CN117238743A - 改善晶圆边缘环状缺陷的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种改善晶圆边缘环状缺陷的方法，包括：在反应腔室内壁及内部部件表面形成保护膜；将待刻蚀晶圆放置于反应腔室内的静电吸盘上；向反应腔室内通入反应气体；开启射频，在反应腔室内形成等离子体与离子鞘；开启高电压，静电吸盘吸附待刻蚀晶圆；向待刻蚀晶圆背面通入制冷气体。本发明在反应腔室内壁及内部部件表面形成保护膜，能够减少刻蚀过程中金属离子掉落到晶圆上的风险，并且先开启射频，再开启高电压，最后向晶圆背面通入制冷气体，制冷气体开启造成带正电的粉尘飞扬，由于等离子体与离子鞘的存在，粉尘无法进入晶圆上方，从而能够防止粉尘掉落在晶圆上，从而能够改善晶圆边缘的环状缺陷，提高晶圆良率，减少晶圆报废的风险。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种改善晶圆边缘环状缺陷的方法。
背景技术
在制作集成电路的硅片上形成预期图形主要是通过刻蚀工艺完成的，现有的刻蚀方法主要包括湿法刻蚀和干法刻蚀两类。湿法刻蚀由于缺乏各向异性，并且存在过度的颗粒污染，通常被用于非关键尺寸的任务中。干法刻蚀中最常用的是等离子刻蚀，与湿法刻蚀相比，等离子刻蚀具有相对较高的各向异性，相对较少的颗粒污染，因此对于较小的特征尺寸的晶片的刻蚀非常重要。
等离子刻蚀的基本原理是利用射频产生包含离子、电子等带电粒子以及具有高度化学活性的中性原子、分子及自由基的等离子体（plasma），与未被涂胶层覆盖的膜层反应。然而在对晶圆进行等离子刻蚀时，真空反应腔室内的等离子体不仅会对膜层进行刻蚀，还会对暴露在等离子体中的真空反应腔室的内壁及内部部件造成刻蚀，由于反应腔室内壁及内部部件多为氧化铝基底材料，当暴露在等离子体环境中时，会发生金属污染的风险，金属离子掉落在晶圆的膜层上会造成晶圆缺陷。因此解决该缺陷的主要方法是要将金属离子去除，目前的做法是将现有反应腔室在进入晶圆之前，先在腔体内壁镀上一层薄膜，从而有效减少金属离子掉落在晶圆上的风险。
然而，上述方法会衍生出另一个问题，即晶圆边缘容易形成环状缺陷，影响良率并增加了晶圆报废的风险。
发明内容
本发明的目的在于提供一种改善晶圆边缘环状缺陷的方法，在反应腔室内部形成保护膜减少金属离子掉落造成晶圆缺陷的风险，并且通过改善射频、高电压以及致冷气体开启的顺序改善晶圆边缘的环状缺陷，提高晶圆良率，减少晶圆报废的风险。
为解决上述技术问题，本发明提供一种改善晶圆边缘环状缺陷的方法，包括以下步骤：
在反应腔室内壁及内部部件表面形成保护膜；
将待刻蚀晶圆放置于所述反应腔室内的静电吸盘上；
向所述反应腔室内通入反应气体；
开启射频，在所述反应腔室内形成等离子体与离子鞘；
开启高电压，所述静电吸盘吸附所述待刻蚀晶圆；以及，
向所述待刻蚀晶圆背面通入制冷气体。
可选的，向所述反应腔室内通入镀膜气体以在所述反应腔室内壁及内部部件表面形成保护膜。
可选的，所述镀膜气体为包含硅的气体。
可选的，所述保护膜包括四氯化硅。
可选的，所述待刻蚀晶圆上形成有待刻蚀的膜层，所述膜层上涂覆有图形化的光刻胶层。
可选的，所述离子鞘位于所述待刻蚀晶圆上方，所述离子鞘在靠近所述待刻蚀晶圆表面处为负电荷，在远离所述待刻蚀晶圆表面处为正电荷。
可选的，所述等离子体在所述离子鞘的作用下轰击所述待刻蚀晶圆从而对未被所述图形化的光刻胶层覆盖的膜层进行刻蚀。
可选的，所述制冷气体包括氦气。
可选的，完成刻蚀之后还包括：将刻蚀完成的晶圆从所述反应腔室内取出，向所述反应腔室内通入去除气体，去除所述保护膜。
可选的，所述内部部件是所述反应腔室内与等离体子接触的部件，所述内部部件包括静电吸盘。
综上所述，本发明提供的改善晶圆边缘环状缺陷的方法中，首先在反应腔室内壁及内部部件表面形成保护膜，接着将待刻蚀晶圆放置于所述反应腔室内的静电吸盘上，然后向所述反应腔室内通入反应气体，接着开启射频，在所述反应腔室内产生等离子体与离子鞘，之后开启高电压，所述静电吸盘吸附所述晶圆，然后向所述晶圆背面通入制冷气体。本发明在反应腔室内壁及内部部件表面形成保护膜，能够减少刻蚀过程中金属离子掉落到晶圆上的风险，并且在将待刻蚀晶圆放置于所述反应腔室内的静电吸盘上之后，先开启射频，在反应腔室内形成等离子体与离子鞘，再开启高电压使得静电吸盘吸附晶圆，最后向晶圆背面通入制冷气体，制冷气体开启造成带正电的粉尘飞扬，意想不到的效果是由于等离子体与离子鞘的存在，粉尘无法进入晶圆上方，从而能够防止粉尘掉落在晶圆上尤其是晶圆的边缘，从而能够改善晶圆边缘的环状缺陷，提高晶圆良率，减少晶圆报废的风险。
附图说明
本领域的普通技术人员将会理解，提供的附图用于更好地理解本发明，而不对本发明的范围构成任何限定。其中：
图1是现有技术中向反应腔室内通入反应气体的结构示意图。
图2是现有技术中开启电压的结构示意图。
图3是现有技术中向反应腔室内通入制冷气体的结构示意图。
图4是现有技术中开启射频的结构示意图。
图5是形成保护膜前后的粉尘检测示意图。
图6是采用现有方法进行刻蚀时晶圆图形缺陷的示意图。
图7是本发明一实施例提供的改善晶圆边缘环状缺陷的方法的流程图。
图8是本发明一实施例提供的在反应腔室内壁及内部部件表面形成保护膜的结构示意图。
图9是本发明一实施例提供的将待刻蚀晶圆放置于所述反应腔室内的静电吸盘上的结构示意图。
图10是本发明一实施例提供的向所述反应腔室内通入反应气体的结构示意图。
图11是本发明一实施例提供的开启射频的结构示意图。
图12是本发明一实施例提供的开启高电压之后的结构示意图。
图13是本发明一实施例提供的向待刻蚀晶圆背面通入制冷气体的结构示意图。
图14是本发明一实施例提供的向所述反应腔室内通入去除气体的结构示意图。
图15是本发明一实施例提供的去除保护膜之后的结构示意图。
附图标记：
图1至图4中，1-反应腔室；2-待刻蚀晶圆；3-静电吸盘；4-负电荷；5-粉尘；6-等离子体；7-离子鞘。
图8至图15中，10-反应腔室；11-保护膜；12-静电吸盘；13-待刻蚀晶圆；14-等离子体；15-离子鞘；16-粉尘。
具体实施方式
为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
如在本发明中所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”包括复数对象，除非内容另外明确指出外。如在本发明中所使用的，术语“或”通常是以包括“和/或”的含义而进行使用的，除非内容另外明确指出外。如在本发明中所使用的，术语“若干”通常是以包括“至少一个”的含义而进行使用的，除非内容另外明确指出外。如在本发明中所使用的，术语“至少两个”通常是以包括“两个或两个以上”的含义而进行使用的，除非内容另外明确指出外。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者至少两个该特征，除非内容另外明确指出外。
为了降低金属离子掉落造成的晶圆缺陷，在现有的反应腔室的内壁及内部部件表面上形成保护膜，从而可以避免等离子体对反应腔室内壁及内部部件造成的腐蚀，以此避免金属离子掉落在晶圆上，避免晶圆发生缺陷。然而，该改进方法容易在晶圆边缘造成环状缺陷。
图1至图4是现有技术中进行等离子体刻蚀的过程示意图，其中，图1是现有技术中向反应腔室内通入反应气体的结构示意图，图2是现有技术中开启电压的结构示意图，图3是现有技术中向反应腔室内通入制冷气体的结构示意图，图4是现有技术中开启射频的结构示意图。请参考图1所示，将待刻蚀晶圆2放置于反应腔室1内的静电吸盘3上，然后向反应腔室1内通入反应气体。请参考图2所示，开启高电压，所述静电吸盘3吸附所述待刻蚀晶圆2，且在所述待刻蚀晶圆2表面形成负电荷4。请参考图3所示，向所述待刻蚀晶圆2背面通入制冷气体，所述制冷气体用于降低所述待刻蚀晶圆2的温度，避免所述待刻蚀晶圆2过热。请参考图4所示，开启射频，使得所述反应腔室1内的反应气体形成等离子体6，并且在待刻蚀晶圆2上方形成离子鞘7（Ion Sheath），等离子体6在离子鞘7的高电位差的作用下加速轰击所述待刻蚀晶圆2，以对所述待刻蚀晶圆2进行刻蚀。
为了防止金属离子直接掉落在晶圆表面造成金属污染，通常在所述反应腔室1内壁以及内部部件表面镀有保护膜，制冷气体开启会使得所述待刻蚀晶圆2背面的部件上（例如静电吸盘3上）的带正电的粉尘5飞扬（由保护膜所造成的粉尘），被带负电荷4的待刻蚀晶圆2吸引而掉落在晶圆2边缘。而掉落在待刻蚀晶圆2边缘的粉尘5造成晶圆边缘的环状缺陷。
图5是形成保护膜前后的粉尘检测示意图，请参考图5所示，在形成保护膜前反应腔室内的粉尘检测是符合量产规格的，在其他条件都没有发生变化的情况下，在形成保护膜之后，反应腔室内粉尘开始变多。说明反应腔室内的粉尘是由于反应腔室内形成的保护膜的膜质松散造成的。
