JP2004342738A - 半導体装置とその製造方法、および半導体装置前駆体とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法、および半導体装置前駆体とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004342738A JP2004342738A JP2003135734A JP2003135734A JP2004342738A JP 2004342738 A JP2004342738 A JP 2004342738A JP 2003135734 A JP2003135734 A JP 2003135734A JP 2003135734 A JP2003135734 A JP 2003135734A JP 2004342738 A JP2004342738 A JP 2004342738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resin layer
- electrodes
- electrode
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Abstract
【課題】基板同士の接続が容易であり、薄型化が可能な接続信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の第１の電極１１を備えた第１の基板１２と、複数の第２の電極１６ａを備えた第２の基板１５と、複数の第３の電極２２を備えた第３の基板２１とを含む半導体装置であって、第１の基板１２と第３の基板２１とは、樹脂により接着されており、かつ第１の電極１１と第３の電極２２とは、対向して配置されているとともにバンプ２０を介して電気的に接続されており、第２の基板１５は、第１の基板１２と第３の基板２１との間に配置されており、かつ第１の電極１１と第２の電極１６ａとは、バンプ１６ｂを介して電気的に接続されている半導体装置とする。
【選択図】 図２
【解決手段】複数の第１の電極１１を備えた第１の基板１２と、複数の第２の電極１６ａを備えた第２の基板１５と、複数の第３の電極２２を備えた第３の基板２１とを含む半導体装置であって、第１の基板１２と第３の基板２１とは、樹脂により接着されており、かつ第１の電極１１と第３の電極２２とは、対向して配置されているとともにバンプ２０を介して電気的に接続されており、第２の基板１５は、第１の基板１２と第３の基板２１との間に配置されており、かつ第１の電極１１と第２の電極１６ａとは、バンプ１６ｂを介して電気的に接続されている半導体装置とする。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置とその製造方法、および半導体装置前駆体とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置においては、実装の高密度化と高速化の要求が高まっており、かかる要求を満たす実装方式として、チップを積み重ねて実装するチップオンチップ方式が注目されている。このチップオンチップ方式による実装では、バンプを用いたフリップチップ接続とワイヤボンディングを用いたフェイスアップ接続とを組み合わせて接続する方法と、全てをワイヤボンディングで接続する方法とが採用されている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３参照。）。
【０００３】
ここで、従来のチップオンチップ方式による接続方法を図面を用いて説明する。図５は、従来のチップオンチップ方式により接続した半導体装置の一例を示す断面図である。図５Ａは、半導体チップ５１と半導体チップ５２とはワイヤ５４により電気的に接続され、半導体チップ５２と半導体チップ５３とはバンプ５５により電気的に接続されている一例を示したものである。また、図５Ｂは、半導体チップ５１と半導体チップ５２とはバンプ５５により電気的に接続され、半導体チップ５２と半導体チップ５３とはワイヤ５４により電気的に接続されている一例を示したものである。さらに、図５Ｃは、半導体チップ５１と半導体チップ５２、および、半導体チップ５２と半導体チップ５３とは全てワイヤ５４により電気的に接続されている一例を示したものである。
【０００４】
【特許文献１】
特開平６−１３５４１号公報
【０００５】
【特許文献２】
特開平１１−２１９９８４号公報
【０００６】
【特許文献３】
特開２００１−７７２４３号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
図５に示した従来のチップオンチップ方式により接続された半導体装置では、ワイヤ５４のループを保護するために樹脂モールド５６が必要となるため、半導体装置の薄型化が図れないという問題があった。また、樹脂モールド５６の熱伝導率が低いため、発熱した半導体チップを冷却することが困難になるという問題もあった。具体的には、発熱量が５Ｗ以上の半導体チップを使用することができなかった。
【０００８】
本発明は、基板同士の接続が容易であり、薄型化が可能な接続信頼性の高い半導体装置を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数の第１の電極を備えた第１の基板と、複数の第２の電極を備えた第２の基板と、複数の第３の電極を備えた第３の基板とを含む半導体装置であって、
前記第１の基板と前記第３の基板とは、樹脂により接着されており、かつ前記第１の電極と前記第３の電極とは、対向して配置されているとともに第１の導体部を介して電気的に接続されており、
前記第２の基板は、前記第１の基板と前記第３の基板との間に配置されており、かつ前記第１の電極と前記第２の電極とは、第２の導体部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置を提供する。
【００１０】
また、本発明は、複数の第１の電極を備えた第１の基板の上に、前記第１の電極を覆う第１の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層に、前記第１の電極が露出するように第１の開口部を形成し、
前記第１の樹脂層の上に、複数の第２の電極を備えた第２の基板を配置して、前記第１の電極と前記第２の電極とを電気的に接続し、
前記第１の樹脂層と前記第２の基板との上に、前記第１の開口部と前記第２の基板とを覆う第２の樹脂層を形成し、
前記第２の樹脂層に、前記第１の開口部に連通する第２の開口部を形成し、
前記第２の開口部に、前記第１の電極に接するように導体部を形成し、
前記第１の基板と、複数の第３の電極を備えた第３の基板とを、前記導体部と前記第３の電極とが対向して接するように配置し、
前記第１の電極と前記第３の電極とが前記導体部を介して電気的に接続されるとともに前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とが硬化するように、加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【００１１】
また、本発明は、複数の第１の電極を備えた第１の基板と、複数の第２の電極を備えた第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とを覆うように配置された樹脂層とを含む半導体装置前駆体であって、
前記第２の基板は、前記第１の基板の上に配置されており、かつ前記第１の電極と前記第２の電極とは、電気的に接続されており、
前記樹脂層は、複数の開口部を備え、
前記第１の電極は、前記開口部を通して露出していることを特徴とする半導体装置前駆体を提供する。
【００１２】
また、本発明は、複数の第１の電極を備えた第１の基板の上に、前記第１の電極を覆う第１の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層に、前記第１の電極が露出するように第１の開口部を形成し、
前記第１の樹脂層の上に、複数の第２の電極を備えた第２の基板を配置して、前記第１の電極と前記第２の電極とを電気的に接続し、
前記第１の樹脂層と前記第２の基板との上に、前記第１の開口部と前記第２の基板とを覆う第２の樹脂層を形成し、
前記第２の樹脂層に、前記第１の開口部に連通する第２の開口部を形成することを特徴とする半導体装置前駆体の製造方法を提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体装置は、第２の基板を封止効果のある第２の樹脂層で覆うことにより、第２の基板を保護することができるとともに、その第２の樹脂層を接着層として利用できるため、さらに例えば第３の基板を容易に接続できる。また、第１の基板の背面に放熱フィンを取り付けることなどにより、効率的な冷却を図ることも可能となる。
【００１４】
また従来は、基板間の電気的接続を行った後に封止樹脂を基板の間に注入する必要があったため、樹脂の注入を容易にするために基板間の間隔をある程度大きく設定する必要があったが、本発明の製造方法では、あらかじめ樹脂層（接着層）を基板面に形成することにより、後工程での封止樹脂の注入工程が不要となることから、基板間の間隔を小さくして薄型化しても良好な接続ができ、また上記注入工程の削除により、低コスト化も達成することができる。
【００１５】
このように、本発明は、基板同士の接続が容易であり、薄型化が可能な接続信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００１７】
（実施形態１）
図１および図２は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。先ず、図１Ａに示すように、複数の第１の電極１１を備えた第１の基板１２の上に、第１の電極１１を覆うように第１の樹脂層１３を形成する。次に、図１Ｂに示すように、第１の樹脂層１３に、第１の電極１１が露出するように第１の開口部１４を形成する。次に、図１Ｃに示すように、第１の樹脂層１３の上に、複数の第２の電極１６ａとバンプ１６ｂとを備えた第２の基板１５をフェイスダウンの状態で配置する。次に、図１Ｄに示すように、加熱および加圧を経て第１の電極１１と第２の電極１６ａとを、バンプ１６ｂを介して電気的に接続するとともに、第１の基板１２と第２の基板１５とを第１の樹脂層１３を介して接着する。次に、図１Ｅに示すように、第１の樹脂層１３と第２の基板１５との上に、第１の開口部１４と第２の基板１５とを覆うように第２の樹脂層１７を形成する。次に、図１Ｆに示すように、第２の樹脂層１７に、第１の開口部１４に連通する第２の開口部１８を形成する。これにより、本実施形態に係る半導体装置前駆体１０が得られる。
【００１８】
即ち、本実施形態に係る半導体装置前駆体１０は、複数の第１の電極１１を備えた第１の基板１２と、複数の第２の電極１６ａを備えた第２の基板１５と、第１の基板１２と第２の基板１５とを覆うように配置された第２の樹脂層１７とを備えており、第２の基板１５は、第１の基板１２の上に接着されており、かつ第１の電極１１と第２の電極１６ａとは、バンプ１６ｂを介して電気的に接続されており、第２の樹脂層１７は、複数の第２の開口部１８を備え、第１の電極１１は、第２の開口部１８を通して露出している。
【００１９】
第１の樹脂層１３および第２の樹脂層１７の形成においては、フィルム状の樹脂組成物を、第１の基板１２の上に載置した後、５０〜１４０℃で加熱しつつ圧着する。第１の樹脂層１３および第２の樹脂層１７は、接着層として機能する。
【００２０】
第１の樹脂層１３および第２の樹脂層１７を形成するための樹脂組成物は、熱硬化性樹脂である主剤および硬化剤の両方またはいずれか一方、並びに無機フィラーを含んで、フィルム状に成形できる。第１の樹脂層１３のフィルムの厚さは、第１の基板１２の電極ピッチ、電極サイズ、接合信頼性の観点から推定される接続高さなどに基づいて決定できる。また、第２の樹脂層１７のフィルムの厚さは、第２の基板１５の厚さ以上とする。これにより、第２の基板１５を第２の樹脂層１７で完全に覆うことができる。
【００２１】
上記熱硬化性樹脂である主剤としてはエポキシ樹脂が好ましい。金属や無機物質との接着性が良好で、電気絶縁性も高いからである。エポキシ樹脂としては、例えば、固形タイプまたは液状タイプの、ビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェノールＦ型エポキシ、ナフタレン型エポキシ、臭素化エポキシ、フェノールノボラック型エポキシ、クレゾールノボラック型エポキシ、ビフェニル型エポキシなどを用いることができる。
【００２２】
