JP2005019521A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005019521A JP2005019521A JP2003179483A JP2003179483A JP2005019521A JP 2005019521 A JP2005019521 A JP 2005019521A JP 2003179483 A JP2003179483 A JP 2003179483A JP 2003179483 A JP2003179483 A JP 2003179483A JP 2005019521 A JP2005019521 A JP 2005019521A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- via hole
- insulating film
- semiconductor substrate
- semiconductor device
- pad electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体基板51の表面にパッド電極53を形成し、その同じ面にガラス基板56を接着する。半導体基板51の裏面から、パッド電極53上に半導体基板51を貫通するビアホールVHを形成する。ビアホールVH内を含む半導体基板51の裏面上に有機絶縁膜60を形成し、これをレーザー照射や露光法等によりエッチングすることで、ビアホールVHの側壁に側壁有機絶縁膜60Aを残す。そして、パッド電極53と電気的に接続され、かつビアホールVHから半導体基板51の裏面上に延びる配線層61を形成する。配線層61上にハンダボール63を形成する。そして、半導体基板51を複数の半導体チップ51Aに分割する。
【選択図】 図8
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数のボール状の導電端子が配列されたBGA(Ball Grid Array)型の半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、三次元実装技術として、また新たなパッケージ技術として、CSP(Chip Size Package)が注目されている。CSPとは、半導体チップの外形寸法と略同サイズの外形寸法を有する小型パッケージをいう。
【0003】
従来より、CSPの一種として、BGA型の半導体装置が知られている。このBGA型の半導体装置は、半田等の金属部材からなるボール状の導電端子をパッケージの一主面上に格子状に複数配列し、パッケージの他の面上に搭載される半導体チップと電気的に接続したものである。
【0004】
そして、このBGA型の半導体装置を電子機器に組み込む際には、各導電端子をプリント基板上の配線パターンに圧着することで、半導体チップとプリント基板上に搭載される外部回路とを電気的に接続している。
【0005】
このようなBGA型の半導体装置は、側部に突出したリードピンを有するSOP(Small Outline Package)やQFP(Quad Flat Package)等の他のCSP型の半導体装置に比べて、多数の導電端子を設けることが出来、しかも小型化できるという長所を有する。このBGA型の半導体装置は、例えば携帯電話機に搭載されるデジタルカメラのイメージセンサチップとしての用途がある。
【0006】
図9は従来のBGA型の半導体装置の概略構成を成すものであり、図9(A)はこのBGA型の半導体装置の表面側の斜視図である。また、図9(B)はこのBGA型の半導体装置の裏面側の斜視図である。
【0007】
このBGA型の半導体装置101は、第1及び第2のガラス基板102、103の間に半導体チップ104がエポキシ樹脂105a、105bを介して封止されている。第2のガラス基板103の一主面上、即ちBGA型の半導体装置101の裏面上には、導電端子106が格子状に複数配置されている。この導電端子106は、第2の配線110を介して半導体チップ104へと接続される。複数の第2の配線110には、それぞれ半導体チップ104の内部から引き出されたアルミニウム配線が接続されており、各導電端子106と半導体チップ104との電気的接続がなされている。
【0008】
このBGA型の半導体装置101の断面構造について図10を参照して更に詳しく説明する。図10はダイシングラインに沿って、個々のチップに分割されたBGA型の半導体装置101の断面図を示している。
【0009】
半導体チップ104の表面に配置された絶縁膜108上に第1の配線107が設けられている。この半導体チップ104は樹脂層105aによって第1のガラス基板102と接着されている。また、この半導体チップ104の裏面は、樹脂層105bによって第2のガラス基板103と接着されている。
【0010】
そして、第1の配線107の一端は第2の配線110と接続されている。この第2の配線110は、第1の配線107の一端から第2のガラス基板103の表面に延在している。そして、第2のガラス基板103上に延在した第2の配線上には、ボール状の導電端子106が形成されている。
【0011】
上述した技術は、例えば以下の特許文献1に記載されている。
【0012】
【特許文献1】
特表2002−512436号公報
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したBGA型の半導体装置101において、第1の配線107と第2の配線110との接触面積が非常に小さいので、この接触部分で断線するおそれがあった。また、第2の配線110のステップカバレージにも問題があった。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、上述した課題に鑑みたものであり、以下の工程を経る。
【0015】