制冷气体开启时造成扬尘落在晶圆上而在晶圆的边缘造成如图6所示的环状缺陷。若直接关掉制冷气体，能够解决该缺陷，但是又会存在晶圆过热的问题，因此需要避免因制冷气体开启造成的飞扬的粉尘落在晶圆上。
经过进一步研究，申请人提供一种改善晶圆边缘环状缺陷的方法。
图7是本发明一实施例提供的改善晶圆边缘环状缺陷的方法的流程图。如图7所示，所述改善晶圆边缘环状缺陷的方法包括以下步骤：
S1：在反应腔室内壁及内部部件表面形成保护膜；
S2：将待刻蚀晶圆放置于所述反应腔室内的静电吸盘上；
S3：向所述反应腔室内通入反应气体；
S4：开启射频，在所述反应腔室内形成等离子体与离子鞘；
S5：开启高电压，所述静电吸盘吸附所述待刻蚀晶圆；以及
S6：向所述待刻蚀晶圆背面通入制冷气体。
图8至图15是本发明一实施例提供的进行等离子体刻蚀的各步骤结构示意图。接下来，将结合图7与图8至图15对本发明实施例所提供的改善晶圆边缘环状缺陷的方法进行详细说明。
在步骤S1中，请参考图8所示，在反应腔室10内壁及内部部件表面形成保护膜11。
本实施例中，所述反应腔室10为进行等离子体刻蚀的反应腔室，其为真空反应腔室。在进行刻蚀之前，且在将待刻蚀晶圆放入所述反应腔室10之前，在所述反应腔室10的内壁及内部器件表面形成保护膜11。
示例性的，向所述反应腔室10内通入镀膜气体以在所述反应腔室10内壁及内部部件表面形成保护膜11。所述镀膜气体为包含硅的气体，所述保护膜11包括四氯化硅，但不限于此。所述保护膜11用于防止所述待刻蚀晶圆刻蚀时等离子体对暴露在等离子体中的反应腔室内壁及内部部件造成的腐蚀，金属离子直接落入晶圆表面造成金属离子污染的问题。
所述内部部件是所述反应腔室10内与等离子体接触的部件，本实施例中，所述内部部件包括静电吸盘12，用于放置并吸附所述待刻蚀晶圆。当然，还可以包括用于支撑所述静电吸盘12的支撑台，图8至图15中并未对所述静电吸盘12与所述支撑台进行区分。
在步骤S2中，请参考图9所示，将待刻蚀晶圆13放置于所述反应腔室10内的静电吸盘12上。具体的，由于所述静电吸盘12上形成有所述保护膜11，因此与所述待刻蚀晶圆13最接近的是所述保护膜11，从而在后续开启制冷气体时，会造成待刻蚀晶圆13背面的带正电的粉尘飞扬。
所述待刻蚀晶圆13上形成有待刻蚀的膜层（未图示），所述膜层上涂覆有图形化的光刻胶层（未图示），所述图形化的光刻胶层暴露出待被刻蚀去除的膜层。
在步骤S3中，请参考图10所示，向所述反应腔室10内通入反应气体。所述反应气体为刻蚀气体，用于刻蚀所述待刻蚀晶圆13上的膜层，可以根据具体的膜层材料确定相对应的所述反应气体。
在步骤S4中，请参考图11所示，开启射频，在所述反应腔室10内形成等离子体14与离子鞘15。
在射频的作用下，所述反应气体分子与电子碰撞会激发电离形成等离子体14。请参考图11所示，所述等离体子14主要位于所述反应腔室10上方，即位于所述待刻蚀晶圆13的上方。
并且，在射频的作用下，在所述待刻蚀晶圆12上方形成离子鞘15，所述离子鞘15靠近晶圆表面快速移动的电子会吸附在晶圆上使其在靠近所述待刻蚀晶圆13表面处为负电荷，在远离所述待刻蚀晶圆13表面处为正电荷。
请参考图11所示，所述离子鞘15位于所述待刻蚀晶圆13上方，所述等离体子14位于所述离子鞘15上方，所述等离子体14在所述离子鞘15的高电位差的作用下加速轰击所述待刻蚀晶圆13从而对未被所述图形化的光刻胶层覆盖的膜层进行刻蚀。
在步骤S5中，请参考图12所示，开启高电压，所述静电吸盘12吸附所述待刻蚀晶圆13。
所述静电吸盘12在高电压的作用下吸附所述待刻蚀晶圆13，使得所述待刻蚀晶圆13固定于所述静电吸盘12上。
在步骤S6中，请参考图13所示，向所述待刻蚀晶圆13背面通入制冷气体。
制冷气体从所述待刻蚀晶圆13的背面通入所述反应腔室10，由于静电吸盘12上形成有保护膜11，制冷气体开启会造成带正电的粉尘16飞扬。然而，由于所述待刻蚀晶圆13的上方已经形成有所述离子鞘15与等离子体14，并且所述离子鞘15为高电压差区域，所述粉尘16并无法飞扬到所述待刻蚀晶圆13的上方，因此所述粉尘16并无法掉落于所述待刻蚀晶圆13上，从而可以避免在所述待刻蚀晶圆13上形成环状缺陷。
本实施例中，所述制冷气体包含氦气，但不限于此。
需要说明的是，向所述反应腔室10内通入反应气体之后，开启射频、开启高电压以及向待刻蚀晶圆13背面通入制冷气体虽然有先后顺序，但是间隔非常短，之后所述待刻蚀晶圆13被等离子体刻蚀。待晶圆刻蚀完成之后，可以先关闭高电压、关闭制冷气体，并关闭射频。