硬化剤としては、イミダゾール系硬化剤、酸無水物硬化剤、アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤などを用いることができる。イミダゾール系硬化剤としては、例えば、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−［２−メチルイミダゾール−（１）］−エチル−Ｓ−トリアジン、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールなどを用いることができる。酸無水物硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水ハイミック酸、テトラブロモ無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物などを用いることができる。アミン系硬化剤としては、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メンセンジアミン、イソホロンジアミン、メタキシレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルフォンなどを用いることができる。
【００２３】
無機フィラーとしては、例えば、シリカ（酸化ケイ素）、アルミナ（酸化アルミニウム）、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化チタン、炭酸カルシウムなどの粉末を用いることができる。第１の樹脂層１３および第２の樹脂層１７を形成するための樹脂組成物において、無機フィラーの含有率は３０〜７０質量％とするのが好ましい。
【００２４】
上記樹脂層に感光性を付与する場合には、樹脂層を形成するための樹脂組成物に対してアクリルモノマーおよび光重合開始剤を添加する。アクリルモノマーとしては、例えば、イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、１，６−ヘキサンジオールアクリレート、ラウリルアクリレート、アルキルアクリレート、セチルアクリレート、ステアリルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ベンジルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、３−メトキシブチルアクリレート、エチルアカルビートルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、フェノキシポリエチレンアクリレート、メトキシトリプロピレングリコールアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−アクリロイルオキシエチル−２−ヒドロキシプロピルフタレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、２−アクリロイルオキシエチルハイドロゲンフタレート、２−アクリロイルオキシプロピルヘキサヒドロハイドロゲンフタレート、２−アクリロイルオキシプロピルテトラヒドロハイドロゲンフタレート、シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸モノ−（２−アクリロイルオキシ−１−メチル−エチル）エステル、４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸モノ−（２−アクリロイルオキシ−１−メチル−エチル）エステル、ジメチルアミノエチルアクリレート、トリフルオロエチルアクリレート、ヘキサフルオロプロピルアクリレートなどの単官能モノマーや、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ビスフェノールＡ，ＥＯ付加物ジアクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレートなどの２官能モノマーや、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチルプロパンＥＯ付加トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリメチロールプロパンＥＯ付加物トリアクリレート、グリセリンＰＯ付加物トリアクリレート、トリスアクリロイルオキシエチルフォスフェート、ペンタエリスリトールテトラアクリレートなどの多官能モノマーなどを用いることができる。ただし、アクリルモノマーに代えて、またはこれとともにビスフェノールＡ−ジエポキシ−アクリル酸付加物などのオリゴマーを用いることもできる。第１の樹脂層１３および第２の樹脂層１７を形成するための樹脂組成物において、アクリルモノマーの含有率は、１〜５０質量％が好ましい。
【００２５】
光重合開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モノフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モノフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、ビス（シクロペンタジエニル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（ビル−１−イル）チタニウムなどを用いることができる。第１の樹脂層１３および第２の樹脂層１７を形成するための樹脂組成物において、光重合開始剤の含有率は、０．１〜４質量％が好ましい。
【００２６】
第１の樹脂層１３および第２の樹脂層１７を形成するための樹脂組成物には、さらに、エポキシアクリレートを添加することが好ましい。これは、エポキシアクリレートが樹脂組成物の主剤およびエポキシ樹脂の硬化剤ともなりうるからである。エポキシアクリレートとしては、例えば、酸ペンダント型エポキシアクリレート、グリシジルメタクリレート、ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート、ビスフェノールＦ型エポキシアクリレート、ビスフェノールＳ型エポキシアクリレートなどを用いることができる。
【００２７】
また、上記樹脂組成物には、重合禁止剤やレベリング剤などを添加することもできる。
【００２８】
第１の開口部１４および第２の開口部１８の形成には、ＹＡＧレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザなどを用いることができる。感光性を有する樹脂層を形成した場合には、これらの開口部の形成にはフォトリソグラフィを採用することができる。電極へのダメージを抑制するという観点からは、フォトリソグラフィを採用するのが好ましい。フォトリソグラフィを採用する場合には、第１の樹脂層１３および第２の樹脂層１７に対して、所定のフォトマスク（図示せず）を介しての露光処理およびその後の現像処理を施すことにより、第１の開口部１４および第２の開口部１８を形成できる。
【００２９】
第１の基板１２および第２の基板１５には、半導体チップ、ウエハ、配線基板などが含まれるが、それぞれ同種の基板でも、異なる基板でもよい。
【００３０】
第２の基板１５に設けたバンプ１６ｂは、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｓｂなどから選択される単体金属、または、これらから選択される複数の単体金属からなる合金から形成できる。
【００３１】
続いて、図２Ａに示すように、第２の開口部１８に、金属ペースト１９を充填する。次に、図２Ｂに示すように、加熱処理を経て第１の電極１１に接するようにバンプ２０を形成する。次に、図２Ｃに示すように、第１の基板１２と、複数の第３の電極２２を備えた第３の基板２１とを、バンプ２０と第３の電極２２とが対向して接するように配置する。次に、図２Ｄに示すように、加熱および加圧を経て第１の電極１１と第３の電極２２とを、バンプ２０を介して電気的に接続するとともに、第１の基板１２と第３の基板２１とを、第１の樹脂層１３と第２の樹脂層１７とを介して接着する。この際、第１の樹脂層１３と第２の樹脂層１７とは完全に硬化する。これにより、本実施形態に係る半導体装置２３が完成する。
【００３２】
即ち、本実施形態に係る半導体装置２３は、複数の第１の電極１１を備えた第１の基板１２と、複数の第２の電極１６ａを備えた第２の基板１５と、複数の第３の電極２２を備えた第３の基板２１とを備えており、第１の基板１２と第３の基板２１とは、樹脂により接着されており、かつ第１の電極１１と第３の電極２２とは、対向して配置されているとともにバンプ２０を介して電気的に接続されており、第２の基板１５は、第１の基板１２と第３の基板２１との間に配置されており、かつ第１の電極１１と第２の電極１６ａとは、バンプ１６ｂを介して電気的に接続されている。
【００３３】
第３の基板２１には、第１の基板１２および第２の基板１５と同様に半導体チップ、ウエハ、配線基板などが含まれるが、それらはそれぞれ同種の基板でも、異なる基板でもよい。
【００３４】
金属ペースト１９の充填は、スキージ（図示略）を用いた印刷法により行うことができる。スキージは、第２の樹脂層１７に損傷を与えることを回避ないし軽減するため、ウレタンゴムスキージを用いる。ウレタンゴムスキージの硬度は、ＪＩＳ Ｋ６２５３に準じた方法で測定した場合において、５０〜８０度が好ましい。
【００３５】
金属ペースト１９は、例えば、金属粉末とフラックスビヒクルとから調製できる。金属粉末は、例えば、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｓｂなどから選択される単体金属、または、これらから選択される複数の単体金属からなる合金を粉末化したものである。フラックスビヒクルには、ロジン、活性剤、チクソ剤、溶剤が含まれる。ロジンとしては、重合ロジン、水素添加ロジン、エステル化ロジンなどを用いることができる。活性剤としては、例えば、セバシン酸、コハク酸、アジピン酸、グルタル酸、トリエタノールアミン、モノエタノールアミン、トリブチルアミンなどから選択された１または２以上の有機酸、有機アミンなどを使用することができる。チクソ剤としては、硬化ヒマシ油、ヒドロキシステアリン酸などを用いることができる。溶剤としては、２−メチル−２，４−ペンタンジオールやジエチレングリコールモノブチルエーテルなどを用いることができる。
【００３６】
バンプ２０の形成は、先ず、加熱により第２の開口部１８に充填されている金属ペースト１９を溶融させる。これにより、金属ペースト１９に含まれているフラックスビヒクルが揮発するとともに、金属粉末が溶融して寄り集まる。その後の冷却によって、バンプ２０が形成される。また、エポキシ系の樹脂を含む金属ペーストを用いてバンプ２０を形成してもよい。
【００３７】
本実施形態では、第１の電極１１と第３の電極２２とは、バンプ２０を用いて電気的に接続したが、これ以外にバンプを形成せずに金属ペーストそのもの、金属ボール、めっき、などにより接続することもできる。また、本実施形態では、バンプ２０は、金属ペースト印刷法により形成したが、スタッドバンピング法により形成してもよい。さらに、上記工程を組み合わせることにより、より多くの基板を積層することも可能である。
【００３８】
（実施形態２）
図３および図４は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。先ず、図３Ａに示すように、複数の第１の電極３１を備えた第１の基板３２の上に、第１の電極３１を覆うように第１の樹脂層３３を形成する。次に、図３Ｂに示すように、第１の樹脂層３３に、第１の電極３１が露出するように第１の開口部３４を形成する。次に、図３Ｃに示すように、第１の樹脂層３３の上に、複数の第２の電極３６ａを備えた第２の基板３５をフェイスアップの状態で配置する。次に、図３Ｄに示すように、加熱および加圧を経て第１の電極３１と第２の電極３６ａとを、ワイヤ３６ｂを介して電気的に接続するとともに、第１の基板３２と第２の基板３５とを第１の樹脂層３３を介して接着する。次に、図３Ｅに示すように、第１の樹脂層３３と第２の基板３５との上に、第１の開口部３４と第２の基板３５とを覆うように第２の樹脂層３７を形成する。次に、図３Ｆに示すように、第２の樹脂層３７に、第１の開口部３４に連通する第２の開口部３８を形成する。これにより、本実施形態に係る半導体装置前駆体３０が得られる。
【００３９】
即ち、本実施形態に係る半導体装置前駆体３０は、複数の第１の電極３１を備えた第１の基板３２と、複数の第２の電極３６ａを備えた第２の基板３５と、第１の基板３２と第２の基板３５とを覆うように配置された第２の樹脂層３７とを備えており、第２の基板３５は、第１の基板３２の上に接着されており、かつ第１の電極３１と第２の電極３６ａとは、ワイヤ３６ｂを介して電気的に接続されており、第２の樹脂層３７は、複数の第２の開口部３８を備え、第１の電極３１は、第２の開口部３８を通して露出している。
【００４０】
