JP2005039054A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 半導体レーザーダイオードチップが集積されたウエハに、該ウエハを構成する半導体のバンドギャップよりも小さいエネルギーを有し該ウエハの内部を透過するレーザー光を走査しながら照射する照射工程と、
   該照射により前記ウエハの結晶欠陥に発生する熱起電力を、前記ウエハの上面と下面との間に現れる電圧または電流の変化により検出して表示する表示工程とを有する、
   半導体レーザーダイオードチップウエハの検査方法。
2. 前記電圧または電流の変化を検出する際に、前記ウエハの上面と下面との間に順バイアスまたは逆バイアスを印加する、請求項１に記載の検査方法。
3. 前記電圧または電流の変化を検出する際に、前記電流の発生が略極大化する温度に前記ウエハの温度を制御する、請求項１または２に記載の検査方法。
4. 半導体デバイスのチップが集積されたウエハの上面と下面との間に一定の電流を流す工程と、
   該ウエハに、該ウエハの内部を透過し、かつ励起による起電力を発生させない波長を有するレーザー光を走査しながら照射する工程と、
   前記ウエハの結晶欠陥への該照射により発生する前記電流の変化を検出して表示する工程とを有する、
   半導体レーザーダイオードチップの検査方法。
5. 前記表示は、前記レーザー光の照射位置と、該照射位置に対応する前記電圧または電流の変化との関係を画像に表示することにより行う、請求項１から４のいずれか１項に記載の検査方法。
6. 前記ウエハの上面または下面のいずれか一つの面のみに、各レーザーダイオードチップのチップ単体用電極をあらかじめ設ける工程をさらに有し、前記チップ単体用電極の設けられていない面から前記照射を行う、請求項１から５のいずれか１項に記載の検査方法。
7. 前記ウエハの上面または下面の少なくとも一つの面に、各レーザーダイオードチップの前記発振器に沿って開口を有するチップ単体用電極をあらかじめ設ける工程をさらに有し、前記開口から前記照射を行う、請求項１から５のいずれか１項に記載の検査方法。
8. 半導体レーザーダイオードチップが集積されたウエハに、該ウエハの内部を透過し、かつ励起による起電力を発生させない波長を有するレーザー光を走査しながら照射する照射手段と、
   該照射により前記ウエハの結晶欠陥に発生する熱起電力を、前記ウエハの上面と下面との間に現れる電圧または電流の変化により検出して表示する表示手段とを有する、
   半導体レーザーダイオードチップの検査装置。
9. 前記電圧または電流の変化を検出する際に、前記ウエハの上面と下面との間に順バイアスまたは逆バイアスを印加する手段をさらに有する、請求項８に記載の検査装置。
10. 前記電圧または電流の変化を検出する際に、前記電流の発生効率がもっとも高くなる温度に前記ウエハの温度を制御する手段をさらに有する、請求項８または９に記載の検査装置。
11. 半導体デバイスのチップが集積されたウエハに、該ウエハの上面と下面との間に一定の電流を流しながら、該ウエハの結晶内部を透過し、かつ励起による起電力を発生させない波長を有するレーザー光を走査しながら照射する照射手段と、
    該照射により前記ウエハの結晶欠陥に発生する前記電流の変化を検出して表示する表示手段とを有する、
    半導体レーザーダイオードチップの検査装置。
12. 前記表示手段は、前記レーザー光の照射位置と、該照射位置に対応する前記電圧または電流の変化をモニターに表示する手段である、請求項８から１１のいずれか１項に記載の検査装置。