JP2005019977A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】多層絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって、多層絶縁膜の1つの層である第1の絶縁膜3を形成する工程と、この第1の絶縁膜3の表面に、Arが5〜31%含まれる、HeとArとの混合ガスの雰囲気中でプラズマ処理19を行う工程と、このプラズマ処理19の後に、第1の絶縁膜3の上に、多層絶縁膜の他の層であり、第1の絶縁膜3とは異なる第2の絶縁膜4を形成する工程とを有する。
【選択図】図2
Description
本発明は、Cu埋め込み配線の層間絶縁膜として多層絶縁膜を有する半導体装置の製造方法である。このような多層絶縁膜の一例を図1に示す。
以下に、本発明の実施の形態2における半導体装置の製造方法を図4を用いて説明する。ただし、図4では、図1に示す多層絶縁膜の一部のみを示し、Cu埋め込み配線や基板等の構成要素は省略している。図1と同じ構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
以下に、本発明の実施の形態3における半導体装置の製造方法を図5を用いて説明する。ただし、図5では、図1に示す多層絶縁膜の一部のみを示し、Cu埋め込み配線や基板等の構成要素は省略している。図1と同じ構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
4 SiO2膜(第2の絶縁膜)
6 弗素化アリレン膜(第1の絶縁膜)
7 接着強化材
8 MSQ膜(第2の絶縁膜)
19 プラズマ
Claims (9)
- 多層絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって、
前記多層絶縁膜の一層である第1の絶縁膜を形成する工程と、
この第1の絶縁膜の表面に、Arが5〜31%含まれる、HeとArとの混合ガスの雰囲気中でプラズマ処理を行う工程と、
このプラズマ処理の後に、前記第1の絶縁膜の上に、前記多層絶縁膜の他の層であり、前記第1の絶縁膜とは異なる第2の絶縁膜を形成する工程と有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 多層絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって、
前記多層絶縁膜の一層である第1の絶縁膜を形成する工程と、
この第1の絶縁膜の表面に、Arが5〜31%含まれる、HeとArとの混合ガスの雰囲気中でプラズマ処理を行う工程と、
このプラズマ処理の後に、前記第1の絶縁膜の上に、接着強化材を塗布する工程と、
この接着強化材の上に、前記多層絶縁膜の他の層であり、前記第1の絶縁膜とは異なる第2の絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 多層絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって、
前記多層絶縁膜の一層である第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜の上に、接着強化材を塗布する工程と、
この接着強化材の表面に、Arが5〜31%含まれる、HeとArとの混合ガスの雰囲気中でプラズマ処理を行う工程と、
このプラズマ処理の後に、前記接着強化材の上に、前記多層絶縁膜の他の層であり、前記第1の絶縁膜とは異なる第2の絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の絶縁膜として、低誘電率膜を形成することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜として、MSQ、弗素化アリレン、SiOC、有機ポリマー、SiとCH3基を含む材料又はSi−H基を含む材料、又は、低誘電率膜中に空孔を分散させたポーラス膜をスピン塗布法又はCVD法により形成することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
方法。 - 前記第2の絶縁膜として、SiO2、SiN、SiC、SiCN、SiOC又はSiONをスピン塗布法又はCVD法で形成することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接着強化材として、シランカップリング材を含む接着強化材をスピン塗布法で塗布することを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接着強化材の膜厚は5〜20nmであることを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プラズマ処理の時間は、10〜60秒であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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