JP2004363598A - マスクレスリソグラフィシステム及びマスクレスリソグラフィにおけるドーズ制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】マスクレスリソグラフィシステムにおいて、基板のただ１つのパスの間に各パターンに対して基板における所望の全ての領域を露光できるドーズ制御方法を提供する。
【解決手段】マスクレスリソグラフィシステム１００は照明システム１０２と、対象と、空間光変調器（ＳＬＭ）１０４と、制御装置１１６を有しており、照明システム１０２からの光をパターニングするＳＬＭ１０４に対し、制御装置１１６は、光パルス期間情報、ＳＬＭ１０４に関する物理的レイアウト情報、及び対象のスキャニングスピードのうちの少なくとも１つに基づいて制御信号を送信する。
【選択図】図１

Description

本発明は、マスクレスリソグラフィシステム及びマスクレスリソグラフィにおけるドーズ制御方法に関する。

リソグラフィは基板表面にフィーチャ（特徴的構造）を生成するために使用されるプロセスである。そのような基板はフラットパネルディスプレイ（例えば液晶ディスプレイ）、回路基板、種々の集積回路などの製造に使用される基板を含むことができる。そのような用途に頻繁に使用される基板は半導体ウェハ又はガラス基板である。この明細書は例示の目的で半導体ウェハに関して記載しているが、当業者であればこの明細書が、それら当業者に公知である他のタイプの基板にも適用されることは明らかである。

リソグラフィの間、ウェハステージに配置されているウェハはリソグラフィ装置内に設けられている露光光学系によってウェハの表面上に投影されるイメージに曝される。露光光学系がフォトリソグラフィの事例において使用される一方、異なるタイプの露光装置を特別な用途に依存して使用することができる。例えば、Ｘ線、イオン、電子、フォトンによるリソグラフィはそれぞれ、当業者には公知であるように異なる露光装置を必要とする可能性がある。フォトリソグラフィの特別の例をここでは例示的な説明を目的として論じるに過ぎない。

投影されるイメージによって、ウェハの表面上にデポジットされている例えばフォトレジストのような層の特性に変化が与えられる。この変化は露光中にウェハ上に投影されるフィーチャに相応する。露光に続いて、パターニングされた層を生成するために層をエッチングすることができる。パターンは露光中にウェハ上に投影されるこれらのフィーチャに相応する。このパターニングされた層は導電層、半導電層又は絶縁層のようなウェハ内に配置されている構造層における露光された部分を除去するために、又は更に処理するために使用される。その後このプロセスはウェハの表面又はウェハの種々の層において所望のフィーチャが形成されるまで、他のステップと共に繰り返される。

ステップ・アンド・スキャン技術は狭いイメージングスロットを有する投影光学系と関連して機能する。その際、同時にウェハ全体が露光されるのではなく、ウェハ上において１回毎に個々のフィールドがスキャンされる。このことは、スキャンの間にイメージングスロットがフィールドを横断するように、ウェハとレチクルを同時に移動させることによって達成される。この場合ウェハステージは、ウェハ表面全体にわたり露光すべきレチクルパターンを多数コピーできるようにするために、フィールド露光の間において非同期にステップされなければならない。このようにして、ウェハ上に投影されるイメージの品質が最大となる。

慣例のリソグラフィシステム及びリソグラフィ方法は半導体ウェハにイメージを形成する。このようなシステムは典型的にリソグラフィ室を有し、このリソグラフィ室は半導体ウェハ上にイメージを形成するプロセスを実行する装置を含むよう設計されている。リソグラフィ室は使用される光の波長に依存させて種々の気体混合物及び／又は真空度を有するように設計することができる。レチクルがリソグラフィ室内に配置されている。光ビームは（システム外に配置されている）照明源から光学系、レチクルにおけるイメージアウトライン、また第２の光学系を介した後に半導体ウェハと相互作用する。

複数のレチクルが基板上にデバイスを製作するために要求される。これらのレチクルはますます高価になっており、またフィーチャの大きさ及び小さいフィーチャに要求される正確な公差のために製造に時間を要する。また、レチクルは消耗されるまでの所定の期間しか使用できない。さらには、レチクルが所定の公差内に無い場合、又はレチクルが損傷した場合には常習的に失費を招く。したがって、レチクルを使用するウェハの製造はますます高価になっており、また場合によっては禁止的に高価である。

これらの欠点を克服するために、マスクレス（例えば直接的な書き込み、ディジタルなど）のリソグラフィシステムが開発された。マスクレスシステムではレチクルは空間光変調器（ＳＬＭ）（例えばディジタルマイクロミラー装置（ＤＭＤ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）など）に置換される。ＳＬＭは、所望のパターンを形成するためにＯＮ又はＯＦＦであるアクティブ領域（例えばミラー又は透過領域）のアレイを含む。所望の露光パターンを基礎とする所定の且つ事前に記憶されているアルゴリズムがアクティブ領域のＯＮ及びＯＦＦの切り換えるに使用される。

慣例のＳＬＭベースを基礎とする書き込みシステム（たとえばMicronic's Sigma 7000 series tools）はパターン生成器として１つのＳＬＭを使用する。線幅及び線位置の仕様を達成するために、グレースケールが使用される。アナログＳＬＭに関して、グレースケールはミラー傾斜角（例えばMicronic SLM）又は偏光角（例えばLCD）を制御することによって達成される。ディジタルＳＬＭ（例えばTI DMD）に関して、グレースケールは複数のパス又はパルスによって達成され、各パス又は各パルスに関しては所望のグレースケールレベルに依存してピクセルをＯＮ又はＯＦＦに切り換えることができる。プリントされるべき基板における全ての領域、アクティブ領域間の間隔、光パルスのタイミング及び基板の移動のために、基板の種々のパスが所望の全ての領域を露光するために要求される。この結果スループット（個々の光学的なフィールドに含まれる複数のピクセル／基板全体に要求される複数の反復パス）は低くなり、デバイスを製造する時間は長くなる。さらにはＳＬＭを１つしか使用しないということは、より多くの光のパルスを要求するか、グレースケールを上昇させるためにより長い露光時間を要求する。この結果スループットのレベルは許容できほど低くなる。

マスクレスリソグラフィシステムは合理的なスループットに応じるためのドーズを達成する最小限のパルスを使用することを要求する。したがって、許容可能なレーザパルス・ツー・パルス変化を達成するために、慣例のリソグラフィシステムのように平均して５０パルスを利用することは不可能である。慣例のリソグラフィシステムは各フィーチャを書き込むために３０〜５０のパルスを使用する。典型的にマスクレスリソグラフィでは、合理的なスループットのために各フィーチャの書き込みに２〜４のパルスが使用される。僅かなパルスの使用が必要とされるのは、マスクレスリソグラフィにおける投影光学系の視野が、慣例のリソグラフィシステムにおける５ｍｍ×２６ｍｍの視野よりも小さい約５ｍｍ×１ｍｍなためである。したがってシステムは領域が比較的小さいために、ウェハ上におけるフィーチャのパターニングのために要求される全てのエネルギを２つのパルスに供給する必要がある。これによってパルスを平均する能力は低減し、このことは各パルス内の雑音の効果を増大させる。典型的なリソグラフィレーザは９〜１０％のパルス・ツー・パルス変化を持つ可能性があり、この変化によりパルスの平均化を欠いているために基板における露光エネルギ変化は許容できない結果となる。したがってそのような僅かなパルスが使用される場合に、マスクレスリソグラフィにおいてドーズ量（例えば各パルスの間に供給されるエネルギ）を制御することは非常に困難である。

本発明の課題は、基板のただ１つのパスの間に各パターンに対して基板における所望の全ての領域を露光できるマスクレスリソグラフィシステム及びマスクレスリソグラフィシステムにおけるドーズ制御方法を提供することである。

マスクレスリソグラフィシステムに関する課題は、マスクレスリソグラフィシステムが照明システムと、対象と、空間光変調器（ＳＬＭ）と、制御装置を有しており、空間光変調器は、光が対象によって受光される前に、照明システムからの光をパターニングし、ＳＬＭは、ＳＬＭの先行組とＳＬＭの追従組を含み、先行組及び追従組内のＳＬＭは、対象のスキャン方向に基づいて変化し、制御装置は、光パルス期間情報、ＳＬＭに関する物理的レイアウト情報、及び対象のスキャニングスピードのうちの少なくとも１つに基づいて制御信号をＳＬＭに送信することによって解決される。

マスクレスリソグラフィにおけるドーズ制御方法に関する課題は、ＳＬＭからのパルス列において各パルスへ供給されたドーズを測定し、測定ステップに基づいてドーズエラーを計算し、ドーズエラーに基づいて修正ブランケットドーズを計算し、ＳＬＭの最後の組を用いて修正ブランケットドーズを加えることによって解決される。またＳＬＭの先行組からのドーズの強度を測定し、所定の値から、測定された強さを減算してエラー信号を生成し、エラー信号を遅延させ、遅延された信号を別の所定の値に加えて制御信号を生成し、制御信号を用いて、ＳＬＭの追従組からのドーズを制御することによって解決される。

本発明はマスクレスリソグラフィシステムを提供する。マスクレスリソグラフィシステムは照明システムと、対象と、空間光変調器（ＳＬＭ）と、制御装置とを有する。ＳＬＭは光が対象によって受光される前に、照明システムからの光をパターニングできる。ＳＬＭはＳＬＭの先行組とＳＬＭの追従組を含むことができる。先行組及び追従組内のＳＬＭは対象のスキャン方向に基づいて変化する。制御装置は光パルス期間情報、ＳＬＭに関する物理的なレイアウト情報、及び対象のスキャニングスピードのうちの少なくとも１つに基づいてＳＬＭに対する制御信号を形成することができる。

本発明の別の実施形態はマスクレスリソグラフィにおけるドーズ制御方法を提供する。この方法はＳＬＭからのパルス列において各パルスへ供給されたドーズを測定し、測定ステップに基づいてドーズエラーを計算し、ドーズエラーに基づいて修正ブランケットドーズを計算し、ＳＬＭの最後の組を用いて修正ブランケットドーズを加える。

さらに別の本発明の実施形態はマスクレスリソグラフィにおけるドーズ制御方法を提供する。この方法は、ＳＬＭの先行組からのドーズの強度を測定し、所定の値から、測定された強さを減算してエラー信号を生成し、エラー信号を遅延させ、遅延された信号を別の所定の値に加えて制御信号を生成し、制御信号を用いて、ＳＬＭの追従組からのドーズを制御する。

本発明の更なる実施形態、特徴及び利点並びに本発明の種々の実施形態の構造及び動作を以下では添付の図面を参照して詳細に説明する。

ここで本発明を添付の図面と関連させて説明する。図面において同一の参照番号は同一の要素又は機能的に類似する要素を示す。付加的に参照番号の一番左の数字によりその参照番号が最初に現れた図面を識別することができる。

概観
特有のコンフィギュレーション及び配置について論じるが、これは例示的な目的でなされたものに過ぎないと解すべきである。当業者であれば本発明の着想及び範囲から逸脱することなく、他のコンフィギュレーション及び配置を使用できることは明らかであろう。当業者にとって本発明を他の種々の用途に使用できることは自明である。

本発明の実施形態は、各スキャニングパスの間に対象表面における同一の領域についての複数回の露光を考慮するためにマスクレスリソグラフィシステムにおけるＳＬＭのアレイを使用する。ＳＬＭのアレイの使用によりスループットを向上させることができ、１つのＳＬＭしか使用しない慣例のマスクレスリソグラフィシステムに比べてコストを低減することができる。

１つの機械的なアセンブリに複数のＳＬＭを統合することによって、フィールド交換ユニットを形成することができる。このユニットには機械的且つ熱的な安定性、冷却路、パージガス路及び電気的な接触部を統合することができる。ワイヤ、メモリ及びプロセッサを有する駆動電子装置もアセンブリ５００に統合することができるか、アセンブリ５００の背面又はアセンブリ５００の前面における空スペースに統合することができる。

マスクレスリソグラフィシステム
図１は、本発明の実施形態によるマスクレスリソグラフィシステム１００を示す。マスクレスリソグラフィシステム１００は照明システム１０２を含み、この照明システム１０２はビームスプリッタ１０６及びＳＬＭ光学系１０８を介して反射性の空間光変調器１０４（例えばディジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、反射性の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）など）に光を送出する。ＳＬＭ１０４は慣例のリソグラフィシステムにおけるレチクルの代わりに光をパターニングするために使用される。ＳＬＭ１０４から反射されたパターニング光はビームスプリッタ１０６及び投影光学系１１０を介して、対象（例えば基板、半導体ウェハ、フラットパネルディスプレイのためのガラス基板など）１１２に書き込まれる。

関連分野においては公知であるように照明光学系を、照明システム１０２に収容できることは明らかである。また関連分野においては公知であるようにＳＬＭ光学系１０８及び投影光学系１１０が、ＳＬＭ１０４及び／又は対象１１２の所望の領域上に光を指向させるために必要とされる光学的な要素のあらゆる組合せを含めることも明らかである。

択一的な実施形態においては、照明システム１０２及びＳＬＭ１０４の内の一方又は両方がそれぞれ制御装置１１４、１１６と接続されているか、それぞれ一体的な制御装置１１４、１１６を有する。制御装置１１４はリソグラフィシステム１００からのフィードバックを基礎とする照明源１０２の調節又は較正の実行に使用できる。制御装置１１６もまた調節及び／又は較正に使用できる。択一的に、上述したように、露光される対象１１２に使用されるパターンを生成するために、制御装置１１６をＳＬＭ１０４におけるアクティブデバイス（例えばピクセル、ミラー、ロケーションなど）３０２（図３を参照されたい）のＯＮ及びＯＦＦの切換に使用できる。制御装置１１６は一体的なメモリを有することができるか、１つ又は複数のパターンを生成するために使用される所定の情報及び／又はアルゴリズムを有するメモリ素子（図示せず）と接続することができる。

図２は本発明の別の実施形態によるマスクレスリソグラフィシステム２００を示す。マスクレスリソグラフィシステム２００は照明源２０２を含み、この照明源２０２は光をパターニングするためにＳＬＭ２０４（例えば透過性のＬＣＤなど）を介して光を送出する。パターニングされた光は対象２１２の表面にパターンを書き込むために投影光学系２１０を介して送出される。この実施形態においてはＳＬＭ２０４は例えば液晶ディスプレイなどのような透過性のＳＬＭである。上記と類似して、照明源２０２及びＳＬＭ２０４の内の一方又は両方をそれぞれ制御装置２１４、２１６と接続することができるか、照明源２０２及びＳＬＭ２０４の内の一方又は両方は一体的な制御装置２１４、２１６を有する。制御装置２１４及び２１６は上述したように、また公知のように制御装置１１４及び１１６と同様の機能を実行することができる。

システム１００又は２００において使用できるＳＬＭの例はMicronic Laser Systems AB of Sweden及びFraunhofer Institute for Circuits and System of Germanyによって製造されている。

単に便宜上の理由から、以下ではシステム１００のみを参照する。しかしながら当業者には明らかであるように、以下で説明する全てのコンセプトはシステム２００にも適用できる。

図３は、ＳＬＭ１０４のアクティブ領域３００の詳細を示す。アクティブ領域３００は（図面における点によって表されている）アクティブデバイスのアレイを含む。アクティブデバイス３０２はＤＭＤにおけるミラーか、ＬＣＤにおけるロケーションでよい。アクティブデバイス３０２は関連分野においては公知のように、ピクセルと称することもできる。アクティブデバイス３０２の物理的な特性を調節することによって、これらのアクティブデバイス３０２をＯＮ又はＯＦＦとみなすことができる。所望のパターンを基礎とするディジタル又はアナログの入力信号は種々のアクティブデバイス３０２をＯＮ及びＯＦＦに切り換えることに使用される。ある実施形態においては、対象１１２に書き込まれる目下のパターンを検出することができ、パターンが許容可能な公差を超えているか否かを判断することができる。許容可能な公差を超えている場合には、制御装置１１６はＳＬＭ１０４によって生成されるパターンをリアルタイムで良好に合わせる（例えば較正、調節など）ためにアナログ又はディジタルの制御信号を生成することに使用できる。

図４はＳＬＭ１０４の更なる詳細を示す。ＳＬＭ１０４はアクティブ領域３００を包囲する非アクティブのパッケージ４００を含むことができる。また択一的な実施形態においては、ＳＬＭアレイの監視及び制御のために、主制御装置４０２を各ＳＬＭ制御装置１１６と接続することができる（以下参照）。以下で述べるように、隣接するＳＬＭを別の実施形態においては相互に考慮してずらす又は互い違いに置くことができる。

空間光変調器アレイのコンフィギュレーション
図５はＳＬＭ１０４のアレイを受ける支持デバイス５０２を含むアセンブリ５００を示す。種々の実施形態では、以下においてより詳細に説明するように、ＳＬＭ１０４のアレイはパルス毎の所望の露光数又はユーザの他の判定基準に基づいて可変数の列、行、列毎のＳＬＭ、行毎のＳＬＭなどを有することができる。ＳＬＭ１０４を支持デバイス５０２と接続することができる。支持デバイス５０２は関連分野においては公知のように熱制御領域５０４（例えば水又は空気の流路など）、制御ロジック及び関連する回路部品のための領域（例えば図４に示されているような、ＡＳＩＣ、Ａ／Ｄ変換器、Ｄ／Ａ変換器、データを流すためのファイバ光学系などの素子１１６及び素子４０２を参照されたい。）及びＳＬＭ１０４を受けるウィンドウ５０６（破線の内部に形成されている）を有する。支持デバイス５０２、ＳＬＭ１０４及び周辺の冷却装置又は制御装置をアセンブリと称す。アセンブリ５００は先行ＳＬＭと追従ＳＬＭについての所望のステッチ（例えば対象１１２におけるフィーチャの隣接する要素の接続）及びオーバーラップを生成するためのステップサイズを考慮することができる。例えば、支持デバイス５０２は２５０ｍｍ×２５０ｍｍ（１２インチ×１２インチ）又は３００ｍｍ×３００ｍｍ（１０インチ×１０インチ）でよい。支持デバイス５０２は温度安定材料から製造されているので熱管理に使用することができる。

支持デバイス５０２を、ＳＬＭ１０４の空間制御を保証する機械的なバックボーンとして、また回路部品及び熱制御領域５０４を組み込むために使用することができる。あらゆる電子機器を支持デバイス５０２の後部及び前部の一方又は両方に取り付けることができる。例えば、アナログベースのＳＬＭ又は電子機器を使用する場合には、ワイヤを制御システム又は結合システム５０４からアクティブ領域３００まで接続することができる。支持デバイス５０２上に取り付けられているのでこれらのワイヤは比較的短くて良く、回路装置が支持デバイス５０２によって遠隔制御される場合に比べてアナログ信号の減衰を低減する。回路部品とアクティブ領域３００との間のリンクが短いということは通信速度を上昇させ、したがってパターン再調整速度をリアルタイムで上昇させる。

ある実施形態ではＳＬＭ１０４又は回路部品における電気装置が消耗された場合には、アセンブリ５００を容易に交換できる。アセンブリ５００の交換はアセンブリ５００におけるただ１つのチップの交換よりも費用がかかるが、実際には組立体５００全体を交換する方が容易且つ迅速であり、これにより製造費用を節約することができる。また最後のユーザが一新されたアセンブリ５００を使用したい場合には交換部品の数の低減を考慮して、アセンブリ５００一新することができる。アセンブリ５００が交換されたならば、製造を再開する前にただ一度の全体のアラインメントの検査が必要とされる。ある実施形態においては、フィールド交換の間にアセンブリ５００の反復的な機械的アラインメントを考慮するために運動学的なマウンティング法を使用できる。これによりアセンブリ５００のあらゆる光学的な調節は必要とされなくなる。

図６、図７、図８、図９及び図１０には、対象１１２の１つの露光領域が、ＳＬＭアレイのセクションによってどのようにパターニングされるのかが示されている。従って、これらの図は、ＳＬＭアレイのセクションが対象１１２の１つの露光領域の透視画法による露光領域からどのように見えるかを示している。

図６及び図７には、ＳＬＭ１０４のアレイのセクション６５０及び７５０がどのように露光領域６６０及び７６０内にそれぞれ照射されるのかをあらわす択一的な実施例が示されている。セクション６５０及び７５０は両方とも、相当する２つのＳＬＭ１０４をそれぞれ有する４つの列を有している。従って、セクション６５０及び７５０は、相当する８つのＳＬＭを有している。１つの列内のＳＬＭ１０４は、隣接する列内のＳＬＭ１０４に関してずらされている。各列は、アクティブ領域３００の半分の幅離されている。

ある実施例では、アクティブ領域３００は４. ８ｍｍ×３０ｍｍであり、各アクティブデバイス３０２は約６μｍ×６μｍである。これによって約１５０倍の倍率が生じる。この実施例で、ＳＬＭ１０４が全体で約４メガピクセルである場合（例えば４０９６個のアクティブデバイス３０２×１０２４個のアクティブデバイス３０２）、各セクション６５０又は７５０は約７９７μｍ×２４０μｍであり、各露光領域６６０又は７６０は約１２０ｍｍ×３６ｍｍである。

この実施例では、約４. ８ｎｍのステップサイズがＳＬＭ面での光パルス間にあり、３４μｍのステップが対象面での露光期間の間にある。対象１１２は、ほぼ１２８ｍｍ／秒で矢印Ａの方向に動く。照明源のデータリフレッシュレート及び／又はパルスレートは約４ｋＨｚである。これらのパラメータによって、１時間あたり約５ウェハ（ｗｐｈ）までの予測されるスループットが可能である。従って、対象のスピードが１つの光パルスにつき移動される約１つのアクティブ領域幅である場合、各露光領域６６０及び７６０は、対象１１２の各スキャン期間中に２つの光パルスを受光する。

図８には、領域８６０を露光するために書き込まれるセクション８５０を有するＳＬＭ１０４のアレイの別の実施例が示されている。セクション８５０は、４つのＳＬＭ１０４をそれぞれ有している８つの列を含む。従ってセクション８５０は３２個のＳＬＭ１０４を有している。１つの列内のＳＬＭ１０４は、隣接している列内のＳＬＭ１０４に関してずらされている。各列は、アクティブ領域３００の半分の幅離されている。

ある実施例でアクティブ領域３００は、約８. １９２ｍｍ×３２. ７６８ｍｍであり、各アクティブデバイス３０２は約６μｍ×６μｍである。これによって約４００倍の倍率が生じる。この実施例では、ＳＬＭ１０４が全体で約１メガピクセルである（例えば２０４８個のアクティブデバイス３０２×５１２個のアクティブデバイス３０２）場合、各セクション８５０は、約５６７. ５μｍ×３４４μｍであり、各露光領域８６０は約２２７ｍｍ×１３７. ２ｍｍである。

この実施例では、約１６.４ｍｍのステップサイズがＳＬＭ面での光パルス間に存在し、約４３. ５２μｍのステップが対象面での露光期間の間に存在する。対象１１２は、ほぼ４０. ９６ｍｍ／秒で矢印Ｂの方向に動く。照明源のデータリフレッシュレート及び／又はパルスレートは約１ｋＨｚである。これらのパラメータによって、約１. ２ｗｐｈまでの予測されるスループットが可能である。従って、対象のスピードが１つの光パルスについて移動する約２つのアクティブ領域の幅である場合、各露光領域８６０は、対象１１２の各スキャン期間の間に光の２つの光パルスを受ける。択一的な実施例では、対象のスピードが１つの光パルスに対して移動される約１つのアクティブ領域幅である場合、各露光領域８６０は、対象１１２の各スキャン期間の間に４つの光パルスを受ける。

図９には、露光領域９６０に書き込むセクション９５０を有するＳＬＭ１０４のアレイの別の実施例が示されている。セクション９５０は、６つの列を有している。この列は交互に３つ又は４つのＳＬＭ１０４を有している。従ってセクション９５０は１４個のＳＬＭ１０４を有している。１つの列内のＳＬＮ１０４は、隣接する列内のＳＬＭ１０４に関してずらされている。各列は１つのアクティブ領域の１つの幅間隔が離して空けられている。

ある実施例でアクティブ領域３００は、約８. １９２ｍｍ×３２. ７６８ｍｍであり、各アクティブデバイスは３０２は約６μｍ×６μｍである。これによって約４００倍の倍率が生じる。この実施例では、全体ＳＬＭ１０４が約１メガピクセル（例えば２０４８個アクティブデバイス３０２×５１２個のアクティブデバイス）である場合、各セクション９５０は約５６７. ５μｍ×３４４μｍであり、各露光領域９６０は約２２７ｍｍ×１３７. ２ｍｍである。

この実施例では、約８. ２ｍｍのステップサイズがＳＬＭ面での光パルス間に存在し、約２１. ７６μｍのステップが対象面での露光期間の間に存在する。対象１１２は、ほぼ１Ｋｈｚ又は２０. ４８ｍｍ／秒で矢印Ｃの方向に動く。これらのパラメータによって、約. ６ｗｐｈまでの予測されるスループットが可能である。従って、対象のスピードが光パルスにつき移動する１つのアクティブ領域幅である場合、各露光領域９６０は、対象１１２の各スキャン期間の間に２つの光パルスを受光する。

図１０には、露光領域１０６０に書き込まれるセクション１０５０を有するＳＬＭ１０４のアレイの別の実施例が示されている。セクション１０５０は、４つのＳＬＭ１０４をそれぞれ有している２つの列を含む。従ってセクション１０５０は８つのＳＬＭ１０４を有している。１つの列内のＳＬＮ１０４は、隣接する列内のＳＬＭ１０４に関してずらされている。各列はアクティブ領域の半分の幅ずつ離されている。

