KR101118871B1 - 접속 장치를 갖는 소형 전력 반도체 모듈 - Google Patents

접속 장치를 갖는 소형 전력 반도체 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR101118871B1
KR101118871B1 KR1020070025016A KR20070025016A KR101118871B1 KR 101118871 B1 KR101118871 B1 KR 101118871B1 KR 1020070025016 A KR1020070025016 A KR 1020070025016A KR 20070025016 A KR20070025016 A KR 20070025016A KR 101118871 B1 KR101118871 B1 KR 101118871B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power semiconductor
contact
conductive layer
semiconductor module
contact portion
Prior art date
Application number
KR1020070025016A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070095780A (ko
Inventor
고블 크리스티안
그네벨 마르쿠스
Original Assignee
세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지 filed Critical 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지
Publication of KR20070095780A publication Critical patent/KR20070095780A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101118871B1 publication Critical patent/KR101118871B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5387—Flexible insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

본 발명은 하우징, 전도 트랙과 전도 트랙에 배치되는 전력 반도체 요소를 갖는 기판, 및 접속 장치를 갖는 전력 반도체 모듈에 관한 것이다.
접속 장치는 각각 패터닝되어 전도 트랙을 형성하는 제 1 및 제 2 전도층과, 제 1 및 제 2 전도층 사이에 배치되는 절연층을 포함하는 필름 복합체를 포함한다. 제 1 전도층은 점용접 이음 형태로 형성된 전력 반도체 요소의 전력 접속 영역에 대한 제 1 접촉부, 전력 반도체 요소의 제어 접속 영역에 대한 제 2 접촉부, 및 인쇄 회로 기판에 대한 부하 접속부를 위한 제 3 접촉부를 갖는다. 제 2 전도층은 제 1 전도층과 인쇄 회로 기판에 대한 제어 접속부를 위한 제 4 접촉부와의 연결부를 갖는다. 필름 복합체는 하우징의 가이드부 내에 배치되는, 제 1 및 제 2 접촉부 사이와 제 3 및 제 4 접촉부 사이의 필름부를 더 포함한다.
전력 반도체 모듈, 부하 접속부, 제어 접속부, 제 1 전도층, 제 2 전도층

Description

접속 장치를 갖는 소형 전력 반도체 모듈{Compact power semiconductor module having a connecting device}
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전력 반도체 모듈의 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전력 반도체 모듈의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전력 반도체 모듈의 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전력 반도체 모듈의 필름 복합체를 나타낸 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 전력 반도체 모듈 3: 하우징
5: 기판 6: 접속 장치
7: 인쇄 회로 기판 60: 제 1 전도층
62: 절연층 64: 제 2 전도층
600: 제 1 접촉부 602: 제 2 접촉부
604: 제 3 접촉부 606: 제 4 접촉부
본 발명은 전력 반도체 요소들의 부하 및 제어 단자들을 외부의 인쇄 회로 기판에 전기적으로 연결하기 위한 접속 장치를 갖는 소형 전력 반도체 모듈에 관한 것이다. 여기서, “부하 접속부(load connection)”라는 용어는 이하 전력 반도체 모듈의 접촉부와 외부의 배선 요소 사이의 접속부를 의미하는 것으로, 예를 들면, 중계 회로의 DC 입력과 반브리지 회로(half-bridge circuit)의 AC 출력과 같은 부하 단자들을 의미한다.
유사한 방식으로, “제어 접속부(control connection)”라는 용어는 이하 전력 반도체 모듈의 보조 또는 제어 단자와 외부의 제어 단자 요소 사이의 접속부를 의미한다.
예를 들면, DE 10 2004 0255 609 A1 또는 DE 103 55 925 A1에 개시된 바와 같은 전력 반도체 모듈들이 본 발명의 기점이 된다. DE 10 2004 0255 609 A1은 스크류 압력 접촉(screw pressure contacting)을 갖는 전력 반도체 모듈을 개시한다. 이러한 경우, 종래 기술에 따른 스크류 접속(screw connection)에 의해서 전력 반도체 모듈와 인쇄 회로 기판 사이의 부하 접속부가 이루어진다. 이때, 보조 또는 제어 단자들의 제어 접속은 스프링 접촉 요소와 인쇄 회로 기판의 전도 트랙부(conductor track section) 사이의 접속의 형태를 갖는다. 본 발명에 따르면, 인 쇄 회로 기판의 부하 단자 요소들과의 배열 및 스크류 접속에 의해서 압력이 제어 접속부에 도입된다. 상술한 유형의 전력 반도체 모듈의 구성은 특히 10 암페어 이상의 전류 부하(current loading)에 적합하다.
DE 103 55 925 A1은 절연 중간층을 갖는 제 1 및 제 2 전도성 필름으로 구성된 필름 복합체를 포함하는 전력 반도체 요소용 접속 장치를 개시한다. 전력 반도체 요소는 제 1 전도층에 초음파 용접(ultrasonic welding)에 의해서 영구적으로 신뢰할 수 있는 방식으로 전기적으로 연결된다. 회로에 적합하며 부하 및 제어 단자들을 포함하는 전력 반도체 요소들의 모듈 내부 접속부가 본 문헌에 개시된다. 그러나, 상기 문헌은 외부 접속을 위한 부하 및 제어 단자들에 대해서는 상세하게 개시하고 있지 않다.
본 발명의 목적은 제조하기가 간단하며 소형의 크기를 가지며, 부하 단자들과 제어 단자들을 인쇄 회로 기판 상에 배열하는 것이 가능한 필름 복합체의 형태를 갖는 접속 장치를 포함하는 전력 반도체 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 상기 목적은 청구항 1항의 특징들에 의해서 이루어진다. 바람직한 실시예들이 종속항들에서 설명된다.
본 발명의 개념은 하우징과, 전도 트랙과 회로에 적합한 방식으로 전도 트랙 에 배치되는 전력 반도체 요소를 갖는 적어도 하나의 기판을 포함하는 전력 반도체 모듈에 기초한다. 또한, 전력 반도체 모듈은 제 1 및 제 2 전도층과, 제 1 및 제 2 전도층 사이에 배치되는 절연층을 포함하는 필름 복합체를 각각 포함하는 적어도 하나의 접속 장치를 갖는다.
각각의 전도층은 패터닝되어 전도 트랙을 형성한다. 두 개의 전도층의 각각의 전도 트랙은 회로에 적합한 접속부에 의해서, 예를 들면, 압력 접촉 접속부의 형태로, 서로 접속되는 것이 바람직하다.
필름 복합체의 제 1 전도층은 전력 반도체 요소의 전력 접속 영역에 대한 점용접 이음 형태로 형성된 제 1 접촉부를 갖는다. 바람직하게는, 제 1 전도층은 또 다른 전도 트랙 상의 전력 반도체 요소의 제어 접속 영역에 대한 제 2 접촉부를 더 갖는다. 또한, 제 1 전도층은 인쇄 회로 기판에 대한 부하 접속부를 위한 제 3 접촉부를 갖는다. 제 2 전도층은 인쇄 회로 기판에 대한 제어 접속부를 위한 제 4 접촉부를 갖는다.
필름 복합체는 하우징의 가이드부 내에 배치되는, 제 1 및 제 2 접촉부 사이와 제 3 및 제 4 접촉부 사이의 필름부를 가지며, 제 3 및 제 4 접촉부는 평행한 영역 법선을 갖는다.
이하, 도 1 내지 4b를 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하기로 한다.
도 1은 히트 싱크와 인쇄 회로 기판이 배열되는, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전력 반도체 모듈의 단면도이다. 전력 반도체 모듈(1)은 기판(5)을 둘러싸는 하우징(3)을 포함한다. 이때, 기판(5)은 전력 반도체 모듈의 내부의 반대편을 향하는 하우징(3)의 면으로부터 부분적으로 돌출되도록 배열된다. 히트 싱크(2)는 전기적 절연 기판의 상기 면에 배열되며, 기판(5)에 열 전도적으로 연결된다.
전력 반도체 모듈의 내부를 향하는 기판(5)의 면은 전기적으로 서로 절연되는 복수 개의 전도 트랙(54)의 형태를 갖는다. 복수 개의 전력 반도체 요소(58a, 58b)는 회로에 적합한 방식으로 상기 전도 트랙(54) 상에 배열되며, 전기 전도적으로 접속된다.
더욱이, 전력 반도체 모듈은 필름 복합체를 포함하는 접속 장치(6)를 갖는다. 이러한 필름 복합체는 각각 패턴화되어 전도 트랙을 형성하는 제 1 및 제 2 전도층(60, 64)과, 제 1 및 제2 전도층(60, 64) 사이에 배열되는 절연층(62)으로 구성된다.
이러한 필름 복합체의 제 1 전도층(60)은 점용접 이음(spot-welded joint) 형태로 형성된 전력 반도체 요소(58a, 58b)의 전력 접속 영역(580)에 대한 제 1 접촉부(600)를 갖는다. 또한, 제 1 전도층(60)은 전력 반도체 요소(58a)의 제어 접속 영역(582)에 제 2 접촉부(602)를 갖는다. 따라서, 제 1 전도층(60)과 제 1 전도층(60)의 전도 트랙은 접촉부(600, 602)와 함께 기판(5)으로부터 떨어져 있는 전력 반도체 요소(58a, 58b)의 이러한 접속 영역의 접속부를 회로에 적합한 방식으로 형성한다. 전력 반도체 요소(58a, 58b)를 갖는 기판(5)과 제 1 전도층(60) 사이의 공간은 전기적 안전성을 위하여 절연 물질로 채워진다. 이러한 절연 물질은 실리콘 겔 또는 에폭시 수지(584)인 것이 바람직하다.
제 1 전도층(60)은 인쇄 회로 기판(7)에 대한 부하 접속부(70)를 위한 제 3 접촉부(604)를 더 포함한다. 이러한 제 3 접촉부(604)는 제 1 접촉부(600) 및 이에 따라 결합된 전력 반도체 요소의 전력 접속 영역에 전기 전도적으로 연결된다.
제 2 전도층(64)은 회로에 적합한 방식으로 형성된 제 1 전도층(60)과의 연결부(66)를 갖는다. 이는 전력 반도체 요소(58a)의 제어 접속 영역(582)을 인쇄 회로 기판(7)에 대한 제어 접속부(72)를 위한 제 4 접촉부(606)에 연결하기 위한 것이다.
제 3 및 제 4 접촉부(604, 606)는 각각 일렬로 배열되는 것이 바람직하다. 이를 위해 전력 반도체 모듈은 필름 복합체의 필름부가 배치되는 가이드부(30)를 하우징(3) 내부에 구비한다. 이러한 필름부는 제 1 및 제 2 접촉부(600, 602) 사이와 제 3 및 제 4 접촉부(604, 606) 사이의 접속부를 형성한다.
전력 반도체 모듈의 상술한 구성을 형성하기 위해서, 제 3 접촉부(604)에 대한 필름부는 동일한 절곡 방향을 갖는 제 1 및 제 2 절곡점(68b)을 갖는다. 이와 대조적으로, 제 4 접촉부(606)에 대한 필름부는 제 1 절곡 방향을 갖는 제 1 절곡점(68a)과 반대의 제 2 절곡 방향을 갖는 제 2 절곡점(68b)을 갖는다. 이러한 경우, 절곡점(68a, 68b)은 하우징(3)의 가이드부(30)의 결합 가장자리(32)에 배열된다.
이러한 구성의 결과로, 제 3 및 제 4 접촉부(604, 606)는 접촉이 이루어지는 인쇄 회로 기판에 의해 결정되는 일면 내에 배치된다. 따라서, 접촉부(604, 606)는 평행한 영역 법선(parallel area normal)을 갖는 영역을 각각 형성한다. 하우징(3) 은 제 3 접촉부(604)와 제 4 접촉부(606)가 각각 그들의 영역 법선의 방향에서 하우징(3) 밖으로 돌출되도록 설계되며, 인쇄 회로 기판(7)과의 납땜 접속(soldered connection)이 가능해진다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전력 반도체 모듈의 사시도이다. 도 2a는 하우징(3)을 구비하는 전력 반도체 모듈을 나타내며, 도 2b는 하우징(3)을 구비하지 아니하는 전력 반도체 모듈을 나타낸다. 이때, 전력 반도체 요소(58)를 갖는 기판(5)이 도시된다. 이러한 전력 반도체 요소(58)는 패터닝되어 전도 트랙을 형성하는 제 1 전도층(60)을 포함하는 접속 장치(6)에 의해서 회로에 적합한 방식으로 접속된다. 이러한 접속 장치(6)는 절연층(62) 및 절연층(62) 상에 배치되며 패터닝되어 전도 트랙을 형성하는 제 2 전도층(64)을 더 포함한다. 제 2 전도층(64) 상의 전도 트랙의 각각의 측면이 도 2b에 도시된다.
