JP2004296720A - 電子装置 - Google Patents

電子装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2004296720A
JP2004296720A JP2003086184A JP2003086184A JP2004296720A JP 2004296720 A JP2004296720 A JP 2004296720A JP 2003086184 A JP2003086184 A JP 2003086184A JP 2003086184 A JP2003086184 A JP 2003086184A JP 2004296720 A JP2004296720 A JP 2004296720A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
hole
heat
block
cover member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003086184A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazumasa Furuhashi
和雅 古橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2003086184A priority Critical patent/JP2004296720A/ja
Publication of JP2004296720A publication Critical patent/JP2004296720A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】回路基板上に搭載するIC素子が発生させる熱を、効率よく金属製のカバーに伝えることにより、動作効率が高く、電気特性の安定性に優れた電子装置を提供する。
【解決手段】貫通孔6が設けられている回路基板1の上面に電子部品素子3を搭載し、電子部品素子3の非搭載領域に貫通孔6の上面側開口部を塞ぐようにして電子部品素子3の厚みよりも厚い放熱ブロック5を取着し、貫通孔6内で放熱ブロック5の下面にIC素子2を搭載・収容するとともに、IC素子2の端子電極9を貫通孔6の内面に導出した回路基板1の回路配線7aに電気的に接続し、更に放熱ブロック5の上面に、少なくとも電子部品素子3上まで外周部を延在させた金属製のカバー部材4を取着させてなる。
【選択図】図2

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、IC素子及び電子部品素子を搭載した電子装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
IC素子及び電子部品素子を搭載した電子装置は、通信機器や情報機器等に幅広く用いられている。
【0003】
従来の電子装置として、例えば、回路基板の上面にIC素子及び電子部品素子を搭載し、回路基板におけるIC素子の搭載領域に、回路基板を厚み方向に貫通して形成するヒートシンク用ビアホールを形成し、回路基板の上方に、IC素子及び電子部品素子を覆う金属製のカバー部材を取着させてなる構成のものが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
【0004】
このような電子装置において、回路基板の上面に搭載したIC素子の動作に伴って発生した熱は、ヒートシンク用ビアホールを経由し、回路基板の下面側に伝わるので、IC素子は、温度上昇が抑えられるので、動作効率の低下が最小限となっている。
【0005】
一方では、IC素子を回路基板内部に形成した放熱電極に搭載し、熱を回路基板の側面側に伝えることによって、動作効率の低下を防止する構成についても示されている(例えば、特許文献2参照。)。
【0006】
尚、従来の電子装置に用いられる回路基板は、配線導体パターンやビアホール導体を形成したセラミックグリーンシートを積層して得られた積層体を焼成することにより製作される。
【0007】
【特許文献1】
特開平11−176987号公報(図1)
【特許文献2】
特開2000−200977号公報(図3)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来においては、ヒートシンク用ビアホールを形成する構成の電子装置の場合、ビアホール導体の形成可能な面積が限られる。従って、回路基板の下面側に伝えられる熱の量には限界があり、IC素子は、温度上昇が抑えられなくなるので、動作効率が低下してしまう。
【0009】
また、IC素子を放熱電極に搭載する構成の電子装置の場合、回路基板の内部に形成される配線導体パターンが縦横無尽に配置されているので、放熱電極の形成可能な面積が限られ、回路基板の側面側に伝えられる熱の量には限界があった。
【0010】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、回路基板上に搭載するIC素子が発生させる熱を、効率よく金属製のカバーに伝えることにより、動作効率が高く、電気特性の安定性に優れた電子装置を提供するものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子装置は、貫通孔が設けられている回路基板の上面に電子部品素子を搭載し、該電子部品素子の非搭載領域に前記貫通孔の上面側開口部を塞ぐようにして前記電子部品素子の厚みよりも厚い放熱ブロックを取着し、前記貫通孔内で前記放熱ブロックの下面にIC素子を搭載・収容するとともに、該IC素子の端子電極を前記貫通孔の内面に導出した回路基板の回路配線に電気的に接続し、更に前記放熱ブロックの上面に、少なくとも前記電子部品素子上まで外周部を延在させた金属製のカバー部材を取着させてなるものである。
【0012】
また、本発明の電子装置は、前記貫通孔内に、前記IC素子の下面を被覆する樹脂材が充填されていることを特徴とするものである。
【0013】
更に、本発明の電子装置は、前記回路基板の下面に複数個の外部接続端子が被着されており、前記樹脂材の下端が前記貫通孔の下面側開口部より上方に位置させてあることを特徴とするものである。
【0014】
また更に、本発明の電子装置は、前記外部接続端子のうち1個がグランド端子であり、該グランド端子に前記カバー部材及び前記放熱ブロックが前記回路基板の回路導体を介して電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【0015】
本発明の電子装置によれば、回路基板に設けた貫通孔の上面側開口部を塞ぐ放熱ブロックに、IC素子を搭載するようにしたので、IC素子が発生させる熱は、放熱ブロックへと効率的に伝わることとなる。加えて、放熱ブロックに伝わった熱は、放熱ブロックの上面に取着させてある金属製のカバー部材へと伝わることにより、放熱ブロックの温度上昇の小さなものとなっている。更には、金属製のカバー部材は、回路基板の上面に搭載した電子部品素子上にまで外周部を延在させてあり、その広い面積から空中へと熱が伝わることにより、温度上昇が抑えられたものとなっている。以上の結果、IC素子が発生させる熱は、放熱ブロックを経由して金属製のカバー部材から大気中へと効率よく伝わるようになっているので、ICの動作効率が高く、電気特性の安定性に優れた電子装置とすることができる。
【0016】
また、本発明の電子装置によれば、IC素子は、貫通孔の上面側開口部を塞ぐ放熱ブロックと、貫通孔内に充填した樹脂材により、充分に封止される構造となっている。樹脂材の下端は、前記貫通孔の下面側開口部より上方に位置させてあるため、回路基板の下面に被着された複数個の外部接続端子は、マザーボードに対して面実装が可能となる。
【0017】
更に、本発明の電子装置によれば、前記外部接続端子のうち1個がグランド端子であり、該グランド端子に前記カバー部材及び前記放熱ブロックが前記回路基板の回路導体を介して電気的に接続させることにより、カバー部材を電磁ノイズからのシールド板としても機能させることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の電子装置を図面に基づいて説明する。
図1は本発明の電子装置の分解斜視図、図2は図1のA−A´線断面図であり、同図に示す電子装置は、IC素子2と電子部品素子3とが搭載されている回路基板1の上面を金属製のカバー部材で被覆した構造を有している。
【0019】
回路基板1としては、例えば、アルミナなどの絶縁層を積層して成るセラミック多層基板が用いられ、その表面や絶縁層間に所定の配線を形成・介在させることにより実装密度を高めている。このような配線の材料には、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、銀(Ag)、銅(Cu)等が用いられる。
【0020】
また、前記回路基板1の上面には、その外周域に複数個の電子部品素子3が搭載され、下面には複数の外部接続端子7bが形成される。
【0021】
前記電子部品素子3は、例えばダイオード、コンデンサ、抵抗等の発熱性が小さく、特に気密封止などを必要としない部品であり、ハンダ等により回路基板上面の電極パッド7cに接合される。
【0022】
一方、前記回路基板1の下面に設けられる外部接続端子7bは、電子装置をマザーボードに搭載するための接続端子として機能するものであり、マザーボードの端子に対して半田等の導電性接合材を介し接合される。尚、前記外部接続端子7bの表面には防錆や半田濡れ性を考慮してメッキ処理が施され、かかるメッキ処理には、例えば、金(Au)メッキやAu/Ni(ニッケル)メッキ等が用いられる。
【0023】
また更に、前記回路基板1には、その中央域に貫通孔6が設けられ、該貫通孔6の内部にIC素子2が収容される。
