JP2004531929A - ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチを制御するための回路及び方法並びにそのような回路を備えた超音波試験装置 - Google Patents
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Abstract
スイッチを制御するための回路および方法を提供する。具体的には、本発明の回路及び方法は、ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチを制御するレベルシフタを提供する。レベルシフタは、一般に、トランジスタ、入力端子、電源、高負電圧電源及びダイオードを備える。このレベルシフタの構成により、電流/信号を伴わないでスイッチがオン状態を保つことを可能にし、レベルシフタのトランジスタの損失を回避し、そして線形性の改善のためにスイッチトランジスタに一定のゲート−ソース間電圧を加える。超音波験装置に接続される走査ヘッドにおいて、この回路を好適に用いることができる。
Description
【技術分野】
【0001】
本発明は、一般に、スイッチを制御するための回路及び方法に関する。本発明は、特に、ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチを制御するためのレベルシフタに関する。本発明はまた、そのような回路とスイッチを備え且つ超音波検査装置に接続される走査ヘッドに関連する。
【背景技術】
【0002】
超音波画像化装置の分野において、スイッチは、同軸ケーブルの数を減少させるために走査ヘッドにしばしば用いられる。スイッチ及び基本となる電子装置が最適の性能を有するためには種々の要因が考慮されなければならない。例えば、導通の際に高い線形性をもつようにするために、各々のスイッチングトランジスタのゲート−ソース間電圧が一定であることは重要である。このことは、画像品質に悪影響を及ぼす信号歪みを最小にすることを確実にする。
【0003】
従来、スイッチを制御するために種々のシステムを実施する多くの試みがなされている。そのようなシステムのうちの2つの例が、Janutkaによる米国特許第4,500,802号明細書とWeirによる米国特許第4,595,847号明細書に示されている。しかしながら、ダイナミックであって、ゼロDCバイアス電流がスイッチの状態(即ち、オン又はオフ)に依存しないことが可能である既存のスイッチは存在しない。
【0004】
具体的には、既存の技術においては、スイッチにおける電圧を損失することなく、スイッチのトランジスタのゲートにおける電荷(即ち、電流はスイッチをオンのまま保つために必要ではなく、最初のスイッチを入れることにのみ必要である)によってスイッチをオンのまま保つことは可能ではない。
【0005】
更に、電子装置のサイズが縮小し続けるにつれて、より小さい電子素子を製造することへの要求が強くなっている。しかしながら、高電圧(例えば、200V)に達することが可能なスイッチであって、シリコンの範囲のより小さい部分(例えば50%)に収まるスイッチを提供する既存のプロダクトは存在しない。更に、超音波エレクトロニクスに適合するような構成で500Vに達するスイッチを提供することができる既存のプロダクトは存在しない。更に、より低い電圧の正電源(例えば、5V及び/又は12V)を必要とするスイッチの操作を制御するためのシステムを提供することができる既存の技術はない。それとは対照的に、既存の制御システムは、通常、スイッチを経由する電圧に比例する電圧を必要とする(例えば、+100V)。
【0006】
存在しないことを考慮して、スイッチング回路及び方法に対する次のような要求がある。
1)スイッチは、高電圧(例えば、500V)に達することが可能であり、超音波アプリケーションのために適合するシリコン範囲を有する。
2)スイッチは、有効電圧(例えば、200V)に達することが可能であり、シリコンの占める範囲が小さい(例えば、50%)。
【0007】
更に、ダイナミックであって、スイッチがオン又はオフであるに拘わらずに、ゼロDCバイアス電流を可能にする、回路及び方法に対する要求が存在する。これは、スイッチトランジスタのゲートにおける電荷によってスイッチがオンを維持できるようにし、一旦電荷蓄積されたトランジスタからパワー損失が生じないようにする。
【0008】
更に、スイッチトランジスタにおけるゲート−ソース電圧を一定に保つことが可能である回路及び方法であって、それ故、スイッチの何れかの非線形性を減少することが可能である回路及び方法に対する要求が存在する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本発明の目的は、ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチを制御するための回路及び方法を提供することにより、既存のシステムがもつ問題点を克服することである。特に、本発明の回路及び方法は、スイッチとスイッチを制御するためのレベルシフタを備える。レベルシフタは、一般に、電源、高負電圧電源、入力端子、トランジスタ及びダイオードを備える。回路と方法を特にまとめると次のようになる。即ち、(1)スイッチの状態に依存しないゼロDCバイアス電流を可能にするダイナミック回路、(2)一定のゲート−ソース間電圧、(3)占有されるシリコン表面範囲を減少させつつ増加するスイッチ電圧、及び(4)回路を動作させるための低電圧電源、から構成される。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の第1の特徴に従って、スイッチを制御するための回路を提供する。この回路は、(1)レベルシフタであって、(a)スイッチラインに結合する第1レベルトランジスタと、(b)第1レベルトランジスタとスイッチラインとの間に位置するダイオードと、(c)カレントミラーに結合する第2レベルトランジスタであって、カレントミラーはスイッチラインに結合される、第2レベルトランジスタと、から構成されるレベルシフタ,並びに(2)スイッチラインに結合するスイッチであって、レベルシフタがスイッチを制御するスイッチ,から構成される。
【0011】
本発明の第2の特徴に従って、ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチを制御するための回路が提供される。この回路は、(1)レベルシフタであって、(a)スイッチラインに結合される第1レベルとランジスタと、(b)第1レベルトランジスタに結合される第1入力端子と、(c)第1レベルトランジスタ及びスイッチライン間に結合されるダイオードと、(d)カレントミラーに結合される第2レベルトランジスタであってカレントミラーがスイッチラインに結合される第2レベルトランジスタと、(e)第2レベルトランジスタに結合される第2入力端子と、を含むレベルシフタ、並びに(2)ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチであって、(a)第1スイッチトランジスタと、(b)第1スイッチトランジスタに結合されたスイッチ入力端子と、(c)第1スイッチトランジスタに結合された第2スイッチトランジスタと、(d)第2スイッチトランジスタに結合されたスイッチ出力端子と、を含むダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチと、第1スイッチトランジスタ及び第2スイッチトランジスタの間に結合されたツェナーダイオードと、を含むダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチ、から構成される。
