JP2004527919A - 接続端子構造 - Google Patents

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Abstract

【解決手段】電力半導体モジュールは、導電性の蓋板(2)、導電性の底板、ならびにこれらの蓋板と底板との間に配置された絶縁性の容器壁(3)を持つモジュール容器を有する。このモジュール容器内には、電力半導体回路が収納されている。この電力半導体回路の二つの端子(5,6)は、モジュール容器から引き出されており、その際この少なくとも二つの端子の中の第一の端子(5)が、蓋板との接続端子として配備されている。これらの二つの端子(5,6)は、モジュール容器から引き出されている基板(4)の対向する平板上に配置されており、端子間を標準のコネクターを用いて接続することができる。
この発明にもとづく電力半導体モジュールは、安定性およびインダクタンスに関して改良された接続端子を有する。

Description

【技術分野】
【0001】
この発明は、パワーエレクトロニクスの分野に関連する。この発明は、請求項1の上位概念にもとづく電力半導体モジュールに関するものである。
【背景技術】
【0002】
所謂「ホッケーパック」形の半導体モジュールは、例えば複数のモジュールから成るスタック形式で利用される半導体モジュールであり、その際このモジュールは、通常ホッケーのパックの形状を持つ、すなわち二つの基本的に平行に向かい合った底面を持つ円筒形の形状である。これらの底面は、電気を伝導する形で構成され、この半導体の出力電極または主電極(エミッタ、コレクタ)と接続されている一方、底面間の側壁は、電気を絶縁する形で構成されている。複数の直列に接続されたモジュールを持つスタックにおいては、主電流路の二つのモジュールの間には、それぞれヒートシンクが配置されている。これらの電力半導体部品の制御と監視のために、制御用の端子(ゲート)と補助の端子(補助エミッタ)が、それぞれモジュール容器から引き出されている。従来の「ホッケーパック」形モジュールでは、これらの端子は、突出した形のピンで構成され、その際補助の端子は、一方の底面(エミッタ)上に半田付けされている。
【0003】
これらのピンは、力が加わると簡単に折れてしまうことがある。同様に、半田付けされた箇所も損傷してしまうことがある。さらに、ピン状の接続端子間のインダクタンスは、比較的大きい。
【0004】
特許文献1によって、電気的に絶縁された容器内にIGBTから成る半導体回路を有する半導体モジュールが周知である。IGBTの主電極には、モジュール容器から側壁を通して引き出されている二つの出力端子が接続されている。これらの出力端子は、基本的に平板として構成され、これらの平板は、一つの絶縁層によって分離され、互いに平行に配置されている。IGBTの制御用の端子は、側壁の別の場所を通してモジュールから引き出されている。
【特許文献1】
欧州特許公開第772235号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
この発明の課題は、接続端子の安定性と接続端子間のインダクタンスに関して改良された、はじめに述べた形の電力半導体モジュールを提示することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
この課題は、請求項1の特徴を持つ電力半導体モジュールによって解決される。
【0007】
この発明の要点は、モジュール容器から引き出された電力半導体回路の二つの端子が、モジュール容器から引き出されたプリント回路基板(Printed Circuit Board, PCB)の対向する面上に配置されること、この基板が固定手段によって蓋板に力で締め付ける形で固定されることであり、その結果基板と蓋板との間に配置された蓋板側の端子が、電気を伝導する形で蓋板と接合されることとなり、その際この固定手段は、有利には接合箇所の区域に配置されるものである。
【0008】
このことによって、これらの端子は、インダクタンスが低減されるとともに、安定性が向上される。さらに、蓋板と蓋板側の端子との間に最適な電気的接続が保証されるものである。
【0009】
有利には、これらの蓋板および/または蓋板側の端子は、接合箇所の区域にぎざきざを持つ。このことによって、電気的な接続が、さらに改良される。その結果、変動する条件(温度、湿度)においても、より長期間にわたり信頼性の有る電力用接続端子を実現することができる。
【0010】
この発明にもとづく電力半導体モジュールの別の有利な実施形態においては、蓋板および基板は、それぞれ少なくとも二つの突出部を持つ。これらの蓋板および基板の突出部は、それぞれ重なり合って配置されるとともに、固定手段は、これらの突出部の区域に配置される。さらに、基板は、これらの二つの突出部の間に少なくとも一つの別の突出部を有する。
【0011】
蓋板の二つの突出部は、基板のこの別の突出部を衝撃から保護するために配備されたものである。この別の突出部は、その端子間を従来のコネクターを用いて接続することができるように、有利には基本的に長方形の形状に構成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【0012】
以下において、図面に描かれた実施例をもとに、この発明の詳細な説明を行う。
【0013】
すべての図面において、同じ符号は、同じ機能を持つ構成部分に対応している。
【0014】
図1における電力半導体モジュールは、二つの電力半導体から成る電力半導体回路1を有する。この電力半導体回路の機能と構成は、任意であり、この発明には関係しないものである。そして、例えば複数の予め製作可能なサブモジュールの半導体部品を組み立てる形態も可能である。
【0015】
電力半導体回路1は、基本的に導電性の蓋板2、導電性の底板9、ならびにこれらの間に配置された絶縁性の容器壁3から成るモジュール容器内に格納されている。
【0016】
電力半導体回路1の出力端子または主端子は、従来の「ホッケーパック」形モジュールのように、導電性の蓋板および底板と電気を伝導する形で接合されている。
【0017】
電力半導体用の制御信号、例えばIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)用のゲート制御信号は、母線と制御用の端子導体6を介して、容器から引き出されている。
【0018】
この発明では、この制御用の端子導体6は、両面を金属被覆された基板4の一方の面上に配置されている。この基板の別の面上には、蓋板2と電気を導電する形で接合された蓋板側の端子導体5がある。
【0019】
図2は、この発明にもとづく電力半導体モジュールの部分を上から見た形で表している。
【0020】
容器壁3と蓋板2との間には、両面を金属被覆された基板4が配置されている。蓋板に面する上方の側には、蓋板側の端子導体5が有る。容器壁に面する下方の側には、二つの制御用の端子導体6が有る。
【0021】
蓋板2は、モジュール容器の縁から突き出た二つの突出部21を有する。図3から明らかなように、この基板は、蓋板の突出部21の下に配置された、二つの対応する突出部41を有する。これらの突出部21と41は、固定手段7、例えば鋲またはねじで結合されている。このことにより、基板の上側に配置された蓋板側の端子導体51と蓋板との間には、導電性の結合が形成される。蓋板の突出部21の下側には、ぎざぎざ22(ぎざぎざに刻まれた表面)が形成されている。数100μmまでの長さのぎざぎさの先端を、基板の金属被覆に押し付けることにより、電気的な接続を改善することができる。
【0022】
基板は、二つの突出部41の間に、別の突出部42を有する。この突出部42は、図4から明らかなように、コネクター8を装着するためのものである。コネクター8は、矢印の方向に突出部42に押し込まれる。コネクター内に配置された接触部が、基板4の両側に配置された端子52と61に押し付けられる。コネクターとしては、従来の基板コネクターを用いることができる。
【0023】
突出部42は、蓋板の突出部21によって、上からと横からの衝撃に対して保護されている。
【0024】
図5と図6は、一つの制御用の端子61だけを持つ基板の別の実施形態を表している。さらに、固定手段用の貫通部71の区域に、蓋板側の端子導体51のぎざぎざ53を形成している。このぎざぎざに刻まれた表面によって、蓋板との電気的な接続を改善することができる。
【0025】
この基板は、モジュール容器の内部に、制御母線との接続端子としての機能を持つ別の突出部43を有する。垂直の接続部品(ここには描かれていない)が、制御用の端子導体62を母線と接続している。突出部21に形成された貫通部71の他に、別の固定手段用の貫通部を設けることができる。
【0026】
図示した実施形態の他に、複数のコネクター用に互いに並んで配置された複数の突出部を用いることが考えられる。その場合、各コネクターの間には、それぞれ各突出部を保護するための蓋板の突出部を設けることができる。
【0027】
さらに、基板の突出部毎に一つまたは二つより多い制御用の端子を設けることも考えられる。
【0028】
特に、各導体層が少なくとも一つの端子を持つ三層または多層基板を有する実施例を考えることもできる。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】蓋板と基板を有する、この発明にもとづく電力半導体モジュール
【図2】蓋板と第一の実施形態の基板を有する、図1の電力半導体モジュールの部
分図
【図3】図2の電力半導体モジュールのIII−IIIにおける断面図
【図4】図2の電力半導体モジュールのIV−IVにおける断面図
【図5】図2に対応する、第二の実施形態の基板を上から見た図
【図6】図5の基板を下から見た図
【符号の説明】
【0030】
1 電力半導体回路
2 導電性の蓋板、エミッタ板
3 絶縁性の容器壁
4 絶縁性の基板
5,51 蓋板側の端子導体
6,62 制御用の端子導体
7 固定手段
8 端子コネクター
9 導電性の底板
21,41,42,43 突出部
22,53 ぎざぎざ
52 蓋板側の端子
61 制御用の端子
71 固定手段用の貫通部

Claims (4)

  1. 導電性の蓋板(2)と、この蓋板と基本的に平行に配置された導電性の底板(9)と、これらの蓋板と底板との間に配置された絶縁性の容器壁(3)を持つモジュール容器、
    一方の端子が蓋板と、他方の端子が底板と電気を導電する形で接続された少なくとも二つの出力端子を有する、このモジュール容器内に収容された電力半導体回路(1)、ならびに、
    このモジュール容器から引き出された、この電力半導体回路の少なくとも二つの端子(5,52;6,61)であって、これらの少なくとも二つの端子(5,52)の中の第一の端子が蓋板(2)との接続端子として配備された少なくとも二つの端子(5,52;6,61)、
    を有する電力半導体モジュールにおいて、
    基本的に平らに形成された基板(4)が、モジュール容器から引き出されており、その際この基板(4)は、少なくとも二層の構造を持ち、上記の二つの端子は、この基板(4)の導体(5,6)として構成されるとともに、これらの導体(5,6)は、基板(4)の底面と基本的に平行に配置されること、ならびに、
    この基板(4)が、固定手段(7)により力で締め付ける形で蓋板(2)に固定され、その結果蓋板に面する側に配置された蓋板側の端子導体(5)が、電気を伝導する形で蓋板と接合されること、
    を特徴とする電力半導体モジュール。
  2. 前記の固定手段(7)が、前記の接合箇所の区域に配置されることを特徴とする請求項1に記載の電力半導体モジュール。
  3. 前記の蓋板(2)および/または蓋板側の端子導体(5,51)が、前記の接合箇所の区域に、接合を最適にするぎざぎざ(22,53)を有することを特徴とする請求項1または2に記載の電力半導体モジュール。
  4. 前記の蓋板(2)と基板(4)が、それぞれ少なくとも二つの突出部(21)を有すること、
    これらの蓋板(21)と基板(41)それぞれの一つの突出部が、互いに重なり合う形で配置されること、
    前記の固定手段(7)が、これらの突出部(21,41)の区域に配置されること、
    この基板(4)が、これら二つの突出部(41)の間に、少なくとも一つの別の突出部(42)を有すること、ならびに、
    前記の端子(52,61)が、この別の突出部(42)上に配置されること、
    を特徴とする請求項1から3までのいずれか一つに記載の電力半導体モジュール。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013048239A (ja) * 2011-08-17 2013-03-07 Abb Technology Ag プレスピン、電力半導体モジュール、複数の電力半導体モジュールを備えた半導体モジュール・アセンブリ
JP2014531133A (ja) * 2011-10-21 2014-11-20 アーベーベーテクノロジーアクチエンゲゼルシャフトABB Technology AG パワー半導体モジュール及び複数のパワー半導体モジュールを備えたパワー半導体モジュールアセンブリ

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10316356B4 (de) * 2003-04-10 2012-07-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul
JP2004357384A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Toyoda Mach Works Ltd ヒートシンクへのスイッチング素子取付構造
RU180437U1 (ru) * 2017-10-31 2018-06-14 Акционерное Общество "Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро По Релейной Технике" (Ао "Сктб Рт") Силовой модуль
RU2699759C1 (ru) * 2018-10-10 2019-09-10 Владимир Анатольевич Петров Блок электрической аппаратуры

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3406528A1 (de) * 1984-02-23 1985-08-29 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleitermodul
US4748495A (en) * 1985-08-08 1988-05-31 Dypax Systems Corporation High density multi-chip interconnection and cooling package
US5579217A (en) * 1991-07-10 1996-11-26 Kenetech Windpower, Inc. Laminated bus assembly and coupling apparatus for a high power electrical switching converter
DE19530264A1 (de) 1995-08-17 1997-02-20 Abb Management Ag Leistungshalbleitermodul
JP3396566B2 (ja) * 1995-10-25 2003-04-14 三菱電機株式会社 半導体装置
DE19603224A1 (de) * 1996-01-30 1997-07-31 Wolfgang Dipl Ing Schuster Mechanische Anordnung parallelgeschalteter Halbleiterbauelemente
JP3674333B2 (ja) * 1998-09-11 2005-07-20 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール並びにそれを用いた電動機駆動システム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013048239A (ja) * 2011-08-17 2013-03-07 Abb Technology Ag プレスピン、電力半導体モジュール、複数の電力半導体モジュールを備えた半導体モジュール・アセンブリ
JP2014531133A (ja) * 2011-10-21 2014-11-20 アーベーベーテクノロジーアクチエンゲゼルシャフトABB Technology AG パワー半導体モジュール及び複数のパワー半導体モジュールを備えたパワー半導体モジュールアセンブリ

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Publication number Publication date
DE50214290D1 (de) 2010-04-29
EP1393375A1 (de) 2004-03-03
US6856012B2 (en) 2005-02-15
RU2003137843A (ru) 2005-02-27
US20040145050A1 (en) 2004-07-29
WO2002097885A1 (de) 2002-12-05
JP4266814B2 (ja) 2009-05-20
EP1263046A1 (de) 2002-12-04
CN100511677C (zh) 2009-07-08
EP1393375B1 (de) 2010-03-17
RU2302686C2 (ru) 2007-07-10
CN1513207A (zh) 2004-07-14

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