JP2004297615A

JP2004297615A - 光受信回路

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Publication number: JP2004297615A
Application number: JP2003089274A
Authority: JP
Inventors: Kengo Matsumoto; 健悟松元
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2003-03-27
Filing date: 2003-03-27
Publication date: 2004-10-21
Anticipated expiration: 2023-03-27
Also published as: JP4147997B2; US7081609B2; US20040245436A1

Abstract

【課題】温度係数と設定電圧値とを独立に調整することができる光受信回路を提供する。
【解決手段】オペアンプ１１の出力と反転入力と結ぶ負帰還回路が、温度変化に対して線形性の抵抗値を有すると共にＡＰＤ７の温度を検出するように配置された感温抵抗Ｒｔｈを備える。オペアンプ１１の非反転入力は抵抗Ｒ６を介して入力端子Ｔｉｎ２に接続されており、反転入力は抵抗Ｒ５を介して入力端子Ｔｉｎ１に接続されている。一端がバイアス回路２の出力（ｏ点）に接続された抵抗Ｒ２と、一端がグランドに接続された抵抗Ｒ１と、抵抗Ｒ１及び抵抗Ｒ２の他端並びにバイアス回路２の入力（ｄ点）に接続された分圧点（ｃ点）とにより分圧回路が形成されている。オペアンプ１１の出力が抵抗Ｒ４を介して分圧点に接続されている。バイアス回路は、抵抗ネットワークＲ３を介してＡＰＤ７に逆方向のバイアス電圧を供給する。
【選択図】図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光受信回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
アバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ；ＡｖａｌａｎｃｈｅＰｈｏｔｏｄｉｏｄｅ）は、高感度特性、高速応答特性を備えた光電変換素子であり、例えば光通信システムにおける受光装置への適用に適している。他方、ＡＰＤには、その増幅率が温度によって変化し、その結果信号歪みを発生させるという欠点がある。特に１０〜４０Ｇｂｐｓの高速通信ではかかる信号歪みが伝達信号のエラーの要因になる。そのため、ＡＰＤを用いた光受信回路では、ＡＰＤの温度特性を補償して増幅率を一定に保つための温度特性補償手段が要求される。
【０００３】
かかる温度特性補償手段の従来技術として、第２６２１２９９号特許公報（特許文献１）に開示されるように、トランジスタの温度特性に基づいてＡＰＤバイアス電圧制御回路からの出力電圧を変化させる技術がある（第１従来技術）。また、図１に示すように、サミスタの温度特性に基づいて、バイアス回路の出力値（Ｖｏｕｔ）を変化させる技術がある（第２従来技術）。
【０００４】
特開平１１−２０５２４９号公報（特許文献２）には、温度センサ（出力電圧に任意の温度係数を持つ素子）が、トランジスタのベース電圧値を変化させ、これによってコレクタ電流値（このコレクタ電流値の標準レベルはエミッタに直列接続された可変抵抗によって可変される。）を変化させてバイアス電圧値を調整する技術が開示されている（第３従来技術）。
【０００５】
【特許文献１】第２６２１２９９号特許公報
