JP2005044923A - クランプリング、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウェハのより均一な押さえ込みができ、成膜粒子による貼り付きを防止するクランプリング、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】クランプリング10は、載置台Sに載置されたウェハWafの外周縁部分を押さえる。クランプリング10は、その内周部11がウェハWafの外周縁部分上方に伸びている。内周部11にはウェハWaf外周縁部との適当なギャップを与える段差12がある。段差12のウェハWaf外周縁部に一番近いステップ121に、押圧部材13の一方端が固定されている。押圧部材13の他方端はステップ122側に突出している。押圧部材13は、例えば短冊状の板バネで構成され一方端がピンやネジ等により固定されている。押圧部材13押圧部材13は、内周部11に等間隔で複数設けられている。
【選択図】 図1
【解決手段】クランプリング10は、載置台Sに載置されたウェハWafの外周縁部分を押さえる。クランプリング10は、その内周部11がウェハWafの外周縁部分上方に伸びている。内周部11にはウェハWaf外周縁部との適当なギャップを与える段差12がある。段差12のウェハWaf外周縁部に一番近いステップ121に、押圧部材13の一方端が固定されている。押圧部材13の他方端はステップ122側に突出している。押圧部材13は、例えば短冊状の板バネで構成され一方端がピンやネジ等により固定されている。押圧部材13押圧部材13は、内周部11に等間隔で複数設けられている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置製造に係り、ウェハへの成膜等所定の処理のためウェハの固定に必要な、クランプリング、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造装置等に使用される成膜装置のクランプリングは、処理ウェハのより均一な温度制御のために重要である。クランプリングは、ウェハを適当な圧力で均一に載置台に押さえ付ける必要があるが、成膜面積を稼ぐためにあまり大きくウェハ上に張り出すことはできない。すなわち、クランプリングを用いつつ成膜面積を大きくしなければならない。従来、クランプリングとウェハとは面を介して接触させる構成が一般的であった。しかしながら、金属等を成膜するスパッタリング処理において、スパッタ粒子の接触部分への付着、集積を防ぐことが難しく、点接触型クランプが対策される場合も有る(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平11−145082(第3頁、図3)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、クランプリングとウェハとのギャップが大きいとスパッタ粒子の回り込みが大きくなり、またギャップが小さい場合にはスパッタ粒子の集積で貼り付きが起こるのという問題は払拭されていない。クランプリングの加工精度も十分とはいえず、僅かなひずみによりウェハの均一な押さえ込みが困難になる。
【0005】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、ウェハのより均一な押さえ込みができ、成膜粒子による貼り付きを防止するクランプリング、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るクランプリングは、載置台に載置されたウェハの外周縁部分を押さえるクランプリングであって、前記外周縁部分上方に伸びた内周部と、前記内周部下側の所定部に取付けられ、前記ウェハの外周縁部分を押さえ付ける際には相当のたわみを伴い、前記ウェハの外周縁部分から離脱する際には前記たわみの反動を利用する押圧部材と、を具備したことを特徴とする。
【0007】
本発明に係るクランプリングによれば、ウェハの押さえ付けは押圧部材のたわみを利用し、ウェハの保護、より均一な押え込みに寄与する。かつ、押圧部材のたわみの反動を利用することにより確実なウェハからの離脱を実現する。
なお、上記本発明に係るクランプリングのより好ましい実施態様として、前記内周部下側は段差が設けられ、前記押圧部材はその一方端が前記段差の一方面側に固定され、他端が前記段差の他方面側へ空中に突出した形態となっていることを特徴とする。
【0008】
本発明に係る半導体製造装置は、処理室内の載置台に置かれたウェハが固定部材により保持され、前記処理室内に導入されるガスをプラズマ化して前記ウェハに所望の処理が施される半導体製造装置であって、前記固定部材は、前記ウェハ外周縁部分上方に伸びる内周部と、前記内周部下側の所定部に取付けられ、前記ウェハの外周縁部分を押さえ付ける際には相当のたわみを伴い、前記ウェハの外周縁部分から離脱する際には前記たわみの反動を利用する押圧部材と、を具備したことを特徴とする。
【0009】
本発明に係る半導体製造装置によれば、押圧部材のたわみを利用してウェハが押さえ付けられる。これにより、ウェハの保護、より均一な押え込みに寄与する。かつ、押圧部材のたわみの反動を利用することによりウェハからの離脱を確実にする。
なお、上記本発明に係る半導体製造装置のより好ましい実施態様として、前記固定部材における前記内周部下側は段差が設けられ、前記押圧部材はその一方端が前記段差の一方面側に固定され、他端が前記段差の他方面側へ空中に突出した形態となっていることを特徴とする。
【0010】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、処理室内のウェハに関し、前記処理室内に導入されるガスのプラズマ化を伴い所望の処理が施される半導体装置の製造方法であって、前記処理中の前記ウェハの固定が、前記ウェハ外周縁部分を弾性部材で押さえ付ける方法を含み、前記ウェハの固定を外すとき前記弾性部材の反動を利用することを特徴とする。
【0011】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、ウェハの固定、開放が弾性部材による押さえ付け、その反動を利用する方法を含む。これにより、ウェハの固定ではウェハを保護すると共により均一な押え込みを達成し、ウェハの固定を外すときには、弾性部材の反動を利用することによりウェハからの離脱を確実にする。
なお、上記本発明に係る半導体装置の製造方法についてより好ましい実施態様として、前記処理は前記ウェハへの成膜処理であることを特徴とする。成膜粒子の付着からウェハと離脱し難くなるのを防止する効果を発揮する。
【0012】
【発明の実施の形態】
図1(a),(b)は、それぞれ本発明の第1実施形態に係るクランプリングの要部構成を示す断面図である。クランプリング10は、載置台Sに載置されたウェハWafの外周縁部分を押さえる。クランプリング10は、その内周部11がウェハWafの外周縁部分上方に伸びている。内周部11にはウェハWaf外周縁部との適当なギャップを与える段差12がある。段差12のウェハWaf外周縁部に一番近いステップ121は、内周部11の所定箇所で奥にえぐられるように形成されており、押圧部材13の一方端が固定されている。破線は押圧部材13のない箇所の内周部11の形態を示しており、ステップ121は設けられず、テーパー面となっている。押圧部材13の他方端はステップ122側に突出している。
【0013】
押圧部材13は、例えば短冊状の板バネで構成される。板バネは厚さ0.1mm程度、またはそれ以下で一方端がピンやネジ等により固定され、全体の長さは2.5〜3mm程度あればよい。この数値はウェハWafの径が150mm程度のものを想定し、ウェハWafの外周縁部分3mm程度またはそれ以下が内周部11に隠れるようにした構成にしている。押圧部材13押圧部材13は、内周部11に等間隔で複数設けられている。
【0014】
上記構成のクランプリング10は、ウェハWafの外周縁部分を押さえ付ける際にはクランプリング10とウェハWafが適当な距離に近付く。これにより、押圧部材13の相当のたわみを伴い、略均等な圧力でウェハを固定する(図1(b))。その際、押圧部材13の板バネはステップ122に接触してもよいが、接触しない方がより好ましい。ウェハWafを固定から外す場合、クランプリング10とウェハWafが適当な距離に遠ざかる(図1(a))。ウェハWafの外周縁部分から離脱する際には押圧部材13のたわみの反動が作用する。
【0015】