半導体基板の第1の主面にパッド電極を形成し、半導体基板の第1の主面にガラス基板を接着する。そして、半導体基板の第2の主面から、パッド電極上に半導体基板を貫通するビアホールを形成する。ビアホール内を含む半導体基板の第2の主面上に有機絶縁膜を形成し、これをレーザー照射や露光法等によりエッチングすることで、ビアホールの側壁に側壁有機絶縁膜を残す。そして、パッド電極と電気的に接続され、かつビアホールから半導体基板の第2の主面上に延びる配線層を形成する。この配線層上には、導電端子を形成する。そして、半導体基板を複数の半導体チップに分割する。
【0016】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
まず、この半導体装置の構造について説明する。図8はこの半導体装置の断面図であり、後述する工程を経たシリコンウエハーをダイシングライン領域に沿って個々のチップに分割したものを示している。また、図8においてDSはダイシングライン中心である。
【0017】
シリコンチップ51Aは、例えばCCDイメージセンサ・チップであり、その第1の主面である表面には、BPSG等の層間絶縁膜52を介してパッド電極53が形成されている。このパッド電極53は、通常のワイヤボンディングに用いられるパッド電極をダイシングライン領域にまで拡張したものであり、拡張パッド電極とも呼ばれる。
【0018】
このパッド電極53は、シリコン窒化膜等のパッシベーション膜54で被覆されている。このパッド電極53が形成されたシリコンチップ51Aの表面には、例えばエポキシ樹脂から成る樹脂層55を介して、ガラス基板56が接着されている。ガラス基板56はシリコンチップ51Aを保護する保護基板として、またシリコンチップ51Aを支持する支持基板として用いられる。
【0019】
シリコンチップ51AがCCDイメージセンサ・チップの場合には、外部からの光をシリコンチップ51Aの表面のCCDデバイスで受光する必要があるため、ガラス基板56のような透明基板、もしくは半透明基板を用いる必要がある。シリコンチップ51Aが受光や発光するものでない場合には不透明基板であってもよい。
【0020】
そして、パッド電極53上に、シリコンチップ51Aを貫通するビアホールVHが形成されている。ここで、ビアホールVHを含むシリコンチップ51Aの裏面の全面には、絶縁膜58が形成されている。
【0021】
また、シリコンチップ51Aの裏面に形成された絶縁膜58上おいて、ビアホールVHと隣接した領域には、緩衝層59が形成されている。
【0022】
また、ビアホールVH内と緩衝層59上を含むシリコンチップ51Aの裏面の全面には、有機絶縁膜60が形成されている。ビアホールVHの側壁には、側壁有機絶縁膜60Aが形成されている。側壁有機絶縁膜60Aは、順テーパー形状を有していることが好ましい。即ち、ビアホールVHの底から上方へ向うにつれて、その膜厚が薄くなっている。これにより、配線層61を電解メッキによりビアホールVH内に埋め込む際に有効である。側壁有機絶縁膜60Aは、後述する配線層61とシリコンチップ51Aとを電気的に絶縁するものである。ここで、有機絶縁膜60及び側壁有機絶縁膜60Aには、感光材料、ポリイミド、エポキシ樹脂等を用いるが、絶縁性を有した有機材料であれば、これらの材料に限られない。
【0023】
そして、このビアホールVHを通してパッド電極53に電気的に接続し、かつビアホールVHからシリコンチップ51Aの裏面上を延在する配線層61が形成されている。配線層61は、再配線層とも呼ばれるもので、例えば銅(Cu)上に、Ni/Au等のバリア層(不図示)を積層した構造である。この配線層61は、緩衝層59を覆うように、シリコンチップ51Aの裏面上に延びている。
【0024】
そして、配線層61は保護膜であるソルダーマスク62によって覆われているが、ソルダーマスク62には、緩衝層59上の部分に開口部Kが形成されている。このソルダーマスク62の開口部Kを通して、導電端子であるハンダボール63が搭載されている。これにより、ハンダボール63と配線層61とが電気的に接続されている。このようなハンダボール63を複数形成することでBGA構造を得ることができる。
【0025】
こうして、シリコンチップ51Aのパッド電極53から、その裏面に形成されたハンダボール63に至るまでの配線が可能となる。また、ビアホールVHを通して配線しているので断線が起こりにくく、ステップカバレージも優れている。さらに配線の機械的強度も高い。
【0026】
また、ハンダボール63は、緩衝層59上に配置されているので、このハンダボール63を介して、この半導体装置をプリント基板へ搭載する際に、緩衝層59が一種のクッションとして働き、その衝撃が緩和されハンダボール63や本体である半導体装置が損傷することが防止される。また、ハンダボール63の形成位置がシリコンチップ51Aの裏面より緩衝層59の厚さ分だけ高くなる。これにより、この半導体装置をプリント基板に搭載する際に、プリント基板とハンダボール63との熱膨張率の差によって生じる応力によって、ハンダボール63やシリコンチップ51Aが損傷することが防止される。
【0027】
緩衝層59は、有機絶縁物や無機絶縁物、金属、シリコン、ホトレジスト等の様々な材質を用いることができるが、クッションとして機能させるには、弾力性に富んだ有機絶縁物や無機絶縁物、ホトレジスト等が適している。
【0028】
また、シリコンチップ51Aは、GaAs、Ge、Si−Ge等の他の材料の半導体チップであってもよい。また、ガラス基板56は、シリコンチップ51Aの熱膨張係数Ksに近い熱膨張係数Kgを有していることが好ましい。その熱膨張係数Kgの範囲はSiの熱膨張係数Ks(2.6〜3.0ppm/°K)の±30%以内である。すなわち、ガラス基板の熱膨張係数Kg、前記半導体基板の熱膨張係数Ksとすると、0.7Ks≦Kg≦1.3Ksという関係が成り立つことである。
【0029】
これによって、ガラス基板56とシリコンチップ51Aの熱膨張係数の差によるガラス基板56の反りが防止される。シリコンチップ51Aが他の材料の半導体チップである場合にも同様のことが言える。
【0030】
次に、この半導体装置の製造方法について説明する。図1に示すように、シリコンウエハー51の第1の主面である表面には、図示しない半導体集積回路(例えば、CCDイメージセンサ)が形成されているものとする。なお、図1は後述するダイシング工程で分割される予定の隣接チップの境界の断面を示している。
【0031】
そのシリコンウエハー51の表面に、BPSG等の層間絶縁膜52を介して、一対のパッド電極53を形成する。この一対のパッド電極53は例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅などの金属層から成り、その厚さは1μm程度である。また、一対のパッド電極53はダイシングライン領域DLに拡張され、その拡張された端部をダイシングライン中心DSの手前に配置している。
【0032】
そして、一対のパッド電極53を覆うシリコン窒化膜等のパッシベーション膜54を形成し、さらにこのパッシベーション膜54上に、例えばエポキシ樹脂から成る樹脂層55を塗布する。そして、この樹脂層55を介して、シリコンウエハー51の表面にガラス基板56を接着する。このガラス基板56はシリコンウエハー51の保護基板や支持基板として機能する。そして、このガラス基板56が接着された状態で、必要に応じてシリコンウエハー10の裏面エッチング、いわゆるバックグラインドを行い、その厚さを150μm程度に加工する。
【0033】
その後、酸(例えば、HFと硝酸等との混合液)をエッチャントとして用いて20μm程度、シリコンウェハー51をエッチングする。これにより、バックグラインドによって生じたシリコンウェハー51の機械的なダメージ層を除去し、シリコンウェハー51の表面に形成されたデバイスの特性を改善するのに有効である。本実施形態では、シリコンウェハー51の最終仕上がりの厚さは、130μm程度であるが、これはデバイスの種類に応じて適宜選択することができる。
【0034】
そして、上記工程により裏面が削られたシリコンウエハー51の裏面上において、パッド電極53上に対応する位置に、ホトレジスト層57を選択的に形成する。なお、ホトレジスト層57を形成するより先に、シリコンウェハー51の裏面全体に、その絶縁性を確保するための酸化膜(不図示)を形成し、その後に、ホトレジスト層57を選択的に形成してもよい。
【0035】
次に、図2に示すように、ホトレジスト層57をマスクとして、シリコンウエハー51のエッチングを行い、シリコンウエハー51を貫通するビアホールVHを形成する。ビアホールVHの底部には層間絶縁膜52が露出され、それに接してパッド電極53がある。ビアホールVHの幅は、40μm程度、その長さは200μm程度である。
【0036】
ビアホールVHを形成するには、ドライエッチングを使用する方法やレーザービームを用いてエッチングする方法が用いられる。なお、シリコンウェハー51とホトレジスト層57との間に酸化膜(不図示)を含む場合、この酸化膜については、例えばBosch法によりエッチングする。
【0037】
次に、図3に示すように、ビアホールVHを含むシリコンウエハー51の裏面全体に、絶縁膜58を形成する。絶縁膜58は、例えばプラズマCVD法によって形成され、PE−SiO2膜やPE−SiN膜が適している。絶縁膜58はビアホールVHの底部、側壁及びシリコンウエハー51上に形成される。
【0038】
そして、ビアホールVHに隣接した位置において、絶縁膜58上に緩衝層59を形成する。緩衝層59は、例えばフィルムレジストを用い、マスク露光及び現像処理により、所定の領域に形成することができる。緩衝層59は、これに限らず、有機絶縁物や無機絶縁物、金属、シリコン、ホトレジスト等の様々な材質を用いることができるが、クッションとして機能させるには、弾力性に富んだ有機絶縁物や無機絶縁物、ホトレジスト等が適している。
【0039】
なお、緩衝層59は、ビアホールVHの近傍を除いて、シリコンウェハー51の裏面の全面に形成されてもよい。
【0040】
次に、図4に示すように、ビアホールVH内部と緩衝層59上を含むシリコンウェハー51の裏面の全面に、有機絶縁膜60を形成する。ここで、有機絶縁膜60は、感光材料、ポリイミド、エポキシ樹脂等を用いて形成するが、絶縁性を有した有機材料であれば、これらの材料に限られない。
【0041】
次に、図5に示すように、ビアホールVH内の有機絶縁膜60を、YAGレーザーやCO2レーザー等のレーザービームの照射により除去する。この際、ビアホールVHの側壁に、側壁有機絶縁膜60Aを残す。なお、後述する配線層61のビアホールVH内への埋め込み形成をスパッタ法や電解メッキ法で行う場合、レーザービームの照射順序やパワーの調整を組合わせることで、側壁有機絶縁膜60Aを順テーパー状に形成することが好ましい。
【0042】
また、有機絶縁膜60が感光材料である場合、ビアホールVH内の有機絶縁膜60を露光法により除去する。
【0043】
そして、絶縁膜58及び層間絶縁膜52は、側壁有機絶縁膜60Aをマスクにして、ドライエッチングやウェットエッチングにより除去され、パッド電極53が露出される。なお、絶縁膜58もしくは層間絶縁膜52は、これらに吸収される周波数帯のレーザービームの照射により除去してもよい。
【0044】
次に、配線層61の形成について説明する。
【0045】
ビアホールVHの側壁有機絶縁膜60A内及び緩衝層上を含む有機絶縁膜60の全面に、銅(Cu)等から成るシード層を、例えばスパッタ法により形成する(不図示)。この不図示のシード層は、後述する配線層61の無電解メッキもしくは電解メッキ時の、メッキ成長のためのメッキ電極となる。
【0046】
次に、図6に示すように、シリコンウェハー51の裏面上において、銅(Cu)の電解メッキもしくは無電解メッキを行うことで配線層61を形成する。配線層61はビアホールVHからシリコンウエハー51の裏面に取り出され、この裏面上を延びて、緩衝層59を覆う。これにより配線層61は、パッド電極53と電気的に接続される。なお、図6では、配線層61はビアホールVH内に完全に埋め込まれているが、メッキ時間の調整により、不完全に埋め込まれてもよい。
【0047】
次に、図7に示すように、配線層61上にソルダーマスク62を被着する。
ソルダーマスク62の緩衝層59上の部分については除去され、開口部Kが設けられている。
【0048】