전도 트랙이 형성된 이러한 접속 장치(6)의 필름부는 하우징(3)의 가이드부(30)를 통과하여, 인쇄 회로 기판에 대한 부하 및 제어 접속부용 접촉부(604, 606)가 일면을 형성하고 평행한 영역 법선을 갖는 방식으로 기판(5)으로부터 떨어진 하우징(3)의 면에 배치된다.
이를 위해 제 3 접촉부(604)에 대한 필름부는 동일한 절곡 방향을 갖는 제 1 및 제 2 절곡점(68b)을 가지며, 반면에, 제 4 접촉부(606)에 대한 필름부는 제 1 절곡 방향을 갖는 제 1 절곡점(68a)과 반대의 제 2 절곡 방향을 갖는 제 2 절곡점(68b)을 갖는다.
본 발명에 따르면, 각각의 제 3 접촉부(604)는 제 1 전도층(60)의 전도 트랙 의 부분적인 조각의 형태이며, 제 4 접촉부(606)는 제 2 전도층(64)의 전도 트랙의 부분적인 조각의 형태이다.
도 3은 히트 싱크와 인쇄 회로 기판과 배열되는, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전력 반도체 모듈의 단면도이다. 배열된 히트 싱크(2)와 전력 반도체 요소(58a, 58b)를 갖는 기판의 구성은 도 1에 도시된 구성과 일치한다. 제 2 실시예에 있어서, 히트 싱크(2)는 하우징(3)의 특정한 형상부(36) 상에 지지된다. 접속 장치(6)는 마찬가지로 제 1 및 제 2 전도층(60, 64)과 제 1 및 제 2 전도층(60, 64) 사이에 배치되는 절연층(62)으로 이루어지는 필름 복합체(이미 설명한 바와 같음)를 포함한다. 전력 반도체 요소(58a, 58b)의 접속 영역(580, 582)에 대한 제 1 및 제 2 접촉부(600, 602)는 마찬가지로 점용접 이음의 형태를 갖는다.
하우징(3)은 기판(5)을 둘러싸며, 인쇄 회로 기판(7)과 접촉하기 위해서 제 1 및 제 2 접촉부(600, 602) 사이와 제 3 및 제 4 접촉부(604, 606) 사이에 필름부를 배치하기 위한 가이드부(30)를 갖는다. 제 3 접촉부(604)에 대한 필름부는 제 1 절곡 방향을 갖는 절곡점(68c)을 가지며, 제 4 접촉부(606)에 대한 필름부는 제 2 절곡 방향을 갖는 제 2 절곡점(68d)을 갖는다. 이는 제 3 접촉부(604)와 제 4 접촉부(606)가 기판(5)의 면과는 수직하는 일면 내에 배치되는 결과를 야기하며, 접촉부(604, 606)의 영역 법선이 평행하게 배치된다. 접속 장치의 상세한 구성은 도 4a 및 4b에 도시된다.
도 4a 및 4b는 도 3에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전력 반도체 모듈의 접속 장치의 (예를 들면, MOSFET와 같이 실질적인 전력 반도체 요소들을 갖 는) 필름 복합체를 나타낸다. 도 4a에서는, 부하 접속 측이 필름 복합체의 제 1 전도층과 절연층에 의해서 형성된다. 절연층(62)은 영역과 일체로 형성된 돌출부(620a)를 갖는 영역의 형태로 이루어진다. 이러한 돌출부(620a)는 제 1 전도층의 전도 트랙과 함께 전력 반도체 모듈의 가이드 샤프트(guide shaft) 내부에서의 배치를 위한 제 1 필름부를 형성한다. 이러한 경우, 도전 트랙의 일부가 도 3에 도시된 바와 같이 제 3 접촉부(604)를 형성한다. 이러한 제 3 접촉부(604)의 기판의 면에 대한 수직 배치를 형성하기 위해서, 필름 복합체는 제 1 절곡점(68c)을 갖는다.
도 4b는 도 2a에서와 동일한 방향에서 바라본 제어 접속 측을 도시한다. 이러한 제어 접속 측은 필름 복합체의 제 2 전도층과 절연층에 의해서 형성된다. 절연층(62)은 영역과 일체로 형성된 돌출부(620b)를 갖는 영역의 형태로 이루어진다. 이러한 돌출부(620b)는 제 2 전도층의 전도 트랙과 함께 전력 반도체 모듈의 가이드 샤프트(guide shaft) 내부에서의 배치를 위한 제 2 필름부를 형성한다. 이러한 경우, 도전 트랙의 일부가 도 3에 도시된 바와 같이 제 4 접촉부(606)를 형성한다. 이러한 제 4 접촉부(606)의 기판의 면에 대한 수직 배치를 형성하기 위해서, 필름 복합체는 제 2 절곡점(68d)을 갖는다.
제 1 절곡점(68c)과 제 2 절곡점(68d)의 서로 다른 절곡 방향의 결과로, 접촉부(604, 606)는 도 3에 도시된 바와 같이 각각 평행한 영역 법선을 갖는 일면 상에 형성된다.
본 발명은 필름 복합체 형태의 접속 장치를 포함하고 있어 전력 반도체의 제조가 훨씬 간단해지고 소형화되며, 부하 단자와 제어 단자를 인쇄 회로 기판 상에 배열하는 훨씬 수월해지는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 하우징(3), 전도 트랙(54)과 전도 트랙(54)의 상부에 배치되는 전력 반도체 요소(58a, 58b)를 갖는 적어도 하나의 기판(5), 및 접속 장치(6)를 포함하는 전력 반도체 모듈에 있어서,
    상기 접속 장치(6)는 각각 패터닝되어 전도 트랙을 형성하는 제 1 및 제 2 전도층(60, 64)과 제 1 및 제 2 전도층(60, 64) 사이에 배치되는 절연층(62)을 포함하는 필름 복합체를 포함하고,
    상기 제 1 전도층(60)은 점용접 이음 형태로 형성된 전력 반도체 요소(58a, 58b)의 전력 접속 영역(580)에 대한 제 1 접촉부(600), 전력 반도체 요소(58a)의 제어 접속 영역(582)에 대한 제 2 접촉부(602), 및 인쇄 회로 기판(7)에 대한 부하 접속부(70)를 위한 제 3 접촉부(604)를 포함하며,
    상기 제 2 전도층(64)은 제 1 전도층(60)과 인쇄 회로 기판(7)에 대한 제어 접속부(72)를 위한 제 4 접촉부(606)와의 연결부(66)를 포함하고,
    상기 필름 복합체는 하우징(3)의 가이드부(30) 내에 배치되는, 제 1 및 제 2 접촉부(600, 602) 사이와 제 3 및 제 4 접촉부(604, 606) 사이의 필름부를 구비하며, 제 3 및 제 4 접촉부(604, 606)는 평행한 영역 법선을 갖는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 접촉부(604)에 대한 필름부는 동일한 절곡 방향을 갖는 제 1 절곡점과 제 2 절곡점(68b)을 구비하며, 제 4 접촉부(606)에 대한 필름부는 제 1 절곡 방향을 갖는 제 1 절곡점(68a)과 반대의 제 2 절곡 방향을 갖는 제 2 절곡점(68b)을 구비하는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 접촉부(604)에 대한 필름부는 제 1 절곡 방향을 갖는 제 1 절곡점(68c)을 구비하며, 제 4 접촉부(606)에 대한 필름부는 제 2 절곡 방향을 갖는 제 2 절곡점(68d)을 구비하는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 절곡점은 하우징(3)의 가이드부(30)의 결합 가장자리에 배열되는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 접촉부(604)는 제 1 전도층(60)의 전도 트랙의 부분적인 조각의 형태로 형성되며, 제 4 접촉부(606)는 제 2 전도층(64)의 전도 트랙의 부분적인 조각의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 접촉부(604) 및 제 4 접촉부(606)는 그들의 영역 법선의 방향에서 하우징(3) 밖으로 돌출되는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 3 접촉부(604) 및 제 4 접촉부(606)는 기판의 면에 평행한 일면에 배치되는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 3 접촉부(604) 및 제 4 접촉부(606)는 기판의 면에 수직한 일면에 배치되는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 전력 반도체 요소(58)를 갖는 기판(5)과 제 1 전도층(60) 사이의 공간은 절연 물질로 채워지는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 절연 물질은 실리콘 겔 또는 에폭시 수지(584)인 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
KR1020070025016A 2006-03-22 2007-03-14 접속 장치를 갖는 소형 전력 반도체 모듈 KR101118871B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006013078.2 2006-03-22
DE102006013078A DE102006013078B4 (de) 2006-03-22 2006-03-22 Kompaktes Leistungshalbleitermodul mit Verbindungseinrichtung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070095780A KR20070095780A (ko) 2007-10-01
KR101118871B1 true KR101118871B1 (ko) 2012-03-19

Family

ID=38258830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070025016A KR101118871B1 (ko) 2006-03-22 2007-03-14 접속 장치를 갖는 소형 전력 반도체 모듈

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7626256B2 (ko)
EP (1) EP1855318A1 (ko)
JP (1) JP5069924B2 (ko)
KR (1) KR101118871B1 (ko)
CN (1) CN101047172B (ko)
DE (1) DE102006013078B4 (ko)
MY (1) MY143173A (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006013078B4 (de) 2006-03-22 2008-01-03 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Kompaktes Leistungshalbleitermodul mit Verbindungseinrichtung
DE102006027482B3 (de) 2006-06-14 2007-08-16 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Gehauste Halbleiterschaltungsanordnung mit Kontakteinrichtung
DE102008034468B4 (de) * 2008-07-24 2013-03-14 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
DE102008034467B4 (de) 2008-07-24 2014-04-03 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und mit einer Verbindungseinrichtung
DE102009000888B4 (de) * 2009-02-16 2011-03-24 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Halbleiteranordnung
DE102009017733B4 (de) 2009-04-11 2011-12-08 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung und mit als Kontaktfeder ausgebildeten internen Anschlusselementen
DE102009024385B4 (de) * 2009-06-09 2011-03-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls und Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung
DE102009046403B4 (de) * 2009-11-04 2015-05-28 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul in Druckkontakttechnik
DE102011076324B4 (de) * 2011-05-24 2014-04-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronisches System mit Verbindungseinrichtung erster und zweiter Subsysteme
US9431311B1 (en) 2015-02-19 2016-08-30 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor package with elastic coupler and related methods
DE102019126623B4 (de) * 2019-10-02 2024-03-14 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Patentabteilung Leistungselektronische Schalteinrichtung mit einer Vergussmasse
CN110690208A (zh) * 2019-10-08 2020-01-14 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种功率混合集成电路封装结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1093017A (ja) 1996-04-29 1998-04-10 Semikron Elektron Gmbh 多層構造方式での高実装密度の半導体パワーモジュール
US6060772A (en) * 1997-06-30 2000-05-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Power semiconductor module with a plurality of semiconductor chips
JP2002353408A (ja) * 2001-05-05 2002-12-06 Semikron Elektron Gmbh 圧力接触によるパワー半導体モジュール
KR20050052341A (ko) * 2003-11-29 2005-06-02 세미크론엘렉트로닉게젤샤프트밋트베슈렝크터하프퉁 전력용 반도체 모듈 및 그의 제조 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61121449A (ja) * 1984-11-19 1986-06-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｌｓｉチツプ実装構造及び実装方法
US4939570A (en) * 1988-07-25 1990-07-03 International Business Machines, Corp. High power, pluggable tape automated bonding package
US5105536A (en) * 1989-07-03 1992-04-21 General Electric Company Method of packaging a semiconductor chip in a low inductance package
DE4130637A1 (de) * 1990-10-11 1992-04-16 Abb Patent Gmbh Verfahren zur herstellung eines verbindungselements fuer eine verwendung in leistungshalbleitermodulen
JP3139788B2 (ja) * 1991-09-04 2001-03-05 日本板硝子株式会社 板ガラスの曲げ成形装置及び曲げ成形方法
DE69329542T2 (de) * 1992-06-05 2001-02-08 Mitsui Chemicals Inc Dreidimensionale leiterplatte, elektronische bauelementanordnung unter verwendung dieser leiterplatte und herstellungsverfahren zu dieser leiterplatte
JPH07221264A (ja) * 1994-02-04 1995-08-18 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール及びそれを用いたインバータ装置
JP3279842B2 (ja) * 1994-09-29 2002-04-30 オリジン電気株式会社 電力用半導体装置
US5684326A (en) * 1995-02-24 1997-11-04 Telefonaktiebolaget L.M. Ericsson Emitter ballast bypass for radio frequency power transistors
DE10258570B4 (de) * 2002-12-14 2005-11-03 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
DE102004025609B4 (de) * 2004-05-25 2010-12-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung in Schraub- Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
DE102006013078B4 (de) 2006-03-22 2008-01-03 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Kompaktes Leistungshalbleitermodul mit Verbindungseinrichtung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1093017A (ja) 1996-04-29 1998-04-10 Semikron Elektron Gmbh 多層構造方式での高実装密度の半導体パワーモジュール
US6060772A (en) * 1997-06-30 2000-05-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Power semiconductor module with a plurality of semiconductor chips
JP2002353408A (ja) * 2001-05-05 2002-12-06 Semikron Elektron Gmbh 圧力接触によるパワー半導体モジュール
KR20050052341A (ko) * 2003-11-29 2005-06-02 세미크론엘렉트로닉게젤샤프트밋트베슈렝크터하프퉁 전력용 반도체 모듈 및 그의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP5069924B2 (ja) 2012-11-07
MY143173A (en) 2011-03-31
DE102006013078B4 (de) 2008-01-03
KR20070095780A (ko) 2007-10-01
DE102006013078A1 (de) 2007-10-04
US20070222060A1 (en) 2007-09-27
CN101047172B (zh) 2010-05-26
EP1855318A1 (de) 2007-11-14
US7626256B2 (en) 2009-12-01
CN101047172A (zh) 2007-10-03
JP2007258711A (ja) 2007-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101118871B1 (ko) 접속 장치를 갖는 소형 전력 반도체 모듈
JP3958589B2 (ja) 電気接続箱
JP5649321B2 (ja) 接続装置を有し且つ接触ばねとして形成されている内部端子要素を有するパワー半導体モジュール
KR20100011946A (ko) 전력반도체 모듈 및 접속장치를 구비하는 장치
JP2006005096A (ja) 回路構成体
JP7055151B2 (ja) 半導体モジュール
CN110771027B (zh) 功率半导体装置及使用该装置的电力转换装置
JP2005142189A (ja) 半導体装置
JP2004063604A (ja) パワーモジュール及びこのパワーモジュールを用いた冷蔵庫
KR20100132467A (ko) 전력 반도체 모듈의 제조방법, 및 접속장치를 포함하는 전력 반도체 모듈
JP2009164647A (ja) 半導体装置
JP2015119121A (ja) パワー半導体装置
US7199476B2 (en) Electronic device
WO2022004332A1 (ja) 回路構成体
JP4228525B2 (ja) 電子部品の組み付け構造
JP4266814B2 (ja) 接続端子構造
JP7419906B2 (ja) 回路構成体
JP4736850B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の外部接続端子と外部電極との接合方法
JP2007134572A (ja) パワーモジュール
JP7044007B2 (ja) 回路構成体
JP5644223B2 (ja) 電気接続箱
JP4150508B2 (ja) 電力用半導体装置
CN113728526B (zh) 布线基板
JP7452146B2 (ja) 回路構成体
JP6060053B2 (ja) パワー半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee