JP2004247068A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項１】 放電空間を形成するように対向配置された一対の基板と、少なくとも一方の基板上に形成された電極と、その電極を被覆する誘電体層とを有するガス放電パネルであって、誘電体層が、ＳｉＯ2を主成分とし、かつ５×１０21ａｔｏｍ／ｃｍ3以下の水素含有量の材料からなることを特徴とするガス放電パネル。
【請求項２】 水素含有量が、１×１０21〜５×１０21ａｔｏｍ／ｃｍ3の範囲である請求項１に記載のガス放電パネル。
【請求項３】 放電空間を形成するように対向配置された一対の基板と、少なくとも一方の基板上に形成された電極と、その電極を被覆する誘電体層とを有するガス放電パネルであって、誘電体層が、ＳｉＯ2を主成分とし、かつ３×１０20ａｔｏｍ／ｃｍ3以下の窒素含有量の材料からなることを特徴とするガス放電パネル。
【請求項４】 窒素含有量が、１×１０19〜３×１０20ａｔｏｍ／ｃｍ3の範囲である請求項３に記載のガス放電パネル。
【請求項５】 放電空間を形成するように対向配置された一対の基板と、少なくとも一方の基板上に形成された電極と、その電極を被覆する誘電体層とを有するガス放電パネルであって、誘電体層が、ＳｉＯ2を主成分とし、かつ５×１０21ａｔｏｍ／ｃｍ3以下の水素含有量及び３×１０20ａｔｏｍ／ｃｍ3以下の窒素含有量の材料からなることを特徴とするガス放電パネル。
【請求項６】 水素含有量が、１×１０21〜５×１０21ａｔｏｍ／ｃｍ3の範囲であり、窒素含有量が、１×１０19〜３×１０20ａｔｏｍ／ｃｍ3の範囲である請求項５に記載のガス放電パネル。
【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載のガス放電パネルを製造する方法であって、誘電体層を気相成長法により形成することを特徴とするガス放電パネルの製造方法。
【請求項８】 誘電体層が、ＳｉＨ4及びＮ2Ｏを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により形成される請求項７に記載のガス放電パネルの製造方法。
かくして本発明によれば、放電空間を形成するように対向配置された一対の基板と、少なくとも一方の基板上に形成された電極と、その電極を被覆する誘電体層とを有するガス放電パネルであって、誘電体層が、ＳｉＯ2を主成分とし、かつ５×１０21ａｔｏｍ／ｃｍ3以下の水素含有量及び／又は３×１０20ａｔｏｍ／ｃｍ3以下の窒素含有量の材料からなることを特徴とするガス放電パネルが提供される。
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