【特許文献２】特開平１１−２０５２４９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、第１及び第２従来技術には、トランジスタやサミスタの温度特性が非線形性なので、線形性の温度特性を有する（一定の強度の光が入射しているときのＡＰＤが最適増幅率となる端子間電圧値がＡＰＤの温度の一次関数として表される。）ＡＰＤの温度変化を適確に補償するのが困難であるという問題点があった。
【０００７】
さらに、第１従来技術には温度特性補償回路の出力における温度係数が固定されているので、ＡＰＤの温度特性の個体差（例えば、１０Ｇｂｐｓの光通信に使用されるＡＰＤでは１０％程度のばらつきがある。）に対応することができないという問題点があった。第２従来技術では、可変抵抗Ｒｖ１（温度係数調整用可変抵抗）の抵抗値を変化させてＶｏｕｔの温度係数を調整することができる。しかし、以下の式（１）及び（２）に示されるように、可変抵抗Ｒｖ２（設定電圧値（アバランシェ・フォトダイオードが所定の温度であるときの出力値）調整用可変抵抗）の抵抗値を調整したときに、可変抵抗Ｒｖ２の抵抗値の変化がＶｏｕｔの温度係数に影響を与えてしまうので、やはりＡＰＤの温度特性の個体差に対応するように温度係数を調整するのが困難であるという問題点があった。
【０００８】
【数１】

【０００９】
第３従来技術には、温度特性補償回路中のトランジスタ及び可変抵抗（設定電圧値調整用可変抵抗）の温度特性の影響を受けるので、ＡＰＤの個体差に対応するように温度係数を調整するのが困難であるという問題点があった。
【００１０】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、バイアス回路の出力値の温度係数と設定電圧値とを独立に調整することができる光受信回路を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の光受信回路は、受光した光の強度に応じた電気信号を出力するアバランシェ・フォトダイオードと、アバランシェ・フォトダイオードに逆方向に印加されるバイアス電圧を供給するバイアス回路と、アバランシェ・フォトダイオードの温度に応じてバイアス回路の出力値を変化させる温度特性補償回路と、バイアス回路の出力に接続された一端及びノードに接続された他端を有する第１の抵抗素子と、基準電位線に接続された一端及びノードに接続された他端を有する第２の抵抗素子とを備え、ノードがバイアス回路の入力に接続されており、温度特性補償回路が、差動増幅器と、差動増幅器の反転入力に接続された第１入力端子と、反転入力と第１入力端子との間に介在する第３の抵抗素子と、差動増幅器の出力と反転入力とを結ぶ負帰還回路と、差動増幅器の非反転入力に接続された第２入力端子と、ノードに接続された一端及び差動増幅器の出力に接続された他端を有する第４の抵抗素子とを含んで構成され、負帰還回路が温度変化に対して線形性の抵抗値を有する感温抵抗素子を含み、感温抵抗素子がアバランシェ・フォトダイオードの温度を検出するように配置されていることを特徴とする。
【００１２】
第１入力端子にＶ１［Ｖ］の電圧を、第２入力端子にＶ２［Ｖ］の電圧を印加したとき、反転入力と第１入力端子との間に介在する抵抗素子の抵抗値をＲ［Ω］とおくと、この抵抗素子にΔＶ／Ｒ（ΔＶ＝Ｖ１−Ｖ２）［Ａ］の電流が流れ、この電流が負帰還回路に流れ込む。感温抵抗が負帰還回路に介在するので、感温抵抗の抵抗値をＲｔｈとおくと、入力と出力との間にΔＶ・Ｒｔｈ／Ｒ［Ｖ］の電位差が生じる。したがって、差動増幅器の出力値は、Ｖ２−ΔＶ・Ｒｔｈ／Ｒ［Ｖ］となる。そのため、差動増幅器の出力値は感温抵抗の温度変化に対して線形性であり、またΔＶの値を増減させることにより温度係数を調整することができる。さらに、Ｖ２の値を増減させることにより、調整された温度係数を変動させることなく差動増幅器の出力値の設定電圧値を調整することができる。その結果、ΔＶ及びＶ２の値を増減させることによりバイアス回路の出力値の温度係数と設定電圧値とを独立に調整することができる。
【００１３】
本発明の光受信回路は、感温抵抗素子の温度係数の絶対値が１０００ｐｐｍ／℃以上であることが好適である。これにより、容易に、アバランシェ・フォトダイオードが最適増幅率になる端子間電圧値の温度に対する変化率に相当する大きな温度係数を温度特性補償機能に持たせることができる。
【００１４】
本発明の光受信回路は、第１入力端子及び第２入力端子に接続されたＤ−Ａ変換部を制御して、第１入力端子及び第２入力端子にそれぞれ印加される電圧値を調整する制御部を更に備えたことが好適である。これにより、制御部が温度特性補償回路の入力値を調整して、適当な値のバイアス回路の出力値の温度係数及び設定電圧値を実現させることが可能になる。
【００１５】
また、本発明の光受信回路は、アバランシェ・フォトダイオードの温度に応じた信号を出力する温度検出部を更に備え、制御部が、信号に基づいてＤ−Ａ変換部を制御して、第１入力端子及び第２入力端子に印加される電圧値を調整することが好適である。これにより、アバランシェ・フォトダイオードの温度に基づいた制御部による温度特性補償回路の入力値の調整が可能になる。
【００１６】
さらに、本発明の光受信回路は、制御部が、アバランシェ・フォトダイオードの温度が規定値以上になったときに、Ｄ−Ａ変換部を制御して第１入力端子に印加される電圧値を変化させ、第１入力端子に印加される電圧値と第２入力端子に印加される電圧値との差を減少させることが好適である。これにより、アバランシェ・フォトダイオードの温度が非常に高くなったときにバイアス回路の出力値の温度係数を減少させてアバランシェ・フォトダイオードの破壊を防ぐなどの調整が可能になる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の光受信回路、光受信モジュール及び光通信システムの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、同一要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。
【００１８】
（第１実施形態）
図２は、第１実施形態の光受信回路Ａの回路図である。光受信回路Ａは、ＡＰＤ（アバランシェ・フォトダイオード）７と、出力（ｏ点）からＶｏｕｔ［Ｖ］の電圧を出力して抵抗ネットワークＲ３を介してＡＰＤ７に逆方向に印加されるバイアス電圧を供給するバイアス回路２と、ｃ点で抵抗Ｒ４を介して分圧回路（一方の端部がバイアス回路２の出力（ｏ点）に接続された抵抗Ｒ２と、一方の端部がクランドに接続された抵抗Ｒ１と、抵抗Ｒ２の他方の端部及び抵抗Ｒ１の他方の端部と接続されると共に抵抗Ｒ７を介してバイアス回路２の入力（ｄ点）に接続された分圧点（ノード、ｃ点）とにより構成される。）に接続された温度特性補償回路１とを備える。ＡＰＤ７は、光を受光するとこの光の強度に比例する光電流Ｉｍを発生させる。光電流Ｉｍの光の強度に対する比（増幅率）は、ＡＰＤ７に逆方向に印加されるバイアス電圧の値によって決定される。
【００１９】
温度特性補償回路１の構成及び動作を説明する。温度特性補償回路１は、オペアンプ１１、感温抵抗Ｒｔｈ、抵抗Ｒ５、抵抗Ｒ６、入力端子Ｔｉｎ１、入力端子Ｔｉｎ２及び抵抗Ｒ４により構成される。オペアンプ１１には、出力と反転入力と結ぶ負帰還回路が形成されている。この負帰還回路には、温度変化に対して線形性の抵抗値を有する感温抵抗Ｒｔｈが介在する。具体的には、この抵抗値は次の式（３）により表される。なお、「＊」は乗算を示す。
Ｒｔｈ＝Ｒ５＊（１＋ａ＊（Ｔ−Ｔ０））［Ω］・・・（３）
ただし、Ｔ０は感温抵抗Ｒｔｈの初期温度［℃］を、Ｔは感温抵抗Ｒｔｈの温度［℃］を、Ｒ５は感温抵抗Ｒｔｈの初期温度Ｔ０［℃］における抵抗値［Ω］（後述する抵抗Ｒ５の抵抗値と等しい。）を、Ｒ５＊ａは感温抵抗Ｒｔｈの温度係数を示す。
【００２０】
本実施形態では、感温抵抗Ｒｔｈとして温度係数が１０００ｐｐｍ／℃以上のものが用いられる。かかる感温抵抗の例としてＰａｎａｓｏｎｉｃ角形感温チップ固定抵抗器ＥＲＡＶ，Ｓ（品番構成：ＥＲＡＳ１５Ｊ１０３Ｖ）がある。感温抵抗Ｒｔｈは、小型のパッケージの中でＡＰＤ７に近接して配置されており、ＡＰＤ７の温度を検出する。
【００２１】
オペアンプ１１の非反転入力は抵抗Ｒ６を介して入力端子Ｔｉｎ２に接続されており、オペアンプ１１の反転入力は抵抗Ｒ５を介して入力端子Ｔｉｎ１に接続されている。入力端子Ｔｉｎ２にはＶｓｅｔ［Ｖ］の電圧（設定電圧値（ＡＰＤ７が所定の温度であるときのバイアス回路２の出力値）を調整するための入力電圧）が印加され、入力端子Ｔｉｎ１にはＶｓｅｔ＋Ｖｓｌｏｐｅ［Ｖ］の電圧（バイアス回路２の出力値の温度係数を調整するための入力電圧）が印加される。
【００２２】
入力端子Ｔｉｎ１と反転入力との間にはＶｓｌｏｐｅ［Ｖ］の電位差が生じ、Ｖｓｌｏｐｅ／Ｒ５［Ａ］の電流が抵抗Ｒ５及び感温抵抗Ｒｔｈに流れる。したがって、オペアンプ１１の出力値Ｖｃｏｎｔは、反転入力の電位よりもＲｔｈ＊Ｖｓｌｏｐｅ／Ｒ５［Ｖ］だけ降下した値となる。すなわち、Ｖｃｏｎｔの値は次の式（４）で表される。
Ｖｃｏｎｔ＝Ｖｓｅｔ−｛Ｒ５＊（１＋ａ＊（Ｔ−Ｔ０））＊（Ｖｓｌｏｐｅ／Ｒ５）｝
＝Ｖｓｅｔ−｛Ｖｓｌｏｐｅ＊（１＋ａ＊（Ｔ−Ｔ０））｝［Ｖ］・・・（４）
以上のとおり、温度特性補償回路１には感温抵抗Ｒｔｈの温度に対して線形性の出力値が表れ、その温度係数はＶｓｌｏｐｅを増減することにより調整することができる。さらに、Ｖｓｅｔを増減することにより、調整された温度係数に影響を与えることなく出力値の標準レベル（初期温度Ｔ０［℃］のときの出力値）を調整することができる。
【００２３】
次に、バイアス回路２の構成及び動作を説明する。バイアス回路２は、ＤＣ−ＤＣコンバータ部３、平滑化部５及び上述の分圧回路により構成されている。
【００２４】
ＤＣ−ＤＣコンバータ部３は、オペアンプ３１、基準電圧発生回路３２、コンパレータ３３、三角波発振器３４、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３５及びチョークコイル３７により構成される。オペアンプ３１の反転入力には、基準電圧発生回路３２によりＶｒｅｆ［Ｖ］の電圧が印加されている。コンパレータ３３の非反転入力には三角波発振器３４が発振する三角波の電圧信号が入力され、反転入力には前段のオペアンプ３１の出力が入力される。したがって、コンパレータ３３は、三角波の電位がオペアンプ３１の出力値よりも高くなっているタイミングにおいて正の電位を出力する。すなわち、オペアンプ３１の出力値が低いときには正の電位が出力されるスパンが長くなり、オペアンプ３１の出力値が上昇したときには正の電位が出力されるスパンが短くなる。
【００２５】
コンパレータ３３の出力はチョッパ装置として機能するｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３５のゲートに接続されている。また、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３５のソースがグランド接地されており、ドレインがチョークコイル３７を介して正の定電圧を供給する電源Ｖｉｎに接続されている。したがって、コンパレータ３３が正の電圧を出力しているタイミングにおいてｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３５にドレイン電流が流れる。
【００２６】
ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３５のゲートに正の電圧が印加されると、チョークコイル３７に流れる電流を増大させつつ、チョークコイル３７に磁気エネルギーを蓄積していく。チョークコイルに流れる電流がＩｌ［Ａ］まで強まったとき、チョークコイル３７には１／２＊Ｌ＊Ｉｌ^２［Ｊ］（ただし、Ｌはチョークコイル３７のインダクタンス［Ｈ］を表す。）の磁気エネルギーが蓄えられる。チョークコイル３７が蓄えた磁気エネルギーは、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３５のゲートに負の電圧が印加されているタイミングにおいて、すなわち三角波発振器３４により発せられた三角波の電位がオペアンプ３１の出力値よりも低くなっているタイミングにおいて、平滑化部５に放出される。
【００２７】
平滑化部５はコンデンサ５１及びダイオード５３により構成される。ダイオード５３のアノードがチョークコイル３７とｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３５のドレインとを結ぶ導線部に接続されている。ダイオード５３のアノードには、チョークコイル３７に流れる電流が増大しているタイミングにおいて低い電圧（Ｖｉｎ―Ｌ＊ΔＩｌ／Δｔ［Ｖ］）が印加され、ドレイン電流が流れなくなったときに高い電圧（チョークコイル３７に流れる電流が一定であるときにＶｉｎ［Ｖ］）が印加される。このようにして、平滑化部５には、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ３５のゲートに正の電圧が印加されるタイミングに応じた交流電圧が印加される。
【００２８】
コンデンサ５１は、一端がグランド接地され、他端がダイオード５３のカソード及びバイアス回路２の出力（ｏ点）と接続されている。コンデンサ５１は、ダイオード５３のアノードに高い電圧が印加されたときにコンデンサ５１に蓄積される電荷量を増大させ、印加される電圧が低下したときに蓄積した電荷を抵抗成分を介して緩やかに放出することにより、ｏ点側の端部の電位を維持する。コンデンサ５１の静電容量はバイアス回路２の出力値の変動が小さくなるように調整される。
【００２９】
バイアス回路２の出力は、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ１とにより分圧され、分圧点（ｃ点）に分圧電圧が表れる。さらに、分圧点とバイアス回路２の入力（ｄ点）とが抵抗Ｒ７を介して接続され、分圧電圧がフィードバックされることにより次のような負帰還動作が働く。ｃ点の電位が低下しオペアンプ３１の非反転入力に入力される電圧値が下がったとき、ｎチャネルＮＯＳＦＥＴ３５にドレイン電流が通電しているスパンが長くなり、バイアス回路２の出力値が上がる。そのためバイアス回路２の出力とｃ点との間の電位差が大きくなり、バイアス回路２の出力から抵抗Ｒ２を介してｃ点に流れ込む電流が大きくなる。その結果、ｃ点から抵抗Ｒ１及び抵抗Ｒ４に流れ込む電流が大きくなり、ｃ点の電位が上昇するという負帰還が働く。