完成刻蚀之后，所述改善晶圆边缘环状缺陷的方法还包括：将刻蚀完成的晶圆从所述反应腔室内取出，然后向所述反应腔室内通入去除气体，去除所述保护膜。图14是本发明一实施例提供的向所述反应腔室内通入去除气体的结构示意图，图15是本发明一实施例提供的去除保护膜之后的结构示意图。请参考图14所示，取出刻蚀完成的晶圆之后，向所述反应腔室10内通入去除气体，用于去除所述保护膜11，形成如图15所示的结构。
然后，在对下一个待刻蚀晶圆进行刻蚀时，需要重新在反应腔室内部及内部部件表面形成保护膜，即重新执行步骤S1。
综上所述，本发明提供的改善晶圆边缘环状缺陷的方法中，首先在反应腔室内壁及内部部件表面形成保护膜，接着将待刻蚀晶圆放置于所述反应腔室内的静电吸盘上，然后向所述反应腔室内通入反应气体，接着开启射频，在所述反应腔室内产生等离子体与离子鞘，之后开启高电压，所述静电吸盘吸附所述晶圆，然后向所述晶圆背面通入制冷气体。本发明在反应腔室内壁及内部部件表面形成保护膜，能够减少刻蚀过程中金属离子掉落到晶圆上的风险，并且在将待刻蚀晶圆放置于所述反应腔室内的静电吸盘上之后，先开启射频，在反应腔室内形成等离子体与离子鞘，再开启高电压使得静电吸盘吸附晶圆，最后向晶圆背面通入制冷气体，制冷气体开启造成带正电的粉尘飞扬，意想不到的效果是由于等离子体与离子鞘的存在，粉尘无法进入晶圆上方，从而能够防止粉尘掉落在晶圆上尤其是晶圆的边缘，从而能够改善晶圆边缘的环状缺陷，提高晶圆良率，减少晶圆报废的风险。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明权利范围的任何限定，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (10)
1.一种改善晶圆边缘环状缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：
在反应腔室内壁及内部部件表面形成保护膜；
将待刻蚀晶圆放置于所述反应腔室内的静电吸盘上；
向所述反应腔室内通入反应气体；
开启射频，在所述反应腔室内形成等离子体与离子鞘；
开启高电压，所述静电吸盘吸附所述待刻蚀晶圆；以及，
向所述待刻蚀晶圆背面通入制冷气体。
2.根据权利要求1所述的改善晶圆边缘环状缺陷的方法，其特征在于，向所述反应腔室内通入镀膜气体以在所述反应腔室内壁及内部部件表面形成保护膜。
3.根据权利要求2所述的改善晶圆边缘环状缺陷的方法，其特征在于，所述镀膜气体为包含硅的气体。
4.根据权利要求3所述的改善晶圆边缘环状缺陷的方法，其特征在于，所述保护膜包括四氯化硅。
5.根据权利要求1所述的改善晶圆边缘环状缺陷的方法，其特征在于，所述待刻蚀晶圆上形成有待刻蚀的膜层，所述膜层上涂覆有图形化的光刻胶层。
6.根据权利要求5所述的改善晶圆边缘环状缺陷的方法，其特征在于，所述离子鞘位于所述待刻蚀晶圆上方，所述离子鞘在靠近所述待刻蚀晶圆表面处为负电荷，在远离所述待刻蚀晶圆表面处为正电荷。
7.根据权利要求6所述的改善晶圆边缘环状缺陷的方法，其特征在于，所述等离子体在所述离子鞘的作用下轰击所述待刻蚀晶圆从而对未被所述图形化的光刻胶层覆盖的膜层进行刻蚀。
8.根据权利要求1所述的改善晶圆边缘环状缺陷的方法，其特征在于，所述制冷气体包括氦气。
9.根据权利要求1所述的改善晶圆边缘环状缺陷的方法，其特征在于，完成刻蚀之后还包括：将刻蚀完成的晶圆从所述反应腔室内取出，向所述反应腔室内通入去除气体，去除所述保护膜。
10.根据权利要求1所述的改善晶圆边缘环状缺陷的方法，其特征在于，所述内部部件是所述反应腔室内与等离体子接触的部件，所述内部部件包括静电吸盘。
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Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5401356A (en) * | 1991-08-12 | 1995-03-28 | Hitachi, Ltd. | Method and equipment for plasma processing |
| KR19990047422A (ko) * | 1997-12-04 | 1999-07-05 | 구본준 | 웨이퍼 건식각장치에서의 이물질 제어방법 |