【0012】
本発明の第2の特徴に従って、ツェナーダイオードとレベルシフタをもつ複数のスイッチトランジスタを有する双方向性スイッチを制御するための方法を提供する。この方法は、(1)レベルシフタの第1入力端子を0Vに設定する段階であって、第1入力端子は第1レベルトランジスタに結合される、段階、(2)レベルシフタの第2入力端子を約12Vに設定する段階であって、第2入力端子は第2レベルトランジスタに結合される、段階、(3)電源から第1レベルトランジスタとレベルシフタのダイオードとを経由して双方向性スイッチまで制御信号を流す段階、(4)制御信号を用いてツェナーダイオードとスイッチトランジスタを充電する段階、(5)ツェナーダイオードがスイッチトランジスタの閾値電圧を超えたとき、スイッチ入力からスイッチ出力までスイッチ信号を流す段階;並びに(6)スイッチトランジスタのゲート電位が所定電位に達したとき、制御信号を停止する段階、から構成される。
【発明の効果】
【0013】
したがって、本発明は、ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチを制御するための回路及び方法を提供する。本発明は、上記した従来のシステムに関連する問題を低減する。
【0014】
超音波試験装置に接続される走査ヘッドにおけるスイッチを制御するために、本発明の回路を好適に適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0015】
I.回路構成
図1を参照するに、レベルシフタ12及びスイッチライン36により接続されたスイッチ14を有する回路10が示されている。レベルシフタ12は、好適には、レベルトランジスタ16、18、20及び22、ダイオード24、入力端子26及び28、ツェナーダイオード30を含むレベルシフタ12は、スイッチライン36に接続されるカレントミラー23から構成される(更に、以下で詳細に説明する)。レベルトランジスタ16及び18は、好適には、PDMOSラテラル高電圧トランジスタであり、レベルトランジスタ20は、好適には、NDMOSラテラル高電圧トランジスタであり、そしてレベルトランジスタ22は、好適には、低電圧NDMOSトランジスタである。ダイオード24は高電圧ダイオードである。ツェナーダイオード30は、トランジスタ22のグランド−ソース間電圧及びドレイン−ソース間電圧を4Vより小さく保つための保護装置であり、好適には、約2Vのツェナー電位/電圧を有している。入力端子28は、オン端子としてデザインされ、電源32からトランジスタ18及びダイオード24を経由する制御電流(即ち、電流)の流れを制御する。同様に、入力端子OFF26は、電源32からトランジスタ16、22を経由する制御信号の流れ、及び高圧負電源34からトランジスタ20を経由する信号の流れを制御する。高圧負電源34は、スイッチ14が動作の間に通す最大の負電圧を供給する。本発明の実施形態の教示の下に、この電圧は−250Vにすることが可能である。ダイオード24は、制御信号がトランジスタ18からスイッチ14に流れるが、その逆には流れないことを確実にする。これは、以下に詳細に説明するように、スイッチ14からのパワーの損失を防ぐ。回路10の構成は、電源32を低圧(例えば、12V)電源とすることが可能である。従来のシステムにおいては、制御スイッチ14を制御するために用いられる電源32は、実質的に12Vより大きい電圧であることが要求された。そのような要求により、回路は高価になった。
【0016】
スイッチ14は、好適には、スイッチトランジスタ38、40(好適には、ソース−ソース間結合されている)及びツェナーダイオード42を含む、ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチである。スイッチトランジスタ38、40は、好適には、ラテラル高電圧トランジスタであり、ツェナーダイオード42は約12Vのツェナー電位/電圧を有している。スイッチ14は、オンを保つために電流(即ち、信号の流れ)を必要とするのではなく、最初にスイッチ14をオンにするときのみに電流を必要とするため、スイッチ14はダイナミックである。更に、スイッチ14は双方向性であるため、スイッチ14を経由する信号は、スイッチ端子A44からスイッチ端子B46まで、又はその逆に、流れる。したがって、どちらのスイッチ端子44又は46も、入力端子又は出力端子のどちらかにすることが可能である。更に、スイッチ14は、それが約250Vから−250Vの電圧を加えることが可能であるため、高電圧向けと考えられる。スイッチ14とレベルシフタ12は具体的な構成要素を伴って示しているが、他のバリエーションも可能である。例えば、スイッチ14は付加的なスイッチトランジスタを含むことが可能である。更に、スイッチ14は、好適には、ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチであるが、本発明の教示に従って、他のタイプのスイッチを制御することも可能である。例えば、スイッチ14は、ダイナミックで、高電圧及び/又は双方向性ではないものとすることが可能である。
II.回路動作
上記の回路10は以下のように機能する。低インピーダンスモード(即ち、オンの状態)にスイッチをするために、入力端子ON28を0Vに設定し、入力端子OFFを12Vに設定する。制御信号(即ち、電流)は、電源32からレベルトランジスタ18とダイオード24を経由して、スイッチライン36を経由してスイッチ14まで流れ、ツェナーダイオード42とスイッチトランジスタ38、40の寄生容量(即ち、ゲート37及び41)を“充電”し始める。これが起こるにつれて、OFF入力端子26の12Vへの設定は、制御信号が電源32からレベルトランジスタ16、20、22を経由して流れることを防止する。更に、レベルトランジスタ20のゲート21における電圧は、その閾値電圧(例えば、Vt=2.5V)に設定される。
【0017】
一旦、ツェナーダイオード42の電位がスイッチトランジスタ38及び40の閾値電圧(例えば、Vt=2.5V)を超えると、スイッチの入力端子A44からの信号は、スイッチトランジスタ38及び40を経由して、スイッチの出力端子B46に流れる(又は、スイッチ14は双方向性であるため、その逆も可能である)ことが可能になる。このように、スイッチトランジスタ38及び40のソース39及び43、そしてスイッチの出力端子B46は、スイッチの入力端子A44の電位まで上がる。ソース39及び43がスイッチの入力端子A44の電位に達したとき、レベルトランジスタ18とダイオード24を経由する電流は、ツェナーダイオード42とスイッチトランジスタ38及び40のゲート37及び41に、約12V(例えば、ツェナー電位)まで充電する。一旦、ゲート37及び41がこの電位に達すれば、レベルトランジスタ18のドレイン−ソース電位は0Vに等しくなり、それらを経由して流れる制御信号は止まる。したがって、回路10の何れの部分において電流は流れなくなるため、消費電力は0まで減少する。この時点で、スイッチ14は低インピーダンスモードにあり、このモードを保つために更なる電流は必要ではない。
