JP2005019611A

JP2005019611A - 電磁装置及び高電圧発生装置

Info

Publication number: JP2005019611A
Application number: JP2003181188A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Nakano; 智之中野; Hiroshi Ogasawara; 宏小笠原; Mizuhito Ida; 瑞人井田; Yoshiharu Nakamura; 芳春中村; Shigeru Makino; 滋牧野
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2003-06-25
Filing date: 2003-06-25
Publication date: 2005-01-20

Abstract

【課題】小型で良好な出力特性を有する電磁装置及び高電圧発生装置を提供する。
【解決手段】電磁装置であるパルストランスＰＴは、棒状の磁気コア１と、磁気コア１の周面上に軸方向に沿って巻回された２次巻線３と、２次巻線３上に巻回された１次巻線２とを備える。そして、磁気コア１の軸方向における端部の一方に、磁気コア１の周面よりも外側へ突出する磁性材料片４が設けてある。磁性材料片４により漏れ磁束を減らして２次巻線３のインダクタンス値並びに結合係数を大きくすることができる。故に、２次巻線３に発生するパルス電圧の波高値の低下並びに立ち上がりの傾きの増加を抑えて小型で良好な出力特性を有する電磁装置（パルストランスＰＴ）が提供できる。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気コアに１次巻線及び２次巻線を巻回してなる電磁装置及び、この電磁装置を用いて高電圧を発生する高電圧発生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年自動車用の前照灯（ヘッドライト）において、安全性及びエコロジーを重視する観点から従来のハロゲンランプよりも高輝度、低消費電力、長寿命であるＨＩＤランプのような高圧放電ランプが使用されるようになっている。ＨＩＤランプ（高輝度放電灯）を始動、点灯させるためにはイグナイタと呼ばれる高電圧を発生する始動装置（高電圧発生装置）が必要であり、高電圧発生装置には低電圧の入力をパルス状の高電圧出力に変換するパルストランスのような電磁装置が用いられている。
【０００３】
図１４及び図１５は、自動車用ヘッドライト向けのソケット内蔵型イグナイタ２０の外観図及び回路図を示している（特許文献１参照）。イグナイタ２０の基本的な回路構成は、入力端子Ｔ１〜Ｔ３と、出力端子Ｔ４，Ｔ５と、入力端子Ｔ１（高電圧側）−入力端子Ｔ２（低電圧側）間に接続したコンデンサＣ１と、コンデンサＣ１に並列接続した放電ギャップＧＡＰ（スイッチ要素）とパルストランスＰＴの１次巻線２ａとの直列回路と、入力端子Ｔ１−出力端子Ｔ４（高電圧側）間に接続したパルストランスＰＴの２次巻線２ｂと、１次巻線２ａ、２次巻線２ｂが巻回された磁気コア１とから構成され、入力端子Ｔ３（低電圧側）−出力端子Ｔ５（低電圧側）間は短絡されている。高圧放電ランプＬａは出力端子Ｔ４−Ｔ５間に接続されており、点灯装置５０は入力端子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３に接続されている。
【０００４】
そして、高圧放電ランプＬａが点灯していない状態で点灯装置５０から入力端子Ｔ１，Ｔ２を介して電圧が供給されるとコンデンサＣ１が充電され、コンデンサＣ１の両端電圧が上昇して所定値に達したときに放電ギャップＧＡＰがオンすることでパルストランスＰＴの１次巻線２ａに放電ギャップＧＡＰを介してコンデンサＣ１の充電電荷が放電され、パルストランスＰＴの２次巻線２ｂにパルス状の高電圧が発生する。この高電圧パルスが出力端子Ｔ４，Ｔ５を介して高圧放電ランプＬａの両端に印加されて高圧放電ランプＬａを絶縁破壊に至らしめて始動するものである。