上記第1実施形態の構成によれば、ウェハWafの押さえ付けは押圧部材13のたわみを利用し、ウェハWafの保護、より均一な押え込みに寄与する。押圧部材13のたわみにより、ウェハWafの外周縁部分とのギャップが小さくなり、成膜粒子等の入り込みが大幅に低減される。かつ、ウェハWafとの離脱は押圧部材13のたわみの反動を利用する。これにより、成膜粒子等の入り込みが原因でウェハWafとクランプリング(押圧部材13)が貼り付きそうになっても確実なウェハからの離脱を実現する。
【0016】
図2(a),(b)は、それぞれ本発明の第2実施形態に係るクランプリングの要部構成を示す断面図である。クランプリング20は、図1のクランプリング10の構成に比べて押圧部材の配設が逆向きになっている。内周部21にはウェハWaf外周縁部との適当なギャップを与える段差22がある。段差22の途中のステップ221に、押圧部材23の一方端が固定されている。押圧部材23の他方端はステップ222側に突出している。押圧部材23は、第1実施形態と同様に例えば短冊状の板バネで構成され一方端がピンやネジ等により固定されている。押圧部材23は、内周部21に等間隔で複数設けられている。
【0017】
上記構成のクランプリング20においても、第1実施形態と同様である。ウェハWafの外周縁部分を押さえ付ける際にはクランプリング20とウェハWafが適当な距離に近付く。これにより、押圧部材23の相当のたわみを伴い、略均等な圧力でウェハを固定する(図2(b))。その際、押圧部材23の板バネはステップ222に接触してもよいが、接触しない方がより好ましい。ウェハWafを固定から外す場合、クランプリング20とウェハWafが適当な距離に遠ざかる(図2(a))。ウェハWafの外周縁部分から離脱する際には押圧部材23のたわみの反動が作用する。
【0018】
上記第2実施形態の構成においても、前記第1実施形態と同様の効果が得られる。ウェハWafの押さえ付けは押圧部材23のたわみを利用し、ウェハWafの保護、より均一な押え込みに寄与する。押圧部材23のたわみにより、ウェハWafの外周縁部分とのギャップが小さくなり、成膜粒子等の入り込みが大幅に低減される。かつ、ウェハWafとの離脱は押圧部材23のたわみの反動を利用する。これにより、成膜粒子等の入り込みが原因でウェハWafとクランプリング(押圧部材23)が貼り付きそうになっても確実なウェハからの離脱を実現する。
【0019】
なお、上記第1または第2実施形態の構成において、押圧部材13(23)の配する数や大きさ等は様々考えられる。押圧部材13(23)が板バネの例を示したが、その素材はステンレス、その他が考えられる。あるいは板バネでない代替品を考えてもよい。押圧部材13(23)がクランプリング10(20)に沿うリング状であるという構成も考えられる。また、クランプリング10の内周部11の形態は上記構成に限らない。ステップの数の増減、あるいはテーパー面を形成する構成等が考えられる。
【0020】
図3は、本発明の第3実施形態に係る半導体製造装置の要部を示す構成図であり、本発明に係るクランプリングを含むスパッタリング装置を示している。半導体装置の製造方法を踏まえて説明する。真空チャンバー35内部には下部電極部となるウェハWafの載置台(ヒータ)36及び上部電極部となるターゲット37が配備されている。クランプリング30は、前記第1実施形態または第2実施形態に示す押圧部材と同等、またはそれに準ずる弾性部材33を有する。ターゲット37は、載置台36と共に高周波電源38に接続されている。載置台36は図示しない昇降制御機構につながり昇降する。チャンバー35内部への不活性ガスなどの処理ガスの導入、また、チャンバー35外部への排気は矢印で示す。
【0021】
ウェハWafは載置台36がクランプリング30に近付くことで前記第1実施形態または第2実施形態に示すのと同様な押圧部材(弾性部材33)に接触し、保持される。すなわち、弾性部材33がたわむことによってウェハWafは略均等に押さえ付けられ、固定される。チャンバー35内に導入された処理ガスは電源38の電力によりプラズマ化され、ウェハにスパッタ成膜処理が施される。成膜処理後、スパッタ粒子が僅かながらクランプリング30とウェハWafの間に入り込んでいたとしても貼り付きの懸念は解消される。すなわち、ウェハWafとの離脱は弾性部材33のたわみの反動を利用する。これにより、成膜粒子等の入り込みが原因でウェハWafとクランプリング(弾性部材33)が貼り付きそうになっても確実なウェハからの離脱を実現する。
【0022】
上記第3実施形態に係る半導体製造装置、それに伴う半導体装置の製造方法によれば、ウェハWafの固定、開放が弾性部材33による押さえ付け、その反動を利用する方法を含む。これにより、ウェハWafの固定ではウェハ保護と共により均一な押え込みを達成し、ウェハの固定を外すときには、弾性部材33の反動を利用することによりウェハからの離脱を確実にする。なお、弾性部材33は上述したような第1、第2実施形態に係る押圧部材の他、この半導体製造装置のチャンバー35内に用いることのできる金属、または金属以外の物質で構成してもよい。
【0023】
以上説明したように、本発明によれば、押圧部材またはそれに準ずる弾性部材のたわみを利用してウェハが押さえ付けられる。これにより、ウェハの保護、より均一な押え込みに寄与する。かつ、押圧部材またはそれに準ずる弾性部材のたわみの反動を利用することによりウェハからの離脱を確実にする。これにより、ウェハとクランプリングが貼り付きそうになってもウェハからの離脱は容易である。この結果、ウェハのより均一な押さえ込みができ、成膜粒子による貼り付きを防止するクランプリング、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係るクランプリングの要部構成を示す各図。
【図2】第2実施形態に係るクランプリングの要部構成を示す各図。
【図3】第3実施形態に係る半導体製造装置の要部を示す構成図。
【符号の説明】
10,20…クランプリング、11,21…内周部、12,22…段差、121〜123,221,222…ステップ、13,23…押圧部材、33…弾性部材、35…真空チャンバー、36,S…載置台(ヒータ)、37…ターゲット、38…電源、Waf…半導体ウェハ。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置製造に係り、ウェハへの成膜等所定の処理のためウェハの固定に必要な、クランプリング、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造装置等に使用される成膜装置のクランプリングは、処理ウェハのより均一な温度制御のために重要である。クランプリングは、ウェハを適当な圧力で均一に載置台に押さえ付ける必要があるが、成膜面積を稼ぐためにあまり大きくウェハ上に張り出すことはできない。すなわち、クランプリングを用いつつ成膜面積を大きくしなければならない。従来、クランプリングとウェハとは面を介して接触させる構成が一般的であった。しかしながら、金属等を成膜するスパッタリング処理において、スパッタ粒子の接触部分への付着、集積を防ぐことが難しく、点接触型クランプが対策される場合も有る(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平11−145082(第3頁、図3)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、クランプリングとウェハとのギャップが大きいとスパッタ粒子の回り込みが大きくなり、またギャップが小さい場合にはスパッタ粒子の集積で貼り付きが起こるのという問題は払拭されていない。クランプリングの加工精度も十分とはいえず、僅かなひずみによりウェハの均一な押さえ込みが困難になる。
【0005】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、ウェハのより均一な押さえ込みができ、成膜粒子による貼り付きを防止するクランプリング、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るクランプリングは、載置台に載置されたウェハの外周縁部分を押さえるクランプリングであって、前記外周縁部分上方に伸びた内周部と、前記内周部下側の所定部に取付けられ、前記ウェハの外周縁部分を押さえ付ける際には相当のたわみを伴い、前記ウェハの外周縁部分から離脱する際には前記たわみの反動を利用する押圧部材と、を具備したことを特徴とする。
【0007】
