JP2005031462A - 誘電体光学薄膜の製造方法 - Google Patents
誘電体光学薄膜の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005031462A JP2005031462A JP2003271351A JP2003271351A JP2005031462A JP 2005031462 A JP2005031462 A JP 2005031462A JP 2003271351 A JP2003271351 A JP 2003271351A JP 2003271351 A JP2003271351 A JP 2003271351A JP 2005031462 A JP2005031462 A JP 2005031462A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- optical thin
- dielectric
- dielectric material
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
Abstract
【解決手段】 基板上に誘電体材料を成膜することからなる誘電体光学薄膜の製造方法において、成膜を水素ガスを含む混合ガス雰囲気中で行うと共に、基板にアシストエネルギーを直接印加して水素ガスをイオン化し、誘電体材料が基板に付着して薄膜を形成する過程において、発生した水素イオンを誘電体材料の結晶成長が阻害されるように該誘電体材料に作用させる。これにより、誘電体光学薄膜の構造がアモルファス構造となり膜中散乱が低減して透過性が向上する。前記誘電体材料は好ましくは金属酸化物であり、前記混合ガスは好ましくは、酸素ガスと、水素ガスと酸素ガスとの合計量に基いて0.1〜2.0%の水素ガスとを含む。
【選択図】 なし
Description
面に向けて移動する過程と、そして該蒸発粒子が基板に付着して薄膜を形成する過程とからなるが、本発明の製造方法は、これらの過程のうち、蒸発粒子となった誘電体材料が基板に付着して薄膜を形成する過程において、水素イオンを誘電体材料に作用させる。そして、このように水素イオンを誘電体材料に作用させるために、アシストエネルギーの基板への直接印加が必要となるのである。アシストエネルギーの直接印加は例えば、イオンビームを基板に直接に照射することや、基板に直接に高周波電力を印加することにより達成できる。
る。
高屈折率材料であるTiO2をガラス基板上に真空蒸着法により成膜し、誘電体光学薄膜を製造した。該製造は、雰囲気の圧力を2×10-2Paに、また基板の温度を200℃に保持しながら、1500Wの高周波電力を基板に直接印加して、酸素ガスと水素ガスとを含んで成る混合ガス雰囲気中で行った。混合ガス雰囲気中に存在する水素ガスの量は、水素ガスと酸素ガスとの合計量に基いて0.1%、0.5%、1.0%、2.0%に変化させた(実施例1〜4)。また比較の目的で、水素ガスの量が0%、3.0%、4.0%である場合についても、誘電体光学薄膜の製造を行った(比較例1〜3)。
製造した各誘電体光学薄膜を有するガラス基板について、その屈折率および透過性を以下のように評価した。
屈折率:波長550nmの光についての屈折率を測定した。
透過性:波長400nmの光がガラス基板を通過する際に吸収された光量を測定し、これを吸収率として百分率で示した。吸収率が低ければ低い程、透過性は高いことを示す。
実施例1では、混合ガス雰囲気中に水素ガスを0.1%添加したため、屈折率は約2.45の高い値となり、また吸収率は約1%の低い値となって良好な透過性を示した。
実施例2では、混合ガス雰囲気中の水素ガスの量を実施例1より多い0.5%にしたところ、約2.45の屈折率を保ったまま吸収率が約0.7%に減少してより良好な透過性を示した。
実施例3では、混合ガス雰囲気中の水素ガスの量をさらに増加させ1.0%とし、その結果、屈折率は約2.45のままであるにも関わらず、吸収率がさらに0.5%に減少し良好な透過性を示した。
実施例4では、混合ガス雰囲気中の水素ガスの量を2.0%に増加させたが、得られた結果は屈折率および透過性共に実施例3のものと同一であり優れたものであった。
一方、比較例1では、混合ガス雰囲気中に水素ガスを全く添加しなかったため、屈折率は2.45と高かったものの、吸収率が3.0%と大きく透過性が良好でなかった。
また、比較例2では、水素ガスの量を増加させて3.0%にしたところ、透過性は実施例3および4のものと同様に良好であったが、屈折率が2.3に低下した。
さらに、比較例3では、混合ガス雰囲気中に4.0%の多量の水素ガスを添加したため、透過性は実施例3〜5と同程度であったが、薄膜の充填密度が減少して屈折率が約1.8へと大幅に低下した。
図2(a)に図示される実施例2の誘電体光学薄膜からの回折図には有意な回折ピークが存在しなかった。これは薄膜中に実質的に結晶構造が存在せず、アモルファス構造にあることを示す。
それに対して、図2(b)に図示される比較例1の誘電体光学薄膜からの回折図には、2θが約26°、約39°、約48°、約54°等の位置で明らかな回折ピークが存在した。これらの回折ピークは薄膜が結晶構造にあることの証拠である。
これらの結果より、本発明に従って製造された誘電体光学薄膜では、製造の際の混合ガス雰囲気中に含まれる水素ガスに由来する水素イオンの作用によって結晶成長が阻害され、アモルファス構造にあることが解る。
Claims (5)
- 基板上に誘電体材料を成膜することからなる誘電体光学薄膜の製造方法において、成膜を水素ガスを含む混合ガス雰囲気中で行うと共に、基板にアシストエネルギーを直接印加して水素ガスをイオン化し、誘電体材料が基板に付着して薄膜を形成する過程において、発生した水素イオンを該誘電体材料に作用させることを特徴とする、誘電体光学薄膜の製造方法。
- 前記誘電体材料の結晶成長が阻害されるように、前記水素イオンを誘電体材料に作用させることを特徴とする、請求項1記載の誘電体光学薄膜の製造方法。
- 前記誘電体材料は金属酸化物であることを特徴とする、請求項1または2に記載の誘電体光学薄膜の製造方法。
- 前記混合ガスは、酸素ガスと、水素ガスと酸素ガスとの合計量に基いて0.1〜2.0%の水素ガスとを含むことを特徴とする、請求項1ないし3のうちのいずれか1項に記載の誘電体光学薄膜の製造方法。