ある実施例では、アクティブ領域３００は約４. ５ｍｍ×３６ｍｍであり、各アクティブデバイスは３０２は約６μｍ×６μｍである。これによって約１５０倍の倍率が生じる。この実施例では、全体ＳＬＭ１０４が約４メガピクセル（例えば６０００個のアクティブデバイス３０２×７５０個のアクティブデバイス３０２）である場合、各セクション１０５０は約１５９３μｍ×９６μｍであり、各露光領域１０６０は約２３９ｍｍ×１４ｍｍである。

この実施例では、約４. ５ｍｍのステップサイズがＳＬＭ面での光パルス間に存在し、約３１. ５μｍのステップが対象面での露光期間の間に存在する。対象１１２はほぼ６４ｍｍ／秒で矢印Ｄの方向に動く。照明源のデータリフレッシュレート及び／又はパルスレートは、約４ｋＨｚである。これらのパラメータによって、約５. １ｗｐｈまでの予測されるスループットが可能である。従って、対象のスピードが約１つの光パルスにつき移動する半分のアクティブ領域の幅である場合、各露光領域１０６０は対象１１２の各スキャン期間中に２つのパルス又は光を受ける。

空間光変調器に対する露光ダイヤグラム
図１１には、セクション毎に４つのＳＬＭ１０４を有している、アレイの３つのセクション１１５０に対する露光ダイヤグラムの例が示されている 。これらは５つの光パルスの間に対象１１２上の露光領域１１６０の同じ行に書き込む。セクション１１５０−１及び１１５０−３はＳＬＭの第１の（例えば先行する）組の一部であり、セクション１１５０−２は、ＳＬＭの第２の（追従する）組であり得る。この露光ダイヤグラムは透視画法による、対象１１２から示されている。これは矢印の方向に、光パルス毎にアクティブ領域３００の２つの幅の相当するステップで動く。パルス１の間にアレイは、オーバーラップされていない対象１１２を有する。パルス２の間に、第１のセクション１１５０−１内にＳＬＭ１０４に対するアレイによって形成されたパターンは、第１の露光領域１１６０−１に書き込まれる。パルス３の間に、同じ又は異なるパターンが露光領域１１６０−１に、セクション１１５０−２によって書き込まれ、同じ又は異なるパターンが露光領域１１６０−２に、セクション１１５０−１によって書き込まれる。従ってセクション１１５０−２内の追従組は、セクション１１５０−１内の先行組より時間的に遅れて同じ露光領域１１６０−１上に書き込む。この一般的な露光プロセスは、図示されているようにパルス４及び５に対して繰り返される。

これは、マスクレスリソグラフィシステムにおいてＳＬＭ１０４のアレイを用いて行われる露光プロセスの非常にシンプルな例であると理解されたい。ＳＬＭ１０４のアレイの使用が、各スキャン期間中の各露光領域１１６０における複数の露光をどのように考慮するのかが示されている。これによって１つのＳＬＭを使用する従来のシステムに比べてスループットが向上される。

作動
この実施例において、各ＳＬＭ１０４がアップデートされたパターンデータを受け取るあいだ、光は対象１１２を横切ってスキャンされる。この結果、スキャニングが行われているときに、複数のＳＬＭ１０４から反射する複数のパルスが生じる。各方向において、ＳＬＭ１０４の第１の組（先行組）が第１のパルスを方向付け、ＳＬＭ１０４の第２の組（追従組）が第１の組の後に到来し、第２のパルスを方向付ける（追従ＳＬＭ）。ここからあらゆる時点で単一のパルスが可変パターンプロファイルによってＳＬＭ１０４上に向けられ、可変パターンを対象１１２へ書き込む。

例えばパルス間の持続時間に、対象１１２はアクティブ領域３００の全幅又は幅の一部分ステップ移動される。その後、３−４パルス後で、追従ＳＬＭ１０４が３−４パルス前に先行ＳＬＭ１０４によってプリントされたものにオーバーラップする。従って、システム１００は継続的に又は周期的にパターンをアップデートする。これによってＳＬＭ１０４による複数のパスの間でのプリントが考慮される。またここでは対象１１２を継続的に動くように保ち、対象１１２を横切る１つの通過のみが行われるようにする。

本質的にシステム１００は、複数のＳＬＭ１０４を用いて１つの通過の間に複数のパターンを露光することを考慮する。ステッチ、又は他の作用を考慮するために、先行ＳＬＭ１０４及び追従ＳＫＭ１０４によって形成されたパターンの完全なオーバーラップ、半分のオーバーラップ等がある。

上述した本発明の種々異なる実施例の幾つかの特徴は、以下のことを考慮する、すなわち：ウェハを連続的に動かすように維持するあいだの各ドーズを搬送するパルスの数に関するプロセスの柔軟性、先行ＳＬＭと追従ＳＬＭの間のジオメトリック関係を事前に定めることによるパターンラスタ化に対する容易なアルゴリズム開発、他のＳＬＭ上の対応するピクセルによって補償されるあるＳＬＭ上のデッドピクセル、及び複数のＳＬＭのアレイを、僅かな電力の機械的、空気式冷却接続及び迅速な光学調整のみを有する、シングルメカニカルユニット上でフィールド交換することができるメカニズムである。

アセンブリ５００のジオメトリックレイアウト（例えばＳＬＭ１０４間のスペース）は、以下のものの関数である。すなわち：各ＳＬＭ１０４上のアクティブ領域３００、各ＳＬＭ１０４に対するパッケージング４００によって占められる領域、それぞれの露光領域へのそれぞれのドーズを搬送するのに必要なパルスの数、得られる最大対象ステージスピード及び投影光学系１１０におけるレンズの最大直径である。

ある実施例では各露光領域に対する露光量は、同じＳＬＭアレイレイアウトを用いて、対象ステージスキャンスピードを半分にするだけで、係数２ずつ上昇される（すなわち２, ４, ８, １６等）。スキャンスピードは一定に保たれるべきであり、ＳＬＭ１０４間のジオメトリック関係によって定められる。先行ＳＬＭ１０４と追従ＳＬＭ１０４の間のオーバーラップ量は、使用されているステッチング方法全体に依存する。これに対する異なった実施例は、完全なオーバーラップ、半分のオーバーラップ、シフトされたオーバーラップを含む（例えば完全又は半分のオーバーラップでは追従ＳＬＭ１０４上のピクセルが、先行ＳＬＭ１０４と比較してピクセルのＸ及びＹにおける部分によってオフセットされる。先行ＳＬＭと追従ＳＬＭとの間のこの間隔は、ステッチングオーバーラップを加えた露光のアクティブ領域幅の約可能な最小マルチプルであり、ＳＬＭの物理的なパッケージとコンパチブルである。

ドーズ及び均一性制御システム及び監視使用方法。

図１２には、本発明の実施例に相応して、ドーズ及び／又は複数のＳＬＭパターン形成アレイの均一性を制御するシステム１２００が示されている。ＳＬＭ１０４の制御は、制御装置１２０４を用いた強度の測定値１２０２に基づく（例えば先行パターン形成ＳＬＭに対するドーズ／均一性マニピュレータである（高透過測定）。制御装置１２０４は、先行ＳＬＭ１０４が露光される時点で先行ＳＬＭ１０４を測定する。この測定値は所定の値１２０６（例えば先行ＳＬＭにおける目標／ドーズ均一性値）から、減算器１２０８を用いて減算され、エラー信号１２１０（例えば先行ＳＬＭ１０４におけるドーズ／均一性エラー）が生成される。エラー信号１２１０は、遅延デバイス１２１２を用いて遅延される。この遅延デバイスは遅延信号１２１４を受信する。遅延信号１２１４は、ＳＬＭアレイの先行パルスと追従パルスとの間のパルス数に基づく。遅延された信号１２１２は、加算器１２１８を用いて所定の値１２１６（例えば追従ＳＬＭにおける目標ドーズ／均一性値）に加えられ、制御信号１２２０を生成する。制御装置１２２２は、制御信号１２２０を受信する。この制御信号は、追従パターン形成ＳＬＭ１０４に対するドーズ／均一性マニピュレータであり得る。制御装置１２２２は、低透過制御可能である。

制御されるＳＬＭ１０４が充分なゾーンを有している場合に、これは、先行パルスの間のビームにおける不均一性を補償するために、追従ＳＬＭ１０４に対する露光のレベルに沿って光度を変えるのにも使用される。１つの「第２パルス」によってオーバーラップされる２つの「第１パルス」を生じさせるステッチを適応させるために、追従部分はさらに、適切なコレクションによって命令されるバンドに細分化される。追従ＳＬＭ１０４におけるショットエネルギーは、ステッチが完成されるように選択される。

先行パルス間のドーズの変化を、追従パルスからの誘発されたエラーを心配することなく補償するために、先行パルス内のエネルギーを追従パルスより格段に高くすることができる。２パルスシステムに対する例として、先行ＳＬＭ１０４には９０％のドーズ、追従ＳＬＭ１０４には１０％のドーズの割合が予測される。これは追従ＳＬＭ１０４上のドーズにおけるエラーは、先行ＳＬＭ１０４上のドーズにおけるエラーより９倍低いことを意味する。例を続けると、所定の先行ＳＬＭ１０４組上のドーズが、通常の９０％の代わりに８５％で測定された場合、適切なパルスの間での追従ＳＬＭ１０４の減衰が、通常の１０％のドーズの代わりに、１５％のドーズが許容されるように設定される。

ＳＬＭ１０４は、ビームの２つの側をカバーするように構成されている。これによって、露光スキャン方向における反転（これは先行ＳＬＭ１０４と追従ＳＬＭ１０４を反転させる）、また先行ＳＬＭ１０４に対する透過及び均一性におけるオフセットの修正が考慮される。

この概念は容易に、単一ＳＬＭシステム又はあらゆる機能性マルチＳＬＭアレイに拡張可能であり、ドーズを供給するために、ウェハのポイントあたり２つ又はそれ以上のパルスが加えられる、リソグラフィック印刷方法において使用可能であることを理解されたい。これはデリバードーズに加えられるウェハ上の２つ又はそれ以上のパルスを有する。この実施例に対する１つの利点は、従来のリソグラフィックレーザを使用する直接書き込み式リソグラフィックシステムにおいて、ドーズ制御を改善することができることである。これは比較的低いパルス・ツー・パルスエネルギー強度変動及び均一性パフォーマンスを有する。

ドーズ制御システム及び修正ブランケットドーズ使用方法
マスクレスリソグラフィでは、非常に限定された数のレーザパルスがレジストを露光するのに用いられる。これはマスクレスリソグラフィツールにおいて応分のスループットを維持する。例えばレジストを露光するレーザフラッシュの数はウェハ上のそれぞれの側で２〜４に限られている。通常に使用されているエキシマレーザのドーズ反復性は、典型的に１〜３％１σである。また必要な露光ドーズは０. ５％３σ内である必要がある。これを監視しない場合、結果として不適切なドーズ変化が結果として生じてしまう。

本発明の実施例は３つ又は４つのレーザフラッシュ（露光）を使用している。ここでは最後のパルスは、レジストを露光するのに必要な総ドーズの量の僅かな（例えば５％）部分のみを含む。システム及び方法の例は、ＷＯ９９／４５４３５に見られるが、本発明の実施例は、このシステムを越える幾つかの利点を有している。これは例えば実質的にスループットの損失がないこと、及び製品製造コストが非常に僅かにしか上昇しないことである。

本発明の実施例は、ドーズをレーザフラッシュに分割する。これによって最後のフラッシュは、総ドーズ量の僅かな部分、例えば５％しか搬送しない。最初の２つ又は３つのドーズの測定は、最後のパルスにおけるドーズを定める。

ある実施例では、最後の露光は完全なパターニング情報を有している。この場合、このような情報を形成するためにデータパスが完全にロードされる必要がある。さらに従来のシステムで行われてきたように露光が連続的に搬送される場合、最後の露光はツールのスループットを著しく低減させる。他の実施例では最後の露光は、以下に記載するように、実質的にパターニング情報を有していない。

従って、本発明の実施例は最後の露光を、先行する露光におけるドーズエラーを修正するために供給する。最後の露光は、ブランケット露光として搬送される。これは、最後の露光がいかなるパターン情報も含んでいないことを意味する。従って最後の露光は広範囲の（従って高価な）データパスを必要としない。

図１３には、本発明の実施例に相応する方法１３００をあらわすフローチャートが示されている。ステップ１３０２では、ＳＬＭの第１の組が、第１のパルス内に供給されたドーズを測定する。ステップ１３０４では、ＳＬＭの第２の組が、第２のパルス内に供給されたドーズを測定する。ステップ３０６ではドーズエラーが計算される。ステップ１３０８では、修正ブランケットドーズが計算される。ステップ１３１０では、修正ブランケットドーズがＳＬＭの最終組を通じて加えられる。

図１４には、２１個のＳＬＭを有しているＳＬＭレイアウトが示されている。ＳＬＭは３つの異なった露光時間での３つのショット１４０２、１４０４及び１４０６を形成する。この構成において、投影光学系におけるレンズ（図示されていない）は、約２７１ｍｍの直径を有している。

図１５には、２４個のＳＬＭを有しているＳＬＭレイアウトが示されている。ＳＬＭは３つの異なった露光時間での、３つのショット１５０２、１５０４及び１５０６を形成する。この構成において、投影光学系におけるレンズ（図示されていない）は、約３０２ｍｍの直径を有している。

図１４及び図１５の提案されたレイアウトにおいて、全ての３つの露光（１４０２−１４０６又は１５０２−１５０６）は、単一露光フィールド内で行われる。ウェハ上の各ポジションでドーズが順次に搬送される。例えば図１５においてパルスＮが第１のドーズを搬送する場合、ＳＬＭアレイの精密なレイアウトに依存してパルスＮ＋３, Ｎ＋４, Ｎ＋５又はＮ＋６が、第２のドーズを搬送する。すなわち、シングルＳＬＭサイズのフィールドは、４つの可能な異なったドーズを受ける。第３ショット（列）１４０６／１５０６内のＳＬＭは、４つの異なった修正ドーズを供給する。露光１４０２／１５０２及び１４０４／１５０４は２つとも、完全なデータ情報を有している。これはＳＬＭ列１４０２／１５０２及び１４０４／１５０４が拡張データパスに接続されていることを意味する。

データパスは、マスクレスリソグラフィツールの最も高価なコンポーネントのうちの１つである。従来のシステムでは、最終ショットを付加することでコストがさらに上昇した。なぜならこれはデータパスに約５０％を加えるからである。このような付加的なコストを回避するために、本発明の実施例は最終ＳＬＭ列１４０６／１５０６によるブランケット露光を加える。これは、最後の露光がパターンデータを含んでいないことを意味する。目的は、付加的な背景を制御して加えることである。「パターン」のみがＳＬＭ上にある。なぜならこれは、ＳＬＭフィールド内の可能な４つの異なるドーズを修正するのに必要だからである。しかしこれは非常に限られた電子量しか必要としない、非常にシンプルなパターンである。

架空イメージをｆ（ｘ）とし、レジスト限界値をｔｈとする。露光されるレジストと露光されないレジストとの間の境界Ｘ_ｔｈは、
ｆ（ｘ_ｔｈ）＝ｔｈ. （１）
によってあらわされる。

ここで搬送されたドーズは、ファクタｂだけ理想ドーズから偏差していると想定する、すなわち
ｄｅｌｉｖｅｒｅｄ＿ｄｏｓｅ（ｘ）＝ｂｆ（ｘ）．（２）
（１）がもはや保たれないのは明らかである。（１）内で定められた条件を再生するために、（１−ｂ）ｔｈを（２）に加える。これによって：
ｄｏｓｅ（ｘ）＝ｂｆ（ｘ）＋（１−ｂ）ｔｈ＝ｔｈ＋ｂ（ｆ（ｘ）−ｔｈ）．（３）
が得られる。

ここでｄｏｓｅ（ｘ_ｔｈ）＝ｔｈによって、
ｔｈ＋ｂ（ｆ（ｘ_ｔｈ）−ｔｈ）＝ｔｈ. （４）
これは（１）を暗に示している。従って修正背景ドーズは：
Ｄ＝（１−ｂ）ｔｈ. （５）
によって示される。

これは実際のパターンに依存しない。これはｂの全ての値に対して維持される。しかしわれわれのケースでは、ｂは０に近いが０ではない。例として、最初の２つの露光でのドーズは９６％であり、最後では名目上４％である。この場合にｂは０. ９６である。ドーズ修正方法は、上述したように、露光ラチチュードにわずかなネガティブな影響を有している。露光ラチチュードは、レジスト限界値での架空イメージのスロープによってあらわされる：

再び、ドーズが理想ドーズからファクタｂだけ偏差していると想定する。この場合にＳは、

によって示される。

従って露光ラチチュードは、ファクタ１−ｂだけ低下される。上述の実施例では、この低下は４％である（例えば１０％から９. ６％）。露光ラチチュードのこのような減少を示すことを見込むエラーは吸収される。しかし有利な実施例では、修正ドーズは、できるだけ小さく保たれる。

本発明の種々異なる実施例を示したが、これらは例として示しただけであって、本発明を制限するものではないことを理解されたい。当該関連分野の当業者には、本発明の概念及び範囲を逸脱することなく、形式及び細部において種々の変更が可能であることが明らかであろう。従って、本発明の領域及び範囲は、上述したいかなる実施例によっても制限されるものではなく、添付した特許請求の範囲及びそれに相当するものに従ってのみ規定される。

本発明の実施形態による反射性の空間光変調器を有するマスクレスリソグラフィシステムを示す。 本発明の実施形態による透過性の空間光変調器を有するマスクレスリソグラフィシステムを示す。 本発明の実施形態による空間光変調器を示す。 図３における空間光変調器の詳細を示す。 本発明の実施形態による空間光変調器の２次元アレイを示す。 本発明の実施形態による空間光変調器の２次元アレイを示す。 本発明の実施形態による空間光変調器の２次元アレイを示す。 本発明の実施形態による空間光変調器の２次元アレイを示す。 本発明の実施形態による空間光変調器の２次元アレイを示す。 本発明の実施形態による空間光変調器の２次元アレイを示す。 本発明の実施形態による照明源からの光の一連のパルスに関する露光ダイヤグラムを示す。 本発明の実施形態によるドーズ及び／又は複数のＳＬＭパターン形成アレイの均一性を制御するシステム１２００を示す。 本発明の実施形態による方法を表すフローチャートである。 本発明の実施形態による空間光変調器の２次元アレイを示す。 本発明の実施形態による空間光変調器の２次元アレイを示す。

符号の説明

１００、２００ マスクレスリソグラフィシステム、 １０２ 照明システム、 １０４、２０４ ＳＬＭ、 １０６ ビームスプリッタ、 １０８ ＳＬＭ光学系、 １１０、２１０ 投影光学系、 １１２、２１２ 対象、 １１４、１１６、２１４、２１６、１２０４、１２２２ 制御装置、 ２０２ 照明源、 ３００ アクティブ領域、 ３０２ アクティブデバイス、 ４００ 非アクティブなパッケージ、 ４０２ 主制御装置、 ５００ アセンブリ、 ５０２ 支持デバイス、 ５０４ 熱制御領域、 ６５０、 ７５０、８５０、９５０、１０５０、１１５０ ＳＬＭアレイのセクション、 ６６０、７６０、８６０、９６０、１０６０、１１６０ 露光領域、 １２０８ 減算器、 １２１０ エラー信号、 １２１２ 遅延デバイス、 １２１４ 遅延信号、 １２２０ 制御信号、 １４０２、１４０４、１４０６、１５０２、１５０４、１５０６ ショット

Claims (39)

1. マスクレスリソグラフィシステムであって、
   照明システムと；
   対象と；
   空間光変調器（ＳＬＭ）と；
   制御装置を有しており、
   前記空間光変調器は、光が対象によって受光される前に、前記照明システムからの光をパターニングし、
   前記ＳＬＭは、ＳＬＭの先行組とＳＬＭの追従組を含み、
   当該先行組及び追従組内のＳＬＭは、前記対象のスキャン方向に基づいて変化し、
   前記制御装置は、光パルス期間情報、ＳＬＭに関する物理的レイアウト情報、及び対象のスキャニングスピードのうちの少なくとも１つに基づいて制御信号をＳＬＭに送信する、
   ことを特徴とするマスクレスリソグラフィシステム。
2. 前記対象は半導体ウェハである、請求項１記載のシステム。
3. 前記対象はガラス基板である、請求項１記載のシステム。
4. 前記ガラス基板は液晶ディスプレイの一部である、請求項１記載のシステム。
5. ビームスプリッタを有しており、当該ビームスプリッタは光源からの光をＳＬＭへ向け、ＳＬＭからの光を対象に向け、
   前記ＳＬＭは反射ＳＬＭである、請求項１記載のシステム。
6. 前記ＳＬＭは透過ＳＬＭである、請求項１記載のシステム。
7. 前記ＳＬＭは液晶ディスプレイである、請求項１記載のシステム。
8. ビームスプリッタを有しており、当該ビームスプリッタは光源からの光をＳＬＭへ向け、ＳＬＭからの光を対象に向け、
   前記ＳＬＭはディジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）である、請求項１記載のシステム。
9. ＳＬＭへの制御信号は、単一スキャンの間の、前記対象の同じ領域の１回より多い少なくとも部分的な露光を考慮する、請求項１記載のシステム。
10. 前記ＳＬＭは所定の間隔離れて配置されており、
    １つより多いＳＬＭは、制御信号に基づいた前記対象の連続運動の間に生じるパルスに対して、前記対象上の露光領域を露光する、請求項１記載のシステム。
11. 前記ＳＬＭは２次元アレイで構成されている、請求項１記載のシステム。
12. 前記複数のＳＬＭのうちの第１のＳＬＭの第１のエッジは、複数のＳＬＭのうちの隣接する第２のＳＬＭの第２のエッジと同じ平面に位置する、請求項１記載のシステム。
13. 前記ＳＬＭは、隣接するＳＬＭに関してずらされている、請求項１記載のシステム。
14. 前記対象上の同じ露光領域に書き込むＳＬＭの組は、ＳＬＭの４つの列を含む、請求項１記載のシステム。
15. 前記列はアクティブ領域の半分離れて配置されている、請求項１４記載のシステム。
16. 各ＳＬＭは非アクティブ領域を有しており、１つのＳＬＭの非アクティブ領域の頂部は、隣接する１つのＳＬＭの非アクティブ領域の底部とアライメントされている、請求項１４記載のシステム。
17. 各列は２つのＳＬＭを有している、請求項１４記載のシステム。
18. 各列は４つのＳＬＭを有している、請求項１４記載のシステム。
19. 前記対象上の露光領域は、前記照明システムの各パルスの間に、ＳＬＭの２つのアクティブ領域にほぼ等しい距離を動く、請求項１４記載のシステム。
20. 対象上の同じ露光領域に書き込むＳＬＭの組は、ＳＬＭの６つの列を含む、請求項１記載のシステム。
21. １つのＳＬＭの非アクティブ領域の頂部は、別の１つのＳＬＭの隣接する非アクティブ領域の底部とアライメントされている、請求項２０記載のシステム。
22. 各列は４つのＳＬＭを含む、請求項２０記載のシステム。
23. 前記列はアクティブ領域の半分離れて配置されている、請求項２０記載のシステム。
24. 前記列は１つのアクティブ領域離れて配置されている、請求項２０記載のシステム。
25. 対象上の同じ露光領域に書き込むＳＬＭの組は、ＳＬＭの２つの列を含む、請求項１記載のシステム。
26. １つのＳＬＭの非アクティブ領域の頂部は、別のＳＬＭの隣接する非アクティブ領域の底部とアライメントされている、請求項２５記載のシステム。
27. 各列は４つのＳＬＭを含む、請求項２５記載のシステム。
28. 前記列はアクティブ領域の半分離れて配置されている、請求項２５記載のシステム。
29. 前記対象上の露光領域は、前記照明システムの各パルスの間に、ＳＬＭの１つのアクティブ領域にほぼ等しい距離を動く、請求項２５記載のシステム。
30. 前記ＳＬＭは、２次元アレイで支持デバイスに結合されている、請求項１記載のシステム。
31. 前記支持デバイスは、当該支持デバイスを通って延在する冷却路を含む、請求項３０記載のシステム。
32. 前記支持デバイスは制御回路を含む、請求項３０記載のシステム。
33. 各ＳＬＭは、
    アクティブ領域セクションと；
    パッケージセクションを有している、請求項１記載のシステム。
34. 前記パッケージセクションは、アクティブ領域内のデバイスを制御する制御回路を含む、請求項３３記載のシステム。
35. 前記制御回路は制御装置から制御信号を受信する、請求項３４記載のシステム。
36. マスクレスリソグラフィにおけるドーズ制御方法であって、
    ＳＬＭからのパルス列において各パルスへ供給されたドーズを測定し；
    前記測定ステップに基づいてドーズエラーを計算し；
    当該ドーズエラーに基づいて修正ブランケットドーズを計算し；
    ＳＬＭの最後の組を用いて当該修正ブランケットドーズを加える、
    ことを特徴とする、マスクレスリソグラフィにおけるドーズ制御方法。
37. マスクレスリソグラフィにおけるドーズ制御方法であって、
    ＳＬＭの先行組からのドーズの強度を測定し；
    所定の値から、前記測定された強さを減算してエラー信号を生成し；
    当該エラー信号を遅延させ；
    遅延された信号を別の所定の値に加えて制御信号を生成し；
    当該制御信号を用いて、ＳＬＭの追従組からのドーズを制御する、
    ことを特徴とする、マスクレスリソグラフィにおけるドーズ制御方法。
38. 対象上の同じ露光領域に書き込むＳＬＭの組は、ＳＬＭの６つの列を含む、請求項１記載のシステム。
39. 対象上の同じ露光領域に書き込むＳＬＭの組は、ＳＬＭの８つの列を含む、請求項１記載のシステム。

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