JP2004349470A - 基板処理装置およびその方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】洗浄液の未気化微粒子が乾燥処理後の基板に付着してウォータマーク痕を形成することを抑制することができる基板処理装置およびその方法を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄ノズル４による基板Ｗへの純水の洗浄処理を、基板Ｗを収容したチャンバ７で行う。基板Ｗへの洗浄処理後の基板Ｗに対する乾燥処理中に、少なくともチャンバ７内へのドライエアＡの供給を行うので、チャンバ７内の湿度が降下し、基板Ｗの上方に滞留した純水の未気化微粒子の気化（蒸発）も促進される。その結果、未気化微粒子が基板Ｗ上に付着することによって基板Ｗ上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。
【選択図】 図１
【解決手段】洗浄ノズル４による基板Ｗへの純水の洗浄処理を、基板Ｗを収容したチャンバ７で行う。基板Ｗへの洗浄処理後の基板Ｗに対する乾燥処理中に、少なくともチャンバ７内へのドライエアＡの供給を行うので、チャンバ７内の湿度が降下し、基板Ｗの上方に滞留した純水の未気化微粒子の気化（蒸発）も促進される。その結果、未気化微粒子が基板Ｗ上に付着することによって基板Ｗ上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板（以下、単に基板と称する）に対して基板処理を行う基板処理装置およびその方法に係り、特に、基板に対して洗浄液を供給する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の基板処理装置の場合には、基板やノズルなどを収容したチャンバ内で洗浄液の供給処理が行われ、基板への洗浄液の供給処理が終了すると、基板に付着した洗浄液を振り切って基板を乾燥させるための乾燥処理が行われる。
このような基板処理装置では、洗浄液を吐出するノズルを基板の処理面に向けて備えたものがある（例えば、特許文献１参照。）。
また、近年では、圧縮された気体と洗浄液とを混合させることで洗浄液を微粒子化して洗浄効率を上げる２流体ノズルを、ノズルとして採用しているものがある（例えば、特許文献２参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平８−１７７８０号公報（第２頁、図３）
【０００４】
【特許文献２】
特開２００２−７９１９２号公報（第２−５頁、図１、図３）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
通常、洗浄液が基板に対して供給される際には、基板上のパーティクルを物理的に除去する目的で、あるいは処理液を確実に置換する目的で、所定の流速を付与された洗浄液が基板に供給される。しかしながら、このように所定の流速を付与した洗浄液を基板に対して供給すると、基板上に供給されて跳ね返った洗浄液の未だ気化されていない微粒子、すなわち未気化微粒子がチャンバ内の基板上方において浮遊し、乾燥処理を終了して基板を搬送するまでにその未気化微粒子が乾燥処理後の基板に付着する。特に、基板を回転させながら洗浄液の供給を行う場合においては、基板の回転による未気化微粒子の舞い上がりを促進することになる。このように乾燥処理後の基板に未気化微粒子が付着すると、それが原因となって基板上にいわゆる、ウォータマーク痕を形成することとなり、処理ムラになったり、その後の検査工程でパーティクルとして検出されるという不具合が生じる。
【０００６】
また、上述した特許文献２のような、いわゆる２流体ノズルを使用した場合においては、洗浄液の未気化微粒子の発生を促進する構造であるので、基板上方で浮遊する洗浄液の未気化微粒子が発生しやすくなり、上記と同様の不具合が生じやすくなる。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、洗浄液の未気化微粒子が乾燥処理後の基板に付着してウォータマーク痕を形成することを抑制することができる基板処理装置およびその方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板を収容して処理を施す処理部と、前記処理部内で基板を水平姿勢で回転可能に保持する回転保持手段と、基板に対して洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記処理部内の洗浄液の気化を促進させる気化促進手段とを備え、前記気化促進手段は、少なくとも前記回転保持手段による基板の回転乾燥処理中に前記処理部内の洗浄液の未気化微粒子を気化させることを特徴とするものである。
【０００９】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記気化促進手段は、前記処理部内に気体を供給する気体供給手段であることを特徴とするものである。
【００１０】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記気化促進手段は、前記処理部内の雰囲気を加熱する加熱手段であることを特徴とするものである。
【００１１】
また、請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記加熱手段は、赤外線ランプであることを特徴とするものである。
【００１２】
また、請求項５に記載の発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記加熱手段は、前記処理部内に加熱気体を供給する手段であることを特徴とするものである。
【００１３】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理部から排気を行う排気手段をさらに備え、前記処理部内の気化の促進と排気とを並行に行うことを特徴とするものである。
【００１４】
また、請求項７に記載の発明は、処理部内の基板に対して洗浄液を供給する洗浄液供給工程と、前記洗浄液供給工程後の基板に対して乾燥処理を施す乾燥工程と、を含み、基板の処理を行う基板処理方法であって、少なくとも前記処理部における前記乾燥工程時に、前記洗浄液の未気化微粒子を気化させることを特徴とするものである。
【００１５】
【作用】
請求項１に記載の発明によれば、少なくとも前記回転保持手段による基板の乾燥処理中に、気化促進手段が処理部内の洗浄液の未気化微粒子を気化させる。その結果、基板の乾燥処理中に処理部内に浮遊した洗浄液の未気化微粒子が基板上に付着することによって基板上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。ここで、本明細書中での「未気化微粒子」とは、上述したように未だ気化されていない微粒子のことであって、この微粒子は液相である。
【００１６】
請求項２に記載の発明によれば、少なくとも前記回転保持手段による基板の乾燥処理中に、気体供給手段が処理部内に気体を供給することによって処理部内の洗浄液の未気化微粒子を気化させる。つまり、処理部内に気体を供給することにより処理部内の湿度が降下し、洗浄液の未気化微粒子の気化（蒸発）が促進される。その結果、未気化微粒子が基板上に付着することによって基板上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。
【００１７】
請求項３から請求項５に記載の発明によれば、少なくとも前記回転保持手段による基板の乾燥処理中に、加熱手段が処理部内の雰囲気を加熱することによって処理部内の洗浄液の未気化微粒子を気化させる。その結果、未気化微粒子が基板上に付着することによって基板上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。
【００１８】
請求項６に記載の発明によれば、処理部内の気化の促進と排気とを並行して行うことにより、処理部内の圧力変動を生じることなく、上述した各効果を達成することができる。
【００１９】