本発明に係るクランプリングによれば、ウェハの押さえ付けは押圧部材のたわみを利用し、ウェハの保護、より均一な押え込みに寄与する。かつ、押圧部材のたわみの反動を利用することにより確実なウェハからの離脱を実現する。
なお、上記本発明に係るクランプリングのより好ましい実施態様として、前記内周部下側は段差が設けられ、前記押圧部材はその一方端が前記段差の一方面側に固定され、他端が前記段差の他方面側へ空中に突出した形態となっていることを特徴とする。
【0008】
本発明に係る半導体製造装置は、処理室内の載置台に置かれたウェハが固定部材により保持され、前記処理室内に導入されるガスをプラズマ化して前記ウェハに所望の処理が施される半導体製造装置であって、前記固定部材は、前記ウェハ外周縁部分上方に伸びる内周部と、前記内周部下側の所定部に取付けられ、前記ウェハの外周縁部分を押さえ付ける際には相当のたわみを伴い、前記ウェハの外周縁部分から離脱する際には前記たわみの反動を利用する押圧部材と、を具備したことを特徴とする。
【0009】
本発明に係る半導体製造装置によれば、押圧部材のたわみを利用してウェハが押さえ付けられる。これにより、ウェハの保護、より均一な押え込みに寄与する。かつ、押圧部材のたわみの反動を利用することによりウェハからの離脱を確実にする。
なお、上記本発明に係る半導体製造装置のより好ましい実施態様として、前記固定部材における前記内周部下側は段差が設けられ、前記押圧部材はその一方端が前記段差の一方面側に固定され、他端が前記段差の他方面側へ空中に突出した形態となっていることを特徴とする。
【0010】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、処理室内のウェハに関し、前記処理室内に導入されるガスのプラズマ化を伴い所望の処理が施される半導体装置の製造方法であって、前記処理中の前記ウェハの固定が、前記ウェハ外周縁部分を弾性部材で押さえ付ける方法を含み、前記ウェハの固定を外すとき前記弾性部材の反動を利用することを特徴とする。
【0011】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、ウェハの固定、開放が弾性部材による押さえ付け、その反動を利用する方法を含む。これにより、ウェハの固定ではウェハを保護すると共により均一な押え込みを達成し、ウェハの固定を外すときには、弾性部材の反動を利用することによりウェハからの離脱を確実にする。
なお、上記本発明に係る半導体装置の製造方法についてより好ましい実施態様として、前記処理は前記ウェハへの成膜処理であることを特徴とする。成膜粒子の付着からウェハと離脱し難くなるのを防止する効果を発揮する。
【0012】
【発明の実施の形態】
図1(a),(b)は、それぞれ本発明の第1実施形態に係るクランプリングの要部構成を示す断面図である。クランプリング10は、載置台Sに載置されたウェハWafの外周縁部分を押さえる。クランプリング10は、その内周部11がウェハWafの外周縁部分上方に伸びている。内周部11にはウェハWaf外周縁部との適当なギャップを与える段差12がある。段差12のウェハWaf外周縁部に一番近いステップ121は、内周部11の所定箇所で奥にえぐられるように形成されており、押圧部材13の一方端が固定されている。破線は押圧部材13のない箇所の内周部11の形態を示しており、ステップ121は設けられず、テーパー面となっている。押圧部材13の他方端はステップ122側に突出している。
【0013】
押圧部材13は、例えば短冊状の板バネで構成される。板バネは厚さ0.1mm程度、またはそれ以下で一方端がピンやネジ等により固定され、全体の長さは2.5〜3mm程度あればよい。この数値はウェハWafの径が150mm程度のものを想定し、ウェハWafの外周縁部分3mm程度またはそれ以下が内周部11に隠れるようにした構成にしている。押圧部材13押圧部材13は、内周部11に等間隔で複数設けられている。
【0014】
上記構成のクランプリング10は、ウェハWafの外周縁部分を押さえ付ける際にはクランプリング10とウェハWafが適当な距離に近付く。これにより、押圧部材13の相当のたわみを伴い、略均等な圧力でウェハを固定する(図1(b))。その際、押圧部材13の板バネはステップ122に接触してもよいが、接触しない方がより好ましい。ウェハWafを固定から外す場合、クランプリング10とウェハWafが適当な距離に遠ざかる(図1(a))。ウェハWafの外周縁部分から離脱する際には押圧部材13のたわみの反動が作用する。