| JP2004260159A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-09-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、リング部材およびプラズマ処理方法 |
| JP2005044923A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Seiko Epson Corp | クランプリング、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR20080086017A (ko) * | 2007-03-21 | 2008-09-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비 및 그의 제어방법 |
| CN101393841A (zh) * | 2007-09-21 | 2009-03-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种反应离子蚀刻方法 |
| US20090122458A1 (en) * | 2007-11-14 | 2009-05-14 | Varian Semiconductor Epuipment Associated, Inc. | Embossed electrostatic chuck |
| CN105097445A (zh) * | 2014-05-09 | 2015-11-25 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 去除蚀刻室中的颗粒的方法 |
| CN105336563A (zh) * | 2014-07-24 | 2016-02-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 刻蚀装置及刻蚀方法 |
| CN107574422A (zh) * | 2017-09-06 | 2018-01-12 | 睿力集成电路有限公司 | 半导体生产设备及其清洗方法 |
| CN109841475A (zh) * | 2017-11-28 | 2019-06-04 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 预处理方法及晶片处理方法 |
| CN114743901A (zh) * | 2022-05-06 | 2022-07-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺腔室、晶圆释放方法和半导体工艺设备 |
| CN114864442A (zh) * | 2022-04-26 | 2022-08-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及其处理方法 |
| CN115206766A (zh) * | 2022-07-28 | 2022-10-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 等离子体生成装置、半导体工艺设备及晶圆处理方法 |
| CN115881622A (zh) * | 2023-01-29 | 2023-03-31 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种晶圆键合的方法 |
| CN115985748A (zh) * | 2023-02-17 | 2023-04-18 | 上海积塔半导体有限公司 | 电容耦合等离子体射频模式下晶圆解吸附方法及装置 |
| WO2023116896A1 (zh) * | 2021-12-24 | 2023-06-29 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 | 一种去除离子束刻蚀系统颗粒的方法和离子束刻蚀系统 |
-
2023
- 2023-11-10 CN CN202311490234.4A patent/CN117238743B/zh active Active
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5401356A (en) * | 1991-08-12 | 1995-03-28 | Hitachi, Ltd. | Method and equipment for plasma processing |