請求項７に記載の発明によれば、少なくとも前記処理部における前記乾燥工程時に、前記処理部内の未気化微粒子を気化させる。その結果、未気化微粒子が基板上に付着することによって基板上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。
【００２０】
なお、本明細書は、次のような基板処理装置およびその方法に係る発明も開示している。
【００２１】
（１）基板を回転させることにより、基板に付着した洗浄液を振り切って基板を乾燥させる基板処理装置であって、前記基板の乾燥処理を行う処理部に飛散した洗浄液の未気化微粒子を気化させる気化促進手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【００２２】
前記（１）に記載の発明によれば、気化促進手段が、基板の乾燥処理を行う処理部に飛散した洗浄液の未気化微粒子を気化させる。その結果、基板の乾燥処理中に処理部内に浮遊した洗浄液の未気化微粒子が基板上に付着することによって基板上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。
【００２３】
（２） 基板に対して処理部内において乾燥処理を施す乾燥工程を含み、基板の処理を行う基板処理方法であって、前記処理部における前記乾燥工程時に、前記処理部に飛散した洗浄液の未気化微粒子を気化させることを特徴とする基板処理方法。
【００２４】
前記（２）に記載の発明によれば、処理部に飛散した未気化微粒子を気化させる。その結果、乾燥工程時に処理部内に浮遊した未気化微粒子が基板上に付着することによって基板上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
〔第１実施例〕
以下、図面を参照して本発明の第１実施例を説明する。
図１は、第１実施例に係る基板処理装置の概略側面図であり、図２は、洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御に係るタイミングチャートである。
【００２６】
第１実施例に係る基板処理装置は、図１に示すように、スピンチャック１，回転軸２，電動モータ３，洗浄ノズル４，飛散防止カップ５，排気管６，チャンバ７，およびフィルタ１０などを備えて構成されている。スピンチャック１の形状は円板状となっており、円柱状に形成されてなる６個の支持部材１ａ（図１では２個のみ図示）を立設して構成されている。このスピンチャック１は、底面に連結された回転軸２を介して電動モータ３によって回転駆動され、この回転駆動により、支持部材１ａで周縁部を当接支持された基板Ｗが回転中心Ｐ周りに水平面内で回転される。スピンチャック１は、本発明における回転保持手段に相当する。なお、スピンチャック１は基板Ｗを吸着することで保持するタイプであってもよい。
【００２７】
飛散防止カップ５はスピンチャック１の周囲に配設され、洗浄ノズル４から供給された洗浄液（第１実施例では超純水）が飛散することを防止する。この飛散防止カップ５は、未洗浄の基板Ｗをスピンチャック１から受け取る際に図中の矢印で示すようにスピンチャック１に対して昇降するように構成されている。また、飛散防止カップ５の底部には、排気管６が環状に配設されている。排気管６は、本発明における排気手段に相当する。
【００２８】
洗浄ノズル４は、図１に示すように、吐出口が基板Ｗの処理面に向くように配設されており、この吐出口から洗浄液が吐出されて、基板Ｗに洗浄液が供給されて洗浄処理が行われる。洗浄液として、後述する第２実施例，第３実施例も含めて第１実施例では超純水（以下、単に『純水』と略記する）が用いられている。洗浄ノズル４は、供給管１１を介して純水供給装置（タンク）１２が接続されており、洗浄ノズル４と純水供給タンク１２との間にバルブ１３が供給管１１に連結されている。バルブ１３は、コントローラ１４によって開閉操作される。洗浄ノズル４は、本発明における洗浄液供給手段に相当する。第１実施例では、洗浄ノズル４は、洗浄液のみを供給するノズルであったが、圧縮された気体と洗浄液とを混合させることで洗浄液を微粒子化して洗浄効率を上げる２流体ノズルであってもよい。
【００２９】
チャンバ７は、基板Ｗや飛散防止カップ５を収容するように構成されている。チャンバ７は、本発明における処理部に相当する。チャンバ７の上部にはファン１５が、このファン１５の上部には供給気体通路１６がそれぞれ配設されている。供給気体通路１６には、供給管１８を介して気体供給装置（タンク）１９が接続されており、気体供給タンク１９から気体が供給気体通路１６に供給される。第１実施例では気体として、ドライエアが用いられている。また、供給気体通路１６と気体供給タンク１９との間にバルブ２０が供給管１６に連結されており、このバルブ２０は、コントローラ１４によって開閉操作される。
【００３０】
供給気体通路１６に供給されたドライエアＡはファン１５によって下部に案内され、フィルタ１０を介して不純物やパーティクルが除去されて、チャンバ７の上部に供給される。また、チャンバ７の上部に供給されたドライエアＡは、チャンバ７内の湿度を降下させる。ファン１５，供給気体通路１６は、本発明における気体供給手段に相当する。また、この気体供給手段は、チャンバ７内の湿度を降下させ、ひいては未気化微粒子の気化（蒸発）を促進させるものであるから、本発明における気化促進手段にも相当する。
【００３１】
なお、第１実施例では、気体としてドライエアを採用したが、窒素（Ｎ２ ）ガスなどに代表されるように湿度の低い乾燥気体でチャンバ７内の湿度を降下させるものであれば、特に限定されない。
【００３２】
次に、洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御について、図２のタイミングチャートを参照して説明する。図２（ａ）は、各構成の動作のＯＮ／ＯＦＦに関するタイミングチャートであって、図２（ｂ）は、電動モータの回転数との関連を示したタイミングチャートである。
【００３３】
まず、基板Ｗの周縁部を支持部材１ａで当接支持することで、基板Ｗをスピンチャック１で保持させる。基板を保持した状態で、コントローラ１４はバルブ２０を開くように操作し、気体供給タンク１９からドライエアＡを供給気体通路１６に供給して、そのドライエアＡをチャンバ７の上部に供給する（図２中の▲１▼）。
【００３４】
ドライエアＡの供給は、供給管１８にて連結されたバルブ２０の開閉操作によって行われる。チャンバ７の上部へのドライエアＡの供給後、コントローラ１４は電動モータ３を駆動させ、これによってスピンチャック１に保持された基板Ｗをスピンチャック１ごと水平面内に回転させる（図２中の▲２▼）。このとき、コントローラ１４はバルブ１３を開くように操作し、供給管１１を介して純水供給タンク１２から純水を洗浄ノズル４に供給する。そして、洗浄ノズル４から純水を基板Ｗの処理面に吐出して、基板Ｗの洗浄処理を行う（図２中の▲２▼）。
【００３５】
基板Ｗの洗浄処理中に基板Ｗを低速に回転させる（図２中の▲３▼）。後述する第２，第３実施例も含めて第１実施例では、回転数は１，０００ｒｐｍである。洗浄処理中に、基板Ｗに供給された純水の一部は、基板Ｗに衝突することで微粒子化される。この純水の未気化微粒子は、チャンバ７内に浮遊する。なお、浮遊した未気化微粒子は排気管６に排気されるが、洗浄処理中に未気化微粒子の一部は基板Ｗの上方に滞留する。これらの滞留した未気化微粒子は、後述する説明から明らかなようにドライエアＡの供給によって気化される。
【００３６】
基板Ｗが洗浄されれば基板Ｗの洗浄処理を終了すべく、コントローラ１４はバルブ１３を閉じるように操作し、洗浄ノズル４への純水の供給を停止する（図２中の▲４▼）。
【００３７】
このとき、基板Ｗの乾燥処理（スピンドライ）を行うべく基板Ｗを高速に回転させる（図２中の▲５▼）。第１実施例では、回転数は２，０００ｒｐｍである。この高速回転によって基板Ｗに付着した純水を基板Ｗの回転によって振り切って、基板Ｗの乾燥を行う。このスピンドライ時も含めて、チャンバ７の上部へのドライエアＡの供給によって、チャンバ７内の湿度が降下する。すなわちチャンバ７内の湿度を下げようとすることで基板Ｗの上方に滞留した未気化微粒子の気化（蒸発）も促進される。なお、未気化微粒子から気化された気化物は、ドライエアＡごと排気管６に排気される。このようにドライエアＡの供給により未気化微粒子が気化されているので、未気化微粒子が基板Ｗの上方に滞留することなく速やかに排気される。
【００３８】
基板Ｗが乾燥すれば基板Ｗの乾燥処理を終了すべく、コントローラ１４は電動モータ３を停止させ、基板Ｗの回転数を０にする（図２中の▲６▼）。乾燥処理後も引き続きドライエアＡの供給を行う。そして、コントローラ１４はバルブ２０を閉じるように操作し、チャンバ７の上部へのドライエアＡの供給を停止させ、チャンバ７内の雰囲気の気化を終了する（図２中の▲７▼）。
【００３９】
なお、乾燥処理（スピンドライ）と同時にチャンバ７の上部へのドライエアＡの供給を終了してもよい。また、スピンドライ時（図２中の▲５▼）のみドライエアＡの供給を行ってもよい。つまり、少なくともスピンドライ時にチャンバ７の上部へのドライエアＡの供給を行うことでチャンバ７内の未気化微粒子の気化を行えばよい。
【００４０】
上述の構成を有する第１実施例に係る基板処理装置によれば、洗浄ノズル４による基板Ｗへの洗浄液の供給処理（第１実施例の場合には純水による洗浄処理）を、基板Ｗを収容したチャンバ７で行う。スピンチャック１による基板の乾燥処理中、すなわちスピンドライ中に、ファン１５や供給気体通路１６によってドライエアＡをチャンバ７の上部へ供給する。このドライエアＡの供給によってチャンバ７内に浮遊した純水の未気化微粒子を気化させる。その結果、スピンドライ中に未気化微粒子が基板Ｗ上に付着することによって基板Ｗ上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。
【００４１】
また、第１実施例では、未気化微粒子の気化の促進を、チャンバ７へドライエアＡを供給することによって行っている。つまり、ドライエアＡの供給によって、チャンバ７内の湿度が降下し、未気化微粒子が蒸発して気化が促進される。
【００４２】
また、未気化微粒子の気化の促進と排気管６による排気とを並行して行うことにより、チャンバ７内の圧力変動を生じることなく、上述した各効果を達成することができる。
【００４３】
〔第２実施例〕
次に、第２実施例について、図３，図４を参照して説明する。図３は、第２実施例に係る基板処理装置の概略側面図であり、図４は、洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御に係るタイミングチャートである。
【００４４】
第２実施例に係る基板処理装置は、図３に示すように、第１実施例と同様のスピンチャック１，回転軸２，電動モータ３，洗浄ノズル４，飛散防止カップ５，およびチャンバ７の他に、ヒータ８，ランプ９などを備えて構成されている。第２実施例では、第１実施例と違い、ドライエアＡをチャンバ７内に供給しない構成となっている。
【００４５】
飛散防止カップ５よりも上部には、ヒータ８および赤外線ランプ９がこのチャンバ７内に収容されて配設されている。ヒータ８およびランプ９は、チャンバ７内に浮遊した純水の未気化微粒子を気化させるべくチャンバ７内の雰囲気を加熱するもので、本発明における加熱手段に相当する。また、この加熱手段は、未気化微粒子の気化（蒸発）を促進させるものであるから、本発明における気化促進手段にも相当する。このように第２実施例では、気化促進手段としてヒータ８およびランプ９などの加熱手段を採用し、上述した第１実施例では、気化促進手段としてファン１５，供給気体通路１６などから構成された気体供給手段を採用している。
【００４６】
なお、第２実施例では、本発明における加熱手段としてヒータ８およびランプ９をともに用いたが、チャンバ７内の雰囲気を加熱する手段であれば、特に限定されない。例えば、チャンバ７に加熱気体を供給することでチャンバ７内の雰囲気の加熱を行ってもよい。また、ヒータ８およびランプ９をともに用いなくとも、いずれか一方を用いればよい。
【００４７】
また、ヒータ８およびランプ９の配設位置は、チャンバ７内であれば特に限定されないが、基板Ｗに付着するウォータマーク痕のことを鑑みれば、好ましくは基板Ｗよりも上部、より好ましくはチャンバ１の天井部の近傍にヒータ８およびランプ９を配設する。
【００４８】
次に、洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御について、図４のタイミングチャートを参照して説明する。図４（ａ）は、各構成の動作のＯＮ／ＯＦＦに関するタイミングチャートであって、図４（ｂ）は、電動モータの回転数との関連を示したタイミングチャートである。
【００４９】
ドライエアの供給を除けば図４中の▲４▼までは、第１実施例と同じ手順である。洗浄ノズル４への純水の供給を停止し（図４中の▲４▼）、コントローラ１４はヒータ８およびランプ９を動作させて、チャンバ７内の雰囲気を加熱する。この加熱によって、基板Ｗの上方に滞留した未気化微粒子も気化される。また、このとき、基板Ｗの乾燥処理（スピンドライ）を行うべく基板Ｗを高速に回転させる（図４中の▲５▼）。
【００５０】
基板が乾燥すれば、基板Ｗの乾燥処理を終了すべく、コントローラ１４は電動モータ３を停止させ、基板Ｗの回転数を０にする（図４中の▲６▼）。乾燥処理後も引き続き雰囲気の加熱を行う。そして、コントローラ１４はヒータ８およびランプ９を停止させることで雰囲気の加熱を終了し、チャンバ７内の雰囲気の気化を終了する（図４中の▲７▼）。なお、乾燥処理と同時に雰囲気の加熱を終了してもよい。
【００５１】
上述の構成を有する第２実施例に係る基板処理装置によれば、スピンドライ中にヒータ８および赤外線ランプ９によってチャンバ７内の雰囲気の加熱を行う。この加熱によってチャンバ７内に浮遊した純水の未気化微粒子を気化させる。その結果、スピンドライ中に未気化微粒子が基板Ｗ上に付着することによって基板Ｗ上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。また、第２実施例では、未気化微粒子の気化の促進を、チャンバ７内の雰囲気を加熱することによって行っている。
【００５２】
〔第３実施例〕
次に、第３実施例について、図５，図６を参照して説明する。図５は、第３実施例に係る基板処理装置の概略側面図であり、図６は、洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御に係るタイミングチャートである。
【００５３】
第３実施例に係る基板処理装置は、第１実施例装置に係る基板処理装置と第２実施例に係る基板処理装置とを組み合わせたものである。すなわち、図５に示すように、第１，第２実施例と同様のスピンチャック１，回転軸２，電動モータ３，洗浄ノズル４，飛散防止カップ５，およびチャンバ７を備える他に、第１実施例のようにドライエアＡをチャンバ７内に供給する構成（ファン１５や供給気体通路１６など）、および第２実施例のようにチャンバ７内の雰囲気を加熱する構成（ヒータ８や赤外線ランプ９）を備えている。
【００５４】
次に、洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御について、図６のタイミングチャートを参照して説明する。図６（ａ）は、各構成の動作のＯＮ／ＯＦＦに関するタイミングチャートであって、図６（ｂ）は、電動モータの回転数との関連を示したタイミングチャートである。
【００５５】
図６中の▲１▼から▲４▼までは、第１実施例と同じ手順である。洗浄ノズル４への純水の供給を停止し（図６中の▲４▼）、コントローラ１４はヒータ８およびランプ９を動作させて、チャンバ７内の雰囲気を加熱する。この加熱と、図６中の▲１▼から引き続き行われてきたチャンバ７のドライエアＡの供給とによって、基板Ｗの上方に滞留した未気化微粒子も気化される。また、このとき、基板Ｗの乾燥処理（スピンドライ）を行うべく基板Ｗを高速に回転させる（図６中の▲５▼）。
【００５６】
基板が乾燥すれば、基板Ｗの乾燥処理を終了すべく、コントローラ１４は電動モータ３を停止させ、基板Ｗの回転数を０にする（図６中の▲６▼）。乾燥処理後も引き続き雰囲気の加熱とドライエアＡの供給とを行う。そして、コントローラ１４はバルブ２０を閉じるように操作し、チャンバ７の上部へのドライエアＡの供給を停止させ、一方でコントローラ１４はヒータ８およびランプ９を停止させることで雰囲気の加熱を終了し、チャンバ７内の雰囲気の気化を終了する（図６中の▲７▼）。なお、乾燥処理と同時にドライエアＡの供給と雰囲気の加熱とを終了してもよい。
【００５７】
上述の構成を有する第３実施例に係る基板処理装置によれば、第１実施例であるドライエアＡの供給と、第２実施例である雰囲気の加熱とを組み合わせることで、ドライエアＡの供給によるチャンバ７内の湿度の降下および雰囲気の加熱によって気化がより一層促進される。
【００５８】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００５９】
（１）上述した各実施例では、洗浄液として純水を例に採って説明したが、純水に限定されず、酸，アルカリ，およびオゾンを純水に溶解したオゾン水などに例示されるように、基板処理において通常用いられる洗浄液であれば、特に限定されない。
【００６０】
（２）上述した各実施例では、洗浄ノズル４の吐出口から基板Ｗの処理面に洗浄液（実施例では純水）を供給することで洗浄を行う基板処理装置に本発明を適用したが、基板Ｗの処理面に洗浄液を供給しつつ、ブラシやスポンジなどを基板Ｗに作用させながら洗浄を行う基板処理装置、いわゆるスクラバーに本発明を適用してもよい。また、基板Ｗを水平面内に回転させながら洗浄液を基板Ｗに供給して洗浄処理を行う基板処理装置に本発明を適用したが、基板Ｗを回転させずに洗浄ノズル４を水平面内に走査しながら基板Ｗに供給して洗浄処理を行う基板処理装置に本発明を適用してもよい。
【００６１】
（３）また、本発明における洗浄液供給手段は、実施例の洗浄ノズル４に限定されず、供給管に連接された洗浄槽に洗浄液を供給して、供給された洗浄液で満たされた洗浄槽であってもよい。つまり、本発明を、その洗浄槽に基板Ｗを浸漬して洗浄を行う基板処理装置に本発明を適用してもよい。また、実施例のように１枚づつ処理を行う枚葉式の基板処理装置に本発明を適用してもよいし、複数枚の基板を収容したカセット（キャリア）を上述した洗浄槽に浸漬するバッチ式の基板処理装置に本発明を適用してもよい。浸漬の場合には、浸漬処理された基板をチャンバ内に収容して、そのチャンバ内で基板の回転乾燥処理を行う際に本発明を適用すればよい。
【００６２】
（４）上述した各実施例では、洗浄処理のみを行う基板処理装置を例に採って説明したが、洗浄処理を含んだ一連の基板処理を行う基板処理装置に、本発明を適用してもよい。例えば、上述した基板処理の一例として、フォトレジスト膜を基板に塗布形成して、塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ処理があるが、現像処理後に基板に付着した現像液を洗浄する洗浄処理に本発明を適用してもよい。
【００６３】
また、基板への洗浄液の供給処理を含むのであれば、一連の基板処理はフォトリソグラフィ処理に限定されない。例えば、基板の不良を検査する検査処理において、基板への洗浄液の供給処理を含んでいるのであれば、検査装置に本発明を適用してもよい。
【００６４】
（５）上述した第２，第３実施例では、雰囲気の加熱を乾燥処理から行った（図４および図６中の▲４▼，▲５▼参照）が、乾燥処理よりも前の洗浄処理（洗浄液の供給処理でもよい）からチャンバ内の雰囲気の加熱を行ってもよい。例えば２流体ノズルを洗浄ノズルとして採用した場合には、各実施例と比較して、基板Ｗに供給される前からノズルから吐出した時点で洗浄液が微粒子化され、さらに未気化微粒子の粒径が小さくなる。つまり、２流体ノズルを備えた場合には、基板処理装置は洗浄液の未気化微粒子の発生を促進する構造となる。そこで、図７のタイミングチャートに示すように、気化のための雰囲気の加熱を、洗浄処理の途中から行ってもよい（図７中の▲８▼）。もちろん、洗浄処理よりも前から雰囲気の加熱を行ってもよい。つまり、第１実施例のドライエアＡの供給でも説明したように、少なくともスピンドライ時にチャンバ７内の雰囲気の加熱を行うことでチャンバ７内の未気化微粒子の気化を行えばよい。
【００６５】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、少なくとも基板の乾燥処理中に、処理部内の洗浄液の未気化微粒子を気化させるので、基板の乾燥処理中に処理部内に浮遊した洗浄液の未気化微粒子が基板上に付着することによって基板上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例に係る基板処理装置の概略側面図である。
【図２】第１実施例に係る洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御に係るタイミングチャートである。
【図３】第２実施例に係る基板処理装置の概略側面図である。
【図４】第２実施例に係る洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御に係るタイミングチャートである。
【図５】第３実施例に係る基板処理装置の概略側面図である。
【図６】第３実施例に係る洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御に係るタイミングチャートである。
【図７】変形例に係る洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御に係るタイミングチャートである。
【符号の説明】
１ … スピンチャック
４ … 洗浄ノズル
６ … 排気管
７ … チャンバ
８ … ヒータ
９ … ランプ
１５ … ファン
１６ … 供給気体通路
Ｗ … 基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板（以下、単に基板と称する）に対して基板処理を行う基板処理装置およびその方法に係り、特に、基板に対して洗浄液を供給する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の基板処理装置の場合には、基板やノズルなどを収容したチャンバ内で洗浄液の供給処理が行われ、基板への洗浄液の供給処理が終了すると、基板に付着した洗浄液を振り切って基板を乾燥させるための乾燥処理が行われる。
このような基板処理装置では、洗浄液を吐出するノズルを基板の処理面に向けて備えたものがある（例えば、特許文献１参照。）。
また、近年では、圧縮された気体と洗浄液とを混合させることで洗浄液を微粒子化して洗浄効率を上げる２流体ノズルを、ノズルとして採用しているものがある（例えば、特許文献２参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平８−１７７８０号公報（第２頁、図３）
【０００４】
【特許文献２】
特開２００２−７９１９２号公報（第２−５頁、図１、図３）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
通常、洗浄液が基板に対して供給される際には、基板上のパーティクルを物理的に除去する目的で、あるいは処理液を確実に置換する目的で、所定の流速を付与された洗浄液が基板に供給される。しかしながら、このように所定の流速を付与した洗浄液を基板に対して供給すると、基板上に供給されて跳ね返った洗浄液の未だ気化されていない微粒子、すなわち未気化微粒子がチャンバ内の基板上方において浮遊し、乾燥処理を終了して基板を搬送するまでにその未気化微粒子が乾燥処理後の基板に付着する。特に、基板を回転させながら洗浄液の供給を行う場合においては、基板の回転による未気化微粒子の舞い上がりを促進することになる。このように乾燥処理後の基板に未気化微粒子が付着すると、それが原因となって基板上にいわゆる、ウォータマーク痕を形成することとなり、処理ムラになったり、その後の検査工程でパーティクルとして検出されるという不具合が生じる。
【０００６】
また、上述した特許文献２のような、いわゆる２流体ノズルを使用した場合においては、洗浄液の未気化微粒子の発生を促進する構造であるので、基板上方で浮遊する洗浄液の未気化微粒子が発生しやすくなり、上記と同様の不具合が生じやすくなる。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、洗浄液の未気化微粒子が乾燥処理後の基板に付着してウォータマーク痕を形成することを抑制することができる基板処理装置およびその方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板を収容して処理を施す処理部と、前記処理部内で基板を水平姿勢で回転可能に保持する回転保持手段と、基板に対して洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記処理部内の洗浄液の気化を促進させる気化促進手段とを備え、前記気化促進手段は、少なくとも前記回転保持手段による基板の回転乾燥処理中に前記処理部内の洗浄液の未気化微粒子を気化させることを特徴とするものである。
【０００９】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記気化促進手段は、前記処理部内に気体を供給する気体供給手段であることを特徴とするものである。
【００１０】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記気化促進手段は、前記処理部内の雰囲気を加熱する加熱手段であることを特徴とするものである。
【００１１】
また、請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記加熱手段は、赤外線ランプであることを特徴とするものである。
【００１２】
また、請求項５に記載の発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記加熱手段は、前記処理部内に加熱気体を供給する手段であることを特徴とするものである。
【００１３】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理部から排気を行う排気手段をさらに備え、前記処理部内の気化の促進と排気とを並行に行うことを特徴とするものである。
【００１４】
また、請求項７に記載の発明は、処理部内の基板に対して洗浄液を供給する洗浄液供給工程と、前記洗浄液供給工程後の基板に対して乾燥処理を施す乾燥工程と、を含み、基板の処理を行う基板処理方法であって、少なくとも前記処理部における前記乾燥工程時に、前記洗浄液の未気化微粒子を気化させることを特徴とするものである。
【００１５】
【作用】
請求項１に記載の発明によれば、少なくとも前記回転保持手段による基板の乾燥処理中に、気化促進手段が処理部内の洗浄液の未気化微粒子を気化させる。その結果、基板の乾燥処理中に処理部内に浮遊した洗浄液の未気化微粒子が基板上に付着することによって基板上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。ここで、本明細書中での「未気化微粒子」とは、上述したように未だ気化されていない微粒子のことであって、この微粒子は液相である。
【００１６】
請求項２に記載の発明によれば、少なくとも前記回転保持手段による基板の乾燥処理中に、気体供給手段が処理部内に気体を供給することによって処理部内の洗浄液の未気化微粒子を気化させる。つまり、処理部内に気体を供給することにより処理部内の湿度が降下し、洗浄液の未気化微粒子の気化（蒸発）が促進される。その結果、未気化微粒子が基板上に付着することによって基板上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。
【００１７】
請求項３から請求項５に記載の発明によれば、少なくとも前記回転保持手段による基板の乾燥処理中に、加熱手段が処理部内の雰囲気を加熱することによって処理部内の洗浄液の未気化微粒子を気化させる。その結果、未気化微粒子が基板上に付着することによって基板上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。
【００１８】
請求項６に記載の発明によれば、処理部内の気化の促進と排気とを並行して行うことにより、処理部内の圧力変動を生じることなく、上述した各効果を達成することができる。
【００１９】
請求項７に記載の発明によれば、少なくとも前記処理部における前記乾燥工程時に、前記処理部内の未気化微粒子を気化させる。その結果、未気化微粒子が基板上に付着することによって基板上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。
【００２０】
なお、本明細書は、次のような基板処理装置およびその方法に係る発明も開示している。
【００２１】
（１）基板を回転させることにより、基板に付着した洗浄液を振り切って基板を乾燥させる基板処理装置であって、前記基板の乾燥処理を行う処理部に飛散した洗浄液の未気化微粒子を気化させる気化促進手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【００２２】
前記（１）に記載の発明によれば、気化促進手段が、基板の乾燥処理を行う処理部に飛散した洗浄液の未気化微粒子を気化させる。その結果、基板の乾燥処理中に処理部内に浮遊した洗浄液の未気化微粒子が基板上に付着することによって基板上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。
【００２３】
（２） 基板に対して処理部内において乾燥処理を施す乾燥工程を含み、基板の処理を行う基板処理方法であって、前記処理部における前記乾燥工程時に、前記処理部に飛散した洗浄液の未気化微粒子を気化させることを特徴とする基板処理方法。
【００２４】
前記（２）に記載の発明によれば、処理部に飛散した未気化微粒子を気化させる。その結果、乾燥工程時に処理部内に浮遊した未気化微粒子が基板上に付着することによって基板上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
〔第１実施例〕
以下、図面を参照して本発明の第１実施例を説明する。
図１は、第１実施例に係る基板処理装置の概略側面図であり、図２は、洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御に係るタイミングチャートである。
【００２６】
第１実施例に係る基板処理装置は、図１に示すように、スピンチャック１，回転軸２，電動モータ３，洗浄ノズル４，飛散防止カップ５，排気管６，チャンバ７，およびフィルタ１０などを備えて構成されている。スピンチャック１の形状は円板状となっており、円柱状に形成されてなる６個の支持部材１ａ（図１では２個のみ図示）を立設して構成されている。このスピンチャック１は、底面に連結された回転軸２を介して電動モータ３によって回転駆動され、この回転駆動により、支持部材１ａで周縁部を当接支持された基板Ｗが回転中心Ｐ周りに水平面内で回転される。スピンチャック１は、本発明における回転保持手段に相当する。なお、スピンチャック１は基板Ｗを吸着することで保持するタイプであってもよい。
【００２７】
飛散防止カップ５はスピンチャック１の周囲に配設され、洗浄ノズル４から供給された洗浄液（第１実施例では超純水）が飛散することを防止する。この飛散防止カップ５は、未洗浄の基板Ｗをスピンチャック１から受け取る際に図中の矢印で示すようにスピンチャック１に対して昇降するように構成されている。また、飛散防止カップ５の底部には、排気管６が環状に配設されている。排気管６は、本発明における排気手段に相当する。
【００２８】
洗浄ノズル４は、図１に示すように、吐出口が基板Ｗの処理面に向くように配設されており、この吐出口から洗浄液が吐出されて、基板Ｗに洗浄液が供給されて洗浄処理が行われる。洗浄液として、後述する第２実施例，第３実施例も含めて第１実施例では超純水（以下、単に『純水』と略記する）が用いられている。洗浄ノズル４は、供給管１１を介して純水供給装置（タンク）１２が接続されており、洗浄ノズル４と純水供給タンク１２との間にバルブ１３が供給管１１に連結されている。バルブ１３は、コントローラ１４によって開閉操作される。洗浄ノズル４は、本発明における洗浄液供給手段に相当する。第１実施例では、洗浄ノズル４は、洗浄液のみを供給するノズルであったが、圧縮された気体と洗浄液とを混合させることで洗浄液を微粒子化して洗浄効率を上げる２流体ノズルであってもよい。
【００２９】
チャンバ７は、基板Ｗや飛散防止カップ５を収容するように構成されている。チャンバ７は、本発明における処理部に相当する。チャンバ７の上部にはファン１５が、このファン１５の上部には供給気体通路１６がそれぞれ配設されている。供給気体通路１６には、供給管１８を介して気体供給装置（タンク）１９が接続されており、気体供給タンク１９から気体が供給気体通路１６に供給される。第１実施例では気体として、ドライエアが用いられている。また、供給気体通路１６と気体供給タンク１９との間にバルブ２０が供給管１６に連結されており、このバルブ２０は、コントローラ１４によって開閉操作される。
【００３０】
供給気体通路１６に供給されたドライエアＡはファン１５によって下部に案内され、フィルタ１０を介して不純物やパーティクルが除去されて、チャンバ７の上部に供給される。また、チャンバ７の上部に供給されたドライエアＡは、チャンバ７内の湿度を降下させる。ファン１５，供給気体通路１６は、本発明における気体供給手段に相当する。また、この気体供給手段は、チャンバ７内の湿度を降下させ、ひいては未気化微粒子の気化（蒸発）を促進させるものであるから、本発明における気化促進手段にも相当する。
【００３１】
なお、第１実施例では、気体としてドライエアを採用したが、窒素（Ｎ２ ）ガスなどに代表されるように湿度の低い乾燥気体でチャンバ７内の湿度を降下させるものであれば、特に限定されない。
【００３２】
次に、洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御について、図２のタイミングチャートを参照して説明する。図２（ａ）は、各構成の動作のＯＮ／ＯＦＦに関するタイミングチャートであって、図２（ｂ）は、電動モータの回転数との関連を示したタイミングチャートである。
【００３３】
まず、基板Ｗの周縁部を支持部材１ａで当接支持することで、基板Ｗをスピンチャック１で保持させる。基板を保持した状態で、コントローラ１４はバルブ２０を開くように操作し、気体供給タンク１９からドライエアＡを供給気体通路１６に供給して、そのドライエアＡをチャンバ７の上部に供給する（図２中の▲１▼）。
【００３４】
ドライエアＡの供給は、供給管１８にて連結されたバルブ２０の開閉操作によって行われる。チャンバ７の上部へのドライエアＡの供給後、コントローラ１４は電動モータ３を駆動させ、これによってスピンチャック１に保持された基板Ｗをスピンチャック１ごと水平面内に回転させる（図２中の▲２▼）。このとき、コントローラ１４はバルブ１３を開くように操作し、供給管１１を介して純水供給タンク１２から純水を洗浄ノズル４に供給する。そして、洗浄ノズル４から純水を基板Ｗの処理面に吐出して、基板Ｗの洗浄処理を行う（図２中の▲２▼）。
【００３５】
基板Ｗの洗浄処理中に基板Ｗを低速に回転させる（図２中の▲３▼）。後述する第２，第３実施例も含めて第１実施例では、回転数は１，０００ｒｐｍである。洗浄処理中に、基板Ｗに供給された純水の一部は、基板Ｗに衝突することで微粒子化される。この純水の未気化微粒子は、チャンバ７内に浮遊する。なお、浮遊した未気化微粒子は排気管６に排気されるが、洗浄処理中に未気化微粒子の一部は基板Ｗの上方に滞留する。これらの滞留した未気化微粒子は、後述する説明から明らかなようにドライエアＡの供給によって気化される。
【００３６】
基板Ｗが洗浄されれば基板Ｗの洗浄処理を終了すべく、コントローラ１４はバルブ１３を閉じるように操作し、洗浄ノズル４への純水の供給を停止する（図２中の▲４▼）。
【００３７】
このとき、基板Ｗの乾燥処理（スピンドライ）を行うべく基板Ｗを高速に回転させる（図２中の▲５▼）。第１実施例では、回転数は２，０００ｒｐｍである。この高速回転によって基板Ｗに付着した純水を基板Ｗの回転によって振り切って、基板Ｗの乾燥を行う。このスピンドライ時も含めて、チャンバ７の上部へのドライエアＡの供給によって、チャンバ７内の湿度が降下する。すなわちチャンバ７内の湿度を下げようとすることで基板Ｗの上方に滞留した未気化微粒子の気化（蒸発）も促進される。なお、未気化微粒子から気化された気化物は、ドライエアＡごと排気管６に排気される。このようにドライエアＡの供給により未気化微粒子が気化されているので、未気化微粒子が基板Ｗの上方に滞留することなく速やかに排気される。
【００３８】
基板Ｗが乾燥すれば基板Ｗの乾燥処理を終了すべく、コントローラ１４は電動モータ３を停止させ、基板Ｗの回転数を０にする（図２中の▲６▼）。乾燥処理後も引き続きドライエアＡの供給を行う。そして、コントローラ１４はバルブ２０を閉じるように操作し、チャンバ７の上部へのドライエアＡの供給を停止させ、チャンバ７内の雰囲気の気化を終了する（図２中の▲７▼）。
【００３９】
なお、乾燥処理（スピンドライ）と同時にチャンバ７の上部へのドライエアＡの供給を終了してもよい。また、スピンドライ時（図２中の▲５▼）のみドライエアＡの供給を行ってもよい。つまり、少なくともスピンドライ時にチャンバ７の上部へのドライエアＡの供給を行うことでチャンバ７内の未気化微粒子の気化を行えばよい。
【００４０】
上述の構成を有する第１実施例に係る基板処理装置によれば、洗浄ノズル４による基板Ｗへの洗浄液の供給処理（第１実施例の場合には純水による洗浄処理）を、基板Ｗを収容したチャンバ７で行う。スピンチャック１による基板の乾燥処理中、すなわちスピンドライ中に、ファン１５や供給気体通路１６によってドライエアＡをチャンバ７の上部へ供給する。このドライエアＡの供給によってチャンバ７内に浮遊した純水の未気化微粒子を気化させる。その結果、スピンドライ中に未気化微粒子が基板Ｗ上に付着することによって基板Ｗ上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。
【００４１】
また、第１実施例では、未気化微粒子の気化の促進を、チャンバ７へドライエアＡを供給することによって行っている。つまり、ドライエアＡの供給によって、チャンバ７内の湿度が降下し、未気化微粒子が蒸発して気化が促進される。
【００４２】
また、未気化微粒子の気化の促進と排気管６による排気とを並行して行うことにより、チャンバ７内の圧力変動を生じることなく、上述した各効果を達成することができる。
【００４３】
〔第２実施例〕
次に、第２実施例について、図３，図４を参照して説明する。図３は、第２実施例に係る基板処理装置の概略側面図であり、図４は、洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御に係るタイミングチャートである。
【００４４】
第２実施例に係る基板処理装置は、図３に示すように、第１実施例と同様のスピンチャック１，回転軸２，電動モータ３，洗浄ノズル４，飛散防止カップ５，およびチャンバ７の他に、ヒータ８，ランプ９などを備えて構成されている。第２実施例では、第１実施例と違い、ドライエアＡをチャンバ７内に供給しない構成となっている。
【００４５】
飛散防止カップ５よりも上部には、ヒータ８および赤外線ランプ９がこのチャンバ７内に収容されて配設されている。ヒータ８およびランプ９は、チャンバ７内に浮遊した純水の未気化微粒子を気化させるべくチャンバ７内の雰囲気を加熱するもので、本発明における加熱手段に相当する。また、この加熱手段は、未気化微粒子の気化（蒸発）を促進させるものであるから、本発明における気化促進手段にも相当する。このように第２実施例では、気化促進手段としてヒータ８およびランプ９などの加熱手段を採用し、上述した第１実施例では、気化促進手段としてファン１５，供給気体通路１６などから構成された気体供給手段を採用している。
【００４６】
なお、第２実施例では、本発明における加熱手段としてヒータ８およびランプ９をともに用いたが、チャンバ７内の雰囲気を加熱する手段であれば、特に限定されない。例えば、チャンバ７に加熱気体を供給することでチャンバ７内の雰囲気の加熱を行ってもよい。また、ヒータ８およびランプ９をともに用いなくとも、いずれか一方を用いればよい。
【００４７】
また、ヒータ８およびランプ９の配設位置は、チャンバ７内であれば特に限定されないが、基板Ｗに付着するウォータマーク痕のことを鑑みれば、好ましくは基板Ｗよりも上部、より好ましくはチャンバ１の天井部の近傍にヒータ８およびランプ９を配設する。
【００４８】
次に、洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御について、図４のタイミングチャートを参照して説明する。図４（ａ）は、各構成の動作のＯＮ／ＯＦＦに関するタイミングチャートであって、図４（ｂ）は、電動モータの回転数との関連を示したタイミングチャートである。
【００４９】
ドライエアの供給を除けば図４中の▲４▼までは、第１実施例と同じ手順である。洗浄ノズル４への純水の供給を停止し（図４中の▲４▼）、コントローラ１４はヒータ８およびランプ９を動作させて、チャンバ７内の雰囲気を加熱する。この加熱によって、基板Ｗの上方に滞留した未気化微粒子も気化される。また、このとき、基板Ｗの乾燥処理（スピンドライ）を行うべく基板Ｗを高速に回転させる（図４中の▲５▼）。
【００５０】
基板が乾燥すれば、基板Ｗの乾燥処理を終了すべく、コントローラ１４は電動モータ３を停止させ、基板Ｗの回転数を０にする（図４中の▲６▼）。乾燥処理後も引き続き雰囲気の加熱を行う。そして、コントローラ１４はヒータ８およびランプ９を停止させることで雰囲気の加熱を終了し、チャンバ７内の雰囲気の気化を終了する（図４中の▲７▼）。なお、乾燥処理と同時に雰囲気の加熱を終了してもよい。
【００５１】
上述の構成を有する第２実施例に係る基板処理装置によれば、スピンドライ中にヒータ８および赤外線ランプ９によってチャンバ７内の雰囲気の加熱を行う。この加熱によってチャンバ７内に浮遊した純水の未気化微粒子を気化させる。その結果、スピンドライ中に未気化微粒子が基板Ｗ上に付着することによって基板Ｗ上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。また、第２実施例では、未気化微粒子の気化の促進を、チャンバ７内の雰囲気を加熱することによって行っている。
【００５２】
〔第３実施例〕
次に、第３実施例について、図５，図６を参照して説明する。図５は、第３実施例に係る基板処理装置の概略側面図であり、図６は、洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御に係るタイミングチャートである。
【００５３】
第３実施例に係る基板処理装置は、第１実施例装置に係る基板処理装置と第２実施例に係る基板処理装置とを組み合わせたものである。すなわち、図５に示すように、第１，第２実施例と同様のスピンチャック１，回転軸２，電動モータ３，洗浄ノズル４，飛散防止カップ５，およびチャンバ７を備える他に、第１実施例のようにドライエアＡをチャンバ７内に供給する構成（ファン１５や供給気体通路１６など）、および第２実施例のようにチャンバ７内の雰囲気を加熱する構成（ヒータ８や赤外線ランプ９）を備えている。
【００５４】
次に、洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御について、図６のタイミングチャートを参照して説明する。図６（ａ）は、各構成の動作のＯＮ／ＯＦＦに関するタイミングチャートであって、図６（ｂ）は、電動モータの回転数との関連を示したタイミングチャートである。
【００５５】
図６中の▲１▼から▲４▼までは、第１実施例と同じ手順である。洗浄ノズル４への純水の供給を停止し（図６中の▲４▼）、コントローラ１４はヒータ８およびランプ９を動作させて、チャンバ７内の雰囲気を加熱する。この加熱と、図６中の▲１▼から引き続き行われてきたチャンバ７のドライエアＡの供給とによって、基板Ｗの上方に滞留した未気化微粒子も気化される。また、このとき、基板Ｗの乾燥処理（スピンドライ）を行うべく基板Ｗを高速に回転させる（図６中の▲５▼）。
【００５６】
基板が乾燥すれば、基板Ｗの乾燥処理を終了すべく、コントローラ１４は電動モータ３を停止させ、基板Ｗの回転数を０にする（図６中の▲６▼）。乾燥処理後も引き続き雰囲気の加熱とドライエアＡの供給とを行う。そして、コントローラ１４はバルブ２０を閉じるように操作し、チャンバ７の上部へのドライエアＡの供給を停止させ、一方でコントローラ１４はヒータ８およびランプ９を停止させることで雰囲気の加熱を終了し、チャンバ７内の雰囲気の気化を終了する（図６中の▲７▼）。なお、乾燥処理と同時にドライエアＡの供給と雰囲気の加熱とを終了してもよい。
【００５７】
上述の構成を有する第３実施例に係る基板処理装置によれば、第１実施例であるドライエアＡの供給と、第２実施例である雰囲気の加熱とを組み合わせることで、ドライエアＡの供給によるチャンバ７内の湿度の降下および雰囲気の加熱によって気化がより一層促進される。
【００５８】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００５９】
（１）上述した各実施例では、洗浄液として純水を例に採って説明したが、純水に限定されず、酸，アルカリ，およびオゾンを純水に溶解したオゾン水などに例示されるように、基板処理において通常用いられる洗浄液であれば、特に限定されない。
【００６０】
（２）上述した各実施例では、洗浄ノズル４の吐出口から基板Ｗの処理面に洗浄液（実施例では純水）を供給することで洗浄を行う基板処理装置に本発明を適用したが、基板Ｗの処理面に洗浄液を供給しつつ、ブラシやスポンジなどを基板Ｗに作用させながら洗浄を行う基板処理装置、いわゆるスクラバーに本発明を適用してもよい。また、基板Ｗを水平面内に回転させながら洗浄液を基板Ｗに供給して洗浄処理を行う基板処理装置に本発明を適用したが、基板Ｗを回転させずに洗浄ノズル４を水平面内に走査しながら基板Ｗに供給して洗浄処理を行う基板処理装置に本発明を適用してもよい。
【００６１】
（３）また、本発明における洗浄液供給手段は、実施例の洗浄ノズル４に限定されず、供給管に連接された洗浄槽に洗浄液を供給して、供給された洗浄液で満たされた洗浄槽であってもよい。つまり、本発明を、その洗浄槽に基板Ｗを浸漬して洗浄を行う基板処理装置に本発明を適用してもよい。また、実施例のように１枚づつ処理を行う枚葉式の基板処理装置に本発明を適用してもよいし、複数枚の基板を収容したカセット（キャリア）を上述した洗浄槽に浸漬するバッチ式の基板処理装置に本発明を適用してもよい。浸漬の場合には、浸漬処理された基板をチャンバ内に収容して、そのチャンバ内で基板の回転乾燥処理を行う際に本発明を適用すればよい。
【００６２】
（４）上述した各実施例では、洗浄処理のみを行う基板処理装置を例に採って説明したが、洗浄処理を含んだ一連の基板処理を行う基板処理装置に、本発明を適用してもよい。例えば、上述した基板処理の一例として、フォトレジスト膜を基板に塗布形成して、塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ処理があるが、現像処理後に基板に付着した現像液を洗浄する洗浄処理に本発明を適用してもよい。
【００６３】
また、基板への洗浄液の供給処理を含むのであれば、一連の基板処理はフォトリソグラフィ処理に限定されない。例えば、基板の不良を検査する検査処理において、基板への洗浄液の供給処理を含んでいるのであれば、検査装置に本発明を適用してもよい。
【００６４】
（５）上述した第２，第３実施例では、雰囲気の加熱を乾燥処理から行った（図４および図６中の▲４▼，▲５▼参照）が、乾燥処理よりも前の洗浄処理（洗浄液の供給処理でもよい）からチャンバ内の雰囲気の加熱を行ってもよい。例えば２流体ノズルを洗浄ノズルとして採用した場合には、各実施例と比較して、基板Ｗに供給される前からノズルから吐出した時点で洗浄液が微粒子化され、さらに未気化微粒子の粒径が小さくなる。つまり、２流体ノズルを備えた場合には、基板処理装置は洗浄液の未気化微粒子の発生を促進する構造となる。そこで、図７のタイミングチャートに示すように、気化のための雰囲気の加熱を、洗浄処理の途中から行ってもよい（図７中の▲８▼）。もちろん、洗浄処理よりも前から雰囲気の加熱を行ってもよい。つまり、第１実施例のドライエアＡの供給でも説明したように、少なくともスピンドライ時にチャンバ７内の雰囲気の加熱を行うことでチャンバ７内の未気化微粒子の気化を行えばよい。
【００６５】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、少なくとも基板の乾燥処理中に、処理部内の洗浄液の未気化微粒子を気化させるので、基板の乾燥処理中に処理部内に浮遊した洗浄液の未気化微粒子が基板上に付着することによって基板上にウォータマーク痕が形成されるのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例に係る基板処理装置の概略側面図である。
【図２】第１実施例に係る洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御に係るタイミングチャートである。
【図３】第２実施例に係る基板処理装置の概略側面図である。
【図４】第２実施例に係る洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御に係るタイミングチャートである。
【図５】第３実施例に係る基板処理装置の概略側面図である。
【図６】第３実施例に係る洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御に係るタイミングチャートである。
【図７】変形例に係る洗浄処理および乾燥処理を含んだ一連の基板処理の制御に係るタイミングチャートである。
【符号の説明】
１ … スピンチャック
４ … 洗浄ノズル
６ … 排気管
７ … チャンバ
８ … ヒータ
９ … ランプ
１５ … ファン
１６ … 供給気体通路
Ｗ … 基板
Claims (7)
- 基板を収容して処理を施す処理部と、
前記処理部内で基板を水平姿勢で回転可能に保持する回転保持手段と、
基板に対して洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記処理部内の洗浄液の気化を促進させる気化促進手段とを備え、
前記気化促進手段は、少なくとも前記回転保持手段による基板の回転乾燥処理中に前記処理部内の洗浄液の未気化微粒子を気化させることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１に記載の基板処理装置において、
前記気化促進手段は、前記処理部内に気体を供給する気体供給手段であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１に記載の基板処理装置において、
前記気化促進手段は、前記処理部内の雰囲気を加熱する加熱手段であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項３に記載の基板処理装置において、
前記加熱手段は、赤外線ランプであることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項３に記載の基板処理装置において、
前記加熱手段は、前記処理部内に加熱気体を供給する手段であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理部から排気を行う排気手段をさらに備え、
前記処理部内の気化の促進と排気とを並行に行うことを特徴とする基板処理装置。 - 処理部内の基板に対して洗浄液を供給する洗浄液供給工程と、
前記洗浄液供給工程後の基板に対して乾燥処理を施す乾燥工程と、
を含み、基板の処理を行う基板処理方法であって、
少なくとも前記処理部における前記乾燥工程時に、前記処理部内の洗浄液の未気化微粒子を気化させることを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003144771A JP2004349470A (ja) | 2003-05-22 | 2003-05-22 | 基板処理装置およびその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003144771A JP2004349470A (ja) | 2003-05-22 | 2003-05-22 | 基板処理装置およびその方法 |
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| JP2004349470A true JP2004349470A (ja) | 2004-12-09 |
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ID=33532137
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| JP2003144771A Pending JP2004349470A (ja) | 2003-05-22 | 2003-05-22 | 基板処理装置およびその方法 |
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| JP (1) | JP2004349470A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008060203A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
| CN100416200C (zh) * | 2005-12-20 | 2008-09-03 | 徐顺宽 | 平面转盘污泥干燥机 |
| US8651121B2 (en) | 2008-02-15 | 2014-02-18 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
| KR101570676B1 (ko) * | 2014-01-23 | 2015-11-20 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계식 연마 시스템의 웨이퍼의 스핀식 헹굼 건조 장치 |
| JP2021002686A (ja) * | 2014-11-11 | 2021-01-07 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
| CN113175803A (zh) * | 2020-11-28 | 2021-07-27 | 衡阳市蒸湘腾跃工艺厂(普通合伙) | 一种抗菌毛绒工艺品烘干设备 |
-
2003
- 2003-05-22 JP JP2003144771A patent/JP2004349470A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100416200C (zh) * | 2005-12-20 | 2008-09-03 | 徐顺宽 | 平面转盘污泥干燥机 |
| JP2008060203A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
| US8651121B2 (en) | 2008-02-15 | 2014-02-18 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
| KR101570676B1 (ko) * | 2014-01-23 | 2015-11-20 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계식 연마 시스템의 웨이퍼의 스핀식 헹굼 건조 장치 |
| JP2021002686A (ja) * | 2014-11-11 | 2021-01-07 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
| JP7050875B2 (ja) | 2014-11-11 | 2022-04-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
| CN113175803A (zh) * | 2020-11-28 | 2021-07-27 | 衡阳市蒸湘腾跃工艺厂(普通合伙) | 一种抗菌毛绒工艺品烘干设备 |
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