JP2004214633A - 基板及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 104
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 84
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 68
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 61
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 45
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 45
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 41
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 33
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- -1 vinylbenzyl Chemical group 0.000 claims description 18
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 17
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 15
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims description 12
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 10
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 64
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 6
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 6
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[O-]S([O-])(=O)=O JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】 導電性を有する転写用基板としてのステンレス板1にパターンめっき法で所定パターンの導体層3を形成し、前記ステンレス板1との剥離性の良好な接着シートとしてのプリプレグ4を用い、該プリプレグ4に前記導体層3を対向させて、前記ステンレス板1と前記プリプレグ4とを重ねて加圧し、少なくとも片面に表面がほぼ平滑になるように導体層3が埋め込まれた絶縁板を作製し、これら絶縁板同士を別のプリプレグを挟んで積層一体化して基板とする。
【選択図】 図1
Description
導体層上に配線パターンに対応したレジスト層を形成し、レジスト層で被覆されていない導体層をエッチングにより除去する方法であり、プリント配線基板の製法で最も一般的な方法である。
下地導体層上にレジスト層を形成して、配線パターンに対応した下地導体層部分を露出させ、電気めっきにより導体層を所望の厚さに形成後、不要な下地導体層部分を除去する方法である。
平滑な転写用基板としてのステンレス基板の全面に下地銅めっき後、パターンめっきで配線を形成し、その後、レジストを剥離し、続けて表面のみに粗い銅めっきを薄く形成し、その後プレス加工で樹脂層形成を行い、ステンレス基板を剥離後に不要な下地銅めっき部分をクイックエッチングで除去する方法である(下記特許文献1参照)。
導電性基板上に、光導電層を設けてレジスト画像を電子写真法で形成するものである(下記特許文献2参照)。
表面粗度の最大高さ(Rmax)が0.1μm以下となるように鏡面研磨した導電性基板上に、レジストパターンを形成し、導体パターンをめっき形成する(下記特許文献3参照)。
a.量産性には富むが、パターン精度が悪い。
b.樹脂基板が直接塩素に富むエッチング液に浸漬されるので、電解液が樹脂上又はその内部に残留する場合があり、信頼性に問題がある。
a.サブトラクティブ法に比べるとパターン精度は良いが、クイックエッチング時に配線パターンも同時にエッチングされるのでフルアディティブ法に比べると精度は劣る。
b.上記と同じ理由で信頼性に問題がある。
c.下地の無電解銅めっき工程で樹脂上にパラジウムを付着させており、クイックエッチング後もその一部が残留しており、信頼性に支障を来す場合がある。
a.工程が長い。
b.サブトラクティブ法、セミアディティブ法と比較するとパターン精度は高くできる可能性があるが、クイックエッチング時にパターンの高さ精度が落ちるので、フルアディティブ法の場合と比較すると精度は悪い。
c.一般的に粗化が不十分でパターンのピール強度が弱い。
d.層間絶縁樹脂がエポキシ等であって、銅の導体パターンそのものとある程度密着性を確保できる場合は、上記の問題点がある程度カバー出来るが、高周波用の高機能材料の場合は一般的に銅との密着性は弱く、上記の問題が顕著になる。
導電性基板上に光導電層を設ける必要があり、また、現像に際してトナーが必要であり、光導電層とトナーをレジスト化する工程もあるため、製造工程が多く、複雑化するきらいがある。
転写用基板が鏡面であると、現像時にレジストパターンの一部が剥離することがある。特に20μm以下のファインパターンで剥離は多発する。この傾向はレジストとしてドライフィルムを使用した場合に顕著であるが、液状レジストの場合でも部分的に発生する。また、同様の理由で転写用基板に適度の凹凸がないとめっきで形成された導体パターンが処理中に剥離する。さらに、導体パターンの粗化処理がなされていないと、相手側がプリプレグの場合、導体パターンとプリプレグ樹脂との密着性が不十分となり、転写用基板剥離時に導体パターンが転写用基板側に付いたままとなってパターン不良が発生する。これらの理由により、鏡面の転写用基板を用いる製法は、歩留まりが悪くなる傾向がある。
前記転写用基板との剥離性の良好な接着シートを用い、前記接着シートに前記導体パターンを対向させて、前記転写用基板と前記接着シートとを重ねて加圧する加圧処理工程とを備えることを特徴としている。
前記転写用基板との剥離性の良好な接着シートを用い、前記接着シートに前記導体パターンを対向させて、前記転写用基板と前記接着シートとを重ねて加圧する加圧処理工程と、
前記加圧処理工程後に得られた、導体パターンが転写により表面に埋め込まれてなる接着シート同士を別の接着シートを挟んで積層加圧する積層工程とを備えることを特徴としている。
a.フルアディティブ工法でありパターン精度が良好である。
b.下地めっき工程がないので工程が短くまた部材費も安くてすむ。
c.下地めっき工程がないのでパラジウムの残留がなく高信頼性である。なお、この点についてはスパッター又は蒸着法で形成しても改善出来るがコストアップになる。
d.ステンレス板の表面粗さがRmax=0.2〜2μmであるため、レジストパターン及び導体パターンとステンレス板との適度の密着性を確保でき、製造工程においてレジストや導体パターンの剥離が発生せず、歩留まり向上が可能である。
a.プリプレグ4と導体パターンとの密着強度が高く、転写時に不良が発生しにくい。
b.特にハイアスペクトパターンの場合に上記の効果が顕著である。
c.導体層3の表面の凹凸が微細であり、単板法と比較して樹脂(すなわちプリプレグ4)との密着強度が高く、転写不良が発生しにくい。
a.一般に高周波特性に優れる樹脂は、高Q低誘電率材であり、外殻電子の分極が少なく、反応性に乏しいため、金属との密着性に乏しいが、本発明の工法はアンカー効果が大きいので上記高周波特性に優れる樹脂をプリプレグに用いても転写不良は発生しない。
b.セミアディティブ工法及び単板法と比較してクイックエッチング工程がないので、工程が簡単であり、またエッチング液が直接樹脂に触れないのでプリプレグの樹脂上又は樹脂内部にエッチング液が残ることがなく、信頼性上好ましい。
c.多層に積層する場合、プリプレグとプリプレグ間の密着性の問題も発生するが、転写用基板としてのステンレス板表面が適度の粗さを有しているため、この凹凸が転写時にプリプレグ表面にレプリカとして残るため、この凹凸を利用してプリプレグ間の密着性を確保できる。
上記実施例1のRmax=0.2〜2μmのステンレス板の代わりに、鏡面研磨した0.1mm厚のステンレス板(SUS304テンションアニール材でRmax=0.1μm以下)を使用して実施例1と同じ処理を行った。この場合、レジストパターン現像時に大半のパターンが剥離して工程の続行が不可能であった。
上記実施例1のビニルベンジル樹脂プリプレグの代わりに、プリプレグとして0.1mm厚のFR4材(ガラス基材のエポキシ樹脂プリプレグ)を用いて、上記実施例1と同じ処理を行った。この場合、プレス後にステンレス板とプリプレグ樹脂との密着性が強く、剥離不可能であった。
実施例3と同様の実験を、電極めっきを硫酸銅めっきに変更して行った。硫酸銅めっき液中の濃度を変化させ、めっき後の電極の塩素濃度が37ppmのサンプルと62ppmのサンプルを作成し、実施例3と同様の信頼性試験を実施した。試験前の電極間の抵抗は1011Ω以上であったが、試験後の電極間の抵抗は銅中の塩素濃度が37ppmのものが2×108Ω、62ppmのものが3×107Ωであった。このように電極に塩素が含まれていると耐湿負荷試験によって絶縁抵抗が低下することが分かる。
実施例3と同様形状の電極導体パターンを厚さ150μmのガラスクロス入りビニルベンジル樹脂基板上に形成した。このビニルベンジル樹脂基板の樹脂層には平均粒径2μmの球状シリカフィラーが入っている。電極導体パターンはこの基板の全面にチタン100Å(オングストローム)、銅1000Åの下地金属膜をスパッタリング法で形成し、この上に上記実施例3と同様の方法(櫛形電極レジストパターン形成後、銅めっき)で銅パターンを形成した。但し、この場合硫酸銅めっきを使用している。その後、イオンミリングで不要な部分の下地金属膜を除去して、上記実施例3と同様の試験を行った。試験前の抵抗は1011Ωであったが、試験後の抵抗は5×107Ωに低下した。
2 レジスト層
3 導体層
4,11 プリプレグ
10 コンデンサ電極
20 薄型接着シート
Claims (11)
- 絶縁板の少なくとも片面に表面がほぼ平滑になるように導体パターンが埋め込まれ、前記絶縁板同士を接着シートを挟んで積層一体化したことを特徴とする基板。
- 前記絶縁板のそれぞれに電極が形成され、該電極同士が前記接着シートを挟んで対向することによりコンデンサを内蔵する請求項1記載の基板。
- 前記接着シートが芯材及び/又はフィラーを含んでいる請求項1又は2記載の基板。
- 前記接着シートの主材質が1GHzでのQ>100の有機材料である請求項1,2又は3記載の基板。
- 前記接着シートの主材質がビニルベンジル樹脂である請求項1,2,3又は4記載の基板。
- 前記導体パターンが塩素濃度30ppm以下の銅である請求項1,2,3,4又は5記載の基板。
- 導電性を有する転写用基板にパターンめっき法で導体パターンを形成する導体パターン形成工程と、
前記転写用基板との剥離性の良好な接着シートを用い、前記接着シートに前記導体パターンを対向させて、前記転写用基板と前記接着シートとを重ねて加圧する加圧処理工程とを備えることを特徴とする基板の製造方法。 - 導電性を有する転写用基板にパターンめっき法で導体パターンを形成する導体パターン形成工程と、
前記転写用基板との剥離性の良好な接着シートを用い、前記接着シートに前記導体パターンを対向させて、前記転写用基板と前記接着シートとを重ねて加圧する加圧処理工程と、
前記加圧処理工程後に得られた、導体パターンが転写により表面に埋め込まれてなる接着シート同士を別の接着シートを挟んで積層加圧する積層工程とを備えることを特徴とする基板の製造方法。 - 前記導体パターンが転写により表面に埋め込まれてなる接着シートは、前記別の接着シートを挟んで対向する電極を有することでコンデンサを内蔵する請求項8記載の基板の製造方法。
- 前記転写用基板の表面粗さがRmax=0.2〜2μmである請求項7,8又は9記載の基板の製造方法。
- 前記転写用基板がステンレス板である請求項7,8,9又は10記載の基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003410299A JP3960302B2 (ja) | 2002-12-18 | 2003-12-09 | 基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002366168 | 2002-12-18 | ||
JP2003410299A JP3960302B2 (ja) | 2002-12-18 | 2003-12-09 | 基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004214633A true JP2004214633A (ja) | 2004-07-29 |
JP3960302B2 JP3960302B2 (ja) | 2007-08-15 |
Family
ID=32828747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003410299A Expired - Lifetime JP3960302B2 (ja) | 2002-12-18 | 2003-12-09 | 基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3960302B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007013048A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Daiwa Kogyo:Kk | 多層配線基板の製造方法 |
JP2008166407A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Tdk Corp | 電子素子及び電子素子の製造方法 |
JP2008251638A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 電子素子およびその製造方法 |
CN102752961A (zh) * | 2011-04-19 | 2012-10-24 | 相互股份有限公司 | 具平滑表面的电路基板结构的制造方法 |
WO2014080745A1 (ja) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | Shマテリアル株式会社 | 半導体素子搭載用基板及びその製造方法 |
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JP2015056628A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
CN104813464A (zh) * | 2012-11-21 | 2015-07-29 | 友立材料股份有限公司 | 半导体元件搭载用基板及其制造方法 |
-
2003
- 2003-12-09 JP JP2003410299A patent/JP3960302B2/ja not_active Expired - Lifetime
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WO2014080745A1 (ja) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | Shマテリアル株式会社 | 半導体素子搭載用基板及びその製造方法 |
CN104813465A (zh) * | 2012-11-20 | 2015-07-29 | 友立材料股份有限公司 | 半导体元件搭载用基板及其制造方法 |
TWI637424B (zh) * | 2012-11-20 | 2018-10-01 | 日商大口電材股份有限公司 | Semiconductor element mounting substrate and method of manufacturing the same |
CN104813464A (zh) * | 2012-11-21 | 2015-07-29 | 友立材料股份有限公司 | 半导体元件搭载用基板及其制造方法 |
JP2014225493A (ja) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | 矢崎総業株式会社 | 厚膜回路基板の製造方法 |
JP2015056628A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3960302B2 (ja) | 2007-08-15 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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