【0018】
正電圧スイッチ信号がスイッチ入力端子A44に加えられる場合、ソース39及び43、ゲート37及び41、そしてスイッチ出力端子B46はスイッチ入力端子A44に追随する。具体的には、スイッチ入力端子A44からのスイッチ信号は、スイッチトランジスタ38及び40を経由してスイッチ出力端子B46に流れる。更に、ダイオード24は逆バイアスが掛けられているので、スイッチトランジスタ39及び43のゲートの寄生容量はそれらの電荷(即ち、12V)を保つこととなるため、線形性が維持される(即ち、スイッチ14はダイナミックである)。スイッチ入力端子A44に加えることが可能である最大性電圧は、ダイオード24が維持することが可能である最大電圧に等しい。
【0019】
負電圧スイッチ信号がスイッチ入力端子A44に加えられる場合、ソース39及び43、ゲート37及び41、そしてスイッチ出力端子B46は、同様に、スイッチ入力端子A44に追随する。しかしながら、この場合、制御信号は、電源32からレベルトランジスタ18、ダイオード24及びツェナーダイオード42を経由して流れる。ツェナーダイオード42は、ツェナー電位(即ち、約12ボルト)おいて、スイッチトランジスタ38及び40のゲート−ソース電位を保つ。回路10における全ての電流は、このように、正電圧がスイッチ入力端子A44に加えられるときと同様に、スイッチトランジスタ38及び40のゲート−ソース間電位は一定(即ち、この場合、12V)に保たれる。回路10における全ての電流は、それ故、スイッチ端子A44又はスイッチ端子B46のどちらから外部に流れることとなる。
【0020】
スイッチ14を高インピーダンスモード(即ち、オフ)にするために、入力端子ON28を12Vに設定し、入力端子OFF26を0Vに設定する。次いで、制御信号は、電源32からレベルトランジスタ16及び22を経由して流れる。レベルトランジスタ20のゲート21はレベルトランジスタに瀬と属されるため、高い負電圧が、高い負電圧電源34からレベルトランジスタ20とスイッチライン36を経由してスイッチ14に加えられる。しかしながら、入力端子ON28は12Vに設定されているため、信号はそれを経由して流れない。レベルトランジスタ20を経由する高い負電圧は、スイッチトランジスタ38及び40のゲートの寄生容量を放電する。スイッチトランジスタ38及び40のゲート−ソース間電位がスイッチトランジスタ38及び40の閾値電圧(例えば、Vt=2.5V)に等しいとき、スイッチ14は高いインピーダンスモード(即ち、オフ)にある。高い負電圧は、レベルトランジスタ20及びツェナーダイオード42を介して、スイッチトランジスタ38および40の寄生容量を放電し続ける。ソース39及び43、そしてゲート37及び41の電位が、約−250Vの高い負電圧(Vnn)に達するとき、制御信号は、レベルトランジスタ20を経由して流れることを停止する。このモードにおいて、スイッチ14は、スイッチ端子A44及びB46において信号をブロックすることができる。この目的を達成するために、スイッチ端子A44及びB46に加えることができる最大の正電圧は、スイッチトランジスタ38及び40が維持することが可能である最大ドレイン−ソース間電圧に依存する。逆に、スイッチ端子A44及びB46に加えることができる最小の正電圧はVnn(−250V)に等しい。
【0021】
スイッチ14が、高インピーダンスモードにあり、スイッチ端子A44及びB46における電圧が約1V未満であって、即ち、超音波アプリケーションにおいて受け取る間にあっては一般的である場合、入力端子OFF26及び入力端子ON28の両者を12Vに設定することが可能である。この時点で、制御信号は、レベルトランジスタ16及び22を経由して流れることを停止し、レベルトランジスタ20のゲート電位は低下し、それ故、高インピーダンスモードにレベルトランジスタ20を位置付ける。ここでは、スイッチトランジスタ38及び40の寄生容量を放電する経路がないため、それら寄生容量は高インピーダンスモードに引き続き置かれる。更に、回路10の全てにおいて信号(即ち、電流)が流れないため、消費電力は0まで減少する。
【0022】
上で示したように、スイッチ端子A44及びB46は入力及び出力として説明してきたが、それら端子は逆にすることが可能であることを理解する必要がある。具体的には、スイッチ端子B46を入力とし、他方、スイッチ端子A44を出力とすることが可能である。更に、レベルシフタ12を経由する制御信号は約12Vである。しかしながら、他の電圧は、レベルトランジスタ16及び18のサイズに応じて用いることが可能である。
【0023】
III.実験結果
ここで、図2を参照するに、スイッチONを用いたシミュレーションの結果についてのグラフ50が示されている。特に、グラフ50は、マイクロ秒の時間に対する電圧に関する過渡応答の2つのプロット60及び70を示している。プロット60は、回路のスイッチ入力端子における過渡応答を示し、他方、プロット70はっスイッチ出力端子における過渡応答を示している。このグラフから理解できるように、本発明のスイッチがオンのとき、スイッチ入力端子における過渡応答は、スイッチ出力端子の過渡応答と略同じである。この線形性は、スイッチトランジスタの一定のゲート−ソース間電圧により提供されるが、従来のシステムにおいてはみられなかった。
【0024】
図3は、スイッチOFFを用いたシミュレーションの結果についてグラフに示している。前述と同様に、グラフ80は、時間に対する電圧に関する過渡応答の2つのプロット90及び100から構成されている。プロット90は、スイッチ入力端子における過渡応答について示し、他方、プロット100は、スイッチ出力端子における過渡応答について示している。図に示したように、スイッチがオフのとき、上記の高いインピーダンスモードは、スイッチ信号がスイッチの入力端子から出力端子に流れることを防ぐ。
【0025】
図4は、スイッチがオンのときのオシロスコープとレースのグラフを示している。上記のグラフに類似して、グラフ110は、時間に対する電圧に関する2つのプロット120及び130について示している。プロット120は、スイッチの入力端子における電圧を示し、他方、プロット130は、スイッチの出力端子における電圧を示している。本発明の回路構成(即ち、レベルシフタとスイッチにおけるその制御)により、スイッチ入力端子及びスイッチ出力端子におけるオシロスコープトレースは略同じになる。
【0026】
図5を参照するに、この図は、スイッチがオフのときの状態ではないことを示している。具体的には、図5は、スイッチがオフのときのオシロスコープトレースについてのグラフ140を示している。2つのプロット150と160をよくみると、スイッチの高いインピーダンスモードがスイッチ信号をブロックすることを示す、スイッチ入力端子150における電圧に比較して、スイッチ出力端子160における電圧は比較的平坦である。これは、図5に示すように、スイッチがオフのとき、所望される状態である。
【0027】
図6を参照するに、方法200についてのフローチャートを示している。この方法の第1段階202において、レベルシフタの第1入力端子を約0Vに設定し、ここで、第1入力端子を第1レベルトランジスタに結合させる。第2段階204において、レベルシフタの第2入力端子を約12Vに設定する。方法200の第3段階206において、電源から第1レベルトランジスタ及びレベルシフタのダイオードを経由して双方向性スイッチまで制御信号を流す。第4段階208において、制御信号を用いて、ツェナーダイオードとスイッチトランジスタを充電する。第5段階210において、ツェナーダイオードがスイッチトランジスタの閾値電圧を超えたとき、スイッチ入力からスイッチ出力までスイッチ信号を流す。方法200の第6段階212において、スイッチトランジスタのゲート電位が所定電位に達したとき、制御信号を停止する。
【0028】
本発明の好適な実施形態についての上述の説明は、説明図を説明することを目的として行った。網羅的であることまたは説明した明確な形態に本発明を限定することを意図して上述説明を行ったのではなく、また本発明の教示するところに照らして明らかに多くの改良及び変形が可能である。そのような改良及び変形は当業者には明瞭に理解されるものであり、本発明の請求項による権利範囲にそれらは包含されることを意図するものである。
【0029】
IV.超音波試験装置
超音波診断画像化システムは、完全に非侵襲的方法で体内の生理機能を画像化し、且つ測定することが可能である。超音波は皮膚の表面から体内に伝達され、体内の組織及び細胞から反射される。反射されたエコーは、走査ヘッドの超音波トランスジューサにより受け取られ、組織の画像又は血液流の測定を得るために処理される。診断は、それ故、患者の体内における干渉を伴わないで行うことが可能である。走査ヘッドは、ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチを備える。このスイッチは、好適には、上記の回路により制御される。
【0030】
本発明の回路は、超音波試験装置の走査ヘッドにおいて必要であるような、ダイナミック高電圧アナログスイッチを制御するために最も適切である。超音波試験手法を実施する間に、放出する段階は高電圧を必要とし、他方、受け入れる段階は、非常に敏感な増幅器に適用する、小さいエコーの振動により生成される非常に小さい信号を処理するために、制御スイッチは、放出する段階から受け入れる段階までのスイッチングのために必要である。本発明の回路は、好適には、放出トランスジューサ素子の動作から受け入れトランスジューサ素子の動作までのスイッチングのために用いられる。本発明の回路はまた、スイッチが導通の間に高い線形性を示すように一定である各々のスイッチトランジスタのゲート−ソース間電圧を確実にする。これは、最小の信号歪みをもたらし、超音波試験装置の画像品質を改善する。この回路はまた、走査ヘッドのサイズを最小にするために、電子素子が占めるスペースを最小にすることを可能にする。本発明の回路はまた、走査ヘッドにおけるケーブルにより占められる空間を最小にすることにより、走査ヘッドのサイズを更に最小にすることを可能にする。受け入れチャンネルの数は、トランスジューサ素子の数に比べて非常に少なくすることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【0031】
本発明はまた、そのような回路により制御される、ダイナミック高電圧アナログスイッチを備える走査ヘッドを有する超音波試験装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【図1】本発明の実施形態に従った回路を示す図である。
【図2】本発明の実施形態のスイッチがオンのときのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図3】本発明の実施形態のスイッチがオフのときのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図4】本発明の実施形態のスイッチがオンのときのオシロスコープのトレースを示すグラフである。
【図5】本発明の実施形態のスイッチがオフのときのオシロスコープのトレースを示すグラフである。
【図6】本発明の実施形態に従った方法のフローチャートを示す図である。
【0001】
本発明は、一般に、スイッチを制御するための回路及び方法に関する。本発明は、特に、ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチを制御するためのレベルシフタに関する。本発明はまた、そのような回路とスイッチを備え且つ超音波検査装置に接続される走査ヘッドに関連する。
【背景技術】
【0002】
超音波画像化装置の分野において、スイッチは、同軸ケーブルの数を減少させるために走査ヘッドにしばしば用いられる。スイッチ及び基本となる電子装置が最適の性能を有するためには種々の要因が考慮されなければならない。例えば、導通の際に高い線形性をもつようにするために、各々のスイッチングトランジスタのゲート−ソース間電圧が一定であることは重要である。このことは、画像品質に悪影響を及ぼす信号歪みを最小にすることを確実にする。
【0003】
従来、スイッチを制御するために種々のシステムを実施する多くの試みがなされている。そのようなシステムのうちの2つの例が、Janutkaによる米国特許第4,500,802号明細書とWeirによる米国特許第4,595,847号明細書に示されている。しかしながら、ダイナミックであって、ゼロDCバイアス電流がスイッチの状態(即ち、オン又はオフ)に依存しないことが可能である既存のスイッチは存在しない。
【0004】
具体的には、既存の技術においては、スイッチにおける電圧を損失することなく、スイッチのトランジスタのゲートにおける電荷(即ち、電流はスイッチをオンのまま保つために必要ではなく、最初のスイッチを入れることにのみ必要である)によってスイッチをオンのまま保つことは可能ではない。
【0005】
更に、電子装置のサイズが縮小し続けるにつれて、より小さい電子素子を製造することへの要求が強くなっている。しかしながら、高電圧(例えば、200V)に達することが可能なスイッチであって、シリコンの範囲のより小さい部分(例えば50%)に収まるスイッチを提供する既存のプロダクトは存在しない。更に、超音波エレクトロニクスに適合するような構成で500Vに達するスイッチを提供することができる既存のプロダクトは存在しない。更に、より低い電圧の正電源(例えば、5V及び/又は12V)を必要とするスイッチの操作を制御するためのシステムを提供することができる既存の技術はない。それとは対照的に、既存の制御システムは、通常、スイッチを経由する電圧に比例する電圧を必要とする(例えば、+100V)。
【0006】
存在しないことを考慮して、スイッチング回路及び方法に対する次のような要求がある。
1)スイッチは、高電圧(例えば、500V)に達することが可能であり、超音波アプリケーションのために適合するシリコン範囲を有する。
2)スイッチは、有効電圧(例えば、200V)に達することが可能であり、シリコンの占める範囲が小さい(例えば、50%)。
【0007】
