KR100643500B1 - 레티클 마스킹장치를 갖는 반도체 제조용 스캔 설비 - Google Patents

레티클 마스킹장치를 갖는 반도체 제조용 스캔 설비 Download PDF

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KR100643500B1 KR1020050043415A KR20050043415A KR100643500B1 KR 100643500 B1 KR100643500 B1 KR 100643500B1 KR 1020050043415 A KR1020050043415 A KR 1020050043415A KR 20050043415 A KR20050043415 A KR 20050043415A KR 100643500 B1 KR100643500 B1 KR 100643500B1
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Abstract

본 발명은 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 레티클 마스킹 장치를 갖는 반도체 제조용 스캔 설비를 개시한다. 그의 설비는 웨이퍼에 형성된 감광막을 감광시키는 광을 생성하는 광원에서 상기 광을 상기 웨이퍼에 투영시키는 레티클에 소정의 모양으로 상기 광이 입사되는 슬릿을 동력장치의 구동 없이 정전기적으로 형성하고, 상기 레티클에 입사되는 상기 광의 진행 방향에 수직하는 방향으로 이동되는 레티클 스테이지의 이동방향에 대응되도록 상기 슬릿을 무진동으로 이동시키는 레티클 마스킹장치를 포함함에 의해 레티클 마스킹장치의 진동에 기인되는 에러에 의한 노광공정 불량을 방지할 수 있기 때문에 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
레티클(reticle), 스테이지(stage), 레티클 마스킹(reticle masking)장치, 광원(light source), 슬릿(slit)

Description

레티클 마스킹장치를 갖는 반도체 제조용 스캔 설비{Scanner for manufacturing semiconductor device using the reticle masking apparatus}
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 제조용 스캔설비를 개략적으로 나타낸 구성 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 레티클 마스킹장치의 평면도.
도 3은 도 1의 반도체 제조용 스캔설비를 나타낸 다이아 그램.
도 4는 노광 공정 시 레티클 스테이지 또는 웨이퍼 스테이지의 가속 프로파일을 나타내는 그래프.
도 5a 및 도 5b는 웨이퍼 스테이지와 레티클 스테이지의 이동시간에 따른 가속 프로파일과 에러를 나타내는 그래프.
도 5c 및 도 5d는 도 5a 및 도 5b에 나타난 프로파일과 에러를 바탕으로 산출된 MA/MSD 그래프.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100 : 웨이퍼 110 : 광원
120 : 차폐 수단 130 : 광전달 수단
140 : 빔 스플리터 150 : 레티클 마스킹장치
160 : 레티클 170 : 노광 제어부
본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로, 상세하게는 웨이퍼 상에 형성된 감광막을 스캐닝하여 감광시키기 위해 노광 단면을 정의하는 슬릿을 정전기적으로 형성하는 레티클 마스킹장치를 갖는 반도체 제조용 스캔설비에 관한 것이다.
최근 정보 통신 분야의 급속한 발달과, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 대중화에 따라 반도체 설비도 비약적으로 발전하고 있다. 또한, 그 기능적인 면에 있어서 상기 반도체 설비는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구되고 있다. 이에 따라, 상기 반도체 설비의 제조 기술은 집적도, 신뢰도 및, 응답 속도 등을 극대화하는 방향으로 연구 개발되고 있다.
반도체 장치의 제조 기술은 크게 반도체 기판 상에 가공막을 형성하는 증착(deposition)공정과, 상기 증착공정으로 형성된 가공막 상에 피가공막을 형성하여 패터닝 하는 포토리소그래피(photo-lithography) 공정과, 상기 포토리소그래피 공정에 의해 형성된 상기 피가공막을 마스크로 사용하여 상기 가공막을 식각하는 식각 공정과, 상기 피가공막을 이온주입마스크로 사용하여 불순물이온을 주입하는 이온주입공정과, 각종 열처리 공정을 포함하여 이루어진다.
예컨대, 상기 포토리소그래피 공정은 상기 반도체 기판 상에 상기 식각 공정 또는 이온주입공정에 마스크로 사용되는 포토레지스트와 같은 감광막을 구현하고자 하는 모양으로 형성하는 공정으로, 포토레지스트의 도포공정, 소프트 베이크 공정, 에지 노광공정, 사이드 린스 공정, 하드 베이크 공정, 노광 공정 및 현상 공정 등을 포함하여 이루어진다.
또한, 포토리소그래피 공정은 스피너 설비와 노광설비라 일컬어지는 반도체 제조 설비에서 수행되는 되는데, 반도체 제조 공정에서 반도체 장치의 임계치수를 결정하는 필수적으로 요구되는 중요한 공정으로 연구개발이 활발히 진행되고 있다.
여기서, 상기 노광설비는, 상기 포토레지스트를 감광시키기 위한 자외선광 및 X-선(X-ray)광과 같은 광을 생성하는 광원과, 상기 광원으로부터 공급된 광을 소정의 패턴 이미지에 투영시키는 레티클과, 상기 레티클로 상기 광을 전달하고, 상기 레티클을 통해 투영된 광을 축소시키는 대물렌즈를 포함하는 광전달 수단과, 상기 패턴 이미지가 웨이퍼의 해당 위치에 투영될 수 있도록 상기 웨이퍼를 지지하여 정렬하는 웨이퍼 스테이지를 포함하여 이루어진다.
상기 노광설비는 일정 모양으로 반복되는 패턴 이미지에 대응되는 하나의 다이(die)가 한번에 전체 레티클에 투영되는 스텝퍼가 노광공정을 수행토록 사용되었으나, 상기 스텝퍼의 대안적인 수단으로 상기 패턴 이미지를 스캐닝하는 스텝 앤 스캔 노광설비(이하, 스캔설비라 칭함)가 최근에 들어 주로 사용되고 있다.
여기서, 상기 스캔설비는 상기 레티클과 상기 웨이퍼가 서로 평행한 방향으로 이동되면서 상기 대물렌즈와 같은 광전달 수단의 직경에 근접하는 가로길이를 갖는 직사각형 모양의 슬릿을 통과하는 광이 점진적으로 쬐여짐으로서 노광공정이 이루어진다. 이때, 상기 레티클은 레티클 스테이지에 의해 지지되면서 수평 이동되고, 상기 웨이퍼는 웨이퍼 스테이지에 의해 지지되어 상기 레티클과 서로 평행한 방향으로 이동된다. 예컨대, 상기 레티클에 투영되는 패턴 이미지는 상기 웨이퍼에 약 1/4정도로 축소되어 전사된다. 따라서, 상기 레티클는 상기 웨이퍼가 이동되는 속도에 비해 4배정도 더 빠른 속도로 스캐닝 되어야만 한다.
또한, 상기 슬릿은 상기 레티클 및 웨이퍼의 이동에 대응하여 상기 레티클에 입사되어 상기 패턴 이미지가 투영되는 광의 도즈(dose)량이 결정되는 소정의 세로 길이를 갖고 상기 레티클 또는 웨이퍼가 이동되는 방향에 수직하는 방향으로 가로 길이를 갖는 직사각형 모양으로 형성된다.
따라서, 종래 기술에 따른 반도체 제조용 스캔설비는 상기 레티클 또는 웨이퍼가 이동되는 방향으로 소정의 세로길이와, 상기 레티클 또는 웨이퍼가 이동되는 방향에 수직하는 가로 길이를 갖는 직사각형 모양의 슬릿을 외부의 동력 제어신호에 의해 만드는 레티클 마스킹 블레이드를 포함하여 이루어진다.
이와 같은 레티클 마스킹 블레이드를 사용하여 직사각형 모양의 노광영역이 정의되는 슬릿으로 레티클에 광을 조사하여 노광공정을 수행하는 종래 기술에 따른 반도체 제조용 스캔설비는, 2002년 2월 19일 허여된 미국특허 6,348,303에 리소그래픽 투영 장치(lithographic projection apparatus)라는 이름으로 개시되어 있다.
여기서, 복수개의 레티클 마스킹 블레이드는 광원에서 입사되는 광이 통과되는 슬릿을 만들기 위해 서보(servo) 제어부에서 출력되는 제어 신호를 받아 동작되는 스텝핑 모터와 같은 동력장치의 구동에 의해 이동된다.
따라서, 이와 같은 종래 기술에 따른 반도체 제조용 스캔설비는 광원으로부터 생성된 광을 레티클에 통과시키는 슬릿을 만드는 레티클 마스킹장치의 상기 복수개의 레티클 마스킹 블레이드를 이동시키기 위해 구동되는 동력장치의 흔들림과 같은 진동을 유발시키고, 상기 진동에 의해 레티클에 입사된 광이 웨이퍼에 일정하고 균일하게 전달되지 않아 노광 공정의 불량을 유발시킬 수 있기 때문에 생산 수율이 떨어지는 단점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 광원으로부터 생성된 광을 통과시키는 슬릿을 만드는 레티클 마스킹 블레이드의 진동을 제거하고, 상기 레티클 마스킹장치의 진동에 의한 노광 공정의 불량을 방지하여 생산 수율을 증대 또는 극대화 할 수 있는 레티클 마스킹장치를 갖는 반도체 제조용 스캔설비를 제공하는 데 있다.
상기한 기술적 과제들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 양상(aspect)에 따른, 레티클 마스킹 장치를 갖는 반도체 제조용 스캔 설비는, 웨이퍼 상에 형성된 감광막를 감광시키는 광을 생성하는 광원; 상기 광원에서 생성된 광이 입사되는 웨이퍼를 지지하면서 수평으로 이동시키는 웨이퍼 스테이지; 상기 웨이퍼 스테이지에서 지지되는 웨이퍼에 상기 광을 전달하는 광전달 수단; 상기 광전달 수단을 통해 전달되는 상기 광을 이용하여 상기 웨이퍼 스테이지에서 지지되는 웨이퍼에 패턴이미지를 투영시키는 레티클; 상기 레티클을 지지하고 상기 웨이퍼 스테이지와 평행 한 방향으로 이동시키는 레티클 스테이지; 및 상기 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지의 이동방향에 대해 직교되는 방향으로 상기 광의 노출단면을 정의하는 슬릿을 형성하고, 상기 슬릿을 통해 상기 레티클의 선택적으로 입사되는 상기 광을 동력전달에 의한 진동 없이 상기 레티클의 전면에 대응되도록 조사시키기 위해 상기 슬릿을 무진동으로 이동시키는 레티클 마스킹장치를 포함함을 특징으로 한다.
여기서, 상기 레티클 마스킹장치는 외부에서 인가되는 전기적인 신호에 의해 상기 슬릿을 소정의 방향으로 이동시키는 액정표시장치로 이루어지고, 상기 액정표시장치는 스캔 라인과 데이터 라인이 교차되도록 형성되어 서로 대향하는 복수개의 기판사이에 액정이 형성된 액정패널과, 상기 스캔 라인과 상기 데이터 라인으로 스캔 신호와 데이터 신호를 출력하는 스캔 드라이버 및 데이터 드라이버를 포함하고, 상기 스캔 드라이버는 직사각형 모양의 상기 슬릿의 세로 길이에 대응되는 적어도 하나 이상의 상기 스캔 라인에 스캔 신호를 인가하고, 상기 데이터 드라이버는 상기 슬릿의 가로 길이에 대응되는 적어도 하나 이상의 데이터 라인에 데이터 신호를 인가함이 바람직하다. 그리고, 상기 액정표시장치는 단순 매트릭스 액정표시장치와 능동 매트릭스 액정표시장치를 포함하고, 상기 능동 매트릭스 액정표시장치는 박막트랜지스터를 구비하여 형성되며, 상기 박막트랜지스터에 의해 손실되는 상기 광의 선량을 보상하기 위해 상기 수동 매트릭스 액정표시장치에 비해 더 넓은 세로길이를 갖는 직사각형 모양의 상기 슬릿을 형성함이 바람직하다.
또한, 본 발명의 다른 양상은, 웨이퍼에 형성된 감광막을 감광시키는 광을 생성하는 광원에서 상기 광을 상기 웨이퍼에 투영시키는 레티클에 소정의 모양으로 상기 광이 입사되는 슬릿을 동력장치의 구동 없이 정전기적으로 형성하고, 상기 레티클에 입사되는 상기 광의 진행 방향에 수직하는 방향으로 이동되는 레티클 스테이지의 이동방향에 대응되도록 상기 슬릿을 무진동으로 이동시키는 레티클 마스킹장치를 포함하는 레티클 마스킹 장치이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 제조용 스캔설비를 개략적으로 나타낸 구성 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 레티클 마스킹장치의 평면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조용 스캔설비는, 웨이퍼(100) 상에 형성된 포토레지스트와 같은 감광막을 감광시키는 광을 생성하는 광원(110)에서 상기 광을 상기 웨이퍼(100)에 투영시키는 레티클(160)에 직사각형 모양으로 상기 광을 선택적으로 입사하는 슬릿(152)을 동력장치의 구동 없이 정전기적으로 형성하고, 상기 레티클(160)에 입사되는 상기 광의 진행 방향에 수직하는 방향으로 이동되는 레티클 스테이지(162)의 이동방향에 평행하게 상기 슬릿(152)을 무진동으로 이동시키는 레티클 마스킹장치(150)를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 레티클 마스킹장치(150)는 상기 레티클 스테이지(162)의 이동 방향에 평행하게 이동되는 상기 웨이퍼(100) 또는 상기 웨이퍼(100)를 지지하는 웨이퍼 스테이지(102)에 대응하여 상기 레티클 스테이지(162)의 이동에 따라 일측에서 타측으로 이동되는 레티클(160)에 상기 광을 선택적으로 입사하는 소정 모양의 상기 슬릿(152)을 형성한다. 이때, 상기 슬릿(152)은 상기 레티클(160)에 형성된 패턴이미지가 투영되는 상기 광을 축소시키기 위해 상기 레티클(160)과 상기 웨이퍼(100) 사이에 형성된 렌즈의 직경방향으로 상기 패턴 이미지를 최대한 확장시킬 수 있도록 소정의 폭을 갖는 직사각형 모양으로 상기 광의 노출단면이 정의된다. 예컨대, 상기 슬릿(152)은 상기 레티클(160)의 이동방향에 수직(orthogonal)한 방향으로 상기 레티클(160)의 횡단면에 대응하는 가로길이를 갖고, 상기 슬릿(152)을 통하여 레티클(160)에 투영되어 상기 감광막을 감광시키는 광의 일정 선량(dose)에 대응되는 세로길이를 갖는 직사각형 모양으로 형성됨이 바람직하다.
이때, 상기 슬릿(152)은 상기 웨이퍼(100)의 노광공정을 위한 스캔 시작시점과 스캔 종료시점에서 상기 레티클(160)의 가장자리로 입사되는 상기 광의 선량(dose)이 집중되는 것을 막고, 상기 레티클(160) 또는 상기 레티클 스테이지(162)의 액티브 영역이외에 상기 노출되지 않도록 제어되어야만 하기 때문에 상기 패턴 이미지가 형성된 레티클(160)의 스캔 시작시점에서 점진적으로 열려지고, 스캔 종료시점에서 점진적으로 닫혀진다.
그러나, 상기 스캔 시작시점과 스캔 종료시점에서 통과되는 광의 선량이 가변되도록 변화되는 슬릿(152)을 만들기 위한 동력장치에 의해 구동되는 종래의 레티클 마스킹장치(150)가 상기 레티클 스테이지(162) 또는 스캔설비 전체에 흔들림 과 같은 진동을 유발시켜 노광공정의 불량을 야기시킬 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조용 스캔설비는 광원(110)에서 레티클(160)으로 입사되는 광을 직사각형 모양의 광 노출단면으로 정의되는 슬릿(152)이 정전기적으로 형성되어 스캔 시작시점과 스캔 종료시점에서 가변될 수 있도록 무진동으로 이동되는 레티클 마스킹장치(150)를 이용하여 진동을 방지할 수 있다.
예컨대, 상기 레티클 마스킹장치(150)는 외부에서 인가되는 전기 신호에 응답하여 상기 광원(110)에서 상기 레티클(160)로 입사되는 광의 노출단면이 정의되는 슬릿(152)을 정전기적으로 형성하고, 무진동으로 상기 레티클 스테이지(162)와 평행한 방향으로 이동시키는 액정표시장치(Liquid Crystal Device : 이하에서, LCD라 칭함)를 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 광원(110)이 일반적인 LCD의 백라이트(back light)를 대신할 수 있으며, 일반적인 LCD에 장착되어 색상을 표시하는 칼라필터가 구비되지 않아도 무방하다.
한편, LCD는 편광을 이용하여 투과되는 광을 전기적으로 제어할 수 있는 장치로서, 연구개발의 순서 및 구동방법에 따라 단순 매트릭스(passive matrix) LCD와 능동 매트릭스(active matrix) LCD로 나누어진다. 역사적으로 먼저 연구 개발된 단순 매트릭스 LCD는 액정의 종류에 따라 TN(Twisted Nematic) LCD, STN(Super Twisted Nematic) LCD 등의 상용제품이 알려지고 있다. 또한, 능동 매트릭스 LCD는 다수개의 화소가 완전 독립적으로 구동되고 전압신호가 다양하게 제어되는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)와 같은 능동소자의 이름으로부터 TFT LCD등으로 명명되고 있다. 이와 같은 단순 매트릭스 LCD와, 능동 매트릭스 LCD는 서로 수직으로 교차되는 편광자가 형성된 대향하는 복수개의 기판 사이에서 수직 전기장에 의해 배열방향이 제어되는 액정을 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 액정은 액체와 결정의 중간상태를 갖는 물질로 복굴절과 같은 광학적 이방성을 갖는 특정 물질의 경우에 있어 상기 수직 전기장의 여부에 따라 일방향으로 편광되어 입사된 광의 편광 방향이 달라질 수 있다. 예컨대 상기 액정은 TN(Twisted Nematic) 액정, STN(Super Twisted Nematic) 액정, 강유전성(ferro-electric) 액정, 콜레스테릭(cholesteric) 액정 등과 같은 종류가 있다. 이와 같은 종류의 액정을 사용한 상기 수동 매트릭스 LCD는 상기 복수개의 기판에 스캔 라인과 데이터 라인이 각각 형성되어 있고, 상기 스캔 라인과 데이터 라인에 인가되는 전압의 차이로부터 유도되는 수직 전기장에 의해 상기 액정의 배열방향을 제어하여 투과되는 광의 편광방향이 결정됨으로써 상기 편광자로 하여금 상기 광이 차폐되거나 투과되도록 제어될 수 있다. 이때, 상기 단순 매트릭스 LCD는 인접하는 화소에서 전압차가 높아질 경우 전기장의 왜곡이 일어날 수도 있지만, 상기 스캔 라인이 상기 직사각형의 가로길이 방향으로 스캔되도록 구동될 경우 이와 같은 전기장의 왜곡으로부터 자유로워질 수 있기 때문에 레티클 마스킹장치(150)로서 사용됨이 바람직하다.
반면, 능동 매트릭스 LCD는 하나의 기판에 스캔 라인과 데이터 라인이 서로 절연되어 형성되어 있고, 상기 스캔 라인과 데이터 라인이 서로 교차되는 부분에서 상기 스캔 라인을 통해 인가되는 제어 신호에 의해 상기 데이터 라인으로 인가되는 데이터 신호가 선택적으로 인가되는 박막트랜지스터 및 화소전극이 형성되어 있고, 상기 박막트랜지스터 및 화소전극이 형성된 상기 기판에 대향하는 또 다른 기판에 상기 박막트랜지스터를 통해 상기 화소전극으로 인가된 상기 데이터 전압에 의해 수직 전기장이 유도될 수 있는 접지전압이 인가되는 공통전극이 형성되어 있고, 상기 화소전극과 공통전극사이에서 상기 수직전기장에 의해 상기 액정의 배열방향이 제어됨으로써 상기 광의 투과여부가 결정될 수 있다. 이때, 상기 화소전극과 공통전극은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명전극으로 형성되며, 스캔 라인과 데이터 라인도 마찬가지로 투명전극으로 형성된다. 또한, 상기 박막트랜지스터는 상기 스캔 라인을 통해 인가되는 제어신호에 따라 절연막에 의해 절연되어 공핍(depletion)영역을 형성하는 폴리실리콘막(poly silicon layer)과 같은 반투막을 포함하여 형성된다.
따라서, 능동 매트릭스 LCD가 레티클 마스킹장치(150)로 사용될 경우, 상기 박막트랜지스터에 의해 손실되는 광의 선량(does)을 보상할 수 있도록 상기 수동 매트릭스 LCD에 비해 더 넓은 세로 길이를 갖는 직사각형 모양의 상기 슬릿(152)을 형성하거나, 상기 단순 매트릭스 LCD에 비해 레티클 스테이지(162) 및 웨이퍼 스테이지(102)를 더 느린 속도로 이동시켜야만 한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 능동 매트릭스 LCD 및 수동 매트릭스 LCD는 스캔 라인(154)과 데이터 라인(156)이 교차되도록 형성되어 서로 대향하는 복수개의 기판사이에 액정이 형성된 액정패널(158)과, 상기 스캔 라인(154)과 상기 데이터 라인(156)으로 스캔 신호와 데이터 신호를 출력하는 스캔 드라이버(159a) 및 데이터 드라이버(159b)를 포함하여 이루어진다.
도시되지는 않았지만, 상기 스캔 드라이버(159a) 및 데이터 드라이버(159b) 에서 출력되는 스캔 신호와 데이터 신호가 생성되도록 제어 신호 및 신호 전압을 발생하는 타이밍 제어부와, 타이밍 제어부의 전원전압을 생성하여 공급하고 상기 공통전압에 인가되는 공통전압과 같은 다양한 종류의 전원전압을 공급하는 전원 공급부와, 상기 전원 공급부로부터 공급되는 전원을 이용하여 기준전압을 발생시키는 감마 기준전압부와, 상기 감마 기준전압부에 출력전압을 공급하고, 적어도 하나 이상의 정전압을 공급하는 직류/직류 변환부를 더 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 스캔 드라이버(159a)는 상기 광이 레티클(160)에 입사되는 상기 슬릿(152)의 세로길이 즉, 폭에 해당되는 적어도 하나 이상의 스캔 라인(154)을 통해 스캔 신호가 인가되도록 제어하고, 상기 데이터 드라이버(159b)는 상기 슬릿(152)의 가로 길이에 해당되는 적어도 하나 이상의 데이터 라인(156)을 통해 데이터 신호가 인가되도록 제어된다. 예컨대, 상기 스캔 드라이버(159a)는 상기 직사각형 모양으로 형성되는 상기 슬릿(152)의 세로길이가 증가될수록 상기 스캔 라인(154)의 개수를 증가시키면서 스캔 신호를 인가하고, 상기 데이터 드라이버(159b)는 상기 슬릿(152)의 가로길이에 해당되는 상기 데이터 라인(156)에 일정한 데이터 신호만을 인가시킨다. 예컨대, 상기 스캔 라인(154) 및 상기 데이터 라인(156)이 형성된 액정 패널(158)은 슬릿 형성부가 되고, 상기 액정 패널(158)에 형성된 상기 스캔 라인(154) 및 상기 데이터 라인(156)을 통해 스캔 신호와 데이터 신호를 인가하는 상기 스캔 드라이버(159a) 및 데이터 드라이버(159b)는 슬릿 형성 제어부가 될 수 있다.
이때, 상기 능동 매트릭스 LCD는 상기 데이터 신호의 크기에 따라 상기 슬릿 (152)에 대응되는 액정의 배열방향을 자유로이 조절할 수 있기 때문에 상기 슬릿(152)을 통해 투과되는 광의 세기를 조절할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조용 스캔설비는 LCD와 같은 무진동의 레티클 마스킹장치(150)를 이용하여 광원(110)으로부터 생성된 광을 통과시키는 슬릿(152)을 형성하고, 레티클 마스킹장치(150)의 구동에 따른 진동을 제거하여 노광 공정의 불량을 방지할 수 있기 때문에 생산 수율을 증대 또는 극대화 할 수 있다.
이와 같은 무진동의 슬릿(152)을 정전기적으로 형성하는 레티클 마스킹장치(150)를 갖는 반도체 제조용 스캔설비를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 3은 도 1의 반도체 제조용 스캔설비를 나타낸 다이아 그램이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 광원(110)은 외부 또는 전원전압 공급부(power supply)에서 인가되는 전원전압에 의해 소정 강도의 광을 생성하는 램프(lamp, 112)와, 상기 레티클(160) 또는 웨이퍼(100)에 입사시키기 위해 집광시키는 집광 커버(114)를 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 램프(112)는 상기 집광 커버(114)의 가장자리에 형성된 제 1 광센서(172)에서 감지된 감지신호를 입력받아 상기 전원전압 공급부의 출력을 제어하는 제어 신호를 발생시키는 광원 제어부 또는 노광 제어부(170)에 의해 광세기가 조절될 수 있다. 또한, 상기 노광 제어부(170)는 상기 램프(112)에서 발광되는 광의 세기를 조절하기 위해 인가되는 전원전압을 조절하는 전원공급장치(power supply)에 상기 제어 신호를 출력한다.
예컨대, 상기 램프(112)는 특정 물질의 최외곽 전자가 준안정 상태에서 안정 상태로 천이되면서 일정한 파장의 광을 방출하는 i-line(365nm), KrF 엑시머 레이 저(248nm), ArF 엑시머 레이저(193nm), 플로라이드 디머(F2, 157nm)와, 가속 입자의 충돌로부터 광을 방출하는 극자외선(EUV, 13nm)등이 사용될 수 있다.
또한, 상기 광원(110)에서 생성된 광은 셔터(shutter)와 같은 차폐 수단(120)에 의해 상기 레티클(160)에 선택적으로 입사되어야만 상기 웨이퍼(100)의 노광공정이 완료되면 노광공정을 종료시킬 수 있다.
그리고, 상기 광원(110)에서 생성된 광을 상기 레티클 마스킹장치(150), 레티클(160) 및 웨이퍼(100)로 전달하기 위해 도광관(optic tube), 볼록렌즈, 오목렌즈 또는 반사경(mirror)과 같은 광학장치를 포함한 광전달 수단(130)을 이용하여 상기 광원(110)에서 일정 거리 이상으로 떨어진 상기 레티클(160)과 웨이퍼(100)에까지 상기 광을 전달시킬 수 있다. 예컨대, 상기 광전달 수단(130)은 석영 또는 유리와 같은 물질로 이루어진 소정 공간을 통해 상기 광이 전달되는 것으로, 상기 광원(110)에서 상기 레티클(160)과 상기 웨이퍼(100)에 전달되는 상기 광이 이상적으로는 손실이 없도록 설계되고, 상기 광전달 수단(130)의 개수가 도 3에서 보다 증가되거나 감소되어도 무방하다. 따라서, 상기 광을 손실없이 이상적으로 전달하는 상기 광전달 수단(130)은 상기 광원((110)에서 상기 웨이퍼(100)의 표면까지 각 요부사이에서 개수에 상관없이 동일 또는 유사한 부호로 표시하기로 한다.
반면, 상기 광전달 수단(130)은 상기 광원(110)에서 생성된 광이 상기 광원(110)을 기준으로 소정의 공간으로 발산(emanation)되기 때문에 상기 차폐 수단(120)의 후단에 설치되어 0차, ±1차 회절광의 결상(結像)원리를 이용하여 상기 광 원(110)에서 생성된 광을 회절시키고, 상기 회절된 광 중에서 직진성이 높은 광을 선택적으로 추출하는 조명계(132)를 더 포함하여 이루어진다. 상기 조명계(132)는 상기 광원(110)에서 생성된 광의 광축을 중심으로 대칭적으로 입사되는 일반 조명계(conventional illumination)와, 상기 노광이 광축을 중심으로 비대칭적으로 사입사 조명계(off-axis illumination)로 분류되며, 일반적으로 변형조명방법을 이용한 사입사 조명계가 상기 일반 조명계에 비해 해상도 및 초심도(DOF : Depth Of Focus)를 증대시킬 수 있다. 이때, 상기 사입사 조명계는 상기 광축을 중심으로 대칭적으로 형성된 구멍의 개수에 따라 고리 조명계 (Annula Aperture), 쌍극자 조명계(Dipole Aperture), 사극자 조명계(quadrupole Aperture)를 포함하여 이루어진다.
상기 조명계(132)에 의해 회절광으로부터 분리되어 직선성이 높아진 상기 광은 상기 광원(110)으로부터 공급된 광에 비해 다량이 손실될 수 있기 때문에 상기 도광관과 같은 적어도 하나 이상의 광전달 수단(130)을 통해 상기 레티클 마스킹장치(150)로 전달되는 과정에서 상기 광의 세기가 확인되도록 설계된다.
예컨대, 복수개의 상기 광전달 수단(130) 사이에 빔 스플리터(beam splitter)와 같은 광분리 수단(140)으로부터 상기 레티클 마스킹장치(150)로 진행되는 광의 일부가 추출되고, 상기 광분리 수단(140)에서 추출된 상기 광의 일부는 복수개의 광전달 수단(130)사이의 일측에 형성된 제 2 광센서(174)에 공급되어 상기 제 2 광센서(174)를 통해 상기 광의 일부를 감지함으로써 상기 광분리 수단(140)을 통과하여 상기 레티클 마스킹장치(150)에 전달되는 광의 세기가 파악되도 록 할 수 있다. 이때, 상기 제 2 광센서(174)는 상기 광분리 수단(140)으로부터 추출된 상기 광의 일부를 감지한 감지신호를 상기 노광 제어부(170)에 출력하여 상기 노광 제어부(170)로 하여금 상기 광원(110)에서 상기 조명계(132)를 통해 입사되어야할 광의 세기를 결정토록 할 수 있다. 또한, 상기 광분리 수단(140)은 상기 제 2 센서(174)로 반사되는 상기 광의 세기와 상기 광 분리 수단(140)을 통과하여 상기 레티클 마스킹장치(150)로 전달되는 광의 세기가 미리 계산되어진 설정값을 가지고 있고, 상기 설정값이 상기 노광 제어부(170)에 제공됨에 의해 상기 광원(110)의 발광 세기를 결정하는 요인으로 적용될 수 있다. 이후, 상기 광분리 수단(140)을 통과한 광은 다시 광전달 수단(130)을 통해 상기 레티클 마스킹장치(150)로 입사된다.
그러나, 상기 광전달 수단(130)에 의해 전달되는 광이 상기 레티클 마스킹장치(150)로 입사되지 않고, 패턴 이미지가 형성된 레티클(160)에 상기 광전달 수단(130)을 통해 상기 광이 직접 상기 레티클(160)로 입사되면 상기 레티클(160)의 패턴 이미지가 모두 상기 웨이퍼(100)의 표면으로 전사되어야만 하고, 상기 레티클(160)과 상기 웨이퍼(100)사이에서 상기 패턴 이미지를 축소시키는 광전달 수단(130)(예를 들어, 대물렌즈)의 직경이 사각형 모양으로 설계되는 상기 패턴 이미지의 대각선 대응되는 것보다 커야만 하는 제약이 수반된다. 예컨대, 상기 레티클(160)과 웨이퍼(100) 사이에 형성된 상기 광전달 수단(130)은 상기 레티클(160)에 형성된 상기 패턴 이미지를 1/4정도로 축소시켜 상기 웨이퍼(100)의 표면에 입사시킨다. 또한, 일반적인 노광설비에 있어 대물렌즈와 같은 광전달 수단(130)의 직경 변경은 상기 패턴 이미지가 투영되어 패터닝되는 반도체 소자의 임계치수와 직결되는 중요한 요소로서 노광공정의 상당한 비용을 수반할 수도 있기 때문에 상기 광전달 수단(130)의 직경 변경은 쉽게 이루어지가 용이하지 않다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조용 스캔설비는 상기 대물렌즈와 같은 상기 광전달 수단(130)의 직경을 상기 패턴 이미지의 종단면으로 사용하여 상기 웨이퍼(100)와 레티클(160)을 횡방향으로 이동시키면서 상기 광에 의해 상기 레티클(160)에 형성된 패턴 이미지가 상기 웨이퍼(100)의 표면에 스캔되도록 함으로서 노광공정이 수행될 수 있기 때문에 광전달 수단(130)의 직경의 증가 없이 상기 광전달 수단(130)이 효율적으로 사용될 수 있으며, 보다 증가된 크기를 갖는 패턴 이미지의 노광공정이 용이하게 수행될 수 있다.
상기 레티클(160)과 웨이퍼(100)는 상기 레티클 스테이지(162)와 상기 웨이퍼 스테이지(102)에 의해 서로 평행한 방향으로 이동되면서 스캐닝된다. 예컨대, 상기 레티클(160)에 투영되는 광을 축소시켜 상기 웨이퍼(100)에 전달하는 대물렌즈의 초점거리 바깥에 상기 웨이퍼(100)가 위치될 경우, 상기 레티클(160)의 패턴 이미지가 실상으로 노광 처리되어 상기 웨이퍼(100) 표면에 투영되고, 상기 레티클(160)과 웨이퍼(100)는 서로 반대방향으로 이동되면서 스캐닝될 수 있다. 반면, 상기 대물렌즈의 초점 거리 안쪽에 상기 웨이퍼(100)가 위치될 경우, 상기 레티클(160)과 웨이퍼(100)는 서로 동일한 방향으로 이동되면서 스케닝될 수 있으나, 상기 레티클(160)의 패턴 이미지가 허상으로 노광처리되어 상기 웨이퍼(100) 표면에 투영될 수 없기 때문에 노광공정이 이루어질 수 없다.
이때, 상기 레티클 마스킹장치(150)는 상기 광원(110)에서 상기 레티클(160)에 입사되는 상기 광을 상기 대물렌즈와 같은 상기 광전달 수단(130)의 상기 직경에 근접하는 크기로 제한한다.
예컨대, 상기 레티클 스테이지(162)와 웨이퍼 스테이지(102)는 외부에서 인가되는 전원전압에 의해 구동되는 스텝핑 모터(stepping motor, 도시하지 않음)의 회전에 의해 LM 가이드(Linear Motion guide)가 형성된 평면상에서 서로 방향으로 이동된다.
따라서, 상기 레티클 스테이지(162) 및 웨이퍼 스테이지(102)의 이동간에 상기 스텝핑 모터와 같은 회전구동에 의해 진동이 유발되고, 상기 진동에 의해 상기 레티클(160)과 웨이퍼(100)가 정확하게 대응되지 못할 수 있기 때문에 노광공정 불량을 야기 시킬 수 있다.
또한, 노광공정은 레티클 스테이지(162)와 웨이퍼 스테이지(102)의 이동간에 유발되는 진동에 의한 영향을 매우 많이 받는다. 상기 레티클 스테이지(162)와 웨이퍼 스테이지(102)의 진동에 기인되는 상관 위치 에러(relative position error)는 수식 1에서와 같다.
(수식 1)
e = eWS - eRS/4
여기서, 'e'는 상관 위치 에러이고, 'eWS'는 웨이퍼 스테이지(102)와 그의 셋 포인트(set point)사이의 차이에 대응되는 에러이고, 상기 eRS는 레티클 스테이 지(162)와 그의 셋 포인트(set point)사이의 차이에 대응되는 에러이다. 이때, 상기 'eRS'에 상수 '1/4'이 삽입됨은 상기 레티클(160)에 형성된 패턴 이미지가 상기 웨이퍼(100)를 기준으로 4배정도 큰 확대된 상을 갖기 때문에 상기 'eWS'를 기준으로 'eRS'가 '1/4'정도로 줄어드는 것을 나타낸다. 이때, 상기 'eWS','eRS'는 각 스테이지의 진동을 감지하는 진동 감지센서(도시되지 않음) 또는 노광공정이 완료된 웨이퍼(100)를 이용한 오버레이 계측을 통해 시간과 위치의 함수로 나타내어질 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조용 스캔설비는 레티클 스테이지(162) 및 웨이퍼 스테이지(102)에 의해 이동되는 레티클(160)과 스테이지에 선택적으로 광을 입사시키는 슬릿(152)을 정전기적으로 형성하는 레티클 마스킹장치(150)를 이용하여 상기 레티클 마스킹장치(150)의 진동에 대한 에러를 배제시킬 수 있기 때문에 상기 레티클 스테이지(162)와 웨이퍼 스테이지(102)의 이동에 기인되는 진동 에러만이 노광공정에 보상되도록 적용될 수 있다.
예컨대, 레티클 스테이지(162)와 웨이퍼 스테이지(102)는 일정한 모양으로 반복되는 패턴이미지에 대응되는 하나의 다이(die)의 길이 또는 크기에 대응되는 거리를 움직여야만 한다.
도 4는 노광 공정 시 레티클 스테이지(162) 또는 웨이퍼 스테이지(102)의 가속 프로파일을 나타내는 그래프로서, 상기 레티클 스테이지(162) 또는 웨이퍼 스테이지(102)는 다이의 길이 펄스와, 슬릿(152) 폭 펄스, 및 이동길이(transfer length)에 대등한 거리동안에 움직여져야만 한다.
여기서, 상기 레티클 스테이지(162) 또는 웨이퍼 스테이지(102)는 초기 가속 이후, 안정시간(settling time)동안 일정한 속도로 이동됨으로서 위치 에러를 줄일 수 있다. 또한, 상기 안정시간이후에 이루어지는 스캔의 시작시점(t1)과 끝시점(t4)에서 상기 레티클(160)에 광을 입사되도록 하는 슬릿(152)의 영향이 있을 수 있다. 즉, 스캔 길이는 다이의 길이와, 상기 다이 길이에서 제외되는 상기 슬릿(152) 폭의 절반에 해당되는 값이 각각 시작시점((t2-t1)/2)과 끝시점((t4-t3)/2)에서 합산되어 계산되어질 수 있다. 여기서, t1은 스캔시작 시 슬릿(152)이 형성되는 초기시간이고, t2는 스캔시작 시 슬릿(152)의 형성이 완료된 초기시간이고, t3은 스캔종료 시 슬릿(152)이 줄어들기 시작하는 시간이고, t4는 스캔종료 시 슬릿(152)이 사라지는 시간이다.
이때, 상기 슬릿(152)을 형성하는 시작시점과 끝시점에서 레티클 마스킹장치(150)의 진동이 있을 경우, 레티클 스테이지(162) 또는 웨이퍼 스테이지(102)의 이동간에 유발되는 진동뿐만 아니라 상기 레티클 마스킹장치(150)의 진동에서부터 에러를 산출해야함으로 더욱 복잡한 계산식이 적용되어야만 하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조용 스캔설비는 무진동으로 슬릿(152)을 형성하는 레티클 마스킹장치(150)를 이용하여 레티클 스테이지(162) 또는 웨이퍼 스테이지(102)의 이동간에 유발되는 진동에 의한 에러를 이상적으로 산출토록 할 수 있기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.
그리고, 다이의 특정 포인트가 조명된 슬릿(152) 내에 있는 시간동안에 평균 스테이지 위치는 특정 포인트(오버레이)의 웨이퍼(100)에서 천이(shift)에 의해 결정된다. 이때, 상기 다이에서의 모든 포인트 x에 대한 천이는 수식 2에서와 같이, 포인트 x의 이동 평균에러(Moving Average error : 이하, MA라 칭함)로 나타내어질 수 있다.
(수식 2)
Figure 112005027070892-pat00001
여기서, 상기 Texp는 스캔 속도에 의해 나누어진 슬릿(152)의 폭에 대응되는 노광 시간 즉, 슬릿(152) 폭/Vscan이고, e(t)는 시간의 함수인 웨이퍼(100) 레벨에서의 웨이퍼 스테이지(102) 및 레티클 스테이지(162)에 관계된 상관 위치 에러이고, 상기 tX는 포인트 x가 렌즈 중심에 위치된 순간의 시간이다.
따라서, 이동 평균에러는 웨이퍼 스테이지(102) 및 레티클 스테이지(162)가 다이길이에 대응하여 이동되는 동안의 상관 위치에러를 합산하고 노광 시간으로 나눈값으로 이루어진다.
이때, 상기 이동 평균에러는 상기 레티클 스테이지(162)와 웨이퍼 스테이지(102)가 서로 대응되는 이동방향으로 진동되어 서로 보상되어 상쇄될 수 있으나, 상기 레티클 스테이지(162)와 웨이퍼 스테이지(102)가 서로 대응되지 않는 방향으로 진동되어 이미지 비 선명도(image non-sharpness) 또는 컨트라스트 손실(contrast loss)과 같은 위치에러를 유발시켜 노광 시 고주파 변동을 초래할 수도 있다.
상기 이동 평균에러와 대비되어 위치에러에 의한 고주파 변동은 노광공정 시 수식 3에서 나타난 바와 같이, 상관 위치 에러의 기준 편차에 대응되는 이동 기준 편차(Moving Standard Deviation : 이하, MSD라 칭함)로 나타내어질 수 있다.
(수식 3)
Figure 112005027070892-pat00002
여기서, 상기 레티클 스테이지(162)와 상기 웨이퍼 스테이지(102)의 진동 방향이 서로 대응되도록 움직여 상기 MA가 줄어들 수 있으나, 상기 MSD는 크게 나타내어질 수도 있다. 이때, MA와 MSD는 스캐닝 방향을 따라 다이(die) 내의 모든 포인트에 대하여 계산되어진다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조용 스캔설비는, 무진동의 정전기적으로 슬릿(152)를 형성하는 레티클 마스킹장치(150)를 이용하여 상기 레티클 스테이지(162) 또는 상기 웨이퍼 스테이지(102)의 진동으로부터 이상적인 MA와 MSD값의 피크가 산출되도록 할 수 있고, 상기 MA와 MSD값의 피크를 노광공정의 실행 지침으로 사용하여 상기 레티클 스테이지(162) 또는 상기 웨이퍼 스테이지(102)의 위치를 이동시키는 것을 제어하는 제 1 서보 제어부(servo controller, 176) 및 제 2 서보 제어부(178)에 제어신호가 출력되도록 할 수 있다. 이때, 상기 제 1 서보 제어부(176) 및 제 2 서보 제어부(178)는 노광 제어부(170)의 제어신호에 제어된다.
도 5a 및 도 5b는 웨이퍼 스테이지(102)와 레티클 스테이지(162)의 이동시간에 따른 가속 프로파일과 에러를 나타내는 그래프이고, 도 5c 및 도 5d는 도 5a 및 도 5b에 나타난 프로파일과 에러를 바탕으로 산출된 MA/MSD 그래프이다.
도 5a 내지 도 5d에 도시된 바와 같이, 레티클 스테이지(162) 및 웨이퍼 스테이지(102)가 이동되어 하나의 다이를 스캔하는 동안에 MA 피크와 MSD 피크는 각기 약 2.1nm와 12.3nm정도이다.
여기서, 상기 도 5a의 복수개의 수직라인 사이에 표시되는 그래프는 레티클 스테이지(162) 및 웨이퍼 스테이지(102)가 일정한 속도로 스캐닝되는 스캔구간을 나타낸다. 또한, 상기 도 5a에 대응되는 도 5b의 복수개의 수직라인 사이에 표시된 그래프는 상기 레티클 스테이지(162) 및 웨이퍼 스테이지(102)가 스캐닝되는 동안에 유발된 진동에 의한 에러를 나타낸다. 마찬가지로, 도 5c와 도 5d의 복수개의 수직라인 사이에 표시된 그래프는 상기 레티클 스테이지(162) 및 웨이퍼 스테이지(102)가 스캐닝되는 동안의 MA와 MSD를 각각 산출하기 위한 영역(field)을 나타낸다.
