JP2005026661A - リフレッシュタイムを改善させた半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板上に複数のゲートラインを形成する段階と、ゲートラインをマスクとして用い第1ドーパントをイオン注入して複数のセル接合を形成する段階と、シリコン基板上に緩衝膜を形成する段階と、緩衝膜が形成されたシリコン基板に第2ドーパントをイオン注入して、セル接合のRpと同じRpを持つ複数のプラグイオン注入領域を形成する段階と、緩衝膜をエッチングしてゲートラインの両側壁にスペーサを形成する段階と、スペーサが形成されたシリコン基板上に層間絶縁膜を形成する段階と、層間絶縁膜をエッチングしてセル接合を露出させる複数のコンタクト孔を形成する段階と、コンタクト孔を通してセル接合と電気的に接続する複数のセルコンタクトプラグを形成する段階とを含む。
【選択図】図5
Description
しかし、ポリシリコン膜のドーピング濃度だけでストレージノードと接触する界面領域、そしてセル接合との接触抵抗を少なくするのには限界がある。
図1に示すように、セル領域が定義されたシリコン基板11にセルトランジスタが形成されるP型ウェル11Aを形成した後、STI(Shallow Trench Isolation)法を利用してフィールド酸化膜12を形成する。次いで、P型ウェル11Aが形成されたシリコン基板11上にゲート絶縁膜13、第1ゲート導電膜14、第2ゲート導電膜15及びマスク酸化膜(mask oxide)16の順に積層したゲートラインを形成する。
上述したように、セルプラグイオン注入はセルコンタクトプラグを形成するためのコンタクト孔の形成以後に行なわれる。
上述したように、従来の技術ではセルコンタクト抵抗を低くしてセルトランジスタの飽和電流を高めることができるように、セルプラグイオン注入工程を実施している。
前記ブランケットイオン注入の工程は、リン(31P)を利用し、80keV〜150keVのイオン注入エネルギーと、1×1012ions/cm2〜3×1013ions/cm2のドーズ量でなされることを特徴とする。
前記ブランケットイオン注入の工程は、リン(31P)を利用し、80keV〜150keVの範囲内でイオン注入エネルギーを分散させると同時に1×1012ions/cm2〜3×1013ions/cm2の範囲内でドーズ量を分けてなされることを特徴とする。
前記イオン注入エネルギーを分散させるブランケットイオン注入の工程は、80keV〜150keVの範囲内で低いイオン注入エネルギーから高いイオン注入エネルギーに順にその大きさを増加させながら複数回イオン注入することを特徴とする。
前記緩衝膜は、窒化膜で形成されることを特徴とする。
前記窒化膜は、200Å〜500Åの厚さで形成されることを特徴とする。
前記第1ドーパントと前記第2ドーパントは、n型ドーパントであることを特徴とする。
まず、図4に示すように、セルトランジスタが形成されるシリコン基板31にP型ドーパントをイオン注入してP型ウェル31Aを形成する。この時、P型ウェル31Aを形成するためのイオン注入はホウ素(Boron)を5×1012ions/cm2〜3×1013ions/cm2のドーズと180keV〜300keVの高いイオン注入エネルギーで行なわれる。
次いで、緩衝膜38が形成された状態でブランケットイオン注入を行ってプラグイオン注入領域39を形成する。この時、ブランケットイオン注入とはイオン注入マスクなしに全面にイオン注入を実施することを意味する。
次いで、層間絶縁膜40上にランディングプラグコンタクト(LPC)マスク(図示せず)を形成した後、ランディングプラグコンタクトマスクをエッチングマスクとして層間絶縁膜40をエッチングして、セル接合37の表面を露出させるコンタクト孔40Aを形成する。この時、ゲートスペーサ38Aは層間絶縁膜40のエッチングの際、エッチングバリヤの役割をし、その結果ゲートラインがエッチングからアタックされることを防止する。
例えば、緩衝膜の蒸着後プラグイオン注入がマスクなしに行なわれるために周辺領域のnMOSFET及びpMOSFET形成地域にもイオン注入が行なわれ、特にpMOSFET地域は浅いP型ソース/ドレイン領域で予定された領域にカウンタドーピングされることによって、一般にポケットイオン注入の役割をする。すなわち、P型ソース/ドレイン領域と反対導電型のドーパントをイオン注入してP型ソース/ドレイン領域のチャネル方向に局部的にポケットイオン注入領域を形成する。これによってSCE効果を抑制することができる。
31A P型ウェル
32 フィールド酸化膜
33 ゲート絶縁膜
34 第1ゲート導電膜
35 第2ゲート導電膜
36 マスク酸化膜
37 セル接合
38 緩衝膜
38A ゲートスペーサ
39 プラグイオン注入領域
40 層間絶縁膜
40A コンタクト孔
41 セルコンタクトプラグ
Claims (8)
- シリコン基板上に複数のゲートラインを形成するステップと、
前記ゲートラインをマスクとして用い第1ドーパントをイオン注入して複数のセル接合を形成するステップと、
前記ゲートラインを含む前記シリコン基板上に緩衝膜を形成するステップと、
前記緩衝膜が形成された前記シリコン基板に第2ドーパントをイオン注入して、前記セル接合のRp(投影飛程)と同じRpを持つ複数のプラグイオン注入領域を形成するステップと、
前記緩衝膜をエッチングして前記ゲートラインの両側壁にスペーサを形成するステップと、
前記スペーサが形成された前記シリコン基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜をエッチングして前記セル接合を露出させる複数のコンタクト孔を形成するステップと、
前記コンタクト孔を通して前記セル接合と電気的に接続する複数のセルコンタクトプラグを形成するステップとを含むことを特徴とするリフレッシュタイムを改善させた半導体素子の製造方法。 - 前記プラグイオン注入領域は、マスクなしのブランケットイオン注入法で形成することを特徴とする請求項1に記載のリフレッシュタイムを改善させた半導体素子の製造方法。
- 前記ブランケットイオン注入の工程は、リン(31P)を利用し、80keV〜150keVのイオン注入エネルギーと、1×1012ions/cm2〜3×1013ions/cm2のドーズ量でなされることを特徴とする請求項2に記載のリフレッシュタイムを改善させた半導体素子の製造方法。
- 前記ブランケットイオン注入の工程は、リン(31P)を利用し、80keV〜150keVの範囲内でイオン注入エネルギーを分散させると同時に1×1012ions/cm2〜3×1013ions/cm2の範囲内でドーズ量を分けてなされることを特徴とする請求項2に記載のリフレッシュタイムを改善させた半導体素子の製造方法。
- 前記イオン注入エネルギーを分散させるブランケットイオン注入の工程は、80keV〜150keVの範囲内で低いイオン注入エネルギーから高いイオン注入エネルギーに順にその大きさを増加させながら複数回イオン注入することを特徴とする請求項4に記載のリフレッシュタイムを改善させた半導体素子の製造方法。
- 前記緩衝膜は、窒化膜で形成されることを特徴とする請求項1に記載のリフレッシュタイムを改善させた半導体素子の製造方法。
- 前記窒化膜は、200Å〜500Åの厚さで形成されることを特徴とする請求項1に記載のリフレッシュタイムを改善させた半導体素子の製造方法。
- 前記第1ドーパントと前記第2ドーパントは、n型ドーパントであることを特徴とする請求項1に記載のリフレッシュタイムを改善させた半導体素子の製造方法。
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