更に、ダイナミックであって、スイッチがオン又はオフであるに拘わらずに、ゼロDCバイアス電流を可能にする、回路及び方法に対する要求が存在する。これは、スイッチトランジスタのゲートにおける電荷によってスイッチがオンを維持できるようにし、一旦電荷蓄積されたトランジスタからパワー損失が生じないようにする。
【0008】
更に、スイッチトランジスタにおけるゲート−ソース電圧を一定に保つことが可能である回路及び方法であって、それ故、スイッチの何れかの非線形性を減少することが可能である回路及び方法に対する要求が存在する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本発明の目的は、ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチを制御するための回路及び方法を提供することにより、既存のシステムがもつ問題点を克服することである。特に、本発明の回路及び方法は、スイッチとスイッチを制御するためのレベルシフタを備える。レベルシフタは、一般に、電源、高負電圧電源、入力端子、トランジスタ及びダイオードを備える。回路と方法を特にまとめると次のようになる。即ち、(1)スイッチの状態に依存しないゼロDCバイアス電流を可能にするダイナミック回路、(2)一定のゲート−ソース間電圧、(3)占有されるシリコン表面範囲を減少させつつ増加するスイッチ電圧、及び(4)回路を動作させるための低電圧電源、から構成される。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の第1の特徴に従って、スイッチを制御するための回路を提供する。この回路は、(1)レベルシフタであって、(a)スイッチラインに結合する第1レベルトランジスタと、(b)第1レベルトランジスタとスイッチラインとの間に位置するダイオードと、(c)カレントミラーに結合する第2レベルトランジスタであって、カレントミラーはスイッチラインに結合される、第2レベルトランジスタと、から構成されるレベルシフタ,並びに(2)スイッチラインに結合するスイッチであって、レベルシフタがスイッチを制御するスイッチ,から構成される。
【0011】
本発明の第2の特徴に従って、ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチを制御するための回路が提供される。この回路は、(1)レベルシフタであって、(a)スイッチラインに結合される第1レベルとランジスタと、(b)第1レベルトランジスタに結合される第1入力端子と、(c)第1レベルトランジスタ及びスイッチライン間に結合されるダイオードと、(d)カレントミラーに結合される第2レベルトランジスタであってカレントミラーがスイッチラインに結合される第2レベルトランジスタと、(e)第2レベルトランジスタに結合される第2入力端子と、を含むレベルシフタ、並びに(2)ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチであって、(a)第1スイッチトランジスタと、(b)第1スイッチトランジスタに結合されたスイッチ入力端子と、(c)第1スイッチトランジスタに結合された第2スイッチトランジスタと、(d)第2スイッチトランジスタに結合されたスイッチ出力端子と、を含むダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチと、第1スイッチトランジスタ及び第2スイッチトランジスタの間に結合されたツェナーダイオードと、を含むダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチ、から構成される。
【0012】
本発明の第2の特徴に従って、ツェナーダイオードとレベルシフタをもつ複数のスイッチトランジスタを有する双方向性スイッチを制御するための方法を提供する。この方法は、(1)レベルシフタの第1入力端子を0Vに設定する段階であって、第1入力端子は第1レベルトランジスタに結合される、段階、(2)レベルシフタの第2入力端子を約12Vに設定する段階であって、第2入力端子は第2レベルトランジスタに結合される、段階、(3)電源から第1レベルトランジスタとレベルシフタのダイオードとを経由して双方向性スイッチまで制御信号を流す段階、(4)制御信号を用いてツェナーダイオードとスイッチトランジスタを充電する段階、(5)ツェナーダイオードがスイッチトランジスタの閾値電圧を超えたとき、スイッチ入力からスイッチ出力までスイッチ信号を流す段階;並びに(6)スイッチトランジスタのゲート電位が所定電位に達したとき、制御信号を停止する段階、から構成される。
【発明の効果】
【0013】
したがって、本発明は、ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチを制御するための回路及び方法を提供する。本発明は、上記した従来のシステムに関連する問題を低減する。
【0014】
超音波試験装置に接続される走査ヘッドにおけるスイッチを制御するために、本発明の回路を好適に適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0015】
I.回路構成
図1を参照するに、レベルシフタ12及びスイッチライン36により接続されたスイッチ14を有する回路10が示されている。レベルシフタ12は、好適には、レベルトランジスタ16、18、20及び22、ダイオード24、入力端子26及び28、ツェナーダイオード30を含むレベルシフタ12は、スイッチライン36に接続されるカレントミラー23から構成される(更に、以下で詳細に説明する)。レベルトランジスタ16及び18は、好適には、PDMOSラテラル高電圧トランジスタであり、レベルトランジスタ20は、好適には、NDMOSラテラル高電圧トランジスタであり、そしてレベルトランジスタ22は、好適には、低電圧NDMOSトランジスタである。ダイオード24は高電圧ダイオードである。ツェナーダイオード30は、トランジスタ22のグランド−ソース間電圧及びドレイン−ソース間電圧を4Vより小さく保つための保護装置であり、好適には、約2Vのツェナー電位/電圧を有している。入力端子28は、オン端子としてデザインされ、電源32からトランジスタ18及びダイオード24を経由する制御電流(即ち、電流)の流れを制御する。同様に、入力端子OFF26は、電源32からトランジスタ16、22を経由する制御信号の流れ、及び高圧負電源34からトランジスタ20を経由する信号の流れを制御する。高圧負電源34は、スイッチ14が動作の間に通す最大の負電圧を供給する。本発明の実施形態の教示の下に、この電圧は−250Vにすることが可能である。ダイオード24は、制御信号がトランジスタ18からスイッチ14に流れるが、その逆には流れないことを確実にする。これは、以下に詳細に説明するように、スイッチ14からのパワーの損失を防ぐ。回路10の構成は、電源32を低圧(例えば、12V)電源とすることが可能である。従来のシステムにおいては、制御スイッチ14を制御するために用いられる電源32は、実質的に12Vより大きい電圧であることが要求された。そのような要求により、回路は高価になった。
【0016】
スイッチ14は、好適には、スイッチトランジスタ38、40(好適には、ソース−ソース間結合されている)及びツェナーダイオード42を含む、ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチである。スイッチトランジスタ38、40は、好適には、ラテラル高電圧トランジスタであり、ツェナーダイオード42は約12Vのツェナー電位/電圧を有している。スイッチ14は、オンを保つために電流(即ち、信号の流れ)を必要とするのではなく、最初にスイッチ14をオンにするときのみに電流を必要とするため、スイッチ14はダイナミックである。更に、スイッチ14は双方向性であるため、スイッチ14を経由する信号は、スイッチ端子A44からスイッチ端子B46まで、又はその逆に、流れる。したがって、どちらのスイッチ端子44又は46も、入力端子又は出力端子のどちらかにすることが可能である。更に、スイッチ14は、それが約250Vから−250Vの電圧を加えることが可能であるため、高電圧向けと考えられる。スイッチ14とレベルシフタ12は具体的な構成要素を伴って示しているが、他のバリエーションも可能である。例えば、スイッチ14は付加的なスイッチトランジスタを含むことが可能である。更に、スイッチ14は、好適には、ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチであるが、本発明の教示に従って、他のタイプのスイッチを制御することも可能である。例えば、スイッチ14は、ダイナミックで、高電圧及び/又は双方向性ではないものとすることが可能である。
II.回路動作
上記の回路10は以下のように機能する。低インピーダンスモード(即ち、オンの状態)にスイッチをするために、入力端子ON28を0Vに設定し、入力端子OFFを12Vに設定する。制御信号(即ち、電流)は、電源32からレベルトランジスタ18とダイオード24を経由して、スイッチライン36を経由してスイッチ14まで流れ、ツェナーダイオード42とスイッチトランジスタ38、40の寄生容量(即ち、ゲート37及び41)を“充電”し始める。これが起こるにつれて、OFF入力端子26の12Vへの設定は、制御信号が電源32からレベルトランジスタ16、20、22を経由して流れることを防止する。更に、レベルトランジスタ20のゲート21における電圧は、その閾値電圧(例えば、Vt=2.5V)に設定される。
【0017】
一旦、ツェナーダイオード42の電位がスイッチトランジスタ38及び40の閾値電圧(例えば、Vt=2.5V)を超えると、スイッチの入力端子A44からの信号は、スイッチトランジスタ38及び40を経由して、スイッチの出力端子B46に流れる(又は、スイッチ14は双方向性であるため、その逆も可能である)ことが可能になる。このように、スイッチトランジスタ38及び40のソース39及び43、そしてスイッチの出力端子B46は、スイッチの入力端子A44の電位まで上がる。ソース39及び43がスイッチの入力端子A44の電位に達したとき、レベルトランジスタ18とダイオード24を経由する電流は、ツェナーダイオード42とスイッチトランジスタ38及び40のゲート37及び41に、約12V(例えば、ツェナー電位)まで充電する。一旦、ゲート37及び41がこの電位に達すれば、レベルトランジスタ18のドレイン−ソース電位は0Vに等しくなり、それらを経由して流れる制御信号は止まる。したがって、回路10の何れの部分において電流は流れなくなるため、消費電力は0まで減少する。この時点で、スイッチ14は低インピーダンスモードにあり、このモードを保つために更なる電流は必要ではない。
【0018】
正電圧スイッチ信号がスイッチ入力端子A44に加えられる場合、ソース39及び43、ゲート37及び41、そしてスイッチ出力端子B46はスイッチ入力端子A44に追随する。具体的には、スイッチ入力端子A44からのスイッチ信号は、スイッチトランジスタ38及び40を経由してスイッチ出力端子B46に流れる。更に、ダイオード24は逆バイアスが掛けられているので、スイッチトランジスタ39及び43のゲートの寄生容量はそれらの電荷(即ち、12V)を保つこととなるため、線形性が維持される(即ち、スイッチ14はダイナミックである)。スイッチ入力端子A44に加えることが可能である最大性電圧は、ダイオード24が維持することが可能である最大電圧に等しい。
【0019】
負電圧スイッチ信号がスイッチ入力端子A44に加えられる場合、ソース39及び43、ゲート37及び41、そしてスイッチ出力端子B46は、同様に、スイッチ入力端子A44に追随する。しかしながら、この場合、制御信号は、電源32からレベルトランジスタ18、ダイオード24及びツェナーダイオード42を経由して流れる。ツェナーダイオード42は、ツェナー電位(即ち、約12ボルト)おいて、スイッチトランジスタ38及び40のゲート−ソース電位を保つ。回路10における全ての電流は、このように、正電圧がスイッチ入力端子A44に加えられるときと同様に、スイッチトランジスタ38及び40のゲート−ソース間電位は一定(即ち、この場合、12V)に保たれる。回路10における全ての電流は、それ故、スイッチ端子A44又はスイッチ端子B46のどちらから外部に流れることとなる。
【0020】
スイッチ14を高インピーダンスモード(即ち、オフ)にするために、入力端子ON28を12Vに設定し、入力端子OFF26を0Vに設定する。次いで、制御信号は、電源32からレベルトランジスタ16及び22を経由して流れる。レベルトランジスタ20のゲート21はレベルトランジスタに瀬と属されるため、高い負電圧が、高い負電圧電源34からレベルトランジスタ20とスイッチライン36を経由してスイッチ14に加えられる。しかしながら、入力端子ON28は12Vに設定されているため、信号はそれを経由して流れない。レベルトランジスタ20を経由する高い負電圧は、スイッチトランジスタ38及び40のゲートの寄生容量を放電する。スイッチトランジスタ38及び40のゲート−ソース間電位がスイッチトランジスタ38及び40の閾値電圧(例えば、Vt=2.5V)に等しいとき、スイッチ14は高いインピーダンスモード(即ち、オフ)にある。高い負電圧は、レベルトランジスタ20及びツェナーダイオード42を介して、スイッチトランジスタ38および40の寄生容量を放電し続ける。ソース39及び43、そしてゲート37及び41の電位が、約−250Vの高い負電圧(Vnn)に達するとき、制御信号は、レベルトランジスタ20を経由して流れることを停止する。このモードにおいて、スイッチ14は、スイッチ端子A44及びB46において信号をブロックすることができる。この目的を達成するために、スイッチ端子A44及びB46に加えることができる最大の正電圧は、スイッチトランジスタ38及び40が維持することが可能である最大ドレイン−ソース間電圧に依存する。逆に、スイッチ端子A44及びB46に加えることができる最小の正電圧はVnn(−250V)に等しい。
【0021】
スイッチ14が、高インピーダンスモードにあり、スイッチ端子A44及びB46における電圧が約1V未満であって、即ち、超音波アプリケーションにおいて受け取る間にあっては一般的である場合、入力端子OFF26及び入力端子ON28の両者を12Vに設定することが可能である。この時点で、制御信号は、レベルトランジスタ16及び22を経由して流れることを停止し、レベルトランジスタ20のゲート電位は低下し、それ故、高インピーダンスモードにレベルトランジスタ20を位置付ける。ここでは、スイッチトランジスタ38及び40の寄生容量を放電する経路がないため、それら寄生容量は高インピーダンスモードに引き続き置かれる。更に、回路10の全てにおいて信号(即ち、電流)が流れないため、消費電力は0まで減少する。
【0022】
上で示したように、スイッチ端子A44及びB46は入力及び出力として説明してきたが、それら端子は逆にすることが可能であることを理解する必要がある。具体的には、スイッチ端子B46を入力とし、他方、スイッチ端子A44を出力とすることが可能である。更に、レベルシフタ12を経由する制御信号は約12Vである。しかしながら、他の電圧は、レベルトランジスタ16及び18のサイズに応じて用いることが可能である。
【0023】
III.実験結果
ここで、図2を参照するに、スイッチONを用いたシミュレーションの結果についてのグラフ50が示されている。特に、グラフ50は、マイクロ秒の時間に対する電圧に関する過渡応答の2つのプロット60及び70を示している。プロット60は、回路のスイッチ入力端子における過渡応答を示し、他方、プロット70はっスイッチ出力端子における過渡応答を示している。このグラフから理解できるように、本発明のスイッチがオンのとき、スイッチ入力端子における過渡応答は、スイッチ出力端子の過渡応答と略同じである。この線形性は、スイッチトランジスタの一定のゲート−ソース間電圧により提供されるが、従来のシステムにおいてはみられなかった。
【0024】
図3は、スイッチOFFを用いたシミュレーションの結果についてグラフに示している。前述と同様に、グラフ80は、時間に対する電圧に関する過渡応答の2つのプロット90及び100から構成されている。プロット90は、スイッチ入力端子における過渡応答について示し、他方、プロット100は、スイッチ出力端子における過渡応答について示している。図に示したように、スイッチがオフのとき、上記の高いインピーダンスモードは、スイッチ信号がスイッチの入力端子から出力端子に流れることを防ぐ。
【0025】
図4は、スイッチがオンのときのオシロスコープとレースのグラフを示している。上記のグラフに類似して、グラフ110は、時間に対する電圧に関する2つのプロット120及び130について示している。プロット120は、スイッチの入力端子における電圧を示し、他方、プロット130は、スイッチの出力端子における電圧を示している。本発明の回路構成(即ち、レベルシフタとスイッチにおけるその制御)により、スイッチ入力端子及びスイッチ出力端子におけるオシロスコープトレースは略同じになる。
【0026】
図5を参照するに、この図は、スイッチがオフのときの状態ではないことを示している。具体的には、図5は、スイッチがオフのときのオシロスコープトレースについてのグラフ140を示している。2つのプロット150と160をよくみると、スイッチの高いインピーダンスモードがスイッチ信号をブロックすることを示す、スイッチ入力端子150における電圧に比較して、スイッチ出力端子160における電圧は比較的平坦である。これは、図5に示すように、スイッチがオフのとき、所望される状態である。
【0027】
図6を参照するに、方法200についてのフローチャートを示している。この方法の第1段階202において、レベルシフタの第1入力端子を約0Vに設定し、ここで、第1入力端子を第1レベルトランジスタに結合させる。第2段階204において、レベルシフタの第2入力端子を約12Vに設定する。方法200の第3段階206において、電源から第1レベルトランジスタ及びレベルシフタのダイオードを経由して双方向性スイッチまで制御信号を流す。第4段階208において、制御信号を用いて、ツェナーダイオードとスイッチトランジスタを充電する。第5段階210において、ツェナーダイオードがスイッチトランジスタの閾値電圧を超えたとき、スイッチ入力からスイッチ出力までスイッチ信号を流す。方法200の第6段階212において、スイッチトランジスタのゲート電位が所定電位に達したとき、制御信号を停止する。
【0028】
本発明の好適な実施形態についての上述の説明は、説明図を説明することを目的として行った。網羅的であることまたは説明した明確な形態に本発明を限定することを意図して上述説明を行ったのではなく、また本発明の教示するところに照らして明らかに多くの改良及び変形が可能である。そのような改良及び変形は当業者には明瞭に理解されるものであり、本発明の請求項による権利範囲にそれらは包含されることを意図するものである。
【0029】
IV.超音波試験装置
超音波診断画像化システムは、完全に非侵襲的方法で体内の生理機能を画像化し、且つ測定することが可能である。超音波は皮膚の表面から体内に伝達され、体内の組織及び細胞から反射される。反射されたエコーは、走査ヘッドの超音波トランスジューサにより受け取られ、組織の画像又は血液流の測定を得るために処理される。診断は、それ故、患者の体内における干渉を伴わないで行うことが可能である。走査ヘッドは、ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチを備える。このスイッチは、好適には、上記の回路により制御される。
【0030】
本発明の回路は、超音波試験装置の走査ヘッドにおいて必要であるような、ダイナミック高電圧アナログスイッチを制御するために最も適切である。超音波試験手法を実施する間に、放出する段階は高電圧を必要とし、他方、受け入れる段階は、非常に敏感な増幅器に適用する、小さいエコーの振動により生成される非常に小さい信号を処理するために、制御スイッチは、放出する段階から受け入れる段階までのスイッチングのために必要である。本発明の回路は、好適には、放出トランスジューサ素子の動作から受け入れトランスジューサ素子の動作までのスイッチングのために用いられる。本発明の回路はまた、スイッチが導通の間に高い線形性を示すように一定である各々のスイッチトランジスタのゲート−ソース間電圧を確実にする。これは、最小の信号歪みをもたらし、超音波試験装置の画像品質を改善する。この回路はまた、走査ヘッドのサイズを最小にするために、電子素子が占めるスペースを最小にすることを可能にする。本発明の回路はまた、走査ヘッドにおけるケーブルにより占められる空間を最小にすることにより、走査ヘッドのサイズを更に最小にすることを可能にする。受け入れチャンネルの数は、トランスジューサ素子の数に比べて非常に少なくすることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【0031】
本発明はまた、そのような回路により制御される、ダイナミック高電圧アナログスイッチを備える走査ヘッドを有する超音波試験装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【図1】本発明の実施形態に従った回路を示す図である。
【図2】本発明の実施形態のスイッチがオンのときのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図3】本発明の実施形態のスイッチがオフのときのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図4】本発明の実施形態のスイッチがオンのときのオシロスコープのトレースを示すグラフである。
【図5】本発明の実施形態のスイッチがオフのときのオシロスコープのトレースを示すグラフである。
【図6】本発明の実施形態に従った方法のフローチャートを示す図である。
Claims (18)
- レベルシフタであって、スイッチラインに結合する第1レベルトランジスタと、第1レベルトランジスタとスイッチラインとの間に位置するダイオードと、カレントミラーに結合する第2レベルトランジスタであって、カレントミラーはスイッチラインに結合される、第2レベルトランジスタと、から構成されるレベルシフタ;並びに
スイッチラインに結合され、レベルシフタにより制御されるスイッチ;
から構成されることを特徴とするスイッチを制御するための回路。 - 請求項1に記載の回路であって、第1レベルトランジスタ及び第2レベルトランジスタはPDMOSラテラル高電圧トランジスタである、ことを特徴とする回路。
- 請求項1に記載の回路であって、カレントミラーは第3レベルトランジスタ、第4レベルトランジスタ及びツェナーダイオードから構成され、第3レベルトランジスタは低電圧NDMOSトランジスタであり、第4レベルトランジスタはNDMOSトランジスタである、ことを特徴とする回路。
- 請求項1に記載の回路であって、スイッチはダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチであり、第1スイッチトランジスタ、第2スイッチトランジスタ、ツェナーダイオード、スイッチ入力端子及びスイッチ出力端子から構成される、ことを特徴とする回路。
- 請求項1乃至4の何れか一項に記載の回路であって、レベルシフタは、第1レベルトランジスタに結合される第1入力端子と、第2レベルトランジスタに結合される第2入力端子とから更に構成される、ことを特徴とする回路。
- 請求項1乃至5の何れか一項に記載の回路であって、レベルシフタは、第1レベルトランジスタ及び第2レベルトランジスタに制御信号を供給するための電源と、カレントミラーとスイッチに高い負電圧を供給するための高負電圧電源とから更に構成される、ことを特徴とする回路。
- 請求項1乃至6の何れか一項に記載の回路であって、ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチを制御するために:
レベルシフタであって、スイッチラインに結合される第1レベルとランジスタと、第1レベルトランジスタに結合される第1入力端子と、第1レベルトランジスタ及びスイッチライン間に結合されるダイオードと、カレントミラーに結合される第2レベルトランジスタであってカレントミラーがスイッチラインに結合される第2レベルトランジスタと、第2レベルトランジスタに結合される第2入力端子と、を含むレベルシフタ;並びに
ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチであって、第1スイッチトランジスタと、第1スイッチトランジスタに結合されたスイッチ入力端子と、第1スイッチトランジスタに結合された第2スイッチトランジスタと、第2スイッチトランジスタに結合されたスイッチ出力端子と、第1スイッチトランジスタ及び第2スイッチトランジスタの間に結合されたツェナーダイオードと、を含むダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチ;
から構成される、ことを特徴とする回路。 - 請求項7に記載の回路であって、第1レベルトランジスタ及び第2レベルトランジスタはPDMOSラテラル高電圧トランジスタである、ことを特徴とする回路。
- 請求項7に記載の回路であって、第1スイッチトランジスタ及び第2スイッチトランジスタはNDMOSラテラル高電圧トランジスタである、ことを特徴とする回路。
- 請求項7乃至9の何れか一項に記載の回路であって、カレントミラーは、第3レベルトランジスタ、第4レベルトランジスタ及び第2ツェナーダイオードから構成され、第3レベルトランジスタは低電圧NDMOSトランジスタであり、且つ第4レベルトランジスタは低電圧NDMOSトランジスタである、ことを特徴とする回路。
- 請求項7乃至10の何れか一項に記載の回路であって、レベルシフタは、第1レベルトランジスタ及び第2レベルトランジスタに制御信号を供給するための電源と、カレントミラーとスイッチに高い負電圧を供給するための高負電圧電源とから更に構成される、ことを特徴とする回路。
- ツェナーダイオードとレベルシフタをもつ複数のスイッチトランジスタとを有する双方向性スイッチを制御する方法であって:
レベルシフタの第1入力端子を0Vに設定する段階であって、第1入力端子は第1レベルトランジスタに結合される、段階;
レベルシフタの第2入力端子を約12Vに設定する段階であって、第2入力端子は第2レベルトランジスタに結合される、段階;
電源から第1レベルトランジスタとレベルシフタのダイオードとを経由して双方向性スイッチまで制御信号を流す段階;
制御信号を用いてツェナーダイオードとスイッチトランジスタを充電する段階;
ツェナーダイオードがスイッチトランジスタの閾値電圧を超えたとき、スイッチ入力からスイッチ出力までスイッチ信号を段階;並びに
スイッチトランジスタのゲート電位が所定電位に達したとき、制御信号を停止する段階;
から構成されることを特徴とする方法。 - 請求項12に記載の方法であって、スイッチトランジスタのゲート−ソース間電圧は一定である、ことを特徴とする方法。
- 請求項12又は13に記載の方法であって:
第1入力端子を約12Vに設定する段階;
第2入力端子を約0Vに設定する段階;並びに
レベルシフタからスイッチまで高負電圧を加える段階;
から構成される、ことを特徴とする方法。 - 請求項12乃至14の何れか一項に記載の方法であって、制御信号を流す段階は、レベルシフタからスイッチトランジスタ及びツェナーダイオードまで制御信号を流す手順から構成される、ことを特徴とする方法。
- 請求項15に記載の方法であって、低電圧スイッチ信号がスイッチ入力に加えられるとき、両方の入力端子を約12Vに設定する手順から更に構成される、ことを特徴とする方法。
- 超音波試験装置のための走査ヘッドであって、超音波を体の組織の表面から体の中に送り、且つ体内の組織及び細胞から反射されるエコーを受け取るための超音波トランスジューサを用い、請求項1乃至11の何れか一項に従った回路により制御される、ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチから構成される、ことを特徴とする走査ヘッド。
- 体内の生理機能の画像化又は測定のための超音波試験装置であって:
体の組織の表面から体内に超音波を送るため及び体内の組織及び細胞から反射されたエコーを受け取るための超音波トランスジューサをもつ走査ヘッド;並びに
組織及び細胞の画像を生成するため又は体の生理機能に関連する測定を行うために走査ヘッドの超音波トランスジューサにより受け取られる反射されたエコーを処理するための手段;
から構成される超音波試験装置であり、
走査ヘッドは、請求項1乃至11の何れか一項に従った回路により制御されるダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチを備える;
ことを特徴とする超音波試験装置。
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