이때, 레티클 스테이지(162)와 웨이퍼 스테이지(102) 각각의 에러가 서로 동일하게 감소될 경우 상기 MA 피크와, MSD 피크가 서로 일치되어 감소될 수 있으나, 상기 레티클 스테이지(162)와 웨이퍼 스테이지(102) 각각의 에러가 서로 동일하게 감소되지 않고 상쇄될 경우, 상기 MA 피크와, MSD 피크가 서로 일치되지 않을 수도 있다.
따라서, 스캔 속도는 특히 MA 값에 직접적인 관계를 갖는다. 예컨대, 만약 레티클 스테이지(162)와 웨이퍼 스테이지(102)의 이동속도가 느려져 스캔 속도가 줄어들면, MA는 거의 선형적으로 개선된다. 그러나, MA를 개선시키기 위해 상기 레 티클 스테이지(162)와 웨이퍼 스테이지(102)의 이동속도를 느리게 하면, 하나의 다이를 노광하는 노광시간이 길어져 생산성이 줄어드는 단점이 있기 때문에 상기 레티클 스테이지(162)와 웨이퍼 스테이지(102)의 이동속도를 일정수준이상으로 유지해야만 한다.
이와 같이 노광공정의 스캔 시 상기 레티클 마스킹장치(150)가 동력 장치의 구동 없이 정전기적으로 슬릿(152)을 형성할 수 있는 LCD로 이루어져 있기 때문에 레티클 스테이지(162) 또는 웨이퍼 스테이지(102)의 이동에 기인되는 진동에 의한 에러를 이상적으로 산출하여 노광공정에 피드백(feedback)시킬 수 있는 스캔설비의 설계가 가능하다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조용 스캔설비는 액정표시장치와 같은 레티클 마스킹장치(150)를 사용하여 광원(110)에서 생성된 광을 통과시키는 슬릿(152)을 만드는 레티클 마스킹장치(150)의 진동을 제거하고, 레티클 스테이지(162) 또는 웨이퍼 스테이지(102)의 이동에 기인되는 진동에 의한 에러를 이상적으로 산출하여 후속의 노광공정에 피드백시켜 노광공정의 불량을 방지할 수 있기 때문에 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
또한, 상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다. 예컨대, 상기 레티클 마스킹장치(150)는 액정표시장치뿐만 아니 라, 광을 투과시키는 슬릿(152)을 정전기적으로 만들 수 있는 것은 어떤 것이 사용되어도 무방하다.
이상 상술한 바와 같이, 액정표시장치와 같은 레티클 마스킹장치를 사용하여 광원에서 생성된 광을 통과시키는 슬릿을 만드는 레티클 마스킹장치의 진동을 제거하고, 레티클 스테이지 또는 웨이퍼 스테이지의 이동에 기인되는 진동에 의한 에러를 이상적으로 산출하여 후속의 노광공정에 피드백시켜 노광공정의 불량을 방지할 수 있기 때문에 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.

Claims (9)

  1. 웨이퍼 상에 형성된 감광막를 감광시키는 광을 생성하는 광원;
    상기 광원에서 생성된 광이 입사되는 웨이퍼를 지지하면서 수평으로 이동시키는 웨이퍼 스테이지;
    상기 웨이퍼 스테이지에서 지지되는 웨이퍼에 상기 광을 전달하는 광전달 수단;
    상기 광전달 수단을 통해 전달되는 상기 광을 이용하여 상기 웨이퍼 스테이지에서 지지되는 웨이퍼에 패턴이미지를 투영시키는 레티클;
    상기 레티클을 지지하고 상기 웨이퍼 스테이지와 평행한 방향으로 이동시키는 레티클 스테이지; 및
    상기 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지의 이동방향에 대해 직교되는 방향으로 상기 광의 노출단면을 정의하는 슬릿을 정전기적으로 형성하고, 상기 슬릿을 통해 상기 레티클의 선택적으로 입사되는 상기 광을 동력전달에 의한 구동 없이 상기 레티클의 전면에 대응되도록 조사시키기 위해 상기 슬릿을 무진동으로 이동시키는 레티클 마스킹장치를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조용 스캔 설비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 레티클 마스킹장치는 외부에서 인가되는 전기적인 신호에 의해 상기 슬 릿을 소정의 방향으로 이동시키는 액정표시장치로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 제조용 스캔 설비.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 액정표시장치는 스캔 라인과 데이터 라인이 교차되도록 형성되어 서로 대향하는 복수개의 기판사이에 액정이 형성된 액정패널과, 상기 스캔 라인과 상기 데이터 라인으로 스캔 신호와 데이터 신호를 출력하는 스캔 드라이버 및 데이터 드라이버를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조용 스캔 설비.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 스캔 드라이버는 직사각형 모양의 상기 슬릿의 세로 길이에 대응되는 적어도 하나 이상의 상기 스캔 라인에 스캔 신호를 인가하고, 상기 데이터 드라이버는 상기 슬릿의 가로 길이에 대응되는 적어도 하나 이상의 데이터 라인에 데이터 신호를 인가함을 특징으로 하는 반도체 제조용 스캔 설비.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 액정표시장치는 단순 매트릭스 액정표시장치와 능동 매트릭스 액정표시 장치를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조용 스캔 설비.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 능동 매트릭스 액정표시장치는 박막트랜지스터를 구비하여 형성되며, 상기 박막트랜지스터에 의해 손실되는 상기 광의 선량을 보상하기 위해 상기 수동 매트릭스 액정표시장치에 비해 더 넓은 세로길이를 갖는 직사각형 모양의 상기 슬릿을 형성함을 특징으로 하는 반도체 제조용 스캔 설비.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 액정표시장치를 투과하여 상기 레티클에 입사되는 광의 손실을 보상할 수 있도록 상기 광원에서 생성되는 광의 세기를 조절하는 제어신호를 출력하는 광원 제어부를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조용 스캔 설비.
  8. 웨이퍼에 형성된 감광막을 감광시키는 광을 생성하는 광원에서 상기 광을 상기 웨이퍼에 투영시키는 레티클에 소정의 모양으로 상기 광이 입사되는 슬릿을 동력장치의 구동 없이 정전기적으로 형성하고, 상기 레티클에 입사되는 상기 광의 진행 방향에 수직하는 방향으로 이동되는 레티클 스테이지의 이동방향에 대응되도록 상기 슬릿을 무진동으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 레티클 마스킹장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    외부에서 인가되는 전기적인 신호에 의해 상기 슬릿을 소정의 방향으로 이동시키는 액정표시장치를 포함함을 특징으로 하는 레티클 마스킹장치.
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