なお、配線層61とソルダーマスク62との間に、ニッケル(Ni),金(Au)の無電解メッキ、もしくはスパッタ法により、Ni/Au層から成るバリア層(不図示)を形成してもよい。
【0049】
そして、スクリーン印刷法を用いて、配線層61の所定領域上にハンダを印刷し、このハンダを熱処理でリフローさせることでハンダボール63を形成する。なお、配線層61はシリコンウエハー51の裏面の所望領域に、所望の本数を形成することができ、ハンダボール63の数や形成領域も自由に選択できる。
【0050】
そして、図8に示すように、ダイシングライン中心DSに沿って、ダイシング工程を行い、シリコンウエハー51を複数のシリコンチップ51Aに分割する。このダイシング工程では、レーザービームを用いることができる。また、レーザービームを用いたダイシング工程において、ガラス基板56の切断面がテーパー形状となるように加工することにより、ガラス基板56の割れを防止することができる。
【0051】
なお、上述した実施形態では、ビアホールVH内に電解メッキもしくは無電解メッキにより、配線層61を埋め込むように形成しているが、これには限定されず、他の方法を用いても良い。例えば、銀(Ag)系材料とエポキシ樹脂との組合わせ等から成る導電性ペーストをビアホールVH内に埋め込む方法が挙げられる。
【0052】
また、上述した実施形態では、通常のワイヤボンディングに用いられるパッド電極をダイシングライン領域まで拡張して成るパッド電極53を形成しているが、これには限定されず、パッド電極53の代わりに、ダイシングライン領域DLまで拡張されない通常のワイヤボンディングに用いられるパッド電極をそのまま利用しても良い。この場合は、ビアホールVHの形成位置をこのパッド電極を合わせれば良く、他の工程は全く同じである。
【0053】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体チップのパッド電極から、その導電端子に至るまでの配線の断線やステップカバレージの劣化を防止し、信頼性の高いBGA型の半導体装置を得ることができる。また、導電端子は緩衝層上に形成されるので、プリント基板への実装時における衝撃が緩和され半導体装置の損傷を防止できる。
【0054】
また、導電端子は、半導体チップの第2の主面より緩衝層の膜厚の分だけ、高い位置に形成される。これにより、この半導体装置がプリント基板へ実装された時に生じる応力が吸収されやすくなり、導電端子の損傷を極力防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図2】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図3】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図4】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図5】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図6】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図7】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図8】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図9】従来に係る半導体装置を説明する斜視図である。
【図10】従来に係る半導体装置を説明する断面図である。
Claims (8)
- 半導体基板の第1の主面上に形成されたパッド電極を含む当該第1の主面にガラス基板を接着する工程と、
前記パッド電極上に前記半導体基板を貫通するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内を含む前記半導体基板の第2の主面上の全面に有機絶縁膜を形成する工程と、
前記ビアホール内の前記有機絶縁膜を選択的に除去し、前記パッド電極を露出すると共に、前記ビアホールの側壁に側壁有機絶縁膜を残す工程と、
前記ビアホールを通して、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ前記ビアホールから前記半導体基板の第2の主面上に延びる配線層を形成する工程と、
前記配線層上に導電端子を形成する工程と、
前記半導体基板を複数の半導体チップに分割する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の第1の主面上に形成されたパッド電極を含む当該第1の主面にガラス基板を接着する工程と、
前記パッド電極上に前記半導体基板を貫通するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内を含む前記半導体基板の第2の主面上の全面に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に緩衝層を形成する工程と、
前記ビアホール内、及び前記緩衝層上を含む前記半導体基板の第2の主面上の全面に有機絶縁膜を形成する工程と、
前記有機絶縁膜、及び前記ビアホールの底部の前記絶縁膜を選択的に除去し、前記パッド電極を露出すると共に、前記ビアホールの側壁に側壁有機絶縁膜を残す工程と、
前記ビアホールを通して、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ前記ビアホールから前記緩衝層上に延びる配線層を形成する工程と、
前記配線層上に導電端子を形成する工程と、
