JP2005050902A - 半導体装置およびその製造方法、ならびに半導体装置に用いられるダイボンディング材 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体素子を配線付基材にワイヤボンド方式にて接続した種々の形態の半導体装置の製造において、ワイヤボンド時の熱履歴に耐え、種々の組み立て条件下でも良好にワイヤボンドできるダイボンディング材を用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数個の半導体素子がそれぞれ接着剤層を介して積層された構造を有してなる半導体装置であって、半導体素子を配線付基材にワイヤボンド方式にて接続してなり、
ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目のダイボンディング材の接着剤層のワイヤボンド温度における引っ張り弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたとき、
１．５ ＜（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎ＜ １０００ である半導体装置およびその製造方法、ならびに半導体装置に用いられるダイボンディング材。
【選択図】 なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置およびその製造方法、ならびに半導体装置に用いられるダイボンディング材に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材の接合には、銀ペーストが主に使用されていた。ところが、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化、細密化が要求されるようになったことから、前記銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着剤層の膜厚の制御困難性、および接着剤層のボイド発生などにより前記要求に対処しきれなくなってきている。そのため、近年、フィルム状のダイボンディング材が使用されるようになってきた。
【０００３】
一方、近年使われ始めている銅リードフレーム（熱により酸化を受けやすい）や絶縁性支持基板（熱伝導性が低い）は、共に熱膨張係数が大きいため、加熱接合時に反り易く、このような支持基板への接合に上記のフィルム状ダイボンディング材を適用する場合、低応力で、かつ低温で接着できる材料が強く望まれる。
【０００４】
フィルム状ダイボンディング材の供給形態は、接着層のみのもの、接着層と少なくとも１層以上の保護フィルム層を積層してあるものが一般的であり、フィルム状ダイボンディング材は下記のいずれかの方法により用いられる。（１）接着層を任意のサイズに切り出して配線付基材、半導体素子上に貼り付け、その上に半導体素子を熱圧着する。（２）接着層を半導体ウェハ回路面の反対面側全体に貼り付けた後にダイサーにて個片化し、接着剤層つきの半導体素子を得て、それを配線付基材、半導体素子に熱圧着する。いずれかの方法にて圧着後、必要があれば適宜熱硬化し、ワイヤボンドにて半導体素子と配線付基材を電気的に接合する。さらに半導体装置の上面を樹脂封止し、硬化することにより半導体装置を得る。
【０００５】
フィルム状ダイボンディング材は、熱可塑性樹脂を主成分としたものが主流であり、融点が低い熱可塑性樹脂を用いると、接着温度を低くすることができ、リードフレームの酸化、チップに与えるダメージ等を少なくすることができる。しかし、融点の低い熱可塑性樹脂を用いた樹脂フィルムは、熱時の接着力及び弾性率が低いので、ワイヤボンド工程での熱処理に耐えられない。
【０００６】
上記ワイヤボンド性は、ある物性を有するダイボンディング材を使用しても、半導体パッケージの形態、配線付基材の材質、チップサイズ、ワイヤボンド温度、ワイヤボンド時にかかる超音波等の外力を含むワイヤボンド条件、ダイボンディング材の厚み等によって変化するため、各々のパッケージに対応したダイボンディング材を用意する必要がある。しかし、これまで、良好なワイヤボンド性を確保するための指針がなかったため、上記ワイヤボンド性を確保できるダイボンディング材及び半導体装置の開発効率が極めて悪かった。
【０００７】
【非特許文献１】
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ １２巻、３１３〜３１４頁（１９９９年）
【非特許文献２】
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ １１巻、１７０〜１７６頁（１９９９年）
【非特許文献３】
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ１１８巻 １２９２５頁（１９９６年）
【非特許文献４】
Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ ２８巻 ７９５頁（１９９６年）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記した従来技術の問題を鑑み、半導体素子を配線付基材にワイヤボンド方式にて接続した種々の形態の半導体装置の製造において、ワイヤボンド時の熱履歴に耐え、種々の組み立て条件下でも良好にワイヤボンドできるダイボンディング材を用いた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は以下の発明に関する。
＜１＞複数個の半導体素子がそれぞれ接着剤層を介して積層された構造を有してなる半導体装置であって、半導体素子を配線付基材にワイヤボンド方式にて接続してなり、
ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目のダイボンディング材の接着剤層のワイヤボンド温度における引っ張り弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたとき、
１．５ ＜（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎ＜ １０００ である半導体装置。
＜２＞前記ダイボンディング材の硬化物の１５０℃における引っ張り弾性率が０．１〜５００ＭＰａの範囲であり、かつ２８０℃の引っ張り弾性率が０．１〜３００ＭＰａの範囲であることを特徴とする上記＜１＞記載の半導体装置。
＜３＞（Ｉ）熱硬化性型の接着剤層と基材層とをこの順に備えたダイボンディング材の接着剤層と、半導体ウェハとを貼り合わせる工程、
（ＩＩ）ダイボンド材の基材層をはく離し、放射線硬化型の粘着剤層と基材層とをこの順に備えたダイシング材の粘着材層と、接着剤層とを貼り合わせ、熱硬化性型の接着剤層、放射線硬化型の粘着剤層と基材層とをこの順に備えたダイボンディング材を設ける工程、
（ＩＩＩ）半導体ウェハをダイシングし所望の大きさの半導体素子に切断する工程、
（ＩＶ）基材層側より放射線照射することにより前記接着剤層と前記粘着剤層との間の粘着力を変化させる工程、
（Ｖ）前記接着剤層と前記粘着剤層との間で剥離し、接着剤層付き半導体素子を得る工程、
（ＶＩ）前記接着剤層付き半導体素子の接着剤層を、配線付基材、または、半導体素子に接着する工程、
（ＶＩＩ）前記半導体素子と配線付基材とをワイヤボンドにて接続する工程とを有し、
ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目の接着剤層のワイヤボンド温度における引っ張り弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたとき、
１．５ ≦（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎ≦ １０００ であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜４＞（Ｉ）熱硬化性型の接着剤層と放射線硬化型の粘着剤層と基材層とをこの順に備えたダイボンディング材の接着剤層と、半導体ウェハとを貼り合わせる工程、
（ＩＩ）半導体ウェハをダイシングし所望の大きさの半導体素子に切断する工程、
（ＩＩＩ）基材層側より放射線照射することにより前記接着剤層と前記粘着剤層との間の接着力を変化させる工程、
（ＩＶ）前記熱硬化性型接着剤層と前記放射線硬化型粘着剤層との間で剥離し、接着剤層付き半導体素子を得る工程、
（Ｖ）前記接着剤層付き半導体素子の接着剤層を、配線付基材、または、半導体素子に接着する工程、
（ＶＩ）前記半導体素子と配線付基材とをワイヤボンドにて接続する工程とを有し、
ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目のダイボンディング材の接着剤層のワイヤボンド温度における引っ張り弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたとき、
１．５ ＜（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎ＜１０００ であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜５＞熱硬化性型の接着剤層と放射線硬化型の粘着剤層と基材層とをこの順に備えた、上記＜３＞または＜４＞に記載の半導体装置の製造方法に用いるためのダイボンディング材であって、前記熱硬化性型接着剤層が熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を含有してなるダイボンディング材。
＜６＞放射線硬化型の粘着剤層が、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び／又は放射線重合性成分を含有してなる上記＜５＞記載のダイボンディング材。
＜７＞放射線硬化型の粘着剤層が、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び／又は放射線照射によって塩基を発生する化合物を含有してなる上記＜５＞記載のダイボンディング材。
【００１０】
＜８＞半導体素子と、該半導体素子の底面に接し、該底面と同じ面積を有する前記接着剤層と該接着剤層を介して前記半導体素子が接着される被着体とを備えた半導体装置であって、半導体素子を配線付基材にワイヤボンド方式にて接続してなり、前記接着剤層は熱硬化性、かつ、放射線硬化性を有する粘接着剤層であり、ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目のダイボンディング材の粘接着剤層のワイヤボンド温度における引っ張り弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたとき、
１．５ ＜（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎ＜１０００ である半導体装置。
＜９＞（Ｉ）熱硬化性かつ放射線硬化性を有する粘接着剤層と基材層とをこの順に備えたダイボンディング材の粘接着剤層と、半導体ウェハとを貼り合わせる工程、
（ＩＩ）半導体ウェハをダイシングし所望の大きさの半導体素子に切断する工程、
（ＩＩＩ）基材層側より放射線照射することにより前記粘接着剤層と前記基材層との間の接着力を変化させる工程、
（ＩＶ）前記粘接着剤層と前記基材層との間で剥離し、粘接着剤層付き半導体素子を得る工程、
（Ｖ）前記粘接着剤層付き半導体素子の粘接着剤層を、配線付基材、または、半導体素子に接着する工程、
（ＶＩ）前記半導体素子と配線付基材とをワイヤボンドにて接続する工程とを有し、
ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目のダイボンディング材の粘接着剤層のワイヤボンド温度における引っ張り弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたとき、
１．５ ＜（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎ＜１０００ であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜１０＞熱硬化性かつ放射線硬化性を有する粘接着剤層と基材層とを備えた上記＜９＞に記載の半導体装置の製造方法に用いるためのダイボンディング材であって、前記粘接着層が、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び放射線重合性成分を含有してなるダイボンディング材。
＜１１＞粘接着層が、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び放射線照射によって塩基を発生する化合物を含有してなる上記＜１０＞記載のダイボンディング材。
＜１２＞熱可塑性樹脂がポリイミド樹脂、又は官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上の高分子量樹脂である上記＜５＞〜＜７＞、＜１０＞又は＜１１＞のいずれかに記載のダイボンディング材。
＜１３＞官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上の高分子量樹脂が、エポキシ基含有反復単位を０．５〜６重量％含有するエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体である上記＜１２＞記載のダイボンディング材。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体装置は、複数個の半導体素子がそれぞれ接着剤層を介して積層された構造を有してなる半導体装置であって、半導体素子を配線付基材にワイヤボンド方式にて接続してなり、ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目の接着剤層のワイヤボンド温度における引っ張り弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたとき、１．５ ＜（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎ＜ １０００ の範囲とする。好ましくは、２．５ ＜（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎ＜ ５００ の範囲であり、より好ましくは、５．０ ＜（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎ＜ ３００ の範囲である。（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎの値が１．５未満であると、ワイヤボンドをした際のチップ側ボンディング部の接合強度が低くなる、又は、チップとボンディングワイヤが接合できないため、作製した半導体装置の接続信頼性を確保することができない。また前記の値が１０００以上となる半導体装置は大面積半導体チップ、高弾性、薄膜ダイボンド材となるため、ダイボンドの際に、配線付基材表面の配線段差等の凹凸を充てんすることが困難となる。また、リフロー、温度サイクル等により発生する応力の緩和が困難となるため、信頼性が低下し好ましくない。
【００１２】
本発明において、ワイヤボンド温度Ｔは１００≦Ｔ≦３００℃の範囲内が好ましく、１５０≦Ｔ≦２８０℃の範囲がより好ましい。ワイヤボンド温度が１００℃未満では金ワイヤがボンディングしない傾向があり、また、３００℃を超えると、構成材料からのアウトガスによる汚染の可能性が高くなり、また配線付基材のガラス転移温度を超えるため、配線付基材が溶融変形し易くなり、いずれも接合不良が出る傾向がある。
【００１３】
本発明において、前記半導体素子の面積Ｓｎは、０．５≦Ｓｎ≦１０００ｍｍ^２の範囲内が好ましく、１≦Ｓｎ≦５００ｍｍ^２の範囲内がより好ましい。半導体素子の面積Ｓｎが０．５ｍｍ^２未満であると、ワイヤボンド領域の確保が有効にとれなくなる傾向があり、１０００ｍｍ^２を超えると、半導体装置を有効に小型化できない傾向がある。また、前記接着剤層の厚みｔｎは１≦ｔｎ≦５００μｍの範囲内が好ましく、５≦ｔｎ≦２５０μｍの範囲がより好ましい。接着剤層の厚みｔｎが１μｍ未満であると、配線付基材の凹凸に接着剤を充てんすることが困難となり、また、熱応力を緩和することが困難となる傾向がある。接着剤層の厚みｔｎが５００μｍを超えると接着剤層の吸湿水分量が多くなるため、半導体装置の耐リフロー性が低下する傾向がある。
【００１４】
本発明において、前記ダイボンディング材の硬化物の１５０℃における引っ張り弾性率は０．１〜５００ＭＰａの範囲が好ましく、０．５〜２００ＭＰａの範囲がより好ましい。前記弾性率が０．１ＭＰａ未満であると、ワイヤボンドをした際のチップ側ボンディング部の接合強度が低くなる、又はチップと金ワイヤが接合できないため、作製した半導体装置の接続信頼性を確保することができない傾向がある。なお、前記弾性率の上限については、応力の増大を抑制する観点で、５００ＭＰａ以下が好ましい。
【００１５】
本発明において、前記ダイボンディング材硬化物の２８０℃における弾性率は０．１〜３００ＭＰａの範囲が好ましく、０．５〜１５０ＭＰａの範囲がより好ましい。前記弾性率が０．１ＭＰａ未満であると、ワイヤボンドをした際のチップ側ボンディング部の接合強度が低くなる、又はチップと金ワイヤが接合できないため、作製した半導体装置の接続信頼性を確保することができない傾向がある。なお、前記弾性率の上限については、応力の増大を抑制する観点で、３００ＭＰａ以下が好ましい。ダイボンディング材の硬化後の引っ張り弾性率は、レオメトリックス製の粘弾性アナライザー（ＲＳＡ−２）を用いて、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚで測定した。
【００１６】
本発明の半導体装置に用いるダイボンディング材としては、熱硬化性型の接着剤層と放射線硬化型の粘着剤層と基材層とをこの順に備えた、ダイボンディング材であることが好ましい。また上記ダイボンディング材の放射線硬化型の粘着剤層は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び放射線重合性成分を含有してなることが好ましい。
【００１７】
上記熱可塑性樹脂は、Ｔｇが−５０〜１０℃かつ重量平均分子量が１０００００〜１００００００、または、Ｔｇが１０〜１００℃かつ重量平均分子量が５０００〜２０００００であれば特に制限されるものではない。前者の熱可塑性樹脂として好ましいものは、官能性モノマーを含む重合体であり、後者の熱可塑性樹脂としては例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等があるが、この中で好ましいものはポリイミド樹脂である。
【００１８】
上記官能性モノマーを含む重合体としては、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートなどの官能性モノマーを含有するエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体などが好ましく、さらにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であることが好ましい。上記のエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体は、たとえば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴムなどを使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。また上記の官能性モノマーとしては、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートなどを使用することが好ましい。このようなエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、たとえば、帝国化学産業（株）製ＨＴＲ−８６０Ｐ−３などが挙げられる。
【００１９】
グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートなどのエポキシ基含有反復単位の量は、０．５〜６．０重量％が好ましく、０．５〜５．０重量％がより好ましく、０．８〜５．０重量％が特に好ましい。エポキシ基含有反復単位の量がこの範囲にあると、接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止することができる。官能性モノマーとしては、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートのほかに、たとえば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレートなどが挙げられ、これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することもできる。なお、本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレートとエチルメタクリレートの両方を示す。官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体のＴｇを考慮して決定し、Ｔｇは−５０℃以上であることが好ましい。Ｔｇが−５０℃以上であると、Ｂステージ状態での粘接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性に問題を生じないからである。上記モノマーを重合させて、官能性モノマーを含む重合体を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、たとえば、パール重合、溶液重合などの方法を使用することができる。
【００２０】
熱可塑性樹脂として使用するポリイミド樹脂としては、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを公知の方法で縮合反応させて得ることができる。すなわち、有機溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを等モル又はほぼ等モル用い（各成分の添加順序は任意）、反応温度８０℃以下、好ましくは０〜６０℃で付加反応させる。用いる有機溶媒としては、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、ｍ−クレゾール、ｏ−クロルフェノール等がある。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が生成する。前記ポリアミド酸は、５０〜８０℃の温度で加熱して解重合させることによって、その分子量を調整する。
【００２１】
ポリイミド樹脂は、上記反応物（ポリアミド酸）を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は、１２０℃〜２５０℃で加熱処理する熱閉環法と、脱水剤を使用する化学閉環法で行うことができる。熱閉環法の場合、脱水反応で生じる水を系外に除去しながら行うことが好ましい。この際、ベンゼン、トルエン、キシレン等を用いて水を共沸除去してもよい。化学的方法で脱水閉環させる場合は、閉環剤として無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸の酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカルボジイミド化合物等を用いる。このとき必要に応じてピリジン、イソキノリン、トリメチルアミン、アミノピリジン、イミダゾール等の閉環触媒を用いてもよい。閉環剤又は閉環触媒は、テトラカルボン酸二無水物１モルに対し、それぞれ１〜８モルの範囲で使用するのが好ましい。なお、本発明においてポリイミド樹脂とは、ポリイミド及びその前駆体を総称する。ポリイミドの前駆体には、ポリアミド酸のほか、ポリアミド酸が部分的にイミド化したものがある。
【００２２】
ポリイミド樹脂の原料として用いられるテトラカルボン酸二無水物としては特に制限は無く、例えば、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，３−（トリメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，４−（テトラメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，５−（ペンタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，６−（ヘキサメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，７−（ヘプタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，８−（オクタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，９−（ノナメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１８−（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、ピロメリット酸ニ無水物、３，３’、４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’、３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパンニ無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパンニ無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタンニ無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタンニ無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシクロ〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ−〔２，２，２〕−オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２，−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、４，４’−（４，４’−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸二無水物）等を使用することができ、これらの１種または２種以上を併用することもできる。
【００２３】
また、ポリイミドの原料として用いられるジアミンとしては特に制限は無く、例えば、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテメタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジメチルフェニル）メタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジイソプロピルフェニル）メタン、３，３’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルケトン、３，４’−ジアミノジフェニルケトン、４，４’−ジアミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２’−（３，４’−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（３，４’−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、４，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルフォン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフォン、３，５−ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、下記一般式（１）
【化１】

（式中、Ｒ_１及びＲ_２は炭素原子数１〜３０の二価の炭化水素基を示し、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ_３及びＲ_４は一価の炭化水素基を示し、それぞれ同一でも異なっていてもよく、ｍは１以上の整数である）
で表されるジアミノポリシロキサン、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、サンテクノケミカル（株）製 ジェファーミン Ｄ−２３０，Ｄ−４００，Ｄ−２０００，Ｄ−４０００，ＥＤ−６００，ＥＤ−９００，ＥＤ−２００１，ＥＤＲ−１４８等のポリオキシアルキレンジアミン等の脂肪族ジアミン等を使用することができ、これらの１種または２種以上を併用することもできる。
【００２４】
前記熱硬化性樹脂としては、熱及び／又は放射線によって重合あるいは架橋する樹脂組成物であれば特に制限されるものではないが、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールＡ型（又はＡＤ型、Ｓ型、Ｆ型）のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテルなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型グリシジルエーテルやクレゾールノボラック型グリシジルエーテルなどのノボラック型エポキシ樹脂、３官能型（又は４官能型）のグリシジルエーテル等の多官能エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル等の脂環式エポキシ樹脂、ダイマー酸のグリシジルエステル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルアミン等のグリシジルアミン型エポキシ樹脂等、ナフタレン樹脂、複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することができる。
【００２５】
このようなエポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製 エピコート８０７，８１５，８２５，８２７，８２８，８３４，１００１，１００４，１００７，１００９、ダウケミカル社製 ＤＥＲ−３３０，３０１，３６１、東都化成（株）製 ＹＤ８１２５，ＹＤＦ８１７０などが挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製 エピコート１５２，１５４、日本化薬（株）製 ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製 ＤＥＮ−４３８などが、また、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬（株）製 ＥＯＣＮ−１０２Ｓ，１０３Ｓ，１０４Ｓ，１０１２，１０２５，１０２７、東都化成（株）製 ＹＤＣＮ７０１，７０２，７０３，７０４などが挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製 Ｅｐｏｎ １０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製 アラルダイト０１６３、ナガセ化成（株）製 デナコールＥＸ−６１１，６１４，６１４Ｂ，６２２，５１２，５２１，４２１，４１１，３２１などが挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製 エピコート６０４、東都化成（株）製 ＹＨ−４３４、三菱ガス化学（株）製 ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学工業（株）製 ＥＬＭ−１２０などが挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製 アラルダイトＰＴ８１０等の、ＵＣＣ社製 ＥＲＬ４２３４，４２９９，４２２１，４２０６などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独でまたは２種類以上を組み合わせても、使用することができる。
【００２６】
上記エポキシ樹脂の硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。たとえば、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン等のアミン類、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物等の酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ，ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール系化合物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第３級アミン等が挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール系化合物が好ましい。
【００２７】
好ましいフェノール系化合物としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンクレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンフェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、トリスフェノールノボラック樹脂、テトラキスフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ポリ−ｐ−ビニルフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられ、たとえば、大日本インキ化学工業（株）製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０、本州化学（株）製ＴｒｉｓＰ−ＰＡなどが挙げられる。
【００２８】
本発明で使用する放射線照射によって塩基を発生する化合物は、放射線照射時に塩基を発生する化合物であれば特に制限は受けない。発生する塩基としては、反応性、硬化速度の点から強塩基性化合物が好ましい。一般的には、塩基性の指標として酸解離定数の対数であるｐＫａ値が使用され、水溶液中でのｐＫａ値が７以上の塩基が好ましく、さらに９以上の塩基がより好ましい。
【００２９】
塩基性化合物を放射線照射によって発生するものとしては、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ １２巻、３１３〜３１４頁（１９９９年）やＣｈｅｍｉｓｔｒｙｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ １１巻、１７０〜１７６頁（１９９９年）等に記載されている４級アンモニウム塩誘導体を用いることができる。これらは、活性光線の照射により高塩基性のトリアルキルアミンを生成するため、エポキシ樹脂の硬化には最適である。また、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ １１８巻 １２９２５頁（１９９６年）やＰｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ ２８巻 ７９５頁（１９９６年）等に記載されているカルバミン酸誘導体を用いることができる。
【００３０】
また、放射線の照射により１級のアミノ基を発生するオキシム誘導体、光ラジカル発生剤として市販されている２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン（Ｃｉｂａ ＳｐｅｃｉａｌｉｔｙＣｈｅｍｉｃａｌｓ社製イルガキュア９０７）、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製イルガキュア３６９）、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体（ハロゲン、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等の置換基がフェニル基に置換されていてもよい）、ベンゾイソオキサゾロン誘導体等を用いることができる。
【００３１】
放射線照射による塩基発生剤の他に、光フリース転位、光クライゼン転位（光Ｃｌｅｉｓｅｎ転位）やクルチウス転位（Ｃｕｒｔｉｕｓ転位）、スチーブンス転位（Ｓｔｅｖｅｎｓ転位）によって塩基性化合物を発生させ、エポキシ樹脂の硬化を行うことができる。前記塩基発生剤は、分子量５００以下の低分子化合物として用いる他、高分子の主鎖及び側鎖に導入した化合物を用いても良い。この場合の分子量としては、粘接着剤としての粘接着性、流動性の観点から重量平均分子量１，０００〜１００，０００が好ましく、より好ましくは５，０００〜３０，０００である。これらの化合物は、室温（２５℃）で放射線を照射しない状態ではエポキシ樹脂と反応性を示さないため、室温での貯蔵安定性は非常に優れているという特徴を持つ。
【００３２】
熱硬化性樹脂にエポキシ樹脂を用いた場合、上記硬化剤と共に硬化促進剤を用いることが好ましい。硬化促進剤としては特に制限が無く、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等を用いることができる。これらは１種又は２種以上を併用することもできる。硬化促進剤の添加量は、エポキシ樹脂及びエポキシ硬化剤１００重量部に対して０．１〜５重量部が好ましく、０．２〜３重量部がより好ましい。添加量が０．１重量部未満であるとると硬化性が劣る傾向があり、５重量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。
【００３３】
ダイボンディング材を形成する粘接着層には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に制限はなく、例えば、フェノキシ樹脂、高分子量エポキシ樹脂、超高分子量エポキシ樹脂などを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。
エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、４０重量部以下とするのが好ましい。４０重量部を超えると、エポキシ樹脂層のＴｇが低下する傾向がある。
【００３４】
また、ダイボンディング材には、放射線照射の高吸収化、高感度化を目的に、増感剤を添加することもできる。使用する増感剤としては、硬化性組成物に悪影響を及ぼさない限り、公知の一重項増感剤、三重項増感剤を用いることができる。例えば、ナフタレン、アントラセン、ピレン等の芳香族化合物誘導体、カルバゾール誘導体、ベンゾフェノン誘導体、チオキサントン誘導体、クマリン誘導体等が好適に用いられる。
【００３５】
本発明で用いる 前記放射線重合性成分には、特に制限は無く、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレート、下記一般式（２）
【化２】

（式中、Ｒは水素原子又はメチル基を示し、ｑ及びｒは１以上の整数である）
で表される化合物、（ａ）ジオール類及び（ｂ）一般式（３）
【化３】

（式中、ｎは０〜１の整数であり、Ｒ_１は炭素原子数が１〜３０の２価あるいは３価の有機性基である）
で表されるイソシアネート化合物及び（ｃ）一般式（４）
【化４】

（式中、Ｒ_２は水素原子又はメチル基であり、Ｒ_３はエチレン基あるいはプロピレン基である）
で表される化合物からなるウレタン（メタ）アクリレート化合物、（ｄ）一般式（５）
【化５】

（式中、Ｒ_１は炭素原子数が２〜３０の２価の有機基を示す）
で表されるジアミン及び（ｂ）一般式（３）で表されるイソシアネート化合物及び（ｅ）一般式（６）
【化６】

（式中、ｎは０〜１の整数である）
で表される化合物からなる尿素メタクリレート化合物及び側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性共重合体が挙げられる。これらの放射線重合性化合物は、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができる。
【００３６】
また、上記の他に、触媒、添加剤、フィラー、カップリング剤等を含有していてもよい。また、ダイボンディング材には、その取扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整およびチキソトロピック性付与などを目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられ、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
中でも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。
無機フィラーの使用量は、粘接着層１００重量部に対して１〜２０重量部が好ましい。１重量部未満だと添加効果が得られない傾向があり、２０重量部を超えると、接着剤層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。
【００３７】
また、ダイボンディング材には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。
上記シラン系カップリング剤としては、特に制限はなく、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−エトキシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピルトリメトキシシラン、３，４，５−ジヒドロイミダゾール−１−イル−プロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルジメトキシシラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキエトキシ）シラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン、Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。
【００３８】
また、チタン系カップリング剤としては、例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタンチリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テトラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレシルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマー、ジイソプロポキシ−ビス（２，４−ペンタジオネート）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピル−ビス−トリエタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチタネート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。
【００３９】
アルミニウム系カップリング剤としては、例えば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、アルミニウム−モノイソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−ｎ−ブトキシモノエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−ｉｓｏ−プロポキシド−モノエチルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−ｓｅｃ−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム−ｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムエチレート等のアルミニウムアルコレートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。
【００４０】
上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、樹脂成分１００重量部に対し、０．０１〜１０重量部とするのが好ましい。
ダイボンディング材を形成する接着剤層、または、粘接着層には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、さらにイオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。
上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、樹脂組成物１００重量部に対し０．１〜１０重量部が好ましい。
【００４１】
本発明において接着剤層と粘着材層が独立したフィルムを用いる場合、接着剤層は熱可塑性成分（例えばポリイミド）１００重量部、熱硬化性成分（例えばエポキシ樹脂）１〜２００重量部、無機フィラー１〜８０００重量部の配合にて作製することが可能である。
一方１層のフィルムが粘着材層と接着剤層を兼ねる場合、粘接着剤層は熱可塑性成分（例えばポリイミド）１００重量部に対して熱硬化性成分（例えばエポキシ樹脂）１〜２００重量部、放射線重合性化合物（例えば光塩基発生剤）０．０１〜２００重量部、無機フィラー１〜８０００重量部の配合にて作製することが可能である。
上記により作製した接着剤層、粘接着剤層のワイヤボンド温度における引っ張り弾性率が低い場合は、無機フィラー、熱硬化性成分の増量により接着剤層、粘接着剤層を高弾性化することができる。逆に上記により作製した接着剤層、粘接着剤層のワイヤボンド温度における引っ張り弾性率が高い場合は、無機フィラー、熱硬化成分の増量をすることにより接着剤層、粘接着剤層を低弾性化することができる。
【００４２】
接着剤層を単独で用いる場合は以下に示す方法により使用することができる。
（１）熱硬化性型の接着剤層と基材層とをこの順に備えたダイボンディング材の接着剤層と、半導体ウェハとを貼り合わせる、（２）ダイボンド材の基材層をはく離し、放射線硬化型の粘着剤層と基材層とをこの順に備えたダイシング材の粘着材層と、接着剤層とを貼り合わせ、熱硬化性型の接着剤層、放射線硬化型の粘着剤層と基材層とをこの順に備えたダイボンディング材を設ける、（３）半導体ウェハをダイシングし所望の大きさの半導体素子に切断する、（４）基材層側より放射線照射することにより前記接着剤層と前記粘着剤層との間の粘着力を変化させる、（５）前記接着剤層と前記粘着剤層との間で剥離し、接着剤層付き半導体素子を得る、（６）前記接着剤層付き半導体素子の接着剤層を、配線付基材、または、半導体素子に接着する、（７）前記半導体素子と配線付基材とをワイヤボンドにて接続する。
【００４３】
接着剤層と放射線硬化型の粘着剤層と基材層とをこの順に備えたダイボンディング材を用いる場合は以下に示す方法により使用することができる。（１）熱硬化性型の接着剤層と放射線硬化型の粘着剤層と基材層とをこの順に備えたダイボンディング材の接着剤層と、半導体ウェハとを貼り合わせる、（２）半導体ウェハをダイシングし所望の大きさの半導体素子に切断する、（３）基材層側より放射線照射することにより前記接着剤層と前記粘着剤層との間の粘着力を変化させる、（４）前記接着剤層と前記粘着剤層との間で剥離し、接着剤層付き半導体素子を得る、（５）前記接着剤層付き半導体素子の接着剤層を、配線付基材、または、半導体素子に接着する、（６）前記半導体素子と配線付基材とをワイヤボンドにて接続する。
【００４４】
一方熱硬化性かつ放射線硬化性を有する粘接着剤層と基材層とをこの順に備えたダイボンディング材を用いる場合は以下に示す方法により使用することができる。（１）熱硬化性かつ放射線硬化性を有する粘接着剤層と基材層とをこの順に備えたダイボンディング材の接着剤層と、半導体ウェハとを貼り合わせる、（２）半導体ウェハをダイシングし所望の大きさの半導体素子に切断する、（３）基材層側より放射線照射することにより前記接着剤層と前記粘着剤層との間の粘着力を変化させる、（４）前記接着剤層と前記粘着剤層との間で剥離し、接着剤層付き半導体素子を得る、（５）前記接着剤層付き半導体素子の接着剤層を、配線付基材、または、半導体素子に接着する、（６）前記半導体素子と配線付基材とをワイヤボンドにて接続する。
【００４５】
【実施例】
以下、本発明を実施例により詳細に報告するが、本発明は、これらに制限されるものではない。
【００４６】
（実施例１）
樹脂ワニスＡの調製
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた５００ｍｌフラスコに、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン４１．０５ｇ（０．１モル）及びＮ−メチル−２−ピロリドン１５０ｇを仕込み攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）５２．２ｇ（０．１モル）を少量ずつ添加した。室温（２５℃）で３時間反応させたのち、キシレン３０ｇを加え、窒素ガスを吹き込みながら１７５℃で加熱し、水と共にキシレンを共沸除去した。その反応液を水中に注ぎ、沈殿したポリマーを濾別し、乾燥してポリイミド樹脂を得た。
このポリイミド樹脂５０ｇ、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名：ＥＳＣＮ−１９５）１０ｇ、フェノールノボラック樹脂（明和化成（株）製、商品名：Ｈ−１）５．３ｇ、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート（北興化学（株）製、商品名：ＴＰＰＫ）０．２ｇを、溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドン２００ｇ中に加えて溶解させ、樹脂ワニスＡを得た。
【００４７】
樹脂ワニスＢの調製
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた５００ｍｌフラスコに、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン１０．２５ｇ（０．０５モル）、４，９−ジオキサトリデカン−１，１２−ジアミン（０．０５モル）５．１０ｇ及びＮ−メチル−２−ピロリドン１５０ｇを仕込み攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）５２．２ｇ（０．１モル）を少量ずつ添加した。室温（２５℃）で３時間反応させたのち、キシレン３０ｇを加え、窒素ガスを吹き込みながら１７５℃で加熱し、水と共にキシレンを共沸除去した。その反応液を水中に注ぎ、沈殿したポリマーを濾別し、乾燥してポリイミド樹脂を得た。
このポリイミド樹脂５０ｇ、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名：ＥＳＣＮ−１９５）１０ｇ、フェノールノボラック樹脂（明和化成（株）製、商品名：Ｈ−１）５．３ｇ、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート（北興化学（株）製、商品名：ＴＰＰＫ）０．２ｇを、溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドン２００ｇ中に加えて溶解させ、樹脂ワニスＢを得た。
なお、フィラーとして下記のフィラーを用いた。
フィラー
ＴＣＧ−１：徳力化学研究所製、銀フレーク
ＨＰ−Ｐ１：水島合金鉄（株）製、窒化ホウ素（フレーク状）
ＣｕＬｏｘ６０１０：（株）ニューメタルスエンドケミカルスコーポレーション製、銅フィラー（フレーク状）
【００４８】
接着フィルムの調製
得られた樹脂ワニスに上記したフィラーを均一に分散させて接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを、厚さ５０μｍのポリプロピレンフィルム上に塗布し、８０℃３０分予備乾燥後、１５０℃で３０分間加熱乾燥して、基材（ポリプロピレンフィルム）を備えた膜厚が３０μｍのダイボンディング材を作製した。
【００４９】
ワイヤボンド性の評価
上記で得られたダイボンディング材の接着剤層と半導体ウェハとを貼り合わせ、基材層をはく離した後に市販の紫外線硬化型ダイシングテープ（古河電工（株）製 ＵＣ−３３４ ＥＰ−１１０）を張り合わせる。半導体ウェハをダイシングして半導体素子に切断した後、ダイシングテープの基材層側より放射線照射（５００Ｊ／ｃｍ^２）して、接着剤層と前記粘着剤層との間で剥離し、接着剤層付き半導体素子を得る。得られた接着剤層付き半導体素子を４２アロイリードフレーム上に２５０℃／１０００ｇ／５ｓｅｃの条件で加熱圧着して、ワイヤボンディング性評価用サンプルを得た。ワイヤボンダ及び使用部材の種類を表１に、ワイヤボンド性評価条件の詳細を表２に示した。ワイヤボンド性はボンディング後の接続可否で評価した。
【００５０】
【表１】
表１ ワイヤボンダ及び使用部材の種類

【００５１】
【表２】
表２ ワイヤボンド条件

【００５２】
ワニスＡ、Ｂを用い、充填材の種類、含量を変化させ、引っ張り弾性率の異なったボンディング材を作製し試験に供した。表３〜７に実施例１〜１９、比較例１〜１０の半導体装置に用いたダイボンディング材の樹脂、フィラーの種類、含量、ワイヤボンド温度、ダイボンディング材の硬化物のワイヤボンド温度における引っ張り弾性率（Ｅｎ）、半導体素子の面積（Ｓｎ）、ダイボンディング材の接着層の厚み（ｔｎ）について、Ｅｎ×Ｓｎ、Ｅｎ／ｔｎ、Ｓｎ／ｔｎ、およびＥｎ×Ｓｎ／ｔｎを示した。
【００５３】
【表３】
表３ フィラー含量とワイヤボンド性の関係

【００５４】
比較例１、２はダイボンディング材の引っ張り弾性率が低いため、ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目の接着剤層の弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたときの（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎで表される値が１．５未満となるため、ワイヤボンドすることができなかった。
【００５５】
【表４】
表４ チップサイズとワイヤボンド性の関係

【００５６】
比較例１、３、４はダイボンディング材の引っ張り弾性率が低く、またチップサイズが小さいため、ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目の接着剤層の弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたときの（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎで表される値が１．５未満となるため、ワイヤボンドすることができなかった。
【００５７】
【表５】
表５ ワイヤボンド温度とワイヤボンド性の関係

【００５８】
比較例１、３、４はワイヤボンドの温度が高いためダイボンディング材の引っ張り弾性率が低く、またチップサイズが小さいため、ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目の接着剤層の弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたときの（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎで表される値が１．５未満となるため、ワイヤボンドすることができなかった。
【００５９】
【表６】
表６ ダイボンド材配合とワイヤボンド性の関係

【００６０】
比較例３、５はダイボンディング材の引っ張り弾性率が低いため、ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目の接着剤層の弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたときの（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎで表される値が１．５未満となるため、ワイヤボンドすることができなかった。
【００６１】
【表７】
表７ ダイボンド材厚とワイヤボンド性の関係

【００６２】
比較例３、６〜１０はダイボンディング材の引っ張り弾性率が低く、またダイボンディング材の厚みが厚いため、ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目の接着剤層の弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたときの（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎで表される値が１．５未満となるため、ワイヤボンドすることができなかった。
【００６３】
以上の結果から、複数個の半導体素子がそれぞれ接着剤層を介して積層された構造を有してなる半導体装置であって、半導体素子を配線付基材にワイヤボンド方式にて接続してなり、ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目の接着剤層の弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたとき、１．５ ≦（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎ ≦ １０００ を満たす半導体装置において優れたワイヤボンド性を得ることができる。
【００６４】
表８〜１０に実施例２０〜２８、比較例１１〜１５の半導体装置に用いたダイボンディング材の樹脂、フィラーの種類、含量、ワイヤボンド温度、ダイボンディング材の硬化物のワイヤボンド温度における引っ張り弾性率（Ｅｎ）、半導体素子の面積（Ｓｎ）、ダイボンディング材の接着層の厚み（ｔｎ）について、Ｅｎ×Ｓｎ、Ｅｎ／ｔｎ、Ｓｎ／ｔｎ、およびＥｎ×Ｓｎ／ｔｎを示した。各ダイボンド材を用い、図４に示す半導体装置を作製した際の初期欠陥の有無を調べた。
【００６５】
【表８】
表８ チップサイズと初期ボイドの関係

【００６６】
比較例１１、１２はチップサイズが大きいため、配線付基材表面の凹凸にダイボンド材を充てんすることができない。そのため、半導体装置内のダイボンディング材／配線付基材界面にボイドが生じた。
【００６７】
【表９】
表９ ダイボンディング材引っ張り弾性率と初期ボイドの関係

【００６８】
比較例１２、１３はダイボンディング材の引っ張り弾性率が高いため、配線付基材表面の凹凸にダイボンディング材を充てんすることができない。そのため、半導体装置内のダイボンド材／配線付基材界面にボイドが生じた。
【００６９】
【表１０】
表１０ ダイボンディング材厚みと初期ボイドの関係

【００７０】
比較例１２、１４、１５はダイボンディング材の厚みが厚いため、配線付基材表面の凹凸にダイボンド材を充てんすることができない。そのため、半導体装置内のダイボンド材／配線付基材界面にボイドが生じた。
【００７１】
前記比較例１１〜１５の半導体装置に吸湿リフローを行うと、初期ボイドが起点となるダイボンド材／配線付基材界面のはく離やダイボンド材の凝集破壊が生じてしまい好ましくなかった。
【００７２】
以上の結果から、複数個の半導体素子がそれぞれ接着剤層を介して積層された構造を有してなる半導体装置であって、半導体素子を配線付基材にワイヤボンド方式にて接続してなり、ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目の接着剤層の弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたとき、（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎ ≦ １０００ を満たす半導体装置において初期欠陥がなく優れた半導体装置を得ることができることができた。
【００７３】
【発明の効果】
本発明の半導体装置により、ワイヤボンド時の熱履歴に耐え、種々組み立て条件下でも良好にワイヤボンドできるダイボンディング材を用いた半導体装置及びその製造方法を提供でき、良好なワイヤボンド性を確保できると共に、信頼性に優れる半導体装置となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ダイボンディング材を示す断面図である。
【図２】ダイボンディング材を半導体ウェハ裏面にラミネートした状態の断面図である。
【図３】ダイボンド材を半導体ウェハ裏面にラミネート後に基材層をはく離し、接着剤層側にダイシング材を貼り合わせ接着剤層、粘着剤層と基材層とをこの順に備えたダイボンディング材とし、個片化し、得られた接着剤層付き半導体チップを示す断面図である。
【図４】ダイボンディング材を用いた半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１ 接着剤層
２ 基材層
３ 半導体ウェハ
４ ダイシングテープ
５ 封止用樹脂
６ ボンディングワイヤ
７ 配線付基材
８ 外部接続端子

Claims (13)

1. 複数個の半導体素子がそれぞれ接着剤層を介して積層された構造を有してなる半導体装置であって、半導体素子を配線付基材にワイヤボンド方式にて接続してなり、
   ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目のダイボンディング材の接着剤層のワイヤボンド温度における引っ張り弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたとき、
   １．５ ＜（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎ＜ １０００ である半導体装置。
2. 前記ダイボンディング材の硬化物の１５０℃における引っ張り弾性率が０．１〜５００ＭＰａの範囲であり、かつ、２８０℃の引っ張り弾性率が０．１〜３００ＭＰａの範囲であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. （Ｉ）熱硬化性型の接着剤層と基材層とをこの順に備えたダイボンディング材の接着剤層と、半導体ウェハとを貼り合わせる工程、
   （ＩＩ）ダイボンド材の基材層をはく離し、放射線硬化型の粘着剤層と基材層とをこの順に備えたダイシング材の粘着材層と、接着剤層とを貼り合わせ、熱硬化性型の接着剤層、放射線硬化型の粘着剤層と基材層とをこの順に備えたダイボンディング材を設ける工程、
   （ＩＩＩ）半導体ウェハをダイシングし所望の大きさの半導体素子に切断する工程、
   （ＩＶ）基材層側より放射線照射することにより前記接着剤層と前記粘着剤層との間の粘着力を変化させる工程、
   （Ｖ）前記接着剤層と前記粘着剤層との間で剥離し、接着剤層付き半導体素子を得る工程、
   （ＶＩ）前記接着剤層付き半導体素子の接着剤層を、配線付基材、または、半導体素子に接着する工程、
   （ＶＩＩ）前記半導体素子と配線付基材とをワイヤボンドにて接続する工程とを有し、
   ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目の接着剤層のワイヤボンド温度における引っ張り弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたとき、
   １．５ ≦（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎ≦ １０００ であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. （Ｉ）熱硬化性型の接着剤層と放射線硬化型の粘着剤層と基材層とをこの順に備えたダイボンディング材の接着剤層と、半導体ウェハとを貼り合わせる工程、
   （ＩＩ）半導体ウェハをダイシングし所望の大きさの半導体素子に切断する工程、
   （ＩＩＩ）基材層側より放射線照射することにより前記接着剤層と前記粘着剤層との間の粘着力を変化させる工程、
   （ＩＶ）前記接着剤層と前記粘着剤層との間で剥離し、接着剤層付き半導体素子を得る工程、
   （Ｖ）前記接着剤層付き半導体素子の接着剤層を、配線付基材、または、半導体素子に接着する工程、
   （ＶＩ）前記半導体素子と配線付基材とをワイヤボンドにて接続する工程とを有し、
   ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目の接着剤層のワイヤボンド温度における引っ張り弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたとき、
   １．５ ≦（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎ≦ １０００ であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 熱硬化性型の接着剤層と放射線硬化型の粘着剤層と基材層とをこの順に備えた、請求項３または４に記載の半導体装置の製造方法に用いるためのダイボンディング材であって、
   前記熱硬化性型接着剤層が熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を含有してなるダイボンディング材。
6. 放射線硬化型の粘着剤層が、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び／又は放射線重合性成分を含有してなる請求項５記載のダイボンディング材。
7. 放射線硬化型の粘着剤層が、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び／又は放射線照射によって塩基を発生する化合物を含有してなる請求項５記載のダイボンディング材。
8. 半導体素子と、該半導体素子の底面に接し、該底面と同じ面積を有する接着剤層と、該接着剤層を介して前記半導体素子が接着される被着体とを備えた半導体装置であって、半導体素子を配線付基材にワイヤボンド方式にて接続してなり、前記接着剤層は熱硬化性かつ放射線硬化性を有する粘接着剤層であり、ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目のダイボンディング材の粘接着剤層のワイヤボンド温度における引っ張り弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたとき、
   １．５ ＜（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎ＜１０００ である半導体装置。
9. （Ｉ）熱硬化性かつ放射線硬化性を有する粘接着剤層と基材層とをこの順に備えたダイボンディング材の粘接着剤層と、半導体ウェハとを貼り合わせる工程、
   （ＩＩ）半導体ウェハをダイシングし所望の大きさの半導体素子に切断する工程、
   （ＩＩＩ）基材層側より放射線照射することにより前記粘接着剤層と前記基材層との間の接着力を変化させる工程、
   （ＩＶ）前記粘接着剤層と前記基材層との間で剥離し、粘接着剤層付き半導体素子を得る工程、
   （Ｖ）前記粘接着剤層付き半導体素子の粘接着剤層を、配線付基材、または、半導体素子に接着する工程、
   （ＶＩ）前記半導体素子と配線付基材とをワイヤボンドにて接続する工程とを有し、
   ｎ段目の半導体素子の面積をＳｎ（ｍｍ^２）、該半導体素子の底面に接するｎ段目のダイボンディング材の粘接着剤層のワイヤボンド温度における引っ張り弾性率をＥｎ（ＭＰａ）、厚みをｔｎ（μｍ）としたとき、
   １．５ ＜（Ｅｎ×Ｓｎ）／ｔｎ＜１０００ であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 熱硬化性かつ放射線硬化性を有する粘接着剤層と基材層とを備えた請求項９に記載の半導体装置の製造方法に用いるためのダイボンディング材であって、
    前記粘接着層が、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び放射線重合性成分を含有してなるダイボンディング材。
11. 粘接着層が、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び放射線照射によって塩基を発生する化合物を含有してなる請求項１０記載のダイボンディング材。
12. 熱可塑性樹脂がポリイミド樹脂、又は官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上の高分子量樹脂である請求項５〜７、１０又は１１のいずれかに記載のダイボンディング材。
13. 官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上の高分子量樹脂が、エポキシ基含有反復単位を０．５〜６重量％含有するエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体である請求項１２記載のダイボンディング材。

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