JP2004508704A - 銀ニオブタンタル酸塩の誘電性セラミック層を備えたキャパシタ - Google Patents

Abstract

本発明は、２つ又はそれ以上のペアの相互に向かい合う電極層（１）及びその間にある誘電体層（２）を備え、前記の誘電体層（２）はセラミック材料を有するキャパシタにおいて、前記のセラミック材料は少なくとも２つの異なるそれぞれ相互に別個の相の形で存在する成分を含有し、これらの成分はそれぞれＡサイトに銀を有しかつＢサイトにニオブ及びタンタルを有するペロブスカイト構造を示し、成分Ａの組成及び成分Ｂの組成は、その誘電率の温度係数ＴＫε_Ａ及びＴＫε_Ｂが温度区間において相互に異なる符号を有するように選択されている、キャパシタに関する。これらの成分の適当な混合比は、たとえば成分Ａのグリーンシート及び成分Ｂのグリーンシートをそれぞれ適当な数で相互に積み重ねて積層することにより実現できる。

Description

【０００１】
本発明は、２又はそれ以上のペアの相互に向かい合う電極層及びそれぞれその間に存在する誘電体層を備え、前記誘電体層がセラミック材料を有するキャパシタに関する。
【０００２】
文献Ｍ． Ｖａｌａｎｔ， Ｄ． Ｓｕｖｏｒｏｖ著”Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｃｅｒａｍｉｃｓ ｗｉｔｈ Ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ ｏｖｅｒ ４００”， Ｔｈｅ ９ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｉｔｙ， Ｓｅｏｕｌ， Ｓｏｕｔｈ Ｋｏｒｅａ， １９９７， Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｂｏｏｋ， Ｐ−０５−ＴＨ−０６７から多層キャパシタは公知であり、この誘電体層は、一般式Ａ（Ｂ_{１ − ｘ}Ｎｂ_ｘ）Ｏ_３で示されるニオブベースのペロブスカイト状の「固溶体」に基づくセラミックを有する。このようなセラミックスはε＞４００の高い誘電率を特徴とすることが見出された。さらに、このセラミック材料は１００ｋＨｚ〜１ＭＨｚの低い周波数でも適当な誘電特性を示すため、多層キャパシタに使用するのが適している。
【０００３】
文献Ａ． Ｋａｎｉａ著， Ａｇ（Ｎｂ_{１ − ｘ}Ｔａ_ｘ）Ｏ_３ Ｓｏｌｉｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ − Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ａｎｄ Ｐｈａｓｅ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｓ， Ｐｈａｓｅ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｓ， １９８３， Ｖｏｌｕｍｅ ３， ｐｐ． １３１ − １４０から、銀、ニオブ及びタンタルをベースとして製造（以後ＡＮＴと記載する）されており、かつ２種の材料ＡｇＮｂＯ_３及びＡｇＴａＯ_３の「固溶体」の形で存在するセラミック材料は公知である。この文献に記載されたセラミックスは、組成Ａｇ（Ｎｂ_{１ − ｘ}Ｔａ_ｘ）Ｏ_３で表され（以後ＡＮＴｘと記載する）、その際、ｘは０〜０．７の間で可変である。組成に応じて、このセラミックは約３００Ｋの温度で８０〜４００の間のεを示す。
【０００４】
文献Ｍａｔｊａｚ Ｖａｌａｎｔ， Ｄａｎｉｌｏ Ｓｕｖｏｒｏｖ著， Ｎｅｗ Ｈｉｇｈ− Ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ Ａｇ（Ｎｂ_{１ − ｘ}Ｔａ_ｘ）Ｏ_３ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｃｅｒａｍｉｃｓ； Ｐａｒｔ ２， Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ， Ｊ． Ａｍ． Ｃｅｒａｍ． Ｓｏｃ． ８２ ［１］， ｐｐ． ８８−９３ （１９９９）から、ｘのパラメータが０．４６〜０．５４であるＡＮＴｘからなる円盤状のセラミック体が、−２０℃〜１２０℃の温度区間で誘電率εの著しい相対的変化を示すことは公知である。この場合、温度によるεの相対的変化の推移は、２０℃〜７０℃の間で最大値を示し、−０．０７〜０．０１の間の値をとる曲線を描くことが特に示された。
【０００５】
さらに、文献ＷＯ９８／０３４４６からは、ＡＮＴをリチウム、タングステン、マンガン又はビスマスでドープすることにより、誘電率の温度係数ＴＫεを個々の温度で＋／−７０ｐｐｍ／Ｋまでの極めて小さな値に減少できることは公知である。
【０００６】
この公知のＡＮＴ材料は、高いεを有するが、しかしながら、ＫＴεは使用のために重要な−２０℃〜８０℃の温度領域において比較的高い値を示すという欠点を有する。誘電率εの高い温度係数により同時にキャパシタの容量の高い温度係数が生じる。
【０００７】
従って、本発明の課題は、誘電体が誘電率の低い温度係数を有するキャパシタを提供することであった。
【０００８】
前記の課題は、本発明の場合に、請求項１記載のキャパシタにより達成される。本発明の他の実施態様は、２項以降の請求項に記載されている。
【０００９】
本発明は、２つ又はそれ以上のペアの相互に向かい合う電極層を有し、その電極層の間にそれぞれ誘電体層が配置されているキャパシタに関する。この場合に、セラミック材料の誘電層は少なくとも２つの異なる成分を含有し、これらの成分はそれぞれ相互に別個の相の形で存在する。成分のそれぞれは、この場合に、Ａサイトに銀を含有し、Ｂサイトにニオブ及びタンタルを含有するペロブスカイト構造を示す。一方の成分（成分Ａ）の組成及び他方の成分（成分Ｂ）の組成は、それぞれ、これらの誘電率の温度係数ＴＫε_Ａ及びＴＫε_Ｂが温度区間において相互に異なる符号を有するように選択される。
【００１０】
このＡＮＴ−材料は、高いε＞３００を示すという利点を有する。さらに、本発明によるセラミック材料は、低い誘電損失を示すという利点を有する。それぞれＴＫεが異なる符号を有する２つの成分を混合することにより、誘電率の温度依存性の大部分を補償することで、本発明によるセラミック材料がその成分よりも小さなＴＫεを示すことが達成できる。この補償は、この場合、所定の温度で部分的に行われるのではなく、全温度区間にわたり行われ、この温度区間内では個々の成分が異なる符号を示す。この補償は、温度スケール上の一点に限定されない。
【００１１】
本発明によるセラミック材料中の成分は別個の相として存在しているため、セラミック材料のＴＫεは、これが単に２種の異なる成分からなる場合について、次に記載されたリヒテンエッカーの規則（Ｌｉｃｈｔｅｎｅｃｋｅｒ−Ｒｅｇｅｌ）により示すことができる。
【００１２】
ＴＫε　＝　Ｖ　×　ＴＫε_Ａ　＋　（１−Ｖ）　×　ＴＫε_Ｂ
この場合、Ｖは成分の全体積に対する成分Ａの体積割合を意味し、ＴＫε_ＡもしくはＴＫε_Ｂは成分Ａ及びＢの温度係数を意味する。
【００１３】
このリヒテンエッカーの規則から、所定の温度に対する成分Ａの体積割合の適当な選択によって、誘電率の温度係数の完全な補償を実施できることが明らかになる。このリヒテンエッカーの規則は、成分Ａ及びＢの全体積に対する成分Ａの最適な体積割合を決定するために利用されるため、個々の成分が異なる符号を有する温度区間において、温度係数の最適な補償を達成できる。
【００１４】
このため、本発明の場合に成分Ａ及びＢの全体積に対する成分Ａの体積割合は、次の式：
Ｖ　×　Ｓ_Ａ　＋　（１−Ｖ）　×　Ｓ_Ｂ　＝　０
により計算される体積割合Ｖの２５％より少なく偏倚するように選択される。
【００１５】
この場合、Ｓ_Ａ及びＳ_Ｂは、温度区間において成分Ａもしくは成分Ｂの誘電率の相対的変化のそれぞれ温度に依存する推移に最も適合しているそれぞれ直線の傾斜を意味する。
【００１６】
個別の温度にとって通用するリヒテンエッカーの規則を本発明の場合に温度区間に転用することにより、異なる符号を有する温度係数ＴＫεの最適な補償が達成することができる。上記の計算式を用いて、温度係数ＴＫεの体積割合で決定された平均値が適当な体積割合の算定のために利用される。
【００１７】
この算定の基礎となるリヒテンエッカーの規則がＴＫε−値を線状に加算するため、個々の成分の誘電率の相対的変化の温度依存性の推移が、線状の推移により良好に適合できればそれだけ、温度係数ＴＫεの補償はより良好に関数化される。従って、成分の適当な組成によってこのような線状の推移にできる限り良好に近付けることが追求される。
【００１８】
線状の推移をこのように近付けることは、成分の一方においてニオブ／タンタルの量比を適当に選択することにより特に有利に行うことができる。
【００１９】
反対の温度推移の補償が機能するため、成分Ａ及びＢは相互に別個の相の形で存在しなければならない。
【００２０】
試験は、別個の相を実現する第１の方法が、成分Ａ及びＢをそれぞれ粒度＞５μｍを有する小さすぎない粒子として混合することよりなる。比較的小さい粒度を使用した場合に、成分間で拡散による材料交換が生じ、「固溶」が形成されてしまい、この固溶は相応する新規の特性を示す新規材料を生じさせてしまう。リヒテンエッカーの規則により記載されたような成分Ａ及びＢの簡単な「線形の重ね合わせ」はもはや不可能となる。５μｍよりも大きな粒子を使用する場合に、緩慢な拡散プロセスによって単に粒子の周辺領域が相互に混合するため、成分Ａと成分Ｂとはほぼ別個の相の形で残留する。
【００２１】
２つの成分Ａ及びＢが別個の相の形で維持される他の方法は、成分Ａ及びＢをそれぞれ異なる誘電体層の形で配置し、これらの誘電体層はその間に存在する電極層によって相互に隔てられていることよりなる。この電極層は、例えば金属層、例えば銀／パラジウム−電極層であることができ、この電極層は拡散バリアであるため焼結の間の成分ＡとＢとの間の材料の交換を有効に抑制できる。そのため、セラミック材料の成分Ａだけを含有する誘電体層並びに成分Ｂだけを含有する誘電体層を製造する必要がある。
【００２２】
介在する電極層を用いて個々の相を分離することにより、セラミック材料の成分Ａと成分Ｂは上記したよりも小さな粒子の形でキャパシタ中に配置されていることも可能である。成分Ａと成分Ｂとの間の拡散の抑制により、粒子のサイズはもはや重要な役割ではなく、成分Ａ及びＢは例えば１００ｎｍ〜５μｍの間の大きさの粒子の形で存在することができ、この粒子は粉砕プロセスにおけるセラミック製造の標準方法によって容易に製造可能である。
【００２３】
小さな粒子の形での多様な成分の存在は、さらに極めて薄い厚さ１〜５０μｍのキャパシタの誘電体層の製造を可能にする。それにより、同じ体積の場合に、著しく多くの数の誘電体層及びそれにより著しく多くの数のキャパシタを形成する部分キャパシタを格納することができる。それによりキャパシタの体積利用率が有利に向上する。このような１〜５０μｍの薄い誘電体層は、成分を大きな粒子の形で使用した場合には不可能である、それというのも粒子の単層がすでに誘電体層の可能な層厚を上回っているためである。
【００２４】
さらに、向かい合う誘電体層が、それぞれ成分Ａのメタライジングされたセラミックグリーンシート及びそれぞれメタライジングされた成分Ｂのセラミックグリーンシートを相互に重ね合わせて積層させ、引き続きこのシート積層体を焼結することにより製造されているキャパシタは特に有利である。グリーンシートのメタライジングはこの場合に電極層を形成する。このようなキャパシタは、多層セラミックキャパシタの公知の製造方法の使用を十分に可能にする。この場合に、成分Ａのグリーンシートもしくは成分Ｂのグリーンシートをどのような順序で相互に重ね合わせるかは重要ではない、それというのも、通常はキャパシタは個々の部分キャパシタの直列接続もしくは並列接続であるためであるためである。それにより、それぞれの場合に個々の誘電体層の誘電率の温度係数の補償が保証される。
【００２５】
このキャパシタは、特に有利に、焼結助剤としてホウ酸を用いて製造されているセラミック材料を有することができる。この場合、ホウ酸は、ＡＮＴセラミックスの絶縁抵抗を不利に低下させないという利点を有する。
【００２６】
次に、本発明を実施例及びそれに対応する図面を用いて詳細に説明する。
【００２７】
図１は、本発明によるキャパシタの例示的な図式的な断面図を示す。
【００２８】
残りの図２〜８は、それぞれ、本発明によるキャパシタのために成分Ａもしくは成分Ｂとして使用できる多様なＡＮＴ材料の推移を示す。
【００２９】
図３、４、５、６、７及び８は付加的に成分Ａと成分Ｂとの混合物の推移を示す。
【００３０】
これらの図中で、それぞれ温度に依存する円盤状の試料の容量ΔＣ／Ｃの相対的変化を記載する。この容量の変化は、Ｃ＝ε×Ａ／ｄに関して大きさΔε／εと直接関連付けられている。
【００３１】
図１は、例えば銀／パラジウム−電極であることができる電極層１を備えた本発明によるキャパシタを示す。この電極層１は誘電体層２により相互に隔てられている。この場合、接触層３を介してそれぞれ電気的に相互に接続している２種の誘電体層が相互に櫛状に咬み合っており、それにより部分キャパシタの並列接続が製造されている。接触層３は銀−焼き付け電極である。
【００３２】
この誘電体層２は、図１において文字Ａ及びＢで表したように、成分Ａのセラミック又は成分Ｂのセラミックを有する。図１の実施例により、成分Ａからなる４枚の誘電体層２と成分Ｂからなる２枚の誘電体層２がこのキャパシタ中に配置されている。従って、このキャパシタ中の成分Ａと成分Ｂの体積割合は４／２である。誘電体層２の総数の増大により及び成分ＡもしくはＢについての誘電体層の多様な数の選択により、成分Ａと成分Ｂとの間で任意の混合比が調整できる。
【００３３】
次に、成分Ａもしくは成分Ｂとして適している異なるセラミック材料をその電気特性と共に記載する。この場合に、記載されたそれぞれの例において、成分の混合は相互に混合された粒子の形であるか、又は成分Ａ又は成分Ｂに帰属する相互に積み重ねられ、電極層により相互に隔てられた誘電層の形で実施することができることに留意すべきである。次に記載した試料の場合に、Ｈ_３ＢＯ_３それぞれ１及び１．５質量％を引き続き９５０℃でか焼する前にセラミック材料に添加した。引き続き、セラミックスを１０７０℃で５時間焼結した。その後、こうして製造した材料の誘電特性を１ＭＨ及び約２ＧＨｚの周波数で試験した。
【００３４】
複合材料セラミックスについての成分Ｂとして、すでに上記した組成から公知の成分Ｂ（ＡＮＴｘ、ｘ＝０．６５）を使用した。この成分を３０．９μｍ（成分Ａ）もしくは２７．７μｍ（成分Ｂ）の平均粒度を有する粒子として相互に混合し、引き続き一緒に焼結させる。
【００３５】
最初の一連の試験において、成分ＢはＨ_３ＢＯ_３　１質量％並びにタンタルに関してニオブの多様な過剰量を有する複数の可能な成分Ａを試験した。この結果を図２に示した。この場合、曲線５１〜５４は、それぞれ変化するｘ含有量を示す成分Ａに関し、曲線５５はｘ＝０．６５を示す上記の成分Ｂに関する。曲線５１は、この場合に、ｘ＝０．３５を示す成分Ｂの組成を記載し、曲線５２はｘ＝０．３８を示し、曲線５３はｘ＝０．４０を示し、曲線５４はｘ＝０．４２を示す。
【００３６】
図２は特に曲線５１による組成が良好な線形の推移を示し、本発明によるキャパシタにおいて成分Ａとして使用するために特に適していることを示す。
【００３７】
図２に示した、多様な成分を用いて、次の表１に記載した多様な混合比の成分Ａ／成分Ｂを有するセラミック材料を製造した。表１の第１列には、成分Ａのそれぞれ使用した過剰量のニオブがｘ値として記載されている。第２列には成分Ａ／成分Ｂの重量に関する割合が記載されている。第３、第４、第５、第６及び第７列は、試料の誘電性の中心値もしくは収縮率Ｓを示す。例１の最後の列には、成分Ａ及び成分Ｂからなる推移に関してそれぞれ最適な混合物について、−２０℃〜８０℃の温度区間において誘電率のそれぞれ最大の相対的変化率が記載されている。
【００３８】
表１：１０７０℃で５時間焼結した、焼結助剤としてＨ_３ＢＯ_３　１質量％を有する複合材料セラミックス（成分Ｂ＝ＡＮＴｘ、ｘ＝０．６５）の誘電率及び誘電損失
【００３９】
【表１】

【００４０】
表１は、それぞれ最適な混合比で成分Ａ／成分Ｂから製造された、成分Ａについて多様なｘ値を有する複合材料セラミックが、多層キャパシタに適していることを示す。
【００４１】
図３は、成分Ａをｘ＝０．４２（８％のニオブ過剰量）で有し及び成分Ａ／成分Ｂの多様な混合比を有する多様な複合材料セラミックスの推移を示す。この場合、曲線５６は混合比６０／４０についての推移を示し、曲線５７は混合比７０／３０についての推移を示し、曲線５８は混合比６２．５／３７．５についての推移を示し、曲線５９は純粋な成分Ａの推移を示し、曲線６０は純粋な成分Ｂの推移を示す。
【００４２】
図４は、成分Ａをｘ＝０．４０（１０％のニオブ過剰量）で有し及び成分Ａ／成分Ｂの多様な混合比を有する多様な複合材料セラミックスの推移を示す。この場合、曲線６２は混合比６０／４０についての推移を示し、曲線６４は混合比４０／６０についての推移を示し、曲線６３は混合比５０／５０についての推移を示し、曲線６１は純粋な成分Ａの推移を示し、曲線６５は純粋な成分Ｂの推移を示す。
【００４３】
図５は、成分Ａをｘ＝０．３８（１２％のニオブ過剰量）で有し及び成分Ａ／成分Ｂの多様な混合比を有する複合材料セラミックスの推移を示す。この場合、曲線６９は混合比３５／６５についての推移を示し、曲線６８は混合比４５／５５についての推移を示し、曲線６７は混合比５５／４５についての推移を示し、曲線７０は純粋な成分Ｂの推移を示し、曲線６６は純粋な成分Ａの推移を示す。
【００４４】
図６は、成分Ａをｘ＝０．３５（１５％のニオブ過剰量）で有し及び成分Ａ／成分Ｂの多様な混合比を有する複合材料セラミックスの推移を示す。この場合、曲線７５は混合比３０／７０についての推移を示し、曲線７３は混合比４０／６０についての推移を示し、曲線７２は混合比５０／５０についての推移を示し、曲線７１は混合比４５／５５についての推移を示し、曲線７６は純粋な成分Ｂの推移を示し、曲線７１は純粋な成分Ａの推移を示す。
【００４５】
他の実験の場合には、ホウ酸の割合が１質量％〜１．５質量％に上昇するように試験した。この場合、高めたホウ酸の割合はＡＮＴ粉末の焼結を容易にすることが見出された。さらに、誘電率についていくらか高い値が得られた。この誘電損失は１ＭＨｚで測定して、この場合Ｈ_３ＢＯ_３−濃度によって明らかな変化は示さなかったが、２ＧＨｚでのＱ×ｆ値は１％のＨ_３ＢＯ_３を添加した場合よりもいくらか悪化した。
【００４６】
図７は、Ｈ_３ＢＯ_３　１．５質量％を添加して製造したＡＮＴｘ系についての推移を示す。残りの製造パラメータはＨ_３ＢＯ_３　１質量％の試料の場合と同様であった。この場合、曲線７７はｘ＝０．４２での成分Ａについての推移を示し、曲線７８は質量に対する混合比７０／３０での成分Ａ及び成分Ｂからの混合物についての推移を示し、曲線７９は混合比６０／４０の複合材料セラミックスであり、最後に曲線８０はｘ＝０．６５での成分Ｂについての推移を示す。
【００４７】
図８は、成分Ａをｘ＝０．３５（１５％のニオブ過剰量）で有し及び成分Ａ／成分Ｂの多様な混合比を有する本発明による複合材料セラミックス（Ｈ_３ＢＯ_３　１．５質量％）の温度推移を示す。曲線８１はｘ＝０．３５での成分Ａを示し、曲線８２は混合比６０／４０の混合物を示し、曲線８３は混合比５５／４５の混合物を示し、曲線８４は混合比４５／５５の混合物を示し、曲線８５はｘ＝０．６５での成分Ｂを示す。
【００４８】
次の表２の場合には、表１に相応して、それぞれ８％のニオブ過剰量（ｘ＝０．４２）もしくは１５％のニオブ過剰量（ｘ＝０．６５）を示す成分Ｂを有する混合物についての誘電特性並びに収縮率が記載されている。成分Ａ／成分Ｂのそれぞれの最適な混合比についての、−２０℃〜８０℃の間の温度区間での誘電率の最大の相対的変化が記載されている。
【００４９】
表２：１０７０℃で５時間焼結した、焼結助剤としてＨ_３ＢＯ_３　１．５質量％を有する複合材料−セラミックス（成分Ｂ＝ＡＮＴｘ、ｘ＝０．６５）の誘電率及び誘電損失
【００５０】
【表２】

【００５１】
次に、特別なセラミック材料を有するキャパシタを記載し、その際に、このキャパシタの電気特性データを測定した。
【００５２】
組成Ａについては、Ｎｂ_２Ｏ_５　４５．４質量％及びＴａ_２Ｏ_５　５４．６質量％からなるか焼された前駆体を使用した。引き続き、このか焼物５８．９質量％を酸化銀４０．１質量％及びＨ_３ＢＯ_３　１質量％と混合し、新たにか焼した。この場合に、Ｈ_３ＢＯ_３は焼結助剤の機能を有する。この混合物を種類Ａのグリーンシートにまで加工することは当業者に公知の方法で行った。
【００５３】
組成Ｂの形成のために、Ｎｂ_２Ｏ_５　２４．５質量％及びＴａ_２Ｏ_５　７５．５質量％を含有する第２の前駆体を製造した。このさらなる方法工程は第１のか焼までに相当し、組成Ｂについてもこれと同様に実施した。引き続き、このか焼物６１．５質量％をＡｇ_２Ｏ　３７．５質量％及びＨ_３ＢＯ_３　１質量％と混合し、新たにか焼した。引き続きこの混合物を種類Ａのグリーンシートについてと同様に加工した。
【００５４】
第２のキャパシタの製造し、この場合それぞれのグリーンシートを相互に積み重ねて積層させ、相互にプレスし、引き続きグリーンシート状に存在するメタライジング層と一緒に焼結させた。種類Ａの１０枚の誘電体層を用いてキャパシタ１を製造し、この層はそれぞれ２０μｍの層厚及び１０^２ｍｍの面積を有していた。さらに、本発明によるキャパシタ２をそれぞれ５枚の種類Ａの誘電体層及び５枚の種類Ｂの誘電体層を用いて製造し、これはそれぞれキャパシタ１で挙げられた寸法を有していた。
【００５５】
次の表はキャパシタ１及び２の電気特性データを示す。この場合、ＴＫＣは−２０℃〜１００℃の温度区間に関している。
【００５６】
表３：例示した多層キャパシタの電気特性
【００５７】
【表３】

【００５８】
この表３は、種類Ａ並びに種類Ｂの誘電体層を備えた本発明によるキャパシタ２が、１種類だけの誘電体層を備えたキャパシタ１よりも著しく小さなＴＫＣを有することを示す。
【００５９】
本発明は、記載された実施例に制限されるのではなく、最も普遍的な形式で請求項１により定義される。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明によるキャパシタの例示的な図式的な断面図
【図２】
本発明によるキャパシタのために成分Ａもしくは成分Ｂとして使用できる多様なＡＮＴ材料の推移を示すグラフ
【図３】
本発明によるキャパシタのために成分Ａもしくは成分Ｂとして使用できる多様なＡＮＴ材料の推移を示すグラフ
【図４】
本発明によるキャパシタのために成分Ａもしくは成分Ｂとして使用できる多様なＡＮＴ材料の推移を示すグラフ
【図５】
本発明によるキャパシタのために成分Ａもしくは成分Ｂとして使用できる多様なＡＮＴ材料の推移を示すグラフ
【図６】
本発明によるキャパシタのために成分Ａもしくは成分Ｂとして使用できる多様なＡＮＴ材料の推移を示すグラフ
【図７】
本発明によるキャパシタのために成分Ａもしくは成分Ｂとして使用できる多様なＡＮＴ材料の推移を示すグラフ
【図８】
本発明によるキャパシタのために成分Ａもしくは成分Ｂとして使用できる多様なＡＮＴ材料の推移を示すグラフ
【符号の説明】
１　電極層、　２　誘電体層、　３　接触層

Claims (11)

1. ２つ又はそれ以上のペアの相互に向かい合う電極層（１）及びその間にある誘電体層（２）を備え、
   前記の誘電体層（２）はセラミック材料を有するキャパシタにおいて、前記のセラミック材料は少なくとも２つの異なるそれぞれ相互に別個の相の形で存在する成分を含有し、
   これらの成分はそれぞれＡサイトに銀を有しかつＢサイトにニオブ及びタンタルを有するペロブスカイト構造を示し、
   成分Ａの組成及び成分Ｂの組成は、その誘電率の温度係数ＴＫε_Ａ及びＴＫε_Ｂが温度区間において相互に異なる符号を有するように選択されている、キャパシタ。
2. 成分Ａ及びＢの全体積に対して成分Ａの体積割合は、次の式：
   Ｖ×Ｓ_Ａ＋（１−Ｖ）×Ｓ_Ｂ＝０
   により計算された体積割合Ｖから２５％より少なく偏倚し、その際、Ｓ_Ａ及びＳ_Ｂは、温度区間において成分ＡもしくはＢの誘電率の相対的変化のそれぞれの温度に依存する推移に最も適合したそれぞれの直線の勾配を示す、請求項１記載のキャパシタ。
3. 成分Ａ及びＢはそれぞれ組成Ａｇ（Ｎｂ_{１ − ｘ}Ｔａ_ｘ）Ｏ_３で表され、その際、成分Ａについては０．５０＜１−ｘ≦０．７０が当てはまり、成分Ｂについては０．３０≦１−ｘ≦０．５０が当てはまる、請求項１又は２記載のキャパシタ。
4. 成分Ａについて０．６４≦１−ｘ≦０．６６が当てはまり、成分Ｂについて０．３４≦１−ｘ≦０．３６が当てはまり、その際、成分Ａ／成分Ｂの体積に対する混合比は４０／６０〜５０／５０である、請求項３記載のキャパシタ。
5. 成分Ａ及びＢはそれぞれ５〜５００μｍの大きさの粒子の形で存在する、請求項１から４までのいずれか１項記載のキャパシタ。
6. 成分Ａの粒子と成分Ｂの粒子との混合物を焼結させることにより製造されている、請求項５記載のキャパシタ。
7. 成分Ａ及びＢはそれぞれ異なる誘電体層（２）の形で存在し、この誘電体層（２）はその間に存在する電極層（１）により相互に隔てられている、請求項４記載のキャパシタ。
8. 成分Ａ及びＢはそれぞれ１００ｎｍ〜５μｍの大きさの粒子の形で存在する、請求項７項記載のキャパシタ。
9. 誘電体層（２）が１〜５０μｍの厚さを有する、請求項８記載のキャパシタ。
10. 成分Ａのメタライジングされたセラミックグリーンシートと成分Ｂのメタライジングされたセラミックグリーンシートとをそれぞれ任意の順序で相互に重ね合わせて積層させることにより製造する、請求項７から９までのいずれか１項記載のキャパシタ。
11. セラミック材料は焼結助剤としてホウ酸を含有する、請求項１から１０までのいずれか１項記載のキャパシタ。