- 前記成膜は真空蒸着法にて行われることを特徴とする、請求項1ないし4のうちのいずれか1項に記載の誘電体光学薄膜の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003271351A JP4022657B2 (ja) | 2003-07-07 | 2003-07-07 | 誘電体光学薄膜の製造方法 |
US10/865,815 US20050008775A1 (en) | 2003-07-07 | 2004-06-14 | Method of forming dielectric optical thin film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003271351A JP4022657B2 (ja) | 2003-07-07 | 2003-07-07 | 誘電体光学薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005031462A true JP2005031462A (ja) | 2005-02-03 |
JP4022657B2 JP4022657B2 (ja) | 2007-12-19 |
Family
ID=33562651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003271351A Expired - Fee Related JP4022657B2 (ja) | 2003-07-07 | 2003-07-07 | 誘電体光学薄膜の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050008775A1 (ja) |
JP (1) | JP4022657B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009139925A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-25 | Epson Toyocom Corp | 光学多層膜フィルタ、光学多層膜フィルタの製造方法および電子機器装置 |
JP2022179372A (ja) * | 2021-05-20 | 2022-12-02 | キヤノン株式会社 | 膜、素子、機器 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7458734B2 (ja) * | 2019-09-30 | 2024-04-01 | キヤノン株式会社 | 光学部材および光学部材の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10314087A (ja) * | 1997-05-19 | 1998-12-02 | Ishikawajima Shibaura Mach Co Ltd | 床洗浄機 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4800474A (en) * | 1986-05-15 | 1989-01-24 | Vari-Lite, Inc. | Color wheel assembly for lighting equipment |
US5257332A (en) * | 1992-09-04 | 1993-10-26 | At&T Bell Laboratories | Optical fiber expanded beam coupler |
DE29614692U1 (de) * | 1996-04-30 | 1996-10-24 | Balzers Prozess Systeme Vertri | Farbrad und Bilderzeugungsvorrichtung mit einem Farbrad |
JPH10242492A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 非晶質シリコンゲルマニウム薄膜の製造方法及び光起電力素子 |
US6024453A (en) * | 1997-04-29 | 2000-02-15 | Balzers Aktiengesellshaft | Method of rapidly producing color changes in an optical light path |
US6011662A (en) * | 1998-07-01 | 2000-01-04 | Light & Sound Design, Ltd. | Custom color wheel |
JP3335961B2 (ja) * | 1999-09-24 | 2002-10-21 | エヌイーシービューテクノロジー株式会社 | 時分割方式映像投写装置 |
US6642969B2 (en) * | 1999-12-30 | 2003-11-04 | Texas Instruments Incorporated | Color wheel for a falling raster scan |
US6755554B2 (en) * | 2000-05-25 | 2004-06-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Color wheel assembly and color sequential display device using the same, color wheel unit and color sequential display device using the same, and color sequential display device |
US7057674B2 (en) * | 2001-02-06 | 2006-06-06 | Reflectivity, Inc | Projection display with full color saturation and variable luminosity |
TW573133B (en) * | 2001-05-22 | 2004-01-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | Projection display device |
US6813087B2 (en) * | 2001-12-31 | 2004-11-02 | Texas Instruments Incorporated | Multi-mode color filter |
US7050120B2 (en) * | 2002-01-31 | 2006-05-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Display device with cooperative color filters |
TW534335U (en) * | 2002-09-11 | 2003-05-21 | Delta Electronics Inc | Filter wheel module of image display device |
KR100565597B1 (ko) * | 2003-07-23 | 2006-03-29 | 엘지전자 주식회사 | 광학계에 있어서 색 성능 향상 장치 |
-
2003
- 2003-07-07 JP JP2003271351A patent/JP4022657B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-06-14 US US10/865,815 patent/US20050008775A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10314087A (ja) * | 1997-05-19 | 1998-12-02 | Ishikawajima Shibaura Mach Co Ltd | 床洗浄機 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009139925A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-25 | Epson Toyocom Corp | 光学多層膜フィルタ、光学多層膜フィルタの製造方法および電子機器装置 |
JP2022179372A (ja) * | 2021-05-20 | 2022-12-02 | キヤノン株式会社 | 膜、素子、機器 |
JP7472193B2 (ja) | 2021-05-20 | 2024-04-22 | キヤノン株式会社 | 膜、素子、機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050008775A1 (en) | 2005-01-13 |
JP4022657B2 (ja) | 2007-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5265547B2 (ja) | 滑らかで緻密な光学膜を製造する方法 | |
JP2020512478A (ja) | 高屈折率の水素化シリコン薄膜の製造方法、高屈折率の水素化シリコン薄膜、フィルター積層体及びフィルター | |
JP3808917B2 (ja) | 薄膜の製造方法及び薄膜 | |
JP2613533B2 (ja) | TiO2の光学的薄層フイルム導波管の形成方法 | |
US7037595B1 (en) | Thin hafnium oxide film and method for depositing same | |
JPH077744B2 (ja) | レ−ザ−加熱タ−ゲツトからの蒸発増強方法 | |
JP2007154242A (ja) | 酸化物の混合膜の製造方法 | |
JP4022657B2 (ja) | 誘電体光学薄膜の製造方法 | |
JP5027980B2 (ja) | フッ素添加シリカ薄膜を付着させる方法 | |
DE102005017742A1 (de) | Verfahren zur Beschichtung optischer Substrate | |
JP2003098340A (ja) | 光学多層干渉膜とその製造方法および光学多層干渉膜を用いたフィルター | |
JP2003178625A (ja) | 光学素子機能を有する透明導電膜およびその製造方法 | |
EP4202507A1 (en) | Optical filter, method for producing same and sterilization device | |
JP5932251B2 (ja) | フッ化膜形成方法及び光学素子の製造方法 | |
US20090091033A1 (en) | Fabrication of metal oxide films | |
JPH08115912A (ja) | 窒化ケイ素薄膜の作製方法 | |
JP3550658B2 (ja) | 結晶構造の制御された二酸化チタン系薄膜の製造方法 | |
JP6953197B2 (ja) | フッ化膜を有する光学素子の製造方法およびフッ化膜の製造方法 | |
JP2002148407A (ja) | 赤外線レーザ用光学部品とその製造方法 | |
JP4126372B2 (ja) | ソーラーパネルとその製造方法 | |
JP2007102111A (ja) | 光学多層膜および光学多層膜製造方法 | |
JP4042509B2 (ja) | 可視光線応答型光触媒 | |
WO2023112940A1 (ja) | 光学フィルタ及び殺菌装置 | |
JP2004263244A (ja) | 酸化チタンの形成方法及び光触媒 | |
JPH11223707A (ja) | 光学部材及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050425 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070627 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070913 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101012 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111012 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111012 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121012 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121012 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131012 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |