JP2004296482A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】先端部に向かって滑らかに細くなる位置決めピン31aおよび複数の回転防止ピン32aを、それぞれ対応する位置決め穴31bおよび回転防止穴32bと係合させる。これにより、加熱プレート74に対して熱拡散板73が吸着した場合であっても、熱拡散板73の外周部39から略水平方向に力を与えることにより、加熱プレート74に対して熱拡散板73が斜め上方向に移動させることができる。そのため、吸着した場合であっても、加熱プレート74から熱拡散板73を容易に脱着することができ、熱拡散板73を容易に交換することができる。
【選択図】 図6
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)に対して加熱処理等の所定の基板処理を施す基板処理装置に関するもので、特に、基板保持部およびその支持部の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より半導体ウェハー上に均一な膜厚を成膜する成膜工程や、イオン注入後の半導体ウェハーのイオン活性化工程を有する基板処理装置では、ハロゲンランプを使用した加熱処理が施されている(例えば、特許文献1)。このような基板処理装置では、半導体ウェハーを加熱するのにハロゲンランプからの熱放射を利用して基板を所定の温度に加熱している。
【0003】
しかし、このハロゲンランプからの熱放射を利用して基板を昇温させてイオン活性工程を実行する場合、半導体ウェハーに打ち込まれたイオンのプロファイルがなまる、すなわち、熱によりイオンが拡散してしまうという現象が生じることが判明した。このような現象が発生した場合においては、半導体ウェハーの表面にイオンを高濃度で注入しても、注入後のイオンが拡散してしまうことから、イオンを必要以上に注入しなければならないという問題が生じていた。
【0004】
上述した問題を解決するため、キセノンフラッシュランプ等を使用して半導体ウェハーの表面に閃光を照射することにより、イオンが注入された半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間(数ミリセカンド以下)に昇温させる技術が提案されている(例えば、特許文献1,2参照)。キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、イオンが拡散するための十分な時間がないため、半導体ウェハーに打ち込まれたイオンのプロファイルをなまらせることなく、イオン活性化のみを実行することができるのである。
【0005】
なお、キセノンフラッシュランプによる熱処理では、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーに対して短時間に照射される光エネルギーと、加熱プレートから当該半導体ウェハーに与えられる熱エネルギーとを併用することによって所定温度まで昇温させている。これは、キセノンフラッシュランプから照射される光だけでは、基板温度をイオン活性化工程で必要となる温度(1000℃〜1100℃程度)まで昇温させることができず、予め加熱プレートによって基板を所定の温度まで上昇させる必要があるからである。
【0006】
ここで、加熱プレートによる予備加熱について説明する。加熱プレートは、熱エネルギーによって半導体ウェハーを加熱する部材であって、例えば、安価で加工が容易なステンレス等の金属によって形成されている。また、加熱プレートの上面にはサセプタが貼着されている。サセプタは、その表面に半導体ウェハーを保持しつつ、加熱プレートから与えられる熱エネルギーで半導体ウェハーを均一に加熱するためのものである。
【0007】
このように、サセプタを解して加熱プレートから半導体ウェハーに対して熱エネルギーを与えることにより、半導体ウェハー全体を均一に所定の温度(200℃ないし600℃の範囲内の所定の温度)に昇温することができる。そして、予備加熱が終了した半導体ウェハーに対してキセノンフラッシュランプから閃光を照射することにより、半導体ウェハー表面付近を極短時間の所定の温度まで上昇することができ、イオン活性化工程を良好に実行することができる。
【0008】
キセノンフラッシュランプによる熱処理が完了すると、半導体ウェハーは、加熱プレートおよびサセプタを貫通する複数の貫通孔のそれぞれに挿通された複数の支持ピンによってサセプタから上昇され、搬送ロボットによって装置外に搬出される。
【0009】
【特許文献1】
特開2000−124141号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したように、加熱プレートはステンレスによって形成されており、サセプタはセラミックスによって形成されている。すなわち、加熱プレートは、サセプタと比較して熱膨張率の大きい材料によって形成されている。
【0011】
さらに、キセノンフラッシュランプによる熱処理が完了した時点において、予備加熱を実行したことにより加熱プレートおよびサセプタは、200℃ないし600℃に昇温している。
【0012】
したがって、キセノンフラッシュランプによる熱処理が完了した後、半導体ウェハーを支持ピンによって所定位置まで上昇させる場合、加熱プレートとサセプタの熱膨張率の違いのため、支持ピンが挿通されている貫通孔のうち加熱プレートに設けられた部分とサセプタに設けられた部分とがズレる。その結果、貫通孔の側壁から力を受けて支持ピンが撓むことがあり、場合によっては支持ピンが折れるという問題が発生する。
【0013】
また、加熱プレートおよびサセプタの温度は、上述した予備加熱を施すため室温付近から600℃の範囲で昇温・降温を繰り返すこととなる。そのため、加熱プレートとサセプタとの間に存在する空気が、予備加熱によって膨張し、続いて、加熱処理が終了して室温まで降温すると、加熱プレートに対してサセプタが吸着して脱着できなくなり、メンテナンス等のためサセプタを交換することが困難となるという問題が発生する。
【0014】
そして、このような問題は、加熱プレートとサセプタを使用した熱処理に限らず、熱膨張率が相違する2つの部材を積み重ねて、当該2つの部材を昇温・降温する場合にも生じる問題である。
【0015】
そこで、本発明では、支持部に対して基板保持部が吸着した場合であっても、容易に当該基板保持部を脱着することができる基板処理装置を提供することを第1の目的とする。
【0016】
また、基板保持部と加熱部とで熱膨張率が異なる場合であっても、支持ピンによって良好に基板を昇降することができる基板処理装置を提供することを第2の目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、基板を略水平姿勢にて保持する基板保持部と、前記基板保持部に積み重ねて配置され、前記基板保持部を支持する支持部と、を備え、前記基板保持部と前記支持部の対向面上には、先端に向かって細くなる先細り形状を有する突起部と、前記突起部に係合する穴部と、を有し、前記穴部に前記突起部を係合させることによって前記支持部に前記基板保持部を支持することを特徴とする。
【0018】
また、請求項2の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記突起部の形状は、略半球状であることを特徴とする。
【0019】
また、請求項3の発明は、請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、前記支持部は、前記基板保持部を加熱する加熱部であることを特徴とする。
【0020】
また、請求項4の発明は、請求項3に記載の基板処理装置であって、前記突起部は、前記加熱部に設けてあることを特徴とする。
【0021】
また、請求項5の発明は、請求項3に記載の基板処理装置であって、前記基板保持部と前記加熱部とは異なる材質によって形成されていることを特徴とする。
【0022】
また、請求項6の発明は、請求項5に記載の基板処理装置であって、前記基板保持部はセラミックスによって形成され、前記加熱部はステンレスによって形成されていることを特徴とする。
【0023】
また、請求項7の発明は、請求項3に記載の基板処理装置であって、前記基板保持部と前記支持部は、前記基板保持部と前記支持部とを貫通し、対応する支持ピンが挿通される複数の貫通孔を備えていることを特徴とする。
【0024】
また、請求項8の発明は、請求項7に記載の基板処理装置であって、前記貫通孔は、前記基板保持部の略中心部から放射状に伸びる長孔状に形成されていることを特徴とする。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【0026】
<1.基板処理装置の構成>
図1および図2は本発明の実施の形態にかかる熱処理装置の構成を示す側断面図である。この熱処理装置は、キセノンフラッシュランプからの閃光によって円形の半導体ウェハー等の基板の熱処理を行う装置である。なお、図1および以降の各図には、それらの方向関係を明確にすべく必要に応じて適宜、Z軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とするXYZ直交座標系を付している。
【0027】
この熱処理装置は、透光板61、底板62および一対の側板63、64からなり、その内部に半導体ウェハーWを収納して熱処理するためのチャンバー65を備える。チャンバー65の上部を構成する透光板61は、例えば、石英等の赤外線透過性を有する材料から構成されており、光源5から出射された光を透過してチャンバー65内に導くチャンバー窓として機能している。また、チャンバー65を構成する底板62には、後述する熱拡散板73および加熱プレート74を貫通して半導体ウェハーWをその下面から支持するための支持ピン70が立設されている。
【0028】
また、チャンバー65を構成する側板64には、半導体ウェハーWの搬入および搬出を行うための開口部66が形成されている。開口部66は、軸67を中心に回動するゲートバルブ68により開閉可能となっている。半導体ウェハーWは、開口部66が解放された状態で、図示しない搬送ロボットによりチャンバー65内に搬入される。また、チャンバー65内にて半導体ウェハーWの熱処理が行われるときには、ゲートバルブ68により開口部66が閉鎖される。
【0029】
チャンバー65は光源5の下方に設けられている。光源5は、複数(本実施形態においては27本)のキセノンフラッシュランプ69(以下、単に「フラッシュランプ69」とも称する)と、リフレクタ71とを備える。複数のフラッシュランプ69は、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が水平方向に沿うようにして互いに平行に列設されている。リフレクタ71は、複数のフラッシュランプ69の上方にそれらの全体を被うように配設されている。
【0030】
このキセノンフラッシュランプ69は、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設されたガラス管と、該ガラス管の外局部に巻回されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのジュール熱でキセノンガスが加熱されて光が放出される。このキセノンフラッシュランプ69においては、予め蓄えられていた静電エネルギーが0.1ミリセカンドないし10ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。
【0031】
光源5と透光板61との間には、光拡散板72が配設されている。この光拡散板72は、赤外線透過材料としての石英ガラスの表面に光拡散加工を施したものが使用される。
【0032】
フラッシュランプ69から放射された光の一部は直接に光拡散板72および透光板61を透過してチャンバー65内へと向かう。また、フラッシュランプ69から放射された光の他の一部は一旦リフレクタ71によって反射されてから光拡散板72および透光板61を透過してチャンバー65内へと向かう。
【0033】
図3は、図1の熱拡散板73をその裏面から見た図である。また、図4は、図1の加熱プレート74を上面から見た図である。また、図5は、図3の熱拡散板73と図4の加熱プレート74とをV−V線から見た断面図である。また、図6は、加熱プレート74に対して熱拡散板73を位置決めして配置した場合の断面図である。
【0034】
図1に示すように、チャンバー65内には、加熱プレート74と熱拡散板73とが設けられている。加熱プレート74は、熱エネルギーを熱拡散板73を介して半導体ウェハーWに与えることにより、フラッシュランプ69によって半導体ウェハーWに対して熱処理を行う前に当該半導体ウェハーWを予め加熱する予備加熱(アシスト加熱)に使用するステンレスで形成された加熱部材であり、加熱プレート74の上面と熱拡散板73の下面とが接するように積み重ねられている。すなわち、加熱プレート74は熱拡散板73の支持部として機能している。
【0035】
熱拡散板73は、上述のように加熱プレート74の上面に積み重ねて配置され、半導体ウェハーWを略水平姿勢に保持する基板保持部(サセプタ)として使用される。また、熱拡散板73は、加熱プレート74とは異なる材質でセラミックス(例えば、窒化アルミニウム)や石英等の比較的熱伝導率が小さいものによって形成されており、加熱プレート74からの熱エネルギーを拡散して半導体ウェハーWを均一に加熱することができる。
【0036】
すなわち、加熱プレート74から放出される熱エネルギーは、加熱プレート74の上面と接する熱拡散板73の下面を介して熱拡散板73に与えられる。そして、この与えられたエネルギーが熱拡散板73内を伝達される際に熱拡散板73内で拡散されることにより、熱拡散板73の上面の各部分から半導体ウェハーWに対して供給されるエネルギーが均一化される。そのため、半導体ウェハーWを均一に加熱することができる。
【0037】
図4および図5に示すように、熱拡散板73の下面と対向する加熱プレート74の上面の略中心部には、位置決めピン31aが設けられている。位置決めピン31aは、熱拡散板73を加熱プレート74に載置する際に、加熱プレート74に対して熱拡散板73を所定の位置に位置決めする突起部である。すなわち、位置決めピン31aを熱拡散板73の下面の略中心部に設けられた位置決め穴31b(図3参照)と係合させることにより、加熱プレート74の略中心部と、熱拡散板73の略中心部とを一致させることができる。
【0038】
ここで、本実施の形態において、位置決めピン31aは、略球状を有する部材を加熱プレート74上に埋め込んだものである。したがって、位置決めピン31aの形状は略半球状であり、その断面積は加熱プレート74の上面付近から位置決めピン31aの先端部に向かって小さくなる、すなわち、先端部に向かって滑らかに細くなる先細り形状を有する。
【0039】
加熱プレート74の上面の外周部38付近には、図4および図5に示すように、複数の回転防止ピン32aが設けられている。この複数の回転防止ピン32aは、位置決めピン31aを略中心として放射状に複数(本実施の形態の3つ)設けられた突起部である。各回転防止ピン32aは、位置決めピン31aと加熱プレート74の外周部38との間に設けられている。
【0040】
また、熱拡散板73の下面の外周部39には、図3および図5に示すように、位置決め穴31bを略中心として放射状に伸びる複数の長穴状の回転防止穴32bが設けられている。すなわち、複数の回転防止穴32bのそれぞれは、位置決め穴31bと熱拡散板73の外周方向に伸びる半直線に沿って設けられている。
【0041】
したがって、位置決めピン31aを位置決め穴31bに係合させるとともに、複数の回転防止ピン32aのそれぞれを、対応する回転防止穴32bと係合させることにより、熱拡散板73および加熱プレート74の略中心部を一致させて支持することができ、加熱プレート74に対して位置決めピン31aを中心として熱拡散板73が回転することを防止して固定することができる。そのため、加熱プレート74に対して熱拡散板73を確実に固定することができる。
【0042】
なお、各回転防止ピン32aは、位置決めピン31aと同様に、略球状を有する部材を加熱プレート74上に埋め込んだものである。したがって、各回転防止ピン32aは、加熱プレート74の上面付近から先端部に向かって滑らかに細くなる略半球状の先細り形状を有する。
【0043】
ところで、加熱プレート74および熱拡散板73によって半導体ウェハーWを予備加熱する際、熱拡散板73と加熱プレート74との間に存在する空気は、200℃ないし600℃まで昇温して膨張するとともに、予備加熱後は、室温まで降温して収縮する。これにより、加熱プレート74に対して熱拡散板73が吸着して脱着できなくなり、メンテナンス等のため熱拡散板73を交換することが困難となるという問題が発生していた。
【0044】
しかし、本実施の形態では、先細り形状を有する位置決めピン31aおよび複数の回転防止ピン32aを対応する位置決め穴31bおよび複数の回転防止穴32bと係合させることによって熱拡散板73を加熱プレート74に固定している。これにより、加熱プレート74と熱拡散板73とが吸着した場合であっても、熱拡散板73の外周部39から略水平方向の力を与えることによってズラすことができ、熱拡散板73を容易に脱着することができる。
【0045】
すなわち、熱拡散板73の外周部39から略水平方向の力を与えることにより、位置決め穴31bおよび複数の回転防止穴32bの熱拡散板73下面側の開口部と、対応する位置決めピン31aおよび複数の回転防止ピン32aの側面とが接触して、熱拡散板73は当該側面に沿って斜め上方向に移動することとなる。そのため、加熱プレート74に対して熱拡散板73を浮かせることができ、吸着した場合であっても加熱プレート74から熱拡散板73を容易に脱着して、熱拡散板73を容易に交換することができる。
【0046】
また、熱拡散板73および加熱プレート74には、図3、図4および図6に示すように、支持ピン70が挿通される複数(本実施の形態では3つ)の貫通孔35が設けれている。
【0047】
すなわち、加熱プレート74には、位置決めピン31aを略中心として放射状に設けられた複数(本実施の形態では3つ)の孔部である貫通孔35bが設けられており、また、熱拡散板73には、位置決め穴31bを略中心として放射状に設けられた複数(本実施の形態では3つ)の孔部である貫通孔35aが設けられている。これら貫通孔35a、35bは、それぞれ位置決め穴31b(すなわち、熱拡散板73の略中心部)から熱拡散板73の外周方向に放射状に伸びる長孔形状を有している。すなわち、貫通孔35a、35bは、位置決めピン31aまたは位置決め穴31bを略中心部として放射状に伸びる長孔状に形成されている。
【0048】
そして、複数の貫通孔35bと、当該貫通孔35bに対応する貫通孔35aとが略直線状に配置されて貫通孔35を形成するように、加熱プレート74に対して熱拡散板73が位置決めされている。
【0049】
ところで上述のように、位置決め穴31bと位置決めピン31aとを係合させることによって、熱拡散板73と加熱プレート74との略中心部とを一致させることができる。これにより、熱膨張による貫通孔35aと対応する貫通孔35bとの位置ズレ量を計算することが可能となる。
【0050】
すなわち、位置決め穴31bおよび位置決めピン31aによって加熱プレート74の略中心部と熱拡散板73の略中心部とが一致するように位置決めすると、熱拡散板73および加熱プレート74が加熱されて熱膨張が生じても、熱拡散板73および加熱プレート74の略中心部の位置関係は固定されたままとなる。そのため、加熱プレート74および熱拡散板73熱膨張は、それぞれの略中心部を中心として放射状に生じていると考えることができる。すなわち、それぞれの略中心部を熱膨張の原点として熱膨張量の計算を行うことが可能となる。
【0051】
したがって、熱拡散板73の略中心部から外周方向に放射状に伸びる長孔の貫通孔35aと、加熱プレート74の略中心部から外周方向に放射状に伸びる長孔の貫通孔35bとは、熱膨張率の差異のため熱膨張量は異なるが、熱膨張によって同一方向(外周方向)に向かってに平行に移動することとなる。そして、この熱膨張量の差異を考慮に入れて、貫通孔35aおよび貫通孔35bの外周方向の長さを設定することにより、熱膨張が生じても、貫通孔35aおよび貫通孔35bの内壁と支持ピン70とが接触することを容易に回避することができ、その結果、この接触によって支持ピン70が折れるという問題を防止することができる。
【0052】
熱拡散板73および加熱プレート74は、モータ40の駆動により、図1に示す半導体ウェハーWの搬入・搬出位置と図2に示す半導体ウェハーWの熱処理位置との間を昇降する構成となっている。
【0053】
すなわち、加熱プレート74は、筒状体41を介して移動板42に連結されている。この移動板42は、チャンバー65の底板62に釣支されたガイド部材43により案内されて昇降可能となっている。また、ガイド部材43の下端部には、固定板44が固定されており、この固定板44の中央部にはボールネジ45を回転駆動するモータ40が配設されている。そして、このボールネジ45は、移動板42と連結部材46、47を介して連結されたナット48と螺合している。このため、熱拡散板73および加熱プレート74は、モータ40の駆動により、図1に示す半導体ウェハーWの搬入・搬出位置と図2に示す半導体ウェハーWの熱処理位置との間を昇降することができる。
【0054】
図1に示す半導体ウェハーWの搬入・搬出位置は、図示しない搬送ロボットを使用して開口部66から搬入した半導体ウェハーWを支持ピン70上に載置し、あるいは、支持ピン70上に載置された半導体ウェハーWを開口部66から搬出することができるように、熱拡散板73および加熱プレート74が下降した位置である。この状態においては、支持ピン70の上端は、熱拡散板73および加熱プレート74に形成された貫通孔を通過し、熱拡散板73の表面より上方に突出する。
【0055】
一方、図2に示す半導体ウェハーWの熱処理位置は、半導体ウェハーWに対して熱処理を行うために、熱拡散板73および加熱プレート74が支持ピン70の上端より上方に上昇した位置である。熱拡散板73および加熱プレート74が図1の搬入・搬出位置から図2の熱処理位置に上昇する過程において、支持ピン70に載置された半導体ウェハーWは熱拡散板73によって受け取られ、その下面を熱拡散板73の表面に支持されて上昇し、チャンバー65内の透光板61に近接した位置に水平姿勢にて保持される。逆に、熱拡散板73および加熱プレート74が熱処理位置から搬入・搬出位置に下降する過程においては、熱拡散板73に支持された半導体ウェハーWは支持ピン70に受け渡される。
【0056】
半導体ウェハーWを支持する熱拡散板73および加熱プレート74が熱処理位置に上昇した状態においては、それらに保持された半導体ウェハーWと光源5との間に透光板61が位置することとなる。なお、このときの熱拡散板73と光源5との間の距離についてはモータ40の回転量を制御することにより任意の値に調整することが可能である。
【0057】
また、チャンバー65の底板62と移動板42との間には筒状体41の周囲を取り囲むようにしてチャンバー65を気密状体に維持するための伸縮自在の蛇腹77が配設されている。熱拡散板73および加熱プレート74が熱処理位置まで上昇したときには蛇腹77が収縮し、熱拡散板73および加熱プレート74が搬入・搬出位置まで下降したときには蛇腹77が伸長してチャンバー65内の雰囲気と外部雰囲気とを遮断する。
【0058】
チャンバー65における開口部66と反対側の側板63には、開閉弁80に連通接続された導入路78が形成されている。この導入路78は、チャンバー65内に処理に必要なガス、例えば不活性な窒素ガスを導入するためのものである。一方、側板64における開口部66には、開閉弁81に連通接続された排出路79が形成されている。この排出路79は、チャンバー65内の気体を排出するためのものであり、開閉弁81を介して図示しない排気手段と接続されている。
【0059】
<2.熱処理動作>
次に、本発明にかかる熱処理装置による半導体ウェハーWの熱処理動作について説明する。この熱処理装置において処理対象となる半導体ウェハーWは、イオン注入後の半導体ウェハーである。
【0060】
この熱処理装置においては、熱拡散板73および加熱プレート74が図1に示す半導体ウェハーWの搬入・搬出位置に配置された状態にて、図示しない搬送ロボットにより開口部66を介して半導体ウェハーWが搬入され、支持ピン70上に載置される。半導体ウェハーWの搬入が完了すれば、開口部66がゲートバルブ68により閉鎖される。しかる後、熱拡散板73および加熱プレート74がモータ40の駆動により図2に示す半導体ウェハーWの熱処理位置まで上昇し、半導体ウェハーWを水平姿勢にて保持する。また、開閉弁80および開閉弁81を開いてチャンバー65内に窒素ガスの気流を形成する。
【0061】
熱拡散板73および加熱プレート74は、加熱プレート74に内蔵されたヒータの作用により予め所定温度に加熱されている。このため、熱拡散板73および加熱プレート74が半導体ウェハーWの熱処理位置まで上昇した状態においては、半導体ウェハーWが加熱状態にある熱拡散板73と接触することにより予備加熱され、半導体ウェハーWの温度が次第に上昇する。
【0062】
この状態においては、半導体ウェハーWは熱拡散板73により継続して加熱される。そして、半導体ウェハーWの温度上昇時には、図示しない温度センサにより、半導体ウェハーWの表面温度が予備加熱温度T1に到達したか否かを常に監視する。
【0063】
なお、この予備加熱温度T1は、例えば200℃ないし600℃程度の温度である。半導体ウェハーWをこの程度の予備加熱温度T1まで加熱したとしても、半導体ウェハーWに打ち込まれたイオンが拡散してしまうことはない。
【0064】
やがて、半導体ウェハーWの表面温度が予備加熱温度T1に到達すると、フラッシュランプ69を点灯してフラッシュ加熱を行う。このフラッシュ加熱工程におけるフラッシュランプ69の点灯時間は、0.1ミリセカンドないし10ミリセカンド程度の時間である。このように、フラッシュランプ69においては、予め蓄えられていた静電エネルギーがこのように極めて短い光パルスに変換されることから、極めて強い閃光が照射されることになる。
【0065】
このようなフラッシュ加熱により、半導体ウェハーWの表面温度は瞬間的に温度T2に到達する。この温度T2は、1000℃ないし1100℃程度の半導体ウェハーWのイオン活性化処理に必要な温度である。半導体ウェハーWの表面がこのような処理温度T2にまで昇温されることにより、半導体ウェハーW中に打ち込まれたイオンが活性化される。
【0066】
このとき、半導体ウェハーWの表面温度が0.1ミリセカンドないし10ミリセカンド程度の極めて短い時間で処理温度T2まで昇温されることから、半導体ウェハーW中のイオン活性化は短時間で完了する。従って、半導体ウェハーWに打ち込まれたイオンが拡散することはなく、半導体ウェハーWに打ち込まれたイオンのプロファイルがなまるという現象の発生を防止することが可能となる。なお、イオン活性化に必要な時間はイオンの拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、0.1ミリセカンドないし10ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であってもイオン活性化は完了する。
【0067】
また、フラッシュランプ69を点灯して半導体ウェハーWを加熱する前に、加熱プレート74を使用して半導体ウェハーWの表面温度を200℃ないし600℃程度の予備加熱温度T1まで加熱していることから、フラッシュランプ69により半導体ウェハーWを1000℃ないし1100℃程度の処理温度T2まで速やかに昇温させることが可能となる。
【0068】
フラッシュ加熱工程が終了した後に、熱拡散板73および加熱プレート74がモータ40の駆動により図1に示す半導体ウェハーWの搬入・搬出位置まで下降するとともに、ゲートバルブ68により閉鎖されていた開口部66が解放される。熱拡散板73および加熱プレート74が下降することにより、熱拡散板73から支持ピン70に半導体ウェハーWが受け渡される。
【0069】
ところで上述のように、熱処理動作では、半導体ウェハーWをフラッシュランプ69によって加熱する前に、当該半導体ウェハーWを予め予備加熱温度T1まで予備加熱している。これにより、ステンレスによって形成された加熱プレート74の熱膨張率と、セラミックス等によって形成された熱拡散板73の熱膨張率との差異に起因して、各貫通孔35を構成する熱拡散板73の貫通孔35aと加熱プレート74の貫通孔35bとがズレる場合がある。
【0070】
図7は、熱拡散板付近の他の構成態様を示す側面図である。また、図8は、図7のA部(すなわち、貫通孔135付近)を拡大して表示する図である。図7に示すように、加熱プレート174の上面には位置決めピン31aは設けられておらず、また、熱拡散板173の下面には位置決め穴31bは設けられていない。そのため、本実施の形態の熱拡散板73および加熱プレート74のように熱膨張の原点がどこであるかを特定することができず、貫通孔135aが対応する貫通孔135bに対して相対的にどの方向に移動するか特定することができない。その結果、図8に示すように、貫通孔135aの側壁と支持ピン70の外周部とが接触し、場合によっては支持ピン70が折れるという問題が生じる。また同様に、貫通孔135bの側壁、または貫通孔135aおよび貫通孔135bの側壁と支持ピン70とが接触して支持ピン70が折れるという問題が生じる。
【0071】
一方、本実施の形態の熱拡散板73および加熱プレート74では、熱拡散板73および加熱プレート74の略中心部を原点として放射状に熱膨張が生ずるものと考えることができる。そのため、加熱プレート74の設定温度から容易に貫通孔35aおよび貫通孔35bの熱膨張量を計算して貫通孔35aおよび貫通孔35bの外周方向の長さを設定することができる。
【0072】
その結果、熱拡散板73(セラミックスにより形成)と加熱プレート74(ステンレスにより形成)との熱膨張率の差異が大きい場合であっても、貫通孔35aおよび貫通孔35bの側壁と支持ピン70とが接触することを容易に回避することができ、支持ピン70の折れの問題も発生しない。また、加工が容易なステンレスを加熱部に使用するが可能となり、基板処理装置全体としての装置コストを低減することができる。
【0073】
以上のように、複数の支持ピン70上に載置された半導体ウェハーWは、対応する貫通孔35の側壁と接触することなく良好に受渡し位置まで搬送される。そして、半導体ウェハーWが図示しない搬送ロボットにより搬出されることによって一連の熱処理動作が完了する。
【0074】
<3.基板処理装置の利点>
以上のように、本実施の形態の基板処理装置では、位置決め穴31bと位置決めピン31aとを係合させるとともに、複数の回転防止穴32bと当該回転防止穴32bに対応する回転防止ピン32aとを係合させることにより、熱拡散板73の略中心部と加熱プレート74の略中心部とを一致させて、熱拡散板73を加熱プレート74に固定することができる。そのため、熱拡散板73および加熱プレート74の熱膨張は、それぞれの略中心部を原点として放射状に外周部に向かって熱膨張すると考えることができ、熱拡散板73および加熱プレート74の熱膨張量は、それぞれの略中心部を基準点(原点)として熱膨張量の計算を行うことが可能となる。そのため、熱膨張を考慮に入れた貫通孔35aおよび貫通孔35bの外周方向の長さを容易に設定することができ、支持ピン70の折れの問題を防止することができる。
【0075】
また、位置決めピン31aおよび複数の回転防止ピン32aは先細り形状を有する。これにより、熱拡散板73と加熱プレート74との間に存在する空気が熱膨張・熱収縮することによって加熱プレート74に対して熱拡散板73が吸着した場合であっても、熱拡散板73の外周部39から略水平方向の力を与えることによって容易に熱拡散板73を加熱プレート74に対して斜め上方向に移動することをができる。そのため、熱拡散板73が吸着した場合であっても加熱プレート74から容易に脱着することができ、熱拡散板73を容易に交換することができる。
【0076】
<4.変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
【0077】
(1)本実施の形態において、位置決めピン31aの形状は、略半球の形状を有しているが、これに限定されるものでなく、加熱プレート74の上面付近から先端部に向けて滑らかに細くなる先細り形状を有するものであれば、例えば、略円錐台であってもよい。
【0078】
(2)また、位置決めピン31aは、略球状の部材を加熱プレート74の上面に埋め込むことにより形成されているが、これに限定されるものでなく、例えば、加熱プレート74の上面を打ち出し加工することによって形成してもよい。
【0079】
(3)本実施の形態において、位置決め穴31bおよび複数の回転防止穴32bを熱拡散板73の下面に、また、位置決めピン31aおよび複数の回転防止ピン32aを加熱プレート74の上面にそれぞれ設けているがこれに限定されるものでなく、例えば、位置決め穴31bおよび回転防止穴32bを加熱プレート74に設け、位置決めピン31aおよび回転防止ピン32aを熱拡散板73に設けてもよい。また、位置決め穴31bおよび回転防止ピン32aを熱拡散板73に設け、位置決めピン31aおよび回転防止穴32bを加熱プレート74に設けてもよい。さらに、位置決め穴31bおよび回転防止ピン32aを加熱プレート74に設け、位置決めピン31aおよび回転防止穴32bを熱拡散板73に設けてもよい。
【0080】
(4)また、本実施の形態において、熱拡散板73および加熱プレート74は、フラッシュランプ69によって基板に熱処理を行う際に、予め半導体ウェハーWを加熱する予備加熱に使用しているが、これに限定されるものでなく、例えば、気相中での化学反応により半導体ウェハーW上に薄膜を形成する成膜装置の加熱部として使用してもよい。
【0081】
【発明の効果】
請求項1から請求項8に記載の発明によれば、突起部が先細り形状を有することにより、支持部に対して基板保持部が吸着した場合であっても、支持部の対向する面に沿って基板保持部をずらすことにより、突起部と穴部との係合を解くことができる。そのため、支持部から基板保持部を容易に脱着することができる。
【0082】
特に、請求項2に記載の発明によれば、突起部の形状は略半球状であるため、容易に突起部と穴部との係合を解くことができる。その結果、支持部から基板保持部をさらに容易に脱着することができる。
【0083】
特に、請求項3に記載の発明によれば、支持部を加熱することによって支持部と基板保持部との間に存在する空気が膨張収縮して支持部に対して基板保持部が吸着した場合であっても、支持部の対向する面に沿って基板保持部をずらすことにより、容易に突起部と穴部との係合を解くことができる。そのため、支持部から基板保持部を容易に脱着することができる。
【0084】
特に、請求項4に記載の発明によれば、突起部の設けられた加熱部から基板保持部を容易に脱着することができる。
【0085】
特に、請求項5に記載の発明によれば、基板保持部と加熱部とが異なる材質によって形成されており、それぞれの熱膨張率が相違する場合であっても、加熱部から基板保持部を容易に脱着することができる。
【0086】
特に、請求項6に記載の発明によれば、基板保持部はセラミックスによって、加熱部はステンレスによって形成されており、それぞれの熱膨張率が異なる場合であっても、加熱部から基板保持部を容易に脱着することができる。
【0087】
特に、請求項7に記載の発明によれば、基板保持部および支持部とを貫通する複数の貫通孔に支持ピンが挿通されている場合であっても、当該支持ピンを破損することなく支持部から基板保持部を容易に脱着することができる。
【0088】
特に、請求項8に記載の発明によれば、基板保持部および支持部を加熱した場合、複数の貫通孔は、基板保持部の略中心部から外周方向に向かって熱膨張することになる。したがって、長孔状に形成された各貫通孔の当該外周方向の長さを適切に定めることにより、貫通孔と対応する支持ピンとが接触することを防止することができるため、当該支持ピンが折れることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる基板処理装置の構成を示す側断面図である。
【図2】本発明にかかる基板処理装置の構成を示す側断面図である。
【図3】本発明にかかる基板処理装置の熱拡散板を裏面から見た図である。
【図4】本発明にかかる基板処理装置の加熱プレートを上面から見た図である。
【図5】図3の熱拡散板と図4の加熱プレートとをV−V線から見た断面を示す図である。
【図6】本発明にかかる基板処理装置の熱拡散板付近の構成の一例を示す側断面図である。
【図7】図1に示す基板処理装置の熱拡散板付近の他の構成態様を示す側断面図である。
【図8】図7のA部を拡大して示す図である。
【符号の説明】
5 光源
31a 位置決めピン
32a 回転防止ピン
31b 位置決め穴
32b 回転防止穴
35、35a、35b、135、135a、135b 貫通孔
40 モータ
65 チャンバー
69 フラッシュランプ
70 支持ピン
71 リフレクタ
73 熱拡散板
74 加熱プレート
W 半導体ウェハー
Claims (8)
- 基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
(a) 基板を略水平姿勢にて保持する基板保持部と、
(b) 前記基板保持部に積み重ねて配置され、前記基板保持部を支持する支持部と、
を備え、
前記基板保持部と前記支持部の対向面上には、先端に向かって細くなる先細り形状を有する突起部と、
前記突起部に係合する穴部と、
を有し、
前記穴部に前記突起部を係合させることによって前記支持部に前記基板保持部を支持することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記突起部の形状は、略半球状であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記支持部は、前記基板保持部を加熱する加熱部であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記突起部は、前記加熱部に設けてあることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記基板保持部と前記加熱部とは異なる材質によって形成されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項5に記載の基板処理装置であって、
前記基板保持部はセラミックスによって形成され、前記加熱部はステンレスによって形成されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記基板保持部と前記支持部は、前記基板保持部と前記支持部とを貫通し、対応する支持ピンが挿通される複数の貫通孔を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項7に記載の基板処理装置であって、
前記貫通孔は、前記基板保持部の略中心部から放射状に伸びる長孔状に形成されていることを特徴とする基板処理装置。
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-
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