JP2004519557A - 銅めっき液、めっき方法及びめっき装置 - Google Patents
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Abstract
シード層と高アスペクト比の微細窪みを有する基板のめっきに使用され、シード層の薄肉部を補強したり、微細窪みの内部に銅を確実に埋込むことができ、しかも非常に安定で長期間の連続使用でも性能が低下することがない銅めっき液を提供する。この銅めっき液は、1価または2価の銅イオンと、錯化剤と、添加剤として有機硫黄化合物とを有し、界面活性剤が任意に添加される。
Description
【0001】
技術分野
本発明は、銅めっき液、めっき方法及びめっき装置に係り、特に半導体基板の表面に形成した配線用の微細窪みにめっきにより銅を埋込んで銅配線を形成するのに使用される銅めっき液、めっき方法及びめっき装置に関する。
【0002】
背景技術
近年、半導体基板上に配線回路を形成するための金属材料として、アルミニウムまたはアルミニウム合金に代えて、電気抵抗率が低くエレクトロマイグレーション耐性が高い銅(Cu)を用いる動きが顕著になっている。銅配線は、基板の表面に設けた微細凹みの内部に銅を埋込むことによって一般に形成される。この銅配線を形成する方法としては、CVD、スパッタリング及びめっきといった手法が知られている。いずれにしても、基板のほぼ全表面に銅を成膜して、化学的機械的研磨(CMP)により不要の銅を除去するようにしている。
【0003】
図19A乃至図19Cは、この種の銅配線を有する基板Wの製造例を工程順に示す。図19Aに示すように、半導体素子を形成した半導体基材1上の導電層1aの上にSiO2からなる酸化膜2を堆積する。リソグラフィ・エッチング技術により、配線用のコンタクトホール3とトレンチ4を酸化膜2内に形成する。その上にTaN等からなるバリア層5、更にバリア層5の上に電解めっきの給電層としてシード層7を形成する。
【0004】
そして、図19Bに示すように、基板Wの表面に銅めっきを施すことで、半導体基材1のコンタクトホール3及びトレンチ4内に銅を充填するとともに、酸化膜2上に銅膜6を堆積する。その後、化学的機械的研磨(CMP)により、酸化膜2上の銅膜6及びバリア層5を除去して、コンタクトホール3およびトレンチ4に充填させた銅膜6の表面と酸化膜2の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、図19Cに示すように銅膜6からなる配線が形成される。
【0005】
ここに、シード層7は、一般にスパッタリングやCVDによって形成される。銅膜6を形成する電解銅めっきにあっては、めっき液として、その組成に硫酸銅と硫酸を含む硫酸銅めっき液が一般に使用されている。
【0006】
微細配線化が進み、配線用トレンチ或いはプラグの形状が高アスペクト比となるに従って、スパッタリング等で形成されるシード層がトレンチ底部まで均一に届かなくなという問題が生じている。つまり、図20Aに示すように、トレンチ底部の側壁におけるシード層7の膜厚t1が基板表面付近における膜厚t2に比べ1/10またはそれ以下になる可能性がある。このような状態で硫酸銅めっき液を使用した電解銅めっきで銅の埋込みを行うと、シード層7の極端に薄い部分には電流が流れ難くなるために、図20Bに示すように、銅膜6の内部にめっき未析出部(ボイド)8ができる。これを防止するため、シード層7の膜厚を厚くしてトレンチ底部に均一な膜を付けようとすると、トレンチの入口部分に銅が厚くついてしまうために、結果的に入口が先に閉じてボイドができる。
【0007】
一方、硫酸銅等のベースに錯化剤及びpH調整剤を添付して、pHを中性付近に維持するようにした銅めっき液が開発されている。しかし、これらの銅めっき液は、安定性が乏しく液管理も煩雑で実用的でない。
【0008】
発明の開示
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、シード層の薄肉部を補強したり、高アスペクト比の微細窪みの内部に銅を確実に埋込むことができ、しかも非常に安定で長期間の連続使用でも性能が低下することがない銅めっき液、及びこの銅めっき液を使用しためっき方法を提供することを目的とする。本発明のめっき液を使用しためっき方法は、バリア層の上にめっき膜を直接成膜する、いわゆる直接(ダイレクト)めっきに適用できる。
【0009】
上記目的を達成するため、本発明の銅めっき液は、1価または2価の銅イオンと、錯化剤と、銅キレートがキレートを脱ぎすてて基板表面に析出するのを抑制する添加剤とを有することを特徴とする。
本発明のめっき液はまた、1価または2価の銅イオンと錯化剤とを有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加したことを特徴とする。
【0010】
銅めっき液中に錯化剤を有することで、めっき浴としての分極を大きくして均一電着性を向上させることができる。これによって、シード層の薄い部分の補強や高アスペクト比のトレンチやビアホール等の微細窪みの奥までの銅の均一な埋込みが可能となる。しかも析出するめっきは緻密であり、マイクロボイドの危険も回避できる。
【0011】
また、銅めっき液に、添加剤として有機硫黄化合物を添加することで、従来めっき可能な下地導電層(シード層)より薄いもの(例えば、基材表面での膜厚として100nm以下)でもめっきが可能となる。更に、添加剤として有機硫黄化合物を添加した銅めっき液は、いわゆるボトムアップ性に優れており、従来以上に厳しいアスペクト比の微細トレンチやホールの銅めっきによる埋込みが可能となる。これは、銅キレートがキレートを脱ぎすてて基板表面に析出するのを硫黄成分が抑制して、微細なトレンチやホールの奥により多くの銅を析出させることができるためであると考えられる。
【0012】
有機硫黄化合物添加剤は、その分極特性を利用して電気化学的測定法、具体的には一般的な銅めっき添加剤の濃度測定法であるCVS法などで容易に濃度測定が可能である。しかも、有機硫黄化合物添加剤は、めっき液中で極めて安定であることから液管理が容易である。この有機硫黄化合物添加剤の濃度は、一般には0.1〜500mg/l、好ましくは0.5〜100mg/l、さらに好ましくは1〜50mg/l程度である。
【0013】
銅めっき液中に銅めっきイオンの濃度は、0.1〜100g/lが好ましい。銅めっきイオンの濃度が、上記範囲より低いと電流効率が悪くなって銅の析出効率が落ちる。銅めっきイオンの濃度が、上記範囲より高いと電着性が悪くなる。錯化剤の濃度は、0.1〜500g/lが好ましい。濃度が上記範囲より低いと銅の錯体化が完全にされず沈殿物が発生し易くなる。一方、濃度が上記範囲より高いと、いわゆる「ヤケめっき」状態となり外観が悪くなるばかりでなく、排水処理困難となる。また、めっき液は、pH7〜14、好ましくはpH8〜10、さらに好ましくはpH9に維持される。めっき液のpHが低すぎると、錯体が有効に結びつかずに不完全となる。逆に、めっき液のpHが高すぎると、錯体が別の形となって沈殿物ができる。pHを上記の範囲とすることで、このような問題を回避することができる。
【0014】
前記有機硫黄化合物は、有機硫化物化合物または有機ポリ硫化物化合物の内の1種または2種以上であることが好ましい。
【0015】
スルホン基またはホスホン基を有する有機硫黄化合物は、その分子中、特にその芳香族および異節環硫化物−スルホン酸またはホスホン酸上にメチル、ブロモ、クロロ、メトキシ、エトキシ、カルボキシ、ヒドロキシのような各種の置換基が含まれてもよい。これらの化合物は、遊離酸、アルカリ金属塩、有機アミン塩、またはその他の形態で使用される。好適な他の有機2価硫黄化合物中には、HO3P−(CH2)3−S−S−(CH2)3−PO3H、ならびにメルカプタン、チオカルバメート、チオールカルバメート、チオゼンセートおよび少なくともスルホン基またはホスホン基1個を有するチオカルボネートが包含される。また、特に好ましい有機2価硫黄化合物は、一般式
XR1−(S)n−R2−SO3YまたはXR1−(S)n−R2−PO3Y
(式中R1およびR2は同一基または異なる基の場合もある。Xは、水素、SO3HまたはPO3Hであり、nは2−6の整数である。)で示される有機ポリ硫黄化合物である。前記有機硫黄化合物添加剤の濃度は、一般的には1〜100mg/lである。
【0016】
上記式の有機2価硫黄化合物は、少なくとも2個の2価硫黄原子が隣接していて、分子中に1個または2個の末端スルホン酸基またはホスホン酸基を有する脂肪族ポリ硫化物である。分子のアルキレン部分は、メチル、ブロモ、クロロ、メトキシ、エトキシ、カルボキシ、ヒドロキシのおよびその他の基で置換されていてもよい。これらの化合物は遊離酸、アルカリ金属塩、有機アミン塩、またはその他の形態で使用される。
【0017】
めっき液は、添加剤として界面活性剤を更に含んでいてもよい。界面活性剤を更に添加することで、めっき液の濡れ性を改善して、小さな穴でもめっき液が入り易くするとともに、基板表面での銅の析出をより抑制して、微細ホールやトレンチの底部への銅の埋込み性を更に向上させることができる。この界面活性剤としては、例えばポリアルキレングリコールやそのEO(ethylene oxide)、PO(propylene oxide)付加物であるようなポリエーテル水類や第4級アンモニウム塩等からなる化合物が挙げられる。
【0018】
本発明のめっき方法は、シード層で覆われた微細窪みを有する基板にめっきを施して該微細窪みに金属を充填するめっき方法において、1価または2価の銅イオンと錯化剤とを有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加しためっき液に前記基板表面を接触させてめっき処理を行うことを特徴とする。
この方法によれば、シード層に薄肉部がある場合に、この薄肉部を銅めっき処理で補強して完全なものとしたり、高アスペクト比のトレンチやビアホール等であっても、この内部に銅を確実に埋込んだりすることができる。
【0019】
本発明の他のめっき方法は、バリア層で覆われた微細窪みを有する基板にめっきを施して該微細窪みに金属を充填するめっき方法において、1価または2価の銅イオンと錯化剤とを有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加しためっき液に前記基板表面を接触させてめっき処理を行うことを特徴とする特徴とする。
【0020】
本発明の更に他のめっき方法は、シード層で覆われた微細窪みを有する基板にめっきを施して該微細窪みに金属を充填するめっき方法において、1価または2価の銅イオンと錯化剤を有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加した第1めっき液に基板表面を接触させて第1段めっき処理を行い、レベリング性に優れた組成の第2めっき液に基板表面を接触させて第2段めっき処理を行うことを特徴とする。
【0021】
本発明の更に他のめっき方法は、バリア層で覆われた微細窪みを有する基板にめっきを施して該微細窪みに金属を充填するめっき方法において、1価または2価の銅イオンと錯化剤を有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加した第1めっき液に基板表面を接触させて第1段めっき処理を行い、レベリング性に優れた組成の第2めっき液に基板表面を接触させて第2段めっき処理を行うことを特徴とする。
【0022】
本発明のめっき装置は、バリア層及び/またはシード層で覆われた微細窪みを有する基板の表面に第1段めっき処理を行う第1めっき処理部と、1価または2価の銅イオンと錯化剤を有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加した均一電着性に優れた組成の第1めっき液を前記第1めっき処理部のめっき室に供給する第1めっき液供給部と、前記第1めっき処理後の基板の表面に第2段めっき処理を行う第2めっき処理部と、レベリング性に優れた組成の第2めっき液を前記第2めっき処理部のめっき室に供給する第2めっき液供給部と、前記前記第1めっき部と前記第2めっき部との間に基板を搬送する搬送部とを有することを特徴とする。
【0023】
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図1は、本発明の実施の形態のめっき装置の平面図を示す。このめっき装置は、ロード・アンロード部510、各一対の洗浄・乾燥処理部512、第1基板ステージ514、ベベルエッチ・薬液洗浄部516及び第2基板ステージ518、基板を180゜反転させる機能を有する水洗部520及び4基のめっき処理部522を有している。このめっき装置は、更に、ロード・アンロード部510、洗浄・乾燥処理部512及び第1基板ステージ514との間で基板の受渡しを行う第1搬送装置524と、第1基板ステージ514、ベベルエッチ・薬液洗浄部516及び第2基板ステージ518との間で基板の受渡しを行う第2搬送装置526と、第2基板ステージ518、水洗部520及びめっき処理部522との間で基板の受渡しを行う第3搬送装置528が備えられている。
【0024】
めっき装置の内部は、仕切り壁523によってめっき空間530と清浄空間540に仕切られている。これらの各めっき空間530と清浄空間540は、それぞれ独自に給排気できるようになっている。仕切り壁523には、開閉自在なシャッタ(図示せず)が設けられている。清浄空間540の圧力は、大気圧より低く、かつめっき空間530の圧力より高くしてある。これにより、清浄空間540内の空気がめっき装置の外部に流出することがなく、かつめっき空間530内の空気が清浄空間540内に流入することがないようになっている。
【0025】
図2は、めっき装置内の気流の流れの概要を示す。清浄空間540においては、配管543より新鮮な外部空気が取込まれ、この外部空気は、ファンにより高性能フィルタ544を通して清浄空間540内に押込まれる。これにより、ダウンフローのクリーンエアは、天井545aより洗浄・乾燥処理部512及びベベルエッチ・薬液洗浄部516の周囲に供給される。供給されたクリーンエアの大部分は、床545bから循環配管552を通して天井545a側に戻され、再び高性能フィルタ544を通してファンにより清浄空間540内に押込まれて清浄空間540内を循環する。一部の気流は、洗浄・乾燥処理部512及びベベルエッチ・薬液処理部516内から配管546により外部に排気され、これにより、清浄空間540内は、大気圧より低い圧力に設定される。
【0026】
水洗部520及びめっき処理部522が存在するめっき空間530は、清浄空間ではない(汚染ゾーン)。しかし、基板表面にパーティクルが付着することは許されない。このため、配管547から取込まれ高性能フィルタ548を通して天井549a側からファンによりめっき空間530内に押込まれたダウンフローのクリーンエアを流すことにより、基板にパーティクルが付着することを防止している。しかしながら、ダウンフローを形成するクリーンエアの全流量を外部からの給排気に依存すると、膨大な給排気量が必要となる。このため、めっき空間530内を清浄空間540より低い圧力に保つ程度に配管553より外部排気を行い、ダウンフローの大部分の気流を床549bから延びる循環配管550を通した循環気流でまかなうようにしている。
【0027】
これにより、循環配管550から天井549a側に戻ったエアは、再びファンにより高性能フィルタ548を通ってめっき空間530内に押込まれ。これにより、クリーンエアがめっき空間530内に供給され該めっき空間530内を循環する。ここで、水洗部520、めっき処理部522、搬送装置528及びめっき液調整タンク551からの薬液ミストや気体を含むエアは、前記配管553を通して外部に排出される。これにより、めっき空間530内は、清浄空間540より低い圧力に設定される。
【0028】
ロード・アンロード部510内に圧力は、めっき空間530内より高い圧力の清浄空間540内の圧力よりも高い。従って、シャッタ(図示せず)を開放すると、空気は、図3に示すように、ロード・アンロード部510、清浄空間540及びめっき空間530の順に流れる。清浄空間540及びめっき空間530から排出された空気は、ダクト552及び553を通して、クリーンルームから延びる集合排気ダクト554(図4参照)に流入する。
【0029】
図4は、クリーンルーム内に配置された、図1に示すめっき装置の外観図である。ロード・アンロード部510は、カセット受渡し口555と操作パネル556を備えた側壁を有し、この側壁は、クリーンルーム内を仕切壁557で区画されたワーキングゾーン558に露出している。仕切壁557は、クリーンルーム内をめっき装置が設置されるユーティリティゾーン559に区画している。めっき装置の他の側壁は、ワーキングゾーン558内の空気清浄度よりも低い空気清浄度のユーティリティゾーン559に露出している。
【0030】
図5は、めっき処理部522の主要部を示す。めっき処理部522は、略円筒状で内部にめっき液45を収容するめっき処理槽46と、このめっき処理槽46の上方に配置されて基板Wを保持するヘッド部47とから主に構成されている。なお、図5は、ヘッド部47で基板Wを保持してめっき液45の液面を上昇させためっき位置にある時の状態を示している。
【0031】
前記めっき処理槽46には、めっき室49を有するめっき槽50が備えられている。めっき室49は、上方に開放し、底部にアノード48を有しており、内部にめっき液45を保有する。前記めっき槽50の内周壁には、めっき室49の中心に向かって水平に突出するめっき液噴出ノズル53が円周方向に沿って等間隔で配置されている。このめっき液噴出ノズル53は、めっき槽50の内部を上下に延びるめっき液供給路に連通している。
【0032】
めっき液供給路は、めっき液供給パイプ55を介して、図6に示すめっき液調整タンク40に接続されている。背圧を一定に制御する制御弁56が、各めっき液供給パイプ55に設置されている。
【0033】
更に、この例では、めっき室49内のアノード48の上方位置に、例えば3mm程度の多数の穴を設けたパンチプレート220が配置されている。パンチプレート22は、アノード48の表面に形成されたブラックフィルムがめっき液45によって巻き上げられ、流れ出すことを防止する。
【0034】
めっき槽50には、めっき室49内のめっき液45を該めっき室49の底部周縁から引抜く第1めっき液排出口57と、めっき槽50の上端部に設けた堰部材58をオーバーフローしためっき液45を排出する第2めっき液排出口59が設けられている、更に、めっき槽50には、堰部材58をオーバーフローする前のめっき液45を排出する第3めっき液排出口120が設けられている。第2めっき液排出口59と第3めっき液排出口120を流れためっき液は、めっき槽50の底部で合流して、めっき槽50から流出する。第3めっき液排出口120を設ける代わりに、図11A乃至図11Cに示すように、堰部材58の下部に、所定間隔毎に所定幅の開口222を設け、この開口222を通過しためっき液45が、第2めっき液排出口59に排出されるようにしてもよい。
【0035】
これによって、めっき処理時にあって、供給めっき量が大きい時には、めっき液を第3めっき液排出口120から外部に排出するか、または開口22を通過させて第2めっき液排出口59から外部に排出し、同時に、図11Aに示すように、堰部材58をオーバーフローさせて第2めっき液排出口59からも外部に排出する。一方、めっき処理時にあって、供給めっき量が小さい時には、めっき液を第3めっき液排出口120から外部に排出するか、または図11Bに示すように、開口222を通過させて第2めっき液排出口59から外部に排出する。これによって、めっき量の大小に容易に対処できるようになっている。
【0036】
更に、図11Dに示すように、めっき液噴出ノズル53の上方に位置して、めっき室49と第2めっき液排出口59とを連通する液面制御用の貫通孔224が円周方向に沿った所定のピッチで設けられている。これによって、非めっき時に貫通孔224を通過させてめっき液を第2めっき液排出口59から外部に排出することで、めっき液の液面を制御する。この貫通孔224は、めっき処理時にオリフィスの如き役割を果たして、ここから流れ出すめっき液の量が制限される。
【0037】
図6に示すように、第1めっき液排出口57は、めっき液排出管60aを介してリザーバ226に接続され、このめっき液排出管60aの途中に流量調整器61aが介装されている。第2めっき液排出口59と第3めっき液排出口120は、めっき槽50の内部で合流した後、めっき液排出管60bを介して直接リザーバ226に接続されている。
【0038】
このリザーバ226に入っためっき液は、リザーバ226からポンプ228によりめっき液調整タンク40に入る。このめっき液調整タンク40には、温度コントローラ230や、サンプル液を取り出して分析するめっき液分析ユニット232が付設されている。単一のポンプ234の駆動に伴って、めっき液調整タンク40からフィルタ236を通して、めっき液45がめっき液噴出ノズル53に供給される。このめっき液調整タンク40から各めっき処理部22に延びるめっき液供給管55の途中に、二次側の圧力を一定にする制御弁56が備えられている。
【0039】
図5に戻って、めっき室49の内部の周辺近傍に位置して、該めっき室49内のめっき液45の上下に分かれた上方の流れでめっき液面の中央部を上方に押上げ、下方の流れをスムーズにするとともに、電流密度の分布をより均一になるようにした鉛直整流リング62と水平整流リング63が配置されている。水平整流リング63は、その外周端部でめっき槽50に固着され、鉛直整流リング62は、水平調整リング63に連結されている。
【0040】
一方、ヘッド部47には、回転自在な下方に開口した有底円筒状で周壁に開口96を有するハウジング70と、下端に押圧リング240を取付けた上下動自在な押圧ロッド242が備えられている。ハウジング70の下端には、図10に示すように、内方に突出するリング状の基板保持部72が設けられている。この基板保持部72にリング状のシール材244が取付けられている。シール材244は、内方に突出し、上面の先端が上方に尖塔状に突出する形状に形成されている。更に、このシール材244の上方にカソード電極用接点76が配置されている。基板保持部72には、水平方向に外方に延び、更に外方に向けて上方に傾斜して延びる空気抜き穴75が円周方向に沿って等間隔に設けられている。
【0041】
これによって、図8に示すように、めっき室49内のめっき液45の液面を下げた状態で、図9及び図10に示すように、基板Wを吸着ハンドH等で保持してハウジング70の内部に入れて基板保持部72のシール材244の上面に載置する。次に、吸着ハンドHをハウジング70から引抜き、押圧リング240を下降させて、基板Wの周縁部をシール材244と押圧リング240の下面で挟持して基板Wを保持する。この保持に際して、基板Wを保持した時に基板Wの下面とシール材244が圧接して、ここを確実にシールする。同時に、基板Wとカソード電極用接点76とを通電する。
【0042】
図5に戻って、ハウジング70は、モータ246の出力軸248に連結されて、モータ246の駆動によって回転する。押圧ロッド242は、スライダ254の下端にベアリング256を介して回転自在に支承したリング状の支持枠258の円周方向に沿った所定位置に垂設されている。スライダ254は、モータ246を囲繞する支持体250に固着したガイド付きシリンダ252の作動によって上下動する。これによって、押圧ロッド242は、シリンダ252の作動によって上下動し、しかも基板Wを保持した時にハウジング70と一体に回転する。
【0043】
支持体250は、モータ260の駆動に伴って回転するボールねじ261と螺合して上下動するスライドベース262に取付けられている。支持体250は、上部ハウジング264に囲繞され、モータ260の駆動に伴って、上部ハウジング264と共に上下動する。また、めっき槽50の上面には、めっき処理時にハウジング70の周囲を囲繞する下部ハウジング257が取付けられている。
【0044】
これによって、図8に示すように、支持体250と上部ハウジング264とを上昇させた状態で、メンテナンスを行うことができる。また、堰部材58の内周面にはめっき液の結晶が付着し易い。しかし、支持体250と上部ハウジング264とを上昇させた状態で多量のめっき液を流して堰部材58をオーバーフローさせることで、堰部材58の内周面へのめっき液の結晶の付着を防止することができる。めっき槽50には、めっき処理時にオーバーフローするめっき液の上方を覆うめっき液飛散防止カバー50bが一体に設けられている。このめっき液飛散防止カバー50bの下面に、例えばHIREC(NTTアドバンステクノロジ社製)等の超撥水材をコーティングすることで、このカバー50bにめっき液の結晶が付着することを防止することができる。
【0045】
ハウジング70の基板保持部72の上方に位置して、基板Wの芯出しを行う基板芯出し機構270が、この例では円周方向に沿った4カ所に設けられている。図9は、基板芯出し機構270の詳細を示す。基板芯出し機構270は、ハウジング70に固定した門形のブラケット272と、このブラケット272内に配置した位置決めブロック274とを有している。この位置決めブロック274は、その上部において、ブラケット272に水平方向に固定した枢軸276を介して揺動自在に支承されている。更にハウジング70と位置決めブロック274との間に圧縮コイルばね278が介装されている。これによって、位置決めブロック274は、圧縮コイルばね278を介して枢軸276を中心に下部が内方に突出するように付勢されている。位置決めブロック274の上面274aは、ストッパとしての役割を果たすもので、ブラケット272の上部下面272aに当接することで、位置決めブロック274の動きが規制される。更に、位置決めブロック274の内面は、上方に向けて外方に拡がるテーパ面274bとなっている。
