JP2004296637A - 半導体レーザ装置および光ディスク装置 - Google Patents

半導体レーザ装置および光ディスク装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2004296637A
JP2004296637A JP2003085139A JP2003085139A JP2004296637A JP 2004296637 A JP2004296637 A JP 2004296637A JP 2003085139 A JP2003085139 A JP 2003085139A JP 2003085139 A JP2003085139 A JP 2003085139A JP 2004296637 A JP2004296637 A JP 2004296637A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
laser device
layer
guide layer
lower guide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003085139A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuichi Hirukawa
秀一 蛭川
Shusuke Kasai
秀典 河西
Katsuhiko Kishimoto
克彦 岸本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2003085139A priority Critical patent/JP2004296637A/ja
Priority to US10/788,411 priority patent/US7123641B2/en
Priority to CNB2004100315811A priority patent/CN1290239C/zh
Publication of JP2004296637A publication Critical patent/JP2004296637A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H01S5/2206—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on III-V materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
    • H01S5/2223—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties hetero barrier blocking layers, e.g. P-P or N-N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/3403—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having a strained layer structure in which the strain performs a special function, e.g. general strain effects, strain versus polarisation
    • H01S5/3406—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having a strained layer structure in which the strain performs a special function, e.g. general strain effects, strain versus polarisation including strain compensation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/3434—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer comprising at least both As and P as V-compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34346—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser characterised by the materials of the barrier layers
    • H01S5/34373—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser characterised by the materials of the barrier layers based on InGa(Al)AsP

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Abstract

【課題】高出力駆動状態において信頼性が高く長寿命な半導体レーザ装置およびそれを用いた光ディスク装置を提供する。
【解決手段】発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置であって、ｎ型のＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型の第１，第２下クラッド層１０３，１０４、下ガイド層１０５、ＩｎＧａＡｓＰ多重歪量子井戸活性層１０７、上ガイド層１０９、ｐ型の上クラッド層１１０を順次積層する。下ガイド層１０５がＩｎＧａＰからなることにより、活性領域からのキャリアの漏れを低減すると共に、上ガイド層１０９がＡｌＧａＡｓからなることにより、キャリア（特に電子）のオーバーフローを抑制する。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体レーザ装置および光ディスク装置に関するものであり、特に高出力・高信頼性を実現できる半導体レーザ装置およびそれを用いた光ディスク装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザ装置は光通信装置や光記録装置などに用いられるが、近年、その高速化・大容量化といったニーズが高まってきており、それに応えるために半導体レーザ装置の様々な特性を向上させるための研究開発が進められている。
【０００３】
その中で、従来ＣＤやＣＤ−Ｒ／ＲＷといった光ディスク装置に用いられる７８０ｎｍ帯の半導体レーザ装置は、通常ＡｌＧａＡｓ系の材料により作製されている。ＣＤ−Ｒ／ＲＷにおいても高速書き込みに対する要求は益々高まってきているため、これに対応するために半導体レーザ装置の高出力化が要求されている。
【０００４】
従来のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ装置としては、図１０に示すものがある（例えば、特許文献１参照）。このＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ装置の構造を簡単に説明する。図１０に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板５０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層５０２、ｎ−Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ下クラッド層５０３、Ａｌ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ下ガイド層５０４、Ａｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ井戸層（層厚８０Å、２層）とＡｌ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ障壁層（層厚５０Å、３層）を交互に配置してなる多重量子井戸活性層５０５、Ａｌ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ上ガイド層５０６、ｐ−Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第１上クラッド層５０７、ｐ−ＧａＡｓエッチストップ層５０８が順次積層されており、さらに上記エッチストップ層５０８上に、メサストライプ状のｐ−Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第２上クラッド層５０９、その上部に庇状のｐ−ＧａＡｓキャップ層５１０が形成されている。また、上記第２上クラッド層５０９両側には、ｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．３Ａｓ第１電流ブロック層５１１およびｎ−ＧａＡｓ第２電流ブロック層５１２が積層されて、上記メサストライプ以外の領域が電流狭窄部となっている。また、上記第２電流ブロック層５１３上にｐ−ＧａＡｓ平坦化層５１３が設けられ、更に全面にｐ−ＧａＡｓコンタクト層５１４が積層されている。
【０００５】
この半導体レーザ装置のしきい値電流はおよそ３５ｍＡであり、ＣＯＤ（光学損傷：Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄａｍａｇｅ）レベルがおよそ１６０ｍＷ程度となっている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１１−２７４６４４号公報（段落００５３、図１）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記ＡｌＧａＡｓ系の材料を用いた半導体レーザ装置では、活性なＡｌの影響により、高出力駆動時にレーザ光出射端面においてＣＯＤ（光学損傷）による端面破壊が起こりやすく、最高光出力も１６０ｍＷ程度でしかなかった。このＣＯＤによる端面破壊は、以下のようなメカニズムによって生じていると考えられている。共振器端面においては、Ａｌが容易に酸化されるためにそれにより表面準位が形成される。活性層に注入されたキャリアはこの準位を介して緩和し、そのときに熱を放出するため、局所的に温度が上昇する。この温度上昇によって端面近傍の活性層のバンドギャップが縮小する。その結果、レーザ光の端面近傍における吸収が増大し、表面準位を介して緩和するキャリア数が増大するため更に発熱する。このような正帰還を繰り返すことにより最終的に端面が溶融して発振停止に至るわけである。従来の半導体レーザ装置では、活性領域にＡｌが含まれているため、上記原理に基づく端面破壊が大きな問題となる。
【０００８】
そこで、本発明者は、活性領域にＡｌを含まない（Ａｌフリー）材料であるＩｎＧａＡｓＰ系による高出力半導体レーザ装置の研究を進めたところ、２５０ｍＷ近くまでの最高光出力をもつ半導体レーザ装置を実現したものの、十分な信頼性・温度特性は得られなかった。この半導体レーザ装置を調べたところ、活性領域に注入されるキャリアが、高温雰囲気下や高出力駆動時に、従来に比べ活性領域外へ漏れやすくなっている可能性があることがわかった。
【０００９】
そこで、この発明の目的は、高出力駆動状態において信頼性が高く長寿命な半導体レーザ装置およびその半導体レーザ装置を用いた光ディスク装置を提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、第１の発明に係る半導体レーザ装置は、ｎ型のＧａＡｓ基板上に、ｎ型の下クラッド層、下ガイド層、ＩｎＧａＡｓＰからなる一層または複数層の井戸層および複数層の障壁層が交互に配置された量子井戸活性層、上ガイド層、ｐ型の上クラッド層が少なくとも積層されている半導体レーザ装置において、発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さく、ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ装置に比べＣＯＤレベルの高い半導体レーザ装置を作製することができ、更に、上記下ガイド層がＩｎＧａＰからなることにより、ＡｌＧａＡｓ系と比べ活性領域からキャリアの漏れを低減できるので、ＧａＡｓ基板上の高出力半導体レーザ装置（特にＣＤ−Ｒ／ＲＷ用７８０ｎｍ帯高出力半導体レーザ装置）の高出力駆動時において、良好な温度特性を有する半導体レーザ装置を実現することができる。
【００１１】