【０００５】
また、イグナイタ２０は、図１４に示すように高圧放電ランプＬａが着脱自在に装着されるソケットと一体に構成されており、内部にイグナイタ２０を配置した合成樹脂製のソケット本体２３を備えて、ソケット本体２３の前面には略円形のソケット開口部２４と、ソケット開口部２４の内側略中央に突出した略円筒形の筒部２５とが形成されており、この筒部２５の内側にランプ口金の中央電極部（図示せず）と接触導通するランプ口金電極端子Ｔ４（図１５参照）が収納されている。さらに、ランプ口金の外周面に設けられた外側電極部（図示せず）と接触導通する複数の外側電極Ｔ５（図１５参照）がソケット開口部２４の内側に取り付けられており、ランプ口金をソケット開口部２４に挿入すると、イグナイタ２０と高圧放電ランプＬａとが電気的且つ機械的に接続される。また、ソケット本体２３はノイズ抑制のために金属製のシールドカバー２６で覆われるている。
【０００６】
ところで、電磁装置であるパルストランスＰＴとして、図１６〜図１８に示す構造のものが提供されている（特許文献２参照）。このパルストランスＰＴは、棒状の磁気コア１０に抵抗率（固有抵抗）が大きいＮｉ−Ｚｎフェライト材を用い、平角形の導体１４０が絶縁皮膜１４１で覆われてなる平角導線１４（図１７参照）を、磁気コア１の周面に直接一層にエッジワイズ巻（厚みの薄い箔状の平角導線をその幅広の面が対向するように巻回する巻き方）して２次巻線２ｂを形成したものであり、平角導線のエッジワイズ巻による巻線占積率の向上に加えて、磁気コア１と２次巻線２ｂとの間にコイルボビン等の絶縁物が不要となって、より小型、薄型が可能となっている。さらに、断面円形の導体１３０が高耐圧被覆１３１で覆われてなる１次巻線２ａを、２次巻線２ｂ上の低圧側に寄せて巻回しており、１次巻線２ａと２次巻線２ｂとの間の絶縁を確保している。また、上述のように構成されたパルストランスＰＴは、不飽和ポリエステル樹脂、液晶ポリマー樹脂、ポリスチレン、ポリアミドなどの合成樹脂材料で樹脂モールドされて各部品間の絶縁確保と固定が図られている。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−９３２３４号公報（第５−７頁、第１図）
【特許文献２】
特開２００２−９３６３５号公報（第３−４頁、第１図）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、自動車用の前照灯としてＨＩＤランプのような高圧放電ランプが急速に普及するに至り、イグナイタをソケットに内蔵する際の寸法的な制約から、さらに小型・薄型の電磁装置が要望されている。また、自動車の前照灯という用途においては高圧放電ランプを瞬時に再始動する必要があるため、イグナイタ（高電圧発生装置）には始動・再始動の際に数十ｋＶまで達するパルス電圧を発生することが必要とされている。
【０００９】
そこで、従来の電磁装置（パルストランスＰＴ）を、昇圧比一定のままで巻回数を変えることなく小型化しようとした場合、磁気コア１の断面積を小さくすると有効磁心断面積が減少して飽和磁束が小さくなり、パルス電圧の波高値が低下してしまう。また、巻線の断面積を小さくすると直流抵抗値が大きくなって高圧放電ランプの点灯時における損失が増加してしまうことになる。
【００１０】
一方、昇圧比一定のままで巻回数を減らすと、棒状の磁気コア１による開磁路構造によって巻線の自己インダクタンスと結合係数が小さくなるため、図１９の実線ロで示すように理想的なパルス電圧（同図に示す点線イ）に比べて波高値Ｖｐ及び周期が小さいパルス電圧が発生してしまう。また、１次巻線２ａを疎巻にするなどして結合係数を大きくした場合も、図２０の実線ハで示すように理想的なパルス電圧（同図に示す点線イ）に対して波高値Ｖｐは同程度あるが、自己インダクタンスが減少することで立ち上がりの傾きが急峻となるパルス電圧が発生してしまう。一般に、始動時に印加されるパルス電圧の立ち上がりの傾きが大きいと高圧放電ランプＬａの始動電圧（絶縁破壊を起こさせるに足る電圧）も大きくなるといわれており、パルストランスＰＴを小型化する際はパルス電圧の波高値を大きくすると同時に立ち上がりの傾きを小さくする必要がある。
