JP2005051087A - 光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光信号を電気信号に変換する受光素子部2と、変換した電気信号を増幅、演算する増幅器を含む集積回路部3とを同一半導体基板上に備え、迷光による回路の誤作動を防止するために、集積回路部3上に金属遮光膜4を形成し、この金属遮光膜4上に誘電体となる絶縁膜5を形成し、絶縁膜5上にさらに金属遮光膜6を積層することで、金属遮光膜積層体7からなるコンデンサ構造を形成する。このコンデンサ構造を形成する金属遮光膜4を集積回路部3の電源用ボンディングパッド8(8a)と電気的に接続し、金属遮光膜6を集積回路部3のGND用ボンディングパッド8(8b)と電気的に接続することで、遮光膜積層体7を集積回路部3の電源用バイパスコンデンサとする。
【選択図】 図1
Description
図1(a)は本発明の第1の実施形態に係る光半導体装置の断面構造を示す。図1(b)は本発明の第1の実施形態に係る光半導体装置の平面構造を示す。図1(b)において、図1(a)と共通の構成要素には、図1(a)と同一の符号を付している。
図2(a)は本発明の第2の実施形態に係る光半導体装置の実装形態の断面図を示す。図2(b)は本発明の第2の実施形態に係る光半導体装置の平面構造を示す。図2において、9はワイヤ、10はリード片、11はパッケージ基板であり、その他の図1と共通の構成要素には、図1と同一の符号を付している。
図3は本発明の第3の実施形態に係る光半導体装置の平面構造を示す。図3において、図1と共通の構成要素には、図1と同一の符号を付している。
図4(a)は本発明の第4の実施形態に係る平面図である。図4(b)は本発明の第4の実施形態に係る断面構造を示した図である。図4において、9はワイヤ、12は半導体レーザであり、その他の図1と共通の構成要素には、図1と同一の符号を付している。
図5(a)、(b)のそれぞれは本発明の第5の実施形態に係る光半導体装置の受光素子2とアンプ部分を有する集積回路部14を示した回路図である。図5(a)は受光素子2がカソードコモン型受光素子の場合の回路を示したものであり、図5(b)は受光素子2がアノードコモン型受光素子の場合の回路を示したものである。
2 受光素子部
3 集積回路部
4 金属遮光膜
5 絶縁膜
6 金属遮光膜
7 遮光膜積層体
8 ボンディングパッド
9 ワイヤ
10 リード片
11 パッケージ基板
12 半導体レーザ
13 バイパスコンデンサ
14 集積回路部
Claims (9)
- 受信した光信号を電気信号に変換する受光素子と、この受光素子の出力信号を増幅、演算する増幅器を含む集積回路部とを、同一半導体基板に集積し、前記集積回路部の迷光による誤作動を防ぐために前記集積回路部上に金属遮光膜を備えた光半導体装置であって、
前記金属遮光膜を2層以上設け、各前記金属遮光膜間に誘電体を形成したことを特徴とする光半導体装置。 - 2層以上のうち半導体基板に近い側の2層の金属遮光膜を前記半導体基板側からそれぞれ第1金属遮光膜、第2金属遮光膜としたとき、前記第1金属遮光膜を集積回路部の電源ラインまたは電源用ボンディングパッドと電気的に接続し、前記第2金属遮光膜を前記集積回路部のGNDラインまたはGND用ボンディングパッドと電気的に接続したことを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 2層以上のうち半導体基板に近い側の2層の金属遮光膜を前記半導体基板側からそれぞれ第1金属遮光膜、第2金属遮光膜としたとき、前記第1金属遮光膜を集積回路部のGNDラインまたはGND用ボンディングパッドと電気的に接続し、前記第2金属遮光膜を前記集積回路部の電源ラインまたは電源用ボンディングパッドと電気的に接続したことを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 2層以上のうち隣接する2層の金属遮光膜をそれぞれ第1金属遮光膜、第2金属遮光膜としたとき、前記第1金属遮光膜を集積回路部の第1の電位が供給される第1の配線と電気的に接続し、前記第2金属遮光膜を前記集積回路部の第2の電位が供給される第2の配線と電気的に接続したことを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 第1金属遮光膜を電源用ボンディングパッドの一部分に重なるように形成し、前記電源用ボンディングパッドとの前記第1金属遮光膜の重なり部分および前記電源用ボンディングパッドをともにワイヤボンディングすることで前記第1金属遮光膜と電源用ボンディングパッドとを電気的に接続し、
第2金属遮光膜をGND用ボンディングパッドの一部分に重なるように形成し、前記GND用ボンディングパッドとの前記第2金属遮光膜の重なり部分および前記GND用ボンディングパッドをともにワイヤボンディングすることで前記第2金属遮光膜をGND用ボンディングパッドと電気的に接続したことを特徴とする請求項2記載の光半導体装置。 - 第1金属遮光膜をGND用ボンディングパッドの一部分に重なるように形成し、前記GND用ボンディングパッドとの前記第1金属遮光膜の重なり部分および前記GND用ボンディングパッドをともにワイヤボンディングすることで前記第1金属遮光膜をGND用ボンディングパッドと電気的に接続し、
第2金属遮光膜を電源用ボンディングパッドの一部分に重なるように形成し、前記電源用ボンディングパッドとの前記第2金属遮光膜の重なり部分および前記電源用ボンディングパッドをともにワイヤボンディングすることで前記第2金属遮光膜と電源用ボンディングパッドとを電気的に接続したことを特徴とする請求項3記載の光半導体装置。 - 金属遮光膜を2層設け、2層の前記金属遮光膜を複数個に分割し、複数個のコンデンサを形成したことを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 2層以上のうちの1層の所定の前記金属遮光膜上に半導体レーザを形成し、前記金属遮光膜を半導体レーザ用の電極配線に用いたことを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 受信した光信号を電気信号に変換する受光素子と、この受光素子の出力信号を増幅、演算する増幅器を含む集積回路部とを、同一半導体基板に集積し、前記集積回路部の迷光による誤作動を防ぐために前記集積回路部上に金属遮光膜を備えた光半導体装置であって、
前記金属遮光膜と前記受光素子のコモン側電極とを電気的に接続したことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003282319A JP2005051087A (ja) | 2003-07-30 | 2003-07-30 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2003282319A JP2005051087A (ja) | 2003-07-30 | 2003-07-30 | 光半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005051087A true JP2005051087A (ja) | 2005-02-24 |
Family
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Family Applications (1)
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JP2003282319A Pending JP2005051087A (ja) | 2003-07-30 | 2003-07-30 | 光半導体装置 |
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JP (1) | JP2005051087A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2018211905A1 (ja) * | 2017-05-17 | 2018-11-22 | アズビル株式会社 | 光電センサ |
-
2003
- 2003-07-30 JP JP2003282319A patent/JP2005051087A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2018211905A1 (ja) * | 2017-05-17 | 2018-11-22 | アズビル株式会社 | 光電センサ |
JP2018195703A (ja) * | 2017-05-17 | 2018-12-06 | アズビル株式会社 | 光電センサ |
CN110612609A (zh) * | 2017-05-17 | 2019-12-24 | 阿自倍尔株式会社 | 光电传感器 |
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