【0015】
上記第1実施形態の構成によれば、ウェハWafの押さえ付けは押圧部材13のたわみを利用し、ウェハWafの保護、より均一な押え込みに寄与する。押圧部材13のたわみにより、ウェハWafの外周縁部分とのギャップが小さくなり、成膜粒子等の入り込みが大幅に低減される。かつ、ウェハWafとの離脱は押圧部材13のたわみの反動を利用する。これにより、成膜粒子等の入り込みが原因でウェハWafとクランプリング(押圧部材13)が貼り付きそうになっても確実なウェハからの離脱を実現する。
【0016】
図2(a),(b)は、それぞれ本発明の第2実施形態に係るクランプリングの要部構成を示す断面図である。クランプリング20は、図1のクランプリング10の構成に比べて押圧部材の配設が逆向きになっている。内周部21にはウェハWaf外周縁部との適当なギャップを与える段差22がある。段差22の途中のステップ221に、押圧部材23の一方端が固定されている。押圧部材23の他方端はステップ222側に突出している。押圧部材23は、第1実施形態と同様に例えば短冊状の板バネで構成され一方端がピンやネジ等により固定されている。押圧部材23は、内周部21に等間隔で複数設けられている。
【0017】
上記構成のクランプリング20においても、第1実施形態と同様である。ウェハWafの外周縁部分を押さえ付ける際にはクランプリング20とウェハWafが適当な距離に近付く。これにより、押圧部材23の相当のたわみを伴い、略均等な圧力でウェハを固定する(図2(b))。その際、押圧部材23の板バネはステップ222に接触してもよいが、接触しない方がより好ましい。ウェハWafを固定から外す場合、クランプリング20とウェハWafが適当な距離に遠ざかる(図2(a))。ウェハWafの外周縁部分から離脱する際には押圧部材23のたわみの反動が作用する。
【0018】
上記第2実施形態の構成においても、前記第1実施形態と同様の効果が得られる。ウェハWafの押さえ付けは押圧部材23のたわみを利用し、ウェハWafの保護、より均一な押え込みに寄与する。押圧部材23のたわみにより、ウェハWafの外周縁部分とのギャップが小さくなり、成膜粒子等の入り込みが大幅に低減される。かつ、ウェハWafとの離脱は押圧部材23のたわみの反動を利用する。これにより、成膜粒子等の入り込みが原因でウェハWafとクランプリング(押圧部材23)が貼り付きそうになっても確実なウェハからの離脱を実現する。
【0019】
なお、上記第1または第2実施形態の構成において、押圧部材13(23)の配する数や大きさ等は様々考えられる。押圧部材13(23)が板バネの例を示したが、その素材はステンレス、その他が考えられる。あるいは板バネでない代替品を考えてもよい。押圧部材13(23)がクランプリング10(20)に沿うリング状であるという構成も考えられる。また、クランプリング10の内周部11の形態は上記構成に限らない。ステップの数の増減、あるいはテーパー面を形成する構成等が考えられる。
【0020】
図3は、本発明の第3実施形態に係る半導体製造装置の要部を示す構成図であり、本発明に係るクランプリングを含むスパッタリング装置を示している。半導体装置の製造方法を踏まえて説明する。真空チャンバー35内部には下部電極部となるウェハWafの載置台(ヒータ)36及び上部電極部となるターゲット37が配備されている。クランプリング30は、前記第1実施形態または第2実施形態に示す押圧部材と同等、またはそれに準ずる弾性部材33を有する。ターゲット37は、載置台36と共に高周波電源38に接続されている。載置台36は図示しない昇降制御機構につながり昇降する。チャンバー35内部への不活性ガスなどの処理ガスの導入、また、チャンバー35外部への排気は矢印で示す。
【0021】
ウェハWafは載置台36がクランプリング30に近付くことで前記第1実施形態または第2実施形態に示すのと同様な押圧部材(弾性部材33)に接触し、保持される。すなわち、弾性部材33がたわむことによってウェハWafは略均等に押さえ付けられ、固定される。チャンバー35内に導入された処理ガスは電源38の電力によりプラズマ化され、ウェハにスパッタ成膜処理が施される。成膜処理後、スパッタ粒子が僅かながらクランプリング30とウェハWafの間に入り込んでいたとしても貼り付きの懸念は解消される。すなわち、ウェハWafとの離脱は弾性部材33のたわみの反動を利用する。これにより、成膜粒子等の入り込みが原因でウェハWafとクランプリング(弾性部材33)が貼り付きそうになっても確実なウェハからの離脱を実現する。
【0022】
上記第3実施形態に係る半導体製造装置、それに伴う半導体装置の製造方法によれば、ウェハWafの固定、開放が弾性部材33による押さえ付け、その反動を利用する方法を含む。これにより、ウェハWafの固定ではウェハ保護と共により均一な押え込みを達成し、ウェハの固定を外すときには、弾性部材33の反動を利用することによりウェハからの離脱を確実にする。なお、弾性部材33は上述したような第1、第2実施形態に係る押圧部材の他、この半導体製造装置のチャンバー35内に用いることのできる金属、または金属以外の物質で構成してもよい。
【0023】
以上説明したように、本発明によれば、押圧部材またはそれに準ずる弾性部材のたわみを利用してウェハが押さえ付けられる。これにより、ウェハの保護、より均一な押え込みに寄与する。かつ、押圧部材またはそれに準ずる弾性部材のたわみの反動を利用することによりウェハからの離脱を確実にする。これにより、ウェハとクランプリングが貼り付きそうになってもウェハからの離脱は容易である。この結果、ウェハのより均一な押さえ込みができ、成膜粒子による貼り付きを防止するクランプリング、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係るクランプリングの要部構成を示す各図。
【図2】第2実施形態に係るクランプリングの要部構成を示す各図。
【図3】第3実施形態に係る半導体製造装置の要部を示す構成図。
【符号の説明】
10,20…クランプリング、11,21…内周部、12,22…段差、121〜123,221,222…ステップ、13,23…押圧部材、33…弾性部材、35…真空チャンバー、36,S…載置台(ヒータ)、37…ターゲット、38…電源、Waf…半導体ウェハ。
Claims (6)
- 載置台に載置されたウェハの外周縁部分を押さえるクランプリングであって、
前記外周縁部分上方に伸びた内周部と、
前記内周部下側の所定部に取付けられ、前記ウェハの外周縁部分を押さえ付ける際には相当のたわみを伴い、前記ウェハの外周縁部分から離脱する際には前記たわみの反動を利用する押圧部材と、
を具備したことを特徴とするクランプリング。 - 前記内周部下側は段差が設けられ、前記押圧部材はその一方端が前記段差の一方面側に固定され、他端が前記段差の他方面側へ空中に突出した形態となっていることを特徴とする請求項1記載のクランプリング。
- 処理室内の載置台に置かれたウェハが固定部材により保持され、前記処理室内に導入されるガスをプラズマ化して前記ウェハに所望の処理が施される半導体製造装置であって、
前記固定部材は、前記ウェハ外周縁部分上方に伸びる内周部と、前記内周部下側の所定部に取付けられ、前記ウェハの外周縁部分を押さえ付ける際には相当のたわみを伴い、前記ウェハの外周縁部分から離脱する際には前記たわみの反動を利用する押圧部材と、を具備したことを特徴とする半導体製造装置。 - 前記固定部材における前記内周部下側は段差が設けられ、前記押圧部材はその一方端が前記段差の一方面側に固定され、他端が前記段差の他方面側へ空中に突出した形態となっていることを特徴とする請求項4記載の半導体製造装置。
- 処理室内のウェハに関し、前記処理室内に導入されるガスのプラズマ化を伴い所望の処理が施される半導体装置の製造方法であって、
前記処理中の前記ウェハの固定が、前記ウェハ外周縁部分を弾性部材で押さえ付ける方法を含み、前記ウェハの固定を外すとき前記弾性部材の反動を利用することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記処理は前記ウェハへの成膜処理であることを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
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