前記IC素子2は、電力増幅回路等の機能を備えた発熱性の大きな半導体素子であり、シリコン(Si)やガリウムアルセナイド(GaAs)等から成る半導体基板の下面に、パワーアンプ等を形成する複数のトランジスタ等によって構成された電子回路やアルミニウム(Al)等から成る配線,端子電極9等を所定パタンに形成してなり、その使用に際して増幅回路から大量の熱が発生するようになっている。
【0024】
また、前記IC素子2の端子電極9は、上述した回路基板1の貫通孔6の内面に導出した回路配線7aと、ボンディングワイヤ11を介して電気的に接続され、更に樹脂材8によって被覆される。この樹脂材8は貫通孔6の下面側開口部を塞ぐようにしてIC素子2の下面に被着され、かかる樹脂材8と後述する放熱ブロック5とでIC素子2を封止している。この場合、電子装置をマザーボード上に面実装する際、電子装置を安定した状態で実装することができるように、前記樹脂材8の下端は貫通孔6の下面側開口部より上方に位置させておくことが好ましい。
【0025】
そして、上述したIC素子2は、前記貫通孔6を塞ぐようにして回路基板1の上面の取着された放熱ブロック5の下面に搭載される。
【0026】
前記放熱ブロック5は、回路基板1の上面のうち、電子部品素子3の非搭載領域に取着・搭載されており、銅(400W/m・K)や低温焼成セラミックス(5W/m・K)等の良熱伝導性材料によって電子部品素子3の厚みよりも分厚く形成されている。
【0027】
かかる放熱ブロック5は、回路基板1を形成するアルミナ(20W/m・K)等に比し熱伝導性に優れた材料から成っているため、IC素子2の発する熱を良好に吸収し、これを後述するカバー部材4等を介して大気中に速やかに放散させることができる。これにより、電子装置の動作効率を向上させることができる。
【0028】
前記放熱ブロック5は、その上面及び下面にIC素子2や後述するカバー部材4を取着させるための平面部を備えていればよく、その形状としては、例えば角柱形状や円柱形状等の柱状体が採用され、この2つの型を比較した場合、円柱形状に比し角柱形状のほうが取扱性に優れている。
【0029】
また、前記放熱ブロック5は、貫通孔6の周囲に設けられる電極パッド7dに接合され、ハンダ接合やシーム溶接等を採用することによって回路基板1の上面に取着される。このような電極パッド7dの材質としては、例えば銅(Cu)等が用いられ、電極パッド7dのハンダ濡れ性を良好となすためには、その表面にハンダメッキやスズ(Sn)メッキ等を施しておくことが好ましい。
【0030】
尚、前記放熱ブロック5に接合される回路基板1の接合電極7dは独立したパターンであっても良いが、図に示すように、回路基板1に内蔵したビアホール導体15と接続するようにしても良く、更には外部接続端子7bのグランド端子に電気的に接続するようにしても良い。
【0031】
また一方、前記放熱ブロック5とIC素子2との接合には、ハンダ、Au−Sn合金、導電性樹脂等の接合材が用いられ、放熱ブロック5の下面に上記接合材を介してIC素子2の上面を当接させた上、両者を接合することによってIC素子2が放熱ブロック5の下面に取着・搭載される。このようなIC素子2の上面は、電子装置の使用時、グランド電位に保持されるようになっており、IC素子2と接する放熱ブロック5の電位もグランド電位に保たれることとなる。
【0032】
そして、上述した放熱ブロック5の上面には、外周部を先に述べた電子部品素子3の上方まで延在させた金属製のカバー部材4が取着されており、かかるカバー部材4でもって回路基板1上の電子部品素子3を覆っている。
【0033】
前記カバー部材4は、電子部品素子3等を物理的に保護するとともに、放熱ブロック5からの熱を吸収して、その全体から熱を大気中に放散するためのものであり、例えば、鉄(Fe)、洋白、リン青銅等のバネ性を有した金属材料によって形成される。
【0034】
このカバー部材4は、その内面を放熱ブロック5の上面に半田等の接合材を介して接合することによって放熱ブロック5の上面に取着される。
【0035】
このとき、前記カバー部材4を放熱ブロック5を介してグランド端子用の外部接続端子7bに電気的に接続させておけば、電子装置の使用時、カバー部材4がグランド電位に保持されるようになるため、カバー部材4が電子部品素子3等を電磁ノイズから保護するためのシールド板として機能するようになり、電子装置の動作特性をより安定化させることができる利点がある。従って、前記カバー部材4を放熱ブロック5を介してグランド端子用の外部接続端子7bに電気的に接続させておくことが好ましい。
【0036】
尚、前記カバー部材4の内面には、その接合領域に、ハンダとの接合性を良好となすためにスズ(Sn)メッキ等を被着される。また、前記接合材としては、電子部品素子3の搭載に用いられる半田よりも低温で溶融するものを用いるのが好ましく、そのような接合材を用いてカバー部材4を放熱ブロック5に取着させることにより、回路基板1上に搭載させておいた電子部品素子3が接合材の再溶融により位置ずれを起こすのが有効に防止される。