一実施形態の半導体レーザ装置は、上記上ガイド層がＡｌＧａＡｓからなることにより、発光再結合のおこる井戸層にＡｌＧａＡｓを隣接させないことで信頼性を確保しながら、キャリア（特に電子）のオーバーフローはＡｌＧａＡｓのコンダクションバンド（伝導帯）下端のエネルギー準位（Ｅｃ）により十分に抑制できるので、信頼性が高く長寿命な高出力半導体レーザ装置が実現できる効果がある。また、上記上ガイド層を構成するＡｌＧａＡｓのＡｌ混晶比が０．２より大きいことから、より好適に上記効果が得られる。
【００１２】
一実施形態の半導体レーザ装置は、上記下ガイド層の厚さが３０Å以上であることにより、ホールの漏れをより低減できることで、高出力駆動時に良好な温度特性・信頼性・寿命を有する半導体レーザ装置を得ることができる。また、上記下ガイド層は、ＧａＡｓ基板に格子整合する組成もしくはＧａＡｓ基板に対して１％以内の圧縮歪または引張歪を有する組成であることにより、好適に上記と同様の効果が得られる。
【００１３】
一実施形態の半導体レーザ装置は、上記下ガイド層と上記下クラッド層との間に、ＡｌＧａＡｓからなる光形状安定化下ガイド層が設けられていることで、より安定した形状の光分布が得られるため、上記と同様の効果が得られる。また、上記光形状安定化下ガイド層のＡｌ混晶比が０．２以上であることから、より好適に上記効果が得られる。
【００１４】
第２の発明に係る半導体レーザ装置は、ｐ型のＧａＡｓ基板上に、ｐ型の下クラッド層、下ガイド層、ＩｎＧａＡｓＰからなる一層または複数層の井戸層および複数層の障壁層が交互に配置された量子井戸活性層、上ガイド層、ｎ型の上クラッド層が少なくとも積層されており、発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置において、ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ装置に比べＣＯＤレベルの高い半導体レーザ装置を作製することができ、更に、上記上ガイド層がＩｎＧａＰからなることにより、ＡｌＧａＡｓ系と比べ活性領域からキャリアの漏れを低減できるので、高出力駆動時において、良好な温度特性を有する半導体レーザ装置を得ることができる。
【００１５】
一実施形態の半導体レーザ装置は、上記下ガイド層がＡｌＧａＡｓからなることにより、発光再結合のおこる井戸層にＡｌＧａＡｓを隣接させないことで信頼性を確保しながら、キャリア（特に電子）のオーバーフローはＡｌＧａＡｓのコンダクションバンド（伝導帯）下端のエネルギー準位（Ｅｃ）により十分に抑制できるので、信頼性が高く長寿命な高出力半導体レーザ装置が実現できる効果がある。
【００１６】
また、上記下ガイド層を構成するＡｌＧａＡｓのＡｌ混晶比が０．２より大きいことから、より好適に上記効果が得られる。
【００１７】
一実施形態の半導体レーザ装置は、上記上ガイド層の厚さが３０Å以上であることにより、ホールの漏れをより低減できることで、高出力駆動時に良好な温度特性・信頼性・寿命を有する半導体レーザ装置を得ることができる。また、上記上ガイド層は、ＧａＡｓ基板に格子整合する組成もしくはＧａＡｓ基板に対して１％以内の圧縮歪または引張歪を有する組成であることにより、好適に上記と同様の効果が得られる。
【００１８】
一実施形態の半導体レーザ装置は、上記上ガイド層と上記上クラッド層との間に、ＡｌＧａＡｓからなる光形状安定化上ガイド層が設けられていることで、より安定した形状の光分布が得られるため、上記と同様の効果が得られる。また、上記光形状安定化上ガイド層のＡｌ混晶比が０．２以上であることから、より好適に上記効果が得られる。
【００１９】
上記第１，第２の発明における一実施形態の半導体レーザ装置は、ＧａＡｓ基板上のＩｎＧａＡｓＰからなる圧縮歪を有する量子井戸活性層が用いられているために発振しきい値電流が低減され、これにより特に７８０ｎｍ帯において高い信頼性を有し、長寿命の高出力半導体レーザ装置が実現できる効果がある。
【００２０】
一実施形態の半導体レーザ装置は、上記圧縮歪量が３．５％以内であることにより、より好適に上記効果が得られる。
【００２１】
一実施形態の半導体レーザ装置は、ＩｎＧａＡｓＰからなる引張歪を有する障壁層が用いられており、圧縮歪を有する井戸層に対してその歪量を補償しているので、より安定した結晶をもつ歪量子井戸活性層を作製することができ、高信頼性の半導体レーザ装置が実現できる効果がある。
【００２２】
一実施形態の半導体レーザ装置は、上記引張歪量が３．５％以内であることにより、より好適に上記効果が得られる。
【００２３】
第３の発明に係る光ディスク装置は、本発明に記載の半導体レーザ装置を用いており、光ディスク装置に対して、従来よりも高い光出力で動作する半導体レーザ装置であるため、ディスクの回転数を従来より高速化してもデータの読み書きが可能である。従って、特に書き込み時に問題となっていたディスクへのアクセス時間が従来の半導体レーザ装置を用いた装置よりも格段に短くなり、より快適に操作できる光ディスク装置を提供できる効果がある。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の半導体レーザ装置および光ディスク装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２５】
（第１実施形態）
図１は、この発明の第１実施形態の半導体レーザ装置の構造を示したものである。この半導体レーザ装置は、図１に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ−Ａｌ０．４４８８Ｇａ０．５５１２Ａｓ第１下クラッド層１０３、ｎ−Ａｌ０．５４７１Ｇａ０．４５２９Ａｓ第２下クラッド層１０４、Ａｌ０．４２９Ｇａ０．５７１Ａｓ光形状安定化下ガイド層１０５、Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ下ガイド層１０６、多重歪量子井戸活性層１０７、Ａｌ０．４２９Ｇａ０．５７１Ａｓ上ガイド層１０９、ｐ−Ａｌ０．４８８５Ｇａ０．５１１５Ａｓ第１上クラッド層１１０およびｐ−ＧａＡｓエッチングストップ層１１１を順次積層している。このエッチングストップ層１１１上に、メサストライプ形状のｐ−Ａｌ０．４８８５Ｇａ０．５１１５Ａｓ第２上クラッド層１１２およびＧａＡｓキャップ層１１３を設けると共に、上記メサストライプ形状のｐ−Ａｌ０．４８８５Ｇａ０．５１１５Ａｓ第２上クラッド層１１２およびＧａＡｓキャップ層１１３の両側を、ｎ−Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ第１電流ブロック層１１５、ｎ−ＧａＡｓ第２電流ブロック層１１６およびｐ−ＧａＡｓ平坦化層１１７からなる光・電流狭窄領域で埋め込み、さらに、全面にｐ−ＧａＡｓキャップ層１１９を設けている。この半導体レーザ装置は、メサストライプ部１２１ａと、そのメサストライプ部１２１ａの両側方のメサストライプ部側方部１２１ｂとを有する。
【００２６】
次に図２〜図４を参照しながら、上記半導体レーザ構造の作製方法を説明する。図２に示すように、（１００）面を持つｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２（層厚０．５μｍ）、ｎ−Ａｌ０．４４８８Ｇａ０．５５１２Ａｓ第１下クラッド層１０３（層厚３．０μｍ）、ｎ−Ａｌ０．５４７１Ｇａ０．４５２９Ａｓ第２下クラッド層１０４（層厚０．３μｍ）、Ａｌ０．４２９Ｇａ０．５７１Ａｓ光形状安定化下ガイド層１０５（層厚１８３０Å）、Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ下ガイド層１０６（層厚１００Å）、Ｉｎ０．２６５５Ｇａ０．７３４５Ａｓ０．５９７２Ｐ０．４０２８圧縮歪量子井戸層（歪０．４８６５％、層厚５０Å、３層）とＩｎ０．１１０９Ｇａ０．８８９１Ａｓ０．４０７１Ｐ０．５９２９障壁層（歪−１．３１％、基板側から層厚７０Å・５０Å・５０Å・７０Åの４層）を交互に配置してなる多重歪量子井戸活性層１０７、Ａｌ０．４２９Ｇａ０．５７１Ａｓ上ガイド層１０９（層厚１８３０Å）、ｐ−Ａｌ０．４８８５Ｇａ０．５１１５Ａｓ第１上クラッド層１１０（層厚０．１６μｍ）、ｐ−ＧａＡｓエッチングストップ層１１１（層厚３０Å）、ｐ−Ａｌ０．４８８５Ｇａ０．５１１５Ａｓ第２上クラッド層１１２（層厚１．２８μｍ）、ＧａＡｓキャップ層１１３（層厚０．７５μｍ）を順次有機金属化学気相成長法にて結晶成長させる。
【００２７】
さらに図２において、メサストライプ部を形成する部分に、レジストマスク１１４（マスク幅５．５μｍ）をストライプ方向が（０１１）方向を持つように写真工程により作製する。
【００２８】
次に、図３に示すように、上記レジストマスク１１４（図２に示す）以外の部分をエッチングし、メサストライプ部１２１ａを形成する。このエッチングは、硫酸と過酸化水素水の混合水溶液およびフッ酸を用いて二段階で行い、エッチングストップ層１１１直上まで行う。ＧａＡｓはフッ酸によるエッチングレートが非常に遅いということを利用し、エッチング面の平坦化およびメサストライプの幅制御を可能にしている。また、エッチングの深さは１．９５μｍ、メサストライプの最下部の幅は約２．５μｍである。エッチング後、上記レジストマスク１１４を除去する。
【００２９】
続いて、図４に示すように、ｎ−Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ第１電流ブロック層１１５（層厚１．０μｍ）、ｎ−ＧａＡｓ第２電流ブロック層１１６（層厚０．３μｍ）、ｐ−ＧａＡｓ平坦化層１１７（層厚０．６５μｍ）を順次有機金属結晶成長させ、光・電流狭窄領域を形成する。
【００３０】
その後、図４に示すように、写真工程により、上記メサストライプ部両側１２１ｂ上にのみレジストマスク１１８を形成する。続いて、上記メサストライプ部１２１ａ上のブロック層をエッチングにより除去する。このエッチングには、アンモニアと過酸化水素水の混合水溶液および硫酸と過酸化水素水の混合水溶液を用いて、二段階でエッチングを行う。
【００３１】
その後、上記レジストマスク１１８を除去し、図１に示すｐ−ＧａＡｓキャップ層１１９（層厚２．０μｍ）を積層する。このようにして、図１に示す構造の半導体レーザ装置を作製することができる。
【００３２】
本第１実施形態において、発振波長は７８０ｎｍであり、図６に示すように、７０℃、２３０ｍＷパルスの信頼性試験において５０００時間以上の安定な動作を確認した。これまで本発明者は、ＧａＡｓ基板上にてＩｎＧａＡｓＰ系の量子井戸活性層を用いた半導体レーザ装置の研究を進めており、今回、ＡｌＧａＡｓ系に比べＣＯＤレベルの高い半導体レーザ装置を作製することができた。そして更に高出力駆動時の半導体レーザ装置の温度特性を向上すべく、ＩｎＧａＰからなる下ガイド層を設けることで、特性温度Ｔｏが２１０Ｋに向上した。詳しくは、本第１実施形態のように、層厚１００Åの下ガイド層１０６を設けることで、活性領域からキャリア（特にホール）の漏れを低減することにより、特性の向上につながったと考えられる。
【００３３】
図５に本第１実施形態の半導体レーザ装置のエネルギーバンドプロファイルを模式的に示す。ＧａＡｓ基板上のＩｎＧａＡｓＰ系の７８０ｎｍ帯量子井戸活性層では、障壁層のバレンスバンド（価電子帯）上端のエネルギー準位（Ｅｖ）がＡｌＧａＡｓからなるガイド層のＥｖよりも低い位置にある。すなわち、下ガイド層がＡｌＧａＡｓからなるとすると、下ガイド層−障壁層の界面ではホールにとってトンネルにより活性領域から漏れやすい構造であり、これが特性の更なる向上に対して悪影響を与えていると考えられる。そのため、ホールの漏れを低減するために、下ガイド層をＩｎＧａＰとしてＥｖを障壁層よりも下げてホールがトンネルしにくくすることで、上記効果が得られる。この厚さは３０Åより薄いとキャリアがトンネルして漏れ出てしまいやすくなる可能性があるので、３０Å以上であればより好適に上記効果が得られる。なお、図６においてＩｏｐとは、７０℃における半導体レーザ装置の出力が２３０ｍＷのときの電流値である。
【００３４】
また、本第１実施形態において、下ガイド層のＩｎＧａＰの組成が、ＧａＡｓ基板に格子整合する組成もしくは１％以内の圧縮歪または引張歪を有する組成であれば、好適に上記効果が得られる。また、上記下ガイド層が引張歪を有していれば、よりＥｖは低くなりホールの漏れを低減する効果があり、また下ガイド層が圧縮歪を有していれば、量子井戸活性層が全体として引張歪を有していることから歪補償効果があるが、１％を越える歪量とすると、量子井戸活性層を含む臨界膜厚を越えて結晶性が悪化し特性が悪くなるため、ＩｎＧａＰのもつ歪量としては１％以内の圧縮歪または引張歪であることが望ましい。ここでいう歪量とは、ＧａＡｓ基板の格子定数をａＧａＡｓ、井戸層の格子定数をａ１とすると、
（ａ１−ａＧａＡｓ）／ａＧａＡｓ
で表される。この値が正であれば圧縮歪、負であれば引っ張り歪と呼ばれる。
【００３５】
また、本第１実施形態において、上記上ガイド層がＡｌＧａＡｓからなることにより、発光再結合のおこる井戸層にはＡｌＧａＡｓは隣接させないことで信頼性を確保しながら、キャリア（特に電子）のオーバーフローはＡｌＧａＡｓのコンダクションバンド（伝導帯）下端のエネルギー準位Ｅｃにより十分に抑制する効果を得ることができる。通常高信頼性を得るためにＡｌフリーの半導体レーザ装置を作る場合、ガイド層、クラッド層までＩｎＧａＰなどで全てＡｌフリーとする。しかし、本第１実施形態では、発振波長７８０ｎｍ帯のＩｎＧａＡｓＰからなる井戸層に対するコンダクションバンドのエネルギー差（ΔＥｃ）がバランスよく得られるＡｌ混晶比が０．２より大きいＡｌＧａＡｓを、上ガイド層として設けている。
【００３６】
図８にガイド層のＡｌ混晶比に対する特性温度（Ｔｏ）の関係を示すグラフを示す。図８に示すように、ガイド層のＡｌ混晶比が０．２よりも大きいＡｌＧａＡｓの場合に温度特性が向上していることが確認されており、十分高い信頼性を得ることができた。
【００３７】
また、本第１実施形態において、上記下ガイド層と上記下クラッド層との間に、ＡｌＧａＡｓからなる光形状安定化下ガイド層が設けられていることで、高出力駆動時に良好な信頼性を有する半導体レーザ装置を作製することができる。これは、下ガイド層部分にＩｎＧａＰだけでなく、上ガイド層と同じＡｌＧａＡｓを用いていることで、材料系の違いによる屈折率の違いから光分布が乱れることを防ぎ、安定した形状の光分布が得られたことに起因していると考えられる。また、上記光形状安定化下ガイド層のＡｌ混晶比が０．２以上であることで、より好適に上記と同様の効果が得られる。
【００３８】
また、本第１実施形態において、上述の通りＧａＡｓ基板上のＩｎＧａＡｓＰからなる圧縮歪井戸層が用いられているために発振しきい値電流が低減され、これにより特に７８０ｎｍ帯において、高出力駆動時に高い信頼性を有する、寿命の長い半導体レーザ装置を実現できる。また、上記圧縮歪量が３．５％以内であることにより、より好適に上記効果が得られる。
【００３９】
図７に井戸層の圧縮歪量の違いによる半導体レーザ装置の信頼性（７０℃、２３０ｍＷ）を示すグラフを示しており、圧縮歪量が３．５％を越えると、信頼性が悪化しているのが分かる。これは、圧縮歪量が大き過ぎて結晶性が悪くなっているためと考えられる。
【００４０】
また、本第１実施形態において、ＩｎＧａＡｓＰからなる引張歪を有する障壁層が用いられており、圧縮歪を有する井戸層に対してその歪量を補償しているので、より安定した結晶をもつ歪量子井戸活性層を作製することができ、高信頼性の半導体レーザ装置を実現できる。また、上記引張歪量が３．５％以内であることにより、より好適に上記効果が得られる。
【００４１】
上記第１実施形態では、ＡｌＧａＡｓからなる光形状安定化下ガイド層とＩｎＧａＰからなる第２下ガイド層という構造としたが、ＩｎＧａＰからなる下ガイド層のみ、としても同様の効果が得られる。
【００４２】
また、上記第１実施形態では、埋込リッジ構造としたが、これに限るものではない。リッジ構造、内部ストライプ構造、埋込ヘテロ構造など、あらゆる構造に対して同様の効果が得られる。
【００４３】
また、本第１実施形態では、ｎ型基板を用いたが、ｐ型基板を用い、上記第１実施形態のｎ型、ｐ型を入れ替えても、同様の効果は得られる。
【００４４】
また、波長は７８０ｎｍとしたが、これに限るものではない。７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さいいわゆる７８０ｎｍ帯であれば同様の効果が得られる。また、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１１９はおよそ２．０μｍとしているが、およそ５０μｍと厚く積層してもよい。
【００４５】
（第２実施形態）
図９は、本発明に係る光ディスク装置の構造の一例を示したものである。これは光ディスク４０１にデータを書き込んだり、書き込まれたデータを再生するためのものであり、そのときに用いられる発光素子として、先に説明した本発明第１実施形態の半導体レーザ装置４０２を備えている。
【００４６】
この光ディスク装置についてさらに詳しく説明する。書き込みのときは、半導体レーザ装置４０２から出射された信号光がコリメートレンズ４０３により平行光とされ、ビームスプリッタ４０４を透過してλ／４偏光板４０５で偏光状態が調節された後、対物レンズ４０６で集光され光ディスク４０１に照射される。読み出し時には、データ信号がのっていないレーザ光が書き込み時と同じ経路をたどって光ディスク４０１に照射される。このレーザ光がデータの記録された光ディスク４０１の表面で反射され、レーザ光照射用対物レンズ４０６、λ／４偏光板４０５を経た後、ビームスプリッタ４０４で反射されて９０°角度を変えた後、再生光用対物レンズ４０７で集光され、信号検出用受光素子４０８に入射する。信号検出用受光素子４０８内で入射したレーザ光の強弱によって記録されたデータ信号が電気信号に変換され、信号光再生回路４０９において元の信号に再生される。
【００４７】
本第２実施形態の光ディスク装置は、従来よりも高い光出力で動作する半導体レーザ装置を用いているため、ディスクの回転数を従来より高速化してもデータの読み書きが可能である。従って、特に書き込み時に問題となっていたディスクへのアクセス時間が従来の半導体レーザ装置を用いた装置よりも格段に短くなり、より快適に操作できる光ディスク装置を提供することができる。
【００４８】
なお、ここでは本発明の半導体レーザ装置を記録再生型の光ディスク装置に適用した例について説明したが、同じ波長７８０ｎｍ帯を用いる光ディスク記録装置、光ディスク再生装置にも適用可能であることはいうまでもない。
【００４９】
なお、本発明の半導体レーザ装置および光ディスク装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、たとえば井戸層・障壁層の層厚や層数など、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【００５０】
【発明の効果】
以上より明らかなように、第１の発明の半導体レーザ装置によれば、ｎ型のＧａＡｓ基板上に、ｎ型の下クラッド層、下ガイド層、ＩｎＧａＡｓＰからなる一層または複数層の井戸層および複数層の障壁層が交互に配置された量子井戸活性層、上ガイド層、ｐ型の上クラッド層が少なくとも積層されている半導体レーザ装置において、発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さく、ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ装置に比べＣＯＤレベルの高い半導体レーザ装置を作製することができ、更に、上記下ガイド層がＩｎＧａＰからなることにより、ＡｌＧａＡｓ系と比べ活性領域からキャリアの漏れを低減できるので、高出力駆動時において、良好な温度特性を有する半導体レーザ装置を実現することができる。
【００５１】
また、第２の発明の半導体レーザ装置によれば、ｐ型のＧａＡｓ基板上に、ｐ型の下クラッド層、下ガイド層、ＩｎＧａＡｓＰからなる一層または複数層の井戸層および複数層の障壁層が交互に配置された量子井戸活性層、上ガイド層、ｎ型の上クラッド層が少なくとも積層されており、発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置において、ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ装置に比べＣＯＤレベルの高い半導体レーザ装置を作製することができ、更に、上記上ガイド層がＩｎＧａＰからなることにより、ＡｌＧａＡｓ系と比べ活性領域からキャリアの漏れを低減できるので、高出力駆動時において、良好な温度特性を有する半導体レーザ装置を実現することができる。
【００５２】
また、第３の発明の光ディスク装置によれば、従来よりも高い光出力で動作する第１，第２の発明の半導体レーザ装置を光ディスク装置に用いることにより、ディスクの回転数を従来より高速化してもデータの読み書きが可能である。従って、特に書き込み時に問題となっていたディスクへのアクセス時間が従来の半導体レーザ装置を用いた装置よりも格段に短くなり、より快適に操作できる光ディスク装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の半導体レーザ装置のストライプ方向に対して垂直な面の断面図である。
【図２】上記半導体レーザ装置の第一回結晶成長マスクプロセス終了後のストライプ方向に対して垂直な面の断面図である。
【図３】上記半導体レーザ装置のメサストライプ形成エッチングプロセス終了後のストライプ方向に対して垂直な面の断面図である。
【図４】上記半導体レーザ装置の電流ブロック層埋め込み結晶成長プロセス終了後のストライプ方向に対して垂直な面の断面図である。
【図５】上記半導体レーザ装置のエネルギーバンドプロファイルの簡易図である。
【図６】上記半導体レーザ装置の下ガイド層の構造の違いによる半導体レーザ装置の信頼性を示すグラフである。
【図７】上記半導体レーザ装置の井戸層の圧縮歪量の違いによる半導体レーザ装置の信頼性を示すグラフである。
【図８】上記半導体レーザ装置のガイド層のＡｌ混晶比に対する温度特性（Ｔｏ）の関係を示すグラフである。
【図９】本発明の第２実施形態の光ディスク装置の概略図である。
【図１０】従来の半導体レーザ装置のストライプ方向に対して垂直な面の断面図である。
【符号の説明】
１０１ 基板
１０２ バッファ層
１０３ 第１下クラッド層
１０４ 第２下クラッド層
１０５ 光形状安定化下ガイド層
１０６ 下ガイド層
１０７ 多重歪量子井戸活性層
１０９ 上ガイド層
１１０ 第１上クラッド層
１１１ エッチングストップ層
１１２ 第２上クラッド層
１１３ キャップ層
１１４ レジストマスク
１１５ 第１電流ブロック層
１１６ 第２電流ブロック層
１１７ 平坦化層
１１８ レジストマスク
１１９ キャップ層
１２１ａ メサストライプ部
１２１ｂ メサストライプ部側方部
４０１ 光ディスク
４０２ 半導体レーザ装置
４０３ コリメートレンズ
４０４ ビームスプリッタ
４０５ 偏光板
４０６ レーザ光照射用対物レンズ
４０７ 再生光用対物レンズ
４０８ 信号検出用受光素子
４０９ 信号光再生回路
５０１ 基板
５０２ バッファ層
５０３ 下クラッド層
５０４ 下ガイド層
５０５ 多重量子井戸活性層
５０６ 上ガイド層
５０７ 第１上クラッド層
５０８ エッチストップ層
５０９ 第２上クラッド層
５１０ キャップ層
５１１ 電流ブロック層
５１２ 電流ブロック層
５１３ 平坦化層
５１４ コンタクト層

Claims (19)

  1. ｎ型のＧａＡｓ基板上に、ｎ型の下クラッド層、下ガイド層、ＩｎＧａＡｓＰからなる一層または複数層の井戸層および複数層の障壁層が交互に配置された量子井戸活性層、上ガイド層、ｐ型の上クラッド層が少なくとも積層されている半導体レーザ装置において、
    発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さく、上記下ガイド層がＩｎＧａＰからなることを特徴とする半導体レーザ装置。
  2. 請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
    上記上ガイド層がＡｌＧａＡｓからなることを特徴とする半導体レーザ装置。
  3. 請求項１または２に記載の半導体レーザ装置において、
    上記下ガイド層の厚さが３０Å以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。
  4. 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置において、
    上記下ガイド層は、上記ＧａＡｓ基板に格子整合する組成もしくは上記ＧａＡｓ基板に対して１％以内の圧縮歪または引張歪を有する組成であることを特徴とする半導体レーザ装置。
  5. 請求項１乃至４のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置において、
    上記上ガイド層のＡｌ混晶比が０．２以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。
  6. 請求項１乃至５のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置において、
    上記下ガイド層と上記下クラッド層との間に、ＡｌＧａＡｓからなる光形状安定化下ガイド層が設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。
  7. 請求項６に記載の半導体レーザ装置において、
    上記光形状安定化下ガイド層のＡｌ混晶比が０．２以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。