【００１１】
本発明は上記事情に鑑みて為されたものであり、その目的は、小型で良好な出力特性を有する電磁装置及び高電圧発生装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、上記目的を達成するために、棒状の磁気コアと、磁気コアの周面上に軸方向に沿って巻回された２次巻線と、２次巻線上に巻回された１次巻線とを備える電磁装置において、磁気コアの軸方向における端部の少なくとも一方に、磁気コアの周面よりも外側へ突出する磁性材料片が設けられたことを特徴とする。
【００１３】
この発明によれば、磁性材料片により漏れ磁束を減らして２次巻線のインダクタンス値並びに結合係数を大きくすることができるから、２次巻線に発生するパルス電圧の波高値の低下並びに立ち上がりの傾きの増加を抑えて小型で良好な出力特性を有する電磁装置が提供できる。
【００１４】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、磁性材料片は、磁気コアの端部における周面に突設されたことを特徴とする。
【００１５】
この発明によれば、磁気コアの軸方向にそった寸法が磁性材料片によって大型化することがなく、より小型の電磁装置が提供できる。
【００１６】
請求項３の発明は、上記目的を達成するために、請求項１又は２記載の電磁装置からなるパルストランスと、パルストランスの１次巻線に並列接続されたコンデンサと、コンデンサから１次巻線への放電経路を開閉するスイッチ要素と、少なくとも前記パルストランス、コンデンサ、スイッチ要素を収容する装置本体と、導電体からなり装置本体を覆うシールドカバーとを備え、この装置本体に放電ランプのランプ口金が電気的且つ機械的に接続されるソケット部を設け、このソケット部を介してパルストランスの２次巻線に発生する高電圧パルスをランプ口金に印加するとともに、磁性材料片がシールドカバーから離れる方向へ突出するようにパルストランスを装置本体内に収納することを特徴とする。
【００１７】
この発明によれば、磁性材料片により漏れ磁束を減らして２次巻線のインダクタンス値並びに結合係数を大きくすることができるから、２次巻線に発生するパルス電圧の波高値の低下並びに立ち上がりの傾きの増加を抑えて良好な出力特性を有するとともに、パルストランスで発生する磁束のうちでシールドカバーに鎖交する磁束を減らすことにより渦電流損による性能低下を防止した小型の高電圧発生装置が提供できる。
【００１８】
請求項４の発明は、上記目的を達成するために、請求項１又は２記載の電磁装置からなるパルストランスと、パルストランスの１次巻線に並列接続されたコンデンサと、コンデンサから１次巻線への放電経路を開閉するスイッチ要素と、磁気コアの軸方向に沿って１次巻線及び２次巻線に対向する磁気ヨーク片と、少なくとも前記パルストランス、コンデンサ、スイッチ要素を収容する装置本体と、導電体からなり装置本体を覆うシールドカバーとを備え、この装置本体に放電ランプのランプ口金が電気的且つ機械的に接続されるソケット部を設け、このソケット部を介してパルストランスの２次巻線に発生する高電圧パルスをランプ口金に印加するとともに、磁性材料片が磁気ヨーク片に近付く方向へ突出するようにパルストランスを装置本体内に収納することを特徴とする。
【００１９】
この発明によれば、磁性材料片並びに磁気ヨーク片により漏れ磁束を減らして２次巻線のインダクタンス値並びに結合係数を大きくすることができるから、２次巻線に発生するパルス電圧の波高値の低下並びに立ち上がりの傾きの増加を抑えて良好な出力特性を有する小型の高電圧発生装置が提供できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
