JP2004342959A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体チップと基板との離間距離を長くして、曲げに対して強い構造を有する高密度の半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体チップ1と基板3とを電気的に接続する導電性接続部材10を、半導体チップ1と基板3との間に配置する。この導電性接続部材10は、樹脂コア11と銅コア12とはんだ部材13とからなり、樹脂コア11は、はんだ部材13の内部で、銅コア12の上方に配置されている。
【選択図】 図8
【解決手段】半導体チップ1と基板3とを電気的に接続する導電性接続部材10を、半導体チップ1と基板3との間に配置する。この導電性接続部材10は、樹脂コア11と銅コア12とはんだ部材13とからなり、樹脂コア11は、はんだ部材13の内部で、銅コア12の上方に配置されている。
【選択図】 図8
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば、半導体チップまたは半導体パッケージを基板にはんだ部材にて電気的に接続し、もしくは、半導体チップ等の電子部品を搭載している基板同士をはんだ部材にて電気的に接続している半導体装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置においては、高機能、高速化の進展が著しく、基板内の部品実装密度も高くなる傾向にある。例えば、フリップチップボンディングのように半導体チップをフェースダウンで基板に接続することよって実装面積をワイヤーボンディングより減少させ高密度化を図った接続方法や、LSI、トランジスターなどの能動部品や、コンデンサー、抵抗、コイルといった受動部品を小さな一枚の基板上に多数搭載してマルチチップモジュールを構成し、このマルチチップモジュール表面内に電極形成し、これを電子回路基板の上に接続して高密度実装を図った接続技術が進展してきている。
【0003】
このような状況にあって、従来の単一のはんだボールでマルチチップモジュールを電子回路基板に接続する技術、あるいは半導体チップにはんだバンプを形成して基板と接続する技術によると、はんだボール溶融時に、はんだボール全体が溶融し、マルチチップモジュールもしくは半導体チップの重さとつり合うまで溶融して、はんだボールが変形し膨らみ、隣接するはんだボールが接しショートするという問題が発生していた。
【0004】
この問題を解決する接続方法として、接合部に銅コアの周りにはんだをコーティングした銅コアボール(以下、銅コアの周りにはんだをコーティングしたものを銅コアボールと呼び、コア部のみを銅コアと呼ぶ)を用い接合高さを確保する接合方法がある。
【0005】
しかし、上記の従来技術には次のような課題があった。すなわち、銅コアボールでは、温度サイクル試験時や曲げなどが生じた時、生じた応力をはんだと銅コアで十分吸収することができず、接合信頼性が低いという課題を有していた。
【0006】
そこで、この接合強度の問題を解決する構造として、従来、以下の構造があった。すなわち、半導体チップと基板との接続の場合において、図9に示すように、半導体チップ41を、樹脂コア45を被覆しているはんだ部材44にて、基板43に接続している。具体的に述べると、樹脂コア45を核にそのまわりをはんだ部材44で覆った樹脂コアボール(以下、樹脂コア45の周りにはんだ部材44をコーティングしたものを樹脂コアボールと呼び、コア部のみを樹脂コア45と呼ぶ)をバンプ構造とする半導体チップ41を基板43上に設置し、そのはんだ部材44を溶融させ、半導体チップ41の電極パッド41aと基板43の電極パッド43aとの接続を行って、樹脂コア45が介在した接続構造にしていた(特開平8−288291号公報:特許文献1参照)。
【0007】
また、半導体パッケージと基板との接続の場合において、図10に示すように、半導体チップ41を有する半導体パッケージ42を、樹脂コア45を被覆しているはんだ部材44にて、基板43に接続している。具体的に述べると、樹脂コア45を核にそのまわりをはんだ部材44で覆ったバンプ構造を有する半導体パッケージ42を基板43上に設置し、そのはんだ部材44を溶融させ、半導体パッケージ42の電極パッド42aと基板43の電極パッド43aとの接続を行って、樹脂コア45が介在した接続構造にしていた(特開平10−173006号公報:特許文献2参照)。
【0008】
この図9と図10に示す両方の従来例では、樹脂コア45のヤング率が銅コアのヤング率より低いため、応力緩和性に優れ、温度サイクル試験時や曲げに対しての接合信頼性が高くなっていた。
【0009】
【特許文献1】
特開平8−288291号公報(図11)
【特許文献2】
特開平10−173006号公報(図7)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図9に示す従来例では、ロジック系の半導体チップを搭載する時、半導体チップの電極数が増え、狭いピッチで電極形成を行う場合がある。この時、上記で説明した樹脂コアボールよりも小径の樹脂コアボールを用いる場合がある。小径の樹脂コアボールを用いた場合、半導体チップと基板の距離が短くなる。このとき、半導体チップと基板の距離が長い場合と同じ曲げ量を加えると、曲げ中立線からの距離が短いため、耐曲げ応力性が低下し、単に樹脂コアの応力緩和性に頼るだけでは十分な接合信頼性を確保することは難しかった。
【0011】
また、図10に示す従来例では、半導体パッケージの高密度実装のために、小径のコアボールを用いる必要が生じた時、例えば、高密度実装のために電極ピッチが0.8mmピッチから0.4mmピッチとなった場合、外形が15mm×15mmの半導体パッケージにおいて、EIAJ(Electronic Industries Association of Japan)の外形通則(EDR−7316)によると最大電極数は324個から1296個に増加させることができる。しかし、電極の直径は0.5mmから0.25mmと小さくなり、半導体パッケージのコアボールを接合した根元と基板の距離は短くなる。このとき、半導体パッケージのコアボールを接合した根元と基板の距離が長い場合と同じ曲げ量を加えると、曲げ中立線からの距離が短いため、耐曲げ応力性が低下し、単に樹脂コアの応力緩和性に頼るだけでは十分な接合信頼性を確保することは難しかった。
【0012】
そこで、この発明の課題は、半導体チップまたは半導体パッケージと基板との離間距離、もしくは、基板同士の離間距離を長くして、曲げに対して強い構造を有する高密度の半導体装置およびその製造を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の半導体装置は、半導体チップ、半導体パッケージ、または、基板に相当する第1の部品と、
基板に相当する第2の部品と、
上記第1の部品と上記第2の部品との間に配置されて上記第1の部品と上記第2の部品とを電気的に接続する導電性接続部材とを備え、
上記導電性接続部材は、はんだ部材と、このはんだ部材の比重より小さい比重を有する第1の部材と、このはんだ部材の比重以上の比重を有する第2の部材とからなり、上記第1の部材と上記第2の部材とが、上記はんだ部材の内部で、上記第1の部品と上記第2の部品との離間方向に整列されていることを特徴としている。
【0014】
ここで、第1の部品と第2の部品との離間方向とは、第1の部品および第2の部品に対して垂直な方向に限らず、第1の部品および第2の部品に対して平行な方向以外の方向をいう。
また、基板同士が接続される場合、少なくとも一方の基板には、半導体チップまたは半導体パッケージが搭載されているものとする。
また、基板同士が接続される場合、3枚以上の基板を、導電性接続部材を介して、積層してもよい。
また、第1の部材と第2の部材は、はんだ部材とは異なった材料で構成され、例えば、第1の部材の材質は樹脂であり、第2の部材の材質は銅である。
また、第1の部材は、平面視、第2の部材の少なくとも一部に重なるのが好ましく、接続構造を強固にすることができる。
【0015】
本発明の半導体装置によれば、第1の部材と第2の部材とが、第1の部品と第2の部品との間で、第1の部品と第2の部品との離間方向に整列されているため、第1の部品と第2の部品との離間寸法を長くすることができ、曲げ応力を小さくして、曲げ強度を増大することができる。特に、例えば高密度実装のために電極ピッチを小さくする必要がある場合に、従来例に示したコアボール1個で接続する場合に比べて、第1の部品と第2の部品との離間寸法を長くできて、好適である。
【0016】
また、第1の部材の比重は、はんだ部材の比重より小さく、しかも、第2の部材の比重は、はんだ部材の比重以上であるため、第1の部品と第2の部品とを接続する工程において、第1の部品と第2の部品とを上下方向に配置したとき、溶融しているはんだ部材の内部で、第1の部材を第2の部材の上方向に位置させることができ、第1の部品と第2の部品との離間寸法を、容易にかつ確実に、長くすることができる。
【0017】
したがって、半導体チップまたは半導体パッケージと基板との離間距離、若しくは、基板同士の離間距離を長くして、曲げに対して強い構造を有する高密度の半導体装置を実現することができる。
【0018】
また、一実施形態の半導体装置では、上記第1の部品と上記第2の部品との垂直方向を縦方向としたときの上記導電性接続部材における横幅寸法の最大値が、上記第1の部品と上記第2の部品との垂直方向の離間寸法よりも小さい。
【0019】
なお、第1の部材および第2の部材が球形であるとき、導電性接続部材の横断面は円形になり、このとき、導電性接続部材における横幅寸法の最大値とは、導電性接続部材における横断面の外径の最大値を意味する。
【0020】
この一実施形態の半導体装置によれば、導電性接続部材のアスペクト比(縦横比)を1.0よりも大きくでき、ブリッジが発生しにくい接続にすることができる。また、例えば高密度実装のために電極ピッチを小さくする必要がある場合、従来例に示したコアボール1個で接続する場合に比べて、アスペクト比が高くなるので、第1の部品と第2の部品との離間寸法が長くなり、曲げに対して強い構造になる。
【0021】
また、一実施形態の半導体装置では、上記第1の部品と上記第2の部品との間に、上記第1の部品と上記第2の部品との垂直方向を高さ方向としたときの上記第1の部材の高さ寸法と上記第2の部材の高さ寸法との合計の寸法以上の高さ寸法を有する第3の部品を介在している。
【0022】
なお、第3の部品は、スペーサであってもよく、または、基板同士を接続する場合において、基板に搭載される半導体チップ等の部品であってもよい。そして、第3の部品が、基板に搭載される半導体チップ等の部品である場合、その部品に、絶縁体、導体、または、半導体を取り付けてもよい。
【0023】
この一実施形態の半導体装置によれば、第3の部品により、第1の部品と第2の部品との離間寸法を保持でき、第1の部品と第2の部品とを接続する工程において、第1の部品を第2の部品の上方向に配置して、はんだ部材を溶融しても、第1の部品が自重により降下するのを防止でき、溶融しているはんだ部材の内部で、第1の部材を第2の部材の上方向に確実に位置させることができる。したがって、導電性接続部材の縦横比を1より大きく保つことができ、かつ、曲げが生じた場合、曲げ中立線からの距離が長くなり、耐曲げ等に対して強い接合を確保することができる。
【0024】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップ、半導体パッケージ、または、基板に相当する第1の部品に、はんだ部材の比重より小さい比重を有する第1の部材を被覆した状態のはんだ部材を接合する工程と、
基板に相当する第2の部品に、はんだ部材の比重以上の比重を有する第2の部材を被覆した状態のはんだ部材を接合する工程と、
上記第1の部品を上記第2の部品の上方向に配置すると共に上記第1の部材と上記第2の部材とを対向状に接近させた状態で、上記はんだ部材を溶融して、上記はんだ部材にて上記第1の部品と上記第2の部品とを電気的に接続する工程とを備えていることを特徴としている。
【0025】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、第1の部品を第2の部品の上方向に配置すると共に第1の部材と第2の部材とを対向状に接近させた状態で、はんだ部材を溶融すると、はんだ部材の比重より小さい第1の部材は、浮力により、上方の第1の部品に近づき、はんだ部材の比重以上の第2の部材は、自重により、下方の第2の部品に近づいて、第1の部材と第2の部材とが上下方向に整列された導電性接続部材を製造することができる。要するに、溶融しているはんだ部材の内部では、第1の部材(コア)と第2の部材(コア)とが互いに離れる方向に移動するので、コアの偏り(横並び)を抑制することができ、かつ、電極高さをコア1個の場合よりも高くすることができる。
【0026】
したがって、半導体チップまたは半導体パッケージと基板との離間距離、若しくは、基板同士の離間距離が長くて曲げに対して強い構造を有する高密度の半導体装置を容易に製造することができる。
【0027】
また、一実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体チップ、半導体パッケージ、または、基板に相当する第1の部品に、はんだ部材の比重より小さい比重を有する第1の部材を被覆した状態のはんだ部材を接合する工程と、
基板に相当する第2の部品に、はんだ部材の比重以上の比重を有する第2の部材を被覆した状態のはんだ部材を接合する工程と、
上記第1の部品を上記第2の部品の上方向に配置すると共に上記第1の部材と上記第2の部材とを対向状に接近させつつ、上記第1の部品と上記第2の部品との間に上記第1の部材の高さ寸法と上記第2の部材の高さ寸法との合計の寸法以上の高さ寸法を有する第3の部品を介在させた状態で、上記はんだ部材を溶融して、上記はんだ部材にて上記第1の部品と上記第2の部品とを電気的に接続する工程と
を備えていることを特徴としている。
【0028】
この一実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第1の部品を第2の部品の上方向に配置すると共に第1の部材と第2の部材とを対向状に接近させた状態で、はんだ部材を溶融すると、はんだ部材の比重より小さい第1の部材は、浮力により、上方の第1の部品に近づき、はんだ部材の比重以上の第2の部材は、自重により、下方の第2の部品に近づいて、第1の部材と第2の部材とが上下方向に整列された導電性接続部材を製造することができる。要するに、溶融しているはんだ部材の内部では、第1の部材(コア)と第2の部材(コア)とが互いに離れる方向に移動するので、コアの偏り(横並び)を抑制することができ、かつ、電極高さをコア1個の場合よりも高くすることができる。
【0029】
また、はんだ部材が溶融しても、第3の部品により、第1の部品と第2の部品との離間寸法を保持して、第1の部品が自重により降下するのを防止でき、溶融しているはんだ部材の内部で、第1の部材を第2の部材の上方向に確実に位置させることができる。
【0030】
したがって、半導体チップまたは半導体パッケージと基板との離間距離、若しくは、基板同士の離間距離が長くて曲げに対して強い構造を有する高密度の半導体装置を容易に製造することができる。
【0031】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【0032】
(第1の実施形態)
図1は、本発明の半導体装置の一実施形態である断面図を示している。この半導体装置は、積層状に配置された3枚の基板3と、隣り合う基板3,3の間に配置されて隣り合う基板3,3を電気的に接続する導電性接続部材10とを備えている。すなわち、この3枚の基板3は、導電性接続部材10を介して、上下方向に積層され、最上層の基板3、中間層の基板3、最下層の基板3からなる。
【0033】
上記各基板3には、半導体チップ1または半導体パッケージ2の少なくとも何れかが搭載されている。基板3は、その表面に、電極パッド3aを有している。隣り合う基板3,3の電極パッド3a,3aは、対向状に配置され、この隣り合う電極パッド3a,3aが、導電性接続部材10にて接続されている。
【0034】
上記導電性接続部材10は、はんだ部材13と、このはんだ部材13の比重より小さい比重を有する第1の部材11と、このはんだ部材13の比重以上の比重を有する第2の部材12とからなり、この第1の部材11とこの第2の部材12とは、上記はんだ部材13の内部で、上下方向に整列されている。
【0035】
はんだ部材13の比重は、7程度であることから、第1の部材11は、比重3.26の樹脂にて構成され、第2の部材12は、比重8.93の銅にて構成されている。また、第1の部材11および第2の部材12は球状であり、以下、第1の部材11を樹脂コア、第2の部材12を銅コアと呼ぶ。
【0036】
なお、樹脂コア11と銅コア12とを、相互に接触させてもよく、もしくは、樹脂コア11と銅コア12との間に若干のはんだ部材13を介在させてもよい。
【0037】
このように、本発明の半導体装置によれば、樹脂コア11と銅コア12とが、隣り合う基板3,3の間で、上下方向に整列されているため、隣り合う基板3,3の離間寸法をコア単体の直径より大きくすることができ、曲げ応力を小さくして、曲げ強度を大きくできる。
【0038】
次に、本発明の半導体装置の製造方法を説明する。
【0039】
図2は、リフロー炉を通す前の半導体装置の断面図を示している。図2に示すように、最上層基板3下面の電極パッド3aには、樹脂コア11とこの樹脂コア11を被覆するはんだ部材13とからなる球状の樹脂コアボール(第1のコアボール)21が、はんだ接合されている。
【0040】
中間層基板3上面の電極パッド3aには、銅コア12とこの銅コア12を被覆するはんだ部材13とからなる球状の銅コアボール(第2のコアボール)22が、接合されており、また、中間層基板3下面の電極パッド3aには、樹脂コアボール21がはんだ接合されている。
【0041】
最下層基板3上面の電極パッド3aには、銅コアボール22が接合されている。なお、樹脂コアボール21および銅コアボール22は、すでに1度リフロー炉を通過させることによって、最上層基板3、中間層基板3および最下層基板3に接合される。
【0042】
ここで、はんだ部材13は、Sn−Pbはんだ(融点183℃)でも、Sn−Ag(融点221℃程度)、Sn−Cu(融点227℃程度)のようなPbフリーはんだでも良い。
【0043】
そして、図3(a)の要部拡大断面図に示すように、樹脂コアボール21と銅コアボール22とが接する部分の周囲には、フラックス6が塗布されており、各基板3は、そのフラックス6の粘性で積層された状態を維持している。
【0044】
その後、リフロー炉などで加熱すると、樹脂コアボール21のはんだ部材13と銅コアボール22のはんだ部材13とは、溶融して混ざり合って一体状になり、図3(b)に示すように、導電性接続部材10を形成する。
【0045】
このとき、樹脂コア11は浮力により上方の基板3に近づき、銅コア12は重力により下方の基板3に近づく。さらに、上方の基板3は、樹脂コア11と銅コア12とがほぼ接するまで、自重により矢印A方向に下降する。なお、樹脂コア11と銅コア12との間にはんだ部材が残留する場合、上下の基板3,3の離間寸法は、樹脂コア11の高さ寸法と銅コア12の高さ寸法とはんだ部材の高さ寸法とを合計した寸法になる。
【0046】
ここで、溶融したはんだ部材13の表面張力で支える力よりも基板3が軽い場合、樹脂コア11と銅コア12は接することがない。他方、基板21bが重い場合、はんだ部材13の表面張力で支えきれずに、基板3は降下する。しかし、リフロー炉内で、はんだ融点以下になる時間を調整し、基板3が降下する時間よりも、はんだ部材13が融点以上となっている時間を短くすることによって、樹脂コア11と銅コア12が接する前に、はんだ融点以下になるので、接合高さを確保することができる。なお、図3(b)では、はんだ部材13が外側に膨らんだ状態で接合しているが、はんだ量が少ないときは、逆に内側に凹んだ状態で接合されることもある。
【0047】
このように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、上方の基板3の樹脂コアボール21と、下方の基板3の銅コアボール22とを対向状に接近させた状態で、はんだ部材13を溶融して、はんだ部材13にて上下の基板3,3を電気的に接続しているため、溶融しているはんだ部材13の内部で、樹脂コア11と銅コア12が互いに離れる方向に移動して、コアの偏り(横並び)を抑制することができ、かつ、電極高さをコア1個の場合よりも高くすることができる。
【0048】
すなわち、同一の比重を有する同一材料で構成した2個のコアを用いる場合では、コアの移動が同一方向(たとえば銅コアの場合重力方向)となりコアの偏り(横並び)が生じやすいが、本発明では両コアが互いに離れる方向に移動するので、コアの偏り(横並び)を抑制することができる。そのため、マルチチップモジュールのピン数が増え小径のはんだボールを用いる必要が生じたり、高密度実装を実施する場合でも、コアが縦に並ぶので、接合部の縦横の比を1よりも大きくして、マルチチップモジュールと基板の距離を長くすることができ、曲げが生じても、曲げ中立線からの距離が長いため、耐曲げ等に対して強い接合を確保することができる。
【0049】
ここで、本発明の半導体装置において、導電性接続部材10の横幅寸法の最大値は、上下の基板3,3の離間寸法よりも小さい。具体的に述べると、導電性接続部材10における電極パッド3aと平行な横断面の外径の最大値を、上下の基板3,3の距離よりも小さくすることにより、導電性接続部材10のアスペクト比を1.0よりも大きくすることができる。この結果、導電性接続部材10の最大径が、上下の基板3,3の距離よりも小さくなるため、ブリッジが発生しにくい接続にすることができる。また、コアボール1個で接続する場合よりアスペクト比が高くなるため、上下の基板3,3間の距離が長くなり、曲げに対して強い構造になる。
【0050】
(第2の実施形態)
図4は、本発明の他の実施形態を示している。この半導体装置は、上下の基板3,3の間に、樹脂コア11の高さ寸法と銅コア12の高さ寸法との合計の寸法以上の高さ寸法を有するスペーサ4を介在している。このように、上下の基板3,3の間にスペーサ4を挟むことによって、その実装高さを確保して、両方のコア11,12が横に並ぶことを防止している。
【0051】
すなわち、上基板3の降下が早いときも、樹脂コア11は上基板3の方に移動し、銅コア12は下基板3のほうに移動し、上基板3が降下してきたときも、このスペーサ4が上基板3を支えることができるので、樹脂コア11、銅コア12に力がかからず、上基板3には樹脂コア11、下基板3には銅コア12が位置している状態を保つことができて、両方のコア11,12が横に並ぶことがない。
【0052】
要するに、スペーサ4が介在していない場合、上下のコア11,12の中心線がずれて設置した時に、両方のコア11,12が滑りやすくなって、両方のコア11,12が横に並ぶ問題がある。また、基板3の重さが、はんだ部材13の表面張力で支え得る重さよりも十分に重いとき、リフロー炉内ではんだ融点以下になる時間を調整しても、基板3の降下速度が速く両方のコア11,12が横に並ぶ問題がある。
【0053】
(第3の実施形態)
図5は、本発明の別の実施形態を示している。この半導体装置において、上下の基板3,3の夫々に半導体チップ1が搭載され、この2つの半導体チップ1,1は、対向状に接触しており、この2つの半導体チップ1,1の高さ寸法の合計が、樹脂コア11の高さ寸法と銅コア12の高さ寸法との合計の寸法以上である。このように、上基板3の自重を、2つの半導体チップ1,1にて受けているため、樹脂コア11、銅コア12に余分な力がかからず、上基板3には樹脂コア11、下基板3には銅コア12が位置している状態を保つことができて、両方のコア11,12が横に並ぶことがない。
【0054】
したがって、導電性接続部材10の縦横比を1以上に保つことができ、かつ、曲げが生じた場合、曲げ中立線からの距離が長いため、耐曲げ等に対して強い接合を確保することができる。
【0055】
なお、図示省略するが、上記対向状の半導体チップ1,1の間に、絶縁体もしくは導体、半導体を設置しても良い。
【0056】
(第4の実施形態)
図6は、本発明のさらに他の実施形態を示している。この半導体装置は、(図1の)3枚の基板3が積層された多層状半導体装置9を、別の大きな基板3に、導電性接続部材10のはんだ部材13より融点の低いはんだボール7を介して接合したものである。
【0057】
要するに、多層状半導体装置9の最下層基板3の下面に設置されたパッドに、はんだボール7を接合し、導電性接続部材10のはんだ部材13より融点の低いリフロー温度で、この多層状半導体装置9を基板3に接続して、半導体装置を製造することができる。
【0058】
なお、図6に示す多層状半導体装置9は、図1のものと比べて、上下逆の状態で、基板3に接続されている。すなわち、樹脂コア11が下、銅コア12が上に位置している。
【0059】
(第5の実施形態)
図7は、本発明のさらに別の実施形態を示している。この半導体装置は、半導体チップ1を有する半導体パッケージ(BGA)2を、導電性接続部材10を介して、基板3に接続したものである。要するに、半導体パッケージ2の電極パッド2aと、基板3の電極パッド3aとを、導電性接続部材10にて接続している。
【0060】
(第6の実施形態)
図8は、本発明のさらに他の実施形態を示している。この半導体装置は、半導体チップ1を、導電性接続部材10を介して、基板3に接続したものである。要するに、半導体チップ1の電極パッド1aと、基板3の電極パッド3aとを、導電性接続部材10にて接続している。
【0061】
なお、半導体チップ1のAl電極の上にスパッタリング法などを用いて、図示しないバリアメタルを形成し、このバリアメタル上にメッキ法などではんだ電極を形成した半導体チップ1に樹脂コア11を接合し、対向する基板3の電極パッド3aに銅コア12を接合し、両方のコア11,12を接続することも可能である。
【0062】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、例えば、第1の部材11および第2の部材12の材質や形状は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。
【0063】
【発明の効果】
以上より明らかなように、本発明の半導体装置によれば、第1の部材と第2の部材とが、第1の部品と第2の部品との間で、第1の部品と第2の部品との離間方向に整列されているため、第1の部品と第2の部品との離間寸法を長くすることができ、曲げ応力を小さくして、曲げ強度を増大することができる。また、第1の部材の比重は、はんだ部材の比重より小さく、しかも、第2の部材の比重は、はんだ部材の比重以上であるため、第1の部品と第2の部品とを接続する工程において、第1の部品と第2の部品とを上下方向に配置したとき、溶融しているはんだ部材の内部で、第1の部材を第2の部材の上方向に位置させることができ、第1の部品と第2の部品との離間寸法を、容易にかつ確実に、長くすることができる。
【0064】
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、第1の部品を第2の部品の上方向に配置すると共に第1の部材と第2の部材とを対向状に接近させた状態で、はんだ部材を溶融するため、溶融しているはんだ部材の内部で、第1の部材を第2の部材の上方向に位置させることができ、曲げに対して強い構造を有する高密度の半導体装置を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置の第1実施形態を示す断面図である。
【図2】半導体装置の第1実施形態のリフロー前の状態を示す断面図である。
【図3】半導体装置の第1実施形態の一部の製造工程を示す説明図である。
【図4】半導体装置の第2実施形態を示す要部拡大断面図である。
【図5】半導体装置の第3実施形態を示す要部拡大断面図である。
【図6】半導体装置の第4実施形態を示す断面図である。
【図7】半導体装置の第5実施形態を示す断面図である。
【図8】半導体装置の第6実施形態を示す断面図である。
【図9】従来の半導体装置を示す断面図である。
【図10】従来の他の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ
2 半導体パッケージ
3 基板
10 導電性接続部材
11 第1の部材(樹脂コア)
12 第2の部材(銅コア)
13 はんだ部材
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば、半導体チップまたは半導体パッケージを基板にはんだ部材にて電気的に接続し、もしくは、半導体チップ等の電子部品を搭載している基板同士をはんだ部材にて電気的に接続している半導体装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置においては、高機能、高速化の進展が著しく、基板内の部品実装密度も高くなる傾向にある。例えば、フリップチップボンディングのように半導体チップをフェースダウンで基板に接続することよって実装面積をワイヤーボンディングより減少させ高密度化を図った接続方法や、LSI、トランジスターなどの能動部品や、コンデンサー、抵抗、コイルといった受動部品を小さな一枚の基板上に多数搭載してマルチチップモジュールを構成し、このマルチチップモジュール表面内に電極形成し、これを電子回路基板の上に接続して高密度実装を図った接続技術が進展してきている。
【0003】
このような状況にあって、従来の単一のはんだボールでマルチチップモジュールを電子回路基板に接続する技術、あるいは半導体チップにはんだバンプを形成して基板と接続する技術によると、はんだボール溶融時に、はんだボール全体が溶融し、マルチチップモジュールもしくは半導体チップの重さとつり合うまで溶融して、はんだボールが変形し膨らみ、隣接するはんだボールが接しショートするという問題が発生していた。
【0004】
この問題を解決する接続方法として、接合部に銅コアの周りにはんだをコーティングした銅コアボール(以下、銅コアの周りにはんだをコーティングしたものを銅コアボールと呼び、コア部のみを銅コアと呼ぶ)を用い接合高さを確保する接合方法がある。
【0005】
しかし、上記の従来技術には次のような課題があった。すなわち、銅コアボールでは、温度サイクル試験時や曲げなどが生じた時、生じた応力をはんだと銅コアで十分吸収することができず、接合信頼性が低いという課題を有していた。
【0006】
そこで、この接合強度の問題を解決する構造として、従来、以下の構造があった。すなわち、半導体チップと基板との接続の場合において、図9に示すように、半導体チップ41を、樹脂コア45を被覆しているはんだ部材44にて、基板43に接続している。具体的に述べると、樹脂コア45を核にそのまわりをはんだ部材44で覆った樹脂コアボール(以下、樹脂コア45の周りにはんだ部材44をコーティングしたものを樹脂コアボールと呼び、コア部のみを樹脂コア45と呼ぶ)をバンプ構造とする半導体チップ41を基板43上に設置し、そのはんだ部材44を溶融させ、半導体チップ41の電極パッド41aと基板43の電極パッド43aとの接続を行って、樹脂コア45が介在した接続構造にしていた(特開平8−288291号公報:特許文献1参照)。
【0007】
また、半導体パッケージと基板との接続の場合において、図10に示すように、半導体チップ41を有する半導体パッケージ42を、樹脂コア45を被覆しているはんだ部材44にて、基板43に接続している。具体的に述べると、樹脂コア45を核にそのまわりをはんだ部材44で覆ったバンプ構造を有する半導体パッケージ42を基板43上に設置し、そのはんだ部材44を溶融させ、半導体パッケージ42の電極パッド42aと基板43の電極パッド43aとの接続を行って、樹脂コア45が介在した接続構造にしていた(特開平10−173006号公報:特許文献2参照)。
【0008】
この図9と図10に示す両方の従来例では、樹脂コア45のヤング率が銅コアのヤング率より低いため、応力緩和性に優れ、温度サイクル試験時や曲げに対しての接合信頼性が高くなっていた。
【0009】
【特許文献1】
特開平8−288291号公報(図11)
【特許文献2】
特開平10−173006号公報(図7)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図9に示す従来例では、ロジック系の半導体チップを搭載する時、半導体チップの電極数が増え、狭いピッチで電極形成を行う場合がある。この時、上記で説明した樹脂コアボールよりも小径の樹脂コアボールを用いる場合がある。小径の樹脂コアボールを用いた場合、半導体チップと基板の距離が短くなる。このとき、半導体チップと基板の距離が長い場合と同じ曲げ量を加えると、曲げ中立線からの距離が短いため、耐曲げ応力性が低下し、単に樹脂コアの応力緩和性に頼るだけでは十分な接合信頼性を確保することは難しかった。
【0011】
また、図10に示す従来例では、半導体パッケージの高密度実装のために、小径のコアボールを用いる必要が生じた時、例えば、高密度実装のために電極ピッチが0.8mmピッチから0.4mmピッチとなった場合、外形が15mm×15mmの半導体パッケージにおいて、EIAJ(Electronic Industries Association of Japan)の外形通則(EDR−7316)によると最大電極数は324個から1296個に増加させることができる。しかし、電極の直径は0.5mmから0.25mmと小さくなり、半導体パッケージのコアボールを接合した根元と基板の距離は短くなる。このとき、半導体パッケージのコアボールを接合した根元と基板の距離が長い場合と同じ曲げ量を加えると、曲げ中立線からの距離が短いため、耐曲げ応力性が低下し、単に樹脂コアの応力緩和性に頼るだけでは十分な接合信頼性を確保することは難しかった。
【0012】
そこで、この発明の課題は、半導体チップまたは半導体パッケージと基板との離間距離、もしくは、基板同士の離間距離を長くして、曲げに対して強い構造を有する高密度の半導体装置およびその製造を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の半導体装置は、半導体チップ、半導体パッケージ、または、基板に相当する第1の部品と、
基板に相当する第2の部品と、
上記第1の部品と上記第2の部品との間に配置されて上記第1の部品と上記第2の部品とを電気的に接続する導電性接続部材とを備え、
上記導電性接続部材は、はんだ部材と、このはんだ部材の比重より小さい比重を有する第1の部材と、このはんだ部材の比重以上の比重を有する第2の部材とからなり、上記第1の部材と上記第2の部材とが、上記はんだ部材の内部で、上記第1の部品と上記第2の部品との離間方向に整列されていることを特徴としている。
【0014】
ここで、第1の部品と第2の部品との離間方向とは、第1の部品および第2の部品に対して垂直な方向に限らず、第1の部品および第2の部品に対して平行な方向以外の方向をいう。
また、基板同士が接続される場合、少なくとも一方の基板には、半導体チップまたは半導体パッケージが搭載されているものとする。
また、基板同士が接続される場合、3枚以上の基板を、導電性接続部材を介して、積層してもよい。
また、第1の部材と第2の部材は、はんだ部材とは異なった材料で構成され、例えば、第1の部材の材質は樹脂であり、第2の部材の材質は銅である。
また、第1の部材は、平面視、第2の部材の少なくとも一部に重なるのが好ましく、接続構造を強固にすることができる。
【0015】
本発明の半導体装置によれば、第1の部材と第2の部材とが、第1の部品と第2の部品との間で、第1の部品と第2の部品との離間方向に整列されているため、第1の部品と第2の部品との離間寸法を長くすることができ、曲げ応力を小さくして、曲げ強度を増大することができる。特に、例えば高密度実装のために電極ピッチを小さくする必要がある場合に、従来例に示したコアボール1個で接続する場合に比べて、第1の部品と第2の部品との離間寸法を長くできて、好適である。
【0016】
また、第1の部材の比重は、はんだ部材の比重より小さく、しかも、第2の部材の比重は、はんだ部材の比重以上であるため、第1の部品と第2の部品とを接続する工程において、第1の部品と第2の部品とを上下方向に配置したとき、溶融しているはんだ部材の内部で、第1の部材を第2の部材の上方向に位置させることができ、第1の部品と第2の部品との離間寸法を、容易にかつ確実に、長くすることができる。
【0017】
したがって、半導体チップまたは半導体パッケージと基板との離間距離、若しくは、基板同士の離間距離を長くして、曲げに対して強い構造を有する高密度の半導体装置を実現することができる。
【0018】
また、一実施形態の半導体装置では、上記第1の部品と上記第2の部品との垂直方向を縦方向としたときの上記導電性接続部材における横幅寸法の最大値が、上記第1の部品と上記第2の部品との垂直方向の離間寸法よりも小さい。
【0019】
なお、第1の部材および第2の部材が球形であるとき、導電性接続部材の横断面は円形になり、このとき、導電性接続部材における横幅寸法の最大値とは、導電性接続部材における横断面の外径の最大値を意味する。
【0020】
この一実施形態の半導体装置によれば、導電性接続部材のアスペクト比(縦横比)を1.0よりも大きくでき、ブリッジが発生しにくい接続にすることができる。また、例えば高密度実装のために電極ピッチを小さくする必要がある場合、従来例に示したコアボール1個で接続する場合に比べて、アスペクト比が高くなるので、第1の部品と第2の部品との離間寸法が長くなり、曲げに対して強い構造になる。
【0021】
また、一実施形態の半導体装置では、上記第1の部品と上記第2の部品との間に、上記第1の部品と上記第2の部品との垂直方向を高さ方向としたときの上記第1の部材の高さ寸法と上記第2の部材の高さ寸法との合計の寸法以上の高さ寸法を有する第3の部品を介在している。
【0022】
なお、第3の部品は、スペーサであってもよく、または、基板同士を接続する場合において、基板に搭載される半導体チップ等の部品であってもよい。そして、第3の部品が、基板に搭載される半導体チップ等の部品である場合、その部品に、絶縁体、導体、または、半導体を取り付けてもよい。
【0023】
この一実施形態の半導体装置によれば、第3の部品により、第1の部品と第2の部品との離間寸法を保持でき、第1の部品と第2の部品とを接続する工程において、第1の部品を第2の部品の上方向に配置して、はんだ部材を溶融しても、第1の部品が自重により降下するのを防止でき、溶融しているはんだ部材の内部で、第1の部材を第2の部材の上方向に確実に位置させることができる。したがって、導電性接続部材の縦横比を1より大きく保つことができ、かつ、曲げが生じた場合、曲げ中立線からの距離が長くなり、耐曲げ等に対して強い接合を確保することができる。
【0024】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップ、半導体パッケージ、または、基板に相当する第1の部品に、はんだ部材の比重より小さい比重を有する第1の部材を被覆した状態のはんだ部材を接合する工程と、
基板に相当する第2の部品に、はんだ部材の比重以上の比重を有する第2の部材を被覆した状態のはんだ部材を接合する工程と、
上記第1の部品を上記第2の部品の上方向に配置すると共に上記第1の部材と上記第2の部材とを対向状に接近させた状態で、上記はんだ部材を溶融して、上記はんだ部材にて上記第1の部品と上記第2の部品とを電気的に接続する工程とを備えていることを特徴としている。
【0025】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、第1の部品を第2の部品の上方向に配置すると共に第1の部材と第2の部材とを対向状に接近させた状態で、はんだ部材を溶融すると、はんだ部材の比重より小さい第1の部材は、浮力により、上方の第1の部品に近づき、はんだ部材の比重以上の第2の部材は、自重により、下方の第2の部品に近づいて、第1の部材と第2の部材とが上下方向に整列された導電性接続部材を製造することができる。要するに、溶融しているはんだ部材の内部では、第1の部材(コア)と第2の部材(コア)とが互いに離れる方向に移動するので、コアの偏り(横並び)を抑制することができ、かつ、電極高さをコア1個の場合よりも高くすることができる。
【0026】
したがって、半導体チップまたは半導体パッケージと基板との離間距離、若しくは、基板同士の離間距離が長くて曲げに対して強い構造を有する高密度の半導体装置を容易に製造することができる。
【0027】
また、一実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体チップ、半導体パッケージ、または、基板に相当する第1の部品に、はんだ部材の比重より小さい比重を有する第1の部材を被覆した状態のはんだ部材を接合する工程と、
基板に相当する第2の部品に、はんだ部材の比重以上の比重を有する第2の部材を被覆した状態のはんだ部材を接合する工程と、
上記第1の部品を上記第2の部品の上方向に配置すると共に上記第1の部材と上記第2の部材とを対向状に接近させつつ、上記第1の部品と上記第2の部品との間に上記第1の部材の高さ寸法と上記第2の部材の高さ寸法との合計の寸法以上の高さ寸法を有する第3の部品を介在させた状態で、上記はんだ部材を溶融して、上記はんだ部材にて上記第1の部品と上記第2の部品とを電気的に接続する工程と
を備えていることを特徴としている。
【0028】
この一実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第1の部品を第2の部品の上方向に配置すると共に第1の部材と第2の部材とを対向状に接近させた状態で、はんだ部材を溶融すると、はんだ部材の比重より小さい第1の部材は、浮力により、上方の第1の部品に近づき、はんだ部材の比重以上の第2の部材は、自重により、下方の第2の部品に近づいて、第1の部材と第2の部材とが上下方向に整列された導電性接続部材を製造することができる。要するに、溶融しているはんだ部材の内部では、第1の部材(コア)と第2の部材(コア)とが互いに離れる方向に移動するので、コアの偏り(横並び)を抑制することができ、かつ、電極高さをコア1個の場合よりも高くすることができる。
【0029】
また、はんだ部材が溶融しても、第3の部品により、第1の部品と第2の部品との離間寸法を保持して、第1の部品が自重により降下するのを防止でき、溶融しているはんだ部材の内部で、第1の部材を第2の部材の上方向に確実に位置させることができる。
【0030】
したがって、半導体チップまたは半導体パッケージと基板との離間距離、若しくは、基板同士の離間距離が長くて曲げに対して強い構造を有する高密度の半導体装置を容易に製造することができる。
【0031】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【0032】
(第1の実施形態)
図1は、本発明の半導体装置の一実施形態である断面図を示している。この半導体装置は、積層状に配置された3枚の基板3と、隣り合う基板3,3の間に配置されて隣り合う基板3,3を電気的に接続する導電性接続部材10とを備えている。すなわち、この3枚の基板3は、導電性接続部材10を介して、上下方向に積層され、最上層の基板3、中間層の基板3、最下層の基板3からなる。
【0033】
上記各基板3には、半導体チップ1または半導体パッケージ2の少なくとも何れかが搭載されている。基板3は、その表面に、電極パッド3aを有している。隣り合う基板3,3の電極パッド3a,3aは、対向状に配置され、この隣り合う電極パッド3a,3aが、導電性接続部材10にて接続されている。
【0034】
上記導電性接続部材10は、はんだ部材13と、このはんだ部材13の比重より小さい比重を有する第1の部材11と、このはんだ部材13の比重以上の比重を有する第2の部材12とからなり、この第1の部材11とこの第2の部材12とは、上記はんだ部材13の内部で、上下方向に整列されている。
【0035】
はんだ部材13の比重は、7程度であることから、第1の部材11は、比重3.26の樹脂にて構成され、第2の部材12は、比重8.93の銅にて構成されている。また、第1の部材11および第2の部材12は球状であり、以下、第1の部材11を樹脂コア、第2の部材12を銅コアと呼ぶ。
【0036】
なお、樹脂コア11と銅コア12とを、相互に接触させてもよく、もしくは、樹脂コア11と銅コア12との間に若干のはんだ部材13を介在させてもよい。
【0037】
このように、本発明の半導体装置によれば、樹脂コア11と銅コア12とが、隣り合う基板3,3の間で、上下方向に整列されているため、隣り合う基板3,3の離間寸法をコア単体の直径より大きくすることができ、曲げ応力を小さくして、曲げ強度を大きくできる。
【0038】
次に、本発明の半導体装置の製造方法を説明する。
【0039】
図2は、リフロー炉を通す前の半導体装置の断面図を示している。図2に示すように、最上層基板3下面の電極パッド3aには、樹脂コア11とこの樹脂コア11を被覆するはんだ部材13とからなる球状の樹脂コアボール(第1のコアボール)21が、はんだ接合されている。
【0040】
中間層基板3上面の電極パッド3aには、銅コア12とこの銅コア12を被覆するはんだ部材13とからなる球状の銅コアボール(第2のコアボール)22が、接合されており、また、中間層基板3下面の電極パッド3aには、樹脂コアボール21がはんだ接合されている。
【0041】
最下層基板3上面の電極パッド3aには、銅コアボール22が接合されている。なお、樹脂コアボール21および銅コアボール22は、すでに1度リフロー炉を通過させることによって、最上層基板3、中間層基板3および最下層基板3に接合される。
【0042】
ここで、はんだ部材13は、Sn−Pbはんだ(融点183℃)でも、Sn−Ag(融点221℃程度)、Sn−Cu(融点227℃程度)のようなPbフリーはんだでも良い。
【0043】
そして、図3(a)の要部拡大断面図に示すように、樹脂コアボール21と銅コアボール22とが接する部分の周囲には、フラックス6が塗布されており、各基板3は、そのフラックス6の粘性で積層された状態を維持している。
【0044】
その後、リフロー炉などで加熱すると、樹脂コアボール21のはんだ部材13と銅コアボール22のはんだ部材13とは、溶融して混ざり合って一体状になり、図3(b)に示すように、導電性接続部材10を形成する。
【0045】
このとき、樹脂コア11は浮力により上方の基板3に近づき、銅コア12は重力により下方の基板3に近づく。さらに、上方の基板3は、樹脂コア11と銅コア12とがほぼ接するまで、自重により矢印A方向に下降する。なお、樹脂コア11と銅コア12との間にはんだ部材が残留する場合、上下の基板3,3の離間寸法は、樹脂コア11の高さ寸法と銅コア12の高さ寸法とはんだ部材の高さ寸法とを合計した寸法になる。
【0046】
ここで、溶融したはんだ部材13の表面張力で支える力よりも基板3が軽い場合、樹脂コア11と銅コア12は接することがない。他方、基板21bが重い場合、はんだ部材13の表面張力で支えきれずに、基板3は降下する。しかし、リフロー炉内で、はんだ融点以下になる時間を調整し、基板3が降下する時間よりも、はんだ部材13が融点以上となっている時間を短くすることによって、樹脂コア11と銅コア12が接する前に、はんだ融点以下になるので、接合高さを確保することができる。なお、図3(b)では、はんだ部材13が外側に膨らんだ状態で接合しているが、はんだ量が少ないときは、逆に内側に凹んだ状態で接合されることもある。
【0047】
このように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、上方の基板3の樹脂コアボール21と、下方の基板3の銅コアボール22とを対向状に接近させた状態で、はんだ部材13を溶融して、はんだ部材13にて上下の基板3,3を電気的に接続しているため、溶融しているはんだ部材13の内部で、樹脂コア11と銅コア12が互いに離れる方向に移動して、コアの偏り(横並び)を抑制することができ、かつ、電極高さをコア1個の場合よりも高くすることができる。
【0048】
すなわち、同一の比重を有する同一材料で構成した2個のコアを用いる場合では、コアの移動が同一方向(たとえば銅コアの場合重力方向)となりコアの偏り(横並び)が生じやすいが、本発明では両コアが互いに離れる方向に移動するので、コアの偏り(横並び)を抑制することができる。そのため、マルチチップモジュールのピン数が増え小径のはんだボールを用いる必要が生じたり、高密度実装を実施する場合でも、コアが縦に並ぶので、接合部の縦横の比を1よりも大きくして、マルチチップモジュールと基板の距離を長くすることができ、曲げが生じても、曲げ中立線からの距離が長いため、耐曲げ等に対して強い接合を確保することができる。
【0049】
ここで、本発明の半導体装置において、導電性接続部材10の横幅寸法の最大値は、上下の基板3,3の離間寸法よりも小さい。具体的に述べると、導電性接続部材10における電極パッド3aと平行な横断面の外径の最大値を、上下の基板3,3の距離よりも小さくすることにより、導電性接続部材10のアスペクト比を1.0よりも大きくすることができる。この結果、導電性接続部材10の最大径が、上下の基板3,3の距離よりも小さくなるため、ブリッジが発生しにくい接続にすることができる。また、コアボール1個で接続する場合よりアスペクト比が高くなるため、上下の基板3,3間の距離が長くなり、曲げに対して強い構造になる。
【0050】
(第2の実施形態)
図4は、本発明の他の実施形態を示している。この半導体装置は、上下の基板3,3の間に、樹脂コア11の高さ寸法と銅コア12の高さ寸法との合計の寸法以上の高さ寸法を有するスペーサ4を介在している。このように、上下の基板3,3の間にスペーサ4を挟むことによって、その実装高さを確保して、両方のコア11,12が横に並ぶことを防止している。
【0051】
すなわち、上基板3の降下が早いときも、樹脂コア11は上基板3の方に移動し、銅コア12は下基板3のほうに移動し、上基板3が降下してきたときも、このスペーサ4が上基板3を支えることができるので、樹脂コア11、銅コア12に力がかからず、上基板3には樹脂コア11、下基板3には銅コア12が位置している状態を保つことができて、両方のコア11,12が横に並ぶことがない。
【0052】
要するに、スペーサ4が介在していない場合、上下のコア11,12の中心線がずれて設置した時に、両方のコア11,12が滑りやすくなって、両方のコア11,12が横に並ぶ問題がある。また、基板3の重さが、はんだ部材13の表面張力で支え得る重さよりも十分に重いとき、リフロー炉内ではんだ融点以下になる時間を調整しても、基板3の降下速度が速く両方のコア11,12が横に並ぶ問題がある。
【0053】
(第3の実施形態)
図5は、本発明の別の実施形態を示している。この半導体装置において、上下の基板3,3の夫々に半導体チップ1が搭載され、この2つの半導体チップ1,1は、対向状に接触しており、この2つの半導体チップ1,1の高さ寸法の合計が、樹脂コア11の高さ寸法と銅コア12の高さ寸法との合計の寸法以上である。このように、上基板3の自重を、2つの半導体チップ1,1にて受けているため、樹脂コア11、銅コア12に余分な力がかからず、上基板3には樹脂コア11、下基板3には銅コア12が位置している状態を保つことができて、両方のコア11,12が横に並ぶことがない。
【0054】
したがって、導電性接続部材10の縦横比を1以上に保つことができ、かつ、曲げが生じた場合、曲げ中立線からの距離が長いため、耐曲げ等に対して強い接合を確保することができる。
【0055】
なお、図示省略するが、上記対向状の半導体チップ1,1の間に、絶縁体もしくは導体、半導体を設置しても良い。
【0056】
(第4の実施形態)
図6は、本発明のさらに他の実施形態を示している。この半導体装置は、(図1の)3枚の基板3が積層された多層状半導体装置9を、別の大きな基板3に、導電性接続部材10のはんだ部材13より融点の低いはんだボール7を介して接合したものである。
【0057】
要するに、多層状半導体装置9の最下層基板3の下面に設置されたパッドに、はんだボール7を接合し、導電性接続部材10のはんだ部材13より融点の低いリフロー温度で、この多層状半導体装置9を基板3に接続して、半導体装置を製造することができる。
【0058】
なお、図6に示す多層状半導体装置9は、図1のものと比べて、上下逆の状態で、基板3に接続されている。すなわち、樹脂コア11が下、銅コア12が上に位置している。
【0059】
(第5の実施形態)
図7は、本発明のさらに別の実施形態を示している。この半導体装置は、半導体チップ1を有する半導体パッケージ(BGA)2を、導電性接続部材10を介して、基板3に接続したものである。要するに、半導体パッケージ2の電極パッド2aと、基板3の電極パッド3aとを、導電性接続部材10にて接続している。
【0060】
(第6の実施形態)
図8は、本発明のさらに他の実施形態を示している。この半導体装置は、半導体チップ1を、導電性接続部材10を介して、基板3に接続したものである。要するに、半導体チップ1の電極パッド1aと、基板3の電極パッド3aとを、導電性接続部材10にて接続している。
【0061】
なお、半導体チップ1のAl電極の上にスパッタリング法などを用いて、図示しないバリアメタルを形成し、このバリアメタル上にメッキ法などではんだ電極を形成した半導体チップ1に樹脂コア11を接合し、対向する基板3の電極パッド3aに銅コア12を接合し、両方のコア11,12を接続することも可能である。
【0062】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、例えば、第1の部材11および第2の部材12の材質や形状は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。
【0063】
【発明の効果】
以上より明らかなように、本発明の半導体装置によれば、第1の部材と第2の部材とが、第1の部品と第2の部品との間で、第1の部品と第2の部品との離間方向に整列されているため、第1の部品と第2の部品との離間寸法を長くすることができ、曲げ応力を小さくして、曲げ強度を増大することができる。また、第1の部材の比重は、はんだ部材の比重より小さく、しかも、第2の部材の比重は、はんだ部材の比重以上であるため、第1の部品と第2の部品とを接続する工程において、第1の部品と第2の部品とを上下方向に配置したとき、溶融しているはんだ部材の内部で、第1の部材を第2の部材の上方向に位置させることができ、第1の部品と第2の部品との離間寸法を、容易にかつ確実に、長くすることができる。
【0064】
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、第1の部品を第2の部品の上方向に配置すると共に第1の部材と第2の部材とを対向状に接近させた状態で、はんだ部材を溶融するため、溶融しているはんだ部材の内部で、第1の部材を第2の部材の上方向に位置させることができ、曲げに対して強い構造を有する高密度の半導体装置を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置の第1実施形態を示す断面図である。
【図2】半導体装置の第1実施形態のリフロー前の状態を示す断面図である。
【図3】半導体装置の第1実施形態の一部の製造工程を示す説明図である。
【図4】半導体装置の第2実施形態を示す要部拡大断面図である。
【図5】半導体装置の第3実施形態を示す要部拡大断面図である。
【図6】半導体装置の第4実施形態を示す断面図である。
【図7】半導体装置の第5実施形態を示す断面図である。
【図8】半導体装置の第6実施形態を示す断面図である。
【図9】従来の半導体装置を示す断面図である。
【図10】従来の他の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ
2 半導体パッケージ
3 基板
10 導電性接続部材
11 第1の部材(樹脂コア)
12 第2の部材(銅コア)
13 はんだ部材
Claims (5)
- 半導体チップ、半導体パッケージ、または、基板に相当する第1の部品と、
基板に相当する第2の部品と、
上記第1の部品と上記第2の部品との間に配置されて上記第1の部品と上記第2の部品とを電気的に接続する導電性接続部材とを備え、
上記導電性接続部材は、はんだ部材と、このはんだ部材の比重より小さい比重を有する第1の部材と、このはんだ部材の比重以上の比重を有する第2の部材とからなり、上記第1の部材と上記第2の部材とが、上記はんだ部材の内部で、上記第1の部品と上記第2の部品との離間方向に整列されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
上記第1の部品と上記第2の部品との垂直方向を縦方向としたときの上記導電性接続部材における横幅寸法の最大値が、上記第1の部品と上記第2の部品との垂直方向の離間寸法よりも小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
上記第1の部品と上記第2の部品との間に、上記第1の部品と上記第2の部品との垂直方向を高さ方向としたときの上記第1の部材の高さ寸法と上記第2の部材の高さ寸法との合計の寸法以上の高さ寸法を有する第3の部品を介在していることを特徴とする半導体装置。 - 半導体チップ、半導体パッケージ、または、基板に相当する第1の部品に、はんだ部材の比重より小さい比重を有する第1の部材を被覆した状態のはんだ部材を接合する工程と、
基板に相当する第2の部品に、はんだ部材の比重以上の比重を有する第2の部材を被覆した状態のはんだ部材を接合する工程と、
上記第1の部品を上記第2の部品の上方向に配置すると共に上記第1の部材と上記第2の部材とを対向状に接近させた状態で、上記はんだ部材を溶融して、上記はんだ部材にて上記第1の部品と上記第2の部品とを電気的に接続する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体チップ、半導体パッケージ、または、基板に相当する第1の部品に、はんだ部材の比重より小さい比重を有する第1の部材を被覆した状態のはんだ部材を接合する工程と、
基板に相当する第2の部品に、はんだ部材の比重以上の比重を有する第2の部材を被覆した状態のはんだ部材を接合する工程と、
上記第1の部品を上記第2の部品の上方向に配置すると共に上記第1の部材と上記第2の部材とを対向状に接近させつつ、上記第1の部品と上記第2の部品との間に上記第1の部材の高さ寸法と上記第2の部材の高さ寸法との合計の寸法以上の高さ寸法を有する第3の部品を介在させた状態で、上記はんだ部材を溶融して、上記はんだ部材にて上記第1の部品と上記第2の部品とを電気的に接続する工程と
を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2003140023A JP2004342959A (ja) | 2003-05-19 | 2003-05-19 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2007013344A1 (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半田付け実装構造およびその製造方法、並びにその利用 |
JP2012079823A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
US8964402B2 (en) | 2011-01-11 | 2015-02-24 | Fujitsu Limited | Electronic device, interposer and method of manufacturing electronic device |
-
2003
- 2003-05-19 JP JP2003140023A patent/JP2004342959A/ja active Pending
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