  8. ｐ型のＧａＡｓ基板上に、ｐ型の下クラッド層、下ガイド層、ＩｎＧａＡｓＰからなる一層または複数層の井戸層および複数層の障壁層が交互に配置された量子井戸活性層、上ガイド層、ｎ型の上クラッド層が少なくとも積層されており、発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置において、
    上記上ガイド層がＩｎＧａＰからなることを特徴とする半導体レーザ装置。
  9. 請求項８に記載の半導体レーザ装置において、
    上記下ガイド層がＡｌＧａＡｓからなることを特徴とする半導体レーザ装置。
  10. 請求項８または９に記載の半導体レーザ装置において、
    上記上ガイド層の厚さが３０Å以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。
  11. 請求項８乃至１０のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置において、
    上記上ガイド層は、上記ＧａＡｓ基板に格子整合する組成もしくは上記ＧａＡｓ基板に対して１％以内の圧縮歪または引張歪を有する組成であることを特徴とする半導体レーザ装置。
  12. 請求項８乃至１１のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置において、
    上記下ガイド層のＡｌ混晶比が０．２以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。
  13. 請求項８乃至１２のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置において、
    上記上ガイド層と上記上クラッド層との間に、ＡｌＧａＡｓからなる光形状安定化上ガイド層が設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。
  14. 請求項１３に記載の半導体レーザ装置において、
    上記光形状安定化上ガイド層のＡｌ混晶比が０．２以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。
  15. 請求項１乃至１４のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置において、
    上記井戸層が圧縮歪を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
  16. 請求項１５に記載の半導体レーザ装置において、
    上記圧縮歪の量が３．５％以内であることを特徴とする半導体レーザ装置。
  17. 請求項１乃至１６のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置において、
    上記障壁層が引張歪を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
  18. 請求項１７に記載の半導体レーザ装置において、
    上記引張歪の量が３．５％以内であることを特徴とする半導体レーザ装置。
  19. 請求項１乃至１８のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置を用いていることを特徴とする光ディスク装置。
JP2003085139A 2003-03-26 2003-03-26 半導体レーザ装置および光ディスク装置 Pending JP2004296637A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003085139A JP2004296637A (ja) 2003-03-26 2003-03-26 半導体レーザ装置および光ディスク装置
US10/788,411 US7123641B2 (en) 2003-03-26 2004-03-01 Semiconductor laser device and optical disc unit
CNB2004100315811A CN1290239C (zh) 2003-03-26 2004-03-25 半导体激光装置和光盘装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003085139A JP2004296637A (ja) 2003-03-26 2003-03-26 半導体レーザ装置および光ディスク装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004296637A true JP2004296637A (ja) 2004-10-21

Family

ID=33400132

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003085139A Pending JP2004296637A (ja) 2003-03-26 2003-03-26 半導体レーザ装置および光ディスク装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7123641B2 (ja)
JP (1) JP2004296637A (ja)
CN (1) CN1290239C (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006035627A1 (de) * 2006-07-31 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Halbleiterkörper
EP2370973A4 (en) * 2008-11-28 2014-08-06 Univ Brigham Young HIGH POWER OPTICAL DISK DRIVES
US7903711B1 (en) * 2009-11-13 2011-03-08 Coherent, Inc. Separate confinement heterostructure with asymmetric structure and composition

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5757833A (en) * 1995-11-06 1998-05-26 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser having a transparent light emitting section, and a process of producing the same
JPH09270558A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ
JPH104237A (ja) 1996-06-17 1998-01-06 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ
DE69725783T2 (de) * 1996-06-17 2004-07-29 Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara Halbleiterlaser
JPH10215021A (ja) 1997-01-30 1998-08-11 Toshiba Corp 半導体レ−ザ装置
JP3859839B2 (ja) * 1997-09-30 2006-12-20 富士フイルムホールディングス株式会社 屈折率導波型半導体レーザ装置
JP3429446B2 (ja) 1998-03-19 2003-07-22 シャープ株式会社 半導体発光素子
JP3555727B2 (ja) 1997-10-06 2004-08-18 シャープ株式会社 半導体レーザ素子
JP3753216B2 (ja) 1997-11-25 2006-03-08 富士写真フイルム株式会社 半導体レーザ装置
JP4447728B2 (ja) * 2000-03-29 2010-04-07 富士フイルム株式会社 半導体レーザ素子
JP2002374042A (ja) * 2000-12-12 2002-12-26 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ素子
JP2002217493A (ja) 2001-01-15 2002-08-02 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ素子
JP4627132B2 (ja) 2001-09-13 2011-02-09 シャープ株式会社 半導体レーザ装置および光ディスク記録再生装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20040223527A1 (en) 2004-11-11
CN1543025A (zh) 2004-11-03
CN1290239C (zh) 2006-12-13
US7123641B2 (en) 2006-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7098064B2 (en) Semiconductor laser device and its manufacturing method, and optical disc reproducing and recording apparatus
US7539230B2 (en) Semiconductor laser device and method for fabricating the same
US20090180508A1 (en) Two-wavelength semiconductor laser device and its fabricating method
JP4627132B2 (ja) 半導体レーザ装置および光ディスク記録再生装置
JP4047358B2 (ja) 自励発振型半導体レーザ装置
US6813299B2 (en) Semiconductor laser device and optical disk reproducing and recording apparatus
JP4296017B2 (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法および光ディスク装置
JP2004296637A (ja) 半導体レーザ装置および光ディスク装置
JP2004296634A (ja) 半導体レーザ装置および光ディスク装置
JP2004158666A (ja) 半導体レーザ装置および光ディスク再生記録装置
JP2003152281A (ja) 半導体レーザ素子およびそれを用いた光ディスク装置
JP2010283279A (ja) 半導体レーザ装置
US7609739B2 (en) Semiconductor laser device
JP2004152966A (ja) 半導体レーザ装置とその製造方法、および光ディスク再生記録装置
JP4076333B2 (ja) 半導体レーザ装置及び光ディスク再生記録装置
JP2003218452A (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法並びに光ディスク再生記録装置
JP4093709B2 (ja) 半導体レーザ素子
JP4185716B2 (ja) 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ディスク装置
JP3792434B2 (ja) 自励発振型半導体レーザ
JP2003133644A (ja) 半導体レーザ装置とそれを用いた光ディスク装置
JP2006148006A (ja) 半導体レーザ素子
JP2009302473A (ja) 半導体レーザ素子とその製造方法
JP2006222464A (ja) 半導体レーザ装置
JP2008041711A (ja) 半導体レーザ装置
JP2006108405A (ja) 半導体レーザ素子およびモノリシック２波長半導体レーザ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050810

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080521

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080527

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080715

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090324