【0037】
かくして上述した電子装置においては、回路基板1の貫通孔6の上面側開口部を塞ぐ放熱ブロック5にIC素子2を搭載するようにしたので、IC素子2の発する熱は放熱ブロック5を介してカバー部材4へと効率良く伝わり、大気中へと良好に放散されるようになる。従って、放熱ブロック5の温度上昇を小さく抑えることができ、電子装置を常に動作効率が高く、かつ、安定した状態で使用することが可能となる。
【0038】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内での種々の変更や改良等が可能である。
【0039】
例えば、上述の実施形態においては回路基板1をセラミック材料により形成するようにしたが、これに代えて、回路基板1をガラスエポキシ材などの有機材料を用いて形成するようにしても構わない。
【0040】
また、上述の実施形態においては、IC素子2を接合材を介して放熱ブロック5に直接接合するようにしたが、これに代えて、IC素子2と放熱ブロック5との間に支持板を介在させるようにしても良く、この場合、厚みの厚い回路基板1にも容易に対応することができる。そのような支持板の材料としては、上述した放熱ブロックと同じものを用いるのが好ましい。
【0041】
更に、上述の実施形態においてカバー部材の外周部に下方に向かって延びる脚部を形成するとともに、該脚部をグランド端子として、マザーボードに接合するようにしても良い。この場合、カバー部材の熱がハンダ等を介してマザーボードにも伝わるようになるため、電子装置の電気特性をより安定なものとなすことができる。
【0042】
また更に上述の実施形態において、放熱ブロックを複数の放熱板を積層して形成するようにしても構わない。この場合、貫通孔を、薄い放熱板で塞ぐことができるため、電子部品素子を接合するためのハンダを印刷形成しやすくなり、ハンダの印刷を行なった後で更に放熱板を積み重ねることにより、電子部品素子よりも厚みの厚い放熱ブロックを形成するようにする。
【0043】
【発明の効果】
本発明の電子装置によれば、回路基板に設けた貫通孔の上面側開口部を塞ぐ放熱ブロックに、IC素子を搭載するようにしたので、IC素子が発生させる熱は、放熱ブロックへと効率的に伝わることとなる。加えて、放熱ブロックに伝わった熱は、放熱ブロックの上面に取着させてある金属製のカバー部材へと伝わることにより、放熱ブロックの温度上昇の小さなものとなっている。更には、金属製のカバー部材は、回路基板の上面に搭載した電子部品素子上にまで外周部を延在させてあり、その広い面積から空中へと熱が伝わることにより、温度上昇が抑えられたものとなっている。以上の結果、IC素子が発生させる熱は、放熱ブロックを経由して金属製のカバー部材から大気中へと効率よく伝わるようになっているので、ICの動作効率が高く、電気特性の安定性に優れた電子装置とすることができる。
【0044】
また、本発明の電子装置によれば、IC素子は、貫通孔の上面側開口部を塞ぐ放熱ブロックと、貫通孔内に充填した樹脂材により、充分に封止される構造となっている。樹脂材の下端は、前記貫通孔の下面側開口部より上方に位置させてあるため、回路基板の下面に被着された複数個の外部接続端子は、マザーボードに対して面実装が可能となる。
【0045】
更に、本発明の電子装置によれば、前記外部接続端子のうち1個がグランド端子であり、該グランド端子に前記カバー部材及び前記放熱ブロックが前記回路基板の回路導体を介して電気的に接続させることにより、カバー部材を電磁ノイズからのシールド板としても機能させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子装置の分解斜視図である。
【図2】図1のA−A´線断面図である。
【符号の説明】
1・・・回路基板
2・・・IC素子
3・・・電子部品素子
4・・・カバー
5・・・放熱ブロック
6・・・貫通孔
7a・・・回路配線
7b・・・外部端子電極
7c・・・電極パッド
7d・・・接合電極
8・・・樹脂材
9・・・端子電極
11・・・ボンディングワイヤ
15・・・ビアホール導体

Claims (4)

  1. 貫通孔が設けられている回路基板の上面に電子部品素子を搭載し、該電子部品素子の非搭載領域に前記貫通孔の上面側開口部を塞ぐようにして前記電子部品素子の厚みよりも厚い放熱ブロックを取着し、前記貫通孔内で前記放熱ブロックの下面にIC素子を搭載・収容するとともに、該IC素子の端子電極を前記貫通孔の内面に導出した回路基板の回路配線に電気的に接続し、更に前記放熱ブロックの上面に、少なくとも前記電子部品素子上まで外周部を延在させた金属製のカバー部材を取着させてなる電子装置。
  2. 前記貫通孔内に、前記IC素子の下面を被覆する樹脂材が充填されていることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
  3. 前記回路基板の下面に複数個の外部接続端子が被着されており、前記樹脂材の下端が前記貫通孔の下面側開口部より上方に位置させてあることを特徴とする請求項2に記載の電子装置。
  4. 前記外部接続端子のうち1個がグランド端子であり、該グランド端子に前記カバー部材及び前記放熱ブロックが前記回路基板の回路導体を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の電子装置。
JP2003086184A 2003-03-26 2003-03-26 電子装置 Pending JP2004296720A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003086184A JP2004296720A (ja) 2003-03-26 2003-03-26 電子装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003086184A JP2004296720A (ja) 2003-03-26 2003-03-26 電子装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004296720A true JP2004296720A (ja) 2004-10-21

Family

ID=33400912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003086184A Pending JP2004296720A (ja) 2003-03-26 2003-03-26 電子装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004296720A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102330900A (zh) * 2011-07-22 2012-01-25 东莞市万丰纳米材料有限公司 一种光源模块
US11350517B2 (en) 2018-01-25 2022-05-31 Mitsubishi Electric Corporation Circuit device and power conversion device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102330900A (zh) * 2011-07-22 2012-01-25 东莞市万丰纳米材料有限公司 一种光源模块
US11350517B2 (en) 2018-01-25 2022-05-31 Mitsubishi Electric Corporation Circuit device and power conversion device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4610414B2 (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置ならびに電子装置の実装構造
US8198712B2 (en) Hermetically sealed semiconductor device module
JPH0964099A (ja) 半導体装置及びその実装構造
JP2008091714A (ja) 半導体装置
CN100562999C (zh) 电路模块
US20060220207A1 (en) Stacked semiconductor package
JP3603354B2 (ja) 混成集積回路装置
JP4412072B2 (ja) 電子部品の実装方法,半導体モジュール及び半導体装置
JP2006120996A (ja) 回路モジュール
JP2004296720A (ja) 電子装置
JP2002057238A (ja) 集積回路パッケージ
JP3660817B2 (ja) 電子回路モジュール
JP4459031B2 (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JPH11251497A (ja) 電子回路モジュール
JP4360577B2 (ja) 半導体装置
KR20000028805A (ko) 하이브리드 모듈
JP2907187B2 (ja) ベアチップ実装方法および半導体集積回路装置
JP2000059003A (ja) ハイブリッドモジュール
JP2003229521A (ja) 半導体モジュール及びその製造方法
JP3842887B2 (ja) ハイブリッドモジュール
JPS6220701B2 (ja)
JP2006041199A (ja) 電子装置
JP4544724B2 (ja) 半導体装置
JP4349728B2 (ja) 半導体装置
KR101198848B1 (ko) 반도체 디바이스 및 그 제조 방법