【0046】
これによって、例えば搬送ロボット等の吸着ハンドで基板を保持しハウジング70内に搬送して基板保持部72の上に載置する。この場合、基板の中心が基板保持部72の中心からずれていると、圧縮コイルばね278の弾性力に抗して位置決めブロック274が外方に回動し、搬送ロボット等の吸着ハンドによる把持を解くと、圧縮コイルばね278の弾性力で位置決めブロック274が元の位置に復帰する。これによって、基板の芯出しが行われる。
【0047】
図13は、カソード電極用接点76のカソード電極板208に給電する給電接点(プローブ)77を示す。この給電接点77は、プランジャで構成され、カソード電極板208に達する円筒状の保護体280で包囲されて、めっき液から保護されている。
【0048】
次に、このめっき処理部522によるめっき処理について説明する。
先ず、めっき処理部522に基板を受渡す時には、図1に示す第3搬送装置528の吸着ハンドと該ハンドで表面を下に向けて吸着保持した基板Wを、ハウジング70の開口96からこの内部に挿入し、吸着ハンドを下方に移動させる。しかる後、真空吸着を解除して、基板Wをハウジング70の基板保持部72上に載置する。そして、吸着ハンドを上昇させてハウジング70から引抜く。次に、押圧リング240を下降させて、基板Wの周縁部を基板保持部72と押圧リング240の下面で挟持して基板Wを保持する。
【0049】
そして、めっき液噴出ノズル53からめっき液45を噴出させ、同時にハウジング70とそれに保持された基板Wを中速で回転させる。めっき室49内にめっき液45が所定の量まで充たされ、更に数秒経過した時に、ハウジング70の回転速度を低速回転(例えば、100min−1)に低下させる。そして、アノード48を陽極、基板Wの処理面を陰極としてめっき電流を流して電解めっきを行う。
【0050】
通電を終了した後、図11Dに示すように、めっき液噴出ノズル53の上方に位置する液面制御用の貫通孔224のみからめっき液が外部に流出するようにめっき液の供給量を減少させ、これにより、ハウジング70及びそれに保持された基板をめっき液面上に露出させる。このハウジング70とそれに保持された基板Wが液面より上にある位置で、高速(例えば、500〜800min−1)で回転させてめっき液を遠心力により液切りする。液切りが終了した後、ハウジング70が所定の方向に向くようにしてハウジング70の回転を停止させる。
【0051】
ハウジング70が完全に停止した後、押圧リング240を上昇させる。次に、第3搬送装置528の吸着ハンドを、吸着面を下に向けて、ハウジング70の開口96からこの内部に挿入し、吸着ハンドが基板を吸着できる位置にまで吸着ハンドを下降させる。そして、基板を吸着ハンドにより真空吸着し、吸着ハンドをハウジング70の開口96の上部の位置にまで移動させて、ハウジング70の開口94から吸着ハンドとそれに保持した基板を取り出す。
【0052】
このめっき処理部522によれば、ヘッド部47の機構的な簡素化及びコンパクト化を図ることができる。しかも、めっき処理槽46内のめっき液の液面がめっき時液面にある時にめっき処置を、基板受渡し時液面にある時に基板の水切りと受渡しを行うことができる。更に、アノード48の表面に生成されたブラックフィルムの乾燥や酸化を防止することができる。
【0053】
次に、図14を参照して本発明のめっき方法について説明する。この例は、図1に示す4基のめっき処理部522の内の1基を第1段めっき処理用の第1めっき処理部522aとして、他の3基を第2段めっき処理用の第2めっき処理部22bとして使用している。図20Aに示すシード層7の薄肉部を第1めっき処理部522aによる第1段めっき処理で補強して薄肉部のない完全なものとし、この補強したシード層の上に、第2めっき処理部522bによる第2段めっき処理で銅の埋込みを行う。
【0054】
第1めっき処理部522aにあっては、めっき液45(図5参照)として、1価または2価の銅イオンと錯化剤を有し、添加剤として有機硫黄化合物、更には、必要に応じて、界面活性剤類やpH調整剤を添加した、均一電着性に優れためっき液(第1めっき液)を使用している。
この1価または2価の銅イオンは、例えば、硫酸銅、酢酸銅、塩化銅、ピロ隣酸銅、EDTA−銅、硝酸銅、スルファミン酸銅、炭酸銅、酸化銅、シアン化銅などの銅塩から供給される。
【0055】
錯化剤としては、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン、N, N’, N’’, N’’’エチレンジニトロテトラプロパン−2オール、ピロ隣酸、イミノ二酢酸、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ジアミノブタン、ヒドロキシエチルエチレンジアミン、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、エチレンジアミンチェトラメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンテトラメチレンホスホン酸並びにそれらの誘導体、及びそれらの塩類等が挙げられる。
【0056】
銅めっき液に添加剤として添加される有機硫黄化合物には、例えば、下記の第I群の有機硫化物スルホン酸化合物(有機硫化物化合物)(1)〜(24)、下記の第II群の有機硫黄化合物(有機硫化物化合物)(1)〜(9)、または下記の第III群の有機ポリ硫化物化合物(1)〜(7)が含まれる。
これらの化合物は、1種または2種以上が混合されて使用される。
【0057】
第I群
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
(11)
(12)
(13)
(14)
(15)
(16)
(17)
(18)
(19)
(20)
(21)
(22)
(23)
(24)
【0058】
第 II 群
(1)N,N−ジエチルジチオカルバミン酸(ω−スルホプロピル)エステル(ナトリウム塩)
(2)メルカプトベンズチオゾール−S−プロパンスルホン酸ナトリウム
(3)3−メルカプトプロパン−1−スルホン酸ナトリウム
(4)チオリン酸−O−エチル−ビス−(ω−スルホプロピル)エステル(2ナトリウム塩)
(5)チオリン酸−トリス−(ω−スルホプロピル)エステル(3ナトリウム塩)
(6)イソチオシアノプロピルスルホン酸ナトリウム
(7)チオグリコール酸
(8)エチレンジチオジプロピルスルホン酸ナトリウム
(9)チオアセトアミド−S−プロピルスルホン酸ナトリウム
【0059】
第 III 群
(1)CH3−S−S−CH2−SO3H
(2)CH3−S−S−S−(CH2)4−SO3H
(3)HO3S−CH2−S−S−S−S−S−CH2−SO3H
(4)HO3S−(CH2)3−S−S−(CH2)3−SO3H
(5)(CH3)2CHCH2−S−S−CH2CH(CH3)2
(6)(CH3)3C−S−S−C(CH2)2SO3H
(7)HO3S−(CH2)4−S−S−(CH2)4−SO3H
【0060】
界面活性剤類は、濡れ性を改善して、小さな穴でもめっき液が入り易くするとともに、基板表面に銅が析出するのを抑制して埋込み性を更に向上させるために第1めっき液に添加される。この界面活性剤類としては、例えばポリアルキレングリコールやそのEO(ethylene oxide)、PO(propylene oxide)付加物であるようなポリエーテル水類や第4級アンモニウム塩等からなる化合物が挙げられる。
【0061】
また、第1めっき液は、コリン等のpH調整剤を添加することで、pH7〜14、好ましくはpH8〜10、さらに好ましくはpH9に調整される。めっき液のpHが低すぎると、錯体が有効に結びつかずに不完全となる。逆にpHが高すぎると、錯体が別の形となって沈殿物ができる。前述の範囲にpHを調整することで、このような問題を回避することができる。pH調整剤としては、コリン、硫酸、塩酸、リン酸、アンモニア及びTMAH(tetramethyl ammonium hydroxide) 等が挙げられる。
第2めっき処理部522bにあっては、めっき液45(図5参照)として、その組成に硫酸銅と硫酸を含むレベリング性に優れた硫酸銅めっき液(第2めっき液)を使用している。
【0062】
先ず、表面に給電層としてのシード層7(図19A参照)を形成した基板Wをロード・アンロード部510から第1搬送装置524で一枚ずつ取り出し、第1基板ステージ514及び第2基板ステージ518を経由して第1めっき処理部522aに搬入する(ステップ1)。
【0063】
次に、この第1めっき処理部522aで第1めっき液による第1段めっき処理を行って、シード層7の薄肉部を補強しこれを完全なものとする(ステップ2)。この第1めっき処理部522aに使用される第1めっき液は、例えばピロ隣酸銅をベースとして、これにピロ隣酸等の錯化剤が添加されているため、通常の硫酸銅めっき液(第2めっき液)よりも分極が高い。ここで、分極が高いとは、電流密度の変化に対する電圧の変化の比が大きいこと、つまり電位の振れに対して電流密度の変動が少ないことを意味する。例えば、図15に示す陰分極曲線を比較したとき、B浴におけるb/(D2−D1)の方がA浴におけるa/(D2−D1)より大きいため、B浴の方がA浴より分極が高い。これによって、B浴のような、分極の高いめっき液を使用することで、例えシード層7の膜厚に差があり、通電時に電位差が生じても、電流密度の変動を少なくすることができる。このため、析出電位を上昇させ、電着性の均一性を向上させて、通常の硫酸銅めっき液では析出が困難だったシード層の薄い部分にもめっき膜を成膜できる。
【0064】
更に、第1めっき液に、添加剤として、有機硫黄化合物を添加することで、従来めっき可能な下地導電層(シード層)より薄いもの(例えば、基材表面での膜厚として100nm以下)でもめっきが可能となる。しかも、第1めっき液は、有機硫黄化合物を使用することで、いわゆるボトムアップ性に優れており、従来以上に厳しいアスペクト比のトレンチやホールの底部からの銅めっきによる埋込みが可能となる。これは、銅キレートがキレートを脱ぎすてて基板表面に析出するのを硫黄成分が抑制して、微細なトレンチやホールの奥により多くの銅を析出させることができるためであると考えられる。有機硫黄化合物添加剤は、その分極特性を利用して、電気化学的測定法、具体的には一般的な銅めっき添加剤の濃度測定法であるCVS法などで容易に濃度測定が可能である。更に、有機硫黄化合物添加剤は、めっき液中で極めて安定であることから液管理が容易である。この有機硫黄化合物添加剤の濃度は、一般的には0.1〜500mg/l、好ましくは0.5〜100mg/l、より好ましくは1〜50mg/lである。
【0065】
また、第1めっき液に、必要に応じて、添加剤として界面活性剤類を更に添加することで、めっき液の濡れ性を改善して、小さな穴でもめっき液が入り易くするとともに、基板表面での銅の析出をより抑制して銅の埋込み性を更に向上させることができる。
ここで、錯体自体あるいはpH調整剤にアルカリ金属が含まれていないものを使用することで、アルカリ金属が膜中に取り込まれて半導体特性を劣化させることを防止することができる。
【0066】
電源としては、直流、パルス、PRパルス等を使用するができる。これらの内、パルス、PRパルスを使用することが好ましい。このような源源を使用することで、銅イオンの拡散を改善して均一電着性をより向上させ、直流よりも大きな電流を流して析出銅膜を緻密なものにし、更にめっき時間の短縮も可能となる。
【0067】
直流電源の場合、電流密度は、0.01A/dm2〜30A/dm2が適用可能であり、0.1A/dm2〜3A/dm2が好ましい。パルス電源の場合は、0.01A/dm2〜200A/dm2が適用可能である。この範囲の電流密度により、生産性の低下を防止するとともに、ヤケめっきの発生を防止することができる。また、第1めっき液の温度は、10℃〜80℃が適用可能であり、25℃程度が好ましい。
【0068】
そして、第1段めっき処理終了後、必要に応じて、基板Wを水洗部520に搬送して水洗し、しかる後、水洗後の基板Wを第2めっき処理部522bの一つに搬送する(ステップ3)。
【0069】
次に、この第2めっき処理部522bで、基板Wの表面に、硫酸銅の濃度が高く、硫酸濃度が低い、例えば硫酸銅100〜300g/L、硫酸10〜100g/L程度の組成を有し、レベリング性を向上させる添加剤を含有したレベリング性に優れた硫酸銅めっき液(第2めっき液)を使用した第2段めっき処理を施して、銅の埋込みを行う(ステップ4)。第1段めっき処理を施すことで、シード層7(図19A参照)が補強されて薄肉部のない完全なものとなっているため、第2段めっき処理でシード層7に均一に電流が流れて、ボイドのない銅の埋込みが可能となる。
【0070】
ここで、レベリング性とは、表面平坦度に対する性質を意味する。レベリング性に優れためっき液を使用してめっきを行うと、微細窪みの入口での膜成長が遅くなる。これによって、ボイドの発生を防止しつつ、微細窪み内に銅を均一に隙間なく充填し、しかも表面をより平坦にすることができる。
【0071】
第2段めっき処理終了後、必要に応じて、基板Wを水洗部520に搬送して水洗する(ステップ5)。しかる後、基板Wをベベルエッチ・薬液洗浄部516に搬送し、ここで、基板Wを薬液で洗浄するとともに、基板Wのベベル部に薄く形成された銅薄膜等をエッチング除去する(ステップ6)。次に、この基板を、洗浄・乾燥処理部512に搬送し、ここで基板Wの洗浄・乾燥処理を行い(ステップ7)、しかる後、この基板を第1搬送装置524でロード・アンロード部510のカセットに戻す(ステップ8)。
【0072】
ステップ7とステップ8との間に基板Wのアニール処理を行っても良い。200〜500℃の温度、好ましくは400℃程度の温度で基板のアニールを行うことで、基板表面に形成された銅膜の電気特性を向上させることができる。例えば、ベベルエッチ・薬液洗浄部516に洗浄・乾燥機能が補助的に備えられている場合には、洗浄・乾燥処理部512の代わりに、アニール部(アニールユニット)を設置しても良い。
【0073】
図16を参照して、本発明の他のめっき方法について説明する。この例は、図1に示す4基のめっき処理部522を全て銅埋込み用に使用する。この例では、前述のようなシード層の薄肉部の補強を行わない。このめっき処理部522にあっては、その銅めっき液45(図5参照)として、前述の第1めっき液と同様に、1価または2価の銅イオンと錯化剤を有し、添加剤として有機硫黄化合物、更には、必要に応じて、界面活性剤類やpH調整剤を添加した、均一電着性に優れためっき液を使用している。
【0074】
先ず、表面に給電層としてのシード層7(図19A参照)を形成した基板Wをロード・アンロード部510から第1搬送装置524で一枚ずつ取り出し、第1基板ステージ514及び第2基板ステージ518を経由して、一つのめっき処理部522に搬入する(ステップ1)。
【0075】
次に、このめっき処理部522で、前述の第1めっき液を使用しためっき処理を行って、銅の埋込みを行う(ステップ2)。つまり、この銅めっき液は、第1の実施の形態の第1めっき処理部522aに使用された第1めっき液と同様に分極が高い。この高い分極によって、めっき液は、析出電位を上昇させ、電着性の均一性を向上させて、通常の硫酸銅めっき液では析出が困難だったシード層の薄い部分にもめっきを析出させることができる。更に、めっき液は、めっきを成長させてボイドのない銅の埋込みを行うことができる。この時のめっき条件等は、本発明の第1の実施の形態の第1段めっき処理とほぼ同様である。
【0076】
めっき処理終了後、必要に応じて、基板Wを水洗部520に搬送して水洗する(ステップ3)。しかる後、基板Wをベベルエッチ・薬液洗浄部516に搬送し、ここで、基板Wを薬液で洗浄するとともに、基板Wのベベル部に薄く形成された銅薄膜等をエッチング除去する(ステップ4)。そして、基板を洗浄・乾燥処理部512に搬送し、ここで、基板Wの洗浄・乾燥処理を行う(ステップ5)。次に、この基板を第1搬送装置524でロード・アンロード部510のカセットに戻す(ステップ6)。
図14の洗浄・乾燥処理(ステップ5)とアンロード処理(ステップ6)との間にアニール処理を行っても良い。
【0077】
図21は、他の基板めっき装置の平面図である。図21に示す基板めっき装置は、半導体基板を搬入するロード部601、半導体基板に銅めっきを行う銅めっき槽602、半導体基板を水で洗浄する一対の水洗槽603,604、半導体基板に化学機械的研磨を行う化学機械的研磨部605、半導体基板を水で洗浄する一対の水洗槽606,607、半導体基板を乾燥させる乾燥槽608及び配線層形成が終了した半導体基板を搬出するアンロード部609を具備している。基板めっき装置は、これら各槽602,603,604、化学機械的研磨部605、各槽606,607,608、アンロード部609に半導体基板を移送する図示しない基板移送手段が備えられている。ロード部601、各槽602,603,604、化学機械的研磨部605、各槽606,607,608、アンロード部609は1つの装置として構成されている。
【0078】
基板めっき装置の操作は以下の通りである。基板移送手段により、ロード部601に載置された基板カセット601−1から、配線層が形成されていない半導体基板を取り出し、銅めっき槽602に移送する。銅めっき槽602において、配線溝や配線孔(コンタクトホール)からなる配線部を含む半導体基板Wの表面上に銅めっき層を形成する。
【0079】
銅めっき槽602で銅めっき層の形成が終了した半導体基板Wを、基板移送手段で水洗槽603,604の一方に移送し、この水洗槽603,604の一方で水洗を行う。水洗後の半導体基板Wを基板移送手段で化学機械的研磨部605に移送する。この化学機械的研磨部605で、銅めっき層から配線溝や配線孔に形成した銅めっき層を残して、半導体基板Wの表面上の余剰な銅めっき層を除去する。半導体基板Wの表面には、銅めっき層を形成する前に、配線溝や配線孔の内周面を含めて、TiN等からなるバリア層が形成されている。
【0080】
銅めっき層を残した半導体基板Wを、基板移送手段で水洗槽606,607の一方に送り、この水洗槽606,607の一方で水洗する。水洗の終了した半導体基板Wを乾燥槽608で乾燥させ、乾燥の終了した半導体基板Wを配線層の形成の終了した半導体基板として、アンロード部609の基板カセット609−1に格納する。
【0081】
図22は、他の基板めっき装置の平面図である。図22に示す基板めっき装置が図21に示す基板めっき装置と異なる点は、銅めっき槽602、水洗槽603、前処理槽611、半導体基板上の銅めっき膜の表面に保護膜を形成する保護膜めっき槽612、水洗槽613,614、化学機械的研磨部615を追加している。ロード部601、各槽602,602,603,604,614、化学機械的研磨部605,615、各槽606,607,608,610,611,612,613及びアンロード部609は、1つの装置として構成されている。
【0082】
図22に示す基板めっき装置の操作は、以下の通りである。ロード部601に載置された基板カセット601−1に収容された半導体基板Wは、連続的に銅めっき槽602,602のいずれかに供給される。この銅めっき槽602,602のいずれかで、配線溝や配線孔(コンタクトホール)からなる配線部を含む半導体基板Wの表面上に銅めっき層を形成する。2つのめっき槽602,602は、半導体基板Wに長い時間に亘って銅めっきを行うときに使用される。つまり、半導体基板Wには、一方の銅めっき槽602による電解銅めっきによって、初期の銅めっき膜が形成され、しかる後、他の銅めっき槽602により電解めっきによって、2次めっき膜が形成される。基板めっき装置は。2以上の銅めっき槽を備えるようにしてもよい。
【0083】
銅めっき層を形成した半導体基板Wは、水洗槽603,604の一方で水洗される。その後、化学機械的研磨部605で配線溝や配線孔に形成した銅めっき層を残して、半導体基板Wの表面上の不要な銅めっき層の不要な部分を除去する。
【0084】
続いて、銅めっき層を残した半導体基板Wを水洗槽610に移送し、ここで基板を水洗する。続いて、基板を前処理槽611に搬送して、保護めっき膜を形成するための前処理を行う。この前処理の終了した半導体基板Wを保護膜めっき槽612に移送する。保護膜めっき槽612で半導体基板Wの配線部に形成した銅めっき層の上に保護めっき膜を形成する。この保護めっき膜は、例えば無電解めっきによるニッケル(Ni)−ボロン(B)合金で形成される。
【0085】
半導体基板Wを水洗槽613,614の一方で水洗した後、銅めっき層上に形成した保護めっき膜の上部を化学機械的研磨部615で研磨して、保護めっき膜を平坦化する。
保護めっき膜を研磨した後、半導体基板Wを水洗槽606,607の一方で水洗し、乾燥槽608で乾燥させ、アンロード部609の基板カセット609−1に格納する。
【0086】
図23は、他の基板めっき装置の平面図である。図23に示すように、この基板めっき装置は、ロボットアーム616−1を有したロボット616を中央に配置し、ロボット616の周囲のロボットアーム616−1が到達する範囲に、銅めっき槽602,一対の水洗槽603,604、化学機械的研磨部605、前処理槽611、保護膜めっき槽612、乾燥槽608及びロード・アンロード部617を配置している。ロード・アンロード部617に隣接して、半導体基板の搬入を行うロード部601と半導体基板の搬出を行うアンロード部609が配置されている。ロボット616、各槽602,603,604、化学機械的研磨部605、各槽608,611,612、ロード・アンロード部617、ロード部601、アンロード部609は1つの装置として構成されている。
【0087】
図23に示す基板めっき装置の操作は、以下の通りである。
めっきされる半導体基板がロード部601からロード・アンロード部617に移送され、この半導体基板をロボットアーム616−1が受け取り、銅めっき槽602に移送する。このめっき槽602で配線溝や配線孔からなる配線部を含む半導体基板の表面上に銅めっき層を形成する。銅めっき層の形成された半導体基板をロボットアーム616−1により化学機械的研磨部605に移送する。この化学機械的研磨部605で銅めっき層から配線溝や配線孔からなる配線部に形成した銅めっき層を残して半導体基板Wの表面上の銅めっき層を除去する。
【0088】
次に、半導体基板は、ロボットアーム616−1により水洗槽604に移送され、ここで、基板を水洗する。しかる後、半導体基板は、ロボットアーム616−1で前処理槽611に移送され、ここで、保護めっき膜を形成するための半導体基板の前処理が行われる。この前処理の終了した半導体基板は、ロボットアーム616−1により、保護膜めっき槽612に移送される。この保護膜めっき槽612で、半導体基板Wの配線部に形成した銅めっき層の上に保護めっき膜を形成する。保護めっき膜が形成された半導体基板は、ロボットアーム616−1により水洗槽604に移送され、ここで半導体基板の水洗を行う。水洗後の半導体基板は、ロボットアーム616−1で乾燥槽608に移送され、ここで半導体基板を乾燥する。乾燥後の半導体基板は、ロボットアーム616−1でロード・アンロード部617に移送され、更に配線めっきの終了した半導体基板はアンロード部609に移送される。
【0089】
図24は、他の半導体基板処理装置の平面構成を示す図である。この半導体基板処理装置は、ロード・アンロード部701、Cuめっき膜形成ユニット702、第1ロボット703、第3洗浄機704、反転機705、反転機706、第2洗浄機707、第2ロボット708、第1洗浄機709、第1ポリッシング装置710及び第2ポリッシング装置711を配置した構成である。第1ロボット703の近傍には、めっき前後の膜厚を測定するめっき前後膜厚測定器712と、研磨後で乾燥状態の半導体基板Wの膜厚を測定する乾燥状態膜厚測定器713が配置されている。
【0090】
第1ポリッシング装置(研磨ユニット)710は、研磨テーブル710−1、トップリング710−2、トップリングヘッド710−3、膜厚測定器710−4、プッシャー710−5を具備している。第2ポリッシング装置(研磨ユニット)711は、研磨テーブル711−1、トップリング711−2、トップリングヘッド711−3、膜厚測定器711−4、プッシャー711−5を具備している。
【0091】
コンタクトホールと配線用のトレンチが形成され、その上にシード層が形成された半導体基板Wを収容したカセット701−1をロード・アンロード部701のロードポートに載置する。第1ロボット703は、半導体基板Wをカセット701−1から取り出し、Cuめっき膜形成ユニット702に搬入し、Cuめっき膜を形成する。その時、めっき前後膜厚測定器712でシード層の膜厚を測定する。Cuめっき膜の成膜は、まず半導体基板Wの表面の親水処理を行い、その後Cuめっきを行って形成する。Cuめっき膜の形成後、Cuめっき膜形成ユニット702で半導体基板Wのリンス若しくは洗浄を行う。
【0092】
第1ロボット703でCuめっき膜形成ユニット702から半導体基板Wを取り出したとき、めっき前後膜厚測定器712でCuめっき膜の膜厚を測定する。その測定結果は、記録装置(図示せず)に半導体基板の記録データとして記録され、なお且つ、Cuめっき膜形成ユニット702の異常の判定にも使用される。膜厚測定後、第1ロボット703が反転機705に半導体基板Wを渡し、この反転機705で反転させる(Cuめっき膜が形成された面が下になる)。第1ポリッシング装置710、第2ポリッシング装置711による研磨には、シリーズモードとパラレルモードがある。以下、シリーズモードの研磨について説明する。
【0093】
シリーズモード研磨にあっては、1次研磨をポリッシング装置710で行い、2次研磨をポリッシング装置711で行う。第2ロボット708で反転機705上の半導体基板Wを取上げ、ポリッシング装置710のプッシャー710−5上に半導体基板Wを載せる。トップリング710−2は、プッシャー710−5上の該半導体基板Wを吸着し、研磨テーブル710−1の研磨面に半導体基板WのCuめっき膜形成面を当接させ、所定の圧力の下で1次研磨を行う。この1次研磨では、基本的にCuめっき膜が研磨される。研磨テーブル710−1の研磨面は、IC1000のような発泡ポリウレタン、または砥粒を固定若しくは含浸させたもので構成されている。この研磨面と半導体基板Wの相対運動でCuめっき膜が研磨される。
【0094】
Cuめっき膜の研磨終了後、トップリング710−2で半導体基板Wをプッシャー710−5上に戻す。第2ロボット708は、この半導体基板Wを取上げ、第1洗浄機709に入れる。この時、プッシャー710−5上にある半導体基板Wの表面及び裏面に薬液を噴射することで、半導体基板上のパーティクルを除去したり、付き難くしたりすることができる。
【0095】
第1洗浄機709における洗浄終了後、第2ロボット708で半導体基板Wを取上げ、第2ポリッシング装置711のプッシャー711−5上に半導体基板Wを載せる。トップリング711−2でプッシャー711−5上の半導体基板Wを吸着し、該半導体基板Wのバリア層を形成した面を研磨テーブル711−1の研磨面に当接させ、所定の圧力の下で2次研磨を行う。この2次研磨ではバリア層が研磨される。但し、上記1次研磨で残ったCu膜や酸化膜も研磨されるケースもある。
【0096】
研磨テーブル711−1の研磨面は、IC1000のような発泡ポリウレタン、または砥粒を固定若しくは含浸させたもので構成される。この研磨面と半導体基板Wの相対運動で研磨される。このとき、砥粒若しくはスラリーには、シリカ、アルミナ、セリア等が用いられる。薬液は、研磨したい膜種により調整される。
【0097】
2次研磨の終点の検知は、光学式の膜厚測定器を用いてバリア層の膜厚を測定し、膜厚が0になったこと、またはSiO2からなる絶縁膜の現出を検知して行う。また、研磨テーブル711−1の近傍に設けた膜厚測定器711−4として画像処理機能付きの膜厚測定器が用いられる。この測定器で酸化膜の測定を行い、半導体基板Wの加工記録として残したり、2次研磨の終了した半導体基板Wを次の工程に移送できるか否かの判定を行う。2次研磨終点に達していない場合は、再研磨を行う。なんらかの異常で規定値を超えて研磨された場合は、次の研磨を行わないよう半導体基板処理装置を停止させて不良品を増やさないようにする。
【0098】
2次研磨終了後、トップリング711−2で半導体基板Wをプッシャー711−5まで移動させる。プッシャー711−5上の半導体基板Wを第2ロボット708で取上げる。この時、プッシャー711−5上で薬液を半導体基板Wの表面及び裏面に噴射することで、パーティクルを除去したり、付く難くしたりすることができる。
【0099】
第2ロボット708は、半導体基板Wを第2洗浄機707に搬入し、ここで半導体基板Wの洗浄を行う。第2洗浄機707の構成も第1洗浄機709と同じ構成である。半導体基板Wの表面は、主にパーティクル除去のために、純水に界面活性剤、キレート剤、またpH調整剤を加えた洗浄液を用いて、PVAスポンジロールによりスクラブ洗浄される。半導体基板Wの裏面には、ノズルからDHF等の強い薬液を噴出し、拡散しているCuをエッチングする。拡散の問題がなければ、表面と同じ薬液を用いてPVAスポンジロールによるスクラブ洗浄する。
【0100】
上記洗浄の終了後、半導体基板Wを第2ロボット708で取上げ、反転機706に移し、この反転機706で反転させる。この反転させた半導体基板Wを第1ロボット703で取上げ第3洗浄機704に入れる。第3洗浄機704では、半導体基板Wの表面に超音波振動により励起されたメガソニック水を噴射して半導体基板Wを洗浄する。この時、純水に界面活性剤、キレート剤、またpH調整剤を加えた洗浄液を用いて公知のペンシル型スポンジで半導体基板Wの表面を洗浄してもよい。その後、スピン乾燥により、半導体基板Wを乾燥させる。
【0101】
上記のように研磨テーブル711−1の近傍に設けた膜厚測定器711−4で膜厚を測定した場合は、半導体基板Wは、更に処理を施すことなく、そのままロード・アンロード部711のアンロードポートに載置されたカセットに収容される。
【0102】
図25は、他の半導体基板処理装置の平面構成を示す図である。この基板処理装置が図24に示す基板処理装置と異なる点は、図24に示すCuめっき膜形成ユニット702の代わりに蓋めっきユニット750を設けた点である。
Cuめっき膜を形成した半導体基板Wを収容したカセット701−1は、ロード・アンロード部701のロードポートに載置される。カセット701−1から取り出された半導体基板Wは、第1ポリッシング装置710または第2ポリッシング装置711に搬送されて、ここでCuめっき膜の表面が研磨される。Cuめっき膜の研磨終了後、半導体基板Wは、第1洗浄機709で洗浄される。
【0103】
第1洗浄機709で洗浄された半導体基板Wは、蓋めっきユニット750に搬送され、ここでCuめっき膜の表面に蓋めっきが施され、これによって、Cuめっき膜が大気中で酸化することが防止される。蓋めっきを施した半導体基板は、第2ロボット708によって蓋めっきユニット750から第2洗浄機707に搬送され、ここで純水または脱イオン水で洗浄される。洗浄後の半導体基板は、ロード・アンロード部701に載置されたカセット701−1に戻される。
【0104】
図26は、更に他の半導体基板処理装置の平面構成を示す図である。この基板処理装置が図25に示す基板処理装置と異なる点は、図25に示す第3洗浄機709の代わりにアニールユニット751を設けた点である。
前述のようにして、ポリッシング装置710または711で研磨され、第1洗浄機709で洗浄された半導体基板Wは、蓋めっきユニット750に搬送され、ここでCuめっき膜の表面に蓋めっきが施される。この蓋めっきが施された半導体基板は、第2ロボット732によって、蓋めっきユニット750から第1洗浄機707に搬送され、ここで洗浄される。
【0105】
第1洗浄機709で洗浄された半導体基板Wは、アニールユニット751に搬送され、ここでアニールされ、これによって、Cuめっき膜が合金化されてCuめっき膜のエレクトロンマイグレーション耐性が向上する。アニールが施された半導体基板Wは、アニールユニット751から第2洗浄機707に搬送され、ここで純水または脱イオン水で洗浄される。洗浄後の半導体基板Wは、ロード・アンロード部701に載置されたカセット701−1に戻される。
【0106】
図27は、他の基板処理装置の平面配置構成を示す図である。図27において、図24と同一符号を付した部分は、同一または相当部分を示す。この基板処理装置は、第1ポリッシング装置710と第2ポリッシング装置711に接近してプッシャーインデクサー725を配置している。第3洗浄機704とCuめっき膜形成ユニット702の近傍にそれぞれ基板載置台721,722を配置している。第1洗浄機709と第3洗浄機704の近傍にロボット723を配置している。更に、第2洗浄機707とCuめっき膜形成ユニット702の近傍にロボット724を配置し、ロード・アンロード部701と第1ロボット703の近傍に乾燥状態膜厚測定器713を配置している。
【0107】
上記構成の基板処理装置において、第1ロボット703は、ロード・アンロード部701のロードポートに載置されているカセット701−1から半導体基板Wを取り出す。乾燥状態膜厚測定器713でバリア層及びシード層の膜厚を測定した後、第1ロボット703で半導体基板Wを基板載置台721に載せる。乾燥状態膜厚測定器713が第1ロボット703のハンドに設けられている場合は、そこで膜厚を測定し、基板を基板載置台721に載せる。第2ロボット723で基板載置台721上の半導体基板WをCuめっき膜形成ユニット702に移送し、Cuめっき膜を成膜する。Cuめっき膜の成膜後、めっき前後膜厚測定器712でCuめっき膜の膜厚を測定する。その後、第2ロボット723は、半導体基板Wをプッシャーインデクサー725に移送し搭載する。
【0108】
〔シリーズモード〕
シリーズモードでは、トップリングヘッド710−2がプッシャーインデクサー725上の半導体基板Wを吸着し、研磨テーブル710−1に移送し、研磨テーブル710−1上の研磨面に半導体基板Wを押圧して研磨を行う。研磨の終点検知は、上記と同様な方法で行う。研磨終了後の半導体基板Wは、トップリングヘッド710−2でプッシャーインデクサー725に移送され搭載される。第2ロボット723で半導体基板Wを取り出し、第1洗浄機709に搬入して洗浄する。次に、半導体基板をプッシャーインデクサー725に移送し搭載する。
【0109】
トップリングヘッド711−2がプッシャーインデクサー725上の半導体基板Wを吸着し、研磨テーブル711−1に移送し、研磨テーブル711−1の研磨面に半導体基板Wを押圧して研磨を行う。研磨の終点検知は上記と同様な方法で行う、研磨終了後の半導体基板Wは、トップリングヘッド711−2でプッシャーインデクサー725に移送され搭載される。第3ロボット724は、半導体基板Wを取上げ、膜厚測定器726で膜厚を測定する。しかる後、半導体基板Wを第2洗浄機707に搬入して洗浄する。次に、半導体基板Wを第3洗浄機704に搬入し、ここで洗浄した後にスピンドライで乾燥を行う。その後、第3ロボット724で半導体基板Wを取上げ、基板載置台722上に載せる。
【0110】
〔パラレルモード〕
パラレルモードでは、トップリングヘッド710−2または711−2がプッシャーインデクサー725上の半導体基板Wを吸着し、研磨テーブル710−1または711−1に移送し、研磨テーブル710−1または711−1上の研磨面に半導体基板Wを押圧して研磨を行う。膜厚を測定した後、第3ロボット724で半導体基板Wを取上げ、基板載置台722上に載せる。
第1ロボット703は、基板載置台722上の半導体基板Wを乾燥状態膜厚測定器713に移送する。膜厚を測定した後、半導体基板Wをロード・アンロード部701のカセット701−1に戻す。
【0111】
図28は、他の基板処理装置の平面配置構成を示す図である。この基板処理装置は、シード層が形成されていない半導体基板Wに、シード層及びCuめっき膜を形成し、これらの膜を研磨して回路配線を形成する基板処理装置である。
この基板研磨装置では、第1ポリッシング装置710と第2ポリッシング装置711に接近してプッシャーインデクサー725を配置し、第2洗浄機707とシード層成膜ユニット727の近傍にそれぞれ基板載置台721,722を配置し、シード層成膜ユニット727とCuめっき膜形成ユニット702に接近してロボット723を配置している。更に、第1洗浄機709と第2洗浄機707の近傍にロボット724を配置し、ロード・アンロード部701と第1ロボット702の近傍に乾燥膜厚測定器713を配置している。
【0112】
第1ロボット703は、ロード・アンロード部701のロードポートに載置されているカセット701−1から、バリア層が形成されている半導体基板Wを取り出して基板載置台721に載せる。次に、第2ロボット723は、半導体基板Wをシード層成膜ユニット727に搬送し、ここでシード層を形成する。このシード層の成膜は無電解めっきで行う。第2ロボット723は、めっき前後膜厚測定器712でシード層の形成された半導体基板の該シード層の膜厚を測定する。膜厚測定後、半導体基板をCuめっき膜形成ユニット702に搬入し、ここでCuめっき膜を形成する。
【0113】
Cuめっき膜の形成後、その膜厚を測定し、半導体基板をプッシャーインデクサー725に移送する。トップリング710−2または711−2は、プッシャーインデクサー725上の半導体基板Wを吸着し、研磨テーブル710−1または711−1に移送し研磨する。研磨後、トップリング710−2または711−2は、半導体基板Wを膜厚測定器710−4または711−4に移送して膜厚を測定する。そして、トップリング710−2または711−2は、半導体基板Wをプッシャーインデクサー725に移送して載せる。
【0114】
次に、第3ロボット724は、プッシャーインデクサー725から半導体基板Wを取上げ、第1洗浄機709に搬入する。第3ロボット724は、第1洗浄機709から洗浄された半導体基板Wを取上げ、第2洗浄機707に搬入し、洗浄し乾燥した半導体基板を基板載置台722上に載置する。次に、第1ロボット703は、半導体基板Wを取上げ、乾燥状態膜厚測定器713に搬送し、ここで膜厚を測定し、第1ロボット703は、ロード・アンロード部701のアンロードポートに載置されているカセット701−1に収納する。
【0115】
図28に示す基板処理装置においても、回路パターンのコンタクトホールまたはトレンチが形成された半導体基板W上にバリア層、シード層及びCuめっき膜を形成し、これらを研磨して回路配線を形成する。
バリア層形成前の半導体基板Wを収容したカセット701−1を、ロード・アンロード部701のロードポートに載置する。そして、第1ロボット703でロード・アンロード部701のロードポートに載置されているカセット701−1から半導体基板Wを取り出して、基板載置台721に載せる。次に、第2ロボット723は、半導体基板Wをシード層成膜ユニット727に搬送し、ここでバリア層とシード層を成膜する。バリア層とシード層の成膜は無電解めっきで行う。第2ロボット723は、バリア層とシード層を形成した半導体基板Wをめっき前後膜厚測定器712に搬送し、ここでバリア層とシード層の膜厚を測定する。膜厚測定後、半導体基板WをCuめっき膜形成ユニット702に搬入し、Cuめっき膜を形成する。
【0116】
図29は、他の基板処理装置の平面配置構成を示す図である。この基板処理装置は、バリア層成膜ユニット811、シード層成膜ユニット812、めっき膜形成ユニット813、アニールユニット814、第1洗浄ユニット815、ベベル・裏面洗浄ユニット816、蓋めっきユニット817、第2洗浄ユニット818、第1アライナ兼膜厚測定器841、第2アライナ兼膜厚測定器842、第1基板反転機843、第2基板反転機844、基板仮置き台845、第3膜厚測定器846、ロード・アンロード部820、第1ポリッシング装置821、第2ポリッシング装置822、第1ロボット831、第2ロボット832、第3ロボット833、第4ロボット834を配置した構成である。膜厚測定器841,842,846はユニットになっており、他のユニット(めっき、洗浄、アニール等のユニット)の間口寸法と同一サイズにしているため、入れ替え自在である。
この例では、バリア層成膜ユニット811は無電解Ruめっき装置、シード層成膜ユニット812は無電解銅めっき装置、めっき膜形成ユニット813は電解めっき装置を用いることができる。
【0117】
図30は、基板処理装置内での各工程の流れを示すフローチャートである。このフローチャートに従って、装置内での各工程について説明する。まず、第1ロボット831によりロード・アンロードユニット820に載置されたカセット820aから取り出された半導体基板は、第1アライナ兼膜厚測定ユニット841内に被めっき面を上にして配置される。ここで、膜厚計測を行うポジションの基準点を定めるために、膜厚計測用のノッチアライメントを行った後、Cu膜形成前の半導体基板の膜厚データを得る。
【0118】
次に、半導体基板は、第1ロボット831により、バリア層成膜ユニット811へ搬送される。このバリア層成膜ユニット811は、無電解Ruめっきにより半導体基板上にバリア層を形成する装置で、半導体装置の層間絶縁膜(例えば、SiO2)へのCu拡散防止膜としてRuを成膜する。洗浄、乾燥工程を経て払い出された半導体基板は、第1ロボット831により第1アライナ兼膜厚測定ユニット841に搬送され、半導体基板の膜厚、即ちバリア層の膜厚を測定される。
【0119】
膜厚測定された半導体基板は、第2ロボット832でシード層成膜ユニット812へ搬入され、バリア層上に無電解銅めっきによりシード層が成膜される。洗浄、乾燥工程を経て払い出された半導体基板は、第2ロボット832により含浸めっきユニットであるめっきユニット813に搬送される前に、ノッチ位置を定めるために第2アライナ兼膜厚測定器842に搬送され、Cuめっき用のノッチのアライメントを行う。このアライナ兼膜厚測定器842で、必要に応じて、Cu膜形成前の半導体基板の膜厚を再計測してもよい。
【0120】
ノッチアライメントが完了した半導体基板は、第3ロボット833によりめっき膜形成ユニット813へ搬送され、半導体基板にCuめっきが施される。洗浄、乾燥工程を経て払い出された半導体基板は、第3ロボット833により半導体基板端部の不要なCu膜(シード層)を除去するためにベベル・裏面洗浄ユニット816へ搬送される。ベベル・裏面洗浄ユニット816では、予め設定された時間でベベルのエッチングを行うとともに、半導体基板裏面に付着したCuをフッ酸等の薬液により洗浄する。この時、ベベル・裏面洗浄ユニット816へ半導体基板を搬送する前に、第2アライナ兼膜厚測定器842にて半導体基板の膜厚測定を実施して、めっきにより形成された銅膜厚の値を得ておき、その結果により、ベベルのエッチング時間を任意に変えてエッチングを行っても良い。なお、ベベルエッチングによりエッチングされる領域は、基板の周縁部であって回路が形成されない領域、または回路が形成されていても最終的にチップとして利用されない領域である。この領域にはベベル部分が含まれる。
【0121】
ベベル・裏面洗浄ユニット816で洗浄、乾燥工程を経て払い出された半導体基板は、第3ロボット833で基板反転機843に搬送される。基板反転機843で反転され、被めっき面を下方に向けた半導体基板は、第4ロボット834により配線部を安定化させるためにアニールユニット814へ投入される。アニール処理前及び/または処理後、半導体基板を第2アライナ兼膜厚測定ユニット842に搬入し、半導体基板に形成された銅膜の膜厚を計測する。この後、半導体基板は第4ロボット834により第1ポリッシング装置821に搬入され、半導体基板のCu層及びシード層の研磨を行う。
【0122】
この時、砥粒等は所望のものが用いられるが、ディッシングを防ぎ、表面の平面度を出すために、固定砥粒を用いることもできる。一次ポリッシング終了後、半導体基板は、第4ロボット834により第1洗浄ユニット815に搬送され、洗浄される。この洗浄は、半導体基板直径とほぼ同じ長さを有するロールを半導体基板の表面と裏面に配置し、半導体基板及びロールを回転させつつ、純水または脱イオン水を流しながら洗浄するスクラブ洗浄である。
【0123】
一次洗浄終了後、半導体基板は第4ロボット834により第2ポリッシング装置822に搬入され、半導体基板上のバリア層が研磨される。この際、砥粒等は所望のものが用いられるが、ディッシングを防ぎ、表面の平面度を出すために、固定砥粒を用いることもできる。二次ポリッシング終了後、半導体基板は第4ロボット834により、再度第1洗浄ユニット815に搬送され、スクラブ洗浄される。洗浄終了後、半導体基板は、第4ロボット834により第2基板反転機844に搬送され反転されて、被めっき面を上方に向けられ、しかる後、半導体基板は、第3ロボットにより基板仮置き台845に載置される。
【0124】
半導体基板は、第2ロボット832により基板仮置き台845から蓋めっきユニット817に搬送され、大気による銅の酸化防止を目的にCu表面に蓋めっきを行う。蓋めっきが施された半導体基板は、第2ロボット832により蓋めっきユニット817から第3膜厚測定器146に搬入され、銅膜厚が測定される。その後、半導体基板は、第1ロボット831により第2洗浄ユニット818に搬入され、純水または脱イオン水により洗浄される。洗浄が終了した半導体基板は、ロード・アンロード部820に載置されたカセット820a内に戻される。
【0125】
アライナ兼膜厚測定器841及びアライナ兼膜厚測定器842は、基板ノッチ部分の位置決め及び膜厚の測定を行う。
シード層成膜ユニット182を省略することもできる。この場合、めっき膜はめっき膜形成装置817でバリア層の表面に直接形成される。
【0126】
ベベル・裏面洗浄ユニット816は、エッジ(ベベル)Cuエッチングと裏面洗浄が同時に行え、また基板表面の回路形成部の銅の自然酸化膜の成長を抑えることが可能である。図31に、ベベル・裏面洗浄ユニット816の概略図を示す。図31に示すように、ベベル・裏面洗浄ユニット816は、有底円筒状の防水カバー920の内部に位置して基板Wをフェイスアップでその周縁部の円周方向に沿った複数箇所でスピンチャック921により水平に保持して高速回転させる基板保持部922と、基板保持部922で保持された基板Wの表面側のほぼ中央部上方に配置されたセンタノズル924と、基板Wの周縁部の上方に配置されたエッジノズル926とを備えている。センタノズル924及びエッジノズル926は下向きで配置されている。基板Wの裏面側のほぼ中央部の下方に位置して、バックノズル928が上向きで配置されている。エッジノズル926は基板Wの直径方向及び高さ方向を移動自在に構成されている。
【0127】
このエッジノズル926の移動幅Lは、基板の外周端面から中心部方向に任意の位置決めが可能になっていて、基板Wの大きさや使用目的等に合わせて、設定値の入力を行う。通常、エッジカット幅Cは2mmから5mmの範囲で設定される。この場合、裏面から表面への液の回り込み量が問題にならない回転速度以上であれば、その設定されたエッジカット幅C内の銅膜が除去される。
【0128】
次に、この洗浄装置による洗浄方法について説明する。まず、スピンチャック921を介して半導体基板Wを基板保持部922で水平に保持した状態で、半導体基板Wを基板保持部922と一体に水平回転させる。この状態で、センタノズル924から基板Wの表面側の中央部に酸溶液を供給する。この酸溶液としては非酸化性の酸であればよく、例えばフッ酸、塩酸、硫酸、クエン酸、蓚酸等を用いる。一方、エッジノズル926から基板Wの周縁部に酸化剤溶液を連続的または間欠的に供給する。この酸化剤溶液としては、オゾン水、過酸化水素水、硝酸水、次亜塩素酸ナトリウム水等のいずれかを用いるか、またはそれらの組み合わせを用いる。
【0129】
これにより、半導体基板Wの周縁部のエッジ部Cの領域では、上面及び端面に成膜された銅膜等が酸化剤溶液で急速に酸化され、同時にセンタノズル924から供給されて基板の表面全面に拡がる酸溶液によってエッチングされ溶解除去される。このように、基板の周縁部のエッジ部で酸溶液と酸化剤溶液を混合させることで、予めそれらの混合水をノズルから供給するのに比べて急峻なエッチングプロフィールを得ることができる。この時、それらの濃度により銅のエッチングレートが決定される。基板の表面の回路形成部に銅の自然酸化膜が形成されていた場合、この自然酸化物は、基板の回転に伴って基板の表面全面に亘って広がる酸溶液で直ちに除去されて成長することはない。センタノズル924からの酸溶液の供給を停止した後、エッジノズル926からの酸化剤溶液の供給を停止する。これにより、表面に露出しているシリコンを酸化して、銅の付着を抑制することができる。
【0130】
一方、バックノズル928から基板の裏面中央部に酸化剤溶液とシリコン酸化膜エッチング剤とを同時または交互に供給する。これにより、半導体基板Wの裏面側に金属状に付着している銅等を基板のシリコンごと酸化剤溶液で酸化し、シリコン酸化膜エッチング剤でエッチングして基板から除去することができる。酸化剤溶液としては、表面に供給する酸化剤溶液と同じものにする方が薬品の種類を少なくする上で好ましい。シリコン酸化膜エッチング剤としては、フッ酸を用いることができ、基板の表面側の酸溶液もフッ酸を用いると薬品の種類を少なくすることができる。これにより、酸化剤供給を先に停止すれば疎水面が得られ、エッチング剤溶液を先に停止すれば飽水面(親水面)が得られて、その後のプロセスの要求に応じた裏面に調整することができる。
【0131】
このように、酸溶液すなわちエッチング液を基板に供給して、基板Wの表面に残留する金属イオンを除去する。しかる後、純水を供給して、純水置換を行ってエッチング液を除去し、その後、基板のスピン乾燥を行う。このようにして、半導体基板表面の周縁部のエッジカット幅C内の銅膜の除去と裏面の銅汚染除去を同時に行って、この処理を、例えば80秒以内に完了させることができる。エッジのエッジカット幅を任意(2mm〜5mm)に設定することが可能であるが、エッチングに要する時間はカット幅に依存しない。
【0132】
めっき後のCMP工程前に、アニール処理を行うことが、この後のCMP処理や配線の電気特性に対して良い効果を示す。アニールなしでCMP処理後に幅の広い配線(数μm単位)の表面を観察すると、マイクロボイドのような欠陥が多数見られ、配線全体の電気抵抗を増加させた。アニールを行うことでこの電気抵抗の増加は改善された。アニールなしの場合に、細い配線にはボイドが見られなかった。これにより、これらの現象には、粒成長の度合いが関わっていることが考えられる。つまり、細い配線では粒成長が起こりにくいが、幅の広い配線では粒成長に伴い、アニール処理に伴うグレン成長の過程で、めっき膜中のSEM(走査型電子顕微鏡)でも見えないほどの超微細ポアが集結しつつ上へ移動することで、配線上部にマイクロボイド用の凹みが生じたという推測ができる。アニールユニット814のアニール条件としては、水素(2%以下)を添加したガスの雰囲気で、温度を300〜400℃に設定し、アニール時間は1〜5分間である。このような条件の下で、上記の効果が得られた。
【0133】
図34及び図35は、アニールユニット814を示す。このアニールユニット814は、半導体基板Wを出し入れするゲート1000を有するチャンバ1002を備えており、このチャンバ1002の内部に位置して、半導体基板Wを、例えば400℃に加熱するホットプレート1004と、例えば冷却水を流して半導体基板Wを冷却するクールプレート1006が上下に配置されている。アニールユニット1002には、クールプレート1006の内部を貫通して上下方向に延び、上端に半導体基板Wを載置保持する複数の昇降ピン1008が昇降自在に配置されている。アニールユニットは、更に、アニール時に半導体基板Wとホットプレート1004との間に酸化防止用のガスを導入するガス導入管1010と、該ガス導入管1010から導入され、半導体基板Wとホットプレート1004との間を流れたガスを排気するガス排気管1012とを備えている。管1010と1012はホットプレート1004を挟んで互いに対峙する位置に配置されている。
【0134】
ガス導入管1010は、内部にフィルタ1014aを有するN2ガス導入路1016内を流れるN2ガスと、内部にフィルタ1014bを有するH2ガス導入路1018内を流れるH2ガスとを混合器1020で混合し、この混合器1020で混合されたガスが流れる混合ガス導入路1022に接続されている。
【0135】
これにより、ゲート1000を通じてチャンバ1002の内部に搬入された半導体基板Wを昇降ピン1008で保持し、昇降ピン1008を該昇降ピン1008で保持した半導体基板Wとホットプレート1004との距離が、例えば0.1〜1.0mm程度となるまで上昇させる。この状態で、ホットプレート1004を介して、半導体基板Wを、例えば400℃となるように加熱し、同時にガス導入管1010から酸化防止用のガスを導入して半導体基板Wとホットプレート1004との間を流してガス排気管1012から排気し、これによって、酸化を防止しつつ半導体基板Wをアニールする。このアニールを、例えば数十秒〜60秒程度継続して終了する。基板の加熱温度は、100〜600℃が選択される。
【0136】
アニール終了後、昇降ピン1008を該昇降ピン1008に保持された半導体基板Wとクールプレート1006との距離が、例えば0〜0.5mm程度となるまで下降させる。この状態で、クールプレート1006内に冷却水を導入することで、半導体基板Wの温度が100℃以下となるまで、例えば10〜60秒程度、半導体基板を冷却する。冷却終了後の半導体基板を次工程に搬送する。
上記酸化防止用のガスとして、N2ガスと数%のH2ガスを混合した混合ガスを資用意している。しかし、N2ガスを使用してもよい。
アニールユニットを電解めっき装置の内部に配置してもよい。
【0137】
図32は、無電解めっき装置の概略構成図である。図32に示すように、この無電解めっき装置は、めっきされる半導体基板Wを上面に保持する保持手段911と、保持手段911に保持された半導体基板Wの被めっき面(上面)の周縁部に当接して該周縁部をシールする堰部材931と、堰部材931で周縁部をシールされた半導体基板Wの被めっき面にめっき液を供給するシャワーヘッド941を備えている。無電解めっき装置は、さらに、保持手段911の上部外周近傍に設置されて半導体基板Wの被めっき面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段951と、排出された洗浄液等(めっき廃液)を回収する回収容器961と、半導体基板W上に保持されためっき液を吸引して回収するめっき液回収ノズル965と、前記保持手段911を回転駆動するモータMとを備えている。以下、各部材について説明する。
【0138】
保持手段911は、上面に半導体基板Wを載置して保持する基板載置部913を有している。基板載置部913は、半導体基板Wを載置して固定するように構成されている。具体的には、半導体基板Wをその裏面側に真空吸着する図示しない真空吸着機構を有している。基板載置部913の裏面側には、面状であって半導体基板Wの被めっき面を下面側から暖めて保温する裏面ヒータ915が設置されている。この裏面ヒータ915は、例えばラバーヒータによって構成されている。この保持手段911はモータMによって回転駆動されると共に、昇降手段(図示せず)によって上下動できるように構成されている。
【0139】
堰部材931は、筒状であって、その下部に半導体基板Wの外周縁をシールするシール部933を有し、図示の位置から上下動しないように設置されている。
シャワーヘッド941は、先端に多数のノズルを設けることで、供給されためっき液をシャワー状に分散して半導体基板Wの被めっき面に略均一に供給する構造のものである。また洗浄液供給手段951は、ノズル953から洗浄液を噴出する構造である。
めっき液回収ノズル965は、上下動且つ旋回できるように構成されており、めっき液回収ノズル965の先端が半導体基板Wの上面周縁部の堰部材931の内側に下降して半導体基板W上のめっき液を吸引するように構成されている。
【0140】
次に、この無電解めっき装置の動作を説明する。まず図示の状態よりも保持手段911を下降して堰部材931との間に所定寸法の隙間を設け、基板載置部913に半導体基板Wを載置・固定する。半導体基板Wとしては、例えばφ8インチ基板を用いる。
次に、保持手段911を上昇して、図示のように、その上面を堰部材931の下面に当接させ、同時に半導体基板Wの外周を堰部材931のシール部933によってシールする。この時、半導体基板Wの表面は、開放された状態となっている。
【0141】
次に、裏面ヒータ915によって半導体基板W自体を直接加熱して、例えば半導体基板Wの温度を70℃にする(めっき終了まで維持する)。次に、シャワーヘッド941から、例えば50℃に加熱されためっき液を噴出して半導体基板Wの表面の略全体にめっき液を降り注ぐ。半導体基板Wの表面は堰部材931によって囲まれているので、注入されためっき液は全て半導体基板Wの表面に保持される。供給するめっき液の量は、半導体基板Wの表面に1mm厚(約30ml)となる程度の少量で良い。被めっき面上に保持するめっき液の深さは10mm以下であれば良く、この例のように1mmでも良い。この例のように供給するめっき液が少量で済めば、これを加熱する加熱装置も小型のもので良くなる。この例においては、半導体基板Wの温度を70℃に、めっき液の温度を50℃に加熱している。これにより、半導体基板Wの被めっき面は、例えば60℃になり、この例におけるめっき反応に最適な温度にできる。
【0142】
そして、モータMによって半導体基板Wを瞬時回転させて被めっき面の均一な液濡れを行い、その後、半導体基板Wを静止した状態で被めっき面のめっきを行う。具体的には、半導体基板Wを1秒だけ100rpm以下で回転して半導体基板Wの被めっき面上をめっき液で均一に濡らす。その後、半導体基板Wを静止させて、1分間、無電解めっきを行わせる。なお瞬時回転時間は、長くても10秒以下とする。
【0143】
めっき処理が完了した後、めっき液回収ノズル965の先端を半導体基板Wの表面周縁部の堰部材931の内側近傍に下降し、めっき液を吸い込む。この時、半導体基板Wを、例えば100rpm以下の回転速度で回転させれば、半導体基板W上に残っためっき液を遠心力で半導体基板Wの周縁部の堰部材931の部分に集めることができ、効率良く、且つ高い回収率でめっき液の回収ができる。そして、保持手段911を下降させて半導体基板Wを堰部材931から離す。半導体基板Wの回転を開始して洗浄液供給手段951のノズル953から洗浄液(超純水)を半導体基板Wの被めっき面に噴射して被めっき面を冷却すると同時に希釈化・洗浄することで無電解めっき反応を停止させる。この時、ノズル953から噴射される洗浄液を堰部材931にも当ることで堰部材931の洗浄を同時に行っても良い。この時のめっき廃液は、回収容器961に回収され、廃棄される。
【0144】
そしてモータMによって半導体基板Wを高速回転してスピン乾燥した後、半導体基板Wを保持手段911から取り出す。
【0145】
図33は、他の無電解めっき装置の概略構成図である。図33に示す無電解めっき装置が図32の無電解めっき装置と相違する点は、保持手段911内に裏面ヒータ915を設ける代わりに、保持手段911の上方にランプヒータ917を設置し、このランプヒータ917とシャワーヘッド941−2とを一体化した点である。例えば、複数の半径の異なるリング状のランプヒータ917を同心円状に設置し、ランプヒータ917の間の隙間からシャワーヘッド941−2の多数のノズル943−2をリング状に開口させている。ランプヒータ917としては、渦巻状の一本のランプヒータで構成しても良いし、それ以外の各種構造・配置のランプヒータで構成しても良い。
【0146】
このように構成しても、めっき液は各ノズル943−2から半導体基板Wの被めっき面上にシャワー状に略均等に供給できる。またランプヒータ917によって、半導体基板Wの加熱・保温も直接均一に行える。ランプヒータ917は、半導体基板Wとめっき液だけでなく、その周囲の空気をも加熱するので、半導体基板Wの保温効果もある。
【0147】
ランプヒータ917によって半導体基板Wを直接加熱するには、比較的大きい消費電力のランプヒータ917が必要になる。その代わりに比較的小さい消費電力のランプヒータ917と図31に示す裏面ヒータ915とを併用して、半導体基板Wは主として裏面ヒータ915によって加熱し、めっき液と周囲の空気の保温は主としてランプヒータ917によって行うようにしても良い。また前述の例と同様に、半導体基板Wを直接、または間接的に冷却する手段を設けて、温度制御を行っても良い。
前述の蓋めっきは、好ましくは無電解めっき処理によって行われるが、電解めっき処理で行うようにしても良い。
【0148】
次に、本発明の実施例を説明する。
先ず、表1に示す錯体浴組成1〜8からなる銅めっき液(本めっき液)及び錯体浴組成9,10からなる銅めっき液(比較めっき液)と、表2に示す硫酸銅浴組成1,2からなる銅めっき液を作成した。図17は、錯体浴7に添加される有機硫黄化合物(III−(4))の量を0ppm、1ppm、5ppm、10ppm、25ppmと変化させた時の電流・電圧曲線を示す。図17から判るように、有機硫黄化合物を添加することでカソード分極が高くなり、しかもこの量を増加することで、カソード分極がより高くなることが判る。
【0149】
表1において、有機硫黄化合物I−(10)は、有機硫黄化合物として前記第I群の(10)を、II−(2)は、同じく前記第II群の(2)を、III−(4)は、同じく前記第III群の(4)をそれぞれ使用したことを示している。なお、以下の各実施例及び各比較例では、図18Aに示すように、直径0.2μmで、アスペスト比A/R=5(深さ1μm)のビアホールにめっきを施して銅を埋込んだ例を示している。そして、ビアホールに埋込んだ銅の欠陥の有無をSEM(scanning electron microscope)観察した。ここで、下部ボイドありとは、図18Bに示すように、溝の底部に銅が析出しない空洞部V1を有する状態を指し、シームボイド有りとは、図18Cに示すように、銅の内部に細長いボイドV2を有する状態を指す。
【0150】
【表1】
【0151】
【表2】
【0152】
(実施例1)
錯体浴組成1の銅めっき液(本めっき液)を第1の実施の形態の第1めっき処理部522aの銅めっき液に使用し、電流密度0.5A/dm2、めっき時間25秒の第1段めっき処理(シード層補強)を行った。しかる後、硫酸銅浴組成1の銅めっき液を第2めっき処理部522bの銅めっき液に使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分の第2段めっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板全表面の全てのビアホールにボイドは生じていなかった。
【0153】
(実施例2)
錯体浴組成2の銅めっき液(本めっき液)を第2の実施の形態のめっき処理部522の銅めっき液に使用し、電流密度1A/dm2、めっき時間5分のめっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の周辺部のビアホールに僅かにシームボイドが見られた。
【0154】
(実施例3)
錯体浴組成3の銅めっき液(本めっき液)を第1の実施の形態の第1めっき処理部522aの銅めっき液に使用し、電流密度0.5A/dm2、めっき時間25秒の第1段めっき処理(シード層補強)を行った。しかる後、硫酸銅浴組成2の銅めっき液を第2めっき処理部522bの銅めっき液に使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分の第2段めっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の全ビアホールにボイドは生じていなかった。
【0155】
(実施例4)
錯体浴組成4の銅めっき液(本めっき液)を第2の実施の形態のめっき処理部522の銅めっき液に使用し、電流密度1A/dm2、めっき時間5分のめっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の全ビアホールにボイドは生じていなかった。
【0156】
(実施例5)
錯体浴組成5の銅めっき液(本めっき液)を第1の実施の形態の第1めっき処理部522aの銅めっき液に使用し、電流密度0.5A/dm2、めっき時間25秒の第1段めっき処理(シード層補強)を行った。しかる後、硫酸銅浴組成1の銅めっき液を第2めっき処理部522bの銅めっき液に使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分の第2段めっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の全ビアホールにボイドは生じていなかった。
【0157】
(実施例6)
錯体浴組成6の銅めっき液(本めっき液)を第2の実施の形態のめっき処理部522の銅めっき液に使用し、電流密度1A/dm2、めっき時間5分のめっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の周辺部のビアホールに僅かにシームボイドが見られた。
【0158】
(実施例7)
錯体浴組成7の銅めっき液(本めっき液)を第1の実施の形態の第1めっき処理部522aの銅めっき液に使用し、電流密度0.5A/dm2、めっき時間25秒の第1段めっき処理(シード層補強)を行った。しかる後、硫酸銅浴組成2の銅めっき液を第2めっき処理部522bの銅めっき液に使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分の第2段めっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の全ビアホールにボイドは生じていなかった。
【0159】
(実施例8)
錯体浴組成7の銅めっき液(本めっき液)を第2の実施の形態のめっき処理部522の銅めっき液に使用し、電流密度1A/dm2、めっき時間5分のめっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の全ビアホールにボイドは生じていなかった。
【0160】
(実施例9)
錯体浴組成8の銅めっき液(本めっき液)を第1の実施の形態の第1めっき処理部522aの銅めっき液に使用し、電流密度0.5A/dm2、めっき時間25秒の第1段めっき処理(シード層補強)を行った。しかる後、硫酸銅浴組成2の銅めっき液を第2めっき処理部522bの銅めっき液に使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分の第2段めっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の全ビアホールにボイドは生じていなかった。
【0161】
(比較例1)
硫酸銅浴組成1の銅めっき液を使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分のめっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の全ビアホールに下約半分に下部ボイドが見られた。
(比較例2)
硫酸銅浴組成2の銅めっき液を使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分のめっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の全ビアホールに下約1/2〜2/3に下部ボイドが見られた。
【0162】
(比較例3)
錯体浴組成9の銅めっき液(比較めっき液)を第1の実施の形態の第1めっき処理部522aの銅めっき液に使用し、電流密度0.5A/dm2、めっき時間25秒の第1段めっき処理(シード層補強)を行った。しかる後、硫酸銅浴組成1の銅めっき液を第2めっき処理部522bの銅めっき液に使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分の第2段めっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板中央部のビアホールにボイドは生じていなかったが、基板周辺部のビアホールに下約1/5に下部ボイドが見られた。
【0163】
(比較例4)
錯体浴組成10の銅めっき液(比較めっき液)を第1の実施の形態の第1めっき処理部522aの銅めっき液に使用し、電流密度0.5A/dm2、めっき時間25秒の第1段めっき処理(シード層補強)を行った。しかる後、硫酸銅浴組成2の銅めっき液を第2めっき処理部522bの銅めっき液に使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分の第2段めっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板中央部のビアホールにボイドは生じていなかったが、基板周辺部のビアホールに下約1/4に下部ボイドが見られた。
【0164】
以上説明したように、本発明によれば、銅めっき液中に錯化剤を有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加することで、めっき浴としての分極を大きくして、均一電着特性を向上することができる。これにより、シード層の薄い部分の補強や高アスペクト比のトレンチやホール等の微細窪みの奥までの銅の均一な埋込みが可能となる。しかも析出するめっきは緻密であり、マイクロボイドの危険も回避できる。しかも、添加剤は、その分極特性を利用して電気化学的測定法、具体的には一般的な銅めっき添加剤の濃度測定法であるCVS法などで容易に濃度測定が可能である。更に、有機硫黄化合物添加剤は、めっき液中で極めて安定であることから液管理が容易である。
なお、上記実施形態は本発明の実施例の一態様を述べたもので、本発明の趣旨を逸脱することなく種々の変形実施例が可能なことは勿論である。
【0165】
産業上の利用の可能性
本発明は、半導体基板の表面に形成した配線用の微細窪みにめっきにより銅を埋込んで銅配線を形成するのに使用される銅めっき液、めっき方法及びめっき装置に関する。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明のめっき装置の一例を示す平面図である。
【図2】
図1に示すめっき装置内の気流の流れを示す概要図である。
【図3】
図1に示すめっき装置の各エリア間の空気の流れを示す断面図である。
【図4】
図1に示すめっき装置をクリーンルーム内に配置した一例を示す外観図である。
【図5】
めっき処理部のめっき処理時における全体を示す断面図である。
【図6】
めっき処理部のめっき液の流れの状態を示す概要図である。
【図7】
めっき処理部の非めっき時(基板受渡し時)における全体を示す断面図である。
【図8】
めっき処理部のメンテナンス時における全体を示す断面図である。
【図9】
めっき処理部の基板の受渡し時におけるハウジング、押圧リング及び基板の関係の説明に付する断面図である。
【図10】
図9の一部拡大図である。
【図11】
図11A乃至図11Dは、めっき処理時及び非めっき時におけるめっき液の流れの説明に付する図である。
【図12】
めっき処理部の芯出し機構の拡大断面図である。
【図13】
めっき処理部の給電接点(プローブ)を示す断面図である。
【図14】
本発明の実施の形態のめっき方法における処理の流れを示す図である。
【図15】
2つの異なる分極の銅めっき液における電圧と電流密度の関係を示すグラフである。
【図16】
本発明の他の実施の形態のめっき方法における処理の流れを示す図である。
【図17】
錯体浴7に添加される有機硫黄化合物(III−(4))の量を0ppm、1ppm、5ppm、10ppm、25ppmと変化させた時の電流・電圧曲線を示すグラフである。
【図18】
図18Aは、実施例及び比較例におけるめっきを施すビアホールの形状を、図18Bは、SEM観察における下部ボイドを、図18Cは、SEM観察におけるシームボイドを模式的に示す図である。
【図19】
銅めっき処置によって銅配線を形成する例を工程順に示す図である。
【図20】
従来例におけるシード層の状態と、それに伴って生じるボイドを模式的に示す断面図である。
【図21】
基板めっき装置の他の例を示す平面図である。
【図22】
基板めっき装置の更に他の例を示す平面図である。
【図23】
基板めっき装置の更に他の例を示す平面図である。
【図24】
半導体基板処理装置の構成例を示す平面図である。
【図25】
半導体基板処理装置の他の構成例を示す平面図である。
【図26】
半導体基板処理装置の更に他の構成例を示す平面図である。
【図27】
半導体基板処理装置の更に他の構成例を示す平面図である。
【図28】
半導体基板処理装置の更に他の構成例を示す平面図である。
【図29】
半導体基板処理装置の更に他の構成例を示す平面図である。
【図30】
図29に示す半導体基板処置装置における各工程の流れを示す図である。
【図31】
ベベル・裏面洗浄ユニットを示す概要図である。
【図32】
無電解めっき装置の一例を示す概要図である。
【図33】
無電解めっき装置の他の例を示す概要図である。
【図34】
アニールユニットの一例を示す縦断正面図である。
【図35】
図34の平断面図である。
技術分野
本発明は、銅めっき液、めっき方法及びめっき装置に係り、特に半導体基板の表面に形成した配線用の微細窪みにめっきにより銅を埋込んで銅配線を形成するのに使用される銅めっき液、めっき方法及びめっき装置に関する。
【0002】
背景技術
近年、半導体基板上に配線回路を形成するための金属材料として、アルミニウムまたはアルミニウム合金に代えて、電気抵抗率が低くエレクトロマイグレーション耐性が高い銅(Cu)を用いる動きが顕著になっている。銅配線は、基板の表面に設けた微細凹みの内部に銅を埋込むことによって一般に形成される。この銅配線を形成する方法としては、CVD、スパッタリング及びめっきといった手法が知られている。いずれにしても、基板のほぼ全表面に銅を成膜して、化学的機械的研磨(CMP)により不要の銅を除去するようにしている。
【0003】
図19A乃至図19Cは、この種の銅配線を有する基板Wの製造例を工程順に示す。図19Aに示すように、半導体素子を形成した半導体基材1上の導電層1aの上にSiO2からなる酸化膜2を堆積する。リソグラフィ・エッチング技術により、配線用のコンタクトホール3とトレンチ4を酸化膜2内に形成する。その上にTaN等からなるバリア層5、更にバリア層5の上に電解めっきの給電層としてシード層7を形成する。
【0004】
そして、図19Bに示すように、基板Wの表面に銅めっきを施すことで、半導体基材1のコンタクトホール3及びトレンチ4内に銅を充填するとともに、酸化膜2上に銅膜6を堆積する。その後、化学的機械的研磨(CMP)により、酸化膜2上の銅膜6及びバリア層5を除去して、コンタクトホール3およびトレンチ4に充填させた銅膜6の表面と酸化膜2の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、図19Cに示すように銅膜6からなる配線が形成される。
【0005】
ここに、シード層7は、一般にスパッタリングやCVDによって形成される。銅膜6を形成する電解銅めっきにあっては、めっき液として、その組成に硫酸銅と硫酸を含む硫酸銅めっき液が一般に使用されている。
【0006】
微細配線化が進み、配線用トレンチ或いはプラグの形状が高アスペクト比となるに従って、スパッタリング等で形成されるシード層がトレンチ底部まで均一に届かなくなという問題が生じている。つまり、図20Aに示すように、トレンチ底部の側壁におけるシード層7の膜厚t1が基板表面付近における膜厚t2に比べ1/10またはそれ以下になる可能性がある。このような状態で硫酸銅めっき液を使用した電解銅めっきで銅の埋込みを行うと、シード層7の極端に薄い部分には電流が流れ難くなるために、図20Bに示すように、銅膜6の内部にめっき未析出部(ボイド)8ができる。これを防止するため、シード層7の膜厚を厚くしてトレンチ底部に均一な膜を付けようとすると、トレンチの入口部分に銅が厚くついてしまうために、結果的に入口が先に閉じてボイドができる。
【0007】
一方、硫酸銅等のベースに錯化剤及びpH調整剤を添付して、pHを中性付近に維持するようにした銅めっき液が開発されている。しかし、これらの銅めっき液は、安定性が乏しく液管理も煩雑で実用的でない。
【0008】
発明の開示
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、シード層の薄肉部を補強したり、高アスペクト比の微細窪みの内部に銅を確実に埋込むことができ、しかも非常に安定で長期間の連続使用でも性能が低下することがない銅めっき液、及びこの銅めっき液を使用しためっき方法を提供することを目的とする。本発明のめっき液を使用しためっき方法は、バリア層の上にめっき膜を直接成膜する、いわゆる直接(ダイレクト)めっきに適用できる。
【0009】
上記目的を達成するため、本発明の銅めっき液は、1価または2価の銅イオンと、錯化剤と、銅キレートがキレートを脱ぎすてて基板表面に析出するのを抑制する添加剤とを有することを特徴とする。
本発明のめっき液はまた、1価または2価の銅イオンと錯化剤とを有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加したことを特徴とする。
【0010】
銅めっき液中に錯化剤を有することで、めっき浴としての分極を大きくして均一電着性を向上させることができる。これによって、シード層の薄い部分の補強や高アスペクト比のトレンチやビアホール等の微細窪みの奥までの銅の均一な埋込みが可能となる。しかも析出するめっきは緻密であり、マイクロボイドの危険も回避できる。
【0011】
また、銅めっき液に、添加剤として有機硫黄化合物を添加することで、従来めっき可能な下地導電層(シード層)より薄いもの(例えば、基材表面での膜厚として100nm以下)でもめっきが可能となる。更に、添加剤として有機硫黄化合物を添加した銅めっき液は、いわゆるボトムアップ性に優れており、従来以上に厳しいアスペクト比の微細トレンチやホールの銅めっきによる埋込みが可能となる。これは、銅キレートがキレートを脱ぎすてて基板表面に析出するのを硫黄成分が抑制して、微細なトレンチやホールの奥により多くの銅を析出させることができるためであると考えられる。
【0012】
有機硫黄化合物添加剤は、その分極特性を利用して電気化学的測定法、具体的には一般的な銅めっき添加剤の濃度測定法であるCVS法などで容易に濃度測定が可能である。しかも、有機硫黄化合物添加剤は、めっき液中で極めて安定であることから液管理が容易である。この有機硫黄化合物添加剤の濃度は、一般には0.1〜500mg/l、好ましくは0.5〜100mg/l、さらに好ましくは1〜50mg/l程度である。
【0013】
銅めっき液中に銅めっきイオンの濃度は、0.1〜100g/lが好ましい。銅めっきイオンの濃度が、上記範囲より低いと電流効率が悪くなって銅の析出効率が落ちる。銅めっきイオンの濃度が、上記範囲より高いと電着性が悪くなる。錯化剤の濃度は、0.1〜500g/lが好ましい。濃度が上記範囲より低いと銅の錯体化が完全にされず沈殿物が発生し易くなる。一方、濃度が上記範囲より高いと、いわゆる「ヤケめっき」状態となり外観が悪くなるばかりでなく、排水処理困難となる。また、めっき液は、pH7〜14、好ましくはpH8〜10、さらに好ましくはpH9に維持される。めっき液のpHが低すぎると、錯体が有効に結びつかずに不完全となる。逆に、めっき液のpHが高すぎると、錯体が別の形となって沈殿物ができる。pHを上記の範囲とすることで、このような問題を回避することができる。
【0014】
前記有機硫黄化合物は、有機硫化物化合物または有機ポリ硫化物化合物の内の1種または2種以上であることが好ましい。
【0015】
スルホン基またはホスホン基を有する有機硫黄化合物は、その分子中、特にその芳香族および異節環硫化物−スルホン酸またはホスホン酸上にメチル、ブロモ、クロロ、メトキシ、エトキシ、カルボキシ、ヒドロキシのような各種の置換基が含まれてもよい。これらの化合物は、遊離酸、アルカリ金属塩、有機アミン塩、またはその他の形態で使用される。好適な他の有機2価硫黄化合物中には、HO3P−(CH2)3−S−S−(CH2)3−PO3H、ならびにメルカプタン、チオカルバメート、チオールカルバメート、チオゼンセートおよび少なくともスルホン基またはホスホン基1個を有するチオカルボネートが包含される。また、特に好ましい有機2価硫黄化合物は、一般式
XR1−(S)n−R2−SO3YまたはXR1−(S)n−R2−PO3Y
(式中R1およびR2は同一基または異なる基の場合もある。Xは、水素、SO3HまたはPO3Hであり、nは2−6の整数である。)で示される有機ポリ硫黄化合物である。前記有機硫黄化合物添加剤の濃度は、一般的には1〜100mg/lである。
【0016】
上記式の有機2価硫黄化合物は、少なくとも2個の2価硫黄原子が隣接していて、分子中に1個または2個の末端スルホン酸基またはホスホン酸基を有する脂肪族ポリ硫化物である。分子のアルキレン部分は、メチル、ブロモ、クロロ、メトキシ、エトキシ、カルボキシ、ヒドロキシのおよびその他の基で置換されていてもよい。これらの化合物は遊離酸、アルカリ金属塩、有機アミン塩、またはその他の形態で使用される。
【0017】
めっき液は、添加剤として界面活性剤を更に含んでいてもよい。界面活性剤を更に添加することで、めっき液の濡れ性を改善して、小さな穴でもめっき液が入り易くするとともに、基板表面での銅の析出をより抑制して、微細ホールやトレンチの底部への銅の埋込み性を更に向上させることができる。この界面活性剤としては、例えばポリアルキレングリコールやそのEO(ethylene oxide)、PO(propylene oxide)付加物であるようなポリエーテル水類や第4級アンモニウム塩等からなる化合物が挙げられる。
【0018】
本発明のめっき方法は、シード層で覆われた微細窪みを有する基板にめっきを施して該微細窪みに金属を充填するめっき方法において、1価または2価の銅イオンと錯化剤とを有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加しためっき液に前記基板表面を接触させてめっき処理を行うことを特徴とする。
この方法によれば、シード層に薄肉部がある場合に、この薄肉部を銅めっき処理で補強して完全なものとしたり、高アスペクト比のトレンチやビアホール等であっても、この内部に銅を確実に埋込んだりすることができる。
【0019】
本発明の他のめっき方法は、バリア層で覆われた微細窪みを有する基板にめっきを施して該微細窪みに金属を充填するめっき方法において、1価または2価の銅イオンと錯化剤とを有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加しためっき液に前記基板表面を接触させてめっき処理を行うことを特徴とする特徴とする。
【0020】
本発明の更に他のめっき方法は、シード層で覆われた微細窪みを有する基板にめっきを施して該微細窪みに金属を充填するめっき方法において、1価または2価の銅イオンと錯化剤を有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加した第1めっき液に基板表面を接触させて第1段めっき処理を行い、レベリング性に優れた組成の第2めっき液に基板表面を接触させて第2段めっき処理を行うことを特徴とする。
【0021】
本発明の更に他のめっき方法は、バリア層で覆われた微細窪みを有する基板にめっきを施して該微細窪みに金属を充填するめっき方法において、1価または2価の銅イオンと錯化剤を有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加した第1めっき液に基板表面を接触させて第1段めっき処理を行い、レベリング性に優れた組成の第2めっき液に基板表面を接触させて第2段めっき処理を行うことを特徴とする。
【0022】
本発明のめっき装置は、バリア層及び/またはシード層で覆われた微細窪みを有する基板の表面に第1段めっき処理を行う第1めっき処理部と、1価または2価の銅イオンと錯化剤を有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加した均一電着性に優れた組成の第1めっき液を前記第1めっき処理部のめっき室に供給する第1めっき液供給部と、前記第1めっき処理後の基板の表面に第2段めっき処理を行う第2めっき処理部と、レベリング性に優れた組成の第2めっき液を前記第2めっき処理部のめっき室に供給する第2めっき液供給部と、前記前記第1めっき部と前記第2めっき部との間に基板を搬送する搬送部とを有することを特徴とする。
【0023】
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図1は、本発明の実施の形態のめっき装置の平面図を示す。このめっき装置は、ロード・アンロード部510、各一対の洗浄・乾燥処理部512、第1基板ステージ514、ベベルエッチ・薬液洗浄部516及び第2基板ステージ518、基板を180゜反転させる機能を有する水洗部520及び4基のめっき処理部522を有している。このめっき装置は、更に、ロード・アンロード部510、洗浄・乾燥処理部512及び第1基板ステージ514との間で基板の受渡しを行う第1搬送装置524と、第1基板ステージ514、ベベルエッチ・薬液洗浄部516及び第2基板ステージ518との間で基板の受渡しを行う第2搬送装置526と、第2基板ステージ518、水洗部520及びめっき処理部522との間で基板の受渡しを行う第3搬送装置528が備えられている。
【0024】
めっき装置の内部は、仕切り壁523によってめっき空間530と清浄空間540に仕切られている。これらの各めっき空間530と清浄空間540は、それぞれ独自に給排気できるようになっている。仕切り壁523には、開閉自在なシャッタ(図示せず)が設けられている。清浄空間540の圧力は、大気圧より低く、かつめっき空間530の圧力より高くしてある。これにより、清浄空間540内の空気がめっき装置の外部に流出することがなく、かつめっき空間530内の空気が清浄空間540内に流入することがないようになっている。
【0025】
図2は、めっき装置内の気流の流れの概要を示す。清浄空間540においては、配管543より新鮮な外部空気が取込まれ、この外部空気は、ファンにより高性能フィルタ544を通して清浄空間540内に押込まれる。これにより、ダウンフローのクリーンエアは、天井545aより洗浄・乾燥処理部512及びベベルエッチ・薬液洗浄部516の周囲に供給される。供給されたクリーンエアの大部分は、床545bから循環配管552を通して天井545a側に戻され、再び高性能フィルタ544を通してファンにより清浄空間540内に押込まれて清浄空間540内を循環する。一部の気流は、洗浄・乾燥処理部512及びベベルエッチ・薬液処理部516内から配管546により外部に排気され、これにより、清浄空間540内は、大気圧より低い圧力に設定される。
【0026】
水洗部520及びめっき処理部522が存在するめっき空間530は、清浄空間ではない(汚染ゾーン)。しかし、基板表面にパーティクルが付着することは許されない。このため、配管547から取込まれ高性能フィルタ548を通して天井549a側からファンによりめっき空間530内に押込まれたダウンフローのクリーンエアを流すことにより、基板にパーティクルが付着することを防止している。しかしながら、ダウンフローを形成するクリーンエアの全流量を外部からの給排気に依存すると、膨大な給排気量が必要となる。このため、めっき空間530内を清浄空間540より低い圧力に保つ程度に配管553より外部排気を行い、ダウンフローの大部分の気流を床549bから延びる循環配管550を通した循環気流でまかなうようにしている。
【0027】
これにより、循環配管550から天井549a側に戻ったエアは、再びファンにより高性能フィルタ548を通ってめっき空間530内に押込まれ。これにより、クリーンエアがめっき空間530内に供給され該めっき空間530内を循環する。ここで、水洗部520、めっき処理部522、搬送装置528及びめっき液調整タンク551からの薬液ミストや気体を含むエアは、前記配管553を通して外部に排出される。これにより、めっき空間530内は、清浄空間540より低い圧力に設定される。
【0028】
ロード・アンロード部510内に圧力は、めっき空間530内より高い圧力の清浄空間540内の圧力よりも高い。従って、シャッタ(図示せず)を開放すると、空気は、図3に示すように、ロード・アンロード部510、清浄空間540及びめっき空間530の順に流れる。清浄空間540及びめっき空間530から排出された空気は、ダクト552及び553を通して、クリーンルームから延びる集合排気ダクト554(図4参照)に流入する。
【0029】
図4は、クリーンルーム内に配置された、図1に示すめっき装置の外観図である。ロード・アンロード部510は、カセット受渡し口555と操作パネル556を備えた側壁を有し、この側壁は、クリーンルーム内を仕切壁557で区画されたワーキングゾーン558に露出している。仕切壁557は、クリーンルーム内をめっき装置が設置されるユーティリティゾーン559に区画している。めっき装置の他の側壁は、ワーキングゾーン558内の空気清浄度よりも低い空気清浄度のユーティリティゾーン559に露出している。
【0030】
図5は、めっき処理部522の主要部を示す。めっき処理部522は、略円筒状で内部にめっき液45を収容するめっき処理槽46と、このめっき処理槽46の上方に配置されて基板Wを保持するヘッド部47とから主に構成されている。なお、図5は、ヘッド部47で基板Wを保持してめっき液45の液面を上昇させためっき位置にある時の状態を示している。
【0031】
前記めっき処理槽46には、めっき室49を有するめっき槽50が備えられている。めっき室49は、上方に開放し、底部にアノード48を有しており、内部にめっき液45を保有する。前記めっき槽50の内周壁には、めっき室49の中心に向かって水平に突出するめっき液噴出ノズル53が円周方向に沿って等間隔で配置されている。このめっき液噴出ノズル53は、めっき槽50の内部を上下に延びるめっき液供給路に連通している。
【0032】
めっき液供給路は、めっき液供給パイプ55を介して、図6に示すめっき液調整タンク40に接続されている。背圧を一定に制御する制御弁56が、各めっき液供給パイプ55に設置されている。
【0033】
更に、この例では、めっき室49内のアノード48の上方位置に、例えば3mm程度の多数の穴を設けたパンチプレート220が配置されている。パンチプレート22は、アノード48の表面に形成されたブラックフィルムがめっき液45によって巻き上げられ、流れ出すことを防止する。
【0034】
めっき槽50には、めっき室49内のめっき液45を該めっき室49の底部周縁から引抜く第1めっき液排出口57と、めっき槽50の上端部に設けた堰部材58をオーバーフローしためっき液45を排出する第2めっき液排出口59が設けられている、更に、めっき槽50には、堰部材58をオーバーフローする前のめっき液45を排出する第3めっき液排出口120が設けられている。第2めっき液排出口59と第3めっき液排出口120を流れためっき液は、めっき槽50の底部で合流して、めっき槽50から流出する。第3めっき液排出口120を設ける代わりに、図11A乃至図11Cに示すように、堰部材58の下部に、所定間隔毎に所定幅の開口222を設け、この開口222を通過しためっき液45が、第2めっき液排出口59に排出されるようにしてもよい。
【0035】
これによって、めっき処理時にあって、供給めっき量が大きい時には、めっき液を第3めっき液排出口120から外部に排出するか、または開口22を通過させて第2めっき液排出口59から外部に排出し、同時に、図11Aに示すように、堰部材58をオーバーフローさせて第2めっき液排出口59からも外部に排出する。一方、めっき処理時にあって、供給めっき量が小さい時には、めっき液を第3めっき液排出口120から外部に排出するか、または図11Bに示すように、開口222を通過させて第2めっき液排出口59から外部に排出する。これによって、めっき量の大小に容易に対処できるようになっている。
【0036】
更に、図11Dに示すように、めっき液噴出ノズル53の上方に位置して、めっき室49と第2めっき液排出口59とを連通する液面制御用の貫通孔224が円周方向に沿った所定のピッチで設けられている。これによって、非めっき時に貫通孔224を通過させてめっき液を第2めっき液排出口59から外部に排出することで、めっき液の液面を制御する。この貫通孔224は、めっき処理時にオリフィスの如き役割を果たして、ここから流れ出すめっき液の量が制限される。
【0037】
図6に示すように、第1めっき液排出口57は、めっき液排出管60aを介してリザーバ226に接続され、このめっき液排出管60aの途中に流量調整器61aが介装されている。第2めっき液排出口59と第3めっき液排出口120は、めっき槽50の内部で合流した後、めっき液排出管60bを介して直接リザーバ226に接続されている。
【0038】
このリザーバ226に入っためっき液は、リザーバ226からポンプ228によりめっき液調整タンク40に入る。このめっき液調整タンク40には、温度コントローラ230や、サンプル液を取り出して分析するめっき液分析ユニット232が付設されている。単一のポンプ234の駆動に伴って、めっき液調整タンク40からフィルタ236を通して、めっき液45がめっき液噴出ノズル53に供給される。このめっき液調整タンク40から各めっき処理部22に延びるめっき液供給管55の途中に、二次側の圧力を一定にする制御弁56が備えられている。
【0039】
図5に戻って、めっき室49の内部の周辺近傍に位置して、該めっき室49内のめっき液45の上下に分かれた上方の流れでめっき液面の中央部を上方に押上げ、下方の流れをスムーズにするとともに、電流密度の分布をより均一になるようにした鉛直整流リング62と水平整流リング63が配置されている。水平整流リング63は、その外周端部でめっき槽50に固着され、鉛直整流リング62は、水平調整リング63に連結されている。
【0040】
一方、ヘッド部47には、回転自在な下方に開口した有底円筒状で周壁に開口96を有するハウジング70と、下端に押圧リング240を取付けた上下動自在な押圧ロッド242が備えられている。ハウジング70の下端には、図10に示すように、内方に突出するリング状の基板保持部72が設けられている。この基板保持部72にリング状のシール材244が取付けられている。シール材244は、内方に突出し、上面の先端が上方に尖塔状に突出する形状に形成されている。更に、このシール材244の上方にカソード電極用接点76が配置されている。基板保持部72には、水平方向に外方に延び、更に外方に向けて上方に傾斜して延びる空気抜き穴75が円周方向に沿って等間隔に設けられている。
【0041】
これによって、図8に示すように、めっき室49内のめっき液45の液面を下げた状態で、図9及び図10に示すように、基板Wを吸着ハンドH等で保持してハウジング70の内部に入れて基板保持部72のシール材244の上面に載置する。次に、吸着ハンドHをハウジング70から引抜き、押圧リング240を下降させて、基板Wの周縁部をシール材244と押圧リング240の下面で挟持して基板Wを保持する。この保持に際して、基板Wを保持した時に基板Wの下面とシール材244が圧接して、ここを確実にシールする。同時に、基板Wとカソード電極用接点76とを通電する。
【0042】
図5に戻って、ハウジング70は、モータ246の出力軸248に連結されて、モータ246の駆動によって回転する。押圧ロッド242は、スライダ254の下端にベアリング256を介して回転自在に支承したリング状の支持枠258の円周方向に沿った所定位置に垂設されている。スライダ254は、モータ246を囲繞する支持体250に固着したガイド付きシリンダ252の作動によって上下動する。これによって、押圧ロッド242は、シリンダ252の作動によって上下動し、しかも基板Wを保持した時にハウジング70と一体に回転する。
【0043】
支持体250は、モータ260の駆動に伴って回転するボールねじ261と螺合して上下動するスライドベース262に取付けられている。支持体250は、上部ハウジング264に囲繞され、モータ260の駆動に伴って、上部ハウジング264と共に上下動する。また、めっき槽50の上面には、めっき処理時にハウジング70の周囲を囲繞する下部ハウジング257が取付けられている。
【0044】
これによって、図8に示すように、支持体250と上部ハウジング264とを上昇させた状態で、メンテナンスを行うことができる。また、堰部材58の内周面にはめっき液の結晶が付着し易い。しかし、支持体250と上部ハウジング264とを上昇させた状態で多量のめっき液を流して堰部材58をオーバーフローさせることで、堰部材58の内周面へのめっき液の結晶の付着を防止することができる。めっき槽50には、めっき処理時にオーバーフローするめっき液の上方を覆うめっき液飛散防止カバー50bが一体に設けられている。このめっき液飛散防止カバー50bの下面に、例えばHIREC(NTTアドバンステクノロジ社製)等の超撥水材をコーティングすることで、このカバー50bにめっき液の結晶が付着することを防止することができる。
【0045】
ハウジング70の基板保持部72の上方に位置して、基板Wの芯出しを行う基板芯出し機構270が、この例では円周方向に沿った4カ所に設けられている。図9は、基板芯出し機構270の詳細を示す。基板芯出し機構270は、ハウジング70に固定した門形のブラケット272と、このブラケット272内に配置した位置決めブロック274とを有している。この位置決めブロック274は、その上部において、ブラケット272に水平方向に固定した枢軸276を介して揺動自在に支承されている。更にハウジング70と位置決めブロック274との間に圧縮コイルばね278が介装されている。これによって、位置決めブロック274は、圧縮コイルばね278を介して枢軸276を中心に下部が内方に突出するように付勢されている。位置決めブロック274の上面274aは、ストッパとしての役割を果たすもので、ブラケット272の上部下面272aに当接することで、位置決めブロック274の動きが規制される。更に、位置決めブロック274の内面は、上方に向けて外方に拡がるテーパ面274bとなっている。
【0046】
これによって、例えば搬送ロボット等の吸着ハンドで基板を保持しハウジング70内に搬送して基板保持部72の上に載置する。この場合、基板の中心が基板保持部72の中心からずれていると、圧縮コイルばね278の弾性力に抗して位置決めブロック274が外方に回動し、搬送ロボット等の吸着ハンドによる把持を解くと、圧縮コイルばね278の弾性力で位置決めブロック274が元の位置に復帰する。これによって、基板の芯出しが行われる。
【0047】
図13は、カソード電極用接点76のカソード電極板208に給電する給電接点(プローブ)77を示す。この給電接点77は、プランジャで構成され、カソード電極板208に達する円筒状の保護体280で包囲されて、めっき液から保護されている。
【0048】
次に、このめっき処理部522によるめっき処理について説明する。
先ず、めっき処理部522に基板を受渡す時には、図1に示す第3搬送装置528の吸着ハンドと該ハンドで表面を下に向けて吸着保持した基板Wを、ハウジング70の開口96からこの内部に挿入し、吸着ハンドを下方に移動させる。しかる後、真空吸着を解除して、基板Wをハウジング70の基板保持部72上に載置する。そして、吸着ハンドを上昇させてハウジング70から引抜く。次に、押圧リング240を下降させて、基板Wの周縁部を基板保持部72と押圧リング240の下面で挟持して基板Wを保持する。
【0049】
そして、めっき液噴出ノズル53からめっき液45を噴出させ、同時にハウジング70とそれに保持された基板Wを中速で回転させる。めっき室49内にめっき液45が所定の量まで充たされ、更に数秒経過した時に、ハウジング70の回転速度を低速回転(例えば、100min−1)に低下させる。そして、アノード48を陽極、基板Wの処理面を陰極としてめっき電流を流して電解めっきを行う。
【0050】
通電を終了した後、図11Dに示すように、めっき液噴出ノズル53の上方に位置する液面制御用の貫通孔224のみからめっき液が外部に流出するようにめっき液の供給量を減少させ、これにより、ハウジング70及びそれに保持された基板をめっき液面上に露出させる。このハウジング70とそれに保持された基板Wが液面より上にある位置で、高速(例えば、500〜800min−1)で回転させてめっき液を遠心力により液切りする。液切りが終了した後、ハウジング70が所定の方向に向くようにしてハウジング70の回転を停止させる。
【0051】
ハウジング70が完全に停止した後、押圧リング240を上昇させる。次に、第3搬送装置528の吸着ハンドを、吸着面を下に向けて、ハウジング70の開口96からこの内部に挿入し、吸着ハンドが基板を吸着できる位置にまで吸着ハンドを下降させる。そして、基板を吸着ハンドにより真空吸着し、吸着ハンドをハウジング70の開口96の上部の位置にまで移動させて、ハウジング70の開口94から吸着ハンドとそれに保持した基板を取り出す。
【0052】
このめっき処理部522によれば、ヘッド部47の機構的な簡素化及びコンパクト化を図ることができる。しかも、めっき処理槽46内のめっき液の液面がめっき時液面にある時にめっき処置を、基板受渡し時液面にある時に基板の水切りと受渡しを行うことができる。更に、アノード48の表面に生成されたブラックフィルムの乾燥や酸化を防止することができる。
【0053】
次に、図14を参照して本発明のめっき方法について説明する。この例は、図1に示す4基のめっき処理部522の内の1基を第1段めっき処理用の第1めっき処理部522aとして、他の3基を第2段めっき処理用の第2めっき処理部22bとして使用している。図20Aに示すシード層7の薄肉部を第1めっき処理部522aによる第1段めっき処理で補強して薄肉部のない完全なものとし、この補強したシード層の上に、第2めっき処理部522bによる第2段めっき処理で銅の埋込みを行う。
【0054】
第1めっき処理部522aにあっては、めっき液45(図5参照)として、1価または2価の銅イオンと錯化剤を有し、添加剤として有機硫黄化合物、更には、必要に応じて、界面活性剤類やpH調整剤を添加した、均一電着性に優れためっき液(第1めっき液)を使用している。
この1価または2価の銅イオンは、例えば、硫酸銅、酢酸銅、塩化銅、ピロ隣酸銅、EDTA−銅、硝酸銅、スルファミン酸銅、炭酸銅、酸化銅、シアン化銅などの銅塩から供給される。
【0055】
錯化剤としては、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン、N, N’, N’’, N’’’エチレンジニトロテトラプロパン−2オール、ピロ隣酸、イミノ二酢酸、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ジアミノブタン、ヒドロキシエチルエチレンジアミン、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、エチレンジアミンチェトラメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンテトラメチレンホスホン酸並びにそれらの誘導体、及びそれらの塩類等が挙げられる。
【0056】
銅めっき液に添加剤として添加される有機硫黄化合物には、例えば、下記の第I群の有機硫化物スルホン酸化合物(有機硫化物化合物)(1)〜(24)、下記の第II群の有機硫黄化合物(有機硫化物化合物)(1)〜(9)、または下記の第III群の有機ポリ硫化物化合物(1)〜(7)が含まれる。
これらの化合物は、1種または2種以上が混合されて使用される。
【0057】
第I群
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
(11)
(12)
(13)
(14)
(15)
(16)
(17)
(18)
(19)
(20)
(21)
(22)
(23)
(24)
【0058】
第 II 群
(1)N,N−ジエチルジチオカルバミン酸(ω−スルホプロピル)エステル(ナトリウム塩)
(2)メルカプトベンズチオゾール−S−プロパンスルホン酸ナトリウム
(3)3−メルカプトプロパン−1−スルホン酸ナトリウム
(4)チオリン酸−O−エチル−ビス−(ω−スルホプロピル)エステル(2ナトリウム塩)
(5)チオリン酸−トリス−(ω−スルホプロピル)エステル(3ナトリウム塩)
(6)イソチオシアノプロピルスルホン酸ナトリウム
(7)チオグリコール酸
(8)エチレンジチオジプロピルスルホン酸ナトリウム
(9)チオアセトアミド−S−プロピルスルホン酸ナトリウム
【0059】
第 III 群
(1)CH3−S−S−CH2−SO3H
(2)CH3−S−S−S−(CH2)4−SO3H
(3)HO3S−CH2−S−S−S−S−S−CH2−SO3H
(4)HO3S−(CH2)3−S−S−(CH2)3−SO3H
(5)(CH3)2CHCH2−S−S−CH2CH(CH3)2
(6)(CH3)3C−S−S−C(CH2)2SO3H
(7)HO3S−(CH2)4−S−S−(CH2)4−SO3H
【0060】
界面活性剤類は、濡れ性を改善して、小さな穴でもめっき液が入り易くするとともに、基板表面に銅が析出するのを抑制して埋込み性を更に向上させるために第1めっき液に添加される。この界面活性剤類としては、例えばポリアルキレングリコールやそのEO(ethylene oxide)、PO(propylene oxide)付加物であるようなポリエーテル水類や第4級アンモニウム塩等からなる化合物が挙げられる。
【0061】
また、第1めっき液は、コリン等のpH調整剤を添加することで、pH7〜14、好ましくはpH8〜10、さらに好ましくはpH9に調整される。めっき液のpHが低すぎると、錯体が有効に結びつかずに不完全となる。逆にpHが高すぎると、錯体が別の形となって沈殿物ができる。前述の範囲にpHを調整することで、このような問題を回避することができる。pH調整剤としては、コリン、硫酸、塩酸、リン酸、アンモニア及びTMAH(tetramethyl ammonium hydroxide) 等が挙げられる。
第2めっき処理部522bにあっては、めっき液45(図5参照)として、その組成に硫酸銅と硫酸を含むレベリング性に優れた硫酸銅めっき液(第2めっき液)を使用している。
【0062】
先ず、表面に給電層としてのシード層7(図19A参照)を形成した基板Wをロード・アンロード部510から第1搬送装置524で一枚ずつ取り出し、第1基板ステージ514及び第2基板ステージ518を経由して第1めっき処理部522aに搬入する(ステップ1)。
【0063】
次に、この第1めっき処理部522aで第1めっき液による第1段めっき処理を行って、シード層7の薄肉部を補強しこれを完全なものとする(ステップ2)。この第1めっき処理部522aに使用される第1めっき液は、例えばピロ隣酸銅をベースとして、これにピロ隣酸等の錯化剤が添加されているため、通常の硫酸銅めっき液(第2めっき液)よりも分極が高い。ここで、分極が高いとは、電流密度の変化に対する電圧の変化の比が大きいこと、つまり電位の振れに対して電流密度の変動が少ないことを意味する。例えば、図15に示す陰分極曲線を比較したとき、B浴におけるb/(D2−D1)の方がA浴におけるa/(D2−D1)より大きいため、B浴の方がA浴より分極が高い。これによって、B浴のような、分極の高いめっき液を使用することで、例えシード層7の膜厚に差があり、通電時に電位差が生じても、電流密度の変動を少なくすることができる。このため、析出電位を上昇させ、電着性の均一性を向上させて、通常の硫酸銅めっき液では析出が困難だったシード層の薄い部分にもめっき膜を成膜できる。
【0064】
更に、第1めっき液に、添加剤として、有機硫黄化合物を添加することで、従来めっき可能な下地導電層(シード層)より薄いもの(例えば、基材表面での膜厚として100nm以下)でもめっきが可能となる。しかも、第1めっき液は、有機硫黄化合物を使用することで、いわゆるボトムアップ性に優れており、従来以上に厳しいアスペクト比のトレンチやホールの底部からの銅めっきによる埋込みが可能となる。これは、銅キレートがキレートを脱ぎすてて基板表面に析出するのを硫黄成分が抑制して、微細なトレンチやホールの奥により多くの銅を析出させることができるためであると考えられる。有機硫黄化合物添加剤は、その分極特性を利用して、電気化学的測定法、具体的には一般的な銅めっき添加剤の濃度測定法であるCVS法などで容易に濃度測定が可能である。更に、有機硫黄化合物添加剤は、めっき液中で極めて安定であることから液管理が容易である。この有機硫黄化合物添加剤の濃度は、一般的には0.1〜500mg/l、好ましくは0.5〜100mg/l、より好ましくは1〜50mg/lである。
【0065】
また、第1めっき液に、必要に応じて、添加剤として界面活性剤類を更に添加することで、めっき液の濡れ性を改善して、小さな穴でもめっき液が入り易くするとともに、基板表面での銅の析出をより抑制して銅の埋込み性を更に向上させることができる。
ここで、錯体自体あるいはpH調整剤にアルカリ金属が含まれていないものを使用することで、アルカリ金属が膜中に取り込まれて半導体特性を劣化させることを防止することができる。
【0066】
電源としては、直流、パルス、PRパルス等を使用するができる。これらの内、パルス、PRパルスを使用することが好ましい。このような源源を使用することで、銅イオンの拡散を改善して均一電着性をより向上させ、直流よりも大きな電流を流して析出銅膜を緻密なものにし、更にめっき時間の短縮も可能となる。
【0067】
直流電源の場合、電流密度は、0.01A/dm2〜30A/dm2が適用可能であり、0.1A/dm2〜3A/dm2が好ましい。パルス電源の場合は、0.01A/dm2〜200A/dm2が適用可能である。この範囲の電流密度により、生産性の低下を防止するとともに、ヤケめっきの発生を防止することができる。また、第1めっき液の温度は、10℃〜80℃が適用可能であり、25℃程度が好ましい。
【0068】
そして、第1段めっき処理終了後、必要に応じて、基板Wを水洗部520に搬送して水洗し、しかる後、水洗後の基板Wを第2めっき処理部522bの一つに搬送する(ステップ3)。
【0069】
次に、この第2めっき処理部522bで、基板Wの表面に、硫酸銅の濃度が高く、硫酸濃度が低い、例えば硫酸銅100〜300g/L、硫酸10〜100g/L程度の組成を有し、レベリング性を向上させる添加剤を含有したレベリング性に優れた硫酸銅めっき液(第2めっき液)を使用した第2段めっき処理を施して、銅の埋込みを行う(ステップ4)。第1段めっき処理を施すことで、シード層7(図19A参照)が補強されて薄肉部のない完全なものとなっているため、第2段めっき処理でシード層7に均一に電流が流れて、ボイドのない銅の埋込みが可能となる。
【0070】
ここで、レベリング性とは、表面平坦度に対する性質を意味する。レベリング性に優れためっき液を使用してめっきを行うと、微細窪みの入口での膜成長が遅くなる。これによって、ボイドの発生を防止しつつ、微細窪み内に銅を均一に隙間なく充填し、しかも表面をより平坦にすることができる。
【0071】
第2段めっき処理終了後、必要に応じて、基板Wを水洗部520に搬送して水洗する(ステップ5)。しかる後、基板Wをベベルエッチ・薬液洗浄部516に搬送し、ここで、基板Wを薬液で洗浄するとともに、基板Wのベベル部に薄く形成された銅薄膜等をエッチング除去する(ステップ6)。次に、この基板を、洗浄・乾燥処理部512に搬送し、ここで基板Wの洗浄・乾燥処理を行い(ステップ7)、しかる後、この基板を第1搬送装置524でロード・アンロード部510のカセットに戻す(ステップ8)。
【0072】
ステップ7とステップ8との間に基板Wのアニール処理を行っても良い。200〜500℃の温度、好ましくは400℃程度の温度で基板のアニールを行うことで、基板表面に形成された銅膜の電気特性を向上させることができる。例えば、ベベルエッチ・薬液洗浄部516に洗浄・乾燥機能が補助的に備えられている場合には、洗浄・乾燥処理部512の代わりに、アニール部(アニールユニット)を設置しても良い。
【0073】
図16を参照して、本発明の他のめっき方法について説明する。この例は、図1に示す4基のめっき処理部522を全て銅埋込み用に使用する。この例では、前述のようなシード層の薄肉部の補強を行わない。このめっき処理部522にあっては、その銅めっき液45(図5参照)として、前述の第1めっき液と同様に、1価または2価の銅イオンと錯化剤を有し、添加剤として有機硫黄化合物、更には、必要に応じて、界面活性剤類やpH調整剤を添加した、均一電着性に優れためっき液を使用している。
【0074】
先ず、表面に給電層としてのシード層7(図19A参照)を形成した基板Wをロード・アンロード部510から第1搬送装置524で一枚ずつ取り出し、第1基板ステージ514及び第2基板ステージ518を経由して、一つのめっき処理部522に搬入する(ステップ1)。
【0075】
次に、このめっき処理部522で、前述の第1めっき液を使用しためっき処理を行って、銅の埋込みを行う(ステップ2)。つまり、この銅めっき液は、第1の実施の形態の第1めっき処理部522aに使用された第1めっき液と同様に分極が高い。この高い分極によって、めっき液は、析出電位を上昇させ、電着性の均一性を向上させて、通常の硫酸銅めっき液では析出が困難だったシード層の薄い部分にもめっきを析出させることができる。更に、めっき液は、めっきを成長させてボイドのない銅の埋込みを行うことができる。この時のめっき条件等は、本発明の第1の実施の形態の第1段めっき処理とほぼ同様である。
【0076】
めっき処理終了後、必要に応じて、基板Wを水洗部520に搬送して水洗する(ステップ3)。しかる後、基板Wをベベルエッチ・薬液洗浄部516に搬送し、ここで、基板Wを薬液で洗浄するとともに、基板Wのベベル部に薄く形成された銅薄膜等をエッチング除去する(ステップ4)。そして、基板を洗浄・乾燥処理部512に搬送し、ここで、基板Wの洗浄・乾燥処理を行う(ステップ5)。次に、この基板を第1搬送装置524でロード・アンロード部510のカセットに戻す(ステップ6)。
図14の洗浄・乾燥処理(ステップ5)とアンロード処理(ステップ6)との間にアニール処理を行っても良い。
【0077】
図21は、他の基板めっき装置の平面図である。図21に示す基板めっき装置は、半導体基板を搬入するロード部601、半導体基板に銅めっきを行う銅めっき槽602、半導体基板を水で洗浄する一対の水洗槽603,604、半導体基板に化学機械的研磨を行う化学機械的研磨部605、半導体基板を水で洗浄する一対の水洗槽606,607、半導体基板を乾燥させる乾燥槽608及び配線層形成が終了した半導体基板を搬出するアンロード部609を具備している。基板めっき装置は、これら各槽602,603,604、化学機械的研磨部605、各槽606,607,608、アンロード部609に半導体基板を移送する図示しない基板移送手段が備えられている。ロード部601、各槽602,603,604、化学機械的研磨部605、各槽606,607,608、アンロード部609は1つの装置として構成されている。
【0078】
基板めっき装置の操作は以下の通りである。基板移送手段により、ロード部601に載置された基板カセット601−1から、配線層が形成されていない半導体基板を取り出し、銅めっき槽602に移送する。銅めっき槽602において、配線溝や配線孔(コンタクトホール)からなる配線部を含む半導体基板Wの表面上に銅めっき層を形成する。
【0079】
銅めっき槽602で銅めっき層の形成が終了した半導体基板Wを、基板移送手段で水洗槽603,604の一方に移送し、この水洗槽603,604の一方で水洗を行う。水洗後の半導体基板Wを基板移送手段で化学機械的研磨部605に移送する。この化学機械的研磨部605で、銅めっき層から配線溝や配線孔に形成した銅めっき層を残して、半導体基板Wの表面上の余剰な銅めっき層を除去する。半導体基板Wの表面には、銅めっき層を形成する前に、配線溝や配線孔の内周面を含めて、TiN等からなるバリア層が形成されている。
【0080】
銅めっき層を残した半導体基板Wを、基板移送手段で水洗槽606,607の一方に送り、この水洗槽606,607の一方で水洗する。水洗の終了した半導体基板Wを乾燥槽608で乾燥させ、乾燥の終了した半導体基板Wを配線層の形成の終了した半導体基板として、アンロード部609の基板カセット609−1に格納する。
【0081】
図22は、他の基板めっき装置の平面図である。図22に示す基板めっき装置が図21に示す基板めっき装置と異なる点は、銅めっき槽602、水洗槽603、前処理槽611、半導体基板上の銅めっき膜の表面に保護膜を形成する保護膜めっき槽612、水洗槽613,614、化学機械的研磨部615を追加している。ロード部601、各槽602,602,603,604,614、化学機械的研磨部605,615、各槽606,607,608,610,611,612,613及びアンロード部609は、1つの装置として構成されている。
【0082】
図22に示す基板めっき装置の操作は、以下の通りである。ロード部601に載置された基板カセット601−1に収容された半導体基板Wは、連続的に銅めっき槽602,602のいずれかに供給される。この銅めっき槽602,602のいずれかで、配線溝や配線孔(コンタクトホール)からなる配線部を含む半導体基板Wの表面上に銅めっき層を形成する。2つのめっき槽602,602は、半導体基板Wに長い時間に亘って銅めっきを行うときに使用される。つまり、半導体基板Wには、一方の銅めっき槽602による電解銅めっきによって、初期の銅めっき膜が形成され、しかる後、他の銅めっき槽602により電解めっきによって、2次めっき膜が形成される。基板めっき装置は。2以上の銅めっき槽を備えるようにしてもよい。
【0083】
銅めっき層を形成した半導体基板Wは、水洗槽603,604の一方で水洗される。その後、化学機械的研磨部605で配線溝や配線孔に形成した銅めっき層を残して、半導体基板Wの表面上の不要な銅めっき層の不要な部分を除去する。
【0084】
続いて、銅めっき層を残した半導体基板Wを水洗槽610に移送し、ここで基板を水洗する。続いて、基板を前処理槽611に搬送して、保護めっき膜を形成するための前処理を行う。この前処理の終了した半導体基板Wを保護膜めっき槽612に移送する。保護膜めっき槽612で半導体基板Wの配線部に形成した銅めっき層の上に保護めっき膜を形成する。この保護めっき膜は、例えば無電解めっきによるニッケル(Ni)−ボロン(B)合金で形成される。
【0085】
半導体基板Wを水洗槽613,614の一方で水洗した後、銅めっき層上に形成した保護めっき膜の上部を化学機械的研磨部615で研磨して、保護めっき膜を平坦化する。
保護めっき膜を研磨した後、半導体基板Wを水洗槽606,607の一方で水洗し、乾燥槽608で乾燥させ、アンロード部609の基板カセット609−1に格納する。
【0086】
図23は、他の基板めっき装置の平面図である。図23に示すように、この基板めっき装置は、ロボットアーム616−1を有したロボット616を中央に配置し、ロボット616の周囲のロボットアーム616−1が到達する範囲に、銅めっき槽602,一対の水洗槽603,604、化学機械的研磨部605、前処理槽611、保護膜めっき槽612、乾燥槽608及びロード・アンロード部617を配置している。ロード・アンロード部617に隣接して、半導体基板の搬入を行うロード部601と半導体基板の搬出を行うアンロード部609が配置されている。ロボット616、各槽602,603,604、化学機械的研磨部605、各槽608,611,612、ロード・アンロード部617、ロード部601、アンロード部609は1つの装置として構成されている。
【0087】
図23に示す基板めっき装置の操作は、以下の通りである。
めっきされる半導体基板がロード部601からロード・アンロード部617に移送され、この半導体基板をロボットアーム616−1が受け取り、銅めっき槽602に移送する。このめっき槽602で配線溝や配線孔からなる配線部を含む半導体基板の表面上に銅めっき層を形成する。銅めっき層の形成された半導体基板をロボットアーム616−1により化学機械的研磨部605に移送する。この化学機械的研磨部605で銅めっき層から配線溝や配線孔からなる配線部に形成した銅めっき層を残して半導体基板Wの表面上の銅めっき層を除去する。
【0088】
次に、半導体基板は、ロボットアーム616−1により水洗槽604に移送され、ここで、基板を水洗する。しかる後、半導体基板は、ロボットアーム616−1で前処理槽611に移送され、ここで、保護めっき膜を形成するための半導体基板の前処理が行われる。この前処理の終了した半導体基板は、ロボットアーム616−1により、保護膜めっき槽612に移送される。この保護膜めっき槽612で、半導体基板Wの配線部に形成した銅めっき層の上に保護めっき膜を形成する。保護めっき膜が形成された半導体基板は、ロボットアーム616−1により水洗槽604に移送され、ここで半導体基板の水洗を行う。水洗後の半導体基板は、ロボットアーム616−1で乾燥槽608に移送され、ここで半導体基板を乾燥する。乾燥後の半導体基板は、ロボットアーム616−1でロード・アンロード部617に移送され、更に配線めっきの終了した半導体基板はアンロード部609に移送される。
【0089】
図24は、他の半導体基板処理装置の平面構成を示す図である。この半導体基板処理装置は、ロード・アンロード部701、Cuめっき膜形成ユニット702、第1ロボット703、第3洗浄機704、反転機705、反転機706、第2洗浄機707、第2ロボット708、第1洗浄機709、第1ポリッシング装置710及び第2ポリッシング装置711を配置した構成である。第1ロボット703の近傍には、めっき前後の膜厚を測定するめっき前後膜厚測定器712と、研磨後で乾燥状態の半導体基板Wの膜厚を測定する乾燥状態膜厚測定器713が配置されている。
【0090】
第1ポリッシング装置(研磨ユニット)710は、研磨テーブル710−1、トップリング710−2、トップリングヘッド710−3、膜厚測定器710−4、プッシャー710−5を具備している。第2ポリッシング装置(研磨ユニット)711は、研磨テーブル711−1、トップリング711−2、トップリングヘッド711−3、膜厚測定器711−4、プッシャー711−5を具備している。
【0091】
コンタクトホールと配線用のトレンチが形成され、その上にシード層が形成された半導体基板Wを収容したカセット701−1をロード・アンロード部701のロードポートに載置する。第1ロボット703は、半導体基板Wをカセット701−1から取り出し、Cuめっき膜形成ユニット702に搬入し、Cuめっき膜を形成する。その時、めっき前後膜厚測定器712でシード層の膜厚を測定する。Cuめっき膜の成膜は、まず半導体基板Wの表面の親水処理を行い、その後Cuめっきを行って形成する。Cuめっき膜の形成後、Cuめっき膜形成ユニット702で半導体基板Wのリンス若しくは洗浄を行う。
【0092】
第1ロボット703でCuめっき膜形成ユニット702から半導体基板Wを取り出したとき、めっき前後膜厚測定器712でCuめっき膜の膜厚を測定する。その測定結果は、記録装置(図示せず)に半導体基板の記録データとして記録され、なお且つ、Cuめっき膜形成ユニット702の異常の判定にも使用される。膜厚測定後、第1ロボット703が反転機705に半導体基板Wを渡し、この反転機705で反転させる(Cuめっき膜が形成された面が下になる)。第1ポリッシング装置710、第2ポリッシング装置711による研磨には、シリーズモードとパラレルモードがある。以下、シリーズモードの研磨について説明する。
【0093】
シリーズモード研磨にあっては、1次研磨をポリッシング装置710で行い、2次研磨をポリッシング装置711で行う。第2ロボット708で反転機705上の半導体基板Wを取上げ、ポリッシング装置710のプッシャー710−5上に半導体基板Wを載せる。トップリング710−2は、プッシャー710−5上の該半導体基板Wを吸着し、研磨テーブル710−1の研磨面に半導体基板WのCuめっき膜形成面を当接させ、所定の圧力の下で1次研磨を行う。この1次研磨では、基本的にCuめっき膜が研磨される。研磨テーブル710−1の研磨面は、IC1000のような発泡ポリウレタン、または砥粒を固定若しくは含浸させたもので構成されている。この研磨面と半導体基板Wの相対運動でCuめっき膜が研磨される。
【0094】
Cuめっき膜の研磨終了後、トップリング710−2で半導体基板Wをプッシャー710−5上に戻す。第2ロボット708は、この半導体基板Wを取上げ、第1洗浄機709に入れる。この時、プッシャー710−5上にある半導体基板Wの表面及び裏面に薬液を噴射することで、半導体基板上のパーティクルを除去したり、付き難くしたりすることができる。
【0095】
第1洗浄機709における洗浄終了後、第2ロボット708で半導体基板Wを取上げ、第2ポリッシング装置711のプッシャー711−5上に半導体基板Wを載せる。トップリング711−2でプッシャー711−5上の半導体基板Wを吸着し、該半導体基板Wのバリア層を形成した面を研磨テーブル711−1の研磨面に当接させ、所定の圧力の下で2次研磨を行う。この2次研磨ではバリア層が研磨される。但し、上記1次研磨で残ったCu膜や酸化膜も研磨されるケースもある。
【0096】
研磨テーブル711−1の研磨面は、IC1000のような発泡ポリウレタン、または砥粒を固定若しくは含浸させたもので構成される。この研磨面と半導体基板Wの相対運動で研磨される。このとき、砥粒若しくはスラリーには、シリカ、アルミナ、セリア等が用いられる。薬液は、研磨したい膜種により調整される。
【0097】
2次研磨の終点の検知は、光学式の膜厚測定器を用いてバリア層の膜厚を測定し、膜厚が0になったこと、またはSiO2からなる絶縁膜の現出を検知して行う。また、研磨テーブル711−1の近傍に設けた膜厚測定器711−4として画像処理機能付きの膜厚測定器が用いられる。この測定器で酸化膜の測定を行い、半導体基板Wの加工記録として残したり、2次研磨の終了した半導体基板Wを次の工程に移送できるか否かの判定を行う。2次研磨終点に達していない場合は、再研磨を行う。なんらかの異常で規定値を超えて研磨された場合は、次の研磨を行わないよう半導体基板処理装置を停止させて不良品を増やさないようにする。
【0098】
2次研磨終了後、トップリング711−2で半導体基板Wをプッシャー711−5まで移動させる。プッシャー711−5上の半導体基板Wを第2ロボット708で取上げる。この時、プッシャー711−5上で薬液を半導体基板Wの表面及び裏面に噴射することで、パーティクルを除去したり、付く難くしたりすることができる。
【0099】
第2ロボット708は、半導体基板Wを第2洗浄機707に搬入し、ここで半導体基板Wの洗浄を行う。第2洗浄機707の構成も第1洗浄機709と同じ構成である。半導体基板Wの表面は、主にパーティクル除去のために、純水に界面活性剤、キレート剤、またpH調整剤を加えた洗浄液を用いて、PVAスポンジロールによりスクラブ洗浄される。半導体基板Wの裏面には、ノズルからDHF等の強い薬液を噴出し、拡散しているCuをエッチングする。拡散の問題がなければ、表面と同じ薬液を用いてPVAスポンジロールによるスクラブ洗浄する。
【0100】
上記洗浄の終了後、半導体基板Wを第2ロボット708で取上げ、反転機706に移し、この反転機706で反転させる。この反転させた半導体基板Wを第1ロボット703で取上げ第3洗浄機704に入れる。第3洗浄機704では、半導体基板Wの表面に超音波振動により励起されたメガソニック水を噴射して半導体基板Wを洗浄する。この時、純水に界面活性剤、キレート剤、またpH調整剤を加えた洗浄液を用いて公知のペンシル型スポンジで半導体基板Wの表面を洗浄してもよい。その後、スピン乾燥により、半導体基板Wを乾燥させる。
【0101】
上記のように研磨テーブル711−1の近傍に設けた膜厚測定器711−4で膜厚を測定した場合は、半導体基板Wは、更に処理を施すことなく、そのままロード・アンロード部711のアンロードポートに載置されたカセットに収容される。
【0102】
図25は、他の半導体基板処理装置の平面構成を示す図である。この基板処理装置が図24に示す基板処理装置と異なる点は、図24に示すCuめっき膜形成ユニット702の代わりに蓋めっきユニット750を設けた点である。
Cuめっき膜を形成した半導体基板Wを収容したカセット701−1は、ロード・アンロード部701のロードポートに載置される。カセット701−1から取り出された半導体基板Wは、第1ポリッシング装置710または第2ポリッシング装置711に搬送されて、ここでCuめっき膜の表面が研磨される。Cuめっき膜の研磨終了後、半導体基板Wは、第1洗浄機709で洗浄される。
【0103】
第1洗浄機709で洗浄された半導体基板Wは、蓋めっきユニット750に搬送され、ここでCuめっき膜の表面に蓋めっきが施され、これによって、Cuめっき膜が大気中で酸化することが防止される。蓋めっきを施した半導体基板は、第2ロボット708によって蓋めっきユニット750から第2洗浄機707に搬送され、ここで純水または脱イオン水で洗浄される。洗浄後の半導体基板は、ロード・アンロード部701に載置されたカセット701−1に戻される。
【0104】
図26は、更に他の半導体基板処理装置の平面構成を示す図である。この基板処理装置が図25に示す基板処理装置と異なる点は、図25に示す第3洗浄機709の代わりにアニールユニット751を設けた点である。
前述のようにして、ポリッシング装置710または711で研磨され、第1洗浄機709で洗浄された半導体基板Wは、蓋めっきユニット750に搬送され、ここでCuめっき膜の表面に蓋めっきが施される。この蓋めっきが施された半導体基板は、第2ロボット732によって、蓋めっきユニット750から第1洗浄機707に搬送され、ここで洗浄される。
【0105】
第1洗浄機709で洗浄された半導体基板Wは、アニールユニット751に搬送され、ここでアニールされ、これによって、Cuめっき膜が合金化されてCuめっき膜のエレクトロンマイグレーション耐性が向上する。アニールが施された半導体基板Wは、アニールユニット751から第2洗浄機707に搬送され、ここで純水または脱イオン水で洗浄される。洗浄後の半導体基板Wは、ロード・アンロード部701に載置されたカセット701−1に戻される。
【0106】
図27は、他の基板処理装置の平面配置構成を示す図である。図27において、図24と同一符号を付した部分は、同一または相当部分を示す。この基板処理装置は、第1ポリッシング装置710と第2ポリッシング装置711に接近してプッシャーインデクサー725を配置している。第3洗浄機704とCuめっき膜形成ユニット702の近傍にそれぞれ基板載置台721,722を配置している。第1洗浄機709と第3洗浄機704の近傍にロボット723を配置している。更に、第2洗浄機707とCuめっき膜形成ユニット702の近傍にロボット724を配置し、ロード・アンロード部701と第1ロボット703の近傍に乾燥状態膜厚測定器713を配置している。
【0107】
上記構成の基板処理装置において、第1ロボット703は、ロード・アンロード部701のロードポートに載置されているカセット701−1から半導体基板Wを取り出す。乾燥状態膜厚測定器713でバリア層及びシード層の膜厚を測定した後、第1ロボット703で半導体基板Wを基板載置台721に載せる。乾燥状態膜厚測定器713が第1ロボット703のハンドに設けられている場合は、そこで膜厚を測定し、基板を基板載置台721に載せる。第2ロボット723で基板載置台721上の半導体基板WをCuめっき膜形成ユニット702に移送し、Cuめっき膜を成膜する。Cuめっき膜の成膜後、めっき前後膜厚測定器712でCuめっき膜の膜厚を測定する。その後、第2ロボット723は、半導体基板Wをプッシャーインデクサー725に移送し搭載する。
【0108】
〔シリーズモード〕
シリーズモードでは、トップリングヘッド710−2がプッシャーインデクサー725上の半導体基板Wを吸着し、研磨テーブル710−1に移送し、研磨テーブル710−1上の研磨面に半導体基板Wを押圧して研磨を行う。研磨の終点検知は、上記と同様な方法で行う。研磨終了後の半導体基板Wは、トップリングヘッド710−2でプッシャーインデクサー725に移送され搭載される。第2ロボット723で半導体基板Wを取り出し、第1洗浄機709に搬入して洗浄する。次に、半導体基板をプッシャーインデクサー725に移送し搭載する。
【0109】
トップリングヘッド711−2がプッシャーインデクサー725上の半導体基板Wを吸着し、研磨テーブル711−1に移送し、研磨テーブル711−1の研磨面に半導体基板Wを押圧して研磨を行う。研磨の終点検知は上記と同様な方法で行う、研磨終了後の半導体基板Wは、トップリングヘッド711−2でプッシャーインデクサー725に移送され搭載される。第3ロボット724は、半導体基板Wを取上げ、膜厚測定器726で膜厚を測定する。しかる後、半導体基板Wを第2洗浄機707に搬入して洗浄する。次に、半導体基板Wを第3洗浄機704に搬入し、ここで洗浄した後にスピンドライで乾燥を行う。その後、第3ロボット724で半導体基板Wを取上げ、基板載置台722上に載せる。
【0110】
〔パラレルモード〕
パラレルモードでは、トップリングヘッド710−2または711−2がプッシャーインデクサー725上の半導体基板Wを吸着し、研磨テーブル710−1または711−1に移送し、研磨テーブル710−1または711−1上の研磨面に半導体基板Wを押圧して研磨を行う。膜厚を測定した後、第3ロボット724で半導体基板Wを取上げ、基板載置台722上に載せる。
第1ロボット703は、基板載置台722上の半導体基板Wを乾燥状態膜厚測定器713に移送する。膜厚を測定した後、半導体基板Wをロード・アンロード部701のカセット701−1に戻す。
【0111】
図28は、他の基板処理装置の平面配置構成を示す図である。この基板処理装置は、シード層が形成されていない半導体基板Wに、シード層及びCuめっき膜を形成し、これらの膜を研磨して回路配線を形成する基板処理装置である。
この基板研磨装置では、第1ポリッシング装置710と第2ポリッシング装置711に接近してプッシャーインデクサー725を配置し、第2洗浄機707とシード層成膜ユニット727の近傍にそれぞれ基板載置台721,722を配置し、シード層成膜ユニット727とCuめっき膜形成ユニット702に接近してロボット723を配置している。更に、第1洗浄機709と第2洗浄機707の近傍にロボット724を配置し、ロード・アンロード部701と第1ロボット702の近傍に乾燥膜厚測定器713を配置している。
【0112】
第1ロボット703は、ロード・アンロード部701のロードポートに載置されているカセット701−1から、バリア層が形成されている半導体基板Wを取り出して基板載置台721に載せる。次に、第2ロボット723は、半導体基板Wをシード層成膜ユニット727に搬送し、ここでシード層を形成する。このシード層の成膜は無電解めっきで行う。第2ロボット723は、めっき前後膜厚測定器712でシード層の形成された半導体基板の該シード層の膜厚を測定する。膜厚測定後、半導体基板をCuめっき膜形成ユニット702に搬入し、ここでCuめっき膜を形成する。
【0113】
Cuめっき膜の形成後、その膜厚を測定し、半導体基板をプッシャーインデクサー725に移送する。トップリング710−2または711−2は、プッシャーインデクサー725上の半導体基板Wを吸着し、研磨テーブル710−1または711−1に移送し研磨する。研磨後、トップリング710−2または711−2は、半導体基板Wを膜厚測定器710−4または711−4に移送して膜厚を測定する。そして、トップリング710−2または711−2は、半導体基板Wをプッシャーインデクサー725に移送して載せる。
【0114】
次に、第3ロボット724は、プッシャーインデクサー725から半導体基板Wを取上げ、第1洗浄機709に搬入する。第3ロボット724は、第1洗浄機709から洗浄された半導体基板Wを取上げ、第2洗浄機707に搬入し、洗浄し乾燥した半導体基板を基板載置台722上に載置する。次に、第1ロボット703は、半導体基板Wを取上げ、乾燥状態膜厚測定器713に搬送し、ここで膜厚を測定し、第1ロボット703は、ロード・アンロード部701のアンロードポートに載置されているカセット701−1に収納する。
【0115】
図28に示す基板処理装置においても、回路パターンのコンタクトホールまたはトレンチが形成された半導体基板W上にバリア層、シード層及びCuめっき膜を形成し、これらを研磨して回路配線を形成する。
バリア層形成前の半導体基板Wを収容したカセット701−1を、ロード・アンロード部701のロードポートに載置する。そして、第1ロボット703でロード・アンロード部701のロードポートに載置されているカセット701−1から半導体基板Wを取り出して、基板載置台721に載せる。次に、第2ロボット723は、半導体基板Wをシード層成膜ユニット727に搬送し、ここでバリア層とシード層を成膜する。バリア層とシード層の成膜は無電解めっきで行う。第2ロボット723は、バリア層とシード層を形成した半導体基板Wをめっき前後膜厚測定器712に搬送し、ここでバリア層とシード層の膜厚を測定する。膜厚測定後、半導体基板WをCuめっき膜形成ユニット702に搬入し、Cuめっき膜を形成する。
【0116】
図29は、他の基板処理装置の平面配置構成を示す図である。この基板処理装置は、バリア層成膜ユニット811、シード層成膜ユニット812、めっき膜形成ユニット813、アニールユニット814、第1洗浄ユニット815、ベベル・裏面洗浄ユニット816、蓋めっきユニット817、第2洗浄ユニット818、第1アライナ兼膜厚測定器841、第2アライナ兼膜厚測定器842、第1基板反転機843、第2基板反転機844、基板仮置き台845、第3膜厚測定器846、ロード・アンロード部820、第1ポリッシング装置821、第2ポリッシング装置822、第1ロボット831、第2ロボット832、第3ロボット833、第4ロボット834を配置した構成である。膜厚測定器841,842,846はユニットになっており、他のユニット(めっき、洗浄、アニール等のユニット)の間口寸法と同一サイズにしているため、入れ替え自在である。
この例では、バリア層成膜ユニット811は無電解Ruめっき装置、シード層成膜ユニット812は無電解銅めっき装置、めっき膜形成ユニット813は電解めっき装置を用いることができる。
【0117】
図30は、基板処理装置内での各工程の流れを示すフローチャートである。このフローチャートに従って、装置内での各工程について説明する。まず、第1ロボット831によりロード・アンロードユニット820に載置されたカセット820aから取り出された半導体基板は、第1アライナ兼膜厚測定ユニット841内に被めっき面を上にして配置される。ここで、膜厚計測を行うポジションの基準点を定めるために、膜厚計測用のノッチアライメントを行った後、Cu膜形成前の半導体基板の膜厚データを得る。
【0118】
次に、半導体基板は、第1ロボット831により、バリア層成膜ユニット811へ搬送される。このバリア層成膜ユニット811は、無電解Ruめっきにより半導体基板上にバリア層を形成する装置で、半導体装置の層間絶縁膜(例えば、SiO2)へのCu拡散防止膜としてRuを成膜する。洗浄、乾燥工程を経て払い出された半導体基板は、第1ロボット831により第1アライナ兼膜厚測定ユニット841に搬送され、半導体基板の膜厚、即ちバリア層の膜厚を測定される。
【0119】
膜厚測定された半導体基板は、第2ロボット832でシード層成膜ユニット812へ搬入され、バリア層上に無電解銅めっきによりシード層が成膜される。洗浄、乾燥工程を経て払い出された半導体基板は、第2ロボット832により含浸めっきユニットであるめっきユニット813に搬送される前に、ノッチ位置を定めるために第2アライナ兼膜厚測定器842に搬送され、Cuめっき用のノッチのアライメントを行う。このアライナ兼膜厚測定器842で、必要に応じて、Cu膜形成前の半導体基板の膜厚を再計測してもよい。
【0120】
ノッチアライメントが完了した半導体基板は、第3ロボット833によりめっき膜形成ユニット813へ搬送され、半導体基板にCuめっきが施される。洗浄、乾燥工程を経て払い出された半導体基板は、第3ロボット833により半導体基板端部の不要なCu膜(シード層)を除去するためにベベル・裏面洗浄ユニット816へ搬送される。ベベル・裏面洗浄ユニット816では、予め設定された時間でベベルのエッチングを行うとともに、半導体基板裏面に付着したCuをフッ酸等の薬液により洗浄する。この時、ベベル・裏面洗浄ユニット816へ半導体基板を搬送する前に、第2アライナ兼膜厚測定器842にて半導体基板の膜厚測定を実施して、めっきにより形成された銅膜厚の値を得ておき、その結果により、ベベルのエッチング時間を任意に変えてエッチングを行っても良い。なお、ベベルエッチングによりエッチングされる領域は、基板の周縁部であって回路が形成されない領域、または回路が形成されていても最終的にチップとして利用されない領域である。この領域にはベベル部分が含まれる。
【0121】
ベベル・裏面洗浄ユニット816で洗浄、乾燥工程を経て払い出された半導体基板は、第3ロボット833で基板反転機843に搬送される。基板反転機843で反転され、被めっき面を下方に向けた半導体基板は、第4ロボット834により配線部を安定化させるためにアニールユニット814へ投入される。アニール処理前及び/または処理後、半導体基板を第2アライナ兼膜厚測定ユニット842に搬入し、半導体基板に形成された銅膜の膜厚を計測する。この後、半導体基板は第4ロボット834により第1ポリッシング装置821に搬入され、半導体基板のCu層及びシード層の研磨を行う。
【0122】
この時、砥粒等は所望のものが用いられるが、ディッシングを防ぎ、表面の平面度を出すために、固定砥粒を用いることもできる。一次ポリッシング終了後、半導体基板は、第4ロボット834により第1洗浄ユニット815に搬送され、洗浄される。この洗浄は、半導体基板直径とほぼ同じ長さを有するロールを半導体基板の表面と裏面に配置し、半導体基板及びロールを回転させつつ、純水または脱イオン水を流しながら洗浄するスクラブ洗浄である。
【0123】
一次洗浄終了後、半導体基板は第4ロボット834により第2ポリッシング装置822に搬入され、半導体基板上のバリア層が研磨される。この際、砥粒等は所望のものが用いられるが、ディッシングを防ぎ、表面の平面度を出すために、固定砥粒を用いることもできる。二次ポリッシング終了後、半導体基板は第4ロボット834により、再度第1洗浄ユニット815に搬送され、スクラブ洗浄される。洗浄終了後、半導体基板は、第4ロボット834により第2基板反転機844に搬送され反転されて、被めっき面を上方に向けられ、しかる後、半導体基板は、第3ロボットにより基板仮置き台845に載置される。
【0124】
半導体基板は、第2ロボット832により基板仮置き台845から蓋めっきユニット817に搬送され、大気による銅の酸化防止を目的にCu表面に蓋めっきを行う。蓋めっきが施された半導体基板は、第2ロボット832により蓋めっきユニット817から第3膜厚測定器146に搬入され、銅膜厚が測定される。その後、半導体基板は、第1ロボット831により第2洗浄ユニット818に搬入され、純水または脱イオン水により洗浄される。洗浄が終了した半導体基板は、ロード・アンロード部820に載置されたカセット820a内に戻される。
【0125】
アライナ兼膜厚測定器841及びアライナ兼膜厚測定器842は、基板ノッチ部分の位置決め及び膜厚の測定を行う。
シード層成膜ユニット182を省略することもできる。この場合、めっき膜はめっき膜形成装置817でバリア層の表面に直接形成される。
【0126】
ベベル・裏面洗浄ユニット816は、エッジ(ベベル)Cuエッチングと裏面洗浄が同時に行え、また基板表面の回路形成部の銅の自然酸化膜の成長を抑えることが可能である。図31に、ベベル・裏面洗浄ユニット816の概略図を示す。図31に示すように、ベベル・裏面洗浄ユニット816は、有底円筒状の防水カバー920の内部に位置して基板Wをフェイスアップでその周縁部の円周方向に沿った複数箇所でスピンチャック921により水平に保持して高速回転させる基板保持部922と、基板保持部922で保持された基板Wの表面側のほぼ中央部上方に配置されたセンタノズル924と、基板Wの周縁部の上方に配置されたエッジノズル926とを備えている。センタノズル924及びエッジノズル926は下向きで配置されている。基板Wの裏面側のほぼ中央部の下方に位置して、バックノズル928が上向きで配置されている。エッジノズル926は基板Wの直径方向及び高さ方向を移動自在に構成されている。
【0127】
このエッジノズル926の移動幅Lは、基板の外周端面から中心部方向に任意の位置決めが可能になっていて、基板Wの大きさや使用目的等に合わせて、設定値の入力を行う。通常、エッジカット幅Cは2mmから5mmの範囲で設定される。この場合、裏面から表面への液の回り込み量が問題にならない回転速度以上であれば、その設定されたエッジカット幅C内の銅膜が除去される。
【0128】
次に、この洗浄装置による洗浄方法について説明する。まず、スピンチャック921を介して半導体基板Wを基板保持部922で水平に保持した状態で、半導体基板Wを基板保持部922と一体に水平回転させる。この状態で、センタノズル924から基板Wの表面側の中央部に酸溶液を供給する。この酸溶液としては非酸化性の酸であればよく、例えばフッ酸、塩酸、硫酸、クエン酸、蓚酸等を用いる。一方、エッジノズル926から基板Wの周縁部に酸化剤溶液を連続的または間欠的に供給する。この酸化剤溶液としては、オゾン水、過酸化水素水、硝酸水、次亜塩素酸ナトリウム水等のいずれかを用いるか、またはそれらの組み合わせを用いる。
【0129】
これにより、半導体基板Wの周縁部のエッジ部Cの領域では、上面及び端面に成膜された銅膜等が酸化剤溶液で急速に酸化され、同時にセンタノズル924から供給されて基板の表面全面に拡がる酸溶液によってエッチングされ溶解除去される。このように、基板の周縁部のエッジ部で酸溶液と酸化剤溶液を混合させることで、予めそれらの混合水をノズルから供給するのに比べて急峻なエッチングプロフィールを得ることができる。この時、それらの濃度により銅のエッチングレートが決定される。基板の表面の回路形成部に銅の自然酸化膜が形成されていた場合、この自然酸化物は、基板の回転に伴って基板の表面全面に亘って広がる酸溶液で直ちに除去されて成長することはない。センタノズル924からの酸溶液の供給を停止した後、エッジノズル926からの酸化剤溶液の供給を停止する。これにより、表面に露出しているシリコンを酸化して、銅の付着を抑制することができる。
【0130】
一方、バックノズル928から基板の裏面中央部に酸化剤溶液とシリコン酸化膜エッチング剤とを同時または交互に供給する。これにより、半導体基板Wの裏面側に金属状に付着している銅等を基板のシリコンごと酸化剤溶液で酸化し、シリコン酸化膜エッチング剤でエッチングして基板から除去することができる。酸化剤溶液としては、表面に供給する酸化剤溶液と同じものにする方が薬品の種類を少なくする上で好ましい。シリコン酸化膜エッチング剤としては、フッ酸を用いることができ、基板の表面側の酸溶液もフッ酸を用いると薬品の種類を少なくすることができる。これにより、酸化剤供給を先に停止すれば疎水面が得られ、エッチング剤溶液を先に停止すれば飽水面(親水面)が得られて、その後のプロセスの要求に応じた裏面に調整することができる。
【0131】
このように、酸溶液すなわちエッチング液を基板に供給して、基板Wの表面に残留する金属イオンを除去する。しかる後、純水を供給して、純水置換を行ってエッチング液を除去し、その後、基板のスピン乾燥を行う。このようにして、半導体基板表面の周縁部のエッジカット幅C内の銅膜の除去と裏面の銅汚染除去を同時に行って、この処理を、例えば80秒以内に完了させることができる。エッジのエッジカット幅を任意(2mm〜5mm)に設定することが可能であるが、エッチングに要する時間はカット幅に依存しない。
【0132】
めっき後のCMP工程前に、アニール処理を行うことが、この後のCMP処理や配線の電気特性に対して良い効果を示す。アニールなしでCMP処理後に幅の広い配線(数μm単位)の表面を観察すると、マイクロボイドのような欠陥が多数見られ、配線全体の電気抵抗を増加させた。アニールを行うことでこの電気抵抗の増加は改善された。アニールなしの場合に、細い配線にはボイドが見られなかった。これにより、これらの現象には、粒成長の度合いが関わっていることが考えられる。つまり、細い配線では粒成長が起こりにくいが、幅の広い配線では粒成長に伴い、アニール処理に伴うグレン成長の過程で、めっき膜中のSEM(走査型電子顕微鏡)でも見えないほどの超微細ポアが集結しつつ上へ移動することで、配線上部にマイクロボイド用の凹みが生じたという推測ができる。アニールユニット814のアニール条件としては、水素(2%以下)を添加したガスの雰囲気で、温度を300〜400℃に設定し、アニール時間は1〜5分間である。このような条件の下で、上記の効果が得られた。
【0133】
図34及び図35は、アニールユニット814を示す。このアニールユニット814は、半導体基板Wを出し入れするゲート1000を有するチャンバ1002を備えており、このチャンバ1002の内部に位置して、半導体基板Wを、例えば400℃に加熱するホットプレート1004と、例えば冷却水を流して半導体基板Wを冷却するクールプレート1006が上下に配置されている。アニールユニット1002には、クールプレート1006の内部を貫通して上下方向に延び、上端に半導体基板Wを載置保持する複数の昇降ピン1008が昇降自在に配置されている。アニールユニットは、更に、アニール時に半導体基板Wとホットプレート1004との間に酸化防止用のガスを導入するガス導入管1010と、該ガス導入管1010から導入され、半導体基板Wとホットプレート1004との間を流れたガスを排気するガス排気管1012とを備えている。管1010と1012はホットプレート1004を挟んで互いに対峙する位置に配置されている。
【0134】
ガス導入管1010は、内部にフィルタ1014aを有するN2ガス導入路1016内を流れるN2ガスと、内部にフィルタ1014bを有するH2ガス導入路1018内を流れるH2ガスとを混合器1020で混合し、この混合器1020で混合されたガスが流れる混合ガス導入路1022に接続されている。
【0135】
これにより、ゲート1000を通じてチャンバ1002の内部に搬入された半導体基板Wを昇降ピン1008で保持し、昇降ピン1008を該昇降ピン1008で保持した半導体基板Wとホットプレート1004との距離が、例えば0.1〜1.0mm程度となるまで上昇させる。この状態で、ホットプレート1004を介して、半導体基板Wを、例えば400℃となるように加熱し、同時にガス導入管1010から酸化防止用のガスを導入して半導体基板Wとホットプレート1004との間を流してガス排気管1012から排気し、これによって、酸化を防止しつつ半導体基板Wをアニールする。このアニールを、例えば数十秒〜60秒程度継続して終了する。基板の加熱温度は、100〜600℃が選択される。
【0136】
アニール終了後、昇降ピン1008を該昇降ピン1008に保持された半導体基板Wとクールプレート1006との距離が、例えば0〜0.5mm程度となるまで下降させる。この状態で、クールプレート1006内に冷却水を導入することで、半導体基板Wの温度が100℃以下となるまで、例えば10〜60秒程度、半導体基板を冷却する。冷却終了後の半導体基板を次工程に搬送する。
上記酸化防止用のガスとして、N2ガスと数%のH2ガスを混合した混合ガスを資用意している。しかし、N2ガスを使用してもよい。
アニールユニットを電解めっき装置の内部に配置してもよい。
【0137】
図32は、無電解めっき装置の概略構成図である。図32に示すように、この無電解めっき装置は、めっきされる半導体基板Wを上面に保持する保持手段911と、保持手段911に保持された半導体基板Wの被めっき面(上面)の周縁部に当接して該周縁部をシールする堰部材931と、堰部材931で周縁部をシールされた半導体基板Wの被めっき面にめっき液を供給するシャワーヘッド941を備えている。無電解めっき装置は、さらに、保持手段911の上部外周近傍に設置されて半導体基板Wの被めっき面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段951と、排出された洗浄液等(めっき廃液)を回収する回収容器961と、半導体基板W上に保持されためっき液を吸引して回収するめっき液回収ノズル965と、前記保持手段911を回転駆動するモータMとを備えている。以下、各部材について説明する。
【0138】
保持手段911は、上面に半導体基板Wを載置して保持する基板載置部913を有している。基板載置部913は、半導体基板Wを載置して固定するように構成されている。具体的には、半導体基板Wをその裏面側に真空吸着する図示しない真空吸着機構を有している。基板載置部913の裏面側には、面状であって半導体基板Wの被めっき面を下面側から暖めて保温する裏面ヒータ915が設置されている。この裏面ヒータ915は、例えばラバーヒータによって構成されている。この保持手段911はモータMによって回転駆動されると共に、昇降手段(図示せず)によって上下動できるように構成されている。
【0139】
堰部材931は、筒状であって、その下部に半導体基板Wの外周縁をシールするシール部933を有し、図示の位置から上下動しないように設置されている。
シャワーヘッド941は、先端に多数のノズルを設けることで、供給されためっき液をシャワー状に分散して半導体基板Wの被めっき面に略均一に供給する構造のものである。また洗浄液供給手段951は、ノズル953から洗浄液を噴出する構造である。
めっき液回収ノズル965は、上下動且つ旋回できるように構成されており、めっき液回収ノズル965の先端が半導体基板Wの上面周縁部の堰部材931の内側に下降して半導体基板W上のめっき液を吸引するように構成されている。
【0140】
次に、この無電解めっき装置の動作を説明する。まず図示の状態よりも保持手段911を下降して堰部材931との間に所定寸法の隙間を設け、基板載置部913に半導体基板Wを載置・固定する。半導体基板Wとしては、例えばφ8インチ基板を用いる。
次に、保持手段911を上昇して、図示のように、その上面を堰部材931の下面に当接させ、同時に半導体基板Wの外周を堰部材931のシール部933によってシールする。この時、半導体基板Wの表面は、開放された状態となっている。
【0141】
次に、裏面ヒータ915によって半導体基板W自体を直接加熱して、例えば半導体基板Wの温度を70℃にする(めっき終了まで維持する)。次に、シャワーヘッド941から、例えば50℃に加熱されためっき液を噴出して半導体基板Wの表面の略全体にめっき液を降り注ぐ。半導体基板Wの表面は堰部材931によって囲まれているので、注入されためっき液は全て半導体基板Wの表面に保持される。供給するめっき液の量は、半導体基板Wの表面に1mm厚(約30ml)となる程度の少量で良い。被めっき面上に保持するめっき液の深さは10mm以下であれば良く、この例のように1mmでも良い。この例のように供給するめっき液が少量で済めば、これを加熱する加熱装置も小型のもので良くなる。この例においては、半導体基板Wの温度を70℃に、めっき液の温度を50℃に加熱している。これにより、半導体基板Wの被めっき面は、例えば60℃になり、この例におけるめっき反応に最適な温度にできる。
【0142】
そして、モータMによって半導体基板Wを瞬時回転させて被めっき面の均一な液濡れを行い、その後、半導体基板Wを静止した状態で被めっき面のめっきを行う。具体的には、半導体基板Wを1秒だけ100rpm以下で回転して半導体基板Wの被めっき面上をめっき液で均一に濡らす。その後、半導体基板Wを静止させて、1分間、無電解めっきを行わせる。なお瞬時回転時間は、長くても10秒以下とする。
【0143】
めっき処理が完了した後、めっき液回収ノズル965の先端を半導体基板Wの表面周縁部の堰部材931の内側近傍に下降し、めっき液を吸い込む。この時、半導体基板Wを、例えば100rpm以下の回転速度で回転させれば、半導体基板W上に残っためっき液を遠心力で半導体基板Wの周縁部の堰部材931の部分に集めることができ、効率良く、且つ高い回収率でめっき液の回収ができる。そして、保持手段911を下降させて半導体基板Wを堰部材931から離す。半導体基板Wの回転を開始して洗浄液供給手段951のノズル953から洗浄液(超純水)を半導体基板Wの被めっき面に噴射して被めっき面を冷却すると同時に希釈化・洗浄することで無電解めっき反応を停止させる。この時、ノズル953から噴射される洗浄液を堰部材931にも当ることで堰部材931の洗浄を同時に行っても良い。この時のめっき廃液は、回収容器961に回収され、廃棄される。
【0144】
そしてモータMによって半導体基板Wを高速回転してスピン乾燥した後、半導体基板Wを保持手段911から取り出す。
【0145】
図33は、他の無電解めっき装置の概略構成図である。図33に示す無電解めっき装置が図32の無電解めっき装置と相違する点は、保持手段911内に裏面ヒータ915を設ける代わりに、保持手段911の上方にランプヒータ917を設置し、このランプヒータ917とシャワーヘッド941−2とを一体化した点である。例えば、複数の半径の異なるリング状のランプヒータ917を同心円状に設置し、ランプヒータ917の間の隙間からシャワーヘッド941−2の多数のノズル943−2をリング状に開口させている。ランプヒータ917としては、渦巻状の一本のランプヒータで構成しても良いし、それ以外の各種構造・配置のランプヒータで構成しても良い。
【0146】
このように構成しても、めっき液は各ノズル943−2から半導体基板Wの被めっき面上にシャワー状に略均等に供給できる。またランプヒータ917によって、半導体基板Wの加熱・保温も直接均一に行える。ランプヒータ917は、半導体基板Wとめっき液だけでなく、その周囲の空気をも加熱するので、半導体基板Wの保温効果もある。
【0147】
ランプヒータ917によって半導体基板Wを直接加熱するには、比較的大きい消費電力のランプヒータ917が必要になる。その代わりに比較的小さい消費電力のランプヒータ917と図31に示す裏面ヒータ915とを併用して、半導体基板Wは主として裏面ヒータ915によって加熱し、めっき液と周囲の空気の保温は主としてランプヒータ917によって行うようにしても良い。また前述の例と同様に、半導体基板Wを直接、または間接的に冷却する手段を設けて、温度制御を行っても良い。
前述の蓋めっきは、好ましくは無電解めっき処理によって行われるが、電解めっき処理で行うようにしても良い。
【0148】
次に、本発明の実施例を説明する。
先ず、表1に示す錯体浴組成1〜8からなる銅めっき液(本めっき液)及び錯体浴組成9,10からなる銅めっき液(比較めっき液)と、表2に示す硫酸銅浴組成1,2からなる銅めっき液を作成した。図17は、錯体浴7に添加される有機硫黄化合物(III−(4))の量を0ppm、1ppm、5ppm、10ppm、25ppmと変化させた時の電流・電圧曲線を示す。図17から判るように、有機硫黄化合物を添加することでカソード分極が高くなり、しかもこの量を増加することで、カソード分極がより高くなることが判る。
【0149】
表1において、有機硫黄化合物I−(10)は、有機硫黄化合物として前記第I群の(10)を、II−(2)は、同じく前記第II群の(2)を、III−(4)は、同じく前記第III群の(4)をそれぞれ使用したことを示している。なお、以下の各実施例及び各比較例では、図18Aに示すように、直径0.2μmで、アスペスト比A/R=5(深さ1μm)のビアホールにめっきを施して銅を埋込んだ例を示している。そして、ビアホールに埋込んだ銅の欠陥の有無をSEM(scanning electron microscope)観察した。ここで、下部ボイドありとは、図18Bに示すように、溝の底部に銅が析出しない空洞部V1を有する状態を指し、シームボイド有りとは、図18Cに示すように、銅の内部に細長いボイドV2を有する状態を指す。
【0150】
【表1】
【0151】
【表2】
【0152】
(実施例1)
錯体浴組成1の銅めっき液(本めっき液)を第1の実施の形態の第1めっき処理部522aの銅めっき液に使用し、電流密度0.5A/dm2、めっき時間25秒の第1段めっき処理(シード層補強)を行った。しかる後、硫酸銅浴組成1の銅めっき液を第2めっき処理部522bの銅めっき液に使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分の第2段めっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板全表面の全てのビアホールにボイドは生じていなかった。
【0153】
(実施例2)
錯体浴組成2の銅めっき液(本めっき液)を第2の実施の形態のめっき処理部522の銅めっき液に使用し、電流密度1A/dm2、めっき時間5分のめっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の周辺部のビアホールに僅かにシームボイドが見られた。
【0154】
(実施例3)
錯体浴組成3の銅めっき液(本めっき液)を第1の実施の形態の第1めっき処理部522aの銅めっき液に使用し、電流密度0.5A/dm2、めっき時間25秒の第1段めっき処理(シード層補強)を行った。しかる後、硫酸銅浴組成2の銅めっき液を第2めっき処理部522bの銅めっき液に使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分の第2段めっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の全ビアホールにボイドは生じていなかった。
【0155】
(実施例4)
錯体浴組成4の銅めっき液(本めっき液)を第2の実施の形態のめっき処理部522の銅めっき液に使用し、電流密度1A/dm2、めっき時間5分のめっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の全ビアホールにボイドは生じていなかった。
【0156】
(実施例5)
錯体浴組成5の銅めっき液(本めっき液)を第1の実施の形態の第1めっき処理部522aの銅めっき液に使用し、電流密度0.5A/dm2、めっき時間25秒の第1段めっき処理(シード層補強)を行った。しかる後、硫酸銅浴組成1の銅めっき液を第2めっき処理部522bの銅めっき液に使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分の第2段めっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の全ビアホールにボイドは生じていなかった。
【0157】
(実施例6)
錯体浴組成6の銅めっき液(本めっき液)を第2の実施の形態のめっき処理部522の銅めっき液に使用し、電流密度1A/dm2、めっき時間5分のめっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の周辺部のビアホールに僅かにシームボイドが見られた。
【0158】
(実施例7)
錯体浴組成7の銅めっき液(本めっき液)を第1の実施の形態の第1めっき処理部522aの銅めっき液に使用し、電流密度0.5A/dm2、めっき時間25秒の第1段めっき処理(シード層補強)を行った。しかる後、硫酸銅浴組成2の銅めっき液を第2めっき処理部522bの銅めっき液に使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分の第2段めっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の全ビアホールにボイドは生じていなかった。
【0159】
(実施例8)
錯体浴組成7の銅めっき液(本めっき液)を第2の実施の形態のめっき処理部522の銅めっき液に使用し、電流密度1A/dm2、めっき時間5分のめっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の全ビアホールにボイドは生じていなかった。
【0160】
(実施例9)
錯体浴組成8の銅めっき液(本めっき液)を第1の実施の形態の第1めっき処理部522aの銅めっき液に使用し、電流密度0.5A/dm2、めっき時間25秒の第1段めっき処理(シード層補強)を行った。しかる後、硫酸銅浴組成2の銅めっき液を第2めっき処理部522bの銅めっき液に使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分の第2段めっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の全ビアホールにボイドは生じていなかった。
【0161】
(比較例1)
硫酸銅浴組成1の銅めっき液を使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分のめっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の全ビアホールに下約半分に下部ボイドが見られた。
(比較例2)
硫酸銅浴組成2の銅めっき液を使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分のめっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板の全ビアホールに下約1/2〜2/3に下部ボイドが見られた。
【0162】
(比較例3)
錯体浴組成9の銅めっき液(比較めっき液)を第1の実施の形態の第1めっき処理部522aの銅めっき液に使用し、電流密度0.5A/dm2、めっき時間25秒の第1段めっき処理(シード層補強)を行った。しかる後、硫酸銅浴組成1の銅めっき液を第2めっき処理部522bの銅めっき液に使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分の第2段めっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板中央部のビアホールにボイドは生じていなかったが、基板周辺部のビアホールに下約1/5に下部ボイドが見られた。
【0163】
(比較例4)
錯体浴組成10の銅めっき液(比較めっき液)を第1の実施の形態の第1めっき処理部522aの銅めっき液に使用し、電流密度0.5A/dm2、めっき時間25秒の第1段めっき処理(シード層補強)を行った。しかる後、硫酸銅浴組成2の銅めっき液を第2めっき処理部522bの銅めっき液に使用し、電流密度2.5A/dm2、めっき時間2分の第2段めっき処理(銅の埋込み)を行った。
SEM観察の結果、基板中央部のビアホールにボイドは生じていなかったが、基板周辺部のビアホールに下約1/4に下部ボイドが見られた。
【0164】
以上説明したように、本発明によれば、銅めっき液中に錯化剤を有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加することで、めっき浴としての分極を大きくして、均一電着特性を向上することができる。これにより、シード層の薄い部分の補強や高アスペクト比のトレンチやホール等の微細窪みの奥までの銅の均一な埋込みが可能となる。しかも析出するめっきは緻密であり、マイクロボイドの危険も回避できる。しかも、添加剤は、その分極特性を利用して電気化学的測定法、具体的には一般的な銅めっき添加剤の濃度測定法であるCVS法などで容易に濃度測定が可能である。更に、有機硫黄化合物添加剤は、めっき液中で極めて安定であることから液管理が容易である。
なお、上記実施形態は本発明の実施例の一態様を述べたもので、本発明の趣旨を逸脱することなく種々の変形実施例が可能なことは勿論である。
【0165】
産業上の利用の可能性
本発明は、半導体基板の表面に形成した配線用の微細窪みにめっきにより銅を埋込んで銅配線を形成するのに使用される銅めっき液、めっき方法及びめっき装置に関する。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明のめっき装置の一例を示す平面図である。
【図2】
図1に示すめっき装置内の気流の流れを示す概要図である。
【図3】
図1に示すめっき装置の各エリア間の空気の流れを示す断面図である。
【図4】
図1に示すめっき装置をクリーンルーム内に配置した一例を示す外観図である。
【図5】
めっき処理部のめっき処理時における全体を示す断面図である。
【図6】
めっき処理部のめっき液の流れの状態を示す概要図である。
【図7】
めっき処理部の非めっき時(基板受渡し時)における全体を示す断面図である。
【図8】
めっき処理部のメンテナンス時における全体を示す断面図である。
【図9】
めっき処理部の基板の受渡し時におけるハウジング、押圧リング及び基板の関係の説明に付する断面図である。
【図10】
図9の一部拡大図である。
【図11】
図11A乃至図11Dは、めっき処理時及び非めっき時におけるめっき液の流れの説明に付する図である。
【図12】
めっき処理部の芯出し機構の拡大断面図である。
【図13】
めっき処理部の給電接点(プローブ)を示す断面図である。
【図14】
本発明の実施の形態のめっき方法における処理の流れを示す図である。
【図15】
2つの異なる分極の銅めっき液における電圧と電流密度の関係を示すグラフである。
【図16】
本発明の他の実施の形態のめっき方法における処理の流れを示す図である。
【図17】
錯体浴7に添加される有機硫黄化合物(III−(4))の量を0ppm、1ppm、5ppm、10ppm、25ppmと変化させた時の電流・電圧曲線を示すグラフである。
【図18】
図18Aは、実施例及び比較例におけるめっきを施すビアホールの形状を、図18Bは、SEM観察における下部ボイドを、図18Cは、SEM観察におけるシームボイドを模式的に示す図である。
【図19】
銅めっき処置によって銅配線を形成する例を工程順に示す図である。
【図20】
従来例におけるシード層の状態と、それに伴って生じるボイドを模式的に示す断面図である。
【図21】
基板めっき装置の他の例を示す平面図である。
【図22】
基板めっき装置の更に他の例を示す平面図である。
【図23】
基板めっき装置の更に他の例を示す平面図である。
【図24】
半導体基板処理装置の構成例を示す平面図である。
【図25】
半導体基板処理装置の他の構成例を示す平面図である。
【図26】
半導体基板処理装置の更に他の構成例を示す平面図である。
【図27】
半導体基板処理装置の更に他の構成例を示す平面図である。
【図28】
半導体基板処理装置の更に他の構成例を示す平面図である。
【図29】
半導体基板処理装置の更に他の構成例を示す平面図である。
【図30】
図29に示す半導体基板処置装置における各工程の流れを示す図である。
【図31】
ベベル・裏面洗浄ユニットを示す概要図である。
【図32】
無電解めっき装置の一例を示す概要図である。
【図33】
無電解めっき装置の他の例を示す概要図である。
【図34】
アニールユニットの一例を示す縦断正面図である。
【図35】
図34の平断面図である。
Claims (27)
- 1価または2価の銅イオンと、錯化剤と、銅キレートがキレートを脱ぎすてて基板表面に析出するのを抑制する添加剤とを有することを特徴とする銅めっき液。
- 前記銅イオンの濃度は、0.1〜100g/l、前記錯化剤の濃度は、0.1〜500g/l、前記添加剤の濃度は、0.1〜500mg/lで、液のpHは、7〜14であることを特徴とする請求項1記載の銅めっき液。
- 添加剤として界面活性剤を更に添加したことを特徴とする請求項1記載の銅めっき液。
- 1価または2価の銅イオンと、錯化剤と、添加剤として有機硫黄化合物とを有することを特徴とする銅めっき液。
- 前記銅イオンの濃度は、0.1〜100g/l、前記錯化剤の濃度は、0.1〜500g/l、前記添加剤の濃度は、0.1〜500mg/lで、液のpHは、7〜14であることを特徴とする請求項4記載の銅めっき液。
- 添加剤として界面活性剤を更に添加したことを特徴とする請求項4記載の銅めっき液。
- 前記有機硫黄化合物は、有機硫化物化合物または有機ポリ硫化物化合物の内の1種または2種以上であることを特徴とする請求項4記載の銅めっき液。
- シード層で覆われた微細窪みを有する基板にめっきを施して該微細窪みに金属を充填するめっき方法において、
1価または2価の銅イオンと錯化剤とを有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加しためっき液に前記基板表面を接触させてめっき処理を行うことを特徴とする特徴とするめっき方法。 - 前記めっき液は、濃度が0.1〜100g/lの銅イオンと、濃度が0.1〜500g/lの錯化剤と、濃度が0.1〜500mg/lの添加剤とを有し、液のpHが7〜14であることを特徴とする請求項8記載のめっき方法。
- 前記めっき液には、添加剤として界面活性剤が更に添加されていることを特徴とする請求項8記載のめっき方法。
- 前記有機硫黄化合物は、有機硫化物化合物または有機ポリ硫化物化合物の内の1種または2種以上であることを特徴とする請求項8記載のめっき方法。
- バリア層で覆われた微細窪みを有する基板にめっきを施して該微細窪みに金属を充填するめっき方法において、
1価または2価の銅イオンと錯化剤とを有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加しためっき液に前記基板表面を接触させてめっき処理を行うことを特徴とする特徴とするめっき方法。 - 前記めっき液は、濃度が0.1〜100g/lの銅イオンと、濃度が0.1〜500g/lの錯化剤と、濃度が0.1〜500mg/lの添加剤とを有し、液のpHが7〜14であることを特徴とする請求項12記載のめっき方法。
- 前記めっき液には、添加剤として界面活性剤が更に添加されていることを特徴とする請求項12記載のめっき方法。
- 前記有機硫黄化合物は、有機硫化物化合物または有機ポリ硫化物化合物の内の1種または2種以上であることを特徴とする請求項12記載のめっき方法。
- シード層で覆われた微細窪みを有する基板にめっきを施して該微細窪みに金属を充填するめっき方法において、
1価または2価の銅イオンと錯化剤を有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加した第1めっき液に基板表面を接触させて第1段めっき処理を行い、
レベリング性に優れた組成の第2めっき液に基板表面を接触させて第2段めっき処理を行うことを特徴とするめっき方法。 - 前記第1めっき液は、濃度が0.1〜100g/lの銅イオンと、濃度が0.1〜500g/lの錯化剤と、濃度が0.1〜500mg/lの添加剤とを有し、液のpHが7〜14であることを特徴とする請求項16記載のめっき方法。
- 前記第1めっき液には、添加剤として界面活性剤が更に添加されていることを特徴とする請求項16記載のめっき方法。
- 前記第1めっき液中の前記有機硫黄化合物は、有機硫化物化合物または有機ポリ硫化物化合物の内の1種または2種以上であることを特徴とする請求項16記載のめっき方法。
- バリア層で覆われた微細窪みを有する基板にめっきを施して該微細窪みに金属を充填するめっき方法において、
1価または2価の銅イオンと錯化剤を有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加した第1めっき液に基板表面を接触させて第1段めっき処理を行い、
レベリング性に優れた組成の第2めっき液に基板表面を接触させて第2段めっき処理を行うことを特徴とするめっき方法。 - 前記第1めっき液は、濃度が0.1〜100g/lの銅イオンと、濃度が0.1〜500g/lの錯化剤と、濃度が0.1〜500mg/lの添加剤とを有し、液のpHが7〜14であることを特徴とする請求項20記載のめっき方法。
- 前記第1めっき液には、添加剤として界面活性剤が更に添加されていることを特徴とする請求項20記載のめっき方法。
- 前記第1めっき液中の前記有機硫黄化合物は、有機硫化物化合物または有機ポリ硫化物化合物の内の1種または2種以上であることを特徴とする請求項20記載のめっき方法。
- バリア層及び/またはシード層で覆われた微細窪みを有する基板の表面に第1段めっき処理を行う第1めっき処理部と、
1価または2価の銅イオンと錯化剤を有し、添加剤として有機硫黄化合物を添加した均一電着性に優れた組成の第1めっき液を前記第1めっき処理部のめっき室に供給する第1めっき液供給部と、
前記第1めっき処理後の基板の表面に第2段めっき処理を行う第2めっき処理部と、
レベリング性に優れた組成の第2めっき液を前記第2めっき処理部のめっき室に供給する第2めっき液供給部と、
前記前記第1めっき部と前記第2めっき部との間に基板を搬送する搬送部とを有することを特徴とするめっき装置。 - 前記第1めっき液は、濃度が0.1〜100g/lの銅イオンと、濃度が0.1〜500g/lの錯化剤と、濃度が0.1〜500mg/lの添加剤とを有し、液のpHが7〜14であることを特徴とする請求項24記載のめっき装置。
- 前記第1めっき液には、添加剤として界面活性剤が更に添加されていることを特徴とする請求項24記載のめっき装置。
- 前記第1めっき液中の前記有機硫黄化合物は、有機硫化物化合物または有機ポリ硫化物化合物の内の1種または2種以上であることを特徴とする請求項24記載のめっき装置。
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