JP2004505469A5 - - Google Patents
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Claims (29)
- 第1及び第2の電源ノードを有するダイと、
多層セラミック基板とよりなり、
この多層セラミック基板は、
第1及び第2の電源ノードにそれぞれ結合された第3及び第4の電源ノードと、
第3の電源ノードに結合された第1の端子と、第4の電源ノードに結合された第2の端子とを有するキャパシタとよりなる電子アセンブリ。 - ダイが多層セラミック基板に結合された電子アセンブリを有し、基板が少なくとも1つの埋め込まれたキャパシタを有し、キャパシタの第1及び第2の端子がダイの第1及び第2の電源ノードに結合されている電子システム。
- データ処理システムであって、
データ処理システムのコンポーネントを結合するバスと、
バスに結合されたディスプレイと、
バスに結合された外部メモリと、
バスに結合され、電子アセンブリを有するプロセッサとよりなり、
電子アセンブリは、
第1及び第2の電源ノードを有するダイと、
第1の端子が第1の電源ノードに結合され、第2の端子が第2の電源ノードに結合されたキャパシタを有する多層セラミック基板とよりなるデータ処理システム。 - ダイを実装するために多層セラミック基板を製造する方法であって、
第1及び第2の端子を有する少なくとも1つのキャパシタを基板内に形成し、
第1及び第2の電源ノードを基板内に形成し、
第1の端子及びダイの第1の電源ノードに結合される第1のランドと、第2の端子及びダイの第2の電源ノードに結合される第2のランドとを含む複数のランドを基板の表面上に形成するステップよりなり、第1及び第2のランドはダイの第1及び第2の電源ノードに結合されるように位置合せされている多層セラミック基板の製造方法。 - 少なくとも1つのキャパシタは、複数の高誘電率層よりなる請求項4の方法。
- 少なくとも1つのキャパシタは、高誘電率層と互い違いの複数の導電層を有し、1つおきの導電層がそれぞれ第1及び第2のランドに結合されている請求項5の方法。
- 少なくとも1つのキャパシタは、基板に埋め込まれた少なくとも1つの個別キャパシタよりなる請求項4の方法。
- 電子アセンブリの製造方法であって、
第1及び第2の電源ノードを有するダイを用意し、
第3及び第4の電源ノードと、第1及び第2の端子を有する少なくとも1つのキャパシタと、第1の端子及び第3の電源ノードに結合された第1のランドと、第2の端子及び第4の電源ノードに結合された第2のランドとを含む、基板の表面上の複数のランドとよりなる基板を用意し、
第1及び第2のランドを第1及び第2の電源ノードに結合するステップよりなる電子アセンブリの製造方法。 - 少なくとも1つのキャパシタは、複数の高誘電率層よりなる請求項8の方法。
- 少なくとも1つのキャパシタは、高誘電率層と互い違いの複数の導電層を有し、1つおきの導電層がそれぞれ第1及び第2のランドに結合されている請求項9の方法。
- 少なくとも1つのキャパシタは、基板に埋め込まれた少なくとも1つの個別キャパシタよりなる請求項8の方法。
- ダイを実装するための基板であって、
基板のコア領域にある複数の電力ビア及びグランドビアと、
第1及び第2の端子を有する埋め込まれたキャパシタと、
複数の電力ビアを介して第1の端子に結合された複数の電力ランドと、
複数のグランドビアを介して第2の端子に結合された複数のグランドランドとより成り、
複数の電力ランドと複数のグランドランドとはダイの対応する電力ノード及びグランドノードに結合されるように位置決めされている基板。 - 多層セラミック基板である請求項12の基板。
- 複数の電力ランドは複数のグランドランドと数が実質的に同じである請求項12の基板。
- 電力ビアのうちの少なくとも1つは基板を完全に貫通しない請求項12の基板。
- グランドビアのうちの少なくとも1つは基板を完全に貫通しない請求項12の基板。
- ダイを実装するための基板であって、
基板のコア領域にある複数の電力ビア及びグランドビアと、
第1及び第2の端子を有する埋め込まれたキャパシタと、
複数の電力ビアのうちの第1のビアを介して第1の端子に結合された第1の複数の電力ランド及び複数のグランドビアのうちの第1のビアを介して第2の端子に結合された第1の複数のグランドランドを有する第1の表面と、
複数の電力ビアのうちの第2のビアを介して第1の端子に結合された第2の複数の電力ランド及び複数のグランドビアのうちの第2のビアを介して第2のビアに結合された第2の複数のグランドランドを有する第2の表面とより成り、
第1の複数の電力ランドと第1の複数のグランドランドとはダイの対応する電力ノード及びグランドノードに結合されるように位置決めされている基板。 - 多層セラミック基板である請求項17の基板。
- 第1の複数の電力ランドは第1の複数のグランドランドと数が実質的に同じである請求項17の基板。
- 第2の複数の電力ランドは第2の複数のグランドランドと数が実質的に同じである請求項17の基板。
- 電力ビアのうちの少なくとも1つは基板を完全に貫通しない請求項17の基板。
- グランドビアのうちの少なくとも1つは基板を完全に貫通しない請求項17の基板。
- ダイを実装するための基板であって、
基板のコア領域の複数の電力ビア及びグランドビアと、
複数の信号ビアと、
第1及び第2の端子を有する埋め込まれたキャパシタと、
複数の電力ビアのうちの第1のビアを介して第1の端子に結合された第1の複数の電力ランド及び複数のグランドビアのうちの第1のビアを介して第2の端子に結合された第1の複数のグランドランドを有する第1の表面と、
複数の電力ビアのうちの第2のビアを介して第1の端子に結合された第2の複数の電力ランド及び複数のグランドビアのうちの第2のビアを介して第2のビアに結合された第2の複数のグランドランドを有する第2の表面とより成り、
第1の複数の電力ランド、第1の複数のグランドランド及び第1の複数の信号ランドはダイの対応する電源ノード、グランドノード及び信号ノードに結合されるように位置決めされている基板。 - 多層セラミック基板である請求項23の基板。
- 第1の複数の電力ランドは第1の複数のグランドランドと数が実質的に同じである請求項23の基板。
- 第2の複数の電力ランドは第2の複数のグランドランドと数が実質的に同じである請求項23の基板。
- 電力ビアのうちの少なくとも1つは基板を完全に貫通しない請求項23の基板。
- グランドビアのうちの少なくとも1つは基板を完全に貫通しない請求項23の基板。
- 複数の信号ビアは基板の周辺領域にある請求項23の基板。
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