JP2004209261A - リン酸カルシウム材の薄膜製造のための改良焼結方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 焼結すべき材料は、リン酸アンモニウムの溶液を硝酸カルシウムの溶液と合わせてヒドロキシアパタイト含有ゾル−ゲルを形成させることによって調製する。このゾル−ゲルの膜を基層の少なくとも片側に当てがい、基層上にコーティングされた膜を焼結してリン酸カルシウム材の固体膜を形成させる。焼結段階によってヒドロキシアパタイトはαリン酸三カルシウムに変換され、この変換の程度は温度依存性を示す。最適組成は、ヒドロキシアパタイトのαリン酸三カルシウムに対する比率が50:50〜20:80の範囲にあり、焼結温度はこれらの比率が得られるように選ぶ。焼結温度は920℃〜1100℃の範囲から選び、この範囲では選んだ温度が高いほどαリン酸三カルシウムの割合が高い。
【選択図】 なし
Description
1)ヒドロキシアパタイト含有ゾル−ゲル調製のための試薬の量
2)試薬の混合速度
3)ゾル−ゲル作成時の混合時間と撹拌速度
4)沈澱及び分離の速度と方法
5)ゾル−ゲル製造中の工程環境条件
6)その上に膜を浸せきコーティングするときのゾル−ゲルから基層を除去する速度
7)焼結温度
8)不活性ガス、真空、水蒸気存在下雰囲気など制御した雰囲気での焼結。
ii)基層の少なくとも片側にゾル−ゲルの膜を当てがう段階と、
iii)基層にコーティングした膜を焼結し、リン酸カルシウム材の固体膜を形成する段階とを含み、
改良点として、
iv)膜中のリン酸カルシウム材の組成が最適になる温度範囲から選んだ温度で膜を焼結し、この焼結段階は膜のヒドロキシアパタイトをαリン酸三カルシウムに変換する段階であり、そのような変換の程度は温度依存性であること、
v)最適な組成はヒドロキシアパタイト対αリン酸三カルシウムが50:50から20:80の範囲にあること、
vi)焼結温度を920℃から1100℃までの範囲から選ぶが、このとき焼結温度は高いほど、変換比率は上限比率20:80に近づくこと、
を含む。
次の手順は有限数の基層ディスクをコーティングするに十分なゾル−ゲルの調製に基づいて行われる。前記の化学反応に従って、溶液Aは硝酸カルシウム、好ましくは硝酸カルシウム四水和物を含む。溶液Bはリン酸アンモニウム、好ましくはオルトリン酸二水素アンモニウム(ammonium dihydrogen orthophosphate)(一塩基酸)を含む。溶液Aを溶液Bと混合して目的のゾル−ゲルである溶液Cを生成する。溶液Aは2回蒸留した水40mlを硝酸カルシウム(Ca(NO3)2)4.722グラムに添加して作成する。この溶液を中等度の速度で硝酸カルシウムすべてを溶解するに充分な時間撹拌するが、これは通常は3分程度である。この溶液に水酸化アンモニア(NH4OH)3mlを添加し、さらに約3分間ほど撹拌する。この溶液のpHを調べ、約12のpHであることが望ましい。この溶液に2回蒸留した水37mlを添加し、全溶液量を約80mlとする。この溶液をさらに7分間撹拌し、カバーをかける。
好ましい基層としての石英ディスクの洗浄。いくつかのディスクをガラス製ビーカーに入れ、すべてのディスクがおおわれるようにクロム酸洗浄液をこのガラス製ビーカーに入れる。次にこのビーカーに蓋をする。つぎにディスクを水浴中で1時間超音波処理する。上記の酸を水道水で20分間洗い流す。残っている水道水は2回蒸留した水で3回リンスして除去する。2回蒸留水の最後のリンス後、個々のディスクを糸くずのないタオルで拭きとり、石英表面にきずがないか調べる。表面に残っている微粒子があれば必要に応じて圧縮窒素または空気で取り除く。このディスクをカバーをかけたトレー内に無菌環境で保存する。
好ましい基層としての石英ディスクを手順1で作成したゾルに浸す。ディスクは表面に触れないようにしてつかむ。ディスクは好ましくは機械によってゾルに浸す。ディスクを所定の除去速度でゾルから取り出す。ディスクの片側のコーティングを除去する。次にコーティングされた基層を清潔なペトリ皿に入れ、蓋をし、室温で乾燥する。焼結前に形成された状態の膜は亀裂、塊、ボイドのない均一なものでなければならない。ディスクの面に施されたこの浸漬コーティング工程は他の形の基層、例えば平坦な四角形の石英基層にも適用できると理解される。
次の焼結工程は、環境温度から少なくとも1100℃までの温度で操作でき、特に800℃〜1100℃のあいだで正確で安定した内部温度を維持するように設計されたさまざまなサイズの標準的実験室用炉で行うことができる。そのような炉として例えばLindbergモデル51744または894−Blue
Mが挙げられる。手順3で作成したコーティングした基層を、標準的セラミック製プレートの上に(上記のLindberg炉では一般に行われるように)の上に、コーティングされた面に触れないようにして、例えばピンセットを用いて慎重に移す。このセラミック製プレートは、多数の基層を炉に入れやすいように、またそこから取り出しやすいように焼結工程中キャリヤーとして用いる。炉温度は望みのHA:αTCP比率を達成するのに必要な温度に設定する。Lindbergモデル894−Blue Mのようなプログラミング可能な炉を用いると、通常は920℃〜1100℃のあいだで選ばれる所望の温度を、典型的な場合1時間をこえることなく炉が維持するように設定することができる。プログラミングできない炉の場合、別個にタイマーを用いて、選んだ温度で必要な焼結時間の終わりに操作者に炉を切るよう警告させる。炉の運転を開始し、必要な操作温度まで加熱していくとき、基層を乗せたセラミック製プレートを、炉が例えば800℃という焼結温度に近づいた時点で炉に入れる。そして炉の扉を直ちに再び閉める。炉が必要な時間のあいだ選んだ操作温度になるようにし、次に運転を自動的または手動で終わらせる。焼結した基層を乗せたセラミック製プレートは炉内温度が約60℃の触れてもがまんできる安全な温度まで冷えてからいつでも取り出してよい。つぎに個々の基層は保存してもよく、最終の用途に向けて包装してもよい。
Claims (6)
- i)リン酸アンモニウムの溶液を硝酸カルシウムの溶液と混合してヒドロキシアパタイト含有ゾル−ゲルを形成することによるゾル−ゲルの調製段階と、
ii)前記ゾル−ゲルの膜を基層の少なくとも片側にとりつける段階と、
iii)上記基層上にコーティングされた上記膜を焼結して上記リン酸カルシウム材の固体膜を形成する段階と
を含んでなり、
iv)上記膜内のリン酸カルシウム材の組成を最適にする温度範囲から選んだ温度で上記膜を焼結し、上記焼結段階はヒドロキシアパタイトをαリン酸三カルシウムに変換すること、このときそのような変換の程度は温度依存性であることと、
v)上記最適化された組成は、ヒドロキシアパタイトのαリン酸三カルシウムに対する比率が50:50〜20:80であることと、
vi)焼結温度を920℃〜1100℃の範囲から選ぶこと、このとき焼結温度が高いほど、上記変換比率は上限比率20:80に近づくことと
を特徴とする、リン酸カルシウム材の薄膜を、その上での骨細胞活性を支えるために基層上に作成する方法。 - 上記選定温度を950℃〜1000℃とし、約333:666の比率を達成する請求項1に記載の方法。
- 上記選定温度を約1100℃とし、20:80の比率を達成する請求項1に記載の方法。
- 上記選定温度を920℃〜950℃とし、50:50〜333:666の範囲の比率を達成する請求項1に記載の方法。
- 上記選定温度を1000℃〜1100℃とし、333:666〜20:80の範囲の比率を達成する請求項1に記載の方法。
- 上記選定温度を約975℃とし、333:666の比率を達成する請求項1に記載の方法。
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