以上の工程は、ワイヤ３６ｂを用いた以外は、ほぼ実施形態１で説明したものと同様の材料および方法により実施できる。ワイヤ３６ｂは、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌなどの単体金属、またはＡｕまたはＳｎでメッキしたＣｕなどから形成できる。
【００４１】
続いて、図４Ａに示すように、第２の開口部３８に、金属ペースト３９を充填する。次に、図４Ｂに示すように、加熱処理を経て第１の電極３１に接するようにバンプ４０を形成する。次に、図４Ｃに示すように、第１の基板３２と、複数の第３の電極４２を備えた第３の基板４１とを、バンプ４０と第３の電極４２とが対向して接するように配置する。次に、図４Ｄに示すように、加熱および加圧を経て第１の電極３１と第３の電極４２とを、バンプ４０を介して電気的に接続するとともに、第１の基板３２と第３の基板４１とを、第１の樹脂層３３と第２の樹脂層３７とを介して接着する。この際、第１の樹脂層３３と第２の樹脂層３７とは完全に硬化する。以上の工程は、実施形態１で説明したものと同様の材料および方法により実施できる。これにより、本実施形態に係る半導体装置４３が完成する。
【００４２】
即ち、本実施形態に係る半導体装置４３は、複数の第１の電極３１を備えた第１の基板３２と、複数の第２の電極３６ａを備えた第２の基板３５と、複数の第３の電極４２を備えた第３の基板４１とを備えており、第１の基板３２と第３の基板４１とは、樹脂により接着されており、かつ第１の電極３１と第３の電極４２とは、対向して配置されているとともにバンプ４０を介して電気的に接続されており、第２の基板３５は、第１の基板３２と第３の基板４１との間に配置されており、かつ第１の電極３１と第２の電極３６ａとは、ワイヤ３６ｂを介して電気的に接続されている。
【００４３】
本実施形態では、第１の電極３１と第３の電極４２とは、バンプ４０を用いて電気的に接続したが、これ以外にバンプを形成せずに金属ペーストそのもの、金属ボール、めっきなどにより接続することもできる。また、本実施形態では、バンプ４０は、金属ペースト印刷法により形成したが、スタッドバンピング法により形成してもよい。さらに、上記工程を組み合わせることにより、より多くの基板を積層することも可能である。
【００４４】
【実施例】
以下、実施例に基づき本発明をより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例には限定されない。
【００４５】
（実施例１）
先ず、基板として以下のものを準備した。
【００４６】
電極径８０μｍ、電極ピッチ２００μｍの電極を３０００個備える縦２２ｍｍ、横２２ｍｍのＬＳＩチップを基板（１）とし、電極径８０μｍ、電極ピッチ２００μｍの電極を３００個備える縦４ｍｍ、横４ｍｍ、厚さ０．０６ｍｍのＬＳＩチップを基板（２）とし、電極径８０μｍ、電極ピッチ２００μｍの電極を２７００個備える縦４０ｍｍ、横４０ｍｍの三菱瓦斯化学社製のトリアジン系樹脂“ＢＴレジン”（商品名）からなる樹脂配線基板を基板（３）として準備した。
【００４７】
次に、樹脂フィルムを以下のようにして作製した。
【００４８】
主剤およびエポキシ樹脂の硬化剤として日本ユピカ社製の酸ペンダント型エポキシアクリレートを４５質量％、主剤およびエポキシアクリレートの硬化剤としてジャパンエポキシレジン社製のビフェニル型エポキシ樹脂“エピコートＹＸ４０００”（商品名）を１５質量％、アクリルモノマーとして東亜合成社製のジペンタエリスリトールヘキサアクリレートを１５質量％、光重合開始剤としてチバスペシャリティケミカルズ社製の“イルガキュア９０７”（商品名）を１５質量％、溶剤としてカルビトールアセテート２質量％とメチルエチルケトン８質量％とを含有する樹脂組成物を調製した。この樹脂組成物と、平均粒径４μｍのシリカ粉末とを、質量比１：１（シリカ粉末の添加率は５０質量％）で混合し、このシリカ粉末を添加および混合した後の樹脂組成物を厚さ２０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに塗布し、９０℃で３分間の乾燥を行い、その後ＰＥＴフィルムを剥離することにより、厚さ１５μｍの樹脂フィルム（１）と厚さ６０μｍの樹脂フィルム（２）とを作製した。
【００４９】
また、金属ペーストを以下のようにして作製した。
【００５０】
理化ハーキュレス社製の重合ロジン“ポリペール”（商品名）を５３質量％、溶剤として２−メチル−２，４−ペンタンジオールおよびジエチレングリコールモノブチルエーテルを各々２０質量％、活性剤としてコハク酸を２質量％、チクソ剤として硬化ヒマシ油を５質量％含有するフラックスビヒクルを調製した。このフラックスビヒクルと平均粒径１３μｍのＳｎ−３．５％Ａｇ合金粉末とを、質量比１：９（Ｓｎ−３．５％Ａｇ合金粉末の添加率は９０質量％）で混合して金属ペースト（はんだペースト）を調製した。
【００５１】
次に、上述のようにして作製した厚さ１５μｍの樹脂フィルム（１）を、基板（１）に対して、電極を覆うように、エム・シー・ケー社製のロールマウンタを用いて８０℃の加熱下で貼り付けて接着膜（１）を形成した。次に、この接着膜（１）に対して、露光および現像を施して、電極が露出するように直径１００μｍの開口部（１）を形成した。上記現像には２．３８質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いた。
【００５２】
続いて、あらかじめ電極上にＳｎ−３．５％Ａｇ合金からなるバンプを形成した基板（２）を、基板（１）の開口部（１）内の電極にフェイスダウンの状態で位置合わせを行い、３０００ｇの荷重を加えながら、２４０℃で３０秒間の加熱を行った。その結果、基板（１）と基板（２）とはバンプを介して電気的に接続されるとともに、接着膜（１）が接着剤として機能して基板（１）と基板（２）とが接着された。
【００５３】
次に、上述のようにして作製した厚さ６０μｍの樹脂フィルム（２）を、接着膜（１）と基板（２）に対して、開口部（１）と基板（２）とを覆うように、上記ロールマウンタを用いて８０℃の加熱下で貼り付けて接着膜（２）を形成した。その後、この接着膜（２）に対して、露光および現像を施して、開口部（１）に連通した直径１００μｍの開口部（２）を形成した。上記現像には、２．３８質量％のＴＭＡＨ水溶液を用いた。
【００５４】
このようにして形成した開口部（２）に対して、上述のようにして調製した金属ペーストを、開口径１００μｍ、厚さ２０μｍのメタルマスクを介してウレタンスキージを用いて充填し、２４０℃で４０秒間の加熱を行った。その結果、開口部（２）に充填した金属ペーストが溶融し、その後の冷却により良好なバンプが形成された。
【００５５】
その後、上述のようにして基板（１）に形成したバンプと、基板（３）の電極とをフェイスダウンの状態で位置合わせを行い、５０００ｇの荷重を加えながら、全体を２５０℃で１分間の加熱を行った。その後、１７０℃で１５分間の熱処理を行い、接着膜（１）、（２）を完全に硬化させることにより、基板（１）、基板（２）および基板（３）の相互間に良好な接合部が形成された半導体装置を得た。
【００５６】
良好な接合部が形成されていることを確認するため、本実施例で作製した半導体装置の接続信頼性を試験した。先ず、上記半導体装置の試験前の抵抗を測定した。次に、−５５℃〜１２５℃の間で昇温降温を繰り返す温度サイクル試験を２０００サイクル行った後に同様にしてその半導体装置の抵抗を測定した。その結果、半導体装置の抵抗上昇は１０％以下と良好であった。
【００５７】
次に、本実施例で作製した別の半導体装置の試験前の抵抗を測定した。続いて、温度１２１℃、湿度８５％の環境下に１０００時間放置する耐久試験を行った後に同様にしてその半導体装置の抵抗を測定した。その結果、サイクル試験と同様に抵抗上昇は１０％以下と良好であった。
【００５８】
（実施例２）
実施例１と同様にして、基板（１）、基板（２）、基板（３）、樹脂フィルム（１）、樹脂フィルム（２）、および金属ペーストを準備した。ただし、本実施例では、基板（１）の中央部（縦４ｍｍ、横４ｍｍ）には電極は設けなかった。
【００５９】
上述のようにして準備した厚さ１５μｍの樹脂フィルム（１）を、基板（１）に対して、電極を覆うように、エム・シー・ケー社製のロールマウンタを用いて８０℃の加熱下で貼り付けて接着膜（１）を形成した。次に、この接着膜（１）に対して、露光および現像を施して、電極が露出するように直径１００μｍの開口部（１）を形成した。上記現像には、２．３８質量％のＴＭＡＨ水溶液を用いた。
【００６０】
続いて、基板（２）を、基板（１）の上記中央部の上にフェイスアップの状態で位置合わせを行い、１０００ｇの荷重を加えながら、全体を２４０℃で３０秒間の加熱を行った。その結果、接着膜（１）が接着剤として機能して基板（１）と基板（２）とが接着した。その後、基板（１）と基板（２）との電極相互間を金製ワイヤにて電気的に接続した。
【００６１】
次に、上述のようにして準備した厚さ６０μｍの樹脂フィルム（２）を、接着膜（１）と基板（２）に対して、開口部（１）と基板（２）とを覆うように、上記ロールマウンタを用いて８０℃の加熱下で貼り付けて接着膜（２）を形成した。その後、この接着膜（２）に対して、露光および現像を施して、開口部（１）に連通した直径１００μｍの開口部（２）を形成した。上記現像には、２．３８質量％のＴＭＡＨ水溶液を用いた。
【００６２】
このようにして形成した開口部（２）に対して、上述のようにして調製した金属ペーストを、開口径１００μｍ、厚さ２０μｍのメタルマスクを介してウレタンスキージを用いて充填し、２４０℃で４０秒間の加熱を行った。この結果、開口部（２）に充填した金属ペーストが溶融し、その後の冷却により良好なバンプが形成された。
【００６３】
その後、上述のようにして基板（１）に形成したバンプと、基板（３）の電極とをフェイスダウンの状態で位置合わせを行い、５０００ｇの荷重を加えながら、全体を２５０℃で１分間の加熱を行った。その後、１７０℃で１５分間の熱処理を行い、接着膜（１）、（２）を完全に硬化させることにより、基板（１）、基板（２）および基板（３）の相互間に良好な接合部が形成された半導体装置を得た。
【００６４】
良好な接合部が形成されていることを確認するため、本実施例で作製した半導体装置の接続信頼性を試験した。先ず、上記半導体装置の試験前の抵抗を測定した。次に、−５５℃〜１２５℃の間で昇温降温を繰り返す温度サイクル試験を２０００サイクル行った後に同様にしてその半導体装置の抵抗を測定した。その結果、半導体装置の抵抗上昇は１０％以下と良好であった。
【００６５】
次に、本実施例で作製した別の半導体装置の試験前の抵抗を測定した。続いて、温度１２１℃、湿度８５％の環境下に１０００時間放置する耐久試験を行った後に同様にしてその半導体装置の抵抗を測定した。その結果、サイクル試験と同様に抵抗上昇は１０％以下と良好であった。
【００６６】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００６７】
（付記１） 複数の第１の電極を備えた第１の基板と、複数の第２の電極を備えた第２の基板と、複数の第３の電極を備えた第３の基板とを含む半導体装置であって、
前記第１の基板と前記第３の基板とは、樹脂により接着されており、かつ前記第１の電極と前記第３の電極とは、対向して配置されているとともに第１の導体部を介して電気的に接続されており、
前記第２の基板は、前記第１の基板と前記第３の基板との間に配置されており、かつ前記第１の電極と前記第２の電極とは、第２の導体部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【００６８】
（付記２） 前記第１の導体部および前記第２の導体部が、バンプにより形成されている付記１に記載の半導体装置。
【００６９】
（付記３） 前記第１の導体部がバンプにより形成されており、前記第２の導体部がワイヤにより形成されている付記１に記載の半導体装置。
【００７０】
（付記４） 複数の第１の電極を備えた第１の基板の上に、前記第１の電極を覆う第１の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層に、前記第１の電極が露出するように第１の開口部を形成し、
前記第１の樹脂層の上に、複数の第２の電極を備えた第２の基板を配置して、前記第１の電極と前記第２の電極とを電気的に接続し、
前記第１の樹脂層と前記第２の基板との上に、前記第１の開口部と前記第２の基板とを覆う第２の樹脂層を形成し、
前記第２の樹脂層に、前記第１の開口部に連通する第２の開口部を形成し、
前記第２の開口部に、前記第１の電極に接するように導体部を形成し、
前記第１の基板と、複数の第３の電極を備えた第３の基板とを、前記導体部と前記第３の電極とが対向して接するように配置し、
前記第１の電極と前記第３の電極とが前記導体部を介して電気的に接続されるとともに前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とが硬化するように、加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００７１】
（付記５） 前記第１の樹脂層および前記第２の樹脂層から選ばれる少なくとも一つは、フィルム状に成形されている付記４に記載の半導体装置の製造方法。
【００７２】
（付記６） 前記第１の開口部および前記第２の開口部は、フォトリソグラフィおよびレーザ加工から選ばれる少なくとも一つの方法で形成される付記４または５に記載の半導体装置の製造方法。
【００７３】
（付記７） 前記第２の樹脂層の厚さは、前記第２の基板の厚さ以上である付記４〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【００７４】
（付記８） 前記導体部は、金属バンプ、金属ペースト、金属ボールおよびめっきから選ばれる少なくとも一つにより形成される付記４〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【００７５】
（付記９） 前記第１の基板と前記第２の基板とは、金属バンプおよびワイヤから選ばれるいずれか一つを用いて電気的に接続される付記４〜８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【００７６】
（付記１０） 前記第１の基板、前記第２の基板および前記第３の基板は、半導体チップ、ウエハおよび配線基板から選ばれる少なくとも一つである付記４〜９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【００７７】
（付記１１） 複数の第１の電極を備えた第１の基板と、複数の第２の電極を備えた第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とを覆うように配置された樹脂層とを含む半導体装置前駆体であって、
前記第２の基板は、前記第１の基板の上に配置されており、かつ前記第１の電極と前記第２の電極とは、電気的に接続されており、
前記樹脂層は、複数の開口部を備え、
前記第１の電極は、前記開口部を通して露出していることを特徴とする半導体装置前駆体。
【００７８】
（付記１２） 複数の第１の電極を備えた第１の基板の上に、前記第１の電極を覆う第１の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層に、前記第１の電極が露出するように第１の開口部を形成し、
前記第１の樹脂層の上に、複数の第２の電極を備えた第２の基板を配置して、前記第１の電極と前記第２の電極とを電気的に接続し、
前記第１の樹脂層と前記第２の基板との上に、前記第１の開口部と前記第２の基板とを覆う第２の樹脂層を形成し、
前記第２の樹脂層に、前記第１の開口部に連通する第２の開口部を形成することを特徴とする半導体装置前駆体の製造方法。
【００７９】
（付記１３） 前記第１の樹脂層および前記第２の樹脂層から選ばれる少なくとも一つは、フィルム状に成形されている付記１２に記載の半導体装置前駆体の製造方法。
【００８０】
（付記１４） 前記第１の開口部および前記第２の開口部は、フォトリソグラフィおよびレーザ加工から選ばれる少なくとも一つの方法で形成される付記１２または１３に記載の半導体装置前駆体の製造方法。
【００８１】
（付記１５） 前記第２の樹脂層の厚さは、前記第２の基板の厚さ以上である請求項１２〜１４のいずれかに記載の半導体装置前駆体の製造方法。
【００８２】
（付記１６） 前記第１の基板、前記第２の基板および前記第３の基板は、半導体チップ、ウエハおよび配線基板から選ばれる少なくとも一つである付記１２〜１５のいずれかに記載の半導体装置前駆体の製造方法。
【００８３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、基板同士の接続が容易であり、薄型化が可能な接続信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１に係る半導体装置の製造方法の一部の工程を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る半導体装置の製造方法の一部の工程を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態２に係る半導体装置の製造方法の一部の工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態２に係る半導体装置の製造方法の一部の工程を示す断面図である。
【図５】従来のチップオンチップ方式により接続した半導体装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１０、３０ 半導体装置前駆体
１１、３１ 第１の電極
１２、３２ 第１の基板
１３、３３ 第１の樹脂層
１４、３４ 第１の開口部
１５、３５ 第２の基板
１６ａ、３６ａ 第２の電極
１６ｂ バンプ
３６ｂ ワイヤ
１７、３７ 第２の樹脂層
１８、３８ 第２の開口部
１９、３９ 金属ペースト
２０、４０ バンプ
２１、４１ 第３の基板
２２、４２ 第３の電極
２３、４３ 半導体装置
５１、５２、５３ 半導体チップ
５４ ワイヤ
５５ バンプ
５６ 樹脂モールド
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置とその製造方法、および半導体装置前駆体とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置においては、実装の高密度化と高速化の要求が高まっており、かかる要求を満たす実装方式として、チップを積み重ねて実装するチップオンチップ方式が注目されている。このチップオンチップ方式による実装では、バンプを用いたフリップチップ接続とワイヤボンディングを用いたフェイスアップ接続とを組み合わせて接続する方法と、全てをワイヤボンディングで接続する方法とが採用されている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３参照。）。
【０００３】
ここで、従来のチップオンチップ方式による接続方法を図面を用いて説明する。図５は、従来のチップオンチップ方式により接続した半導体装置の一例を示す断面図である。図５Ａは、半導体チップ５１と半導体チップ５２とはワイヤ５４により電気的に接続され、半導体チップ５２と半導体チップ５３とはバンプ５５により電気的に接続されている一例を示したものである。また、図５Ｂは、半導体チップ５１と半導体チップ５２とはバンプ５５により電気的に接続され、半導体チップ５２と半導体チップ５３とはワイヤ５４により電気的に接続されている一例を示したものである。さらに、図５Ｃは、半導体チップ５１と半導体チップ５２、および、半導体チップ５２と半導体チップ５３とは全てワイヤ５４により電気的に接続されている一例を示したものである。
【０００４】
【特許文献１】
特開平６−１３５４１号公報
【０００５】
【特許文献２】
特開平１１−２１９９８４号公報
【０００６】
【特許文献３】
特開２００１−７７２４３号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
図５に示した従来のチップオンチップ方式により接続された半導体装置では、ワイヤ５４のループを保護するために樹脂モールド５６が必要となるため、半導体装置の薄型化が図れないという問題があった。また、樹脂モールド５６の熱伝導率が低いため、発熱した半導体チップを冷却することが困難になるという問題もあった。具体的には、発熱量が５Ｗ以上の半導体チップを使用することができなかった。
【０００８】
本発明は、基板同士の接続が容易であり、薄型化が可能な接続信頼性の高い半導体装置を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数の第１の電極を備えた第１の基板と、複数の第２の電極を備えた第２の基板と、複数の第３の電極を備えた第３の基板とを含む半導体装置であって、
前記第１の基板と前記第３の基板とは、樹脂により接着されており、かつ前記第１の電極と前記第３の電極とは、対向して配置されているとともに第１の導体部を介して電気的に接続されており、
前記第２の基板は、前記第１の基板と前記第３の基板との間に配置されており、かつ前記第１の電極と前記第２の電極とは、第２の導体部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置を提供する。
【００１０】
また、本発明は、複数の第１の電極を備えた第１の基板の上に、前記第１の電極を覆う第１の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層に、前記第１の電極が露出するように第１の開口部を形成し、
前記第１の樹脂層の上に、複数の第２の電極を備えた第２の基板を配置して、前記第１の電極と前記第２の電極とを電気的に接続し、
前記第１の樹脂層と前記第２の基板との上に、前記第１の開口部と前記第２の基板とを覆う第２の樹脂層を形成し、
前記第２の樹脂層に、前記第１の開口部に連通する第２の開口部を形成し、
前記第２の開口部に、前記第１の電極に接するように導体部を形成し、
前記第１の基板と、複数の第３の電極を備えた第３の基板とを、前記導体部と前記第３の電極とが対向して接するように配置し、
前記第１の電極と前記第３の電極とが前記導体部を介して電気的に接続されるとともに前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とが硬化するように、加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【００１１】
また、本発明は、複数の第１の電極を備えた第１の基板と、複数の第２の電極を備えた第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とを覆うように配置された樹脂層とを含む半導体装置前駆体であって、
前記第２の基板は、前記第１の基板の上に配置されており、かつ前記第１の電極と前記第２の電極とは、電気的に接続されており、
前記樹脂層は、複数の開口部を備え、
前記第１の電極は、前記開口部を通して露出していることを特徴とする半導体装置前駆体を提供する。
【００１２】
また、本発明は、複数の第１の電極を備えた第１の基板の上に、前記第１の電極を覆う第１の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層に、前記第１の電極が露出するように第１の開口部を形成し、
前記第１の樹脂層の上に、複数の第２の電極を備えた第２の基板を配置して、前記第１の電極と前記第２の電極とを電気的に接続し、
前記第１の樹脂層と前記第２の基板との上に、前記第１の開口部と前記第２の基板とを覆う第２の樹脂層を形成し、
前記第２の樹脂層に、前記第１の開口部に連通する第２の開口部を形成することを特徴とする半導体装置前駆体の製造方法を提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体装置は、第２の基板を封止効果のある第２の樹脂層で覆うことにより、第２の基板を保護することができるとともに、その第２の樹脂層を接着層として利用できるため、さらに例えば第３の基板を容易に接続できる。また、第１の基板の背面に放熱フィンを取り付けることなどにより、効率的な冷却を図ることも可能となる。
【００１４】
また従来は、基板間の電気的接続を行った後に封止樹脂を基板の間に注入する必要があったため、樹脂の注入を容易にするために基板間の間隔をある程度大きく設定する必要があったが、本発明の製造方法では、あらかじめ樹脂層（接着層）を基板面に形成することにより、後工程での封止樹脂の注入工程が不要となることから、基板間の間隔を小さくして薄型化しても良好な接続ができ、また上記注入工程の削除により、低コスト化も達成することができる。
【００１５】
このように、本発明は、基板同士の接続が容易であり、薄型化が可能な接続信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００１７】
（実施形態１）
図１および図２は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。先ず、図１Ａに示すように、複数の第１の電極１１を備えた第１の基板１２の上に、第１の電極１１を覆うように第１の樹脂層１３を形成する。次に、図１Ｂに示すように、第１の樹脂層１３に、第１の電極１１が露出するように第１の開口部１４を形成する。次に、図１Ｃに示すように、第１の樹脂層１３の上に、複数の第２の電極１６ａとバンプ１６ｂとを備えた第２の基板１５をフェイスダウンの状態で配置する。次に、図１Ｄに示すように、加熱および加圧を経て第１の電極１１と第２の電極１６ａとを、バンプ１６ｂを介して電気的に接続するとともに、第１の基板１２と第２の基板１５とを第１の樹脂層１３を介して接着する。次に、図１Ｅに示すように、第１の樹脂層１３と第２の基板１５との上に、第１の開口部１４と第２の基板１５とを覆うように第２の樹脂層１７を形成する。次に、図１Ｆに示すように、第２の樹脂層１７に、第１の開口部１４に連通する第２の開口部１８を形成する。これにより、本実施形態に係る半導体装置前駆体１０が得られる。
【００１８】
即ち、本実施形態に係る半導体装置前駆体１０は、複数の第１の電極１１を備えた第１の基板１２と、複数の第２の電極１６ａを備えた第２の基板１５と、第１の基板１２と第２の基板１５とを覆うように配置された第２の樹脂層１７とを備えており、第２の基板１５は、第１の基板１２の上に接着されており、かつ第１の電極１１と第２の電極１６ａとは、バンプ１６ｂを介して電気的に接続されており、第２の樹脂層１７は、複数の第２の開口部１８を備え、第１の電極１１は、第２の開口部１８を通して露出している。
【００１９】
第１の樹脂層１３および第２の樹脂層１７の形成においては、フィルム状の樹脂組成物を、第１の基板１２の上に載置した後、５０〜１４０℃で加熱しつつ圧着する。第１の樹脂層１３および第２の樹脂層１７は、接着層として機能する。
【００２０】
第１の樹脂層１３および第２の樹脂層１７を形成するための樹脂組成物は、熱硬化性樹脂である主剤および硬化剤の両方またはいずれか一方、並びに無機フィラーを含んで、フィルム状に成形できる。第１の樹脂層１３のフィルムの厚さは、第１の基板１２の電極ピッチ、電極サイズ、接合信頼性の観点から推定される接続高さなどに基づいて決定できる。また、第２の樹脂層１７のフィルムの厚さは、第２の基板１５の厚さ以上とする。これにより、第２の基板１５を第２の樹脂層１７で完全に覆うことができる。
【００２１】
上記熱硬化性樹脂である主剤としてはエポキシ樹脂が好ましい。金属や無機物質との接着性が良好で、電気絶縁性も高いからである。エポキシ樹脂としては、例えば、固形タイプまたは液状タイプの、ビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェノールＦ型エポキシ、ナフタレン型エポキシ、臭素化エポキシ、フェノールノボラック型エポキシ、クレゾールノボラック型エポキシ、ビフェニル型エポキシなどを用いることができる。
【００２２】
硬化剤としては、イミダゾール系硬化剤、酸無水物硬化剤、アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤などを用いることができる。イミダゾール系硬化剤としては、例えば、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−［２−メチルイミダゾール−（１）］−エチル−Ｓ−トリアジン、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールなどを用いることができる。酸無水物硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水ハイミック酸、テトラブロモ無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物などを用いることができる。アミン系硬化剤としては、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メンセンジアミン、イソホロンジアミン、メタキシレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルフォンなどを用いることができる。
【００２３】
無機フィラーとしては、例えば、シリカ（酸化ケイ素）、アルミナ（酸化アルミニウム）、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化チタン、炭酸カルシウムなどの粉末を用いることができる。第１の樹脂層１３および第２の樹脂層１７を形成するための樹脂組成物において、無機フィラーの含有率は３０〜７０質量％とするのが好ましい。
【００２４】
上記樹脂層に感光性を付与する場合には、樹脂層を形成するための樹脂組成物に対してアクリルモノマーおよび光重合開始剤を添加する。アクリルモノマーとしては、例えば、イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、１，６−ヘキサンジオールアクリレート、ラウリルアクリレート、アルキルアクリレート、セチルアクリレート、ステアリルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ベンジルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、３−メトキシブチルアクリレート、エチルアカルビートルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、フェノキシポリエチレンアクリレート、メトキシトリプロピレングリコールアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−アクリロイルオキシエチル−２−ヒドロキシプロピルフタレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、２−アクリロイルオキシエチルハイドロゲンフタレート、２−アクリロイルオキシプロピルヘキサヒドロハイドロゲンフタレート、２−アクリロイルオキシプロピルテトラヒドロハイドロゲンフタレート、シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸モノ−（２−アクリロイルオキシ−１−メチル−エチル）エステル、４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸モノ−（２−アクリロイルオキシ−１−メチル−エチル）エステル、ジメチルアミノエチルアクリレート、トリフルオロエチルアクリレート、ヘキサフルオロプロピルアクリレートなどの単官能モノマーや、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ビスフェノールＡ，ＥＯ付加物ジアクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレートなどの２官能モノマーや、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチルプロパンＥＯ付加トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリメチロールプロパンＥＯ付加物トリアクリレート、グリセリンＰＯ付加物トリアクリレート、トリスアクリロイルオキシエチルフォスフェート、ペンタエリスリトールテトラアクリレートなどの多官能モノマーなどを用いることができる。ただし、アクリルモノマーに代えて、またはこれとともにビスフェノールＡ−ジエポキシ−アクリル酸付加物などのオリゴマーを用いることもできる。第１の樹脂層１３および第２の樹脂層１７を形成するための樹脂組成物において、アクリルモノマーの含有率は、１〜５０質量％が好ましい。
【００２５】
光重合開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モノフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モノフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、ビス（シクロペンタジエニル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（ビル−１−イル）チタニウムなどを用いることができる。第１の樹脂層１３および第２の樹脂層１７を形成するための樹脂組成物において、光重合開始剤の含有率は、０．１〜４質量％が好ましい。
【００２６】
第１の樹脂層１３および第２の樹脂層１７を形成するための樹脂組成物には、さらに、エポキシアクリレートを添加することが好ましい。これは、エポキシアクリレートが樹脂組成物の主剤およびエポキシ樹脂の硬化剤ともなりうるからである。エポキシアクリレートとしては、例えば、酸ペンダント型エポキシアクリレート、グリシジルメタクリレート、ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート、ビスフェノールＦ型エポキシアクリレート、ビスフェノールＳ型エポキシアクリレートなどを用いることができる。
【００２７】
また、上記樹脂組成物には、重合禁止剤やレベリング剤などを添加することもできる。
【００２８】
第１の開口部１４および第２の開口部１８の形成には、ＹＡＧレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザなどを用いることができる。感光性を有する樹脂層を形成した場合には、これらの開口部の形成にはフォトリソグラフィを採用することができる。電極へのダメージを抑制するという観点からは、フォトリソグラフィを採用するのが好ましい。フォトリソグラフィを採用する場合には、第１の樹脂層１３および第２の樹脂層１７に対して、所定のフォトマスク（図示せず）を介しての露光処理およびその後の現像処理を施すことにより、第１の開口部１４および第２の開口部１８を形成できる。
【００２９】
第１の基板１２および第２の基板１５には、半導体チップ、ウエハ、配線基板などが含まれるが、それぞれ同種の基板でも、異なる基板でもよい。
【００３０】
第２の基板１５に設けたバンプ１６ｂは、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｓｂなどから選択される単体金属、または、これらから選択される複数の単体金属からなる合金から形成できる。
【００３１】
続いて、図２Ａに示すように、第２の開口部１８に、金属ペースト１９を充填する。次に、図２Ｂに示すように、加熱処理を経て第１の電極１１に接するようにバンプ２０を形成する。次に、図２Ｃに示すように、第１の基板１２と、複数の第３の電極２２を備えた第３の基板２１とを、バンプ２０と第３の電極２２とが対向して接するように配置する。次に、図２Ｄに示すように、加熱および加圧を経て第１の電極１１と第３の電極２２とを、バンプ２０を介して電気的に接続するとともに、第１の基板１２と第３の基板２１とを、第１の樹脂層１３と第２の樹脂層１７とを介して接着する。この際、第１の樹脂層１３と第２の樹脂層１７とは完全に硬化する。これにより、本実施形態に係る半導体装置２３が完成する。
【００３２】
即ち、本実施形態に係る半導体装置２３は、複数の第１の電極１１を備えた第１の基板１２と、複数の第２の電極１６ａを備えた第２の基板１５と、複数の第３の電極２２を備えた第３の基板２１とを備えており、第１の基板１２と第３の基板２１とは、樹脂により接着されており、かつ第１の電極１１と第３の電極２２とは、対向して配置されているとともにバンプ２０を介して電気的に接続されており、第２の基板１５は、第１の基板１２と第３の基板２１との間に配置されており、かつ第１の電極１１と第２の電極１６ａとは、バンプ１６ｂを介して電気的に接続されている。
【００３３】
第３の基板２１には、第１の基板１２および第２の基板１５と同様に半導体チップ、ウエハ、配線基板などが含まれるが、それらはそれぞれ同種の基板でも、異なる基板でもよい。
【００３４】
金属ペースト１９の充填は、スキージ（図示略）を用いた印刷法により行うことができる。スキージは、第２の樹脂層１７に損傷を与えることを回避ないし軽減するため、ウレタンゴムスキージを用いる。ウレタンゴムスキージの硬度は、ＪＩＳ Ｋ６２５３に準じた方法で測定した場合において、５０〜８０度が好ましい。
【００３５】
金属ペースト１９は、例えば、金属粉末とフラックスビヒクルとから調製できる。金属粉末は、例えば、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｓｂなどから選択される単体金属、または、これらから選択される複数の単体金属からなる合金を粉末化したものである。フラックスビヒクルには、ロジン、活性剤、チクソ剤、溶剤が含まれる。ロジンとしては、重合ロジン、水素添加ロジン、エステル化ロジンなどを用いることができる。活性剤としては、例えば、セバシン酸、コハク酸、アジピン酸、グルタル酸、トリエタノールアミン、モノエタノールアミン、トリブチルアミンなどから選択された１または２以上の有機酸、有機アミンなどを使用することができる。チクソ剤としては、硬化ヒマシ油、ヒドロキシステアリン酸などを用いることができる。溶剤としては、２−メチル−２，４−ペンタンジオールやジエチレングリコールモノブチルエーテルなどを用いることができる。
【００３６】
バンプ２０の形成は、先ず、加熱により第２の開口部１８に充填されている金属ペースト１９を溶融させる。これにより、金属ペースト１９に含まれているフラックスビヒクルが揮発するとともに、金属粉末が溶融して寄り集まる。その後の冷却によって、バンプ２０が形成される。また、エポキシ系の樹脂を含む金属ペーストを用いてバンプ２０を形成してもよい。
【００３７】
本実施形態では、第１の電極１１と第３の電極２２とは、バンプ２０を用いて電気的に接続したが、これ以外にバンプを形成せずに金属ペーストそのもの、金属ボール、めっき、などにより接続することもできる。また、本実施形態では、バンプ２０は、金属ペースト印刷法により形成したが、スタッドバンピング法により形成してもよい。さらに、上記工程を組み合わせることにより、より多くの基板を積層することも可能である。
【００３８】
（実施形態２）
図３および図４は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。先ず、図３Ａに示すように、複数の第１の電極３１を備えた第１の基板３２の上に、第１の電極３１を覆うように第１の樹脂層３３を形成する。次に、図３Ｂに示すように、第１の樹脂層３３に、第１の電極３１が露出するように第１の開口部３４を形成する。次に、図３Ｃに示すように、第１の樹脂層３３の上に、複数の第２の電極３６ａを備えた第２の基板３５をフェイスアップの状態で配置する。次に、図３Ｄに示すように、加熱および加圧を経て第１の電極３１と第２の電極３６ａとを、ワイヤ３６ｂを介して電気的に接続するとともに、第１の基板３２と第２の基板３５とを第１の樹脂層３３を介して接着する。次に、図３Ｅに示すように、第１の樹脂層３３と第２の基板３５との上に、第１の開口部３４と第２の基板３５とを覆うように第２の樹脂層３７を形成する。次に、図３Ｆに示すように、第２の樹脂層３７に、第１の開口部３４に連通する第２の開口部３８を形成する。これにより、本実施形態に係る半導体装置前駆体３０が得られる。
【００３９】
即ち、本実施形態に係る半導体装置前駆体３０は、複数の第１の電極３１を備えた第１の基板３２と、複数の第２の電極３６ａを備えた第２の基板３５と、第１の基板３２と第２の基板３５とを覆うように配置された第２の樹脂層３７とを備えており、第２の基板３５は、第１の基板３２の上に接着されており、かつ第１の電極３１と第２の電極３６ａとは、ワイヤ３６ｂを介して電気的に接続されており、第２の樹脂層３７は、複数の第２の開口部３８を備え、第１の電極３１は、第２の開口部３８を通して露出している。
【００４０】
以上の工程は、ワイヤ３６ｂを用いた以外は、ほぼ実施形態１で説明したものと同様の材料および方法により実施できる。ワイヤ３６ｂは、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌなどの単体金属、またはＡｕまたはＳｎでメッキしたＣｕなどから形成できる。
【００４１】
続いて、図４Ａに示すように、第２の開口部３８に、金属ペースト３９を充填する。次に、図４Ｂに示すように、加熱処理を経て第１の電極３１に接するようにバンプ４０を形成する。次に、図４Ｃに示すように、第１の基板３２と、複数の第３の電極４２を備えた第３の基板４１とを、バンプ４０と第３の電極４２とが対向して接するように配置する。次に、図４Ｄに示すように、加熱および加圧を経て第１の電極３１と第３の電極４２とを、バンプ４０を介して電気的に接続するとともに、第１の基板３２と第３の基板４１とを、第１の樹脂層３３と第２の樹脂層３７とを介して接着する。この際、第１の樹脂層３３と第２の樹脂層３７とは完全に硬化する。以上の工程は、実施形態１で説明したものと同様の材料および方法により実施できる。これにより、本実施形態に係る半導体装置４３が完成する。
【００４２】
即ち、本実施形態に係る半導体装置４３は、複数の第１の電極３１を備えた第１の基板３２と、複数の第２の電極３６ａを備えた第２の基板３５と、複数の第３の電極４２を備えた第３の基板４１とを備えており、第１の基板３２と第３の基板４１とは、樹脂により接着されており、かつ第１の電極３１と第３の電極４２とは、対向して配置されているとともにバンプ４０を介して電気的に接続されており、第２の基板３５は、第１の基板３２と第３の基板４１との間に配置されており、かつ第１の電極３１と第２の電極３６ａとは、ワイヤ３６ｂを介して電気的に接続されている。
【００４３】
本実施形態では、第１の電極３１と第３の電極４２とは、バンプ４０を用いて電気的に接続したが、これ以外にバンプを形成せずに金属ペーストそのもの、金属ボール、めっきなどにより接続することもできる。また、本実施形態では、バンプ４０は、金属ペースト印刷法により形成したが、スタッドバンピング法により形成してもよい。さらに、上記工程を組み合わせることにより、より多くの基板を積層することも可能である。
【００４４】
【実施例】
以下、実施例に基づき本発明をより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例には限定されない。
【００４５】
（実施例１）
先ず、基板として以下のものを準備した。
【００４６】
電極径８０μｍ、電極ピッチ２００μｍの電極を３０００個備える縦２２ｍｍ、横２２ｍｍのＬＳＩチップを基板（１）とし、電極径８０μｍ、電極ピッチ２００μｍの電極を３００個備える縦４ｍｍ、横４ｍｍ、厚さ０．０６ｍｍのＬＳＩチップを基板（２）とし、電極径８０μｍ、電極ピッチ２００μｍの電極を２７００個備える縦４０ｍｍ、横４０ｍｍの三菱瓦斯化学社製のトリアジン系樹脂“ＢＴレジン”（商品名）からなる樹脂配線基板を基板（３）として準備した。
【００４７】
次に、樹脂フィルムを以下のようにして作製した。
【００４８】
主剤およびエポキシ樹脂の硬化剤として日本ユピカ社製の酸ペンダント型エポキシアクリレートを４５質量％、主剤およびエポキシアクリレートの硬化剤としてジャパンエポキシレジン社製のビフェニル型エポキシ樹脂“エピコートＹＸ４０００”（商品名）を１５質量％、アクリルモノマーとして東亜合成社製のジペンタエリスリトールヘキサアクリレートを１５質量％、光重合開始剤としてチバスペシャリティケミカルズ社製の“イルガキュア９０７”（商品名）を１５質量％、溶剤としてカルビトールアセテート２質量％とメチルエチルケトン８質量％とを含有する樹脂組成物を調製した。この樹脂組成物と、平均粒径４μｍのシリカ粉末とを、質量比１：１（シリカ粉末の添加率は５０質量％）で混合し、このシリカ粉末を添加および混合した後の樹脂組成物を厚さ２０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに塗布し、９０℃で３分間の乾燥を行い、その後ＰＥＴフィルムを剥離することにより、厚さ１５μｍの樹脂フィルム（１）と厚さ６０μｍの樹脂フィルム（２）とを作製した。
【００４９】
また、金属ペーストを以下のようにして作製した。
【００５０】
理化ハーキュレス社製の重合ロジン“ポリペール”（商品名）を５３質量％、溶剤として２−メチル−２，４−ペンタンジオールおよびジエチレングリコールモノブチルエーテルを各々２０質量％、活性剤としてコハク酸を２質量％、チクソ剤として硬化ヒマシ油を５質量％含有するフラックスビヒクルを調製した。このフラックスビヒクルと平均粒径１３μｍのＳｎ−３．５％Ａｇ合金粉末とを、質量比１：９（Ｓｎ−３．５％Ａｇ合金粉末の添加率は９０質量％）で混合して金属ペースト（はんだペースト）を調製した。
【００５１】
次に、上述のようにして作製した厚さ１５μｍの樹脂フィルム（１）を、基板（１）に対して、電極を覆うように、エム・シー・ケー社製のロールマウンタを用いて８０℃の加熱下で貼り付けて接着膜（１）を形成した。次に、この接着膜（１）に対して、露光および現像を施して、電極が露出するように直径１００μｍの開口部（１）を形成した。上記現像には２．３８質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いた。
【００５２】
続いて、あらかじめ電極上にＳｎ−３．５％Ａｇ合金からなるバンプを形成した基板（２）を、基板（１）の開口部（１）内の電極にフェイスダウンの状態で位置合わせを行い、３０００ｇの荷重を加えながら、２４０℃で３０秒間の加熱を行った。その結果、基板（１）と基板（２）とはバンプを介して電気的に接続されるとともに、接着膜（１）が接着剤として機能して基板（１）と基板（２）とが接着された。
【００５３】
次に、上述のようにして作製した厚さ６０μｍの樹脂フィルム（２）を、接着膜（１）と基板（２）に対して、開口部（１）と基板（２）とを覆うように、上記ロールマウンタを用いて８０℃の加熱下で貼り付けて接着膜（２）を形成した。その後、この接着膜（２）に対して、露光および現像を施して、開口部（１）に連通した直径１００μｍの開口部（２）を形成した。上記現像には、２．３８質量％のＴＭＡＨ水溶液を用いた。
【００５４】
このようにして形成した開口部（２）に対して、上述のようにして調製した金属ペーストを、開口径１００μｍ、厚さ２０μｍのメタルマスクを介してウレタンスキージを用いて充填し、２４０℃で４０秒間の加熱を行った。その結果、開口部（２）に充填した金属ペーストが溶融し、その後の冷却により良好なバンプが形成された。
【００５５】
その後、上述のようにして基板（１）に形成したバンプと、基板（３）の電極とをフェイスダウンの状態で位置合わせを行い、５０００ｇの荷重を加えながら、全体を２５０℃で１分間の加熱を行った。その後、１７０℃で１５分間の熱処理を行い、接着膜（１）、（２）を完全に硬化させることにより、基板（１）、基板（２）および基板（３）の相互間に良好な接合部が形成された半導体装置を得た。
【００５６】
良好な接合部が形成されていることを確認するため、本実施例で作製した半導体装置の接続信頼性を試験した。先ず、上記半導体装置の試験前の抵抗を測定した。次に、−５５℃〜１２５℃の間で昇温降温を繰り返す温度サイクル試験を２０００サイクル行った後に同様にしてその半導体装置の抵抗を測定した。その結果、半導体装置の抵抗上昇は１０％以下と良好であった。
【００５７】
次に、本実施例で作製した別の半導体装置の試験前の抵抗を測定した。続いて、温度１２１℃、湿度８５％の環境下に１０００時間放置する耐久試験を行った後に同様にしてその半導体装置の抵抗を測定した。その結果、サイクル試験と同様に抵抗上昇は１０％以下と良好であった。
【００５８】
（実施例２）
実施例１と同様にして、基板（１）、基板（２）、基板（３）、樹脂フィルム（１）、樹脂フィルム（２）、および金属ペーストを準備した。ただし、本実施例では、基板（１）の中央部（縦４ｍｍ、横４ｍｍ）には電極は設けなかった。
【００５９】
上述のようにして準備した厚さ１５μｍの樹脂フィルム（１）を、基板（１）に対して、電極を覆うように、エム・シー・ケー社製のロールマウンタを用いて８０℃の加熱下で貼り付けて接着膜（１）を形成した。次に、この接着膜（１）に対して、露光および現像を施して、電極が露出するように直径１００μｍの開口部（１）を形成した。上記現像には、２．３８質量％のＴＭＡＨ水溶液を用いた。
【００６０】
続いて、基板（２）を、基板（１）の上記中央部の上にフェイスアップの状態で位置合わせを行い、１０００ｇの荷重を加えながら、全体を２４０℃で３０秒間の加熱を行った。その結果、接着膜（１）が接着剤として機能して基板（１）と基板（２）とが接着した。その後、基板（１）と基板（２）との電極相互間を金製ワイヤにて電気的に接続した。
【００６１】
次に、上述のようにして準備した厚さ６０μｍの樹脂フィルム（２）を、接着膜（１）と基板（２）に対して、開口部（１）と基板（２）とを覆うように、上記ロールマウンタを用いて８０℃の加熱下で貼り付けて接着膜（２）を形成した。その後、この接着膜（２）に対して、露光および現像を施して、開口部（１）に連通した直径１００μｍの開口部（２）を形成した。上記現像には、２．３８質量％のＴＭＡＨ水溶液を用いた。
【００６２】
このようにして形成した開口部（２）に対して、上述のようにして調製した金属ペーストを、開口径１００μｍ、厚さ２０μｍのメタルマスクを介してウレタンスキージを用いて充填し、２４０℃で４０秒間の加熱を行った。この結果、開口部（２）に充填した金属ペーストが溶融し、その後の冷却により良好なバンプが形成された。
【００６３】
その後、上述のようにして基板（１）に形成したバンプと、基板（３）の電極とをフェイスダウンの状態で位置合わせを行い、５０００ｇの荷重を加えながら、全体を２５０℃で１分間の加熱を行った。その後、１７０℃で１５分間の熱処理を行い、接着膜（１）、（２）を完全に硬化させることにより、基板（１）、基板（２）および基板（３）の相互間に良好な接合部が形成された半導体装置を得た。
【００６４】
良好な接合部が形成されていることを確認するため、本実施例で作製した半導体装置の接続信頼性を試験した。先ず、上記半導体装置の試験前の抵抗を測定した。次に、−５５℃〜１２５℃の間で昇温降温を繰り返す温度サイクル試験を２０００サイクル行った後に同様にしてその半導体装置の抵抗を測定した。その結果、半導体装置の抵抗上昇は１０％以下と良好であった。
【００６５】
次に、本実施例で作製した別の半導体装置の試験前の抵抗を測定した。続いて、温度１２１℃、湿度８５％の環境下に１０００時間放置する耐久試験を行った後に同様にしてその半導体装置の抵抗を測定した。その結果、サイクル試験と同様に抵抗上昇は１０％以下と良好であった。
【００６６】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００６７】
（付記１） 複数の第１の電極を備えた第１の基板と、複数の第２の電極を備えた第２の基板と、複数の第３の電極を備えた第３の基板とを含む半導体装置であって、
前記第１の基板と前記第３の基板とは、樹脂により接着されており、かつ前記第１の電極と前記第３の電極とは、対向して配置されているとともに第１の導体部を介して電気的に接続されており、
前記第２の基板は、前記第１の基板と前記第３の基板との間に配置されており、かつ前記第１の電極と前記第２の電極とは、第２の導体部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【００６８】
（付記２） 前記第１の導体部および前記第２の導体部が、バンプにより形成されている付記１に記載の半導体装置。
【００６９】
（付記３） 前記第１の導体部がバンプにより形成されており、前記第２の導体部がワイヤにより形成されている付記１に記載の半導体装置。
【００７０】
（付記４） 複数の第１の電極を備えた第１の基板の上に、前記第１の電極を覆う第１の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層に、前記第１の電極が露出するように第１の開口部を形成し、
前記第１の樹脂層の上に、複数の第２の電極を備えた第２の基板を配置して、前記第１の電極と前記第２の電極とを電気的に接続し、
前記第１の樹脂層と前記第２の基板との上に、前記第１の開口部と前記第２の基板とを覆う第２の樹脂層を形成し、
前記第２の樹脂層に、前記第１の開口部に連通する第２の開口部を形成し、
前記第２の開口部に、前記第１の電極に接するように導体部を形成し、
前記第１の基板と、複数の第３の電極を備えた第３の基板とを、前記導体部と前記第３の電極とが対向して接するように配置し、
前記第１の電極と前記第３の電極とが前記導体部を介して電気的に接続されるとともに前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とが硬化するように、加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００７１】
（付記５） 前記第１の樹脂層および前記第２の樹脂層から選ばれる少なくとも一つは、フィルム状に成形されている付記４に記載の半導体装置の製造方法。
【００７２】
（付記６） 前記第１の開口部および前記第２の開口部は、フォトリソグラフィおよびレーザ加工から選ばれる少なくとも一つの方法で形成される付記４または５に記載の半導体装置の製造方法。
【００７３】
（付記７） 前記第２の樹脂層の厚さは、前記第２の基板の厚さ以上である付記４〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【００７４】
（付記８） 前記導体部は、金属バンプ、金属ペースト、金属ボールおよびめっきから選ばれる少なくとも一つにより形成される付記４〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【００７５】
（付記９） 前記第１の基板と前記第２の基板とは、金属バンプおよびワイヤから選ばれるいずれか一つを用いて電気的に接続される付記４〜８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【００７６】
（付記１０） 前記第１の基板、前記第２の基板および前記第３の基板は、半導体チップ、ウエハおよび配線基板から選ばれる少なくとも一つである付記４〜９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【００７７】
（付記１１） 複数の第１の電極を備えた第１の基板と、複数の第２の電極を備えた第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とを覆うように配置された樹脂層とを含む半導体装置前駆体であって、
前記第２の基板は、前記第１の基板の上に配置されており、かつ前記第１の電極と前記第２の電極とは、電気的に接続されており、
前記樹脂層は、複数の開口部を備え、
前記第１の電極は、前記開口部を通して露出していることを特徴とする半導体装置前駆体。
【００７８】
（付記１２） 複数の第１の電極を備えた第１の基板の上に、前記第１の電極を覆う第１の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層に、前記第１の電極が露出するように第１の開口部を形成し、
前記第１の樹脂層の上に、複数の第２の電極を備えた第２の基板を配置して、前記第１の電極と前記第２の電極とを電気的に接続し、
前記第１の樹脂層と前記第２の基板との上に、前記第１の開口部と前記第２の基板とを覆う第２の樹脂層を形成し、
前記第２の樹脂層に、前記第１の開口部に連通する第２の開口部を形成することを特徴とする半導体装置前駆体の製造方法。
【００７９】
（付記１３） 前記第１の樹脂層および前記第２の樹脂層から選ばれる少なくとも一つは、フィルム状に成形されている付記１２に記載の半導体装置前駆体の製造方法。
【００８０】
（付記１４） 前記第１の開口部および前記第２の開口部は、フォトリソグラフィおよびレーザ加工から選ばれる少なくとも一つの方法で形成される付記１２または１３に記載の半導体装置前駆体の製造方法。
【００８１】
（付記１５） 前記第２の樹脂層の厚さは、前記第２の基板の厚さ以上である請求項１２〜１４のいずれかに記載の半導体装置前駆体の製造方法。
【００８２】
（付記１６） 前記第１の基板、前記第２の基板および前記第３の基板は、半導体チップ、ウエハおよび配線基板から選ばれる少なくとも一つである付記１２〜１５のいずれかに記載の半導体装置前駆体の製造方法。
【００８３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、基板同士の接続が容易であり、薄型化が可能な接続信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１に係る半導体装置の製造方法の一部の工程を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る半導体装置の製造方法の一部の工程を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態２に係る半導体装置の製造方法の一部の工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態２に係る半導体装置の製造方法の一部の工程を示す断面図である。
【図５】従来のチップオンチップ方式により接続した半導体装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１０、３０ 半導体装置前駆体
１１、３１ 第１の電極
１２、３２ 第１の基板
１３、３３ 第１の樹脂層
１４、３４ 第１の開口部
１５、３５ 第２の基板
１６ａ、３６ａ 第２の電極
１６ｂ バンプ
３６ｂ ワイヤ
１７、３７ 第２の樹脂層
１８、３８ 第２の開口部
１９、３９ 金属ペースト
２０、４０ バンプ
２１、４１ 第３の基板
２２、４２ 第３の電極
２３、４３ 半導体装置
５１、５２、５３ 半導体チップ
５４ ワイヤ
５５ バンプ
５６ 樹脂モールド
Claims (5)
- 複数の第１の電極を備えた第１の基板と、複数の第２の電極を備えた第２の基板と、複数の第３の電極を備えた第３の基板とを含む半導体装置であって、
前記第１の基板と前記第３の基板とは、樹脂により接着されており、かつ前記第１の電極と前記第３の電極とは、対向して配置されているとともに第１の導体部を介して電気的に接続されており、
前記第２の基板は、前記第１の基板と前記第３の基板との間に配置されており、かつ前記第１の電極と前記第２の電極とは、第２の導体部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 複数の第１の電極を備えた第１の基板の上に、前記第１の電極を覆う第１の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層に、前記第１の電極が露出するように第１の開口部を形成し、
前記第１の樹脂層の上に、複数の第２の電極を備えた第２の基板を配置して、前記第１の電極と前記第２の電極とを電気的に接続し、
前記第１の樹脂層と前記第２の基板との上に、前記第１の開口部と前記第２の基板とを覆う第２の樹脂層を形成し、
前記第２の樹脂層に、前記第１の開口部に連通する第２の開口部を形成し、
前記第２の開口部に、前記第１の電極に接するように導体部を形成し、
前記第１の基板と、複数の第３の電極を備えた第３の基板とを、前記導体部と前記第３の電極とが対向して接するように配置し、
前記第１の電極と前記第３の電極とが前記導体部を介して電気的に接続されるとともに前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とが硬化するように、加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第２の樹脂層の厚さは、前記第２の基板の厚さ以上である請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
- 複数の第１の電極を備えた第１の基板と、複数の第２の電極を備えた第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とを覆うように配置された樹脂層とを含む半導体装置前駆体であって、
前記第２の基板は、前記第１の基板の上に配置されており、かつ前記第１の電極と前記第２の電極とは、電気的に接続されており、
前記樹脂層は、複数の開口部を備え、
前記第１の電極は、前記開口部を通して露出していることを特徴とする半導体装置前駆体。 - 複数の第１の電極を備えた第１の基板の上に、前記第１の電極を覆う第１の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層に、前記第１の電極が露出するように第１の開口部を形成し、
前記第１の樹脂層の上に、複数の第２の電極を備えた第２の基板を配置して、前記第１の電極と前記第２の電極とを電気的に接続し、
前記第１の樹脂層と前記第２の基板との上に、前記第１の開口部と前記第２の基板とを覆う第２の樹脂層を形成し、
前記第２の樹脂層に、前記第１の開口部に連通する第２の開口部を形成することを特徴とする半導体装置前駆体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003135734A JP3968051B2 (ja) | 2003-05-14 | 2003-05-14 | 半導体装置とその製造方法、および半導体装置前駆体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003135734A JP3968051B2 (ja) | 2003-05-14 | 2003-05-14 | 半導体装置とその製造方法、および半導体装置前駆体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004342738A true JP2004342738A (ja) | 2004-12-02 |
| JP3968051B2 JP3968051B2 (ja) | 2007-08-29 |
Family
ID=33525902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003135734A Expired - Fee Related JP3968051B2 (ja) | 2003-05-14 | 2003-05-14 | 半導体装置とその製造方法、および半導体装置前駆体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3968051B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009218576A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-09-24 | Sychip Inc | Ｍｃｍパッケージ |
| JP2011192852A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Casio Computer Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の実装方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998040915A1 (fr) * | 1997-03-10 | 1998-09-17 | Seiko Epson Corporation | Composant electronique et dispositif a semi-conducteurs, procede de fabrication correspondant, carte a circuit imprime ainsi equipee, et equipement electronique comportant cette carte a circuit imprime |
| JPH11177020A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体実装構造およびその実装方法 |
| JP2001168265A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-06-22 | Nec Corp | 電子デバイス集合体と電子デバイスの接続方法 |
| JP2001185675A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-06 | Kyocera Corp | 半導体装置 |
| JP2001257310A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法およびその試験方法 |
| WO2001073843A1 (fr) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | Rohm Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur |
| JP2002170918A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2002343904A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2003046026A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Taiyo Yuden Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3423930B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2003-07-07 | 富士通株式会社 | バンプ形成方法、電子部品、および半田ペースト |
-
2003
- 2003-05-14 JP JP2003135734A patent/JP3968051B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998040915A1 (fr) * | 1997-03-10 | 1998-09-17 | Seiko Epson Corporation | Composant electronique et dispositif a semi-conducteurs, procede de fabrication correspondant, carte a circuit imprime ainsi equipee, et equipement electronique comportant cette carte a circuit imprime |
| JPH11177020A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体実装構造およびその実装方法 |
| JP2001168265A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-06-22 | Nec Corp | 電子デバイス集合体と電子デバイスの接続方法 |
| JP2001185675A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-06 | Kyocera Corp | 半導体装置 |
| JP3423930B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2003-07-07 | 富士通株式会社 | バンプ形成方法、電子部品、および半田ペースト |
| JP2001257310A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法およびその試験方法 |
| WO2001073843A1 (fr) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | Rohm Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur |
| JP2002170918A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2002343904A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2003046026A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Taiyo Yuden Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009218576A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-09-24 | Sychip Inc | Ｍｃｍパッケージ |
| JP2011192852A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Casio Computer Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の実装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3968051B2 (ja) | 2007-08-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3866591B2 (ja) | 電極間接続構造体の形成方法および電極間接続構造体 | |
| JP2006049482A (ja) | 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ | |
| JP6094884B2 (ja) | 半導体装置の製造方法とそれに使用される半導体封止用アクリル樹脂組成物 | |
| US10734350B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2013216804A (ja) | 感光性樹脂組成物、フィルム状樹脂、樹脂シート、樹脂パターン、樹脂層付半導体ウェハ、樹脂層付透明基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2017220519A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2017045891A (ja) | 半導体装置及びそれを製造する方法 | |
| JPWO2019163861A1 (ja) | 封止用樹脂組成物、積層シート、硬化物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2019137866A (ja) | 半導体用接着剤、並びに、半導体装置及びその製造方法 | |
| TWI827512B (zh) | 半導體用膜狀接著劑、半導體裝置的製造方法及半導體裝置 | |
| JP2004063770A (ja) | 電極間接続構造体の形成方法 | |
| JP6094885B2 (ja) | 半導体装置の製造方法とそれに使用される半導体封止用アクリル樹脂組成物 | |
| JP4702271B2 (ja) | 導電性バンプの形成方法 | |
| JP6767698B2 (ja) | 封止用アクリル樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP6796788B2 (ja) | 封止用アクリル樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPWO2004070826A1 (ja) | 電極間接続構造体の形成方法および電極間接続構造体 | |
| JP3929922B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法、および半導体装置前駆体とその製造方法 | |
| JP2017122193A (ja) | 半導体用接着剤及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3968051B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法、および半導体装置前駆体とその製造方法 | |
| JP6857837B2 (ja) | 封止用熱硬化性樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| JP2008141114A (ja) | スタックトチップ用半導体チップの製造方法及びスタックトチップの製造方法 | |
| JP6544146B2 (ja) | 半導体装置及びそれを製造する方法 | |
| JP7172167B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、及びそれに用いられる半導体用接着剤 | |
| JP4899095B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び該方法に用いられる接着剤 | |
| JP2021093412A (ja) | アンダーフィル用のシート状樹脂組成物、及びそれを用いた半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051031 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061019 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061212 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070213 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070410 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070529 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070601 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110608 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120608 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120608 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130608 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130608 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |