求項22に記載の蒸着装置において、前記蒸着源容器を構成する前記高熱伝導率材料は、Al、B、Siの窒化物もしくは金属材料のいずれかを少なくとも含むことを特徴とする蒸着装置。
- 請求項23に記載の蒸着装置において、前記蒸着源容器の内面はSi、Cr、Al、La、Y、Ta、Ti、Bから選ばれる元素の酸化物もしくは窒化物のいずれかを少なくとも含むことを特徴とする蒸着装置。
- 請求項20乃至24のどれか一つに記載の蒸着装置において、前記蒸着源容器の内面は略平滑であることを特徴とする蒸着装置。
- 請求項12乃至25のどれか一つに記載の蒸着装置において、蒸着源容器に投入される蒸着材料は有機EL素子材料であることを特徴とする蒸着装置。
- 請求項12乃至26のどれか一つに記載の蒸着装置において、前記排気手段はポンプを含み、該ポンプの上流もしくはポンプパージ部に少量の不活性ガスを流すことを特徴とする蒸着装置。
- 請求項12乃至26のどれか一つに記載の蒸着装置において、前記排気手段は1次ポンプと、該1次ポンプの排気側に接続された2次ポンプと、該1次ポンプおよび該2次ポンプの間に不活性ガスを導入するガス導入部とを含むことを特徴とする蒸着装置。
- 請求項12乃至28のどれか一つに記載の蒸着装置において、処理時の真空度が100Torr以下であることを特徴とする蒸着装置
- 請求項12乃至29のどれか一つに記載の蒸着装置を用いて成膜された有機層を有することを特徴とする有機EL素子。
- 請求項12乃至29のどれか一つに記載の蒸着装置を用いて成膜された有機層を有することを特徴とする有機EL表示装置。
- 複数の部材によって構成されている減圧処理装置において、前記複数の部材の少なくとも一つは有機物放出防止処理を受けていることを特徴とする減圧処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003296439A JP5107500B2 (ja) | 2003-08-20 | 2003-08-20 | 蒸着装置 |
PCT/JP2004/012239 WO2005025735A1 (ja) | 2003-08-20 | 2004-08-19 | 真空処理装置および蒸着装置 |
US10/568,706 US20060278162A1 (en) | 2003-08-20 | 2004-08-19 | Vacuum treatment apparatus and vapor deposition apparatus |
TW093125119A TW200517513A (en) | 2003-08-20 | 2004-08-20 | Vacuum processing apparatus and vapor deposition apparatus |
US12/715,222 US20100166956A1 (en) | 2003-08-20 | 2010-03-01 | Vapor deposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003296439A JP5107500B2 (ja) | 2003-08-20 | 2003-08-20 | 蒸着装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005058978A true JP2005058978A (ja) | 2005-03-10 |
JP5107500B2 JP5107500B2 (ja) | 2012-12-26 |
Family
ID=34308374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003296439A Expired - Fee Related JP5107500B2 (ja) | 2003-08-20 | 2003-08-20 | 蒸着装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20060278162A1 (ja) |
JP (1) | JP5107500B2 (ja) |
TW (1) | TW200517513A (ja) |
WO (1) | WO2005025735A1 (ja) |
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- 2003-08-20 JP JP2003296439A patent/JP5107500B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-08-19 US US10/568,706 patent/US20060278162A1/en not_active Abandoned
- 2004-08-19 WO PCT/JP2004/012239 patent/WO2005025735A1/ja active Application Filing
- 2004-08-20 TW TW093125119A patent/TW200517513A/zh unknown
-
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060278162A1 (en) | 2006-12-14 |
US20100166956A1 (en) | 2010-07-01 |
JP5107500B2 (ja) | 2012-12-26 |
WO2005025735A1 (ja) | 2005-03-24 |
TW200517513A (en) | 2005-06-01 |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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