JP2004250431A - 有機金属化合物及びその合成方法並びに該化合物を含む溶液原料、金属含有薄膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の有機金属化合物は金属原子と窒素原子との結合又は半金属原子と窒素原子との結合を有する化合物であり、この化合物中に含まれる塩素の含有量が200ppm以下、かつ水の含有量が30ppm以下であることを特徴とする。またこの化合物の一般式は次の式(1)で示される。
【化6】
但し、Mは金属原子又は半金属原子であって、金属原子がHf、Zr、Ta、Ti、Ce、Al、V、La、Nb又はNiであり、半金属原子がSiであり、R1はメチル基又はエチル基であり、R2はエチル基であり、nはMの価数であり、sは0〜n−1の整数である。
【選択図】図1
Description
しかしプラズマCVD法により形成されるSiN系絶縁膜の段差被覆性は、半導体装置の微細化や多層配線化に伴う基板の表面段差の増大に対応できず、ボイドが形成されたり、クラックが発生し易くなっていた。
そのためシリコン酸化膜に代わるゲート絶縁膜が要望されており、候補としてHf含有薄膜、具体的にはHfO2やHfO2-SiO2等が注目されている。これら薄膜の製造方法としては、スパッタリング、イオンプレーティング、塗布熱分解、ゾルゲル等のMODが挙げられるが、組成制御性、段差被覆性に優れること、半導体製造プロセスとの整合性等からMOCVD法が最適な薄膜製造プロセスとして検討されている。
本発明の目的は、気化安定性を向上し得る、有機金属化合物及びその合成方法並びに該化合物を含む溶液原料、金属含有薄膜を提供することにある。
請求項1に係る発明では、化合物中の塩素と水の含有量を上記範囲内にそれぞれ規定することにより、塩素と水とがそれぞれ上記範囲以上含まれる場合に形成される沈殿物や、化合物内に塩素と水の双方が上記範囲以上含有した場合に形成される架橋した化合物の発生を抑制するため、この有機金属化合物を用いて成膜すると気化安定性を向上することができる。
請求項3に係る発明では、化合物の金属がHf原子であるとき、上記範囲内に不純物含有量を規定することで気化安定性が向上する。
請求項4に係る発明では、化合物の金属がSi原子であるとき、上記範囲内に不純物含有量を規定することで気化安定性が向上する。
請求項5に係る発明では、不純物除去工程13を更に含むことにより、精製物に含まれる塩素と水の含有量を所定の割合にまで低下させることができる。この塩素と水が有機金属化合物に含まれていると、沈殿物を形成したり、架橋した化合物を形成したりするため、気化安定性の低下に繋がる。
請求項7に係る発明は、請求項5又は6に係る発明であって、精製物中より取除く不純物が塩素及び水である合成方法である。
請求項8に係る発明では、有機溶媒に含まれる水分含有量が30ppm以下に規定することで精製物中の水の含有量を所定の割合にまで低減できる。
請求項10に係る発明は、請求項6に係る発明であって、耐圧カラムが直径10cm〜20cm、高さ30cm〜50cmのガラス製カラムである合成方法である。
請求項11に係る発明は、請求項9又は10に係る発明であって、耐圧ガラスカラムにカラム充填剤を500g〜1000g充填する合成方法である。
請求項12に係る発明は、請求項請求項5ないし11いずれか1項に係る発明であって、加圧ガスがArガスであって、加圧ガスのガス圧が1kg〜2kgであり、カラム流速が空間速度(SV値)で2〜4cm/minである合成方法である。
請求項14に係る発明は、請求項5に係る発明であって、アミノリチウムがn-ブチルリチウムにジメチルアミン又はジエチルアミンを反応させることにより得られる合成方法である。
請求項16に係る発明は、請求項5又は13に係る発明であって、金属含有化合物がSiCl4であるとき、得られる有機金属化合物がテトラキス(ジメチルアミノ)シラン(以下、Si(DMA)4という。)又はテトラキス(ジエチルアミノ)シラン(以下、Si(DEA)4という。)である合成方法である。
請求項18に係る発明は、請求項17に係る発明であって、有機溶媒がn-アルカン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサン、シクロアルカン及び分岐状アルカンからなる群より選ばれた1種又は2種以上の化合物である溶液原料である。
請求項17又は18に係る発明では、本発明の有機金属化合物を有機溶媒に溶解した溶液原料は、気化安定性に優れる。
請求項19に係る発明では、本発明の有機金属化合物又は溶液原料を用いることで、高い成膜速度で成膜でき、かつ段差被覆性に優れた金属含有薄膜を成膜することができる。
このように、化合物中の塩素と水の含有量を上記範囲内にそれぞれ規定することにより、塩素と水とがそれぞれ上記範囲以上含まれる場合に形成される沈殿物や、化合物内に塩素と水の双方が上記範囲以上含有した場合に形成される架橋した化合物の発生を抑制するため、この有機金属化合物を用いて成膜すると気化安定性を向上することができる。
本発明の有機金属化合物は、金属原子と窒素原子との結合又は半金属原子と窒素原子との結合を有する化合物の改良であり、その特徴ある構成は、化合物中に含まれる塩素の含有量が200ppm以下、かつ水の含有量が30ppm以下であるところにある。有機金属化合物中の塩素と水の含有量を上記範囲内にそれぞれ規定することにより、塩素か水のどちらかが所定量含まれる場合に形成される沈殿物や、塩素と水がともに所定量含まれる場合に形成される架橋化合物を抑制することができるため、この有機金属化合物を用いて成膜すると気化安定性が向上する。本発明の有機金属化合物の一般式は次の式(1)で示される。
具体的には、上記一般式のMがHfであるとき、化合物中に含まれる塩素の含有量が200ppm以下、かつ水の含有量が30ppm以下にそれぞれ規定することで気化安定性が向上する。また上記一般式のMがSiであるとき、化合物中に含まれる塩素の含有量が1ppm以下、かつ水の含有量が30ppm以下にそれぞれ規定することで気化安定性が向上する。
先ず図1に示すように、n-ブチルリチウムにジメチルアミン又はジエチルアミンを反応させることにより、アミノリチウムを得る(工程10)。次の式(2)にn-ブチルリチウムとジエチルアミンとの反応式を示す。
このように単に蒸留精製しただけの上記数値範囲内の塩素と水が含まれている有機金属化合物を用いて成膜した場合、成膜した膜に塩素が取り込まれてしまい、リークし易い膜を形成してしまう問題があった。また成膜装置の配管が閉塞したり、気化器が塩素により汚染するため気化が安定しなくなる問題があった。
この不純物除去工程13では、図2に示すようなフラッシュクロマトグラフィー装置20により行われる。この装置20は耐圧カラム21と、このカラム21下部に設けられた排出口21aに三角フラスコ23の中央の開口部23aが接続されて構成される。耐圧カラム21には直径10cm〜20cm、高さ30cm〜50cmのガラス製カラムが選択される。耐圧カラム21の上方には上蓋21bが設けられ、この上蓋21bの頂部にはガス導入口21cが設けられる。耐圧カラム21内部には展開溶媒に充填剤を添加して調製したスラリーを充填してカラム内部に充填層22が形成される。展開溶媒には、n-アルカン、ジエチルエーテル及びジクロロメタンからなる群より選ばれた1種又は2種以上の有機溶媒が用いられ、この有機溶媒に含まれる水分含有量は30ppm以下に規定される。カラム充填剤には平均粒子径が0.3μm〜0.5μm、粒度分布幅d90/d10が0.8〜1.2のSiO2粒子、Al2O3粒子、ZrO2粒子、TiO2粒子及びHfO2粒子からなる群より選ばれた1種又は2種以上が含まれる。好ましいカラム充填剤としては、平均粒子径が0.4μm〜0.45μm、粒度分布幅d90/d10が0.90〜1.0の粒子が挙げられる。具体的にはカラム充填剤を500g〜1000g充填することでカラム内部に充填層22を形成する。三角フラスコ23は、残りの開口部の一方23bよりArガスがフラスコ内部に注入され、残りの開口部の他方23cより排出することで三角フラスコ23の内部を不活性雰囲気に保持している。
次にカラム21の上蓋21bを閉じて、上蓋21b頂部のガス導入口21cよりカラム内部へ所定の流量で加圧ガスを供給する。この加圧ガスにより精製物は充填層22内を通過する。精製物が充填層22を通過する際に精製物中に含まれる不純物は充填剤に吸着される。加圧ガスにはArガスが使用される。この加圧ガスのガス圧は1kg〜2kgに規定され、カラム流速が空間速度(SV値)で2〜4cm/minとなるように、充填層22内に精製物を通過させる。この不純物除去工程13により精製物から塩素を含む化合物と水とが取除かれる。このようにして得られた有機金属化合物中に含まれる塩素の含有量は200ppm以下、水の含有量は30ppm以下になる。
この装置では、N2、He、Ar等の不活性ガスからなるキャリアガスがキャリアガス導入管41から原料容器38内に導入され、原料容器38に貯蔵されている溶液原料を供給管42により気化器46に搬送する。気化器46で気化されて蒸気となった有機Hf化合物は、更にキャリアガス導入管48から気化器46へ導入されたキャリアガスにより配管47を経て成膜室30内に供給される。成膜室30内において、有機Hf化合物の蒸気を熱分解させ、O2ガス導入管57より成膜室30内に導入されるO2ガスと反応させることにより、生成したHfO2を加熱された基板33上に堆積させてHfO2薄膜を形成する。
このように本発明の有機金属化合物又は溶液原料を用いて成膜した金属含有薄膜は、高い成膜速度により作製でき、段差被覆性に優れた薄膜となる。
<実施例1>
先ずn-ブチルリチウムとジメチルアミンからジメチルアミノリチウムを合成した。次いで、金属含有化合物としてHfCl4を用い、このHfCl4に対して4倍モル量のジメチルアミノリチウムを加え、この溶液を氷冷して30分間反応させることにより粗生成物を得た。次に粗生成物を室温に戻した後、100℃、3.99kPa(30Torr)で減圧蒸留精製を行うことにより精製物を得た。
得られた精製物を図2に示すフラッシュクロマトグラフィー装置のカラム充填層に通過させることにより精製物に含まれる不純物を除去した。得られた液体の同定は元素分析、質量分析により行った。元素分析の結果では、Hf=50.28%、C=27.05%、H=6.76%、N=15.78%であった。質量分析では分子イオンピークがm/e=356として観測された。上記分析結果より得られた結晶はHf(DMA)4であると同定された。燃焼法によりHf(DMA)4に含まれる塩素の含有量を測定したところ200ppmであった。またカールフィッシャー法によりHf(DMA)4に含まれる水の含有量を測定したところ30ppmであった。このHf(DMA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるn-オクタンに溶解して溶液原料を調製した。
DMAの代わりにDEAを用いた以外は実施例1と同様にして合成を行い、Hf(DEA)4を得た。このHf(DEA)4の塩素含有量は200ppmであり、水含有量は30ppmであった。このHf(DEA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるシクロヘキサンに溶解して溶液原料を調製した。
実施例1で得られた精製物に不純物除去工程を施さずにHf(DMA)4を得た。このHf(DMA)4の塩素含有量は15000ppmであり、水含有量は600ppmであった。このHf(DMA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるシクロヘキサンに溶解して溶液原料を調製した。
<比較例2>
実施例1で得られた精製物に再度減圧蒸留工程を施してHf(DMA)4を得た。このHf(DMA)4の塩素含有量は250ppmであり、水含有量は30ppmであった。このHf(DMA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるシクロヘキサンに溶解して溶液原料を調製した。
<比較例3>
実施例1で得られた精製物に更に2度減圧蒸留工程を施してHf(DMA)4を得た。このHf(DMA)4の塩素含有量は200ppmであり、水含有量は50ppmであった。このHf(DMA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるシクロヘキサンに溶解して溶液原料を調製した。
実施例2で得られた精製物に不純物除去工程を施さずにHf(DEA)4を得た。このHf(DEA)4の塩素含有量は20000ppmであり、水含有量は500ppmであった。このHf(DEA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるシクロヘキサンに溶解して溶液原料を調製した。
<比較例5>
実施例2で得られた精製物に再度減圧蒸留工程を施してHf(DEA)4を得た。このHf(DEA)4の塩素含有量は250ppmであり、水含有量は30ppmであった。このHf(DEA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるシクロヘキサンに溶解して溶液原料を調製した。
<比較例6>
実施例2で得られた精製物に更に2度減圧蒸留工程を施してHf(DEA)4を得た。このHf(DEA)4の塩素含有量は200ppmであり、水含有量は50ppmであった。このHf(DEA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるシクロヘキサンに溶解して溶液原料を調製した。
実施例1、2及び比較例1〜6でそれぞれ得られた有機Hf化合物の溶液原料を用いて次のような試験を行った。
先ず、基板として基板表面にSiO2膜(厚さ5000Å)を形成したシリコン基板を6枚ずつ用意し、基板を図3に示す溶液気化CVD法を用いたMOCVD装置の成膜室に設置した。次いで、基板温度を200℃、気化温度を140℃、圧力を約266Pa(2torr)にそれぞれ設定した。反応ガスとしてO2ガスを用い、その分圧を100ccmとした。次に、キャリアガスとしてArガスを用い、溶液原料を0.05cc/分の割合でそれぞれ供給し、成膜時間が30秒、1分、2分、3分、5分及び8分となったときにそれぞれ1枚ずつ成膜室より取出し、成膜を終えた基板上のHfO2薄膜を断面SEM(走査型電子顕微鏡)像から膜厚を測定した。得られた成膜時間あたりの膜厚結果を表1にそれぞれ示す。
金属含有化合物としてSiCl4を用いた以外は実施例1と同様にして合成を行い、Si(DMA)4を得た。このSi(DMA)4の塩素含有量は1ppmであり、水含有量は30ppmであった。このSi(DMA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるシクロヘキサンに溶解して溶液原料を調製した。
DMAの代わりにDEAを用いた以外は実施例3と同様にして合成を行い、Si(DEA)4を得た。このSi(DEA)4の塩素含有量は1ppmであり、水含有量は30ppmであった。このSi(DEA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるシクロヘキサンに溶解して溶液原料を調製した。
実施例3で得られた精製物に不純物除去工程を施さずにSi(DMA)4を得た。このSi(DMA)4の塩素含有量は15000ppmであり、水含有量は450ppmであった。このSi(DMA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるテトラヒドロフランに溶解して溶液原料を調製した。
<比較例8>
実施例3で得られた精製物に再度減圧蒸留工程を施してSi(DMA)4を得た。このSi(DMA)4の塩素含有量は250ppmであり、水含有量は30ppmであった。このSi(DMA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるテトラヒドロフランに溶解して溶液原料を調製した。
<比較例9>
実施例3で得られた精製物に更に2度減圧蒸留工程を施してSi(DMA)4を得た。このSi(DMA)4の塩素含有量は200ppmであり、水含有量は50ppmであった。このSi(DMA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるテトラヒドロフランに溶解して溶液原料を調製した。
実施例4で得られた精製物に不純物除去工程を施さずにSi(DEA)4を得た。このSi(DEA)4の塩素含有量は20000ppmであり、水含有量は500ppmであった。このSi(DEA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるテトラヒドロフランに溶解して溶液原料を調製した。
<比較例11>
実施例4で得られた精製物に再度減圧蒸留工程を施してSi(DEA)4を得た。このSi(DEA)4の塩素含有量は250ppmであり、水含有量は30ppmであった。このSi(DEA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるテトラヒドロフランに溶解して溶液原料を調製した。
<比較例12>
実施例4で得られた精製物に更に2度減圧蒸留工程を施してSi(DEA)4を得た。このSi(DEA)4の塩素含有量は200ppmであり、水含有量は50ppmであった。このSi(DEA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるテトラヒドロフランに溶解して溶液原料を調製した。
実施例3、4及び比較例7〜12でそれぞれ得られた有機Si化合物の溶液原料を用いて次のような試験を行った。
先ず、基板として基板表面にSiO2膜(厚さ5000Å)を形成したシリコン基板を6枚ずつ用意し、基板を図3に示す溶液気化CVD法を用いたMOCVD装置の成膜室に設置した。次いで、基板温度を200℃、気化温度を140℃、圧力を約266Pa(2torr)にそれぞれ設定した。反応ガスとしてNH3ガスを用い、その分圧を100ccmとした。次に、キャリアガスとしてArガスを用い、溶液原料を0.05cc/分の割合でそれぞれ供給し、成膜時間が30秒、1分、2分、3分、5分及び8分となったときにそれぞれ1枚ずつ成膜室より取出し、成膜を終えた基板上のSi3N4薄膜を断面SEM(走査型電子顕微鏡)像から膜厚を測定した。得られた成膜時間あたりの膜厚結果を表2にそれぞれ示す。
金属含有化合物としてZrCl4を用いた以外は実施例1と同様にして合成を行い、Zr(DMA)4を得た。このZr(DMA)4の塩素含有量は200ppmであり、水含有量は30ppmであった。このZr(DMA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるn-オクタンに溶解して溶液原料を調製した。
DMAの代わりにDEAを用いた以外は実施例3と同様にして合成を行い、Zr(DEA)4を得た。このZr(DEA)4の塩素含有量は200ppmであり、水含有量は30ppmであった。このZr(DEA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるシクロヘキサンに溶解して溶液原料を調製した。
実施例5で得られた精製物に不純物除去工程を施さずにZr(DMA)4を得た。このZr(DMA)4の塩素含有量は15000ppmであり、水含有量は600ppmであった。このZr(DMA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるシクロヘキサンに溶解して溶液原料を調製した。
<比較例14>
実施例5で得られた精製物に再度減圧蒸留工程を施してZr(DMA)4を得た。このZr(DMA)4の塩素含有量は250ppmであり、水含有量は30ppmであった。このZr(DMA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるシクロヘキサンに溶解して溶液原料を調製した。
<比較例15>
実施例5で得られた精製物に更に2度減圧蒸留工程を施してZr(DMA)4を得た。このZr(DMA)4の塩素含有量は200ppmであり、水含有量は50ppmであった。このZr(DMA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるシクロヘキサンに溶解して溶液原料を調製した。
実施例6で得られた精製物に不純物除去工程を施さずにZr(DEA)4を得た。このZr(DEA)4の塩素含有量は20000ppmであり、水含有量は500ppmであった。このZr(DEA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるシクロヘキサンに溶解して溶液原料を調製した。
<比較例17>
実施例6で得られた精製物に再度減圧蒸留工程を施してZr(DEA)4を得た。このZr(DEA)4の塩素含有量は250ppmであり、水含有量は30ppmであった。このZr(DEA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるシクロヘキサンに溶解して溶液原料を調製した。
<比較例18>
実施例6で得られた精製物に更に2度減圧蒸留工程を施してZr(DEA)4を得た。このZr(DEA)4の塩素含有量は200ppmであり、水含有量は50ppmであった。このZr(DEA)4の濃度が1.0モル濃度となるように有機溶媒であるシクロヘキサンに溶解して溶液原料を調製した。
実施例5、6及び比較例13〜18でそれぞれ得られた有機Zr化合物の溶液原料を用いて次のような試験を行った。
先ず、基板として基板表面にSiO2膜(厚さ5000Å)を形成したシリコン基板を6枚ずつ用意し、基板を図3に示す溶液気化CVD法を用いたMOCVD装置の成膜室に設置した。次いで、基板温度を200℃、気化温度を140℃、圧力を約266Pa(2torr)にそれぞれ設定した。反応ガスとしてO2ガスを用い、その分圧を100ccmとした。次に、キャリアガスとしてArガスを用い、溶液原料を0.05cc/分の割合でそれぞれ供給し、成膜時間が30秒、1分、2分、3分、5分及び8分となったときにそれぞれ1枚ずつ成膜室より取出し、成膜を終えた基板上のZrO2薄膜を断面SEM(走査型電子顕微鏡)像から膜厚を測定した。得られた成膜時間あたりの膜厚結果を表3にそれぞれ示す。
Claims (19)
- 金属原子と窒素原子との結合又は半金属原子と窒素原子との結合を有する有機金属化合物において、
前記化合物中に含まれる塩素の含有量が200ppm以下、かつ水の含有量が30ppm以下であることを特徴とする有機金属化合物。 - Mがハフニウムであるとき、化合物中に含まれる塩素の含有量が200ppm以下、かつ水の含有量が30ppm以下である請求項1又は2記載の有機金属化合物。
- Mがシリコンであるとき、化合物中に含まれる塩素の含有量が1ppm以下、かつ水の含有量が30ppm以下である請求項1又は2記載の有機金属化合物。
- 金属含有化合物とアミノリチウムを用いて有機金属化合物の粗生成物を得る工程(11)と、
前記粗生成物を減圧状態で蒸留させて前記化合物の精製物を得る減圧蒸留工程(12)と
を含む有機金属化合物の合成方法において、
前記減圧蒸留工程(12)の後に、フラッシュクロマトグラフィー法を用いて前記精製物中に含まれる不純物を取除く不純物除去工程(13)を更に含む
ことを特徴とする有機金属化合物の合成方法。 - 不純物除去工程(13)が展開溶媒に充填剤を添加して調製したスラリーを耐圧のカラムに充填して前記カラム内部に充填層を形成する工程と、
前記充填層の上部より精製物を注入する工程と、
前記カラム上部よりカラム内部へ所定の流量で加圧ガスを供給することにより前記充填層内に前記精製物を通過させて、前記精製物中に含まれる不純物を前記充填層内に吸着させる工程と
をそれぞれ含む請求項5記載の合成方法。 - 精製物中より取除く不純物が塩素及び水である請求項5又は6記載の合成方法。
- 展開溶媒がn-アルカン、ジエチルエーテル及びジクロロメタンからなる群より選ばれた1種又は2種以上の有機溶媒であって、前記有機溶媒に含まれる水分含有量が30ppm以下である請求項6記載の合成方法。
- カラム充填剤は平均粒子径が0.3μm〜0.5μm、粒度分布幅d90/d10が0.8〜1.2のSiO2粒子、Al2O3粒子、ZrO2粒子、TiO2粒子及びHfO2粒子からなる群より選ばれた1種又は2種以上を含む請求項6記載の合成方法。
- 耐圧カラムが直径10cm〜20cm、高さ30cm〜50cmのガラス製カラムである請求項6記載の合成方法。
- 耐圧ガラスカラムにカラム充填剤を500g〜1000g充填する請求項9又は10記載の合成方法。
- 加圧ガスがArガスであって、前記加圧ガスのガス圧が1kg〜2kgであり、カラム流速が空間速度(SV値)で2〜4cm/minである請求項5ないし11いずれか1項に記載の合成方法。
- 金属含有化合物が塩化ハフニウム、塩化ジルコニウム、塩化タンタル、塩化チタン、塩化セリウム、塩化バナジウム、塩化ランタン、塩化ニオブ、塩化ニッケル又は四塩化シランである請求項5記載の合成方法。
- アミノリチウムがn-ブチルリチウムにジメチルアミン又はジエチルアミンを反応させることにより得られる請求項5記載の合成方法。
- 金属含有化合物が塩化ハフニウムであるとき、得られる有機金属化合物がテトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム又はテトラキス(ジエチルアミノ)ハフニウムである請求項5又は13記載の合成方法。
- 金属含有化合物が塩化シランであるとき、得られる有機金属化合物がテトラキス(ジメチルアミノ)シラン又はテトラキス(ジエチルアミノ)シランである請求項5又は13記載の合成方法。
- 請求項1ないし4いずれか1項に記載の有機金属化合物又は請求項5ないし16いずれか1項に記載の合成方法により得られた有機金属化合物を有機溶媒に溶解したことを特徴とする有機金属化合物を含む溶液原料。
- 有機溶媒がn-アルカン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサン、シクロアルカン及び分岐状アルカンからなる群より選ばれた1種又は2種以上の化合物である請求項17記載の溶液原料。
- 請求項1ないし4いずれか1項に記載の有機金属化合物、請求項5ないし16いずれか1項に記載の合成方法により得られた有機金属化合物、又は請求項17又は18記載の溶液原料を用いて有機金属化学蒸着法により作製された金属含有薄膜。
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