本実施形態の電磁装置（パルストランスＰＴ）は、図１に示すように断面形状が円形の棒状に形成された磁気コア１と、平角導線を磁気コア１に略当接して一層にエッジワイズ巻で巻回した２次巻線３と、高耐圧被覆を有して２次巻線３の上に巻回された１次巻線２と、フェライトなどの磁性材料により直方体状に形成された磁性材料片４とを備えている。１次巻線２は、２次巻線３上の低圧側に寄せて巻回されており、１次巻線２と２次巻線３との間の絶縁を確保して、従来例と同様の絶縁性能を有している。そして、磁気コア１として高抵抗のフェライトコアを用いることにより、２次巻線３との間に絶縁物を介せずに直接組み込むことができる。
【００２１】
また、磁気コア１の軸方向における一端側（２次巻線３の高圧側）の側端面には、その中心を磁気コア１の中心軸に対して偏心させることにより磁気コア１の周面よりも外側へ突出するようにして磁性材料片４が固着されている。なお、磁気コア１に対する磁性材料片４の固着は接着などの適当な方法で行えばよい。
【００２２】
而して、図２に示すように磁性材料片４を有しない従来のパルストランスＰＴ’と、本実施形態のパルストランスＰＴとで１次巻線２に電流を流したときに生じる磁束φの経路（磁路）を比較すると、本実施形態では、図１（ｂ）に示すように磁束φの磁路が磁性材料片４によって変化し、従来のパルストランスＰＴ’に比べて漏れ磁束が減少している。このため、本実施形態のパルストランスＰＴは従来のパルストランスＰＴ’に比べて２次巻線３のインダクタンス値並びに結合係数を大きくすることができるから、図３の実線ニに示すように理想的なパルス電圧（同図に示す点線イ）と同程度の波高値Ｖｐを有するとともに立ち上がりの傾きもほぼ同程度であるパルス電圧を発生させることができる。
【００２３】
上述のように本実施形態のパルストランスＰＴは、磁性材料片４により漏れ磁束を減らして２次巻線３のインダクタンス値並びに結合係数を大きくすることができるから、２次巻線３に発生するパルス電圧の波高値Ｖｐの低下並びに立ち上がりの傾きの増加を抑えて良好な出力特性が得られるとともに小型化も可能となる。なお、本実施形態では磁性材料片４を直方体状に形成しているが、これに限定する趣旨ではなく、どのような形状であっても同様の効果を奏することはいうまでもない。
【００２４】
（実施形態２）
本実施形態のパルストランスＰＴは、図４に示すように磁気コア１並びに磁性材料片４の形状が異なる点以外は実施形態１と共通の構成を有するものである。よって、共通の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００２５】
磁気コア１は従来例と同様に断面形状が略長円形の棒状に形成されている。また磁性材料片４は、磁気コア１の周面に嵌合する曲面形状の溝部４ａが一端部に形成されており、この溝部４ａを周面に嵌合するようにして磁気コア１に固着されている。
【００２６】
すなわち、実施形態１では磁性材料片４が磁気コア１の軸方向における一端側の端面に固着されていることから磁性材料片４の厚み分だけパルストランスＰＴの長さ寸法が大きくなっていた。これに対して本実施形態では、磁気コア１の軸方向には磁性材料片４が突出しないことから、実施形態１に比較して小型のパルストランスＰＴが実現できる。また、磁気コア１の断面形状を長円形とすることにより、断面形状が円形の場合に比較して断面積が同じであればより薄型化が可能である。
【００２７】
（実施形態３）
本実施形態のパルストランスＰＴは、図５に示すよう磁気コア１と磁性材料片４を一体に形成した点以外は実施形態２と共通の構成を有するものである。よって、共通の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００２８】
本実施形態における磁気コア１は、フェライト粉末を圧縮成形した後に焼結することによって、断面形状が長円形の棒状であって軸方向の一端部における周面から矩形の磁性材料片４が外側に突出する形状に形成されている。ここで、磁性材料片４がその中心を磁気コア１の中心軸に一致させて軸対象に形成される場合を考えると、焼結過程において磁気コア１を立てて焼結しない限りは磁気コア１の軸部分に負荷がかかって反りが発生する虞がある。これに対して本実施形態では、磁性材料片４を磁気コア１の中心軸に対して偏心させているから、焼結時においても軸部分に負荷をかけることなく磁気コア１を寝かせて焼結することができ、製造コストを抑えながら反りを小さくして形状の精度を向上した磁気コア１が得られる。
【００２９】
上述のように本実施形態では、磁性材料片４を磁気コア１と一体に形成しているから、樹脂モールド時の成形圧力に対する磁性材料片４の位置ずれ等の発生を抑制することが可能となり、磁性材料片４の位置ずれによる性能のばらつきが少ないパルストランスＰＴが提供できる。
【００３０】
（実施形態４）
本実施形態のパルストランスＰＴは、図６に示すように磁性材料片４の材質が異なる点以外は実施形態２と共通の構成を有するものである。よって、共通の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３１】
本実施形態における磁性材料片４は、珪素鋼板を積層して形成されており、一端部に形成された溝部４ａを周面に嵌合するようにして磁気コア１に固着される。
【００３２】
而して、珪素鋼板はフェライトに比較して数倍〜１０数倍の透磁率を有しているから、磁性材料片４がフェライト製である実施形態２に比較して漏れ磁束をさらに減少させることができ、パルストランスＰＴの一層の小型化が可能となる。また、珪素鋼板は打ち抜き加工や切削加工により複雑な形状を高い寸法精度で形成することが可能であるから、磁性材料片４に溝部４ａを設ける際も、フェライト粉末を圧縮成形した後に焼結によって製作する場合に比較して、パルストランスＰＴの製作コストを下げることができる。
【００３３】
（実施形態５）
図７及び図８は、実施形態２のパルストランスＰＴ（電磁装置）を用いた本実施形態の自動車用ヘッドライト向けソケット内蔵型イグナイタ（高電圧発生装置）を示している。この高電圧発生装置は、図７に示すように合成樹脂製の装置本体３０と、装置本体３０の前面（図７における上面）を除く背面（図７における下面）及び周面を覆うシールドカバー５０とを備えている。装置本体３０はパルストランスＰＴを含む回路部品が収容されるボディ３１と、ボディ３１の前面を覆うカバー３２と、ボディ３１の背面を閉塞する蓋体３３とを組み立てて構成される。
【００３４】
カバー３２の前面には略円形のソケット開口部３４が開口し、このソケット開口部３４の周縁部分にバヨネット式の係止部３５が周方向に複数設けてある。係止部３５はソケット開口部３４の周縁部分に一体に設けられ、中心に向いた切欠からなり、高圧放電ランプＬａのランプ口金の外周面に設けられた係合部（図示せず）をソケット開口部３４の前方から背方へに挿入させる縦溝３５ａと、この縦溝３５ａに連続する横溝３５ｂとからなるＬ字形溝を有し、さらに係合部を係止位置で抜け止めする係止凹部３５ｃが内面に形成されている。
【００３５】
ボディ３１はカバー３２のソケット開口部３４の内側に配置される略円筒形の筒部３６と、カバー３２の周面に設けられた係合孔３７と凹凸係合する係合爪３８とを有し、ボディ３１の前面にカバー３２を被せて係合爪３８を係合孔３７に係合することによってソケット開口部３４の内側に筒部３６が配置された状態でボディ３１とカバー３２が組み立てられる。また、ボディ３１の筒部３６の中心には略円筒形の中央筒部３９が突設されており、この中央筒部３９の内側にランプ口金の中央電極部（図示せず）と接触導通する中央電極４０が収納されている。さらに、ランプ口金の外周面に設けられた外側電極部（図示せず）と接触導通する複数の外側電極４１が筒部３６に取り付けられており、ボディ３１とカバー３２を組み立てたときに筒部３６の前面側に露出する外側電極４１の接触部４１ａがソケット開口部３４の内側に臨むようにしてある。すなわち、ランプ口金をソケット開口部３４に挿入するとき係合部が係止部３５の縦溝３５ａに挿入され、ランプ口金を回転すると係合部が横溝３５ｂに進入して係止凹部３５ｃに係止し抜け止めされ、ランプ口金の中央電極部が中央筒部３９内に挿入されて中央電極４０と接触導通し、同時にソケット開口部３４の内側に臨む外側電極４１の接触部４１ａがランプ口金の外側電極部に接触導通することにより、本実施形態の高電圧発生装置と高圧放電ランプＬａが電気的且つ機械的に接続される。
【００３６】
一方、ボディ３１の前面側には抵抗Ｒ１やコンデンサＣ１などの回路部品が収容される第１の収容凹部４２が設けられる。また、ボディ３１の背面側にはパルストランスＰＴを収容する収容凹所４３が設けてある。
【００３７】
蓋体３３はボディ３１の周面に設けられた複数の係合突部４４と各々凹凸係合する複数の係合溝４５が周壁３３ａに設けられ、ボディ３１の背面に蓋体３３を被せて係合突部４４を係合溝４５に係合することによってボディ３１に蓋体３３が取り付けられてボディ３１の背面が蓋体３３によって閉塞される。
【００３８】
シールドカバー５０は導電性を有する磁性体材料によって一面が開口する箱形に形成され、カバー３２の周面に突設された嵌合突起４６と凹凸嵌合する嵌合孔４７が周壁に設けられている。
【００３９】
而して、ボディ３１とカバー３２と蓋体３３を組み立ててなる装置本体３０を背面側からシールドカバー５０内に挿入し、カバー３２の嵌合突起４６を嵌合孔４７に嵌合することでシールドカバー５０が装置本体３０に取り付けられる。
【００４０】
ここで、装置本体３０内に収容されたパルストランスＰＴは、磁気コア１の一端部に設けられた磁性材料片４がシールドカバー５０の底壁から離れる向き、すなわち、装置本体３０の前面側へ突出するようにボディ３１内に配置されている。このため、図８に示すようにパルストランスＰＴで発生する磁束φのうちでシールドカバー５０に鎖交する磁束φを減らすことができるから渦電流損による性能低下を防止しつつ装置全体の小型化が図れる。
【００４１】
（実施形態６）
本実施形態の高電圧発生装置は、基本的な構成が実施形態５と共通するので、共通の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４２】
本実施形態の高電圧発生装置は、図９に示すように磁気コア１の軸方向に沿って１次巻線２及び２次巻線３に対向する磁気ヨーク片５がシールドカバー５０の底に収納され、磁性材料片４が磁気ヨーク片５に近付く方向へ突出するようにパルストランスＰＴが装置本体３０内に収納されている点に特徴がある。
【００４３】
磁気ヨーク片５は磁性材料により扁平な板状であって長手方向の寸法が磁気コア１とほぼ同じ寸法に形成され、装置本体３０とシールドカバー５０との間に配設されてパルストランスＰＴの周面に対向している。
【００４４】
而して、本実施形態では、磁性材料片４並びに磁気ヨーク片５により漏れ磁束をさらに減らして２次巻線３のインダクタンス値並びに結合係数を一層大きくすることができる。そのため、２次巻線３に発生するパルス電圧の波高値の低下並びに立ち上がりの傾きの増加を抑えて良好な出力特性を有する小型の高電圧発生装置が提供できる。また、パルストランスＰＴで発生する磁束φのうちでシールドカバー５０に鎖交する磁束φは磁気ヨーク片５によって減らすことができるから渦電流損による性能低下を防止することも可能である。
【００４５】
（実施形態７）
図１０は本実施形態のパルストランスＰＴの外観斜視図を示している。但し、実施形態１と共通の構成要素には同一の符号を付して説明は省略する。
【００４６】
このパルストランスＰＴでは、２次巻線３の高圧側の端末３ａが接続される高圧側端子板６を備え、この高圧側端子板６に磁性材料片４が取り付けられている。高圧側端子板６は、一端部に中央電極４０が一体に形成された主片６ａと、２次巻線３の高圧側端末３ａが接続される接続片６ｂと、磁性材料片４が取り付けられる取付片６ｃとが金属製の板材を加工して一体に形成されている。磁性材料片４は、例えば既製のフェライトビーズからなり、図１１に示すように一端面より突出する一対のリード４ｂを取付片６ｃに貫設された挿通孔６ｄに挿通した後に折り曲げることで取付片６ｃに取り付けられる。
【００４７】
一方、磁気コア１の一端面にはＶ字形の溝部１ａが形成されており、この溝部１ａに側端を嵌合することで取付片６ｃが磁気コア１に固定されている。このようにして磁気コア１の軸方向における一端側に配設されたフェライトビーズからなる磁性材料片４により漏れ磁束を減らして２次巻線３のインダクタンス値並びに結合係数を大きくすることができ、実施形態１と同様に２次巻線３に発生するパルス電圧の波高値Ｖｐの低下並びに立ち上がりの傾きの増加を抑えて良好な出力特性が得られるとともに小型化も可能となる。また、パルストランスＰＴを樹脂モールドする際に成形圧力による磁性材料片４の位置ずれの発生を抑えることが可能であり、磁気コア１に対する磁性材料片４の位置ずれによる性能ばらつきを抑制することができる。さらに、一般に市販されているフェライトビーズを磁性材料片４とすることで安価に製造することができるという利点もある。
【００４８】
（実施形態８）
図１２は本実施形態のパルストランスＰＴの外観斜視図を示している。但し、実施形態１と共通の構成要素には同一の符号を付して説明は省略する。
【００４９】
このパルストランスＰＴでは、高固有抵抗を有する磁性粉が含浸された絶縁性を有する合成樹脂材料を、２次巻線３の高圧側の端部上に全周に亘ってモールドすることで筒状の磁性材料片４が形成されている。そして、この磁性材料片４によって２次巻線３のインダクタンス値並びに結合係数を大きくすることができ、実施形態１と同様に２次巻線３に発生するパルス電圧の波高値Ｖｐの低下並びに立ち上がりの傾きの増加を抑えて良好な出力特性が得られるとともに小型化も可能となり、しかも、容易に製造することができる。なお、本実施形態では磁性材料片４を全周に亘って形成しているが、周方向の一部に設けても同様の効果を奏する。
【００５０】
（実施形態９）
本実施形態の高電圧発生装置は、基本的な構成が実施形態５と共通するので、共通の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００５１】
本実施形態の高電圧発生装置はパルストランスＰＴの磁気コア１の形状に特徴を有している。図１３に示すように磁気コア１は軸方向における２次巻線３の高圧側の端部が低圧側の端部よりも外側へ突出させてあり、さらに装置本体３０（ボディ３１）の周面に対向する角部が周面に沿う形で軸方向に対して斜めにカットされた形状に形成されている。
【００５２】
而して、１次巻線２に電流を流したときに生じる磁束φが２次巻線３の高圧側の端部において磁気コア１により装置本体３０の中心側に曲げられるため、従来の棒状の磁気コアに比較して漏れ磁束を減少させてパルストランスＰＴの性能を向上することができる。また、磁気コア１を装置本体３０の形状に合わせてカットした形状としているから、装置本体３０のデッドスペースを有効に活用することができ、しかも、磁束φをシールドカバー５０から遠ざける方向へ曲げることで渦電流損による出力の低下も防止できる。
【００５３】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、磁性材料片により漏れ磁束を減らして２次巻線のインダクタンス値並びに結合係数を大きくすることができるから、２次巻線に発生するパルス電圧の波高値の低下並びに立ち上がりの傾きの増加を抑えて小型で良好な出力特性を有する電磁装置が提供できる。
【００５４】
請求項２の発明によれば、磁気コアの軸方向にそった寸法が磁性材料片によって大型化することがなく、より小型の電磁装置が提供できる。
【００５５】
請求項３の発明によれば、磁性材料片により漏れ磁束を減らして２次巻線のインダクタンス値並びに結合係数を大きくすることができるから、２次巻線に発生するパルス電圧の波高値の低下並びに立ち上がりの傾きの増加を抑えて良好な出力特性を有するとともに、パルストランスで発生する磁束のうちでシールドカバーに鎖交する磁束を減らすことにより渦電流損による性能低下を防止した小型の高電圧発生装置が提供できる。
【００５６】
請求項４の発明によれば、磁性材料片並びに磁気ヨーク片により漏れ磁束を減らして２次巻線のインダクタンス値並びに結合係数を大きくすることができるから、２次巻線に発生するパルス電圧の波高値の低下並びに立ち上がりの傾きの増加を抑えて良好な出力特性を有する小型の高電圧発生装置が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１の電磁装置を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面断面図である。
【図２】従来の電磁装置を示す側面断面図である。
【図３】同上の出力電圧の波形図である。
【図４】実施形態２の電磁装置を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面断面図である。
【図５】実施形態３の電磁装置を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面断面図である。
【図６】実施形態４の電磁装置を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面断面図である。
【図７】実施形態５の高電圧発生装置を示す分解斜視図である。
【図８】同上の一部省略した断面図である。
【図９】実施形態６の高電圧発生装置を示し一部省略した断面図である。
【図１０】実施形態７の電磁装置を示す斜視図である。
【図１１】同上の要部を示す斜視図である。
【図１２】実施形態８の電磁装置を示す斜視図である。
【図１３】実施形態９の高電圧発生装置を示す平面図である。
【図１４】従来の高電圧発生装置を示す斜視図である。
【図１５】同上の回路図である。
【図１６】従来の電磁装置を示す側面断面図である。
【図１７】同上の要部を示す断面図である。
【図１８】同上の磁気コア及び２次巻線を示す斜視図である。
【図１９】同上の出力電圧の波形図である。
【図２０】同上の出力電圧の波形図である。
【符号の説明】
ＰＴパルストランス（電磁装置）
１磁気コア
２１次巻線
３２次巻線
４磁性材料片

Claims

棒状の磁気コアと、磁気コアの周面上に軸方向に沿って巻回された２次巻線と、２次巻線上に巻回された１次巻線とを備える電磁装置において、磁気コアの軸方向における端部の少なくとも一方に、磁気コアの周面よりも外側へ突出する磁性材料片が設けられたことを特徴とする電磁装置。
磁性材料片は、磁気コアの端部における周面に突設されたことを特徴とする請求項１記載の電磁装置。
請求項１又は２記載の電磁装置からなるパルストランスと、パルストランスの１次巻線に並列接続されたコンデンサと、コンデンサから１次巻線への放電経路を開閉するスイッチ要素と、少なくとも前記パルストランス、コンデンサ、スイッチ要素を収容する装置本体と、導電体からなり装置本体を覆うシールドカバーとを備え、この装置本体に放電ランプのランプ口金が電気的且つ機械的に接続されるソケット部を設け、このソケット部を介してパルストランスの２次巻線に発生する高電圧パルスをランプ口金に印加するとともに、磁性材料片がシールドカバーから離れる方向へ突出するようにパルストランスを装置本体内に収納することを特徴とする高電圧発生装置。
請求項１又は２記載の電磁装置からなるパルストランスと、パルストランスの１次巻線に並列接続されたコンデンサと、コンデンサから１次巻線への放電経路を開閉するスイッチ要素と、磁気コアの軸方向に沿って１次巻線及び２次巻線に対向する磁気ヨーク片と、少なくとも前記パルストランス、コンデンサ、スイッチ要素を収容する装置本体と、導電体からなり装置本体を覆うシールドカバーとを備え、この装置本体に放電ランプのランプ口金が電気的且つ機械的に接続されるソケット部を設け、このソケット部を介してパルストランスの２次巻線に発生する高電圧パルスをランプ口金に印加するとともに、磁性材料片が磁気ヨーク片に近付く方向へ突出するようにパルストランスを装置本体内に収納することを特徴とする高電圧発生装置。