| KR19990047422A (ko) * | 1997-12-04 | 1999-07-05 | 구본준 | 웨이퍼 건식각장치에서의 이물질 제어방법 |
| JP2004260159A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-09-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、リング部材およびプラズマ処理方法 |
| JP2005044923A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Seiko Epson Corp | クランプリング、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR20080086017A (ko) * | 2007-03-21 | 2008-09-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비 및 그의 제어방법 |
| CN101393841A (zh) * | 2007-09-21 | 2009-03-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种反应离子蚀刻方法 |
| US20090122458A1 (en) * | 2007-11-14 | 2009-05-14 | Varian Semiconductor Epuipment Associated, Inc. | Embossed electrostatic chuck |
| CN105097445A (zh) * | 2014-05-09 | 2015-11-25 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 去除蚀刻室中的颗粒的方法 |
| CN105336563A (zh) * | 2014-07-24 | 2016-02-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 刻蚀装置及刻蚀方法 |
| CN107574422A (zh) * | 2017-09-06 | 2018-01-12 | 睿力集成电路有限公司 | 半导体生产设备及其清洗方法 |
| CN109841475A (zh) * | 2017-11-28 | 2019-06-04 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 预处理方法及晶片处理方法 |
| WO2023116896A1 (zh) * | 2021-12-24 | 2023-06-29 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 | 一种去除离子束刻蚀系统颗粒的方法和离子束刻蚀系统 |
| CN114864442A (zh) * | 2022-04-26 | 2022-08-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及其处理方法 |
| CN114743901A (zh) * | 2022-05-06 | 2022-07-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺腔室、晶圆释放方法和半导体工艺设备 |
| CN115206766A (zh) * | 2022-07-28 | 2022-10-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 等离子体生成装置、半导体工艺设备及晶圆处理方法 |
| CN115881622A (zh) * | 2023-01-29 | 2023-03-31 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种晶圆键合的方法 |
| CN115985748A (zh) * | 2023-02-17 | 2023-04-18 | 上海积塔半导体有限公司 | 电容耦合等离子体射频模式下晶圆解吸附方法及装置 |
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