JP2004247396A - 半導体装置の実装構造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置S1は、ヒートシンク10一面11に搭載された半導体チップ20とリード30とをワイヤ40で電気的に接続したものをモールド樹脂50にて封止するとともに、ヒートシンク10の他面12がモールド樹脂50から露出している。半導体装置S1は、リード30がプリント基板100に接続された状態でプリント基板100に搭載されており、ヒートシンク10は、その他面12の周辺部である出っ張り部13のみにてプリント基板100に対してはんだ等の接続部材70を介して接続されている。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ヒートシンクの一面に搭載された半導体チップをリードと電気的に接続するとともにこれらヒートシンク、半導体チップおよびリードを樹脂でモールドしてなる半導体装置を備え、リードおよびヒートシンクが基板に接続された状態で半導体装置が基板に搭載されてなる半導体装置の実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子装置の小型化・高集積化に伴い、1デバイス当たりの発熱量が増大し、熱設計が問題となっている。そこで、半導体チップの熱をヒートシンクで放熱させる半導体装置が提案されている(例えば、特許文献1、2参照)。
【0003】
このようなヒートシンクを有する半導体装置の基板への実装構造について一般的な断面構成を図4に示す。
【0004】
この半導体装置においては、ヒートシンク10の一面11に半導体チップ20が搭載されており、半導体チップ20とリード30とがワイヤ40を介して電気的に接続されている。そして、ヒートシンク10、半導体チップ20およびリード30がモールド樹脂50によって包み込まれるように封止されている。
【0005】
ここで、ヒートシンク10における一面11、すなわちチップ搭載面とは反対側の他面12が、モールド樹脂50から露出した形となっており、半導体チップ20の熱はヒートシンク10の他面12から外部へ放熱可能となっている。
【0006】
そして、このような半導体装置は、図4に示すように、モールド樹脂50から露出するリード30をプリント基板100にはんだ60を介して接続した状態で、プリント基板100に搭載される。
【0007】
このような半導体装置においては、半導体チップ20からの熱は、モールド樹脂50から露出するヒートシンク10の他面12から外部に放熱される。特に、図4に示すように、ヒートシンク10の他面12をはんだや接着剤またはゲル等からなる接続部材70を介してプリント基板100に接続すれば、より放熱性が向上する。
【0008】
従来では、図4に示すように、ヒートシンク10の他面12の全域に接続部材70を配設し、プリント基板100に接続している。また、この接続部材70の配設形態としては、図5に示すように、ヒートシンク10の他面12の全域において、接続部材70をストライプ状に配設する方法も行われている。図5では、接続部材70は、図中の紙面垂直方向に延びるストライプ状に配設されている。
【0009】
【特許文献1】
特開平5−82672号公報
【0010】
【特許文献2】
特開平8−130273号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来では、上記図4や図5に示したように、ヒートシンク10の他面12とプリント基板100との間において、ヒートシンク10の他面12全域に渡って接続部材70を配設しているため、ヒートシンク10の他面12に対面するプリント基板100の領域には配線を形成することができなかった。
【0012】
そこで、本発明は上記問題に鑑み、ヒートシンクを有する半導体装置を基板へ実装するにあたって、半導体装置におけるヒートシンクの基板への接合面積を低減することで、ヒートシンク下部における基板の配線形成領域を広くすることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、ヒートシンク(10)と、ヒートシンクの一面(11)に搭載された半導体チップ(20)と、半導体チップと電気的に接続されたリード(30)と、ヒートシンク、半導体チップおよびリードを包み込むように封止するモールド樹脂(50)とを有し、ヒートシンクにおける一面とは反対側の他面(12)がモールド樹脂から露出している半導体装置(S1)を備えており、モールド樹脂から露出するリードが基板(100)に接続された状態で半導体装置が基板に搭載されてなる半導体装置の実装構造において、ヒートシンクは、その他面の周辺部(13、14)のみにて基板に対して接続部材(70)を介して接続されていることを特徴とする。
【0014】
それによれば、ヒートシンクは熱伝導性に優れているため、半導体チップの熱はヒートシンクの全体に拡がる。そして、ヒートシンク全体に拡がった熱はヒートシンクの周辺部から接続部材を介して基板へ効率よく逃がすことができるため、放熱性は十分に確保することが可能である。
【0015】
また、ヒートシンクの中央部には接続部材が配設されないので、ヒートシンクの中央部に対向する基板の部分においては配線を形成することができる。
【0016】
よって、本発明によれば、半導体装置におけるヒートシンクの基板への接合面積を低減することができ、それによって、ヒートシンク下部における基板の配線形成領域を広くすることができる。
【0017】
ここで、請求項2に記載の発明のように、ヒートシンク(10)の他面(12)のうち接続部材(70)を介して基板(100)と接続されている部分(13、14)の面積が、当該ヒートシンクの他面の全面積の10%以上であることが好ましい。
【0018】
本発明者の検討によれば、ヒートシンクの他面のうち接続部材を介した基板接続部分の面積を、当該他面の全面積の10%以上とすることで、十分な放熱性を確保できることが確認されている。
【0019】
また、請求項3に記載の発明では、ヒートシンク(10)の他面(12)における周辺部(13)には、ヒートシンクの中央部よりも当該他面から突出した突出部(14)が形成されており、この突出部の先端面は、モールド樹脂(50)から露出するとともに、接続部材(70)を介して基板(100)に接続されていることを特徴とする。
【0020】
ヒートシンクは一般に電気伝導性を有するが、本発明によれば、ヒートシンクの他面における中央部は、周辺部の突出部よりも凹んだ部分となるのでモールド樹脂の内部に位置させることができる。
【0021】
そのため、ヒートシンクの他面における中央部と対面するプリント基板の部分に、電気伝導体を形成してもヒートシンクと短絡する可能性が少なくなり、好ましい。
【0022】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。なお、以下の各実施形態相互において同一の部分には、図中、同一符号を付してある。また、各平面図には、識別化のため便宜上ハッチングを施してあるが、断面を示すものではない。
【0024】
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置S1の実装構造の概略構成を示す図であり、(a)は断面図、(b)は(a)中の下方から見た半導体装置S1の平面構成図である。まず、半導体装置S1について述べる。
【0025】
ヒートシンク10は、Cu、Al、Fe等の熱伝導性の良い金属材料をプレスや切削加工によって板形状としたものである。本例のヒートシンク10は、その両端に出っ張り部13が形成された略矩形板状をなしている。
【0026】
ヒートシンク10の一面11は、チップ搭載面として構成されており、その一面11の中央部には、シリコン等の半導体に種々の電気素子を形成してなる半導体チップ20が搭載されている。
【0027】
この半導体チップ20の周囲には、複数本のリード30が配設されている。これらリード30はCuや42アロイ等からなるものである。これら半導体チップ20と各リード30とはAuやAl等からなるワイヤ40によって結線され、電気的に接続されている。このワイヤ40はワイヤボンディングによって形成することができる。
【0028】
そして、これらヒートシンク10、半導体チップ20、リード30の一部およびワイヤ40は、図1に示すように、モールド樹脂50によって包み込まれるように封止されている。このモールド樹脂50はエポキシ樹脂等からなる。
【0029】
ここで、ヒートシンク10における一面11とは反対側の他面12が、モールド樹脂50から露出しており、ヒートシンク10の他面12から外部への放熱が可能となっている。
【0030】
このような半導体装置S1は、ヒートシンク10の一面11に半導体チップ20を搭載し、リード30と半導体チップ20とをワイヤボンディングを行ってワイヤ40にて接続した後、樹脂成形することでモールド樹脂50による封止を行うことにより製造可能である。
【0031】
そして、この半導体装置S1は、図1に示すような形でプリント基板100に実装される。すなわち、プリント基板100上に半導体装置S1を搭載し、モールド樹脂50から露出するリード30をプリント基板100にはんだ60を介して接続する。
【0032】
また、ヒートシンク10は、その他面12の周辺部のみにてプリント基板100に対して接続部材70を介して接続されている。本例では、ヒートシンク10の他面12のうち両端に位置する2箇所の出っ張り部13のみにて接続が行われている。
【0033】
この接続部材70としては、はんだ、接着剤、ゲル等を採用でき、本例では、リード30と同様のはんだを採用している。ここで、図1(b)では、ヒートシンク10の他面12の出っ張り部13のうち接続部材70が配設されている部分に斜線ハッチングが施してある。
【0034】
本実施形態の放熱経路は、次の通りである。つまり、電気回路が動作することにより半導体チップ20から発せられた熱は、チップ内部から熱伝導率の良いヒートシンク10全体へ伝わる。その後は、ヒートシンク10全体に拡がった熱はヒートシンク10の周辺部である出っ張り部13から接続部材70を介してプリント基板100へ効率よく放熱される。
【0035】
このように、本実施形態によれば、放熱性を十分に確保することができる。それとともに、ヒートシンク10の中央部には接続部材70が配設されないので、ヒートシンク10の中央部に対向するプリント基板100の部分には配線を形成することができる。
【0036】
よって、本実施形態の実装構造によれば、半導体装置S1におけるヒートシンク10のプリント基板100への接合面積を低減することができ、それによって、ヒートシンク10の下部におけるプリント基板100の配線形成領域を広くすることができる。
【0037】
ここで、十分な放熱性を実現するためには、ヒートシンク10の他面12のうち接続部材70を介してプリント基板100と接続されている部分の面積が、ヒートシンク10の他面12の全面積の10%以上であることが好ましい。このことは、次に述べるような検討結果を根拠とするものである。
【0038】
本発明者は、ヒートシンク10の他面12のうち接続部材70を介した基板接続部分の面積の割合を、ヒートシンクの基板接合面積率とし、放熱性としては、半導体チップ20→ヒートシンク10→プリント基板100という放熱経路における熱抵抗を用い、検討した。その結果を図2に示す。
【0039】
図2は、上記ヒートシンクの基板接合面積率(%)と上記熱抵抗との関係を示す図である。ここで、熱抵抗は、ヒートシンクの基板接合面積率が100%である場合、すなわちヒートシンク10の他面12の全域を接続部材70を介してプリント基板100に接続した場合を1と規格化して示している。
【0040】
図2からわかるように、ヒートシンクの基板接合面積率をヒートシンク10の他面12の全面積の10%以上とすることで、当該他面12の全域を接続した場合とほぼ同等の放熱性が確保される。そして、ヒートシンクの基板接合面積率が10%よりも小さくなると、急激に放熱性が低下している。
【0041】
このような検討結果から、ヒートシンク10の他面12のうち接続部材70を介してプリント基板100と接続されている部分の面積が、ヒートシンク10の他面12の全面積の10%以上であることが好ましい。
【0042】
(第2実施形態)
図3は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置S2の実装構造の概略構成を示す図であり、(a)は断面図、(b)は(a)中の下方から見た半導体装置S2の平面構成図である。上記第1実施形態との相違点を中心に述べる。
【0043】
本実施形態では、図3に示すように、ヒートシンク10の他面12における周辺部すなわち出っ張り部13には、ヒートシンク10の中央部よりも当該他面12から突出した突出部14が形成されている。そして、この突出部14の先端面がモールド樹脂50から露出し、接続部材70を介してプリント基板100に接続されている。
【0044】
本実施形態においても、上記第1実施形態と同様に、半導体チップ20から発せられた熱は、ヒートシンク10全体へ伝わり、ヒートシンク10の周辺部である出っ張り部13、突出部14から接続部材70を介してプリント基板100へ効率よく放熱される。
【0045】
また、本実施形態においても、ヒートシンク10の他面12のうち接続部材70を介してプリント基板100と接続されている部分の面積が、ヒートシンク10の他面12の全面積の10%以上であることが好ましい。
【0046】
さらに、本実施形態によれば、次に述べるような効果を奏する。ヒートシンク10は上述したように金属製であり、電気伝導性を有するが、本実施形態によれば、ヒートシンク10の他面12における中央部は、周辺部の突出部14よりも凹んだ部分となっているため、モールド樹脂50の内部に位置した形となっている。
【0047】
そのため、ヒートシンク10の他面12における中央部と対面するプリント基板100の部分に、Cu配線等の電気伝導体を形成しても、第1実施形態に比べればヒートシンク10と短絡する可能性が少なくなり、好ましい。
【0048】
また、ヒートシンク10の他面12全域がモールド樹脂50から露出する第1実施形態に比べて、ヒートシンクの他面12の露出面積が小さくなることから、モールド樹脂50とヒートシンク10との界面のうち外部に露出する部分の長さを短くすることができる。
【0049】
そのため、モールド樹脂50の内部への水分や不純物等の侵入を抑制しやすくでき、半導体装置S2の信頼性を向上させることができる。
【0050】
また、第1実施形態に比べて、半導体装置の体格全体に対するヒートシンク10の体格の割合が小さくなるため、モールド樹脂50とヒートシンク10との熱膨張係数の差に起因するクラックの発生を抑制しやすくできる。
【0051】
(他の実施形態)
なお、ヒートシンク10の他面12のうち接続部材70を介してプリント基板100と接続されている部分は、上記実施形態のように2箇所でなくても良く、3箇所以上でも良い。さらには、ヒートシンク10の周辺部において環状になっていても良い。また、基板としてはプリント基板100に限定されず、例えばセラミック基板等であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係る半導体装置の実装構造の概略構成を示す図であり、(a)は断面図、(b)は(a)中の下方から見た半導体装置の平面構成図である。
【図2】ヒートシンクの基板接合面積率と放熱経路における熱抵抗率との関係を示す図である。
【図3】本発明の第2実施形態に係る半導体装置の実装構造の概略構成を示す図であり、(a)は断面図、(b)は(a)中の下方から見た半導体装置の平面構成図である。
【図4】一般的な半導体装置の実装構造を示す概略断面図である。
【図5】もう一つの一般的な半導体装置の実装構造を示す概略断面図である。
【符号の説明】
10…ヒートシンク、11…ヒートシンクの一面、
12…ヒートシンクの他面、
13…ヒートシンクの周辺部としての出っ張り部、14…突出部、
20…半導体チップ、30…リード、50…モールド樹脂、
70…接続部材、100…プリント基板、S1…半導体装置。
Claims (3)
- ヒートシンク(10)と、前記ヒートシンクの一面(11)に搭載された半導体チップ(20)と、前記半導体チップと電気的に接続されたリード(30)と、前記ヒートシンク、前記半導体チップおよび前記リードを包み込むように封止するモールド樹脂(50)とを有し、前記ヒートシンクにおける前記一面とは反対側の他面(12)が前記モールド樹脂から露出している半導体装置(S1)を備えており、
前記モールド樹脂から露出する前記リードが基板(100)に接続された状態で半導体装置が前記基板に搭載されてなる半導体装置の実装構造において、
前記ヒートシンクは、その他面の周辺部(13、14)のみにて前記基板に対して接続部材(70)を介して接続されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。 - 前記ヒートシンク(10)の他面(12)のうち前記接続部材(70)を介して前記基板(100)と接続されている部分(13、14)の面積は、当該他面の全面積の10%以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の実装構造。
- 前記ヒートシンク(10)の他面(12)における周辺部(13)には、前記ヒートシンクの中央部よりも当該他面から突出した突出部(14)が形成されており、
この突出部の先端面は、前記モールド樹脂(50)から露出するとともに、前記接続部材(70)を介して前記基板(100)に接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の実装構造。
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US7298028B2 (en) * | 2005-07-14 | 2007-11-20 | Via Technologies, Inc. | Printed circuit board for thermal dissipation and electronic device using the same |
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