【００３０】
温度特性補償回路１の出力は、抵抗Ｒ４を介してｃ点でバイアス回路２の分圧回路と接続されている。ここで、温度特性補償回路１への入力を調整することによってＶｏｕｔの値を制御する動作を説明する。
【００３１】
感温抵抗の温度が上昇し温度特性補償回路１の出力値Ｖｃｏｎｔ［Ｖ］が下がったとき、ｃ点及びオペアンプ３１の非反転入力の電位が低下し、バイアス回路２の出力値が上昇するが、上述のバイアス回路２の負帰還動作によりｃ点及びオペアンプ３１の非反転入力の電位はＶｒｅｆ［Ｖ］に回復する。このとき、温度特性補償回路１の出力値の変化分をΔＶｃｏｎｔ［Ｖ］とすると、抵抗Ｒ２を流れる電流及び抵抗Ｒ４を流れる電流はそれぞれΔＶｃｏｎｔ／Ｒ４［Ａ］だけ大きくなっている。そのため、バイアス回路の出力値は、（ΔＶｃｏｎｔ／Ｒ４）＊Ｒ２［Ｖ］だけ上昇している。
【００３２】
ｃ点及びオペアンプ３１の非反転入力の電位がＶｒｅｆ［Ｖ］に回復したときのバイアス回路の出力値は、次の式（５）で表される。
Ｖｏｕｔ＝（１＋Ｇ＋Ｇ＊Ｒ４／Ｒ１）Ｖｒｅｆ−Ｇ＊Ｖｃｏｎｔ
＝（１＋Ｇ＋Ｇ＊Ｒ４／Ｒ１）Ｖｒｅｆ−Ｇ＊Ｖｓｅｔ＋Ｇ＊Ｖｓｌｏｐｅ＊（１＋ａ＊（Ｔ−Ｔ０））
＝｛（１＋Ｇ＋Ｇ＊Ｒ４／Ｒ１）Ｖｒｅｆ−Ｇ＊Ｖｓｅｔ＋Ｇ＊Ｖｓｌｏｐｅ｝＋Ｇ＊Ｖｓｌｏｐｅ＊ａ＊（Ｔ−Ｔ０）［Ｖ］・・・（５）
ただし、Ｒ２＝Ｇ＊Ｒ４。
【００３３】
このようにＶｏｕｔは、感温抵抗Ｒｔｈの温度Ｔ［℃］の一次関数として表される。式（５）の第２項Ｇ＊Ｖｓｌｏｐｅ＊ａ＊（Ｔ−Ｔ０）が一次の項であり、Ｇ＊Ｖｓｌｏｐｅ＊ａが温度係数となる。したがって、Ｖｓｌｏｐｅの値を増減させることによりにＶｏｕｔの温度係数を調整することができる。
【００３４】
また、式（５）の第１項｛（１＋Ｇ＋Ｇ＊Ｒ４／Ｒ１）Ｖｒｅｆ−Ｇ＊Ｖｓｅｔ＋Ｇ＊Ｖｓｌｏｐｅ｝がＶｏｕｔの設定電圧値を表す。したがって、Ｖｓｌｏｐｅの値を決定した後、Ｖｓｅｔの値を増減させることにより、調整された温度係数に影響を与えることなくＶｏｕｔの設定電圧値を調整することができる。
【００３５】
図３は、ＡＰＤ７の温度が０℃、２５℃及び５０℃の場合におけるＡＰＤ７へ入射する光の強度（光入力レベル）と、最適増倍率（誤り率が最小になる増倍率）になるバイアス電圧値との関係を示す。図３に示すように、一定の光入力レベルのもとで最適増倍率を実現するバイアス電圧値はＡＰＤ７の温度によって異なる。一定の光入力レベルのもとで最適増倍率を実現するバイアス電圧値はＡＰＤ７の温度に対して線形性の変化をする。
【００３６】
本実施形態では、温度特性補償回路１への入力値を調整することで容易にＡＰＤ７の温度特性の個体差に応じた温度係数の調整をすることができる。ＡＰＤ７に印加されるバイアス電圧値Ｖａｐｄ［Ｖ］は、次の式（６）で表される。
Ｖａｐｄ＝Ｖｏｕｔ−Ｒ３＊Ｉｍ［Ｖ］・・・（６）
Ｖｓｌｏｐｅの値を調整することによりバイアス電圧値Ｖａｐｄの温度係数をＡＰＤ７の温度特性に対応させることができる。また、Ｖｓｅｔの値を調整することにより、調整された温度係数に影響を与えることなく、ＡＰＤ７が最適増幅率で動作するバイアス電圧値Ｖａｐｄの標準レベルを実現することができる。
【００３７】
（第２実施形態）
図４は、第２実施形態の光受信回路Ｃの回路図である。光受信回路Ｃは、制御部として機能するマイクロプロセッサ１３及びＡＰＤ７の温度に応じた信号を出力するサミスタ１５を備える。マイクロプロセッサ１３が、ＤＡＣ１及びＤＡＣ２（デジタル−アナログ変換器）を制御して入力端子Ｔｉｎ１及び入力端子Ｔｉｎ２に印加される入力電圧値を調整して、適当な値のバイアス回路２の出力値の温度係数及びバイアス回路２の設定電圧値を実現させる。なお、入力端子Ｔｉｎ１及び入力端子Ｔｉｎ２に接続されたＤ−Ａ変換部は、マイクロプロセッサ１３に内蔵されたものであってもよい。光受信回路Ｃは、これらの点で第１実施形態の光受信回路Ｂと構成が異なるが、その他の点では光受信回路Ｂと同様に構成される。
【００３８】
サミスタ１５はＡＰＤ７に近接して配置され、ＡＰＤ７の温度に応じた信号を出力する。マイクロプロセッサ１３は、サミスタ１５が出力した信号に応じてＤＡＣ１を制御してＴｉｎ１にＶｓｅｔ＋Ｖｓｌｏｐｅ（Ｔ）［Ｖ］の電圧を印加する。ただし、Ｖｓｌｏｐｅ（Ｔ）は、ＡＰＤ７の温度が所定の範囲内にあるときには正の一定の値であるが、ＡＰＤ７の温度が所定の範囲を超えて上昇したときには小さくなるように制御される。このようにして、ＡＰＤ７の温度が非常に高くなったときにバイアス電圧値の温度係数を減少させてＡＰＤ７の破壊を防ぐことができる。
【００３９】
（第３実施形態）
図５は、第３実施形態の光通信システムＤの機能的構成を示す図である。光通信システムＤは、光信号発信装置８１、光信号受信装置８３及び中継器９を備え、光信号発信装置８１と中継器９とが光ファイバ８２により接続され、また中継器９と光信号受信装置８３とが光ファイバ８４により接続されている。中継器９は、上記いずれかの実施形態の光受信回路（バイアス回路９１３、ＡＰＤ９１１）を含んで構成される光受信モジュール９１を備える。光信号発信装置８１により発信された光信号Ｐｓは光ファイバ８２を伝播し、光コネクタ９１５を介してＡＰＤ９１１に入射する。光信号ＰｓはＡＰＤ９１１により電気信号に変換され出力端子９１７から出力される。
【００４０】
出力端子９１７から出力された電気信号は、信号補正／増幅部９５で信号歪みの補正、雑音の除去などの信号補正及び信号の増幅がなされる。
【００４１】
中継器９は、光発信モジュール９３を備える。光発信モジュール９３は、レーザダイオード９３１、レーザダイオード９３１へ駆動電流を供給するＬＤドライバ９３３、入力された変調信号に応じてレーザダイオード９３１から出射したレーザ光の光強度を変調する光変調部９３３、光変調部９３３に変調信号を入力する光変調部駆動回路９３４を備える。信号補正／増幅部９５から出力された電気信号は入力端子９３７を介して光変調部駆動回路９３４に入力される。光変調部駆動回路９３４は、入力された電気信号に応じた変調信号を光変調部９３３に入力する。レーザダイオード９３１から出射したレーザ光は、光変調部９３３で変調されることにより光信号Ｐｓが増幅された光信号Ｐ´ｓとなり、光コネクタ９３５を介して光ファイバ８４に入射する。光信号Ｐ´ｓは光ファイバ８４を伝播し、光信号受信装置８３により受信される。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明により、ＡＰＤの温度特性の個体差に対応した温度係数の調整を容易にさせる温度特性補償機能を備えた光受信回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】温度特性補償機能を実現する従来技術の回路図である。
【図２】第１実施形態の光受信回路Ａの回路図である。
【図３】ＡＰＤ７の温度が０℃、２５℃及び５０℃の場合におけるＡＰＤ７へ入射する光の強度（光入力レベル）と、最適増倍率（誤り率が最小になる増倍率）となるバイアス電圧値との関係を示す。
【図４】第２実施形態の光受信回路Ｃの回路図である。
【図５】第３実施形態の光通信システムＤの機能的構成図である。
【符号の説明】
１・・・温度特性補償回路、１１・・・オペアンプ、１３・・・マイクロプロセッサ、１５・・・サミスタ、Ｒｔｈ・・・感温抵抗、２・・・バイアス回路、３・・・ＤＣ−ＤＣコンバータ部、３１・・・オペアンプ、３２・・・基準電圧発生回路、３３・・・コンパレータ、３４・・・三角波発振器、３５・・・ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ、３７・・・チョークコイル、５・・・平滑化部、５１・・・コンデンサ、５３・・・ダイオード、７・・・アバランシェ・フォトダイオード、８１・・・光信号発信装置、８３・・・光信号受信装置、８２、８４・・・光ファイバ、９・・・中継器、９１・・・光受信モジュール、９１１・・・アバランシェ・フォトダイオード、９１３・・・バイアス回路、９１５・・・光コネクタ、９１７・・・出力端子、９３・・・光発信モジュール、９３１・・・レーザダイオード、９３２…ＬＤドライバ、９３３・・・光変調部、９３４…光変調部駆動回路、９３５・・・光コネクタ、９３７・・・入力端子、９５・・・信号補正／増幅部。

Claims

受光した光の強度に応じた電気信号を出力するアバランシェ・フォトダイオードと、
前記アバランシェ・フォトダイオードに逆方向に印加されるバイアス電圧を供給するバイアス回路と、
前記アバランシェ・フォトダイオードの温度に応じて前記バイアス回路の出力値を変化させる温度特性補償回路と、
前記バイアス回路の出力に接続された一端及びノードに接続された他端を有する第１の抵抗素子と、
基準電位線に接続された一端及び前記ノードに接続された他端を有する第２の抵抗素子とを備え、
前記ノードが前記バイアス回路の入力に接続されており、
前記温度特性補償回路が、
差動増幅器と、前記差動増幅器の反転入力に接続された第１入力端子と、前記反転入力と前記第１入力端子との間に介在する第３の抵抗素子と、前記差動増幅器の出力と前記反転入力とを結ぶ負帰還回路と、前記差動増幅器の非反転入力に接続された第２入力端子と、前記ノードに接続された一端及び前記差動増幅器の出力に接続された他端を有する第４の抵抗素子とを含んで構成され、
前記負帰還回路が温度変化に対して線形性の抵抗値を有する感温抵抗素子を含み、前記感温抵抗素子が前記アバランシェ・フォトダイオードの温度を検出するように配置されている
ことを特徴とする光受信回路。
前記感温抵抗素子の温度係数の絶対値が１０００ｐｐｍ／℃以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の光受信回路。
前記第１入力端子及び前記第２入力端子に接続されたＤ−Ａ変換部を制御して、前記第１入力端子及び前記第２入力端子にそれぞれ印加される電圧値を調整する制御部を更に備えた
ことを特徴とする請求項１に記載の光受信回路。
前記アバランシェ・フォトダイオードの温度に応じた信号を出力する温度検出部を更に備え、
前記制御部が、前記信号に基づいて前記Ｄ−Ａ変換部を制御して、前記第１入力端子及び前記第２入力端子に印加される電圧値を調整する
ことを特徴とする請求項３に記載の光受信回路。
前記制御部が、前記アバランシェ・フォトダイオードの温度が規定値以上になったときに、前記Ｄ−Ａ変換部を制御して前記第１入力端子に印加される電圧値を変化させ、前記第１入力端子に印加される電圧値と前記第２入力端子に印加される電圧値との差を減少させる
ことを特徴とする請求項４に記載の光受信回路。