前記半導体基板を複数の半導体チップに分割する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記有機絶縁膜は、ホトレジスト材料,エポキシ樹脂,ポリイミドのいずれかから成ることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記有機絶縁膜を選択的に除去するに際して、レーザー照射または露光法を用いることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記配線層を形成する工程は、電解メッキ法、無電解メッキ法、もしくは導電性ペーストを埋め込む方法のいずれかにより行われることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜上に緩衝層を形成する工程において、前記緩衝層は前記ビアホールの近傍を除いて、前記半導体チップの第2の主面の全面に形成されることを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ガラス基板の熱膨張係数Kg、前記半導体基板の熱膨張係数Ksとすると、0.7Ks≦Kg≦1.3Ks という関係が成り立つことを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記側壁有機絶縁膜が、順テーパー形状を有することを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003179483A JP3970210B2 (ja) | 2003-06-24 | 2003-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003179483A JP3970210B2 (ja) | 2003-06-24 | 2003-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005019521A true JP2005019521A (ja) | 2005-01-20 |
JP3970210B2 JP3970210B2 (ja) | 2007-09-05 |
Family
ID=34180790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003179483A Expired - Fee Related JP3970210B2 (ja) | 2003-06-24 | 2003-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3970210B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006237594A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-09-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007053149A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Renesas Technology Corp | 半導体ウエハ及びその製造方法 |
KR100709662B1 (ko) * | 2005-03-10 | 2007-04-23 | 산요덴키가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP2008010659A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | ビアホールの加工方法 |
JP2008545251A (ja) * | 2005-06-28 | 2008-12-11 | インテル・コーポレーション | 応力緩衝カラーを備えるシリコン貫通ビアを形成する方法およびその装置 |
US7786587B2 (en) | 2007-07-02 | 2010-08-31 | Spansion Llc | Semiconductor device and method for manufacturing thereof |
JP2012238862A (ja) * | 2006-02-03 | 2012-12-06 | Micron Technology Inc | 導電性ビアの製造と充填のための方法、およびそのように形成された導電性ビア |
JP2016171256A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置、および、半導体装置の製造方法 |
US9659841B2 (en) | 2013-10-30 | 2017-05-23 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and method of producing semiconductor device |
CN107360729A (zh) * | 2015-03-31 | 2017-11-17 | 浜松光子学株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
EP2647044B1 (en) * | 2010-12-02 | 2020-08-05 | Tessera, Inc. | Assembly of stacked microelectronic components having through-silicon vias, and corresponding method of manufacture |
JP2020193997A (ja) * | 2019-05-24 | 2020-12-03 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光デバイス、試験方法、光送受信装置、および製造方法 |
WO2022153814A1 (ja) * | 2021-01-13 | 2022-07-21 | ソニーグループ株式会社 | 半導体装置、電子機器、及び半導体装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-06-24 JP JP2003179483A patent/JP3970210B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1686622A3 (en) * | 2005-01-31 | 2010-05-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
JP2006237594A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-09-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US8035215B2 (en) | 2005-01-31 | 2011-10-11 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
KR100709662B1 (ko) * | 2005-03-10 | 2007-04-23 | 산요덴키가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP2008545251A (ja) * | 2005-06-28 | 2008-12-11 | インテル・コーポレーション | 応力緩衝カラーを備えるシリコン貫通ビアを形成する方法およびその装置 |
JP4694305B2 (ja) * | 2005-08-16 | 2011-06-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体ウエハの製造方法 |
JP2007053149A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Renesas Technology Corp | 半導体ウエハ及びその製造方法 |
JP2012238862A (ja) * | 2006-02-03 | 2012-12-06 | Micron Technology Inc | 導電性ビアの製造と充填のための方法、およびそのように形成された導電性ビア |
JP2008010659A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | ビアホールの加工方法 |
US7786587B2 (en) | 2007-07-02 | 2010-08-31 | Spansion Llc | Semiconductor device and method for manufacturing thereof |
US8148771B2 (en) | 2007-07-02 | 2012-04-03 | Spansion Llc | Semiconductor device and method to manufacture thereof |
EP2647044B1 (en) * | 2010-12-02 | 2020-08-05 | Tessera, Inc. | Assembly of stacked microelectronic components having through-silicon vias, and corresponding method of manufacture |
US10043743B2 (en) | 2013-10-30 | 2018-08-07 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and method of producing semiconductor device |
US9659841B2 (en) | 2013-10-30 | 2017-05-23 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and method of producing semiconductor device |
US10580732B2 (en) | 2013-10-30 | 2020-03-03 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2016171256A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置、および、半導体装置の製造方法 |
US9865502B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-01-09 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device |
EP3279927A4 (en) * | 2015-03-31 | 2018-11-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device |
CN107360729A (zh) * | 2015-03-31 | 2017-11-17 | 浜松光子学株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
US10141368B2 (en) | 2015-03-31 | 2018-11-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device |
EP3279925A4 (en) * | 2015-03-31 | 2018-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10403676B2 (en) | 2015-03-31 | 2019-09-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device manufacturing method |
KR20170133328A (ko) * | 2015-03-31 | 2017-12-05 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US10615220B2 (en) | 2015-03-31 | 2020-04-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10622403B2 (en) | 2015-03-31 | 2020-04-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device manufacturing method |
US10622402B2 (en) | 2015-03-31 | 2020-04-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device |
KR20170134968A (ko) * | 2015-03-31 | 2017-12-07 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
CN107360729B (zh) * | 2015-03-31 | 2020-08-14 | 浜松光子学株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
JP2020191478A (ja) * | 2015-03-31 | 2020-11-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
KR102649896B1 (ko) | 2015-03-31 | 2024-03-22 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
JP7003196B2 (ja) | 2015-03-31 | 2022-02-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2022027973A (ja) * | 2015-03-31 | 2022-02-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP7387700B2 (ja) | 2015-03-31 | 2023-11-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
KR102605400B1 (ko) | 2015-03-31 | 2023-11-24 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP2020193997A (ja) * | 2019-05-24 | 2020-12-03 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光デバイス、試験方法、光送受信装置、および製造方法 |
WO2022153814A1 (ja) * | 2021-01-13 | 2022-07-21 | ソニーグループ株式会社 | 半導体装置、電子機器、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3970210B2 (ja) | 2007-09-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4130158B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置 | |
JP4307284B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100608184B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR100646722B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
EP1408547A2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
EP1482553A2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2005101268A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006237594A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3970210B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3970211B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4307296B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4511148B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4544902B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4282514B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2004006835A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2005311117A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4845986B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2004273561A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4769926B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2005260080A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070511 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070605 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |