JP2004363603A - 高密度磁気抵抗メモリおよびその製造方法 - Google Patents
高密度磁気抵抗メモリおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004363603A JP2004363603A JP2004163970A JP2004163970A JP2004363603A JP 2004363603 A JP2004363603 A JP 2004363603A JP 2004163970 A JP2004163970 A JP 2004163970A JP 2004163970 A JP2004163970 A JP 2004163970A JP 2004363603 A JP2004363603 A JP 2004363603A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory cell
- magnetic flux
- memory
- conductive line
- magnetoresistive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 44
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
- G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】 情報を保存するメモリセルと、磁場を発生させて前記メモリセルの磁化方向を変化させる導電線と、導電線とメモリセルの間に位置してメモリセルに磁束を集中させる少なくとも1つの磁束集束アイランドとを備える磁気抵抗メモリおよびその製造方法。
【選択図】 図3
Description
前記磁束集束アイランドと磁束集束層とは、高透磁率を有する物質で形成される。
前記磁束集束アイランドと前記磁束集束層とは、選択度を5%以上向上させる。
51 ディジットライン
53 ビットライン
54 ディジットライン用FCI
55 メモリセル
56 ビットライン用FCI
57 基板
Claims (12)
- 情報を保存するメモリセルと、
前記メモリセルに接触し、磁場を発生させることによって前記メモリセルの磁化方向を変化させる導電線と、
前記導電線と前記メモリセルの間に位置し、前記メモリセルに磁束を集中させる少なくとも1つの磁束集束アイランドとを備えることを特徴とする磁気抵抗メモリ。 - 前記磁束集束アイランドは、高透磁率を有する物質より形成されることを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗メモリ。
- 前記導電線は、前記メモリセルを間に挟んで、相互に直交するように配置されるビットラインまたはディジットラインであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の磁気抵抗メモリ。
- 前記導電線は、前記メモリセルに接触しない面上に、前記メモリセルに磁束を集中させる磁束集束層を含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗メモリ。
- 前記磁束集束層は、高透磁率を有する物質で形成されることを特徴とする請求項4に記載の磁気抵抗メモリ。
- 前記磁束集束アイランドは選択度を5%以上向上させることを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗メモリ。
- 基板の上にメモリセルと前記メモリセルに電流を印加する導電線とを形成する段階と、
前記メモリセルと前記導電線の間に、前記メモリセルに磁束を集中させる磁束集束アイランドを形成する段階とを含むことを特徴とする磁気抵抗メモリの製造方法。 - 前記磁束集束アイランドは、高透磁率を有する物質で形成することを特徴とする請求項7に記載の磁気抵抗メモリの製造方法。
- 前記導電線は、前記メモリセルを間に挟んで、相互に直交するように配置されるビットラインまたはディジットラインであることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の磁気抵抗メモリの製造方法。
- 前記導電線における前記メモリセルに接触しない面上に、前記メモリセルに磁束を集中させる磁束集束層を形成することを特徴とする請求項7に記載の磁気抵抗メモリの製造方法。
- 前記磁束集束層は、高透磁率を有する物質で形成することを特徴とする請求項10に記載の磁気抵抗メモリの製造方法。
- 前記磁束集束アイランドは、選択度を5%以上向上させることを特徴とする請求項7に記載の磁気抵抗メモリの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030035302A KR100552682B1 (ko) | 2003-06-02 | 2003-06-02 | 고밀도 자기저항 메모리 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004363603A true JP2004363603A (ja) | 2004-12-24 |
Family
ID=33157371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004163970A Pending JP2004363603A (ja) | 2003-06-02 | 2004-06-02 | 高密度磁気抵抗メモリおよびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7020011B2 (ja) |
EP (1) | EP1484765B1 (ja) |
JP (1) | JP2004363603A (ja) |
KR (1) | KR100552682B1 (ja) |
CN (1) | CN100557702C (ja) |
DE (1) | DE60334682D1 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09204770A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-08-05 | Motorola Inc | 磁気メモリおよびその方法 |
JP2000353791A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-12-19 | Motorola Inc | 磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製作方法 |
JP2002246566A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Sony Corp | 磁気メモリ装置 |
JP2004128011A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Toshiba Corp | 磁気メモリ |
JP2004128430A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-04-22 | Toshiba Corp | 磁気記憶装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0693738A3 (en) | 1994-06-23 | 1996-11-06 | Dainippon Screen Mfg | Device and method for producing colored masks |
US5656499A (en) | 1994-08-01 | 1997-08-12 | Abbott Laboratories | Method for performing automated hematology and cytometry analysis |
US5940319A (en) * | 1998-08-31 | 1999-08-17 | Motorola, Inc. | Magnetic random access memory and fabricating method thereof |
US6211090B1 (en) * | 2000-03-21 | 2001-04-03 | Motorola, Inc. | Method of fabricating flux concentrating layer for use with magnetoresistive random access memories |
US6590803B2 (en) | 2001-03-27 | 2003-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic memory device |
US6720597B2 (en) * | 2001-11-13 | 2004-04-13 | Motorola, Inc. | Cladding of a conductive interconnect for programming a MRAM device using multiple magnetic layers |
JP4157707B2 (ja) | 2002-01-16 | 2008-10-01 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ |
US6812040B2 (en) * | 2002-03-12 | 2004-11-02 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of fabricating a self-aligned via contact for a magnetic memory element |
US6831312B2 (en) * | 2002-08-30 | 2004-12-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Amorphous alloys for magnetic devices |
-
2003
- 2003-06-02 KR KR1020030035302A patent/KR100552682B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-11-18 US US10/714,609 patent/US7020011B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-28 EP EP03257514A patent/EP1484765B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-28 DE DE60334682T patent/DE60334682D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-28 CN CNB2003101188414A patent/CN100557702C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-06-02 JP JP2004163970A patent/JP2004363603A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09204770A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-08-05 | Motorola Inc | 磁気メモリおよびその方法 |
JP2000353791A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-12-19 | Motorola Inc | 磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製作方法 |
JP2002246566A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Sony Corp | 磁気メモリ装置 |
JP2004128430A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-04-22 | Toshiba Corp | 磁気記憶装置及びその製造方法 |
JP2004128011A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Toshiba Corp | 磁気メモリ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040240267A1 (en) | 2004-12-02 |
KR20040103682A (ko) | 2004-12-09 |
US7020011B2 (en) | 2006-03-28 |
EP1484765B1 (en) | 2010-10-27 |
CN1574068A (zh) | 2005-02-02 |
KR100552682B1 (ko) | 2006-02-20 |
CN100557702C (zh) | 2009-11-04 |
DE60334682D1 (de) | 2010-12-09 |
EP1484765A1 (en) | 2004-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6720597B2 (en) | Cladding of a conductive interconnect for programming a MRAM device using multiple magnetic layers | |
EP2342716B1 (en) | Flux-closed stram with electronically reflective insulative spacer | |
US20050169044A1 (en) | Magnetic memory device having magnetic shield layer, and manufacturing method thereof | |
WO2003019570A1 (en) | Magneto-electronic component | |
JP2018157111A (ja) | 磁気記憶装置 | |
KR20010102906A (ko) | 메모리 셀 어레이 및 그의 제조 방법 | |
US6791857B2 (en) | Method and article for concentrating fields at sense layers | |
JP4488645B2 (ja) | 磁気記憶装置 | |
US6559511B1 (en) | Narrow gap cladding field enhancement for low power programming of a MRAM device | |
KR100496860B1 (ko) | 자기 저항 기억 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2004179192A (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ | |
CN114300613A (zh) | 平面式磁化自旋轨道磁性组件 | |
JP2005101605A (ja) | Mramのための熱支援型切換えアレイ構成 | |
JP2007329222A (ja) | 磁気記憶装置、磁気記憶装置の製造方法 | |
KR102285125B1 (ko) | 자기 터널 접합 소자, 그것을 사용한 자기 메모리 및 자기 터널 접합 소자의 제조 방법 | |
KR20030062276A (ko) | 자기 메모리 | |
JP2004363603A (ja) | 高密度磁気抵抗メモリおよびその製造方法 | |
JP2005311368A (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 | |
JP4835974B2 (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ | |
KR102466880B1 (ko) | 자기 메모리 장치 | |
JP4032695B2 (ja) | 磁気メモリ装置 | |
JP2003249630A (ja) | 磁気記憶装置及びその製造方法 | |
JP4970821B2 (ja) | 磁気メモリ装置 | |
JP2006100424A (ja) | 磁気記憶装置 | |
WO2003043015A3 (en) | Multiple turn for conductive line programming mram |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061102 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20061106 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070327 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110223 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111011 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120213 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120229 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20120323 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130507 |