JP2005056944A - 電子回路装置 - Google Patents

電子回路装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2005056944A
JP2005056944A JP2003206648A JP2003206648A JP2005056944A JP 2005056944 A JP2005056944 A JP 2005056944A JP 2003206648 A JP2003206648 A JP 2003206648A JP 2003206648 A JP2003206648 A JP 2003206648A JP 2005056944 A JP2005056944 A JP 2005056944A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring board
multilayer wiring
composite metal
metal material
copper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003206648A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3931855B2 (ja
Inventor
Enjiyou Tsuyuno
円丈 露野
Toshiaki Ishii
利昭 石井
Toshiya Sato
俊也 佐藤
Mitsuyasu Masuda
光泰 増田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2003206648A priority Critical patent/JP3931855B2/ja
Priority to US10/910,903 priority patent/US7298039B2/en
Priority to EP04018879.9A priority patent/EP1505645B1/en
Publication of JP2005056944A publication Critical patent/JP2005056944A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3931855B2 publication Critical patent/JP3931855B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/4951—Chip-on-leads or leads-on-chip techniques, i.e. inner lead fingers being used as die pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/49531—Additional leads the additional leads being a wiring board
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85053—Bonding environment
    • H01L2224/85095—Temperature settings
    • H01L2224/85099—Ambient temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03—Metal processing
    • H05K2203/0315—Oxidising metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive

Abstract

【課題】小型で反りが少なく、気密性が高く、成形性が良く、量産性及び、熱衝撃信頼性，耐オイル信頼性に優れた低コスト，高放熱性の電子回路装置の提供する。
【解決手段】多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該多層配線基板が支持材料に搭載され、該多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記多層配線基板と前記支持材料の間に金，銀，銅のうち少なくとも１種類の金属と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなる事を特徴とする。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続されたモジュール構造を封止樹脂組成物により一体成形した電子回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路を用いたモジュールはビデオカメラ，携帯電話等の小型電子機器のみならず、自動車エンジンの制御，電車の車輪の回転制御にも用いられてきている。この様なモジュールは半導体機能を有する電子部品や抵抗機能を有する電子部品を回路基板に実装して、信号制御を行うものである。このようなモジュールの例として、信頼性を向上するためケース内に配線基板を接着し、電子部品を搭載したのち、広い温度範囲で柔軟なシリコーンゲルで封止し耐電圧特性を向上できることが知られている。しかし、ケースを用いるためサイズが大きくなり、また、シリコーンゲルを用いるため注入及び硬化に時間がかかり放熱性も悪くなる問題があった。熱硬化性樹脂組成物を用い成形するものに（特開平１０−７９４５３号公報）がある。これらの成形方法は配線基板の片面を熱硬化性樹脂組成物により成形するものであるため、基板と封止樹脂の熱膨張率の違いによりそりが生じる問題があった。また、（特開平１０−１３５３７７号公報）のように成形に用いる樹脂組成物の熱膨張率を基板の熱膨張率に近づける検討もなされているが片面モールドであるため、基板と樹脂組成物の界面が多く外気に曝されるため剥離が生じやすかった。
【０００３】
配線基板全体をモールドするものに（特開平９−５１０５６号公報）のようにセラミック多層配線基板を封止材で封止する発明が開示されている。しかしこれは、電極の接続部が多層配線基板の層方向に段差を設けて設置するものであり放熱性を高めるべく工夫はされてなかった。
【０００４】
また、（特開平８−７８６１８号公報）のように熱伝導ブロックを用い放熱性を改良した発明もあるが、放熱ブロックには弾性率の高い窒化アルミを用いているため−５５℃から１５０℃のように激しい温度変化にさらされた場合、熱応力により封止樹脂組成物にクラックが入る問題があった。
【０００５】
また、（特開２００１−２９１８０８号公報）のように絶縁基板と放熱板をアルミ合金や銅合金からなるろう材にセラミックを分散させ絶縁基板と放熱板の中間的な熱膨張率のもので接合することで剥離やクラックの発生をなくした、パワー半導体装置に関する発明がなされているが、制御素子と記憶素子と受動素子が接続されたモジュール構造でないため、電子回路装置として用いることは出来なかった。
【０００６】
また、（特開平６−１９６６１４号公報）のように半導体装置と熱膨張率が近い応力緩衝部材をリードフレーム上に接着した耐応力クラック性に優れたリードフレームに関する発明がなされているが、この応力緩衝部材は放熱性を考慮したものでは無かった。また、熱膨張率を半導体装置側に近づけることを考えているため、リードフレームと応力緩衝部材の間に熱応力が集中し剥離を生じる問題があった。
【０００７】
また、（特開２００１−１９６５１３号公報）に銅と酸化銅からなる高熱伝導で低熱膨張の複合金属材料に関する発明がなされているが、多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続されたモジュール構造で樹脂封止により一体成形した電子回路装置に関するものでは無かった。
【０００８】
また、（特開２０００−１１９６２９号公報）のように５０〜９９．９ 重量部の銀と０．１ 〜５０重量の酸化銅からなる無機充填材を混入した接着用樹脂組成物に関する発明がなされているが、半導体チップとリードフレームの接着材として用いるもので、放熱性や熱応力を考慮したものでは無かった。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１０−７９４５３号公報
【特許文献２】
特開平１０−１３５３７７号公報
【特許文献３】
特開平９−５１０５６号公報
【特許文献４】
特開平８−７８６１８号公報
【特許文献５】
特開２００１−２９１８０８号公報
【特許文献６】
特開平６−１９６６１４号公報
【特許文献７】
特開２００１−１９６５１３号公報
【特許文献８】
特開２０００−１１９６２９号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
近年、自動車の制御は快適な走行と低燃費を両立するため複雑な制御を実現する高機能化が求められている。また、部品点数を削減し低コスト化することが求められている。このため、制御装置においては複数の半導体素子や抵抗，コンデンサを組み合わせるモジュール化が行われている。しかし、近年、更なる部品点数の削減のため機械部品内部に制御装置を組み込むことが要求されている。例えば、トランスミッション内部に制御装置を組み込み機械部品と制御装置が一体化したユニットとして製造することが試みられている。このような制御装置には下記の課題を克服することが必要とされている。第一には小型化の課題がある。機械部品内部の限られた空間に収納するため小型化が必要となっている。第二には反りの課題がある。限られた空間に収納するため反り量が少ないことが必要となっている。第三には温度変化に対する耐久性の課題がある。機械部品の近傍で激しい冷熱環境にさらされても長時間剥離やクラックを発生せず信頼性を維持する必要がある。第四には耐オイル性の課題である。オイルが飛散する高温環境においても動作不良や剥離を起こさない信頼性が必要である。第五には放熱性の課題がある。高温環境で半導体素子が駆動し発熱しても半導体素子の耐熱温度を超えない放熱性を維持する必要がある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するため種々検討した結果、金，銀，銅のうち少なくとも１種類の金属と酸化銅からなる複合金属材料は、低弾性率でありながら熱伝導率が高く封止材との接着性に優れるため、制御素子と記憶素子と受動素子を接続した多層配線基板と支持材料の間に固着しトランスファーモールドにより一体封止成形したところ、小型化を図ると同時に反り量が少なく、温度変化に対しても信頼性が高く、耐オイル性に優れ、放熱性の高い電子回路装置が得られる事実を見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、下記の電子回路装置である。
【００１２】
多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該多層配線基板が支持材料に搭載され、該多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記多層配線基板と前記支持材料の間に金，銀，銅のうち少なくとも１種類の金属と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなる事を特徴とする電子回路装置である。
【００１３】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に金，銀，銅のうち少なくとも１種類の金属と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらにこの複合金属材料は封止材との接着力が高いため、剥離が発生しにくい効果がある。
【００１４】
多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該多層配線基板が支持材料に搭載され、該多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記多層配線基板と前記支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなる事を特徴とする電子回路装置である。
【００１５】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらにこの複合金属材料は封止材との接着力が高いため、剥離が発生しにくい効果がある上に銅と酸化銅を用いるため低コストである効果がある。
【００１６】
セラミック多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該セラミック多層配線基板が支持材料に搭載され、該セラミック多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記セラミック多層配線基板と前記支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなる事を特徴とする電子回路装置である。
【００１７】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらにこの複合金属材料は封止材との接着力が高いため、剥離が発生しにくい効果がある。さらに、セラミック多層配線基板を用いるため熱伝導率が高く放熱性がより良くなる効果がある。
【００１８】
多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該多層配線基板が支持材料に搭載され、該多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記支持材料が銅を主成分とする金属材料からなり、かつ前記多層配線基板と前記支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなる事を特徴とする電子回路装置である。
【００１９】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらにこの複合金属材料は封止材との接着力が高いため、剥離が発生しにくい効果がある。さらに支持材料に銅を主成分とする金属材料を用いることで放熱性がより優れる効果がある。
【００２０】
多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該多層配線基板が支持材料に搭載され、該多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記封止樹脂組成物が７５体積％以上の無機充填材料を含有しかつ、前記多層配線基板と前記支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなる事を特徴とする電子回路装置である。
【００２１】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらにこの複合金属材料は封止材との接着力が高いため、剥離が発生しにくい効果がある。さらに封止樹脂組成物に７５体積％以上の無機充填材料を含有させることで、封止材の耐オイル性をより向上できる効果がある。
【００２２】
多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該多層配線基板が支持材料に搭載され、該多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記多層配線基板と前記支持材料の間に前記多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなる事を特徴とする電子回路装置である。
【００２３】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらにこの複合金属材料は封止材との接着力が高いため、剥離が発生しにくい効果がある。さらに多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を用いることで、多層配線基板より複合金属材料の側に応力が集中するため多層配線基板に接続された素子の寿命を延ばす効果がある。
【００２４】
多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該多層配線基板が支持材料に搭載され、該多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記多層配線基板と前記支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなり、前記多層配線基板と前記複合金属材料の固着に有機系の接着剤を用いてなる事を特徴とする電子回路装置である。
【００２５】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらにこの複合金属材料は封止材との接着力が高いため、剥離が発生しにくい効果がある。さらに、多層配線基板と複合金属材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。
【００２６】
多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該多層配線基板が支持材料に搭載され、該多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記多層配線基板と前記支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなり、前記複合金属材料と前記支持材料の固着に有機系の接着剤を用いてなる事を特徴とする電子回路装置である。
【００２７】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらに、複合金属材料と支持材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。
【００２８】
セラミック多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該セラミック多層配線基板が支持材料に搭載され、該セラミック多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記支持材料は銅を主成分とする金属材料からなりかつ、前記封止樹脂組成物が７５体積％以上の無機充填材料を含有しかつ、前記多層配線基板と前記支持材料の間に前記多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなりかつ、前記セラミック多層配線基板と前記複合金属材料及び前記複合金属材料と前記支持材料の固着に有機系の接着剤を用いてなる事を特徴とする電子回路装置である。
【００２９】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらに、セラミック多層配線基板を用いるため熱伝導率が高く放熱性がより良くなる効果がある。さらに支持材料に銅を主成分とする金属材料を用いることで放熱性がより優れる効果がある。さらに封止樹脂組成物に７５体積％以上の無機充填材料を含有させることで、封止材の耐オイル性をより向上できる効果がある。さらに多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を用いることで、多層配線基板より複合金属材料の側に応力が集中するため多層配線基板に接続された素子の寿命を延ばす効果がある。さらに、多層配線基板と複合金属材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに、複合金属材料と支持材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。
【００３０】
セラミック多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該セラミック多層配線基板が支持材料に搭載され、該セラミック多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記支持材料は銅を主成分とする金属材料からなりかつ、前記封止樹脂組成物が７５体積％以上の無機充填材料を含有しかつ、前記多層配線基板と前記支持材料の間に前記多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる空孔率が１体積％以上５０体積％以下の複合金属材料を固着してなりかつ、前記セラミック多層配線基板と前記複合金属材料及び前記複合金属材料と前記支持材料の固着に有機系の接着剤を用いてなる事を特徴とする電子回路装置である。
【００３１】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらに、セラミック多層配線基板を用いるため熱伝導率が高く放熱性がより良くなる効果がある。さらに支持材料に銅を主成分とする金属材料を用いることで放熱性がより優れる効果がある。さらに封止樹脂組成物に７５体積％以上の無機充填材料を含有させることで、封止材の耐オイル性をより向上できる効果がある。さらに多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を用いることで、多層配線基板より複合金属材料の側に応力が集中するため多層配線基板に接続された素子の寿命を延ばす効果がある。さらに、多層配線基板と複合金属材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに、複合金属材料と支持材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに複合金属材料の空孔率が１体積％以上５０体積％以下であるため熱伝導率が高く弾性率が低いため、放熱性と信頼性に優れる効果がある。
【００３２】
セラミック多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該セラミック多層配線基板が支持材料に搭載され、該セラミック多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記支持材料は銅を主成分とする金属材料からなりかつ、前記封止樹脂組成物が７５体積％以上の無機充填材料を含有しかつ、前記多層配線基板と前記支持材料の間に前記多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなりかつ、前記複合金属材料の表面積の４０％以上における表面粗さが０．０１≦Ｒａ≦５００（μｍ）（但し、ＲａはＪＩＳ Ｂ ０６６０：１９９８で定義される算術平均粗さ）でありかつ、前記セラミック多層配線基板と前記複合金属材料及び前記複合金属材料と前記支持材料の固着に有機系の接着剤を用いてなる事を特徴とする電子回路装置である。
【００３３】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらに、セラミック多層配線基板を用いるため熱伝導率が高く放熱性がより良くなる効果がある。さらに支持材料に銅を主成分とする金属材料を用いることで放熱性がより優れる効果がある。さらに封止樹脂組成物に７５体積％以上の無機充填材料を含有させることで、封止材の耐オイル性をより向上できる効果がある。さらに多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を用いることで、多層配線基板より複合金属材料の側に応力が集中するため多層配線基板に接続された素子の寿命を延ばす効果がある。さらに、多層配線基板と複合金属材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに、複合金属材料と支持材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに、複合金属材料の表面積の４０％以上における表面粗さが０．０１ ≦Ｒａ≦５００（μｍ）（但し、ＲａはＪＩＳ Ｂ ０６６０：１９９８で定義される算術平均粗さ）であるため封止樹脂組成物との接着性が優れ信頼性に優れる効果がある。
【００３４】
セラミック多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該セラミック多層配線基板が支持材料に搭載され、該セラミック多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記支持材料は銅を主成分とする金属材料からなりかつ、前記封止樹脂組成物が７５体積％以上の無機充填材料を含有しかつ、前記多層配線基板と前記支持材料の間に前記多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなりかつ、前記複合金属材料の酸化銅の比率が１０体積％以上５０体積％以下でありかつ、前記セラミック多層配線基板と前記複合金属材料及び前記複合金属材料と前記支持材料の固着に有機系の接着剤を用いてなる事を特徴とする電子回路装置である。
【００３５】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらに、セラミック多層配線基板を用いるため熱伝導率が高く放熱性がより良くなる効果がある。さらに支持材料に銅を主成分とする金属材料を用いることで放熱性がより優れる効果がある。さらに封止樹脂組成物に７５体積％以上の無機充填材料を含有させることで、封止材の耐オイル性をより向上できる効果がある。さらに多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を用いることで、多層配線基板より複合金属材料の側に応力が集中するため多層配線基板に接続された素子の寿命を延ばす効果がある。さらに、多層配線基板と複合金属材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに、複合金属材料と支持材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに複合金属材料の酸化銅の比率が１０体積％以上５０体積％以下であるため、低弾性率と高熱伝導率が両立する効果がある。
【００３６】
本発明において用いられる制御素子は、演算又はスイッチング機能を有する素子のことを意味している。これには、演算機能を有する素子にはマイコン等が用いられる。スイッチング機能を有する素子にはトランジスタ等が用いられる。記憶素子は制御プログラムや信号を記憶するメモリを意味している。メモリはマイコンに内蔵される場合が多いが、マイコンとは別に設ける事もできる。受動素子は、抵抗，コンデンサ，ダイオード等を意味している。
【００３７】
本発明においても用いられる多層配線基板は配線回路を４層以上形成した基板であれば特に制限されないが、例えば基板材料としてアルミナを主成分として用いたセラミック多層配線基板，エポキシ樹脂含浸ガラス繊維を用いたガラスエポキシ配線基板，フェノール樹脂含浸紙を用いた紙フェノール配線基板，エポキシ樹脂含浸紙を用いた紙エポキシ配線基板，ＢＴレジン（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ ｔｒｉａｚｉｎｅ ｒｅｓｉｎ ）含浸ガラス繊維を用いたガラスＢＴレジン配線基板，ポリイミドを用いたポリイミド製配線基板，テフロン（登録商標）を用いたテフロン（登録商標）製配線基板，ポリフェニレンエーテルを用いたポリフェニレンエーテル製配線基板等のうち一つあるいは複数の組み合わせで用いることができる。望ましくは、セラミック多層配線基板が良い。これは、セラミック多層配線基板は熱伝導率が高いため電子回路装置の放熱性がより良くなる効果があるためである。
【００３８】
本発明において用いる支持材料には高熱伝導性の材料であれば特に制約されるものではないが、好ましくはＣｕを主成分としてＦｅ，Ｐ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｍｇのいずれか又は複数を添加が用いられる。これらはそのまま用いることも出来るが、信頼性向上のために外部に露出する部分に必要に応じて有機コート膜や金属メッキで保護することも出来る。このような有機コート膜にはポリアミドイミド，ポリイミド，エポキシ樹脂，カップリング剤，キレート剤等を用いることが出来る。金属メッキにはＳｎ，Ａｕ、又はＮｉを主成分とするメッキが用いられるが、コストと接続信頼性の点からＳｎを主成分とするメッキが望ましい。
【００３９】
本発明において一体成形に用いる封止材は樹脂封止成形できる熱硬化性樹脂組成物であれば特に制限されないが望ましくはエポキシ樹脂，硬化剤，硬化促進剤、並びに無機質充填剤を必須成分とする。エポキシ樹脂組成物が望ましい。
【００４０】
エポキシ樹脂は、１分子中にエポキシ基を２個以上有するものであれば特に限定されない。例えば、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂，ナフタレン型エポキシ樹脂，ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂，臭素化エポキシ樹脂，ビフェニル型エポキシ樹脂，ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂，ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられ、溶融粘度が低いビフェニル型エポキシ樹脂が好ましい。
【００４１】
硬化剤は、フェノール性水酸基，アミノ基，カルボキシル基，酸無水物基等エポキシ樹脂を硬化する官能基を有するものであれば特に限定されない。例えば、フェノールノボラック，キシリレン型フェノール樹脂，ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂，クレゾールフェノールノボラック等が挙げられ、溶融粘度が低いフェノールノボラックが好ましい。
【００４２】
無機質充填剤には、シリカ，アルミナ，窒化ホウ素，水酸化マグネシウム，水酸化マグネシウム等が用いられるが機械的特性や硬化性等のバランスのとれたシリカが望ましい。シリカは溶融シリカ及び結晶シリカがあるが、熱膨張係数が小さい溶融シリカが好ましい。粒子形状については、球，角どちらでもよいが、流動性のためには球が好ましい。無機質充填剤は、充填剤の９５重量％以上が粒径０．１ 〜１００μｍの範囲にあり、かつ平均粒径が２〜２０μｍで球状の粉末が好ましい。この範囲の充填剤は最大充填分率が高く、高充填してもエポキシ樹脂組成物の溶融粘度は上昇しにくい。無機質充填剤の充填量はエポキシ樹脂組成物の全容積に対して５０容積％以上であるのが望ましく、特に熱膨張率の観点から７５容積％以上であるのが好ましい。
【００４３】
硬化促進剤はエポキシ樹脂との場合には硬化反応を促進させるものならば種類は限定されない。例えば、トリフェニルホスフィン，トリフェニルホスフィン・トリフェニルボロン，テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート，ブチルトリフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート等のリン化合物、２−フェニル−４−ベンジル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、ジアミノジフェニルメタン，トリエチレンジアミン等のアミン化合物等が挙げられる。
【００４４】
本発明で用いたエポキシ樹脂組成物には、上記成分以外にも、必要に応じて離型剤，着色剤，可とう化剤，難燃助剤等を添加することができる。樹脂封止成形の成形方法にはトランスファーモールド成形，射出成形，ポッティング成形等を用いることができるが、トランスファーモールド成形が量産性の観点から望ましい。これは、トランスファーモールド成形が量産性，信頼性の点で優れているからである。上記のエポキシ樹脂組成物を用いトランスファーモールド成形する場合、成形温度は１５０℃以上２００℃未満の範囲で設定され、１５０℃未満では硬化反応が遅く、離型性が悪い。離型性を上げるには長い成形時間が必要となり量産性が悪い。また、２００℃以上では、硬化反応が早く進行し流動性が低下するため未充填となってしまう。このため、通常１８０℃付近の成形温度で成形される。
【００４５】
本発明で用いた複合金属材料は金，銀，銅のうち少なくとも１種類の金属と酸化銅からなるものであれば特に制限されないが、材料費の点から考えると銅と酸化銅を用いる事が望ましい。酸化銅としては、ＣｕＯ，Ｃｕ２Ｏ 及びその混合物を用いる事ができるが、Ｃｕ２Ｏ を用いる事が望ましい。これは、Ｃｕ２Ｏ を用いた複合金属材料の方がＣｕＯを用いた複合金属材料より機械的特性に優れるためである。
【００４６】
【発明の実施の形態】
以下、実施例及び比較例を示し本発明を説明する。
【００４７】
（実施例１）
実施例１の電子回路装置は図１の模式図に示される構造をしている。図１において、多層配線基板１は６層からなるガラスＢＴレジン多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）であり最外層の一面はベタパターンの銅に厚さ５μｍのニッケルメッキを施している。複合金属材料２は銀粉とＣｕ２Ｏ 粉を混合した後、冷間プレスして、９５０℃×３時間焼結したものであり、銀７０体積％，Ｃｕ２Ｏ ３０体積％で大きさは５０ｍｍ×４０ｍｍ×０．７ｍｍ である。まず、アルミ製の支持材料３に複合金属材料２を溶接し（接合６）、複合金属材料の上に元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダ（接合５）を印刷した。次に、多層配線基板１に銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージ上で多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として、元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２のハンダペーストを多層配線基板１のランド部にディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。これを、先に作製した支持材料３と複合金属材料２の結合体上のハンダ印刷面に搭載し、その後、赤外線リフロー装置を用い接合５のハンダや導電材１０を一旦２７０℃で加熱溶融し、再び固化させることで電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、端子１５，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であり無機充填材としてシリカフィラーを６３体積％充填した封止樹脂組成物４を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材組成物は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が１６ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１５０℃のものである。
【００４８】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【００４９】
複合金属材料と封止材組成物の接着強度の測定は複合金属材料上に封止材樹脂組成物をトランスファーモールドにて図２の円錐台形に成形したのち、封止材成形物に剪断治具を用い基材から５０μｍの高さを２ｍｍ／ｍｉｎ の速度で歪みを加え、破断した時の強度から剪断接着強度を求めた。試料数は４〜５でその平均値を算出した。
【００５０】
複合金属材料の表面粗さ測定は触針式の表面粗さ計を用い測定した。表面粗さＲａはＪＩＳ Ｂ ０６６０：１９９８で定義される算術平均粗さである。
【００５１】
反りの測定は３次元計測器を用い測定し、反りが２００μｍ以上の場合は不良で（×）で示した。２００μｍ未満の場合は合格で（○）で示した。気密性は熱衝撃試験を３０００サイクル行ったサンプルに対し、染色浸透探傷剤を用いた染色浸透探傷法（カラーチェック）により行った。基準は浸透インク長さが１．０ｍｍ以上になったものは×、０．５ｍｍ以上１ｍｍ未満は△、０．５ｍｍ未満は○とした。成形性はモジュールの封止において、流動性や離型性の問題なく成形できた場合は○、成形出来なかった場合は×とした。量産性に関しては、電子部品を多層配線基板に電気的に接続した後、樹脂封止終了までの工程時間で評価し３０分未満は○、３０分以上のものは×にした。
【００５２】
熱衝撃信頼性の試験条件は以下のとおりである。−５５℃〜１５０℃の各温度で６０分保持し、２０００サイクル後に剥離やクラック及び動作不良の有無を調べた。なおサンプル数は１０個で行った。剥離に関しては、超音波探査映像装置を用いて調べた。クラックに関しては、外観を見て調べた。動作不良は内部配線の断線が生じた場合を不良とした。
【００５３】
耐オイル信頼性の試験条件は以下のとおりである。１４０℃に加熱したオートマティックエンジンオイル中に浸漬し２０００時間後の剥離や動作不良の有無を調べた。
【００５４】
放熱性はトランジスタのベース・エミッタ間の電圧からトランジスタのジャンクション温度を求め、外気の温度との差で示した。放熱性に関しては１５℃以下にする必要がある。
【００５５】
このようにして作製した電子回路装置は、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に金，銀，銅のうち少なくとも１種類の金属と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらにこの複合金属材料は封止材との接着力が高いため、剥離が発生しにくい効果がある。
【００５６】
（実施例２）
実施例２の電子回路装置は図１の模式図に示される構造をしている。図１において、多層配線基板１は６層からなるガラスＢＴレジン多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）であり最外層の一面はベタパターンの銅に厚さ５μｍのニッケルメッキを施している。複合金属材料２は銅粉とＣｕ２Ｏ 粉を混合した後、冷間プレスして、９５０℃×３時間焼結したものであり、銅７０体積％，Ｃｕ２Ｏ ３０体積％で大きさは５０ｍｍ×４０ｍｍ×０．７ｍｍ 、表面積の４０％以上における表面粗さがＲａ＝０．２ 、空孔率は６．５％ である。まず、アルミ製の支持材料３に複合金属材料２を溶接し（接合６）、複合金属材料の上に元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダ（接合５）を印刷した。次に、多層配線基板１に銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージ上で多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として、元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２のハンダペーストを多層配線基板１のランド部にディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。これを、先に作製した支持材料３と複合金属材料２の結合体上のハンダ印刷面に搭載し、その後、赤外線リフロー装置を用い接合５のハンダや導電材１０を一旦２７０℃で加熱溶融し、再び固化させることで電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、端子１５，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であり無機充填材としてシリカフィラーを６３体積％充填した封止樹脂組成物４を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材組成物は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が１６ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１５０℃のものである。
【００５７】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【００５８】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらにこの複合金属材料は封止材との接着力が高いため、剥離が発生しにくい効果がある上に銅と酸化銅を用いるため低コストである効果がある。
【００５９】
（実施例３）
実施例３の電子回路装置は図１の模式図に示される構造をしている。図１において、多層配線基板１は６層からなるセラミック多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）であり最外層の一面はベタパターンの配線に厚さ５μｍのニッケルメッキを施している。複合金属材料２は銅粉とＣｕ２Ｏ 粉を混合した後、冷間プレスして、９５０℃×３時間焼結したものであり、銅７０体積％，Ｃｕ２Ｏ ３０体積％で大きさは５０ｍｍ×４０ｍｍ×０．７ｍｍ 、表面積の４０％以上における表面粗さがＲａ＝０．２ 、空孔率は６．５％ である。まず、アルミ製の支持材料３に複合金属材料２を溶接し（接合６）、複合金属材料の上に元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダ（接合５）を印刷した。次に、多層配線基板１に銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージ上で多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として、元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダペーストを多層配線基板１のランド部にディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。これを、先に作製した支持材料３と複合金属材料２の結合体上のハンダ印刷面に搭載し、その後、赤外線リフロー装置を用い接合５のハンダや導電材１０を一旦２７０℃で加熱溶融し、再び固化させることで電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、端子１５，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であり無機充填材としてシリカフィラーを６３体積％充填した封止樹脂組成物４を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材組成物は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が１６ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１５０℃のものである。
【００６０】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【００６１】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらにこの複合金属材料は封止材との接着力が高いため、剥離が発生しにくい効果がある。さらに、セラミック多層配線基板を用いるため熱伝導率が高く放熱性がより良くなる効果がある。
【００６２】
（実施例４）
実施例４の電子回路装置は図１の模式図に示される構造をしている。図１において、多層配線基板１は６層からなるガラスＢＴレジン多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）であり最外層の一面はベタパターンの銅に厚さ５μｍのニッケルメッキを施している。複合金属材料２は銅粉とＣｕ２Ｏ 粉を混合した後、冷間プレスして、９５０℃×３時間焼結したものであり、銅７０体積％，Ｃｕ２Ｏ ３０体積％で大きさは５０ｍｍ×４０ｍｍ×０．７ｍｍ 、表面積の４０％以上における表面粗さがＲａ＝０．２、空孔率は６．５％である。まず、銅製の支持材料３に複合金属材料２を溶接し（接合６）、複合金属材料の上に元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダ（接合５）を印刷した。次に、多層配線基板１に銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージ上で多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として、元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダペーストを多層配線基板１のランド部にディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。これを、先に作製した支持材料３と複合金属材料２の結合体上のハンダ印刷面に搭載し、その後、赤外線リフロー装置を用い接合５のハンダや導電材１０を一旦２７０℃で加熱溶融し、再び固化させることで電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、端子１５，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であり無機充填材としてシリカフィラーを６３体積％充填した封止樹脂組成物４を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材組成物は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が１６ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１５０℃のものである。
【００６３】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【００６４】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらにこの複合金属材料は封止材との接着力が高いため、剥離が発生しにくい効果がある。さらに支持材料に銅を主成分とする金属材料を用いることで放熱性がより優れる効果がある。
【００６５】
（実施例５）
実施例５の電子回路装置は図１の模式図に示される構造をしている。図１において、多層配線基板１は６層からなるガラスＢＴレジン多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）であり最外層の一面はベタパターンの銅に厚さ５μｍのニッケルメッキを施している。複合金属材料２は銅粉とＣｕ２Ｏ 粉を混合した後、冷間プレスして、９５０℃×３時間焼結したものであり、銅７０体積％，Ｃｕ２Ｏ ３０体積％で大きさは５０ｍｍ×４０ｍｍ×０．７ｍｍ 、表面積の４０％以上における表面粗さがＲａ＝０．２ 、空孔率は６．５％ である。まず、アルミ製の支持材料３に複合金属材料２を溶接し（接合６）、複合金属材料の上に元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダ（接合５）を印刷した。次に、多層配線基板１に銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージ上で多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として、元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２のハンダペーストを多層配線基板１のランド部にディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。これを、先に作製した支持材料３と複合金属材料２の結合体上のハンダ印刷面に搭載し、その後、赤外線リフロー装置を用い接合５のハンダや導電材１０を一旦２７０℃で加熱溶融し、再び固化させることで電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、端子１５，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であり無機充填材としてシリカフィラーを８０体積％充填した封止樹脂組成物４を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材組成物は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が８ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１２０℃のものである。
【００６６】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【００６７】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらにこの複合金属材料は封止材との接着力が高いため、剥離が発生しにくい効果がある。さらに封止樹脂組成物に７５体積％以上の無機充填材料を含有させることで、封止材の耐オイル性をより向上できる効果がある。
【００６８】
（実施例６）
実施例６の電子回路装置は図１の模式図に示される構造をしている。図１において、多層配線基板１は６層からなるガラスＢＴレジン多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）であり最外層の一面はベタパターンの銅に厚さ５μｍのニッケルメッキを施している。複合金属材料２は銅粉とＣｕ２Ｏ 粉を混合した後、冷間プレスして、９５０℃×３時間焼結したものであり、銅７０体積％，Ｃｕ２Ｏ ３０体積％で大きさは５５ｍｍ×４５ｍｍ×０．７ｍｍ 、表面積の４０％以上における表面粗さがＲａ＝０．２ 、空孔率は６．５％ である。まず、アルミ製の支持材料３に複合金属材料２を溶接し（接合６）、複合金属材料の上に元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダ（接合５）を印刷した。次に、多層配線基板１に銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージ上で多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として、元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２のハンダペーストを多層配線基板１のランド部にディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。これを、先に作製した支持材料３と複合金属材料２の結合体上のハンダ印刷面に搭載し、その後、赤外線リフロー装置を用い接合５のハンダや導電材１０を一旦２７０℃で加熱溶融し、再び固化させることで電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、端子１５，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であり無機充填材としてシリカフィラーを６３体積％充填した封止樹脂組成物４を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材組成物は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が１６ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１５０℃のものである。
【００６９】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【００７０】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張係数の差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらにこの複合金属材料は封止材との接着力が高いため、剥離が発生しにくい効果がある。さらに多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を用いることで、多層配線基板より複合金属材料の側に応力が集中するため多層配線基板に接続された素子の寿命を延ばす効果がある。
【００７１】
（実施例７）
実施例７の電子回路装置は図１の模式図に示される構造をしている。図１において、多層配線基板１は６層からなるガラスＢＴレジン多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）である。複合金属材料２は銅粉とＣｕ２Ｏ 粉を混合した後、冷間プレスして、９５０℃×３時間焼結したものであり、銅７０体積％，Ｃｕ２Ｏ ３０体積％で大きさは５０ｍｍ×４０ｍｍ×０．７ｍｍ 、表面積の４０％以上における表面粗さがＲａ＝０．２ 、空孔率は６．５％ である。まず、アルミ製の支持材料３に複合金属材料２を溶接し（接合６）、複合金属材料の上にナガセケムテック製熱硬化性接着剤ＸＮＲ１２４４を印刷した。次に、多層配線基板１に銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージ上で多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として、元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダペーストを多層配線基板１のランド部にディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。その後、赤外線リフロー装置を用い接合５のハンダや導電材１０を一旦２７０℃で加熱溶融し、再び固化させることで電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、この多層配線基板を先に作製した支持材料３と複合金属材料２の結合体上の熱硬化性接着剤上に搭載し、１５０℃３０分の硬化条件で硬化した。この後、端子１５，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であり無機充填材としてシリカフィラーを６３体積％充填した封止樹脂組成物４を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材組成物は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が１６ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１５０℃のものである。
【００７２】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【００７３】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらにこの複合金属材料は封止材との接着力が高いため、剥離が発生しにくい効果がある。さらに、多層配線基板と複合金属材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。
【００７４】
（実施例８）
実施例８の電子回路装置は図１の模式図に示される構造をしている。図１において、多層配線基板１は６層からなるガラスＢＴレジン多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）であり最外層の一面はベタパターンの銅に厚さ５μｍのニッケルメッキを施している。複合金属材料２は銅粉とＣｕ２Ｏ 粉を混合した後、冷間プレスして、９５０℃×３時間焼結したものであり、銅７０体積％，Ｃｕ２Ｏ ３０体積％で大きさは５０ｍｍ×４０ｍｍ×０．７ｍｍ 、表面積の４０％以上における表面粗さがＲａ＝０．２ 、空孔率は６．５％ である。まず、アルミ製の支持材料３に複合金属材料２をナガセケムテック製熱硬化性樹脂ＸＮＲ１２４４により１５０℃３０分の硬化条件で接着し（接合６）、複合金属材料の上に元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダ（接合５）を印刷した。次に、多層配線基板１に銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージ上で多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として、元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２のハンダペーストを多層配線基板１のランド部にディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。これを、先に作製した支持材料３と複合金属材料２の結合体上のハンダ印刷面に搭載し、その後、赤外線リフロー装置を用い接合５のハンダや導電材１０を一旦２７０℃で加熱溶融し、再び固化させることで電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、端子１５，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であり無機充填材としてシリカフィラーを６３体積％充填した封止樹脂組成物４を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材組成物は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が１６ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１５０℃のものである。
【００７５】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【００７６】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらに、複合金属材料と支持材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。
【００７７】
（実施例９）
実施例９の電子回路装置は図１の模式図に示される構造をしている。図１において、多層配線基板１は６層からなるセラミック多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）である。複合金属材料２は銅粉とＣｕ２Ｏ 粉を混合した後、冷間プレスして、９５０℃×３時間焼結したものであり、銅７０体積％，Ｃｕ２Ｏ ３０体積％で大きさは５５ｍｍ×４５ｍｍ×０．７ｍｍ 、表面積の４０％以上における表面粗さがＲａ＝０．２ 、空孔率は６．５％ である。まず、銅製の支持材料３に複合金属材料２をナガセケムテック製熱硬化性樹脂ＸＮＲ１２４４により１５０℃３０分の硬化条件で接着し（接合６）、複合金属材料の上にナガセケムテック製熱硬化性接着剤ＸＮＲ１２４４を印刷した。次に、多層配線基板１に銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージ上で多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として、元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダペーストを多層配線基板１のランド部にディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。その後、赤外線リフロー装置を用い接合５のハンダや導電材１０を一旦２７０℃で加熱溶融し、再び固化させることで電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、この多層配線基板を先に作製した支持材料３と複合金属材料２の結合体上の熱硬化性接着剤上に搭載し、１５０℃３０分の硬化条件で硬化した。この後、端子１５，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であり無機充填材としてシリカフィラーを８０体積％充填した封止樹脂組成物４を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材組成物は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が８ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１２０℃のものである。
【００７８】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【００７９】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらに、セラミック多層配線基板を用いるため熱伝導率が高く放熱性がより良くなる効果がある。さらに支持材料に銅を主成分とする金属材料を用いることで放熱性がより優れる効果がある。さらに封止樹脂組成物に７５体積％以上の無機充填材料を含有させることで、封止材の耐オイル性をより向上できる効果がある。さらに多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を用いることで、多層配線基板より複合金属材料の側に応力が集中するため多層配線基板に接続された素子の寿命を延ばす効果がある。さらに、多層配線基板と複合金属材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに、複合金属材料と支持材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。
【００８０】
（実施例１０）
実施例１０の電子回路装置は図１の模式図に示される構造をしている。図１において、多層配線基板１は６層からなるセラミック多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）である。複合金属材料２は銅粉とＣｕ２Ｏ 粉を混合した後、冷間プレスして、９５０℃×３時間焼結したものであり、銅７０体積％，Ｃｕ２Ｏ ３０体積％で大きさは５５ｍｍ×４５ｍｍ×０．７ｍｍ 、表面積の４０％以上における表面粗さがＲａ＝０．２ 、空孔率は１．０％ 、である。まず、銅製の支持材料３に複合金属材料２をナガセケムテック製熱硬化性樹脂ＸＮＲ１２４４により１５０℃３０分の硬化条件で接着し（接合６）、複合金属材料の上にナガセケムテック製熱硬化性接着剤ＸＮＲ１２４４を印刷した。次に、多層配線基板１に銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージ上で多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として、元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダペーストを多層配線基板１のランド部にディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。その後、赤外線リフロー装置を用い接合５のハンダや導電材１０を一旦２７０℃で加熱溶融し、再び固化させることで電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、この多層配線基板を先に作製した支持材料３と複合金属材料２の結合体上の熱硬化性接着剤上に搭載し、１５０℃３０分の硬化条件で硬化した。この後、端子１５，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であり無機充填材としてシリカフィラーを８０体積％充填した封止樹脂組成物４を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材組成物は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が８ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１２０℃のものである。
【００８１】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【００８２】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらに、セラミック多層配線基板を用いるため熱伝導率が高く放熱性がより良くなる効果がある。さらに支持材料に銅を主成分とする金属材料を用いることで放熱性がより優れる効果がある。さらに封止樹脂組成物に７５体積％以上の無機充填材料を含有させることで、封止材の耐オイル性をより向上できる効果がある。さらに多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を用いることで、多層配線基板より複合金属材料の側に応力が集中するため多層配線基板に接続された素子の寿命を延ばす効果がある。さらに、多層配線基板と複合金属材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに、複合金属材料と支持材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに複合金属材料の空孔率が１体積％以上５０体積％以下であるため熱伝導率が高く弾性率が低いため、放熱性と信頼性に優れる効果がある。
【００８３】
（実施例１１）
実施例１１の電子回路装置は図１の模式図に示される構造をしている。図１において、多層配線基板１は６層からなるセラミック多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）である。複合金属材料２は銅粉とＣｕ２Ｏ 粉と水素化タングステンを混合した後、冷間プレスして、１０００℃×３時間焼結した後、表面に厚さ２０μｍの銅メッキを施し、表面を研磨したものであり、銅６５体積％，Ｃｕ２Ｏ ３０体積％で大きさは５５ｍｍ×４５ｍｍ×０．７ｍｍ 、表面積の４０％以上における表面粗さがＲａ＝０．２ 、空孔率は５０％である。まず、銅製の支持材料３に複合金属材料２をナガセケムテック製熱硬化性樹脂ＸＮＲ１２４４により１５０℃３０分の硬化条件で接着し（接合６）、複合金属材料の上にナガセケムテック製熱硬化性接着剤ＸＮＲ１２４４を印刷した。次に、多層配線基板１に銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージ上で多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として、元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダペーストを多層配線基板１のランド部にディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。その後、赤外線リフロー装置を用い接合５のハンダや導電材１０を一旦２７０℃で加熱溶融し、再び固化させることで電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、この多層配線基板を先に作製した支持材料３と複合金属材料２の結合体上の熱硬化性接着剤上に搭載し、１５０℃３０分の硬化条件で硬化した。この後、端子１５，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であり無機充填材としてシリカフィラーを８０体積％充填した封止樹脂組成物４を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材組成物は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が８ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１２０℃のものである。
【００８４】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【００８５】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらに、セラミック多層配線基板を用いるため熱伝導率が高く放熱性がより良くなる効果がある。さらに支持材料に銅を主成分とする金属材料を用いることで放熱性がより優れる効果がある。さらに封止樹脂組成物に７５体積％以上の無機充填材料を含有させることで、封止材の耐オイル性をより向上できる効果がある。さらに多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を用いることで、多層配線基板より複合金属材料の側に応力が集中するため多層配線基板に接続された素子の寿命を延ばす効果がある。さらに、多層配線基板と複合金属材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに、複合金属材料と支持材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに複合金属材料の空孔率が１体積％以上５０体積％以下であるため熱伝導率が高く弾性率が低いため、放熱性と信頼性に優れる効果がある。
【００８６】
（実施例１２）
実施例１２の電子回路装置は図１の模式図に示される構造をしている。図１において、多層配線基板１は６層からなるセラミック多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）である。複合金属材料２は銅粉とＣｕ２Ｏ 粉を混合した後、冷間プレスして、９５０℃×３時間焼結した後、表面に厚さ１０μｍの銅メッキを施し、表面を研磨したものであり、銅７０体積％，Ｃｕ２Ｏ ３０体積％で大きさは５５ｍｍ×４５ｍｍ×０．７ｍｍ 、表面積の４０％以上における表面粗さがＲａ＝０．０１ 、空孔率は６．５％ である。まず、銅製の支持材料３に複合金属材料２をナガセケムテック製熱硬化性樹脂ＸＮＲ１２４４により１５０℃３０分の硬化条件で接着し（接合６）、複合金属材料の上にナガセケムテック製熱硬化性接着剤ＸＮＲ１２４４を印刷した。次に、多層配線基板１に銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージ上で多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として、元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２のハンダペーストを多層配線基板１のランド部にディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。その後、赤外線リフロー装置を用い接合５のハンダや導電材１０を一旦２７０℃で加熱溶融し、再び固化させることで電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、この多層配線基板を先に作製した支持材料３と複合金属材料２の結合体上の熱硬化性接着剤上に搭載し、１５０℃３０分の硬化条件で硬化した。この後、端子１５，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であり無機充填材としてシリカフィラーを８０体積％充填した封止樹脂組成物４を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材組成物は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が８ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１２０℃のものである。
【００８７】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【００８８】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらに、セラミック多層配線基板を用いるため熱伝導率が高く放熱性がより良くなる効果がある。さらに支持材料に銅を主成分とする金属材料を用いることで放熱性がより優れる効果がある。さらに封止樹脂組成物に７５体積％以上の無機充填材料を含有させることで、封止材の耐オイル性をより向上できる効果がある。さらに多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を用いることで、多層配線基板より複合金属材料の側に応力が集中するため多層配線基板に接続された素子の寿命を延ばす効果がある。さらに、多層配線基板と複合金属材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに、複合金属材料と支持材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。
【００８９】
（実施例１３）
実施例１３の電子回路装置は図１の模式図に示される構造をしている。図１において、多層配線基板１は６層からなるセラミック多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）である。複合金属材料２は銅粉とＣｕ２Ｏ 粉を混合した後、冷間プレスして、９５０℃×３時間焼結したものであり、銅７０体積％，Ｃｕ２Ｏ ３０体積％で大きさは５５ｍｍ×４５ｍｍ×０．７ｍｍ 、表面積の４０％以上における表面粗さがＲａ＝５００、空孔率は６．５％ である。まず、銅製の支持材料３に複合金属材料２をナガセケムテック製熱硬化性樹脂ＸＮＲ１２４４により１５０℃３０分の硬化条件で接着し（接合６）、複合金属材料の上にナガセケムテック製熱硬化性接着剤ＸＮＲ１２４４を印刷した。次に、多層配線基板１に銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージ上で多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として、元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダペーストを多層配線基板１のランド部にディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。その後、赤外線リフロー装置を用い接合５のハンダや導電材１０を一旦２７０℃で加熱溶融し、再び固化させることで電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、この多層配線基板を先に作製した支持材料３と複合金属材料２の結合体上の熱硬化性接着剤上に搭載し、１５０℃３０分の硬化条件で硬化した。この後、端子１５，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であり無機充填材としてシリカフィラーを８０体積％充填した封止樹脂組成物４を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材組成物は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が８ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１２０℃のものである。
【００９０】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【００９１】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらに、セラミック多層配線基板を用いるため熱伝導率が高く放熱性がより良くなる効果がある。さらに支持材料に銅を主成分とする金属材料を用いることで放熱性がより優れる効果がある。さらに封止樹脂組成物に７５体積％以上の無機充填材料を含有させることで、封止材の耐オイル性をより向上できる効果がある。さらに多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を用いることで、多層配線基板より複合金属材料の側に応力が集中するため多層配線基板に接続された素子の寿命を延ばす効果がある。さらに、多層配線基板と複合金属材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに、複合金属材料と支持材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。
【００９２】
（実施例１４）
実施例１４の電子回路装置は図１の模式図に示される構造をしている。図１において、多層配線基板１は６層からなるセラミック多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）である。複合金属材料２は銅粉とＣｕ２Ｏ 粉を混合した後、冷間プレスして、９５０℃×３時間焼結したものであり、銅９０体積％，Ｃｕ２Ｏ １０体積％で大きさは５５ｍｍ×４５ｍｍ×０．７ｍｍ 、表面積の４０％以上における表面粗さがＲａ＝０．２ 、空孔率は６．５％ である。まず、銅製の支持材料３に複合金属材料２をナガセケムテック製熱硬化性樹脂ＸＮＲ１２４４により１５０℃３０分の硬化条件で接着し（接合６）、複合金属材料の上にナガセケムテック製熱硬化性接着剤ＸＮＲ１２４４を印刷した。次に、多層配線基板１に銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージ上で多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として、元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダペーストを多層配線基板１のランド部にディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。その後、赤外線リフロー装置を用い接合５のハンダや導電材１０を一旦２７０℃で加熱溶融し、再び固化させることで電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、この多層配線基板を先に作製した支持材料３と複合金属材料２の結合体上の熱硬化性接着剤上に搭載し、１５０℃３０分の硬化条件で硬化した。この後、端子１５，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であり無機充填材としてシリカフィラーを８０体積％充填した封止樹脂組成物４を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材組成物は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が８ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１２０℃のものである。
【００９３】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【００９４】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらに、セラミック多層配線基板を用いるため熱伝導率が高く放熱性がより良くなる効果がある。さらに支持材料に銅を主成分とする金属材料を用いることで放熱性がより優れる効果がある。さらに封止樹脂組成物に７５体積％以上の無機充填材料を含有させることで、封止材の耐オイル性をより向上できる効果がある。さらに多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を用いることで、多層配線基板より複合金属材料の側に応力が集中するため多層配線基板に接続された素子の寿命を延ばす効果がある。さらに、多層配線基板と複合金属材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに、複合金属材料と支持材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに複合金属材料の酸化銅の比率が１０体積％以上５０体積％以下であるため、低弾性率と高熱伝導率が両立する効果がある。
【００９５】
（実施例１５）
実施例１５の電子回路装置は図１の模式図に示される構造をしている。図１において、多層配線基板１は６層からなるセラミック多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）であり最外層の一面はベタパターンの配線に厚さ５μｍのニッケルメッキを施している。複合金属材料２は銅粉とＣｕ２Ｏ 粉を混合した後、冷間プレスして、９５０℃×３時間焼結したものであり、銅５０体積％，Ｃｕ２Ｏ ５０体積％で大きさは５５ｍｍ×４５ｍｍ×０．７ｍｍ 、表面積の４０％以上における表面粗さがＲａ＝０．２ 、空孔率は６．５％ である。まず、銅製の支持材料３に複合金属材料２をナガセケムテック製熱硬化性樹脂ＸＮＲ１２４４により１５０℃３０分の硬化条件で接着し（接合６）、複合金属材料の上にナガセケムテック製熱硬化性接着剤ＸＮＲ１２４４を印刷した。次に、多層配線基板１に銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージ上で多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として、元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダペーストを多層配線基板１のランド部にディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。その後、赤外線リフロー装置を用い接合５のハンダや導電材１０を一旦２７０℃で加熱溶融し、再び固化させることで電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、この多層配線基板を先に作製した支持材料３と複合金属材料２の結合体上の熱硬化性接着剤上に搭載し、１５０℃３０分の硬化条件で硬化した。この後、端子１５，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であり無機充填材としてシリカフィラーを８０体積％充填した封止樹脂組成物４を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材組成物は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が８ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１２０℃のものである。
【００９６】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【００９７】
このように、多層配線基板全体を被覆した一体封止成形のため小型で反りが少なく、耐オイル性が高く、多層配線基板と支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなるため、放熱性に優れている。また、この複合金属材料は弾性率が低いため支持材料と多層配線基板の熱膨張差に起因する応力を緩和し剥離を防止するだけでなく、封止材と複合金属材料の応力も緩和し封止材にクラックが入るのを防止する効果がある。さらに、セラミック多層配線基板を用いるため熱伝導率が高く放熱性がより良くなる効果がある。さらに支持材料に銅を主成分とする金属材料を用いることで放熱性がより優れる効果がある。さらに封止樹脂組成物に７５体積％以上の無機充填材料を含有させることで、封止材の耐オイル性をより向上できる効果がある。さらに多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を用いることで、多層配線基板より複合金属材料の側に応力が集中するため多層配線基板に接続された素子の寿命を延ばす効果がある。さらに、多層配線基板と複合金属材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに、複合金属材料と支持材料の固着に有機系の接着剤を用いることで、応力を緩和し剥離を防止する効果がある。さらに、複合金属材料の表面積の４０％以上における表面粗さが０．０１≦Ｒａ≦５００（μｍ）（但し、ＲａはＪＩＳ Ｂ ０６６０：１９９８で定義される算術平均粗さ）であるため封止樹脂組成物との接着性が優れ信頼性に優れる効果がある。
【００９８】
（比較例１）
比較例１の樹脂封止型半導体装置の模式図を図３に示す。セラミック多層配線基板１を一体成形した樹脂製ケース１６を用いた。まず、多層配線基板１上のメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３を搭載する位置に組成がＰｂ：Ｓｎ＝５．０：９５．０（質量％）の合金の半田ペースト（溶融開始温度約２３２℃）をディスペンスした。次に、赤外線リフロー炉を用い、半田ペーストを一旦溶融させた後、固化しメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１との接着を行った。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージを用い多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１ランドを電気的に接続した。そして、トランジスタ８，ダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。
【００９９】
次に多層配線基板１上の端子１５，抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を接合するランド部に導電材１０として組成がＰｂ：Ｓｎ＝３７：６３（質量％）の合金の半田ペースト（溶融開始温度約１８３℃）をディスペンスした。その後、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１上に搭載した。次に、あらかじめ、ふた１７に端子１５を挿入し接着固定したブロックを端子の足が多層配線基板１のランド部にくるよう搭載した。次に赤外線リフロー炉を用い、半田ペーストを一旦溶融させた後、固化し端子１５，抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品と多層配線基板１との電気的接続を行った。次に、ケースとふたの接触部分にシリコーン接着材を塗布し、１５０℃１時間の条件で恒温槽にて接着材の硬化を行った。その後、ふた１７に空いている穴からシリコーンゲルを減圧環境下にて注入した。ケース深さの８割までゲルを注入したら、常圧に戻し１５０℃１時間の条件でシリコーンゲルの硬化を行った。次に、ゲルを流し込んだ穴にシリコーン系接着剤を塗布したキャップ１８を入れ恒温槽にて接着剤の硬化を１５０℃１時間の条件で行った。
【０１００】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【０１０１】
このようにして作成した樹脂封止型半導体装置はサイズが大きく、成形に３０分以上の時間がかかり量産性が悪く、放熱性が悪かった。
【０１０２】
（比較例２）
比較例２の電子回路装置は図４の模式図に示される構造をしている。図４において、多層配線基板１は６層からなるセラミック多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）である。まず、複合金属材料２は銅粉とＣｕ２Ｏ 粉を混合した後、冷間プレスして、９５０℃×３時間焼結したものであり、銅７０体積％，Ｃｕ２Ｏ ３０体積％で大きさは５５ｍｍ×４５ｍｍ×０．７ｍｍ 、表面積の４０％以上における表面粗さがＲａ＝０．２、空孔率は６．５％である。まず、複合金属材料２上にナガセケムテック製熱硬化性樹脂ＸＮＲ１２４４を印刷し、その上に多層配線基板１を搭載し、１５０℃３０分の条件で硬化した。次に、銅製リードフレームのアウターリード１９を接着材２０としてエポキシ樹脂系接着剤を用い１５０℃１時間の硬化条件で多層配線基板１に接着した。次に、多層配線基板１に熱硬化性銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で熱硬化性銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージを用い多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として組成がＰｂ：Ｓｎ＝３７：６３（質量％）の合金の半田ペースト（溶融開始温度約１８３℃）をディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。その後、赤外線リフロー装置を用い導電材１０を一旦２４０℃で加熱溶融し、再び固化させることで電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、アウターリード１９，トランジスタ８，ダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であるエポキシ樹脂系封止材を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が８ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１２０℃のものである。
【０１０３】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【０１０４】
このようにして作成した電子回路装置は耐オイル信頼性がわるかった。
【０１０５】
（比較例３）
比較例３の電子回路装置は図１の模式図に示される構造をしている。図１において、多層配線基板１は６層からなるセラミック多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）である。複合金属材料２の代わりにジルコニア製のセラミック（大きさは５５ｍｍ×４５ｍｍ×０．７ｍｍ 、表面積の４０％以上における表面粗さがＲａ＝０．２ 、空孔率は１％未満）を用いている。まず、銅製の支持材料３にジルコニア製のセラミックをナガセケムテック製熱硬化性樹脂ＸＮＲ１２４４により１５０℃３０分の硬化条件で接着し（接合６）、ジルコニア製のセラミックの上にナガセケムテック製熱硬化性接着剤ＸＮＲ１２４４を印刷した。次に、多層配線基板１に銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージ上で多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として、元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダペーストを多層配線基板１のランド部にディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。その後、赤外線リフロー装置を用い接合５のハンダや導電材１０を一旦２７０℃で加熱溶融し、再び固化させることで電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、この多層配線基板を先に作製した支持材料３と複合金属材料２の結合体上の熱硬化性接着剤上に搭載し、１５０℃３０分の硬化条件で硬化した。この後、端子１５，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であり無機充填材としてシリカフィラーを８０体積％充填した封止樹脂組成物４を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材組成物は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が８ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１２０℃のものである。
【０１０６】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【０１０７】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【０１０８】
このようにして作成した電子回路装置は熱衝撃２０００サイクル以内で封止樹脂組成物にクラックが発生した。これは、ジルコニア製のセラミックは弾性率が高いため、封止樹脂組成物と多層配線基板の熱応力があまり緩和せず、封止樹脂組成物にクラック発生したものと考えられる。
【０１０９】
（比較例４）
比較例４の電子回路装置は図５の模式図に示される構造をしている。図５において、多層配線基板１は６層からなるセラミック多層配線基板（５０ｍｍ×４０ｍｍ）である。まず、多層配線基板１に銀ペーストをベアチップのメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３の搭載位置にディスペンスし、品質保証されたメモリ内蔵のマイコン７，トランジスタ８及びダイオード１３をその上に搭載した。次に１５０℃１時間の硬化条件で銀ペーストを硬化し接着した。次に、メモリ内蔵のマイコン７を加熱ステージ上で多層配線基板側から２００℃に加熱し、ワイヤ９として金ワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにてメモリ内蔵のマイコン７のパットと多層配線基板１のランドを電気的に接続した。その後、導電材１０として、元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダペーストを多層配線基板１のランド部にディスペンスした。そして、抵抗１１，コンデンサ１２に代表される部品を多層配線基板１に搭載した。ここで、銅製の支持材料３に元素記号と質量比で示すとＡｇ：Ｃｕ：Ｓｎ＝３．５：０．３：９６．２ のハンダペーストを印刷し（ハンダ２１）、その上に先の多層配線基板を搭載した。その後、赤外線リフロー装置を用い接合５のハンダや導電材１０を一旦２７０℃で加熱溶融し、再び固化させることで支持材料３と多層配線基板１に接着及び電子部品（抵抗１１，コンデンサ１２）と多層配線基板１の電気的接続を行った。この後、端子１５，トランジスタ８及びダイオード１３と多層配線基板１の電気的接続は室温にてワイヤ１４としてＡｌワイヤを用い超音波ワイヤボンディングにて行った。その後、１８０℃におけるゲル化時間が３０秒であり無機充填材としてシリカフィラーを８０体積％充填した封止樹脂組成物４を用い金型温度１８０℃，トランスファー圧力７ＭＰａ，成形時間３分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材組成物は硬化後の特性が、室温の弾性率３ＧＰａ，室温の線膨張係数が８ｐｐｍ ／℃，ガラス転移温度が１２０℃のものである。
【０１１０】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【０１１１】
このようにして作製した電子回路装置を用い、反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃２０００サイクル後の剥離やクラックの有無及び動作不良の有無，１４０℃オイル浸漬２０００時間後の剥離や動作不良の有無，放熱性を検討し、表１に結果を示した。
【０１１２】
このようにして作成した電子回路装置は熱衝撃２０００サイクル以内で多層配線基板と支持材料の間で剥離が発生した。これは、支持材料と多層配線基板の熱応力でハンダ２１が破断したためである。
【０１１３】
【表１（ａ）】
Figure 2005056944
【０１１４】
【表１（ｂ）】
Figure 2005056944
【０１１５】
実施例１〜１５と比較例１〜４の電子回路装置の構造の概要，多層配線基板の材料及びサイズ，複合金属材料の材質，熱膨張率，熱伝導率，弾性率，封止樹脂組成物との接着強度，表面粗さ，比重，空孔率及びサイズ，支持材料の材質，多層配線基板と複合金属材料及び複合金属材料と支持材料の接合，封止樹脂組成物の種類，無機充填材の充填量等の構成及び、電子回路装置の反り，気密性，成形性，量産性，熱衝撃信頼性，耐オイル信頼性，放熱性等の特性を表１に示した。
【０１１６】
【発明の効果】
以上のように、本発明の構造の電子回路装置にすることにより、小型で反りが少なく、気密性が高く、成形性が良く、量産性及び、熱衝撃信頼性，耐オイル信頼性に優れた低コスト，高放熱性の電子回路装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による電子回路装置の一例を示し、（ａ）は上面透視図、（ｂ）は模式断面図を示す。
【図２】複合金属材料と封止樹脂組成物の接着強度の測定方法を示す。
【図３】比較例による電子回路装置の一例を示し模式断面図を示す。
【図４】比較例による電子回路装置の一例を示し模式断面図を示す。
【図５】比較例による電子回路装置の一例を示し模式断面図を示す。
【図６】本発明による電子回路装置の一例を示し模式断面図を示す。
【図７】本発明による電子回路装置の一例を示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は模式断面図を示す。
【符号の説明】
１…多層配線基板、２…複合金属材料、３…支持材料、４…封止樹脂組成物、５…多層配線基板と複合金属材料の接合、６…複合金属材料と支持材料の接合、７…マイコン、８…トランジスタ、９，１４…ワイヤ、１０…導電材、１１…抵抗、１２…コンデンサ、１３…ダイオード、１５…端子、１６…ケース、１７…ふた、１８…キャップ、１９…リードフレーム、２０…接着材、２１…ハンダ、２２…配線回路付き支持材料。

Claims (13)

  1. 多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該多層配線基板が支持材料に搭載され、該多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記多層配線基板と前記支持材料の間に金，銀，銅のうち少なくとも１種類の金属と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなる事を特徴とする電子回路装置。
  2. 多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該多層配線基板が支持材料に搭載され、該多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記多層配線基板と前記支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなる事を特徴とする電子回路装置。
  3. セラミック多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該セラミック多層配線基板が支持材料に搭載され、該セラミック多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記セラミック多層配線基板と前記支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなる事を特徴とする電子回路装置。
  4. 多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該多層配線基板が支持材料に搭載され、該多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記支持材料が銅を主成分とする金属材料からなり、かつ前記多層配線基板と前記支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなる事を特徴とする電子回路装置。
  5. 多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該多層配線基板が支持材料に搭載され、該多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記封止樹脂組成物が７５体積％以上の無機充填材料を含有しかつ、前記多層配線基板と前記支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなる事を特徴とする電子回路装置。
  6. 多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該多層配線基板が支持材料に搭載され、該多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記多層配線基板と前記支持材料の間に前記多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなる事を特徴とする電子回路装置。
  7. 多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該多層配線基板が支持材料に搭載され、該多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記多層配線基板と前記支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなり、前記多層配線基板と前記複合金属材料の固着に有機系の接着剤を用いてなる事を特徴とする電子回路装置。
  8. 多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該多層配線基板が支持材料に搭載され、該多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記多層配線基板と前記支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなり、前記複合金属材料と前記支持材料の固着に有機系の接着剤を用いてなる事を特徴とする電子回路装置。
  9. セラミック多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該セラミック多層配線基板が支持材料に搭載され、該セラミック多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記支持材料は銅を主成分とする金属材料からなりかつ、前記封止樹脂組成物が７５体積％以上の無機充填材料を含有しかつ、前記多層配線基板と前記支持材料の間に前記多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなりかつ、前記セラミック多層配線基板と前記複合金属材料及び前記複合金属材料と前記支持材料の固着に有機系の接着剤を用いてなる事を特徴とする電子回路装置。
  10. セラミック多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該セラミック多層配線基板が支持材料に搭載され、該セラミック多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記支持材料は銅を主成分とする金属材料からなりかつ、前記封止樹脂組成物が７５体積％以上の無機充填材料を含有しかつ、前記多層配線基板と前記支持材料の間に前記多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる空孔率が１体積％以上５０体積％以下の複合金属材料を固着してなりかつ、前記セラミック多層配線基板と前記複合金属材料及び前記複合金属材料と前記支持材料の固着に有機系の接着剤を用いてなる事を特徴とする電子回路装置。
  11. セラミック多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該セラミック多層配線基板が支持材料に搭載され、該セラミック多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記支持材料は銅を主成分とする金属材料からなりかつ、前記封止樹脂組成物が７５体積％以上の無機充填材料を含有しかつ、前記多層配線基板と前記支持材料の間に前記多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなりかつ、前記複合金属材料の表面積の４０％以上における表面粗さが０．０１≦Ｒａ≦５００（μｍ）（但し、ＲａはＪＩＳ Ｂ ０６６０：１９９８で定義される算術平均粗さ）でありかつ、前記セラミック多層配線基板と前記複合金属材料及び前記複合金属材料と前記支持材料の固着に有機系の接着剤を用いてなる事を特徴とする電子回路装置。
  12. セラミック多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該セラミック多層配線基板が支持材料に搭載され、該セラミック多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記支持材料は銅を主成分とする金属材料からなりかつ、前記封止樹脂組成物が７５体積％以上の無機充填材料を含有しかつ、前記多層配線基板と前記支持材料の間に前記多層配線基板より外形の大きい銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着してなりかつ、前記複合金属材料の酸化銅の比率が１０体積％以上５０体積％以下でありかつ、前記セラミック多層配線基板と前記複合金属材料及び前記複合金属材料と前記支持材料の固着に有機系の接着剤を用いてなる事を特徴とする電子回路装置。
  13. セラミック多層配線基板に制御素子と記憶素子と受動素子が接続され、該セラミック多層配線基板が支持材料に搭載され、該セラミック多層配線基板全体と該支持材料の一部を封止樹脂組成物によりトランスファーモールドにて一体封止成形しているモジュール構造において、前記セラミック多層配線基板と前記支持材料の間に銅と酸化銅からなる複合金属材料を固着した後、前記セラミック多層配線基板全体と前記支持材料の一部をトランスファーモールドにて一体封止成型することを特徴とする樹脂封止型モジュール装置の製造方法。
JP2003206648A 2003-08-08 2003-08-08 電子回路装置 Expired - Fee Related JP3931855B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003206648A JP3931855B2 (ja) 2003-08-08 2003-08-08 電子回路装置
US10/910,903 US7298039B2 (en) 2003-08-08 2004-08-04 Electronic circuit device
EP04018879.9A EP1505645B1 (en) 2003-08-08 2004-08-09 Resin moulded electronic module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003206648A JP3931855B2 (ja) 2003-08-08 2003-08-08 電子回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005056944A true JP2005056944A (ja) 2005-03-03
JP3931855B2 JP3931855B2 (ja) 2007-06-20

Family

ID=33549913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003206648A Expired - Fee Related JP3931855B2 (ja) 2003-08-08 2003-08-08 電子回路装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7298039B2 (ja)
EP (1) EP1505645B1 (ja)
JP (1) JP3931855B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016502279A (ja) * 2012-12-20 2016-01-21 コンティ テミック マイクロエレクトロニック ゲゼルシャフト ミットベシュレンクテル ハフツングＣｏｎｔｉ Ｔｅｍｉｃ ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ＧｍｂＨ プラスチックで被覆された電子回路を備えた電子モジュールおよび該電子モジュールを製造する方法
JP7350215B1 (ja) 2022-05-24 2023-09-25 日本碍子株式会社 冷却板及び半導体製造装置用部材

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7166543B2 (en) * 2004-08-30 2007-01-23 Micron Technology, Inc. Methods for forming an enriched metal oxide surface for use in a semiconductor device
SE0402372D0 (sv) * 2004-09-30 2004-09-30 Ericsson Telefon Ab L M Signal coding
US20100147571A1 (en) * 2007-04-24 2010-06-17 Claus Peter Kluge Component having a metalized ceramic base
DE102010039118A1 (de) * 2010-08-10 2012-02-16 Robert Bosch Gmbh Steuermodul, insbesondere Getriebe- oder Motorsteuermodul für ein Kraftfahrzeug
EP2827977A4 (en) * 2012-03-23 2015-11-25 Intelligent Energy Ltd HYDROGEN-PRODUCING FUEL CARBOX AND METHOD FOR PRODUCING HYDROGEN
JP6378533B2 (ja) * 2013-06-01 2018-08-22 日東電工株式会社 熱伝導性粘着シート
US10224255B2 (en) 2016-06-14 2019-03-05 Nxp Usa, Inc. Shielded and packaged electronic devices, electronic assemblies, and methods
JP6958274B2 (ja) * 2017-11-16 2021-11-02 富士電機株式会社 電力用半導体装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58137285A (ja) * 1982-02-10 1983-08-15 株式会社日立製作所 金属板付セラミック基板の製造法
JPS6110263A (ja) * 1984-06-26 1986-01-17 Nec Kansai Ltd ハイブリツドｉｃ
JPS6126249A (ja) * 1984-07-13 1986-02-05 Matsushita Electric Works Ltd 封止用成形材料
EP0478240A3 (en) * 1990-09-24 1993-05-05 Texas Instruments Incorporated Insulated lead frame for integrated circuits and method of manufacture thereof
US5250843A (en) * 1991-03-27 1993-10-05 Integrated System Assemblies Corp. Multichip integrated circuit modules
JPH06196614A (ja) 1992-12-24 1994-07-15 Kawasaki Steel Corp リードフレーム
JPH0878618A (ja) 1994-09-08 1996-03-22 Fujitsu Ltd マルチチップモジュール及びその製造方法
WO1996029736A1 (en) * 1995-03-20 1996-09-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride circuit substrate
JPH0951056A (ja) 1995-08-04 1997-02-18 Seiko Epson Corp 多層基板内蔵型半導体装置
US5767447A (en) * 1995-12-05 1998-06-16 Lucent Technologies Inc. Electronic device package enclosed by pliant medium laterally confined by a plastic rim member
TW353220B (en) * 1996-08-20 1999-02-21 Toshiba Corp Silicon nitride circuit board and semiconductor module
JP3379349B2 (ja) 1996-09-05 2003-02-24 株式会社日立製作所 モールド型電子部品及びその製法
JPH10135377A (ja) 1996-11-01 1998-05-22 Hitachi Ltd モールド型半導体装置
KR100260390B1 (ko) 1998-07-07 2000-07-01 김규현 반도체 칩 접착용 에폭시 수지 조성물
JP3736251B2 (ja) 2000-01-13 2006-01-18 株式会社日立製作所 複合材料とその製造方法
JP2001291808A (ja) 2000-01-31 2001-10-19 Ngk Insulators Ltd 積層放熱部材、パワー半導体装置およびそれらの製造方法
JP3860425B2 (ja) * 2001-03-06 2006-12-20 株式会社日立製作所 回路基板、その製造方法、自動車用電子回路装置
US6873042B2 (en) * 2001-04-02 2005-03-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plurality of power elements with gate interconnections having equal lengths
US6833617B2 (en) * 2001-12-18 2004-12-21 Hitachi, Ltd. Composite material including copper and cuprous oxide and application thereof
JP3846437B2 (ja) * 2003-03-17 2006-11-15 株式会社日立製作所 自動車用コントロールユニット

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016502279A (ja) * 2012-12-20 2016-01-21 コンティ テミック マイクロエレクトロニック ゲゼルシャフト ミットベシュレンクテル ハフツングＣｏｎｔｉ Ｔｅｍｉｃ ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ＧｍｂＨ プラスチックで被覆された電子回路を備えた電子モジュールおよび該電子モジュールを製造する方法
JP7350215B1 (ja) 2022-05-24 2023-09-25 日本碍子株式会社 冷却板及び半導体製造装置用部材
WO2023228281A1 (ja) * 2022-05-24 2023-11-30 日本碍子株式会社 冷却板及び半導体製造装置用部材

Also Published As

Publication number Publication date
EP1505645A2 (en) 2005-02-09
US20050030823A1 (en) 2005-02-10
EP1505645A3 (en) 2009-01-14
EP1505645B1 (en) 2013-11-20
US7298039B2 (en) 2007-11-20
JP3931855B2 (ja) 2007-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060272150A1 (en) Module and method for fabricating the same
JP3884354B2 (ja) コネクタと電子部品の一体モールド構造を有する電気・電子モジュール
US7394663B2 (en) Electronic component built-in module and method of manufacturing the same
KR101193212B1 (ko) 반도체 칩 내장 배선 기판 및 그 제조 방법
US8390106B2 (en) Circuit board with built-in semiconductor chip and method of manufacturing the same
US7906857B1 (en) Molded integrated circuit package and method of forming a molded integrated circuit package
JP2011222555A (ja) 半導体チップ内蔵配線基板の製造方法
KR20010090354A (ko) 반도체 모듈 및 그 실장 방법
US20110058342A1 (en) Semiconductor Device
JPH11251368A (ja) 樹脂フィルムおよびこれを用いた電子部品の接続方法
JP4030930B2 (ja) 半導体パワーモジュール
JPWO2006100909A1 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3931855B2 (ja) 電子回路装置
CN100472768C (zh) 含有低k电介质的半导体器件组件及其改进可靠性的方法
JPH10242333A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP3492025B2 (ja) 回路基板構造
JPH10289969A (ja) 半導体装置およびそれに用いる封止用樹脂シート
JP4381630B2 (ja) 自動車制御用樹脂封止型モジュール装置
JP4283741B2 (ja) 樹脂モールド型モジュールとその製造方法
JP2009147014A (ja) 樹脂封止型電子制御装置及びその封止成形方法
JP4503349B2 (ja) 電子部品実装体及びその製造方法
JP4886988B2 (ja) 樹脂封止型エンジンコントロール装置並びにその製造方法
US20160211207A1 (en) Semiconductor assembly having wiring board with electrical isolator and moisture inhibiting cap incorporated therein and method of making wiring board
JP3666576B2 (ja) 多層モジュールおよびその製造方法
JP2000007887A (ja) 多重モールド半導体装置の内層封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050517

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060421

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060801

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060929

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070220

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070305

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110323

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110323

Year of fee payment: 4

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110323

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110323

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120323

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130323

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130323

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140323

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees