JP2004296857A - 電子部品の特性を予測する方法および製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】多くの時間と手間を必要とせずに、原料の段階で、該原料を用いて製造された積層セラミックコンデンサなどの電子部品の電気特性などの各種特性を予測することができる、電子部品の特性を予測する方法を提供すること。
【解決手段】誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品の特性を予測する方法であって、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を用い、該誘電体複合酸化物を熱処理する工程と、該熱処理後の誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとを、測定する工程と、該測定されたＳとｘとから、前記電子部品の特性を予測する工程とを、有する電子部品の特性を予測する方法。
【選択図】 なし
【解決手段】誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品の特性を予測する方法であって、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を用い、該誘電体複合酸化物を熱処理する工程と、該熱処理後の誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとを、測定する工程と、該測定されたＳとｘとから、前記電子部品の特性を予測する工程とを、有する電子部品の特性を予測する方法。
【選択図】 なし
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、原料の段階で、該原料を用いて製造された積層セラミックコンデンサなどの電子部品の電気特性などの各種特性を予測する方法と、電気特性などの各種特性に優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを効率よく製造する方法と、該誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを製造するのに適した、チタン酸バリウムなどのペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物とに、関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサは、通常、チタン酸バリウムなどのペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが、交互に複数積層してあるコンデンサ素体と、該コンデンサ素体の外側に形成された一対の外部電極とを、有して構成される。近年、この種の積層セラミックコンデンサの各種電気特性を高めることが望まれている。
【０００３】
従来、積層セラミックコンデンサを開発するに当たり、誘電体層を構成する誘電体磁器組成物の材料（原料）設計は、たとえば次のように行われていた。
【０００４】
まず、母材となるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３ ）粉、およびその添加物を秤量し、混合粉砕を行う。次に、混合粉砕後の粉を十分に乾燥させた後、該粉を用いて誘電体ペーストを作製し、ＰＥＴフィルム上に塗布、内部電極の印刷乾燥、ＰＥＴフィルムから剥離して積層、さらには切断を行い、試作品としてのグリーン状態の積層セラミックコンデンサ（チップ）を作製する。次に、作製されたコンデンサチップを焼成した後、外部電極を形成して、完成品としての積層セラミックコンデンササンプルを得た後、これを用いて各種電気特性の評価をする。得られた評価を元に、さらなる材料の検討を行い、完成品サンプルの作成、評価を繰り返すことで材料を決定する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の方法では、実際に、完成品としてのコンデンササンプルを作製し、それを評価して、材料の検討へとフィードバックさせることとしているため、目的とする電気特性を持つ積層セラミックコンデンサを開発するのに、多くの時間と手間を必要としていた。
【０００６】
なお、特許文献１では、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比ｃ／ａの測定値と理論値とが、所定の関係にあるペロブスカイト構造を有する酸化物を用いる技術が開示されている。特許文献２では、このｃ／ａが１．００９以上であるペロブスカイト構造を有するチタンを含む酸化物を用いる技術が開示されている。しかしながら、これらの特許文献に記載の技術をもってしても、上記同様の課題を有していた。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３１６１１４号公報
【特許文献２】特開２００２−１６７２８１号公報
本発明の目的は、多くの時間と手間を必要とせずに、原料の段階で、該原料を用いて製造された積層セラミックコンデンサなどの電子部品の電気特性などの各種特性を予測することができる、電子部品の特性を予測する方法および積層セラミックコンデンサの電気特性を予測する方法を提供することである。
【０００８】
また、本発明は、電気特性などの各種特性に優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを効率よく製造することができる、誘電体磁器組成物の製造方法、電子部品の製造方法および積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することも目的とする。
【０００９】
さらに、本発明は、このような電気特性などの各種特性に優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを製造するのに適した、ペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物およびチタン酸バリウムを提供することも目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、積層セラミックコンデンサなどの電子部品の、誘電体層を構成する誘電体磁器組成物の材料（原料）と、該材料を用いて電子部品を製造した際の電気特性との間に、何らかの相関関係があるのではないかとの考えを元に、鋭意実験を重ねたところ、熱処理されていない材料と、最終品としての電子部品との間には相関関係が認められなかったが、熱処理された材料と、電子部品との間に所定の相関関係があるとの知見を得た。この知見に基づいて本発明を完成させたものである。すなわち、
各予測方法
本発明によれば、誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品の特性を予測する方法であって、
組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を用い、
該誘電体複合酸化物を熱処理する工程と、
該熱処理後の誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとを、測定する工程と、
該測定されたＳとｘとから、前記電子部品の特性を予測する工程とを、有する電子部品の特性を予測する方法が提供される。
【００１１】
本発明によれば、チタン酸バリウムを含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが交互に複数積層してある積層セラミックコンデンサの電気特性を予測する方法であって、
チタン酸バリウムを熱処理する工程と、
該熱処理後のチタン酸バリウムの、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとを、測定する工程と、
該測定されたＳとｘとから、前記積層セラミックコンデンサの電気特性を予測する工程とを、有する積層セラミックコンデンサの電気特性を予測する方法が提供される。
【００１２】
上記各予測方法においては、前記熱処理前の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）の比表面積Ｓｒａｗを測定し、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２（より好ましくは０．９６≧Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２）の関係を満足しない熱処理後の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）を除いて、前記ｘを測定することが好ましい。このように、特定の熱処理後の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）を除いた状態で、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘを測定することにより、特性評価の精度が向上する。Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足しない熱処理後の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）は、焼結（粒成長）が進みすぎていると考えられる。このような粒成長が進みすぎているものを、ｘの測定に供した場合、特性評価の精度が低下するおそれがある。
【００１３】
上記各予測方法においては、電子部品（または積層セラミックコンデンサ）作製時の焼成雰囲気と実質的に同じ雰囲気中で、かつ前記誘電体複合酸化物の焼結が進まない温度および時間で、熱処理を行うことが好ましい。このような雰囲気、温度および時間で熱処理することで、特性評価の精度が著しく向上する。たとえば、誘電体複合酸化物としてチタン酸バリウムを用いる場合、８００〜１４００℃（より好ましくは８００〜１１００℃）の保持温度で、０．５〜８時間（より好ましくは１〜３時間）、熱処理を行うことが好ましい。熱処理を行う雰囲気は、特に限定されないが、１０−２Ｐａ以下の酸素分圧を持つ雰囲気中が好ましい。
【００１４】
各製造方法
第１の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の単独斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法が提供される。
【００１５】
第２の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の二重斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法が提供される。
【００１６】
第３の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、いずれも、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の三重斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法が提供される。
【００１７】
第１の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の単独斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする電子部品の製造方法が提供される。
【００１８】
第２の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の二重斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする電子部品の製造方法が提供される。
【００１９】
第３の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、いずれも、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の三重斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする電子部品の製造方法が提供される。
【００２０】
第１の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが交互に複数積層してある積層セラミックコンデンサを製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の単独斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法が提供される。
【００２１】
第２の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが交互に複数積層してある積層セラミックコンデンサを製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の二重斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法が提供される。
【００２２】
第３の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが交互に複数積層してある積層セラミックコンデンサを製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、いずれも、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の三重斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法が提供される。
【００２３】
上記各製造方法においては、前記熱処理前の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）の比表面積Ｓｒａｗを測定し、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２（より好ましくは０．９６≧Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２）の関係を満足しない熱処理後の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）を除いて、前記ｘを測定することが好ましい。このように、特定の熱処理後の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）を除いた状態で、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘを測定することにより、各種電気特性の予測の精度が一層向上する。Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足しない熱処理後の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）は、焼結（粒成長）が進みすぎていると考えられる。このような粒成長が進みすぎているものを、ｘの測定に供した場合、各種電気特性の正確な予測が望めないおそれがある。
【００２４】
上記各製造方法においては、電子部品（または積層セラミックコンデンサ、誘電体磁器組成物）作製時の焼成雰囲気と実質的に同じ雰囲気中で、かつ前記誘電体複合酸化物の焼結が進まない温度および時間で、熱処理を行うことが好ましい。このような雰囲気、温度および時間で熱処理することで、各種電気特性の予測の精度が著しく向上する。たとえば、誘電体複合酸化物としてチタン酸バリウムを用いる場合、８００〜１４００℃（より好ましくは８００〜１１００℃）の保持温度で、０．５〜８時間（より好ましくは１〜３時間）、熱処理を行うことが好ましい。熱処理を行う雰囲気は、特に限定されないが、１０−２Ｐａ以下の酸素分圧を持つ雰囲気中が好ましい。
【００２５】
誘電体複合酸化物およびチタン酸バリウム
第１の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ熱処理前の誘電体複合酸化物であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の単独斜線部分を参照）ことを特徴とする誘電体複合酸化物が提供される。
【００２６】
第２の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ熱処理前の誘電体複合酸化物であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の二重斜線部分を参照）ことを特徴とする誘電体複合酸化物が提供される。
【００２７】
第３の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ熱処理前の誘電体複合酸化物であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、いずれも、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の三重斜線部分を参照）ことを特徴とする誘電体複合酸化物が提供される。
【００２８】
第１の観点によれば、熱処理前のチタン酸バリウムであって、
熱処理後の前記チタン酸バリウムの、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の単独斜線部分を参照）ことを特徴とするチタン酸バリウムが提供される。
【００２９】
第２の観点によれば、熱処理前のチタン酸バリウムであって、
熱処理後の前記チタン酸バリウムの、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の二重斜線部分を参照）ことを特徴とするチタン酸バリウムが提供される。
【００３０】
第３の観点によれば、熱処理前のチタン酸バリウムであって、
熱処理後の前記チタン酸バリウムの、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、いずれも、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の三重斜線部分を参照）ことを特徴とするチタン酸バリウムが提供される。
【００３１】
上記各誘電体複合酸化物およびチタン酸バリウムにおいては、前記熱処理前の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）の比表面積Ｓｒａｗを測定し、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２（より好ましくは０．９６≧Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２）の関係を満足しない熱処理後の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）を除いて測定された前記ｘを用いることが好ましい。このように、特定の熱処理後の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）を除いた状態で、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘを測定することにより、各種電気特性が一層向上するペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物およびチタン酸バリウムを提供しうる。
【００３２】
上記各チタン酸バリウムにおいては、８００〜１４００℃（より好ましくは８００〜１１００℃）の保持温度で、０．５〜８時間（より好ましくは１〜３時間）、熱処理を行うことが好ましい。このような雰囲気、温度および時間で熱処理することで、各種電気特性が一層向上するチタン酸バリウムを提供しうる。熱処理を行う雰囲気は、特に限定されないが、１０−２Ｐａ以下の酸素分圧を持つ雰囲気中が好ましい。
【００３３】
なお、本発明における「誘電体複合酸化物」の意味は、次の通りである。誘電体複合酸化物の一例として、ＢａＴｉＯ３ を挙げて説明する。このＢａＴｉＯ３ は、たとえばＢａＣＯ３ とＴｉＯ２ とを合成させて製造されるが、この場合のＢａＴｉＯ３ を、本発明では誘電体複合酸化物とする。ＢａＴｉＯ３ の合成時に使用される原料粉末としてのＢａＣＯ３ やＴｉＯ２ とについても、その合成時には熱処理が行われることがある。しかしながら、本発明における「誘電体複合酸化物を熱処理する」の意味は、たとえばＢａＣＯ３ とＴｉＯ２ とを合成して製造された誘電体複合酸化物としてのＢａＴｉＯ３ を熱処理する、との意味であり、ＢａＣＯ３ やＴｉＯ２ 自体を合成する際に加えられる熱処理を意味するものではない。
【００３４】
【発明の作用】
本発明の各予測方法によると、原料の段階で、該原料を用いて製造された積層セラミックコンデンサなどの電子部品の電気特性などの各種特性を予測することができる。その結果、ある原料の評価を行うに際して、この原料を用いて完成品としての積層セラミックコンデンサなどの電子部品を製造した後、該電子部品の電気特性などの各種特性を実際に測定する必要はなく、材料開発に際して多くの時間と手間を必要としない。
【００３５】
第１の観点に係る各製造方法によると、電気特性、特に比誘電率ε、高温負荷寿命ＨＡＬＴ、耐電圧ＶＢに優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを効率よく製造することができる。
【００３６】
第２の観点に係る各製造方法によると、電気特性、特に誘電損失ｔａｎδに優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを効率よく製造することができる。
【００３７】
第３の観点に係る各製造方法によると、電気特性、特に比誘電率ε、高温負荷寿命ＨＡＬＴ、耐電圧ＶＢが高く、しかも誘電損失ｔａｎδの低い、誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを効率よく製造することができる。
【００３８】
第１の観点によると、電気特性、特に比誘電率ε、高温負荷寿命ＨＡＬＴ、耐電圧ＶＢに優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを製造するのに適した、ペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物およびチタン酸バリウムを提供することができる。
【００３９】
第２の観点によると、電気特性、特に誘電損失ｔａｎδに優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを製造するのに適した、ペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物およびチタン酸バリウムを提供することができる。
【００４０】
第３の観点によると、電気特性、特に比誘電率ε、高温負荷寿命ＨＡＬＴ、耐電圧ＶＢが高く、しかも誘電損失ｔａｎδの低い、誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを製造するのに適した、ペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物およびチタン酸バリウムを提供することができる。
【００４１】
電子部品としては、特に限定されないが、積層セラミックコンデンサ、圧電素子、チップインダクタ、チップバリスタ、チップサーミスタ、チップ抵抗、その他の表面実装（ＳＭＤ）チップ型電子部品が例示される。
【００４２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。ここにおいて、
図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図、
図２は熱処理後の比表面積Ｓと、熱処理後のｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとの関係を示すグラフ、
図３（Ａ）〜（Ｄ）は、熱処理（温度８００℃）後のＢａＴｉＯ３ 粉のｘと、コンデンササンプルのε、ＨＡＬＴ、ＶＢおよびｔａｎδとの関係を示すグラフ、
図４（Ａ）〜（Ｄ）は、熱処理（温度１０００℃）後のＢａＴｉＯ３ 粉のｘと、コンデンササンプルのε、ＨＡＬＴ、ＶＢおよびｔａｎδとの関係を示すグラフである。
【００４３】
本実施形態では、誘電体層を有する電子部品として、誘電体層と内部電極層とが交互に複数積層してある積層セラミックコンデンサを例示して説明する。
【００４４】
図１に示すように、この積層セラミックコンデンサ１は、層間誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体１０を有する。このコンデンサ素子本体１０の両側端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。
【００４５】
内部電極層３は、各側端面がコンデンサ素子本体１０の対向する２端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対の外部電極４は、コンデンサ素子本体１０の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層３の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。
【００４６】
コンデンサ素子本体１０において、内部電極層３および層間誘電体層２の積層方向の両外側端部には、外側誘電体層２０が配置してあり、素子本体１０の内部を保護している。
【００４７】
層間誘電体層２および外側誘電体層２０は、誘電体磁器組成物で構成される。誘電体磁器組成物は、本発明では、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物を含む主成分を有する。この際、酸素（Ｏ）量は、上記式の化学量論組成から若干偏倚してもよい。
【００４８】
本発明では、特に、前記要素ＡをＢａで主として構成し、前記要素ＢをＴｉで主として構成することが好ましい。
【００４９】
以下の説明では、ペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物の一例としてのチタン酸バリウム（好ましくは、組成式Ｂａｍ ＴｉＯ２＋ｍ で表され、ｍが０．９９５≦ｍ≦１．０１０であり、ＢａとＴｉとの比が０．９９５≦Ｂａ／Ｔｉ≦１．０１０である）を例示し、かつこのチタン酸バリウムの一例として、ｍ＝１．０００のＢａＴｉＯ３ を例示して説明する。
【００５０】
誘電体磁器組成物中には、副成分も含まれる。誘電体磁器組成物中に主成分と共に含まれる副成分としては、Ｓｒ，Ｚｒ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｖ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｗ，Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｓｉ，およびＰの酸化物から選ばれる１種類以上が例示される。副成分を添加することにより、主成分の誘電特性を劣化させることなく低温焼成が可能となり、層間誘電体層を薄層化した場合の信頼性不良を低減することができ、長寿命化を図ることができる。ただし、本発明では、層間誘電体層の組成は、上記に限定されない。
【００５１】
層間誘電体層２の積層数や厚み等の諸条件は、目的や用途に応じ適宜決定すればよいが、本実施形態では、層間誘電体層２の厚みは、１〜５０μｍ程度である。外側誘電体層２０の厚みは、たとえば１００μｍ〜数百μｍ程度である。
【００５２】
内部電極層３に含有される導電材は特に限定されないが、層間誘電体層２の構成材料が耐還元性を有するときには、卑金属を用いることができる。卑金属としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｉ合金またはＣｕ合金が好ましい。内部電極層３の主成分をＮｉにした場合には、誘電体が還元されないように、低酸素分圧（還元雰囲気）で焼成するという方法がとられている。一方、誘電体は還元されないようにその組成比をストイキオ組成からずらす等の手法がとられている。内部電極層３の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、０．５〜５μｍ程度である。
【００５３】
外部電極４に含有される導電材は特に限定されないが、通常、ＣｕやＣｕ合金あるいはＮｉやＮｉ合金等を用いる。なお、ＡｇやＡｇ−Ｐｄ合金等も、もちろん使用可能である。本実施形態では、安価なＮｉ，Ｃｕや、これらの合金を用いることができる。外部電極の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、１０〜５０μｍ程度であることが好ましい。
【００５４】
電気特性の予測方法
次に、この積層セラミックコンデンサ１の電気特性を、材料段階で予測する方法を説明する。
【００５５】
まず、添加物などを加えていないＢａＴｉＯ３ 粉そのもの（生のＢａＴｉＯ３ 粉）を何種類か準備し、この準備された各ＢａＴｉＯ３ 粉の一部を抜き出し、これに熱処理を施す。熱処理の条件は、積層セラミックコンデンサ１を作製する際のグリーンチップの焼成雰囲気と実質的に同じ雰囲気中で、かつＢａＴｉＯ３ 粉の焼結（粒成長）が進まない温度および時間で行うことが好ましい。具体的には、好ましくは、１０−２Ｐａ以下（より好ましくは１０−２〜１０−１０ Ｐａ）の酸素分圧を持つ雰囲気中で、８００〜１４００℃（より好ましくは８００〜１１００℃）の保持温度で、０．５〜８時間（より好ましくは１〜３時間）、熱処理を行う。
【００５６】
次に、熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとを、測定する。熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉の比表面積Ｓの測定方法は、特に限定されず、たとえば窒素吸着法（ＢＥＴ法）などを用いることができる。熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉の、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘの測定方法も特に限定されず、たとえばＸ線回折などを用いることができる。
【００５７】
次に、この測定されたＳとｘとから、図１に示す積層セラミックコンデンサ１の電気特性を予測する。具体的には、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の単独斜線部分を参照）場合には、積層セラミックコンデンサ１は、比誘電率ε、高温負荷寿命ＨＡＬＴ、耐電圧ＶＢに優れるものと予測することができる。また、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘおよび１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の二重斜線部分を参照）場合には、積層セラミックコンデンサ１は、誘電損失ｔａｎδに優れるものと予測することができる。さらに、これらが重複する範囲、すなわちｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の三重斜線部分を参照）場合には、積層セラミックコンデンサ１は、ε、ＨＡＬＴ、ＶＢが高く、しかもｔａｎδの低いものと予測することができる。
【００５８】
これらの範囲は、本発明者らによって見出されたものである。
【００５９】
なお、ｘの範囲を１＜ｘ≦１．０２としたのは、ｘがこの範囲にあるときに、正方晶性の高い粉末となり、この粉末を用いて作製した焼結体の正方晶の割合を高くでき、その結果、高い誘電率を得ることができるからである。ｘ＝１であると、立方晶となり、得られる焼結体も立方晶となり、その結果、誘電率も小さくなってしまい、特にコンデンサには適さない組成となる。また、ｘ＞１．０２の結晶構造を持つＢａＴｉＯ３ （ペロブスカイト型結晶構造の酸化物）の製造が困難である。
【００６０】
Ｓの範囲を１≦Ｓ≦２５としたのは、Ｓがこの範囲にあるときに、焼結体の粒径が０．０５〜１μｍ程度の誘電体が得られる。Ｓ＜１であると、粒径が１μｍを超え、大きくなりすぎ、逆にＳ＞２５であると、粒径が小さくなり過ぎ、正方晶がほとんど存在しなくなる。
【００６１】
本実施形態では、熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉の、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘを測定する前に、熱処理前の生のＢａＴｉＯ３ 粉の比表面積Ｓｒａｗを測定し、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２（より好ましくは０．９６≧Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２）の関係を満足しない熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉を除いた後、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足する熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉のみのｘを測定することが好ましい。Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足しない熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉は、焼結（粒成長）が進みすぎていると考えられ、これをｘの測定に供した場合、電気特性の評価精度が低下するおそれがある。Ｓｒａｗの測定方法は、Ｓの測定方法と同様の方法を採用することができる。
【００６２】
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１の電気特性の予測方法によると、原料の段階で、該原料を用いて製造された積層セラミックコンデンサ１の電気特性を予測することができる。その結果、ある原料の評価を行うに際して、この原料を用いて完成品としての積層セラミックコンデンサ１を製造した後、該積層セラミックコンデンサ１の電気特性を実際に測定する必要はなく、材料開発に際して多くの時間と手間を必要としない。
【００６３】
製造方法
次に、この積層セラミックコンデンサ１の製造方法を説明する。本実施形態では、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
【００６４】
まず、誘電体層用ペーストに含まれる誘電体原料を準備し、これを塗料化して、誘電体層（層間誘電体層２および外側誘電体層２０を含む）用ペーストを調製する。本実施形態では、誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。
【００６５】
誘電体原料には、目的とする誘電体磁器組成物の組成に応じて諸原料が選択されうる。
【００６６】
本実施形態では、熱処理後の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、いずれも、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の三重斜線部分を参照）ような、熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を主成分原料として用いることが好ましい。この熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を用いれば、上述した予測により、ε、ＨＡＬＴ、ＶＢが高く、しかもｔａｎδの低い積層セラミックコンデンサ１を効率よく製造することができることが予想される。
【００６７】
なお、熱処理後の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の単独斜線部分を参照）ような、熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を主成分原料として用いることができる。この熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を用いれば、上述した予測により、比誘電率ε、高温負荷寿命ＨＡＬＴ、耐電圧ＶＢに優れた積層セラミックコンデンサ１を効率よく製造することができることが予想される。
【００６８】
また、熱処理後の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の二重斜線部分を参照）ような、熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を主成分原料として用いることもできる。この熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を用いれば、上述した予測により、誘電損失ｔａｎδに優れた積層セラミックコンデンサ１を効率よく製造することができることが予想される。
【００６９】
本実施形態では、熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉の、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘを測定する前に、熱処理前の生のＢａＴｉＯ３ 粉の比表面積Ｓｒａｗを測定し、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２（より好ましくは０．９６≧Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２）の関係を満足しない熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉を除いた後、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足する熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉のみのｘを測定することが好ましい。Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足しない熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉は、焼結（粒成長）が進みすぎていると考えられ、これをｘの測定に供した場合、電気特性の予測の精度の向上が望めないおそれがある。
【００７０】
熱処理の条件は、上述した予測方法における条件とすることが好ましい。
【００７１】
誘電体原料には、上述した主成分原料の他に、上述した目的とする誘電体磁器組成物の組成に応じて、副成分を構成する原料と、必要に応じて焼結助剤を構成する原料とが用いられる。副成分を構成する原料としては、Ｓｒ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｖ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｗ，Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｓｉ，およびＰの酸化物および／または焼成により酸化物になる化合物から選ばれる１種類以上、好ましくは３種類以上の単一酸化物または複合酸化物が用いられる。焼成により酸化物になる化合物としては、例えば炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、有機金属化合物等が例示される。もちろん、酸化物と、焼成により酸化物になる化合物とを併用してもよい。
【００７２】
塗料化する前の状態で、誘電体原料の粒径は、通常、平均粒径０．１〜３μｍ程度である。
【００７３】
有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。
【００７４】
また、誘電体層用ペーストを水系の塗料とする場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよい。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定されず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂などを用いればよい。
【００７５】
内部電極層用ペーストは、上記した各種導電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。
外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。
【００７６】
上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、バインダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
【００７７】
印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、ＰＥＴ等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグリーンチップとする。
【００７８】
グリーンチップには、脱バインダ処理および焼成に供される。そして、誘電体層２および２０を再酸化させるため、熱処理が行われる。
【００７９】
脱バインダ処理は、通常の条件で行えばよいが、内部電極層の導電体材料にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、特に下記の条件で行うことが好ましい。
【００８０】
昇温速度：５〜３００℃／時間、特に１０〜５０℃／時間、
保持温度：２００〜３００℃、
保持時間：０．５〜２０時間、特に１〜１０時間、
雰囲気 ：空気中。
【００８１】
焼成条件は、下記の条件が好ましい。
昇温速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００℃／時間、
保持温度：１０００〜１４００℃、
保持時間：０．５〜８時間、特に１〜３時間、
冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００℃／時間、
雰囲気ガス：加湿したＮ２ とＨ２ との混合ガス等。
【００８２】
ただし、焼成時の酸素分圧は、１０−２Ｐａ以下、特に１０−２〜１０−１０ Ｐａにて行うことが好ましい。前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にあり、また、酸素分圧があまり低すぎると、内部電極層の電極材料が異常焼結を起こし、途切れてしまう傾向にある。
【００８３】
このような焼成を行った後の熱処理は、保持温度または最高温度を、好ましくは１０００℃以上、さらに好ましくは１０００〜１１００℃として行うことが好ましい。熱処理時の保持温度または最高温度が、前記範囲未満では誘電体原料の酸化が不十分なために絶縁抵抗寿命が短くなる傾向にあり、前記範囲をこえると内部電極のＮｉが酸化し、容量が低下するだけでなく、誘電体素地と反応してしまい、寿命も短くなる傾向にある。熱処理の際の酸素分圧は、焼成時の還元雰囲気よりも高い酸素分圧であり、好ましくは１０−３Ｐａ〜１Ｐａ、より好ましくは１０−２Ｐａ〜１Ｐａである。前記範囲未満では、誘電体層２および２０の再酸化が困難であり、前記範囲をこえると内部電極層３が酸化する傾向にある。そして、そのほかの熱処理条件は下記の条件が好ましい。
【００８４】
保持時間：０〜６時間、特に２〜５時間、
冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に１００〜３００℃／時間、
雰囲気用ガス：加湿したＮ２ ガス等。
【００８５】
なお、Ｎ２ ガスや混合ガス等を加湿するには、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は０〜７５℃程度が好ましい。また脱バインダ処理、焼成および熱処理は、それぞれを連続して行っても、独立に行ってもよい。これらを連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、熱処理の保持温度に達したときに雰囲気を変更して熱処理を行なうことが好ましい。一方、これらを独立して行なう場合、焼成に際しては、脱バインダ処理時の保持温度までＮ２ ガスあるいは加湿したＮ２ ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、熱処理時の保持温度まで冷却した後は、再びＮ２ ガスあるいは加湿したＮ２ ガス雰囲気に変更して冷却を続けることが好ましい。また、熱処理に際しては、Ｎ２ ガス雰囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更してもよく、熱処理の全過程を加湿したＮ２ ガス雰囲気としてもよい。
【００８６】
このようにして得られた焼結体（素子本体１０）には、例えばバレル研磨、サンドプラスト等にて端面研磨を施し、外部電極用ペーストを焼きつけて外部電極４を形成する。なお、外部電極用ペーストは、一般に、各種導電性金属や合金から成る導電体材料、あるいは焼成後に導電体材料となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネートなどと、有機ビヒクルとを混練して調整する。
このようにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
【００８７】
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１の製造方法によると、比誘電率ε、高温負荷寿命ＨＡＬＴ、耐電圧ＶＢが高く、しかも誘電損失ｔａｎδの低い、積層セラミックコンデンサ１を効率よく製造することができる。
【００８８】
以上本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。
【００８９】
たとえば、上述した実施形態では、電子部品として積層セラミックコンデンサ１を例示したが、本発明に係る電子部品としてはこれに限定されず、上記誘電体層２を有するものであれば良い。
【００９０】
次に、本発明の実施の形態をより具体化した実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。但し、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
【００９１】
【実施例】
実施例１
熱処理前後の比表面積とｃ軸ａ軸比の測定
まず、表１に示すように、添加物などを加えていない生のＢａＴｉＯ３ 粉を５種類準備した（サンプルＡ〜Ｅ）。なお、参考までに、サンプルＡ〜Ｅの熱処理前の比表面積Ｓｒａｗおよびｃ軸ａ軸比（ｃ／ａ）ｘ１を、併せて表１に示す。比表面積Ｓｒａｗの値は、窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定して求めた値である。（ｃ／ａ）ｘ１の値は、Ｘ線回折によりｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数とを測定し、この測定された値に基づいて求めた値である。
【００９２】
準備された５種類のＢａＴｉＯ３ 粉のそれぞれを適量、ＺｒＯ２ を主成分とする耐熱材の上に盛り、以下に述べる電気特性の評価に用いた積層セラミックコンデンサの焼成と同じ雰囲気中（酸素分圧＝３．１５×１０−７Ｐａ）において、表１に示すように、８００℃、９００℃、１０００℃、１１００℃で２時間、熱処理を行った。なお、この実施例においては、７００℃で熱処理を行ったものは熱処理が十分ではなく、１２００℃で熱処理を行ったものは粒成長していたため、除外した。
【００９３】
次に、Ｘ線回折により、熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉のＸ線回折の（００２）ピークと（２００）ピークを観測し、該（００２）ピークと（２００）ピークから算出される面間隔ｄ（００２） とｄ（２００） の関係（ｄ（００２） ／ｄ（２００） ）から異方性（正方晶性）を示す（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘを算出した。Ｘ線回折では、Ｘ線の加速電圧を５０ｋＶ、電流を３００ｍＡ、管球にはＣｕを用い、２θ＝４４〜４６°の間で０．０１°刻み、各点で５秒間の静止を行い、測定した。また、熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉の比表面積Ｓも、窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定した。これらの結果を表１に示す。
【００９４】
そして、熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとの関係を図２にグラフ化した。
【００９５】
なお、本実施例では、熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉のｘを測定する前に、０．９６≧Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足しない熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉を除いた後、０．９６≧Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足する熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉のみのｘを測定した。
【００９６】
コンデンササンプルの作製および電気特性の実際の評価
表１に示す、５種類の生のＢａＴｉＯ３ 粉を用いて、それぞれ積層セラミックコンデンサのサンプルを作製した。
【００９７】
まず、熱処理前の各ＢａＴｉＯ３ 粉１００モルに対して、添加物（副成分）としてのＭｇＣＯ３ を１モル、ＭｎＣＯ３ を０．５モル、Ｙ２ Ｏ３ を１モル、ＢａＳｉＯ３ を２モル加えて、ボールミルにより１６時湿式混合し、乾燥させて誘電体原料とした。
【００９８】
得られた誘電体原料１００重量部と、アクリル樹脂４．８重量部と、塩化メチレン４０重量部と、酢酸エチル２０重量部と、ミネラルスピリット６重量部と、アセトン４重量部とをボールミルで混合し、ペースト化して誘電体層用ペーストを得た。
【００９９】
平均粒径０．５μｍのＮｉ粒子１００重量部と、有機ビヒクル（エチルセルロース８重量部をブチルカルビトール９２重量部に溶解したもの）４０重量部と、ブチルカルビトール１０重量部とを３本ロールにより混練し、ペースト化して内部電極層用ペーストを得た。
【０１００】
得られた誘電体層用ペーストを用いてＰＥＴフィルム上に６μｍのグリーンシートを形成した。この上に内部電極用ペーストを印刷した後、ＰＥＴフィルムからシートを剥離した。次いで、これらのグリーンシートと保護用グリーンシート（内部電極層用ペーストを印刷しないもの）とを積層、圧着して、グリーンチップを得た。
【０１０１】
次いで、グリーンチップを所定サイズに切断し、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記条件にて行って、積層セラミック焼成体を得た。脱バインダ処理条件は、昇温速度：３０℃／時間、保持温度：２６０℃、温度保持時間：８時間、雰囲気：空気中とした。焼成条件は、昇温速度：２００℃／時間、保持温度：１２４０℃、温度保持時間：２時間、冷却速度：２００℃／時間、雰囲気ガス：加湿したＮ２ ＋Ｈ２ 混合ガス（酸素分圧＝３．１５×１０−７Ｐａ）とした。アニール条件は、保持温度：９００℃、温度保持時間：９時間、冷却速度：３００℃／時間、雰囲気ガス：加湿したＮ２ ガス（酸素分圧：１０−２Ｐａ）とした。なお、焼成およびアニールの際の雰囲気ガスの加湿には、水温を３５℃としたウエッターを用いた。
【０１０２】
次いで、得られた積層セラミック焼成体の端面をサンドブラストにて研磨した後、外部電極としてＩｎ−Ｇａを塗布し、図１に示す積層セラミックコンデンサのサンプルを得た。得られたコンデンササンプルのサイズは、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．６ｍｍであり、内部電極層に挟まれた誘電体層の数は４、１層あたりの誘電体層の厚み（層間厚み）は約５μｍであり、内部電極層の厚さは１．５μｍであった。各サンプルについて下記特性の評価を行った。結果を表１に示す。
【０１０３】
比誘電率（ε）、誘電損失（ｔａｎδ）
コンデンサのサンプルに対し、基準温度２５℃において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で、静電容量を測定した。そして、得られた静電容量から、比誘電率（単位なし）を算出した。比誘電率εは、小型で高誘電率のコンデンサを作成するために重要な特性である。本実施例では、比誘電率εの値は、コンデンサの試料数ｎ＝１０個を用いて測定した値の平均値とし、好ましくは２１００以上を良好とした。
【０１０４】
誘電損失（ｔａｎδ）は、基準温度２５℃において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定した。ｔａｎδの値は、コンデンサの試料数ｎ＝１０個を用いて測定した値の平均値とし、好ましくは４％未満を良好とした。
【０１０５】
高温負荷寿命（ＨＡＬＴ）
コンデンサのサンプルに対し、１８０℃で２０Ｖ／μｍの直流電圧の印加状態に保持することにより、高温負荷寿命を測定した。この高温負荷寿命は、誘電体層を薄層化する際に特に重要となるものである。本実施例では印加開始から抵抗が一桁落ちるまでの時間を寿命と定義し、これを１０個のコンデンササンプルに対して行い、その平均寿命時間を算出し、好ましくは５時間以上を良好とした。
【０１０６】
破壊電圧（ＶＢ）
コンデンサのサンプルに対し、直流電圧を昇温速度１００Ｖ／ｓｅｃ．で印加し、１００ｍＡの漏洩電流を検知するか、または素子の破壊時の電圧（破壊電圧、単位はＶ／μｍ）を測定した。本実施例では、破壊電圧は、１０個のコンデンササンプルを用いて測定した値の平均値とし、好ましくは１５０Ｖ／μｍ以上を良好とした。
【０１０７】
【表１】
【０１０８】
考察
熱処理（８００℃および１０００℃）後のＢａＴｉＯ３ 粉のｘと、コンデンササンプルのε、ＨＡＬＴ、ＶＢおよびｔａｎδとの関係を、図３（Ａ）〜図３（Ｄ）および図４（Ａ）〜図４（Ｄ）にグラフ化した。図３（Ａ）〜図３（Ｄ）および図４（Ａ）〜図４（Ｄ）に示す結果から、熱処理温度８００℃および１０００℃においては、ｘとε、ｘとＨＡＬＴ、ｘとＶＢ、およびｘとｔａｎδ、のいずれの間でも相関関係があることが確認された。このことから熱処理温度９００℃でも同じく相関関係があることが予想される。
【０１０９】
また、ε≧２１００となる領域を、図２のグラフ内で確認したところ、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２を満足する領域（図２の単独斜線部分を参照）であることが確認できた。
【０１１０】
ｔａｎδ≦４（ただし、４は含まない）となる領域を、図２のグラフ内で確認したところ、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８を満足する領域（図２の二重斜線部分を参照）であることが確認できた。
【０１１１】
ＨＡＬＴ≧５となる領域を、図２のグラフ内で確認したところ、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２を満足する領域（図２の単独斜線部分を参照）であることが確認できた。
【０１１２】
ＶＢ≧１５０となる領域を、図２のグラフ内で確認したところ、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２を満足する領域（図２の単独斜線部分を参照）であることが確認できた。
【０１１３】
以上より、生のＢａＴｉＯ３ 粉を熱処理して得られた熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２の関係を満足する（図２の単独斜線部分を参照）ような、熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を主成分原料として用いて積層セラミックコンデンサを製造した場合に、該製造される積層セラミックコンデンサのεが２１００以上、ＨＡＬＴが５時間以上、ＶＢが１５０Ｖ／μｍ以上となることが予測できる。実際に、製造した後に特性評価をした場合に、このような結果が得られた。
【０１１４】
また、Ｓとｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８の関係を満足する（図２の二重斜線部分を参照）ような、熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を主成分原料として用いて積層セラミックコンデンサを製造した場合に、該製造される積層セラミックコンデンサのｔａｎδが４％未満となることが予測できる。実際に、製造した後に特性評価をした場合に、このような結果が得られた。
【０１１５】
さらに、Ｓとｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２で、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８の関係を満足する（図２の三重斜線部分を参照）ような、熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を主成分原料として用いて積層セラミックコンデンサを製造した場合に、該製造される積層セラミックコンデンサのεが２１００以上、ＨＡＬＴが５時間以上、ＶＢが１５０Ｖ／μｍ以上で、かつｔａｎδが４％未満となることが予測できる。実際に、製造した後に特性評価をした場合に、このような結果が得られた。
【０１１６】
比較例１
準備された５種類の、添加物などを加えていない生のＢａＴｉＯ３ 粉（サンプルＡ〜Ｅ）を熱処理せずに、熱処理前の、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘ１と、コンデンササンプルのε、ＨＡＬＴ、ＶＢおよびｔａｎδとの関係を調べてみたが、いずれも、相関係数が小さく、明確な相関関係は確認されなかった。これにより、実施例１の優位性が確認できた。
【０１１７】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、多くの時間と手間を必要とせずに、原料の段階で、該原料を用いて製造された積層セラミックコンデンサなどの電子部品の電気特性などの各種特性を予測することができる、電子部品の特性を予測する方法および積層セラミックコンデンサの電気特性を予測する方法を提供することができる。
【０１１８】
また、本発明によれば、電気特性などの各種特性に優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを効率よく製造することができる、誘電体磁器組成物の製造方法、電子部品の製造方法および積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することができる。
【０１１９】
さらに、本発明によれば、このような電気特性などの各種特性に優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを製造するのに適した、ペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物およびチタン酸バリウムを提供することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。
【図２】図２は熱処理後の比表面積Ｓと、熱処理後のｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとの関係を示すグラフである。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｄ）は、熱処理（温度８００℃）後のＢａＴｉＯ３ 粉のｘと、コンデンササンプルのε、ＨＡＬＴ、ＶＢおよびｔａｎδとの関係を示すグラフである。
【図４】図４（Ａ）〜（Ｄ）は、熱処理（温度１０００℃）後のＢａＴｉＯ３ 粉のｘと、コンデンササンプルのε、ＨＡＬＴ、ＶＢおよびｔａｎδとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１…積層セラミックコンデンサ ２…層間誘電体層 ２０…外側誘電体層
３…内部電極層 ４…外部電極 １０…コンデンサ素子本体
【発明の属する技術分野】
本発明は、原料の段階で、該原料を用いて製造された積層セラミックコンデンサなどの電子部品の電気特性などの各種特性を予測する方法と、電気特性などの各種特性に優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを効率よく製造する方法と、該誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを製造するのに適した、チタン酸バリウムなどのペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物とに、関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサは、通常、チタン酸バリウムなどのペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが、交互に複数積層してあるコンデンサ素体と、該コンデンサ素体の外側に形成された一対の外部電極とを、有して構成される。近年、この種の積層セラミックコンデンサの各種電気特性を高めることが望まれている。
【０００３】
従来、積層セラミックコンデンサを開発するに当たり、誘電体層を構成する誘電体磁器組成物の材料（原料）設計は、たとえば次のように行われていた。
【０００４】
まず、母材となるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３ ）粉、およびその添加物を秤量し、混合粉砕を行う。次に、混合粉砕後の粉を十分に乾燥させた後、該粉を用いて誘電体ペーストを作製し、ＰＥＴフィルム上に塗布、内部電極の印刷乾燥、ＰＥＴフィルムから剥離して積層、さらには切断を行い、試作品としてのグリーン状態の積層セラミックコンデンサ（チップ）を作製する。次に、作製されたコンデンサチップを焼成した後、外部電極を形成して、完成品としての積層セラミックコンデンササンプルを得た後、これを用いて各種電気特性の評価をする。得られた評価を元に、さらなる材料の検討を行い、完成品サンプルの作成、評価を繰り返すことで材料を決定する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の方法では、実際に、完成品としてのコンデンササンプルを作製し、それを評価して、材料の検討へとフィードバックさせることとしているため、目的とする電気特性を持つ積層セラミックコンデンサを開発するのに、多くの時間と手間を必要としていた。
【０００６】
なお、特許文献１では、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比ｃ／ａの測定値と理論値とが、所定の関係にあるペロブスカイト構造を有する酸化物を用いる技術が開示されている。特許文献２では、このｃ／ａが１．００９以上であるペロブスカイト構造を有するチタンを含む酸化物を用いる技術が開示されている。しかしながら、これらの特許文献に記載の技術をもってしても、上記同様の課題を有していた。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３１６１１４号公報
【特許文献２】特開２００２−１６７２８１号公報
本発明の目的は、多くの時間と手間を必要とせずに、原料の段階で、該原料を用いて製造された積層セラミックコンデンサなどの電子部品の電気特性などの各種特性を予測することができる、電子部品の特性を予測する方法および積層セラミックコンデンサの電気特性を予測する方法を提供することである。
【０００８】
また、本発明は、電気特性などの各種特性に優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを効率よく製造することができる、誘電体磁器組成物の製造方法、電子部品の製造方法および積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することも目的とする。
【０００９】
さらに、本発明は、このような電気特性などの各種特性に優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを製造するのに適した、ペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物およびチタン酸バリウムを提供することも目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、積層セラミックコンデンサなどの電子部品の、誘電体層を構成する誘電体磁器組成物の材料（原料）と、該材料を用いて電子部品を製造した際の電気特性との間に、何らかの相関関係があるのではないかとの考えを元に、鋭意実験を重ねたところ、熱処理されていない材料と、最終品としての電子部品との間には相関関係が認められなかったが、熱処理された材料と、電子部品との間に所定の相関関係があるとの知見を得た。この知見に基づいて本発明を完成させたものである。すなわち、
各予測方法
本発明によれば、誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品の特性を予測する方法であって、
組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を用い、
該誘電体複合酸化物を熱処理する工程と、
該熱処理後の誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとを、測定する工程と、
該測定されたＳとｘとから、前記電子部品の特性を予測する工程とを、有する電子部品の特性を予測する方法が提供される。
【００１１】
本発明によれば、チタン酸バリウムを含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが交互に複数積層してある積層セラミックコンデンサの電気特性を予測する方法であって、
チタン酸バリウムを熱処理する工程と、
該熱処理後のチタン酸バリウムの、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとを、測定する工程と、
該測定されたＳとｘとから、前記積層セラミックコンデンサの電気特性を予測する工程とを、有する積層セラミックコンデンサの電気特性を予測する方法が提供される。
【００１２】
上記各予測方法においては、前記熱処理前の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）の比表面積Ｓｒａｗを測定し、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２（より好ましくは０．９６≧Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２）の関係を満足しない熱処理後の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）を除いて、前記ｘを測定することが好ましい。このように、特定の熱処理後の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）を除いた状態で、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘを測定することにより、特性評価の精度が向上する。Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足しない熱処理後の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）は、焼結（粒成長）が進みすぎていると考えられる。このような粒成長が進みすぎているものを、ｘの測定に供した場合、特性評価の精度が低下するおそれがある。
【００１３】
上記各予測方法においては、電子部品（または積層セラミックコンデンサ）作製時の焼成雰囲気と実質的に同じ雰囲気中で、かつ前記誘電体複合酸化物の焼結が進まない温度および時間で、熱処理を行うことが好ましい。このような雰囲気、温度および時間で熱処理することで、特性評価の精度が著しく向上する。たとえば、誘電体複合酸化物としてチタン酸バリウムを用いる場合、８００〜１４００℃（より好ましくは８００〜１１００℃）の保持温度で、０．５〜８時間（より好ましくは１〜３時間）、熱処理を行うことが好ましい。熱処理を行う雰囲気は、特に限定されないが、１０−２Ｐａ以下の酸素分圧を持つ雰囲気中が好ましい。
【００１４】
各製造方法
第１の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の単独斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法が提供される。
【００１５】
第２の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の二重斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法が提供される。
【００１６】
第３の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、いずれも、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の三重斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法が提供される。
【００１７】
第１の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の単独斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする電子部品の製造方法が提供される。
【００１８】
第２の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の二重斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする電子部品の製造方法が提供される。
【００１９】
第３の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、いずれも、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の三重斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする電子部品の製造方法が提供される。
【００２０】
第１の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが交互に複数積層してある積層セラミックコンデンサを製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の単独斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法が提供される。
【００２１】
第２の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが交互に複数積層してある積層セラミックコンデンサを製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の二重斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法が提供される。
【００２２】
第３の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが交互に複数積層してある積層セラミックコンデンサを製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、いずれも、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の三重斜線部分を参照）ような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法が提供される。
【００２３】
上記各製造方法においては、前記熱処理前の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）の比表面積Ｓｒａｗを測定し、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２（より好ましくは０．９６≧Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２）の関係を満足しない熱処理後の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）を除いて、前記ｘを測定することが好ましい。このように、特定の熱処理後の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）を除いた状態で、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘを測定することにより、各種電気特性の予測の精度が一層向上する。Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足しない熱処理後の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）は、焼結（粒成長）が進みすぎていると考えられる。このような粒成長が進みすぎているものを、ｘの測定に供した場合、各種電気特性の正確な予測が望めないおそれがある。
【００２４】
上記各製造方法においては、電子部品（または積層セラミックコンデンサ、誘電体磁器組成物）作製時の焼成雰囲気と実質的に同じ雰囲気中で、かつ前記誘電体複合酸化物の焼結が進まない温度および時間で、熱処理を行うことが好ましい。このような雰囲気、温度および時間で熱処理することで、各種電気特性の予測の精度が著しく向上する。たとえば、誘電体複合酸化物としてチタン酸バリウムを用いる場合、８００〜１４００℃（より好ましくは８００〜１１００℃）の保持温度で、０．５〜８時間（より好ましくは１〜３時間）、熱処理を行うことが好ましい。熱処理を行う雰囲気は、特に限定されないが、１０−２Ｐａ以下の酸素分圧を持つ雰囲気中が好ましい。
【００２５】
誘電体複合酸化物およびチタン酸バリウム
第１の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ熱処理前の誘電体複合酸化物であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の単独斜線部分を参照）ことを特徴とする誘電体複合酸化物が提供される。
【００２６】
第２の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ熱処理前の誘電体複合酸化物であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の二重斜線部分を参照）ことを特徴とする誘電体複合酸化物が提供される。
【００２７】
第３の観点によれば、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ熱処理前の誘電体複合酸化物であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、いずれも、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の三重斜線部分を参照）ことを特徴とする誘電体複合酸化物が提供される。
【００２８】
第１の観点によれば、熱処理前のチタン酸バリウムであって、
熱処理後の前記チタン酸バリウムの、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の単独斜線部分を参照）ことを特徴とするチタン酸バリウムが提供される。
【００２９】
第２の観点によれば、熱処理前のチタン酸バリウムであって、
熱処理後の前記チタン酸バリウムの、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の二重斜線部分を参照）ことを特徴とするチタン酸バリウムが提供される。
【００３０】
第３の観点によれば、熱処理前のチタン酸バリウムであって、
熱処理後の前記チタン酸バリウムの、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、いずれも、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の三重斜線部分を参照）ことを特徴とするチタン酸バリウムが提供される。
【００３１】
上記各誘電体複合酸化物およびチタン酸バリウムにおいては、前記熱処理前の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）の比表面積Ｓｒａｗを測定し、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２（より好ましくは０．９６≧Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２）の関係を満足しない熱処理後の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）を除いて測定された前記ｘを用いることが好ましい。このように、特定の熱処理後の誘電体複合酸化物（またはチタン酸バリウム）を除いた状態で、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘを測定することにより、各種電気特性が一層向上するペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物およびチタン酸バリウムを提供しうる。
【００３２】
上記各チタン酸バリウムにおいては、８００〜１４００℃（より好ましくは８００〜１１００℃）の保持温度で、０．５〜８時間（より好ましくは１〜３時間）、熱処理を行うことが好ましい。このような雰囲気、温度および時間で熱処理することで、各種電気特性が一層向上するチタン酸バリウムを提供しうる。熱処理を行う雰囲気は、特に限定されないが、１０−２Ｐａ以下の酸素分圧を持つ雰囲気中が好ましい。
【００３３】
なお、本発明における「誘電体複合酸化物」の意味は、次の通りである。誘電体複合酸化物の一例として、ＢａＴｉＯ３ を挙げて説明する。このＢａＴｉＯ３ は、たとえばＢａＣＯ３ とＴｉＯ２ とを合成させて製造されるが、この場合のＢａＴｉＯ３ を、本発明では誘電体複合酸化物とする。ＢａＴｉＯ３ の合成時に使用される原料粉末としてのＢａＣＯ３ やＴｉＯ２ とについても、その合成時には熱処理が行われることがある。しかしながら、本発明における「誘電体複合酸化物を熱処理する」の意味は、たとえばＢａＣＯ３ とＴｉＯ２ とを合成して製造された誘電体複合酸化物としてのＢａＴｉＯ３ を熱処理する、との意味であり、ＢａＣＯ３ やＴｉＯ２ 自体を合成する際に加えられる熱処理を意味するものではない。
【００３４】
【発明の作用】
本発明の各予測方法によると、原料の段階で、該原料を用いて製造された積層セラミックコンデンサなどの電子部品の電気特性などの各種特性を予測することができる。その結果、ある原料の評価を行うに際して、この原料を用いて完成品としての積層セラミックコンデンサなどの電子部品を製造した後、該電子部品の電気特性などの各種特性を実際に測定する必要はなく、材料開発に際して多くの時間と手間を必要としない。
【００３５】
第１の観点に係る各製造方法によると、電気特性、特に比誘電率ε、高温負荷寿命ＨＡＬＴ、耐電圧ＶＢに優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを効率よく製造することができる。
【００３６】
第２の観点に係る各製造方法によると、電気特性、特に誘電損失ｔａｎδに優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを効率よく製造することができる。
【００３７】
第３の観点に係る各製造方法によると、電気特性、特に比誘電率ε、高温負荷寿命ＨＡＬＴ、耐電圧ＶＢが高く、しかも誘電損失ｔａｎδの低い、誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを効率よく製造することができる。
【００３８】
第１の観点によると、電気特性、特に比誘電率ε、高温負荷寿命ＨＡＬＴ、耐電圧ＶＢに優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを製造するのに適した、ペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物およびチタン酸バリウムを提供することができる。
【００３９】
第２の観点によると、電気特性、特に誘電損失ｔａｎδに優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを製造するのに適した、ペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物およびチタン酸バリウムを提供することができる。
【００４０】
第３の観点によると、電気特性、特に比誘電率ε、高温負荷寿命ＨＡＬＴ、耐電圧ＶＢが高く、しかも誘電損失ｔａｎδの低い、誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを製造するのに適した、ペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物およびチタン酸バリウムを提供することができる。
【００４１】
電子部品としては、特に限定されないが、積層セラミックコンデンサ、圧電素子、チップインダクタ、チップバリスタ、チップサーミスタ、チップ抵抗、その他の表面実装（ＳＭＤ）チップ型電子部品が例示される。
【００４２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。ここにおいて、
図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図、
図２は熱処理後の比表面積Ｓと、熱処理後のｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとの関係を示すグラフ、
図３（Ａ）〜（Ｄ）は、熱処理（温度８００℃）後のＢａＴｉＯ３ 粉のｘと、コンデンササンプルのε、ＨＡＬＴ、ＶＢおよびｔａｎδとの関係を示すグラフ、
図４（Ａ）〜（Ｄ）は、熱処理（温度１０００℃）後のＢａＴｉＯ３ 粉のｘと、コンデンササンプルのε、ＨＡＬＴ、ＶＢおよびｔａｎδとの関係を示すグラフである。
【００４３】
本実施形態では、誘電体層を有する電子部品として、誘電体層と内部電極層とが交互に複数積層してある積層セラミックコンデンサを例示して説明する。
【００４４】
図１に示すように、この積層セラミックコンデンサ１は、層間誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体１０を有する。このコンデンサ素子本体１０の両側端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。
【００４５】
内部電極層３は、各側端面がコンデンサ素子本体１０の対向する２端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対の外部電極４は、コンデンサ素子本体１０の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層３の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。
【００４６】
コンデンサ素子本体１０において、内部電極層３および層間誘電体層２の積層方向の両外側端部には、外側誘電体層２０が配置してあり、素子本体１０の内部を保護している。
【００４７】
層間誘電体層２および外側誘電体層２０は、誘電体磁器組成物で構成される。誘電体磁器組成物は、本発明では、組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物を含む主成分を有する。この際、酸素（Ｏ）量は、上記式の化学量論組成から若干偏倚してもよい。
【００４８】
本発明では、特に、前記要素ＡをＢａで主として構成し、前記要素ＢをＴｉで主として構成することが好ましい。
【００４９】
以下の説明では、ペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物の一例としてのチタン酸バリウム（好ましくは、組成式Ｂａｍ ＴｉＯ２＋ｍ で表され、ｍが０．９９５≦ｍ≦１．０１０であり、ＢａとＴｉとの比が０．９９５≦Ｂａ／Ｔｉ≦１．０１０である）を例示し、かつこのチタン酸バリウムの一例として、ｍ＝１．０００のＢａＴｉＯ３ を例示して説明する。
【００５０】
誘電体磁器組成物中には、副成分も含まれる。誘電体磁器組成物中に主成分と共に含まれる副成分としては、Ｓｒ，Ｚｒ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｖ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｗ，Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｓｉ，およびＰの酸化物から選ばれる１種類以上が例示される。副成分を添加することにより、主成分の誘電特性を劣化させることなく低温焼成が可能となり、層間誘電体層を薄層化した場合の信頼性不良を低減することができ、長寿命化を図ることができる。ただし、本発明では、層間誘電体層の組成は、上記に限定されない。
【００５１】
層間誘電体層２の積層数や厚み等の諸条件は、目的や用途に応じ適宜決定すればよいが、本実施形態では、層間誘電体層２の厚みは、１〜５０μｍ程度である。外側誘電体層２０の厚みは、たとえば１００μｍ〜数百μｍ程度である。
【００５２】
内部電極層３に含有される導電材は特に限定されないが、層間誘電体層２の構成材料が耐還元性を有するときには、卑金属を用いることができる。卑金属としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｉ合金またはＣｕ合金が好ましい。内部電極層３の主成分をＮｉにした場合には、誘電体が還元されないように、低酸素分圧（還元雰囲気）で焼成するという方法がとられている。一方、誘電体は還元されないようにその組成比をストイキオ組成からずらす等の手法がとられている。内部電極層３の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、０．５〜５μｍ程度である。
【００５３】
外部電極４に含有される導電材は特に限定されないが、通常、ＣｕやＣｕ合金あるいはＮｉやＮｉ合金等を用いる。なお、ＡｇやＡｇ−Ｐｄ合金等も、もちろん使用可能である。本実施形態では、安価なＮｉ，Ｃｕや、これらの合金を用いることができる。外部電極の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、１０〜５０μｍ程度であることが好ましい。
【００５４】
電気特性の予測方法
次に、この積層セラミックコンデンサ１の電気特性を、材料段階で予測する方法を説明する。
【００５５】
まず、添加物などを加えていないＢａＴｉＯ３ 粉そのもの（生のＢａＴｉＯ３ 粉）を何種類か準備し、この準備された各ＢａＴｉＯ３ 粉の一部を抜き出し、これに熱処理を施す。熱処理の条件は、積層セラミックコンデンサ１を作製する際のグリーンチップの焼成雰囲気と実質的に同じ雰囲気中で、かつＢａＴｉＯ３ 粉の焼結（粒成長）が進まない温度および時間で行うことが好ましい。具体的には、好ましくは、１０−２Ｐａ以下（より好ましくは１０−２〜１０−１０ Ｐａ）の酸素分圧を持つ雰囲気中で、８００〜１４００℃（より好ましくは８００〜１１００℃）の保持温度で、０．５〜８時間（より好ましくは１〜３時間）、熱処理を行う。
【００５６】
次に、熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとを、測定する。熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉の比表面積Ｓの測定方法は、特に限定されず、たとえば窒素吸着法（ＢＥＴ法）などを用いることができる。熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉の、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘの測定方法も特に限定されず、たとえばＸ線回折などを用いることができる。
【００５７】
次に、この測定されたＳとｘとから、図１に示す積層セラミックコンデンサ１の電気特性を予測する。具体的には、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の単独斜線部分を参照）場合には、積層セラミックコンデンサ１は、比誘電率ε、高温負荷寿命ＨＡＬＴ、耐電圧ＶＢに優れるものと予測することができる。また、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘおよび１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の二重斜線部分を参照）場合には、積層セラミックコンデンサ１は、誘電損失ｔａｎδに優れるものと予測することができる。さらに、これらが重複する範囲、すなわちｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の三重斜線部分を参照）場合には、積層セラミックコンデンサ１は、ε、ＨＡＬＴ、ＶＢが高く、しかもｔａｎδの低いものと予測することができる。
【００５８】
これらの範囲は、本発明者らによって見出されたものである。
【００５９】
なお、ｘの範囲を１＜ｘ≦１．０２としたのは、ｘがこの範囲にあるときに、正方晶性の高い粉末となり、この粉末を用いて作製した焼結体の正方晶の割合を高くでき、その結果、高い誘電率を得ることができるからである。ｘ＝１であると、立方晶となり、得られる焼結体も立方晶となり、その結果、誘電率も小さくなってしまい、特にコンデンサには適さない組成となる。また、ｘ＞１．０２の結晶構造を持つＢａＴｉＯ３ （ペロブスカイト型結晶構造の酸化物）の製造が困難である。
【００６０】
Ｓの範囲を１≦Ｓ≦２５としたのは、Ｓがこの範囲にあるときに、焼結体の粒径が０．０５〜１μｍ程度の誘電体が得られる。Ｓ＜１であると、粒径が１μｍを超え、大きくなりすぎ、逆にＳ＞２５であると、粒径が小さくなり過ぎ、正方晶がほとんど存在しなくなる。
【００６１】
本実施形態では、熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉の、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘを測定する前に、熱処理前の生のＢａＴｉＯ３ 粉の比表面積Ｓｒａｗを測定し、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２（より好ましくは０．９６≧Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２）の関係を満足しない熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉を除いた後、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足する熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉のみのｘを測定することが好ましい。Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足しない熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉は、焼結（粒成長）が進みすぎていると考えられ、これをｘの測定に供した場合、電気特性の評価精度が低下するおそれがある。Ｓｒａｗの測定方法は、Ｓの測定方法と同様の方法を採用することができる。
【００６２】
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１の電気特性の予測方法によると、原料の段階で、該原料を用いて製造された積層セラミックコンデンサ１の電気特性を予測することができる。その結果、ある原料の評価を行うに際して、この原料を用いて完成品としての積層セラミックコンデンサ１を製造した後、該積層セラミックコンデンサ１の電気特性を実際に測定する必要はなく、材料開発に際して多くの時間と手間を必要としない。
【００６３】
製造方法
次に、この積層セラミックコンデンサ１の製造方法を説明する。本実施形態では、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
【００６４】
まず、誘電体層用ペーストに含まれる誘電体原料を準備し、これを塗料化して、誘電体層（層間誘電体層２および外側誘電体層２０を含む）用ペーストを調製する。本実施形態では、誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。
【００６５】
誘電体原料には、目的とする誘電体磁器組成物の組成に応じて諸原料が選択されうる。
【００６６】
本実施形態では、熱処理後の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、いずれも、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の三重斜線部分を参照）ような、熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を主成分原料として用いることが好ましい。この熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を用いれば、上述した予測により、ε、ＨＡＬＴ、ＶＢが高く、しかもｔａｎδの低い積層セラミックコンデンサ１を効率よく製造することができることが予想される。
【００６７】
なお、熱処理後の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の単独斜線部分を参照）ような、熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を主成分原料として用いることができる。この熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を用いれば、上述した予測により、比誘電率ε、高温負荷寿命ＨＡＬＴ、耐電圧ＶＢに優れた積層セラミックコンデンサ１を効率よく製造することができることが予想される。
【００６８】
また、熱処理後の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足する（図２の二重斜線部分を参照）ような、熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を主成分原料として用いることもできる。この熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を用いれば、上述した予測により、誘電損失ｔａｎδに優れた積層セラミックコンデンサ１を効率よく製造することができることが予想される。
【００６９】
本実施形態では、熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉の、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘを測定する前に、熱処理前の生のＢａＴｉＯ３ 粉の比表面積Ｓｒａｗを測定し、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２（より好ましくは０．９６≧Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２）の関係を満足しない熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉を除いた後、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足する熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉のみのｘを測定することが好ましい。Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足しない熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉は、焼結（粒成長）が進みすぎていると考えられ、これをｘの測定に供した場合、電気特性の予測の精度の向上が望めないおそれがある。
【００７０】
熱処理の条件は、上述した予測方法における条件とすることが好ましい。
【００７１】
誘電体原料には、上述した主成分原料の他に、上述した目的とする誘電体磁器組成物の組成に応じて、副成分を構成する原料と、必要に応じて焼結助剤を構成する原料とが用いられる。副成分を構成する原料としては、Ｓｒ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｖ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｗ，Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｓｉ，およびＰの酸化物および／または焼成により酸化物になる化合物から選ばれる１種類以上、好ましくは３種類以上の単一酸化物または複合酸化物が用いられる。焼成により酸化物になる化合物としては、例えば炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、有機金属化合物等が例示される。もちろん、酸化物と、焼成により酸化物になる化合物とを併用してもよい。
【００７２】
塗料化する前の状態で、誘電体原料の粒径は、通常、平均粒径０．１〜３μｍ程度である。
【００７３】
有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。
【００７４】
また、誘電体層用ペーストを水系の塗料とする場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよい。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定されず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂などを用いればよい。
【００７５】
内部電極層用ペーストは、上記した各種導電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。
外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。
【００７６】
上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、バインダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
【００７７】
印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、ＰＥＴ等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグリーンチップとする。
【００７８】
グリーンチップには、脱バインダ処理および焼成に供される。そして、誘電体層２および２０を再酸化させるため、熱処理が行われる。
【００７９】
脱バインダ処理は、通常の条件で行えばよいが、内部電極層の導電体材料にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、特に下記の条件で行うことが好ましい。
【００８０】
昇温速度：５〜３００℃／時間、特に１０〜５０℃／時間、
保持温度：２００〜３００℃、
保持時間：０．５〜２０時間、特に１〜１０時間、
雰囲気 ：空気中。
【００８１】
焼成条件は、下記の条件が好ましい。
昇温速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００℃／時間、
保持温度：１０００〜１４００℃、
保持時間：０．５〜８時間、特に１〜３時間、
冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００℃／時間、
雰囲気ガス：加湿したＮ２ とＨ２ との混合ガス等。
【００８２】
ただし、焼成時の酸素分圧は、１０−２Ｐａ以下、特に１０−２〜１０−１０ Ｐａにて行うことが好ましい。前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にあり、また、酸素分圧があまり低すぎると、内部電極層の電極材料が異常焼結を起こし、途切れてしまう傾向にある。
【００８３】
このような焼成を行った後の熱処理は、保持温度または最高温度を、好ましくは１０００℃以上、さらに好ましくは１０００〜１１００℃として行うことが好ましい。熱処理時の保持温度または最高温度が、前記範囲未満では誘電体原料の酸化が不十分なために絶縁抵抗寿命が短くなる傾向にあり、前記範囲をこえると内部電極のＮｉが酸化し、容量が低下するだけでなく、誘電体素地と反応してしまい、寿命も短くなる傾向にある。熱処理の際の酸素分圧は、焼成時の還元雰囲気よりも高い酸素分圧であり、好ましくは１０−３Ｐａ〜１Ｐａ、より好ましくは１０−２Ｐａ〜１Ｐａである。前記範囲未満では、誘電体層２および２０の再酸化が困難であり、前記範囲をこえると内部電極層３が酸化する傾向にある。そして、そのほかの熱処理条件は下記の条件が好ましい。
【００８４】
保持時間：０〜６時間、特に２〜５時間、
冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に１００〜３００℃／時間、
雰囲気用ガス：加湿したＮ２ ガス等。
【００８５】
なお、Ｎ２ ガスや混合ガス等を加湿するには、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は０〜７５℃程度が好ましい。また脱バインダ処理、焼成および熱処理は、それぞれを連続して行っても、独立に行ってもよい。これらを連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、熱処理の保持温度に達したときに雰囲気を変更して熱処理を行なうことが好ましい。一方、これらを独立して行なう場合、焼成に際しては、脱バインダ処理時の保持温度までＮ２ ガスあるいは加湿したＮ２ ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、熱処理時の保持温度まで冷却した後は、再びＮ２ ガスあるいは加湿したＮ２ ガス雰囲気に変更して冷却を続けることが好ましい。また、熱処理に際しては、Ｎ２ ガス雰囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更してもよく、熱処理の全過程を加湿したＮ２ ガス雰囲気としてもよい。
【００８６】
このようにして得られた焼結体（素子本体１０）には、例えばバレル研磨、サンドプラスト等にて端面研磨を施し、外部電極用ペーストを焼きつけて外部電極４を形成する。なお、外部電極用ペーストは、一般に、各種導電性金属や合金から成る導電体材料、あるいは焼成後に導電体材料となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネートなどと、有機ビヒクルとを混練して調整する。
このようにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
【００８７】
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１の製造方法によると、比誘電率ε、高温負荷寿命ＨＡＬＴ、耐電圧ＶＢが高く、しかも誘電損失ｔａｎδの低い、積層セラミックコンデンサ１を効率よく製造することができる。
【００８８】
以上本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。
【００８９】
たとえば、上述した実施形態では、電子部品として積層セラミックコンデンサ１を例示したが、本発明に係る電子部品としてはこれに限定されず、上記誘電体層２を有するものであれば良い。
【００９０】
次に、本発明の実施の形態をより具体化した実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。但し、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
【００９１】
【実施例】
実施例１
熱処理前後の比表面積とｃ軸ａ軸比の測定
まず、表１に示すように、添加物などを加えていない生のＢａＴｉＯ３ 粉を５種類準備した（サンプルＡ〜Ｅ）。なお、参考までに、サンプルＡ〜Ｅの熱処理前の比表面積Ｓｒａｗおよびｃ軸ａ軸比（ｃ／ａ）ｘ１を、併せて表１に示す。比表面積Ｓｒａｗの値は、窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定して求めた値である。（ｃ／ａ）ｘ１の値は、Ｘ線回折によりｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数とを測定し、この測定された値に基づいて求めた値である。
【００９２】
準備された５種類のＢａＴｉＯ３ 粉のそれぞれを適量、ＺｒＯ２ を主成分とする耐熱材の上に盛り、以下に述べる電気特性の評価に用いた積層セラミックコンデンサの焼成と同じ雰囲気中（酸素分圧＝３．１５×１０−７Ｐａ）において、表１に示すように、８００℃、９００℃、１０００℃、１１００℃で２時間、熱処理を行った。なお、この実施例においては、７００℃で熱処理を行ったものは熱処理が十分ではなく、１２００℃で熱処理を行ったものは粒成長していたため、除外した。
【００９３】
次に、Ｘ線回折により、熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉のＸ線回折の（００２）ピークと（２００）ピークを観測し、該（００２）ピークと（２００）ピークから算出される面間隔ｄ（００２） とｄ（２００） の関係（ｄ（００２） ／ｄ（２００） ）から異方性（正方晶性）を示す（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘを算出した。Ｘ線回折では、Ｘ線の加速電圧を５０ｋＶ、電流を３００ｍＡ、管球にはＣｕを用い、２θ＝４４〜４６°の間で０．０１°刻み、各点で５秒間の静止を行い、測定した。また、熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉の比表面積Ｓも、窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定した。これらの結果を表１に示す。
【００９４】
そして、熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとの関係を図２にグラフ化した。
【００９５】
なお、本実施例では、熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉のｘを測定する前に、０．９６≧Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足しない熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉を除いた後、０．９６≧Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足する熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉のみのｘを測定した。
【００９６】
コンデンササンプルの作製および電気特性の実際の評価
表１に示す、５種類の生のＢａＴｉＯ３ 粉を用いて、それぞれ積層セラミックコンデンサのサンプルを作製した。
【００９７】
まず、熱処理前の各ＢａＴｉＯ３ 粉１００モルに対して、添加物（副成分）としてのＭｇＣＯ３ を１モル、ＭｎＣＯ３ を０．５モル、Ｙ２ Ｏ３ を１モル、ＢａＳｉＯ３ を２モル加えて、ボールミルにより１６時湿式混合し、乾燥させて誘電体原料とした。
【００９８】
得られた誘電体原料１００重量部と、アクリル樹脂４．８重量部と、塩化メチレン４０重量部と、酢酸エチル２０重量部と、ミネラルスピリット６重量部と、アセトン４重量部とをボールミルで混合し、ペースト化して誘電体層用ペーストを得た。
【００９９】
平均粒径０．５μｍのＮｉ粒子１００重量部と、有機ビヒクル（エチルセルロース８重量部をブチルカルビトール９２重量部に溶解したもの）４０重量部と、ブチルカルビトール１０重量部とを３本ロールにより混練し、ペースト化して内部電極層用ペーストを得た。
【０１００】
得られた誘電体層用ペーストを用いてＰＥＴフィルム上に６μｍのグリーンシートを形成した。この上に内部電極用ペーストを印刷した後、ＰＥＴフィルムからシートを剥離した。次いで、これらのグリーンシートと保護用グリーンシート（内部電極層用ペーストを印刷しないもの）とを積層、圧着して、グリーンチップを得た。
【０１０１】
次いで、グリーンチップを所定サイズに切断し、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記条件にて行って、積層セラミック焼成体を得た。脱バインダ処理条件は、昇温速度：３０℃／時間、保持温度：２６０℃、温度保持時間：８時間、雰囲気：空気中とした。焼成条件は、昇温速度：２００℃／時間、保持温度：１２４０℃、温度保持時間：２時間、冷却速度：２００℃／時間、雰囲気ガス：加湿したＮ２ ＋Ｈ２ 混合ガス（酸素分圧＝３．１５×１０−７Ｐａ）とした。アニール条件は、保持温度：９００℃、温度保持時間：９時間、冷却速度：３００℃／時間、雰囲気ガス：加湿したＮ２ ガス（酸素分圧：１０−２Ｐａ）とした。なお、焼成およびアニールの際の雰囲気ガスの加湿には、水温を３５℃としたウエッターを用いた。
【０１０２】
次いで、得られた積層セラミック焼成体の端面をサンドブラストにて研磨した後、外部電極としてＩｎ−Ｇａを塗布し、図１に示す積層セラミックコンデンサのサンプルを得た。得られたコンデンササンプルのサイズは、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．６ｍｍであり、内部電極層に挟まれた誘電体層の数は４、１層あたりの誘電体層の厚み（層間厚み）は約５μｍであり、内部電極層の厚さは１．５μｍであった。各サンプルについて下記特性の評価を行った。結果を表１に示す。
【０１０３】
比誘電率（ε）、誘電損失（ｔａｎδ）
コンデンサのサンプルに対し、基準温度２５℃において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で、静電容量を測定した。そして、得られた静電容量から、比誘電率（単位なし）を算出した。比誘電率εは、小型で高誘電率のコンデンサを作成するために重要な特性である。本実施例では、比誘電率εの値は、コンデンサの試料数ｎ＝１０個を用いて測定した値の平均値とし、好ましくは２１００以上を良好とした。
【０１０４】
誘電損失（ｔａｎδ）は、基準温度２５℃において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定した。ｔａｎδの値は、コンデンサの試料数ｎ＝１０個を用いて測定した値の平均値とし、好ましくは４％未満を良好とした。
【０１０５】
高温負荷寿命（ＨＡＬＴ）
コンデンサのサンプルに対し、１８０℃で２０Ｖ／μｍの直流電圧の印加状態に保持することにより、高温負荷寿命を測定した。この高温負荷寿命は、誘電体層を薄層化する際に特に重要となるものである。本実施例では印加開始から抵抗が一桁落ちるまでの時間を寿命と定義し、これを１０個のコンデンササンプルに対して行い、その平均寿命時間を算出し、好ましくは５時間以上を良好とした。
【０１０６】
破壊電圧（ＶＢ）
コンデンサのサンプルに対し、直流電圧を昇温速度１００Ｖ／ｓｅｃ．で印加し、１００ｍＡの漏洩電流を検知するか、または素子の破壊時の電圧（破壊電圧、単位はＶ／μｍ）を測定した。本実施例では、破壊電圧は、１０個のコンデンササンプルを用いて測定した値の平均値とし、好ましくは１５０Ｖ／μｍ以上を良好とした。
【０１０７】
【表１】
考察
熱処理（８００℃および１０００℃）後のＢａＴｉＯ３ 粉のｘと、コンデンササンプルのε、ＨＡＬＴ、ＶＢおよびｔａｎδとの関係を、図３（Ａ）〜図３（Ｄ）および図４（Ａ）〜図４（Ｄ）にグラフ化した。図３（Ａ）〜図３（Ｄ）および図４（Ａ）〜図４（Ｄ）に示す結果から、熱処理温度８００℃および１０００℃においては、ｘとε、ｘとＨＡＬＴ、ｘとＶＢ、およびｘとｔａｎδ、のいずれの間でも相関関係があることが確認された。このことから熱処理温度９００℃でも同じく相関関係があることが予想される。
【０１０９】
また、ε≧２１００となる領域を、図２のグラフ内で確認したところ、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２を満足する領域（図２の単独斜線部分を参照）であることが確認できた。
【０１１０】
ｔａｎδ≦４（ただし、４は含まない）となる領域を、図２のグラフ内で確認したところ、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８を満足する領域（図２の二重斜線部分を参照）であることが確認できた。
【０１１１】
ＨＡＬＴ≧５となる領域を、図２のグラフ内で確認したところ、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２を満足する領域（図２の単独斜線部分を参照）であることが確認できた。
【０１１２】
ＶＢ≧１５０となる領域を、図２のグラフ内で確認したところ、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２を満足する領域（図２の単独斜線部分を参照）であることが確認できた。
【０１１３】
以上より、生のＢａＴｉＯ３ 粉を熱処理して得られた熱処理後のＢａＴｉＯ３ 粉の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２の関係を満足する（図２の単独斜線部分を参照）ような、熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を主成分原料として用いて積層セラミックコンデンサを製造した場合に、該製造される積層セラミックコンデンサのεが２１００以上、ＨＡＬＴが５時間以上、ＶＢが１５０Ｖ／μｍ以上となることが予測できる。実際に、製造した後に特性評価をした場合に、このような結果が得られた。
【０１１４】
また、Ｓとｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８の関係を満足する（図２の二重斜線部分を参照）ような、熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を主成分原料として用いて積層セラミックコンデンサを製造した場合に、該製造される積層セラミックコンデンサのｔａｎδが４％未満となることが予測できる。実際に、製造した後に特性評価をした場合に、このような結果が得られた。
【０１１５】
さらに、Ｓとｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２で、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８の関係を満足する（図２の三重斜線部分を参照）ような、熱処理前のＢａＴｉＯ３ 粉を主成分原料として用いて積層セラミックコンデンサを製造した場合に、該製造される積層セラミックコンデンサのεが２１００以上、ＨＡＬＴが５時間以上、ＶＢが１５０Ｖ／μｍ以上で、かつｔａｎδが４％未満となることが予測できる。実際に、製造した後に特性評価をした場合に、このような結果が得られた。
【０１１６】
比較例１
準備された５種類の、添加物などを加えていない生のＢａＴｉＯ３ 粉（サンプルＡ〜Ｅ）を熱処理せずに、熱処理前の、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘ１と、コンデンササンプルのε、ＨＡＬＴ、ＶＢおよびｔａｎδとの関係を調べてみたが、いずれも、相関係数が小さく、明確な相関関係は確認されなかった。これにより、実施例１の優位性が確認できた。
【０１１７】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、多くの時間と手間を必要とせずに、原料の段階で、該原料を用いて製造された積層セラミックコンデンサなどの電子部品の電気特性などの各種特性を予測することができる、電子部品の特性を予測する方法および積層セラミックコンデンサの電気特性を予測する方法を提供することができる。
【０１１８】
また、本発明によれば、電気特性などの各種特性に優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを効率よく製造することができる、誘電体磁器組成物の製造方法、電子部品の製造方法および積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することができる。
【０１１９】
さらに、本発明によれば、このような電気特性などの各種特性に優れた誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および積層セラミックコンデンサを製造するのに適した、ペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物およびチタン酸バリウムを提供することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。
【図２】図２は熱処理後の比表面積Ｓと、熱処理後のｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとの関係を示すグラフである。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｄ）は、熱処理（温度８００℃）後のＢａＴｉＯ３ 粉のｘと、コンデンササンプルのε、ＨＡＬＴ、ＶＢおよびｔａｎδとの関係を示すグラフである。
【図４】図４（Ａ）〜（Ｄ）は、熱処理（温度１０００℃）後のＢａＴｉＯ３ 粉のｘと、コンデンササンプルのε、ＨＡＬＴ、ＶＢおよびｔａｎδとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１…積層セラミックコンデンサ ２…層間誘電体層 ２０…外側誘電体層
３…内部電極層 ４…外部電極 １０…コンデンサ素子本体
Claims (38)
- 誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品の特性を予測する方法であって、
組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を用い、
該誘電体複合酸化物を熱処理する工程と、
該熱処理後の誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとを、測定する工程と、
該測定されたＳとｘとから、前記電子部品の特性を予測する工程とを、有する電子部品の特性を予測する方法。 - 前記熱処理前の誘電体複合酸化物の比表面積Ｓｒａｗを測定し、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足しない熱処理後の誘電体複合酸化物を除いて、前記ｘを測定する、請求項１に記載の電子部品の特性を予測する方法。
- 電子部品作製時の焼成雰囲気と実質的に同じ雰囲気中で、かつ前記誘電体複合酸化物の焼結が進まない温度および時間で、熱処理を行う、請求項１または２に記載の電子部品の特性を予測する方法。
- 誘電体複合酸化物としてチタン酸バリウムを用いる、請求項２に記載の電子部品の特性を予測する方法。
- ８００〜１４００℃の保持温度で、０．５〜８時間、熱処理を行う、請求項４に記載の電子部品の特性を予測する方法。
- チタン酸バリウムを含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが交互に複数積層してある積層セラミックコンデンサの電気特性を予測する方法であって、
チタン酸バリウムを熱処理する工程と、
該熱処理後のチタン酸バリウムの、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数およびａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとを、測定する工程と、
該測定されたＳとｘとから、前記積層セラミックコンデンサの電気特性を予測する工程とを、有する積層セラミックコンデンサの電気特性を予測する方法。 - 前記熱処理前のチタン酸バリウムの比表面積Ｓｒａｗを測定し、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足しない熱処理後のチタン酸バリウムを除いて、前記ｘを測定する、請求項６に記載の積層セラミックコンデンサの電子特性を予測する方法。
- ８００〜１４００℃の保持温度で、０．５〜８時間、熱処理を行う、請求項６または７に記載の積層セラミックコンデンサの電子特性を予測する方法。
- 組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足するような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 - 組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足するような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 - 組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、いずれも、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足するような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 - 前記熱処理前の誘電体複合酸化物の比表面積Ｓｒａｗを測定し、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足しない熱処理後の誘電体複合酸化物を除いて、前記ｘを測定する、請求項９から１１までのいずれかに記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
- 誘電体磁器組成物作製時の焼成雰囲気と実質的に同じ雰囲気中で、かつ前記誘電体複合酸化物の焼結が進まない温度および時間で、熱処理を行う、請求項９から１１までのいずれかに記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
- 誘電体複合酸化物としてチタン酸バリウムを用いる、請求項１２に記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
- ８００〜１４００℃の保持温度で、０．５〜８時間、熱処理を行う、請求項１４に記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
- 組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足するような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足するような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品を製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、いずれも、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足するような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 前記熱処理前の誘電体複合酸化物の比表面積Ｓｒａｗを測定し、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足しない熱処理後の誘電体複合酸化物を除いて、前記ｘを測定する、請求項１６から１８までのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
- 電子部品作製時の焼成雰囲気と実質的に同じ雰囲気中で、かつ前記誘電体複合酸化物の焼結が進まない温度および時間で、熱処理を行う、請求項１６から１８までのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
- 誘電体複合酸化物としてチタン酸バリウムを用いる、請求項１９に記載の電子部品の製造方法。
- ８００〜１４００℃の保持温度で、０．５〜８時間、熱処理を行う、請求項２１に記載の電子部品の製造方法。
- 組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが交互に複数積層してある積層セラミックコンデンサを製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足するような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが交互に複数積層してある積層セラミックコンデンサを製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足するような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ誘電体複合酸化物を含む誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが交互に複数積層してある積層セラミックコンデンサを製造する方法であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、いずれも、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足するような、熱処理前の前記誘電体複合酸化物を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 前記熱処理前の誘電体複合酸化物の比表面積Ｓｒａｗを測定し、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足しない熱処理後の誘電体複合酸化物を除いて、前記ｘを測定する、請求項２３から２５までのいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 積層セラミックコンデンサ作製時の焼成雰囲気と実質的に同じ雰囲気中で、かつ前記誘電体複合酸化物の焼結が進まない温度および時間で、熱処理を行う、請求項２３から２５までのいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 誘電体複合酸化物としてチタン酸バリウムを用いる、請求項２６に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
- ８００〜１４００℃の保持温度で、０．５〜８時間、熱処理を行う、請求項２８に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ熱処理前の誘電体複合酸化物であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足することを特徴とする誘電体複合酸化物。 - 組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ熱処理前の誘電体複合酸化物であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足することを特徴とする誘電体複合酸化物。 - 組成式ＡＢＯ３ で表され、該組成式中の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素で構成され、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素で構成されているペロブスカイト型結晶構造を持つ熱処理前の誘電体複合酸化物であって、
熱処理後の前記誘電体複合酸化物の、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、いずれも、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足することを特徴とする誘電体複合酸化物。 - 前記熱処理前の誘電体複合酸化物の比表面積Ｓｒａｗを測定し、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足しない熱処理後の誘電体複合酸化物を除いて測定された前記ｘを用いる、請求項３０から３２までのいずれかに記載の誘電体複合酸化物。
- 熱処理前のチタン酸バリウムであって、
熱処理後の前記チタン酸バリウムの、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足することを特徴とするチタン酸バリウム。 - 熱処理前のチタン酸バリウムであって、
熱処理後の前記チタン酸バリウムの、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足することを特徴とするチタン酸バリウム。 - 熱処理前のチタン酸バリウムであって、
熱処理後の前記チタン酸バリウムの、比表面積Ｓと、ｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比（ｃ軸ａ軸比＝ｃ／ａ）ｘとが、ｘ≧−０．０００７×Ｓ＋１．０１２２、かつｘ≦−０．０００５２×Ｓ＋１．０１２１８（ただし、いずれも、１＜ｘ≦１．０２および１≦Ｓ≦２５の範囲に限る）の関係を満足することを特徴とするチタン酸バリウム。 - 前記熱処理前のチタン酸バリウムの比表面積Ｓｒａｗを測定し、Ｓ／Ｓｒａｗ≧０．２の関係を満足しない熱処理後のチタン酸バリウムを除いて測定された前記ｘを用いる、請求項３４から３６までのいずれかに記載のチタン酸バリウム。
- ８００〜１４００℃の保持温度で、０．５〜８時間、熱処理を行う、請求項３７に記載のチタン酸バリウム。
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