JP2007081197A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化物系III−V族化合物半導体からなるレーザ構造と、そのレーザ構造の共振器方向に形成された一対のへき開面37,38と、その一対のへき開面37,38のうちレーザ光の射出側に形成された被膜39と、レーザ構造に電流を注入するためのp側電極35およびn側電極36とを備える。p側電極35およびn側電極36にしきい値以上の大きさの電流を所定の時間流してレーザ光を被膜39に照射することにより、被膜39のうちレーザ光の射出された領域を含む領域を改質する。
【選択図】 図1
Description
以下、改質工程について説明する。まず、半導体レーザ1のp側電極35およびn側電極36に、外部電源からしきい値以上の大きさの電流を所定の時間流してレーザ光を被膜39に照射する。
ところで、図5では、改質工程を行うことにより、CODレベルがむしろ悪くなる半導体レーザ1が存在しているのが確認できる(図5(B)点線枠内)。つまり、改質工程を行うことにより、すべての半導体レーザ1のCODレベルが向上するわけではなく、ごく一部の半導体レーザ1のCODレベルはむしろ悪くなる。このような半導体レーザ1は、従来のバー・チェックでは不良と判定されることのほとんどない素子であり、出荷後、使用しているうちに徐々にCODレベルの低下するため、長期信頼性の無い素子である。また、図8(A),(B)では、改質工程において、動作電流の上昇率が極めて大きくなり、かつ動作電流の上昇率が上昇し続ける半導体レーザ1が存在しているのが確認できる(図8(A),(B)一点鎖線参照)。つまり、改質工程を行うことにより、ごく一部の半導体レーザ1の動作電流が大きく上昇する。このような半導体レーザ1も、従来のバー・チェックでは不良と判定されることのほとんどない素子であり、出荷後、使用しているうちに動作電流が短期間で上昇してしまうため、長期信頼性の無い素子である。
上記実施の形態では、へき開面30Aおよびへき開面31Aを形成したのち、直ちに被膜39、40を形成していたが、被膜39、40を形成する前に、プラズマで表面処理することにより、へき開面30A、31Aでの端面劣化の発生を抑制することが好ましい。
Claims (12)
- 窒化物系III−V族化合物半導体からなるレーザ構造と、そのレーザ構造の共振器方向に形成された一対のへき開面と、前記一対のへき開面のうちレーザ光の射出側に形成された被膜と、前記レーザ構造に電流を注入するための一対の電極とを備えた半導体レーザの製造方法であって、
前記一対の電極にしきい値以上の大きさの電流を所定の時間流してレーザ光を前記被膜に照射することにより、前記被膜のうち前記レーザ光の照射された領域を含む領域を改質する
ことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 前記被膜は、誘電体からなる単層膜または多層膜である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記被膜は、誘電体と半導体とを組み合わせてなる多層膜である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記誘電体は、酸化物、窒化物およびフッ化物のいずれか1種である
ことを特徴とする請求項2または請求項3記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記酸化物は、Al2 O3 ,SiO2 ,TiO2 ,TiO,HfO2 ,Y2 O3 ,Ta2 O5 ,Sc2 O3 ,MgOまたはNb2 O5 である
ことを特徴とする請求項4記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記窒化物は、AlN,SiNまたはBNである
ことを特徴とする請求項4記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記フッ化物は、NdF3 ,LaF3 ,GdF3 ,HoF3 ,CaF2 ,MgF2 ,Na3 AlF6 ,LiFまたはAlF3 である
ことを特徴とする請求項4記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記被膜を改質している間、前記半導体レーザの雰囲気の温度を20℃以上95℃以下の範囲内の所定の値に保った状態で、前記一対の電極に、前記半導体レーザの仕様の範囲内の出力のレーザ光が射出されるような大きさの電流を所定の時間流すと共に、前記一対の電極に流れる電流を計測する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記所定の時間は2時間以上100時間以下の範囲内の値である
ことを特徴とする請求項1または請求項8記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記所定の時間は2時間以上10時間以下の範囲内の値である
ことを特徴とする請求項1または請求項8記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記射出側のへき開面を不活性ガスのプラズマ雰囲気へ暴露したのち、大気に曝すことなく、前記射出側のへき開面に被膜を形成する
ことを特徴とする請求項1または請求項8記載の半導体レーザの製造方法。 - 窒化物系III−V族化合物半導体からなるレーザ構造と、
前記レーザ構造の共振器方向に形成された一対のへき開面と、
前記一対のへき開面のうちレーザ光の射出側に形成された被膜と、
前記レーザ構造に電流を注入するための一対の電極とを備えた半導体レーザであって、
前記被膜は、前記一対の電極にしきい値以上の大きさの電流を所定の時間流してレーザ光を前記被膜に照射することにより形成された改質領域を有する
ことを特徴とする半導体レーザ。
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- 2005-09-15 JP JP2005268011A patent/JP2007081197A/ja active Pending
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