JP2004206866A - 光記録方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 例えばＤＶＤ−ＲＷのような大容量の書換型光記録媒体において、高速記録を実現できるようにする。
【解決手段】 書換型光記録媒体の相変化型記録層を結晶状態にして情報を記録する場合に用いる光記録方法であって、記録速度が書換型光記録媒体の書換可能な記録線速度よりも速い場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスを一つのブロックパルスとし、記録速度が書換型光記録媒体の書換可能な記録線速度の範囲内である場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスを複数の短パルスからなるパルス列とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、例えばＤＶＤ−ＲＷのような大容量の書換型光記録媒体に用いられる、光記録方法及びこの光記録方法を用いる記録再生装置に関する。

現在実用化されている光記録媒体は、再生専用型、追記型、書換型に大別される。このうち、記録可能な媒体としては、１回のみ記録可能な追記型と、繰り返し記録消去可能（書換可能）な書換型（書換可能型）とがある。
追記型光記録媒体の代表例としては、近年広く普及している有機色素を記録層としたＣＤ−Ｒを挙げることができる。一方、書換型光記録媒体としては、光磁気効果を利用した光磁気記録媒体（光磁気ディスク）や可逆的な結晶状態・非晶質状態の変化に伴う反射率差を利用した相変化型光記録媒体（相変化記録ディスク）が実用化されている。

このうち、書換型光記録媒体の一つであるＣＤ−ＲＷは約１０００回の書換が可能であり、反射率を除きＣＤと互換性がとれることから、近年広く普及している。記録媒体としては書換型の媒体（例えばＣＤ−ＲＷ）の方が、逐次、情報を書き換えることができるので、追記型専用の媒体（例えばＣＤ−Ｒ）と比較して、文書ファイル等を作成するユーザにとっては使い勝手が非常によい。

また、例えば映画などの動画データを記録するにはＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷのような光記録媒体では容量が不十分であったため、光記録媒体においては大容量化が望まれていたが、近年、６５０ＭＢ程度の容量を持つＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷに対して約７倍の４．７ＧＢの大容量を持つＤＶＤ−ＲやＤＶＤ−ＲＷなどが実用化されるに至っている（例えば非特許文献１参照）。この結果、大容量のＤＶＤ−ＲやＤＶＤ−ＲＷを用いることで、１枚の媒体に例えば映画をまるごと記録できるようになってきている。なお、ＤＶＤ−Ｒは色素を記録層とした追記型光記録媒体であり、ＤＶＤ−ＲＷは書換型相変化光記録媒体である。

このような書換型光記録媒体の一つであるＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷは、１回のみ記録可能な追記型光記録媒体の一つであるＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒと用途に応じて使い分けられている。つまり、例えば書き換える必要がある場合には、書換型光記録媒体であるＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷを使用し、書き換える必要がない場合には追記型光記録媒体であるＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒを使用するというように、用途に応じて棲み分けが図られている。このため、例えば書換型の媒体（例えばＣＤ−ＲＷ）を敢えて追記型（例えばＣＤ−Ｒ）として用いるのは、書換型の媒体のポテンシャルを十分に利用しないばかりか、敢えて書換可能な媒体を用いる必要もないため、通常、そのような使われ方はされていない。
"ＤＶＤ（ディーブィーディー）、ＤＶＤ−Ｖｉｄｅｏ、ＤＶＤ−Ａｕｄｉｏ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ"、［online］、２００１／２／２５、２００１／９／１０、ＦＰＣＵグループ、［平成１４年１２月１１日検索］、インターネット＜URL：wysiwyg://17/http://www.nifty.ne.jp/forum/fpcu/words/dvd.htm＞

ところで、上述のように、大容量のＤＶＤ−Ｒ（以下本明細書では、レコーダブルＤＶＤという。）やＤＶＤ−ＲＷ（以下本明細書では、リライタブルＤＶＤという。）が実用化されるにつれて、今度はいかに高速記録を行なえるようにするかが重要になってきた。つまり、容量が大きくなると、記録させる情報量（データ量）も増え、それだけ記録に要する時間が長くなるため、比較的容量の小さい例えばＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷなどのＣＤと比べ、大容量のレコーダブルＤＶＤやリライタブルＤＶＤなどのＤＶＤでは高速記録を実現することが重要な課題となってきた。

このような要請に応えるべく、初代レコーダブルＤＶＤの記録線速度は３．４９ｍ／ｓであったが、その４倍速のレコーダブルＤＶＤが実用化されつつある。しかし、これでも不十分であるとされ、ユーザからは８倍速度以上の高速記録を望む声が強い。
しかしながら、レコーダブルＤＶＤでは、高速記録を行なおうとすると記録マーク間で熱干渉が生じる傾向にあり、より高いレベルでの高速記録の実現は困難であるとされている。つまり、有機色素を用いたレコーダブルＤＶＤでは、波長６６０ｎｍ近傍の半導体レーザ光を照射してマークを記録する。このようなレコーダブルＤＶＤでは、記録速度が上がるにつれて（即ち、記録周波数が高くなるにしたがって）、記録に要するレーザパワーがリライタブルＤＶＤに比べて増大する上に、記録マークを形成するために照射したレーザ光によって発生した熱を十分に逃す時間を確保することが困難となる。このため、レコーダブルＤＶＤにおいては、マーク記録で発生した熱が前後のマーク形成に及ぼす影響がより大きくなる傾向にあり、記録マークを正確に形成することが困難となる傾向にある。かかる熱干渉により、有機色素を用いたレコーダブルＤＶＤでは、より高いレベルの記録線速度において記録パワーのマージンが狭くなる傾向がある。このため、レコーダブルＤＶＤでは、８倍速以上での高速記録を実現するのは難しいと考えられている。

一方、リライタブルＤＶＤでは、記録マーク間の熱干渉は軽微であり実質的に問題とならないものの、情報を記録する（書き込む）際に消去を行なう必要があるため、現在のところ、書換可能な記録線速度は２．４倍速程度に留まっている。
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、大容量の光記録媒体において、高速記録を実現できるようにした、光記録方法及びこの光記録方法を用いる記録再生装置を提供することを目的とする。

このため、本発明の光記録方法は、相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の前記相変化型記録層の結晶状態を未記録・消去状態とし、様々な時間的長さｎＴ（Ｔは基準クロック周期、ｎは２以上の整数）を有する非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いる光記録方法であって、
（Ｍ−１）記録速度が、書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度の範囲内である場合は、
時間的長さｎＴを、
η₁Ｔ、α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・、
α_iＴ、β_iＴ、・・・、α_mＴ、β_mＴ、η₂Ｔ
（ｍはパルス分割数であり、ｉは１以上ｍ以下の整数である。Σ_i（α_i＋β_i）＋η₁＋η₂＝ｎである。α_i（１≦ｉ≦ｍ）は０より大きい実数であり、β_i（１≦ｉ≦ｍ−１）は０より大きい実数であり、β_mは０以上の実数であり、η₁及びη₂はそれぞれ−２以上２以下の実数である。）の順に分割し、少なくとも一つの記録マークの時間的長さは、パルス分割数ｍを２以上とし、かつ、全ての記録マークの時間的長さは、ｎ／ｍ≧１．２５を満たすようにして、
α_iＴの時間内には、記録パワーＰｗ_i（１≦ｉ≦ｍ）の記録光を照射し、
β_iＴの時間内には、バイアスパワーＰｂ_i（１≦ｉ≦ｍ、Ｐｂ_i＜Ｐｗ_i、Ｐｂ_i＜Ｐｗ_i+1）の記録光を照射して、
ｎＴの時間的長さを有する複数の記録マークを形成し、
複数の記録マーク間には、消去パワーＰｅ（Ｐｅは１≦ｉ≦ｍにおけるｍ個のＰｂ_iそれぞれの値以上であり、１≦ｉ≦ｍにおけるｍ個のＰｗ_iそれぞれの値よりも小さい値である。）の記録光を照射し、
（Ｍ−２）記録速度が、書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度よりも速い場合は、
ｎＴの時間的長さを有する記録マークを、記録パワーＰｗＨの記録光とバイアスパワーＰｂＨの記録光とを照射しうる一つのブロックパルスを用いて形成することを特徴としている（請求項１）。

好ましくは、バイアスパワーＰｂ_i及びＰｂＨが、消去パワーＰｅよりも小さくなるようにする（請求項２）。
また、記録速度が、書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度よりも速い場合において、
ｎＴ（ｎはｋ₀以上の自然数、ｋ₀は２又は３）の記録マークを、ｋ₀Ｔ、・・、（ｋ₀＋（ｋ₁−１））Ｔの時間的長さを有する記録マーク（ｋ₁は整数）と、（ｋ₀＋ｋ₁）Ｔ以上の時間的長さを有する記録マークとに分け、
γ（γは０以上２以下の値）をｎによって異なり得るものとし、
ｋ₀Ｔ、・・、（ｋ₀＋（ｋ₁−１））Ｔの時間的長さを有する記録マークを形成する場合には、記録マークの始点からＴ_dkＴ（Ｔ_dkは−１から１の間の値）の時間だけ遅れた時点から記録パワーＰｗＨの記録光の照射を開始し、記録マークの終点からγＴの時間だけ早い時点において記録パワーＰｗＨの記録光の照射を終了することによって記録マークを形成し、
（ｋ₀＋ｋ₁）Ｔ以上の時間的長さを有する記録マークを形成する場合には、記録マークの始点から記録パワーＰｗＨの記録光の照射を開始し、記録マークの終点からγＴの時間だけ早い時点において記録パワーＰｗＨの記録光の照射を終了することによって記録マークを形成するように構成するのが好ましい（請求項３）。

さらに、記録速度が、書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度の範囲内である場合は、
ｎＴの時間的長さを有する記録マークを形成する際に、
ｎ＝２ｍ（ｍはパルス分割数、１以上の自然数）なる記録マークについては、時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ（ｊは−２〜２なる実数）を、
α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・・、α_mＴ、β_mＴ
からなるｍ個のα_iＴとβ_iＴとからなる区間（ただしΣ_i（α_i＋β_i）＝ｎ−ｊ）
に分割し、
ｎ＝２ｍ＋１なる記録マークについては、時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ（ｋは−２〜２なる実数）を、
α₁’Ｔ、β₁’Ｔ、α₂’Ｔ、β₂’Ｔ、・・・・、α_m’Ｔ、β_m’Ｔ
からなるｍ個のα_i’Ｔとβ_i’Ｔからなる区間（ただし、Σ_i（α_i’＋β_i’）＝
ｎ−ｋ）に分割し、
ｍ≧４では、β_i-1＋α_i＝β_i-1’＋α_i’＝２±０．２（ｉ＝３〜ｍ−１）として、
α_iＴ及びα_i’Ｔの時間内には、記録パワーＰｗ_i（ｉは１以上ｍ以下の整数）の記録光を照射し、
β_iＴ及びβ_i’Ｔの時間内には、バイアスパワーＰｂ_i（ｉは１以上ｍ以下の整数）の記録光を照射するように構成するのが好ましい（請求項４）。

また、記録パワーＰｗ_iが、１≦ｉ≦ｍにおいて一定値ＰｗＬであり、
バイアスパワーＰｂ_iが、１≦ｉ≦ｍにおいて一定値ＰｂＬであるのが好ましい（請求項５）。
さらに、α₁≠α₁’、β₁≠β₁’、α₂≠α₂’、β_m-1≠β_m-1’、α_m≠α_m’及びβ_m≠β_m’のうちの少なくとも一つを満たすようにするのが好ましい（請求項６）。

また、β_m-1≠β_m-1’及びα_m≠α_m’を満たすようにするのが好ましい（請求項７）。
本発明の書換型光記録媒体は、上記の光記録方法によって情報を記録される書換型光記録媒体であって、相変化型記録層がＳｂを主成分とする組成であることを特徴としている（請求項８）。
本発明の記録再生装置は、相変化型記録層を有し、相変化型記録層の結晶状態を未記録・消去状態とし、この未記録・消去状態に様々な時間的長さｎＴ（Ｔは基準クロック周期、ｎは２以上の整数）の非晶質状態の記録マークを形成することによって、情報を記録する円盤状の書換型光記録媒体を装着し、書換型光記録媒体を回転させた状態で書換型光記録媒体に記録光を照射することによって情報の記録を行う記録再生装置であって、
書換記録モード、ライトワンス記録モード、及びＤＣ消去モードの３つの記録光照射モードを有し、
（Ａ−１）書換記録モードにおいては、
情報の記録を行なう書換型光記録媒体の半径位置における線速度が、書換型光記録媒体の書換可能な記録速度の範囲内となるように書換型光記録媒体を回転させた状態で、
時間的長さｎＴを、
η₁Ｔ、α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・、
α_iＴ、β_iＴ、・・・、α_mＴ、β_mＴ、η₂Ｔ
（ｍはパルス分割数であり、ｉは１以上ｍ以下の整数である。Σ_i（α_i＋β_i）＋η₁＋η₂＝ｎである。α_i（１≦ｉ≦ｍ）は０より大きい実数であり、β_i（１≦ｉ≦ｍ−１）は０より大きい実数であり、β_mは０以上の実数であり、η₁及びη₂はそれぞれ−２以上２以下の実数である。）の順に分割し、少なくとも一つの記録マークの時間的長さは、パルス分割数ｍを２以上とし、かつ、全ての記録マークの時間的長さは、ｎ／ｍ≧１．２５を満たすようにして、
α_iＴの時間内には、記録パワーＰｗ_i（１≦ｉ≦ｍ）の記録光を照射し、
β_iＴの時間内には、バイアスパワーＰｂ_i（１≦ｉ≦ｍ、Ｐｂ_i＜Ｐｗ_i、Ｐｂ_i＜Ｐｗ_i+1）の記録光を照射し、
ｎＴの時間的長さを有する複数の記録マークを形成し、
複数の記録マーク間には、消去パワーＰｅ（Ｐｅは１≦ｉ≦ｍにおけるｍ個のＰｂ_iそれぞれの値以上であり、１≦ｉ≦ｍにおけるｍ個のＰｗ_iそれぞれの値よりも小さい値である。）の記録光を照射することによって、書換型光記録媒体に記録を行い、
（Ａ−２）ライトワンス記録モードにおいては、
情報の記録を行う書換型光記録媒体の半径位置における線速度が、書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度よりも速くなるように書換型光記録媒体を回転させた状態で、
ｎＴの時間的長さを有する記録マークを、記録パワーＰｗＨの記録光とバイアスパワーＰｂＨの記録光とを照射しうる一つのブロックパルスを用いて形成することによって、書換型光記録媒体に記録を行い、
（Ａ−３）ＤＣ消去モードにおいては、
情報の消去を行う書換型光記録媒体の半径位置における線速度が、書換型光記録媒体の書換可能な記録速度の範囲内となるように書換型光記録媒体を回転させた状態で、消去パワーＰ_DCの記録光を照射することによって、書換型光記録媒体に記録されている情報の消去を行い、
（Ａ−４）書換記録モードを実行した後にライトワンス記録モードを実行する場合、又は、ライトワンス記録モードを実行した後に再度ライトワンス記録モードを実行する場合には、ＤＣ消去モードを行って書換型光記録媒体に記録されている情報を消去するように構成されることを特徴としている（請求項９）。

好ましくは、バイアスパワーＰｂ_i及びＰｂＨが、消去パワーＰｅよりも小さくなるように構成する（請求項１０）。
また、記録パワーＰｗ_iが、１≦ｉ≦ｍにおいて一定値ＰｗＬであり、バイアスパワーＰｂ_iが、１≦ｉ≦ｍにおいて一定値ＰｂＬであるのが好ましい（請求項１１）。
さらに、ＤＣ消去モードにおける消去パワーＰ_DCが、書換記録モードにおける消去パワーＰｅと等しくなるようにするのが好ましい（請求項１２）。

本発明の光記録方法は、相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の相変化型記録層の結晶状態を未記録・消去状態とし、これに様々な長さの非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いる光記録方法であって、記録速度が書換可能な記録速度よりも速い場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして一つのブロックパルスを用い、記録マークの長さが所定長さ以上のときは、ブロックパルスの終了時期がデータ信号パルスの終了時期よりも第１所定時間だけ早くなるようにし、記録マークの長さが所定長さよりも短いときは、ブロックパルスの開始時期がデータ信号パルスの開始時期よりも第２所定時間だけ遅れるようにするとともに、ブロックパルスの終了時期がデータ信号パルスの終了時期よりも第１所定時間だけ早くなるようにするとともに、記録速度が書換可能な記録速度以下の場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして複数の記録パルスからなるパルス列を用いることを特徴としている（請求項１３）。特に、第１所定時間及び第２所定時間を、記録マークの長さに応じて変化させるようにするのが好ましい。

好ましくは、パルス列が、記録パワーレベルの先頭パルスと、冷却パワーレベルの冷却パルスと記録パワーレベルの記録パルスとの対が繰り返される後続パルス列と、最後尾の冷却パルスとからなるものとし、ｎＴ（ｎ：３以上の自然数，Ｔ：クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、ｎが偶数であるときは、後続パルス列における一対の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足したものが略２になるようにする（請求項１４）。

また、パルス列が、記録パワーレベルの先頭パルスと、冷却パワーレベルの冷却パルスと記録パワーレベルの記録パルスとの対が繰り返される後続パルス列と、最後尾の冷却パルスとからなるものとし、ｎＴ（ｎ：３以上の自然数，Ｔ：クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、ｎが奇数のときは、後続パルス列を構成する冷却パルスと記録パルスとの対のうち、最先の冷却パルスと記録パルスとの対及び最後の冷却パルスと記録パルスとの対以外の、一対の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足したものが略２になるようにするのが好ましい（請求項１５）。

さらに、パルス列が、記録パワーレベルの先頭パルスと、冷却パワーレベルの冷却パルスと記録パワーレベルの記録パルスとの対が繰り返される後続パルス列と、最後尾の冷却パルスとからなるものとし、ｎＴ（ｎ：３以上の自然数，Ｔ：クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、後続パルス列を構成する記録パルスの数を、ｎが奇数であるか偶数であるかに関わらず同数にし、ｎが奇数の場合は、後続パルス列を構成する、最先の冷却パルスのパルス幅、最先の記録パルスのパルス幅、最後の冷却パルスのパルス幅、及び最後の記録パルスのパルス幅から選ばれる少なくとも１つを、ｎが偶数の場合の、最先の冷却パルスのパルス幅、最先の記録パルスのパルス幅、最後の冷却パルスのパルス幅、最後の記録パルスのパルス幅のそれぞれに対して変化させるように構成するのが好ましい（請求項１６）。

本発明の光記録方法は、相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の相変化型記録層の結晶状態を未記録・消去状態とし、これに様々な長さの非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いる光記録方法であって、記録速度が書換可能な記録速度よりも速い場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして一つのブロックパルスを用い、記録マークの長さが所定長さよりも短いときは、記録マークの長さが所定長さ以上のときよりも、ブロックパルスの開始時期が所定時間だけ遅れるようにすることを特徴としている（請求項１７）。

本発明の記録再生装置は、相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の前記相変化型記録層の結晶状態を未記録・消去状態とし、これに様々な長さの非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いられる記録再生装置であって、記録速度が書換可能な記録速度よりも速い場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして一つのブロックパルスを用い、記録マークの長さが所定長さ以上のときは、ブロックパルスの終了時期がデータ信号パルスの終了時期よりも第１所定時間だけ早くなるようにし、記録マークの長さが所定長さよりも短いときは、ブロックパルスの開始時期がデータ信号パルスの開始時期よりも第２所定時間だけ遅れるようにするとともに、ブロックパルスの終了時期がデータ信号パルスの終了時期よりも第１所定時間だけ早くなるようにするとともに、記録速度が書換可能な記録速度以下の場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして複数の記録パルスからなるパルス列を用いるように構成されることを特徴としている（請求項１８）。

以上詳述したように、本発明の光記録方法及び記録再生装置によれば、例えばリライタブルＤＶＤのような大容量の書換型光記録媒体を追記型光記録媒体（ライトワンスメディア）として用い、記録速度に応じた記録パルスとすることで、大容量の光記録媒体における高速記録を実現できるという利点がある。

以下、図面により、本発明の実施の形態について説明する。
［１］書換可能な相変化型記録層を有する光記録媒体（書換型光記録媒体）を追記型光記録媒体（ライトワンスメディア）として用いる意義
書換可能な相変化型記録層を有する光記録媒体（単に相変化型光記録媒体又は書換型光記録媒体という場合もある；例えばリライタブルＤＶＤなど）においては、相変化型記録層（単に記録層という場合もある）に光（例えばレーザ光）を照射して、相変化型記録層の結晶状態を未記録状態又は消去状態とし、非晶質状態（アモルファス状態）を記録状態とすることによって、情報の記録を行なっている。

具体的には、相変化型記録層に、異なる長さを有する複数の非晶質状態の記録マーク（本明細書では、非晶質状態の記録マークを単に記録マーク又はマークという場合がある。）を形成して情報を記録するようになっている。例えば、音楽データ，画像データ，文書データ等の各種情報は、結晶状態の相変化型記録層中に異なる長さを有する複数の記録マーク（非晶質状態）を形成することで情報を記録することになる。そして、非晶質状態の部分（記録マーク；記録部）と結晶状態の部分（記録マーク間；未記録部）とを組み合わせることによって情報が記録されることになる。

ここで、非晶質状態の記録マーク（単に非晶質マークという場合もある）は、光照射により記録層を融点より高い温度まで加熱した後に、急冷することにより形成される。急冷を行う際に十分な冷却速度が得られないと、非晶質マークは再結晶化（即ち消去）してしまうので注意が必要である。
一方、非晶質マークの消去（結晶化）は、光照射により記録層を加熱して、結晶化温度から融点直上又は融点より低い温度範囲における温度で数十から数百ナノ秒間保持することにより行われる。

通常、オーバーライト時（書換時）の線速度（書換線速度）が速いほど、ビーム走査方向（非晶質マークの長さ方向）及びビーム走査方向に直交する方向（垂直方向，非晶質マークの幅方向）におけるそれぞれの温度分布が急峻になる。このため、オーバーライト時の線速度が速くなると、特に非晶質マークの幅全体を上記の温度範囲内の温度で十分な時間保持して結晶化（非晶質マークの消去）するのが困難になる。そして、結晶化（消去）が不十分な場合、非晶質マークの周辺部に消去残りが生じることとなる。したがって、相変化型光記録媒体を書換型光記録媒体として用いる場合には、オーバーライト可能な線速度の上限は、上記消去残りが生じるか否かで決まることになる。

例えば大容量の書換型光記録媒体であるリライタブルＤＶＤでは、情報を記録する（書き込む）際に消去を行なう必要があるため、書換可能な記録線速度は２．４倍速程度に留まっているのが現状である。
一方、相変化型光記録媒体を例えばレコーダブルＤＶＤのような追記型光記録媒体として用いる場合（即ち、初期化状態或いは結晶状態とされた相変化型記録層に一回だけ記録を行なう媒体として用いる場合）には、記録されている情報を消去しなくても良いため、記録を行なう線速度（書込線速度）をオーバーライト可能な線速度よりも速くする（高速にする）ことができる。

例えば、相変化型光記録媒体の製造後は、相変化型記録層の全面が初期化されており、結晶状態（消去状態）とされているため、初回の記録はオーバーライト可能な線速度よりも高速の線速度で記録を行なうことが可能となる。また、例えば、相変化型光記録媒体に既に情報（データ）が記録されている場合であっても、ＤＣ光を照射して情報を消去してから（相変化型記録層を結晶状態に戻してから）、記録を行なうようにすれば、オーバーライト可能な線速度よりも高速の線速度で記録を行なうことが可能となる。

また、有機色素を記録層に用いる大容量のレコーダブルＤＶＤでは、記録マーク間の熱干渉の影響が大きくなる傾向があるため、線速度を例えば８倍速以上とすることは難しいとされている。これに対し、相変化型記録層を用いる大容量のリライタブルＤＶＤでは、有機色素を記録層に用いるレコーダブルＤＶＤとは記録層の材料や層構成等が異なる。このため、相変化型記録層を用いる大容量のリライタブルＤＶＤでは、有機色素を記録層に用いるレコーダブルＤＶＤほどは熱干渉の影響が大きくなる傾向がなく、より高速の線速度での記録を容易に行なうことが可能となる。

さらに、有機色素を記録層に用いるレコーダブルＤＶＤの記録可能回数は一回限りである。その特性に適した用途としては、記録データの改竄が出来ないことから公文書等の記録に用いることが挙げられる。しかし、一般的な用途においては、書き換えが可能である方が望ましい場合が多い。更に、書換可能すなわち繰り返し記録が出来るということは、資源と環境への負担を低減することができるという点からも重要である。

従って、相変化型記録層を有するリライタブルＤＶＤのような書換型光記録媒体を、敢えて積極的にレコーダブルＤＶＤのような追記型光記録媒体（ライトワンスメディア）として用いるようにすれば、情報を記録する際に消去を行なう必要がなくなるため、ＤＶＤという大容量の光記録媒体において、有機色素を記録層に用いるレコーダブルＤＶＤでは実現が難しいとされる、より高速の記録線速度（記録速度）での記録（高速記録）が可能となる。このため、ＤＶＤという大容量の光記録媒体において、例えば大容量データなどを高速でダビングできるようになる。また、相変化型記録層を有するリライタブルＤＶＤのような書換型光記録媒体を、敢えて積極的にレコーダブルＤＶＤのような追記型光記録媒体（ライトワンスメディア）として用いるようにすれば、資源と環境への負担も軽減することができる。

そこで、本実施形態では、例えば４ＧＢ以上の大容量のリライタブルＤＶＤ（書換型光記録媒体）に情報の記録（書き込み）を行なう際には、相変化型記録層を予め結晶状態（消去状態）としておき、記録時に消去を行なわなくても書き込みを行なえるようにする。このような実施形態を採用することによって、より高速な記録線速度での書き込み（高速記録）を行なえるようにしている。なお、このような書込モードをライトワンス記録モードという。

これにより、記録可能な（書込可能な）線速度の上限を上げることができ、この結果、記録可能な線速度の範囲を広範なものとすることができる。
なお、例えばリライタブルＤＶＤのような書換型光記録媒体の相変化型記録層は、例えば出荷時や販売時などには初期状態として結晶状態（消去状態）となっているため、この状態でライトワンスメディアとして用いることができる。但し、既に相変化型記録層に情報が書き込まれている場合（相変化型記録層に非晶質の記録マークが形成されている状態）であっても、ライトワンス記録モードでの書き込みを行なう前にＤＣ光を照射することで相変化型記録層を結晶状態（消去状態）にすれば、ライトワンスメディアとして用いることができる。

ところで、最高記録線速度が高くても、記録可能な線速度の範囲が狭いと限定的な使用方法にとどまることがある。
リライタブルＤＶＤにおける記録は、通常、回転速度一定のＣＡＶ(Constant Angular Velocity)記録、ＰＣＡＶ(Partial Constant Angular Velocity)記録、又は線速度一定のＣＬＶ(Constant Linear Velocity)記録、ＺＣＬＶ(Zoned Constant Linear Velocity)記録で行われる。

ＣＬＶ記録では、頻繁に回転速度を変更するため、モータの加速・減速のために多大な電力を消費するが、ＣＡＶ記録ではその必要が無く、ドライブの消費電力を大幅に改善できる利点がある。特にノート型パーソナルコンピュータ（ＰＣ）に内蔵されるような薄型のドライブでは消費電力を抑える必要があり、薄型ドライブで高速ＣＡＶ記録するという使用方法を採ることが望まれる。

しかし、リライタブルＤＶＤにおいて記録時間短縮等のために、回転速度を一定とするＣＡＶ記録を実施すると、最外周での記録線速度は最内周での記録線速度の約２．５倍に達することとなる。例えば、最内周での記録線速度が２．４倍速である場合、最外周での記録線速度は６倍速となる。従って、ＣＡＶ又はＰＣＡＶ記録を良好に行うためには、広範囲な記録線速度で光記録媒体に記録を行う必要がある。

ここで、広範な記録線速度に対応するために、記録マーク形成時のレーザのオン・オフを制御する記録ストラテジーを、記録線速度に応じて変化させる記録方法を採用することが考えられる。
しかしながらここで留意しなければならないのは、記録線速度に応じて記録ストラテジーを複雑に変化させると、記録装置（ドライブ、記録再生装置）への負担が重くなってしまうことである。従って、記録線速度に応じて記録ストラテジーを変化させなければならない場合も、その変化は単純且つ規則性が高くすることが望まれる。

そこで、本発明者らが、広範囲な記録線速度で良好な記録を行なえるようにするとともに、広範囲な記録線速度における記録ストラテジーの制御を容易にすべく鋭意検討した結果、書換型光記録媒体（例えば大容量のリライタブルＤＶＤなど）の相変化型記録層を予め結晶状態（消去状態）としておき、記録時（書き込み時）に消去を伴わずに書き込みを行なう場合（ライトワンス記録モード時）に、記録線速度が所定記録線速度以上であるか否か（例えば記録線速度が書換可能な最大記録線速度以上であるか否か、即ち、記録線速度が所定記録線速度よりも速いか否か；例えば記録線速度が書換可能な最大記録線速度よりも速いか否か）によって、後述するように記録方法を変えることが望ましいことを見出した。

なお、ライトワンス記録モードで書き込みを行なって情報（データ）を記録させた場合であっても、書換可能な線速度の範囲内で書き換え（オーバーライト）を行なうことは可能である。
［２］光記録方法
上述のように、相変化型記録層を有するリライタブルＤＶＤのような書換可能型光記録媒体を、敢えて積極的に追記型光記録媒体として用いる場合、広範な線速度での記録が可能となるように記録方法（光記録方法）を工夫する必要がある。

このため、本実施形態にかかる光記録方法では、相変化型記録層（特にアンチモンＳｂを主成分とする組成のもの）を有する書換型光記録媒体の前記相変化型記録層の結晶状態を未記録・消去状態とし、これに様々な長さの非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する。そして、この光記録方法において、記録速度が所定記録速度以上である場合（例えば記録線速度が書換可能な最大記録線速度以上である場合、即ち、記録速度が所定記録速度よりも速い場合；例えば、書換型光記録媒体の書換可能な最大記録線速度よりも速い場合）は、一つの記録マークを形成するためにの記録パルスとして一つのブロックパルスを用い、記録速度が所定記録速度よりも低い場合（例えば記録線速度が書換可能な記録線速度よりも低い場合、即ち、記録速度が所定記録速度以下の場合；例えば、書換型光記録媒体の書換可能な最大記録線速度以下の場合）は、一つの記録マークを形成するために複数の記録パルスからなるパルス列を用いるようにしている。

つまり、本実施形態では、例えばリライタブルＤＶＤのような書換型光記録媒体を敢えてライトワンスディスクとして用いるため、記録マークの形成を行なう際には相変化型記録層は結晶状態（消去状態）になっている。
まず、例えば情報を記録する際に、ユーザが記録速度（書込速度；例えばＸ倍速）を指定すると、ドライブ（記録再生装置）側に指定された記録速度が入力され（これを入力記録速度という）、これに応じてドライブ（記録再生装置）側で記録線速度が設定される（これを入力記録線速度という）。

次に、ドライブは、入力記録速度（入力記録線速度）が、ドライブに挿入された書換型光記録媒体における所定記録速度（所定記録線速度；例えば書換可能な線速度）であるか否かを判定する。
例えば、書換型光記録媒体（光ディスク）を一定の線速度で回転させる場合（ＣＬＶ方式）、入力記録線速度が所定記録線速度（例えば、挿入された書換型光記録媒体における書換可能な線速度）以上であるか（即ち、所定記録線速度よりも速いか）否かを判定する。

一方、例えば書換型光記録媒体を一定の回転速度で回転させる場合（ＣＡＶ方式）、線速度は内周側よりも外周側の方が速くなるように所定の範囲を有するものとして設定されることになる。このため、例えば、上記所定範囲の入力記録線速度の全てが所定記録線速度以上であるか否か（例えば書換可能な線速度以上であるか否か、即ち、所定記録線速度よりも速いか否か；例えば、挿入された書換型光記録媒体における書換可能な線速度よりも速いか否か）を判定する。また、例えば最内周の線速度（最も遅い線速度）が所定記録線速度以上であるか否か（例えば書換可能な線速度以上であるか否か、即ち、所定記録線速度よりも速いか否か；例えば、挿入された書換型光記録媒体における書換可能な線速度よりも速いか否か）を判定するようにしても良い。

そして、記録速度が所定記録速度よりも速い場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスを一つのブロックパルスとする。一方、記録速度が所定記録速度以下の場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスを複数の短パルスからなるパルス列とする。この場合の記録方法の詳細は後述する。
以下、本実施形態にかかる光記録方法について、相変化型光記録媒体としてリライタブルＤＶＤを例にとって、より具体的に説明する。
［２Ａ］所定記録速度（所定記録線速度；例えば書換可能な線速度）よりも速い記録速度（線速度）での記録方法
［２Ａ−１］記録線速度範囲と記録方法
現状の光ディスクドライブ（光記録媒体の記録再生装置）では、光記録媒体（以下、光ディスク又はディスクという場合もある）を回転させるスピンドルモータの回転数は、１００００ｒｐｍ程度が上限となる。これは、光ディスクの基板として通常用いられる分子量１２０００〜２００００のポリカーボネート樹脂が、これ以上の回転数では遠心力により破壊してしまうおそれがあるためである。

リライタブルＤＶＤは、通常、直径１２ｃｍの円盤形状をしており、少なくとも半径２３ｍｍ〜５８ｍｍ（好ましくは２２〜５８ｍｍ）の範囲にわたって記録領域を有する。一方、リライタブルＤＶＤにおける基準線速度は３．４９ｍ／ｓである。従って、約１００００ｒｐｍでディスクを回転（ＣＡＶ回転）させると、記録領域の最内周（半径２２ｍｍ位置）における線速度は、基準線速度の約７倍速となり、記録領域の最外周（半径５８ｍｍ位置）における線速度は、基準線速度の約１７倍速となる。従って、基準線速度の約１７倍速程度が、現時点におけるリライタブルＤＶＤにおける記録速度（書込速度）の物理的な限界となる。

現在、リライタブルＤＶＤは、基準線速度の１倍速〜２．４倍速で書換可能なものが実用化されている。この場合、書換可能な線速度の範囲（消去しながら書き込みを行なうことができる線速度範囲）は基準線速度の１倍速〜２．４倍速の範囲となる。従って、現在実用化されているリライタブルＤＶＤにおいては、２．４倍速よりも大きく、約１７倍速以下が書換可能な記録線速度よりも速い記録線速度範囲となる。尚、リライタブルＤＶＤにおける書換可能な記録線速度の上限は、いずれ４倍速から５倍速程度となるであろう。従って、書換可能な記録線速度よりも速い記録線速度範囲は、いずれ４倍速から５倍速程度よりも大きく、約１７倍速以下となるであろう。

そこで、本発明者らは、大容量のリライタブルＤＶＤにおいて、書換可能な線速度よりも速い線速度（書換可能な記録速度よりも速い記録速度）において、未記録又は消去状態（結晶状態）の相変化記録層への非晶質マークの良好な記録を行なえるようにするための記録方法を鋭意検討した。
本発明者らが記録方法を検討する際に留意した点は、以下の２つである。
（１）まず、書換可能な線速度よりも速い記録線速度のように高速で記録を行なう場合、低速での記録の場合と比較して、相変化型記録層を溶融するのに、より大きいレーザパワーが必要となる。しかしながら、レーザパワーは、半導体レーザの最大出力パワーよりも大きくすることができない。このため、レーザパワー不足となる場合は、後述するように、レーザのオンオフを上手く制御することが（非晶質の記録マークを形成するためのレーザのオンオフを、記録ストラテジーという。）重要である。
（２）また、上記記録ストラテジーを単純化することが重要である。ここで、ＣＡＶ記録では、記録領域の最内周と最外周とで２．５倍程度の線速度差がある。従って、リライタブルＤＶＤの記録領域の内周から外周に向かって記録を行なう場合には、記録線速度が逐次変化することになるが、この記録線速度の変化に伴って記録ストラテジーを変化させることが必要となる。レーザ駆動回路（分割パルスの発生制御回路）の設計上、この記録ストラテジーの変化は、極力単純で制御しやすいものとすることが要求される。

一般に、相変化型光記録媒体においては、一つの記録マークを複数の短いパルス（分割パルス）で記録する記録ストラテジーが採用されている。しかしながら、この記録ストラテジーは、書換可能な最大記録線速度よりも速い記録線速度では用いることができないことが分かった。これは、書換可能な最大記録線速度よりも速い記録線速度の範囲では、複数の短パルスで記録ストラテジーを形成すると、記録マークの形成に用いる全体のレーザパワーが不足してしまうためである。また、高周波でレーザをパワー変調（レーザのオンオフ）しなければならないため、レーザ駆動回路（分割パルスの発生制御回路）の設計も難しい。

例えば、リライタブルＤＶＤの基準線速度（３．４９ｍ／ｓ）におけるクロック周期：Ｔ（本明細書においては、クロック周期をＴで表す場合がある。）は約３８．２ｎｓｅｃである。各線速度における線速度：Ｖとクロック周期：Ｔとの積：ＶＴが一定であるため、８倍速ではクロック周期：Ｔは約４．８ｎｓｅｃ、すなわち１周期の時間長（１Ｔ）は５ｎｓｅｃ以下となる。レーザパルスは、立ち上がり立ち下がりに通常少なくとも１ｎｓｅｃ程度を要する。従って、複数の短パルスで記録ストラテジーを形成した場合に記録層を融点以上に加熱することは、基準線速度の８倍速以上においては極めて困難となる。むしろ、従来、分割パルスストラテジーが使用されていたのは、一つのパルス（ブロックパルス）で記録した場合にマーク形状が歪んだり、十分な冷却速度が得られずに非晶質マークが再結晶化してしまうことを防ぐため（非晶質状態の記録マークを形成する際の冷却速度を確保するため）であった。

上述のような点に留意して本発明者らが検討した結果、結晶状態の相変化型記録層に情報を記録する場合であって、所定記録線速度よりも速い記録線速度（例えば、書換可能な最大記録線速度よりも速い記録線速度）で記録（書き込み）を行なう場合には、複数の短パルスで記録ストラテジーを形成する必要はなく、単純に一つのパルス（ブロックパルス）で記録しても非晶質マークを形成できる程度の十分な冷却速度が得られることがわかった。さらに検討を加えた結果、ブロックパルスによる記録ストラテジーによって記録可能な（書込可能な）線速度の下限は、書換可能な線速度範囲の上限程度であることを見出した。

つまり、結晶状態の相変化型記録層に非晶質マークを記録する場合であって、所定記録線速度よりも速い（書換可能な最大記録線速度よりも速い）線速度（書換可能な線速度の上限からディスク回転数の物理的限界で決まる速度までの線速度）で記録（書き込み）を行なう場合には、１つのパルスによる記録ストラテジーを使用するのが好ましいことがわかった。

このような、１つのパルスによる記録ストラテジーとして、本発明においては以下の記録方法を用いる。
すなわち、相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の相変化型記録層の結晶状態を未記録・消去状態とし、これに様々な時間的長さｎＴ（Ｔは基準クロック周期、ｎは２以上の整数）を有する非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いる光記録方法であって、記録線速度が、書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録線速度よりも速い場合においては、ｎＴの時間的長さを有する記録マークを、記録パワーＰｗＨの記録光とバイアスパワーＰｂＨの記録光とを照射しうる一つのブロックパルスを用いて形成するのである。

なお、本発明においては、「基準クロック周期」を単に「クロック周期」と言う場合がある。また、本発明において「ブロックパルス」とは、記録パワーＰｗＨの記録光とバイアスパワーＰｂＨの記録光とからなる１つのパルスによる記録ストラテジーのことをいう。例えば、図１のような記録ストラテジーをブロックパルスという。
逆に、結晶状態の相変化型記録層に情報を記録する場合に、記録線速度を所定記録線速度以下の線速度（所定記録速度以下の記録速度；例えば書換可能な最大記録線速度以下の線速度、書換可能な記録線速度範囲の線速度）にすると、１つのパルス（ブロックパルス）で記録するには冷却速度が不十分となり非晶質マークの形成が困難になることが判明した。従って、結晶状態の相変化型記録層に情報を記録する場合に、記録線速度を所定記録線速度以下の線速度（所定記録速度以下の記録速度；例えば書換可能な最大記録線速度以下の線速度）にするときは、分割記録パルスを用いた記録ストラテジーを採用するのが好ましいことがわかった。この点については下記［２Ｂ］で詳細に説明する。
［２Ａ−２］具体例
以下、所定記録線速度よりも速い（例えば書換可能な最大記録線速度よりも速い）線速度（記録速度）で用いる１つのパルス（ブロックパルス）による記録ストラテジーの具体例について説明する。

本発明においてブロックパルスによる記録ストラテジーとして好ましいのは、以下の記録ストラテジーである。
すなわち、記録線速度が、書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録線速度よりも速い場合において、
ｎＴ（ｎはｋ₀以上の自然数で、ｋ₀は２又は３）の記録マークを、ｋ₀Ｔ、・・、（ｋ₀＋（ｋ₁−１））Ｔの時間的長さを有する記録マーク（ここで、ｋ₁は整数である。）と、（ｋ₀＋ｋ₁）Ｔ以上の時間的長さを有する記録マークとに分け、
γ（γは０以上２以下の値）をｎによって異なり得るものとし、
ｋ₀Ｔ、・・、（ｋ₀＋（ｋ₁−１））Ｔの時間的長さを有する記録マークを形成する場合には、記録マークの始点からＴ_dkＴ（Ｔ_dkは−１から１の間の値）の時間だけ遅れた時点から記録パワーＰｗＨの記録光の照射を開始し、記録マークの終点からγＴの時間だけ早い時点において記録パワーＰｗＨの記録光の照射を終了することによって記録マークを形成し、
（ｋ₀＋ｋ₁）Ｔ以上の時間的長さを有する記録マークを形成する場合には、記録マークの始点から記録パワーＰｗＨの記録光の照射を開始し、記録マークの終点からγＴの時間だけ早い時点において記録パワーＰｗＨの記録光の照射を終了することによって記録マークを形成するものである。

以下、上記記録ストラテジーにおいてｋ₀＝３、ｋ₁＝３の場合を例にとって、図１（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。
ここで、図１（ａ）〜（ｃ）は、所定記録線速度よりも速い（書換可能な最大記録線速度よりも速い）線速度で用いる１つのパルスによる記録ストラテジーの一例を示したものであり、（ａ）は、ｎＴ（ｎ＝３〜１４、Ｔはクロック周期）の時間的長さを有する非晶質状態の記録マークを形成する場合の記録データ信号（ｎＴ信号）、（ｂ）はｎが６以上におけるｎＴマークを形成する場合の記録ストラテジーの記録パワー波形、（ｃ）はｎが３，４，５の場合における記録ストラテジーの記録パワー波形をそれぞれ示している。

まず、ｎが６以上の場合、即ち時間的長さが比較的長い記録マーク（非晶質マーク）を形成する場合、図１（ｂ）に示すように、ｎＴのパルス長からγＴのパルス長を減じたパルス長だけ記録パワーＰｗＨのレーザを照射する記録パルスストラテジーを用いるのが好ましい。これは、例えば、ｎＴ（ｎ：３以上の自然数，Ｔ：クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、ｎが６以上のとき（記録マークの長さが所定長さ以上の場合）は、ブロックパルスの終了時期が、ｎＴのパルス幅を有するデータ信号パルス（ｎＴ信号）の終了時期よりもγＴ（第１所定時間）だけ早くなるようにすることを意味する。

ここで、γＴは再生時に正確にｎＴマークが読み出されるように記録時のマーク長を補正するための補正時間である。γＴは、記録マークの先端側，後端側のいずれに付与してもよいが、後端側に付与するのが好ましい。後端側に付与することにより記録マークの後端形状が安定して再生時のジッター特性が良好となる。なお、γは、通常０以上２以下の値とする。

なお、より正確にマーク長を制御するためには、γがｎの関数として設定されるようにする（即ち、ｎに応じて独立に設定されるようにする）のが望ましい。つまり、γＴがｎに応じて変化するように設定するのが好ましい。但し、ｎによらずγを一定とすれば、レーザ駆動回路（分割パルスの発生制御回路）の設計が簡便となる利点はある。
次に、ｎが３，４，５の場合、即ち、時間的長さが比較的短い記録マーク（非晶質マーク）を形成する場合、上記γＴを後端側に付与することに加え、記録パルス波形の開始時期を調整した記録ストラテジーを採用するのが好ましい。このように、マーク先端部を形成する記録パワーＰｗＨの記録光の照射開始時期を調整することにより、時間的長さの長い長マーク（例えばｎが６以上のマーク；６Ｔマーク〜１１Ｔ，１４Ｔ）の長さと、時間的長さの短い短マーク（例えばｎが６よりも小さいマーク；３Ｔ，４Ｔ，５Ｔ）の長さのバランスを良好に補正することができるようになる。つまり、長マークよりも短マークの方が、記録光を照射して形成される非晶質マークの前端が目標位置よりもずれる傾向が著しいため、このように、短マークの場合にだけ、記録光の照射開始時期を調整することで、記録光を照射して形成される長マークの長さと短マークの長さとのバランスを良好なものとすることができ、よりジッターの値が良くなり、良好な記録特性が得られることになる。

具体的には、図１（ｃ）に示すように、３Ｔ，４Ｔ，５Ｔマークを形成する記録パルスの開始時期は、６Ｔ以上の時間的長さの記録マークを形成する記録パルスの開始時間よりも、Ｔ_dkＴ（所定時間）だけ遅らせる。つまり、ｎ＝６以上の記録マークの場合と比較してＴ_dkＴだけ遅れた時点から、ｎＴからγＴだけ減じた時点までレーザパワーを記録パワーＰｗＨとする記録パルスストラテジーを採用する。

これは、例えば、ｎＴ（ｎ：３以上の自然数，Ｔ：クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、ｎが３〜５のとき（記録マークの長さが所定長さよりも短い場合）は、ブロックパルスの開始時期（記録パワーＰｗＨの記録光の照射開始時期）が、データ信号パルス（ｎＴ信号）の開始時期よりもＴ_dkＴ（第２所定時間）だけ遅れるようにするとともに、ブロックパルスの終了時期がデータ信号パルス（ｎＴ信号）の終了時期よりもγＴ（第１所定時間）だけ早くなるようにすることを意味する。

ここで、Ｔ_dkＴは、ｎ＝３，４，５の場合でそれぞれ独立に−１Ｔ〜＋１Ｔの範囲で調節することが好ましい。つまり、Ｔ_dkをｎの関数として設定されるようにする（即ち、ｎに応じて独立に設定されるようにする）のが望ましい。言い換えると、Ｔ_dkＴがｎに応じて変化するように設定するのが好ましい。但し、ｎが３〜５のいずれであってもＴ_dkＴを一定とすれば、レーザ駆動回路（分割パルスの発生制御回路）の設計が簡便となる利点がある。

ここで、Ｔ_dkＴは、ｎＴの長さを有する記録マークの先頭位置から遅れる場合を正とする。従って、例えば、Ｔ_dkＴ＝−Ｔとした場合は、ｎＴの記録マークの先頭位置よりも１Ｔ分だけ速い時期で記録パワーＰｗＨの記録光（レーザ光）の照射を開始することになる。通常、Ｔ_dkは、−１以上、１以下の値とする。
なお、ここでは、ｎが６（ｋ₀＝３，ｋ₁＝３，ｎ＝ｋ₀＋ｋ₁）以上の場合を記録マークの長さが所定長さ以上の場合とし、ｎが３（ｋ₀＝３，ｎ＝ｋ₀），４［ｋ₀＝３，ｋ₁＝３，ｎ＝ｋ₀＋（ｋ₁−２）］，５［ｋ₀＝３，ｋ₁＝３，ｎ＝ｋ₀＋（ｋ₁−１）］の場合を記録マークの長さが所定長さよりも短い場合としているが、これに限られるものではなく、記録マークの長さが所定長さ以上であるかを判定するのに用いられるｎの値は任意に設定することができる。ｎは、通常は、４、５、６のいずれかの値をとる。これは、時間的長さが短いマークほど、形成される非晶質マークの前端が所定の位置よりずれる傾向が著しいためである。

上記１つのパルスによる記録ストラテジーは、レーザパワーを記録パワーＰｗＨで維持する時間を原則としてクロック周期Ｔに比例させる。このため、ＣＡＶ記録のように記録半径位置によって記録線速度が変化した場合においても、上記比例関係が維持される（比例係数が固定されている）ため、容易に記録パルスを形成することが可能であり、広範囲な線速度での記録が可能となる。

なお、図１（ｂ），（ｃ）に於けるＰｗＨは記録パワーレベルであり、記録層を融点以上に昇温し、非晶質マークを形成するに足るパワーである。一方、ＰｂＨは非晶質マーク間に照射するバイアスパワーレベルである。
ＰｗＨとＰｂＨとの関係は以下のように設定することが好ましい。まず、０＜ＰｂＨ＜Ｐｅ＜ＰｗＨとすることが好ましい。つまり、ＰｂＨをＰｅよりも小さくすることが好ましい。ここで、Ｐｅは消去パワーである。消去パワーＰｅについての説明は後述する。また、通常、ＰｂＨ／ＰｗＨ≦０．５とする。また、ＰｂＨとＰｅとの関係は、ＰｂＨ／Ｐｅ≦０．８とすることが好ましく、ＰｂＨ／Ｐｅ≦０．７５とすることがより好ましく、ＰｂＨ／Ｐｅ≦０．７とすることが特に好ましい。

なお、上述のように、相変化型記録層を結晶状態（未記録又は消去状態）として記録（書き込み）を行なうようにすれば、所定記録線速度（例えば書換可能な最大記録線速度）よりも速い線速度（高速の線速度）での記録（例えばライトワンス）が可能であるが、このようにして記録した非晶質マークは、書換可能（消去可能）な線速度（低速の線速度）で記録（書き換え）を行なうことで、オーバーライトが可能である。また、書き換え可能な線速度において、消去パワーレベルＰ_DCのＤＣ光を照射することにより消去することもできる。
［２Ｂ］所定記録線速度（所定記録速度）以下の線速度（書換可能な線速度範囲；記録速度）での記録方法（パルス分割法）
［２Ｂ−１］記録線速度範囲と記録方法
上記［２Ａ−１］で説明したように、上記ブロックパルスを用いる記録ストラテジーは、所定記録線速度（所定記録速度；例えば書換可能な最大記録線速度）以下の記録線速度では、冷却速度が不十分となり、非晶質マークの形成が困難になる。このため、所定記録線速度以下の線速度（例えば書換可能な最大記録線速度以下の記録線速度領域）においては、記録層を融点以上に昇温する記録パワーを有する記録光（レーザ光）と、溶融した記録層を冷却する所定のバイアス（冷却）パワーを有する記録光（レーザ光）とを繰り返し照射する（分割記録パルスを用いる）ことにより、溶融領域の冷却を確保して非晶質の記録マークを形成する記録ストラテジーを採用するのが好ましい。

分割記録パルスを用いた記録ストラテジーとは、具体的には、一つの記録マークを形成するために複数（例えばパルス分割数ｍ個）の記録パルスからなるパルス列を用い、これらの複数の記録パルスにおいては、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗ_i（ｉは１≦ｉ≦ｍを満たす。）のレーザ光を記録層に照射し、記録パルス間（本明細書においては、記録パルス間を冷却パルスという場合がある。）においては、バイアス（冷却）パワーＰｂ_i（ｉは１≦ｉ≦ｍであり、Ｐｂ_i＜Ｐｗ_i、Ｐｂ_i＜Ｐｗ_i+1）のレーザ光を記録層に照射する記録ストラテジーをいう。

このような記録ストラテジーとしては、複数の記録パルスからなるパルス列を、概ねクロック周期の１倍（１Ｔ）の周期で繰り返し発生させる方法が従来から用いられている。これは、一の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足した時間的長さが、クロック周期の略１倍（１Ｔ）となるように構成する方法である。
ここで、リライタブルＤＶＤの基準線速度におけるクロック周期は３８．３ｎｓｅｃであるため、２倍速におけるクロック周期は１９．１ｎｓｅｃとなる。つまり、リライタブルＤＶＤの記録においては、２倍速記録の時点でクロック周期が２５ｎｓｅｃを下回ることになる。クロック周期が２５ｎｓｅｃ以下となると、一の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足した時間的長さが概ね１Ｔとなる上記従来の記録方法では、記録層の溶融時間（記録パルスの時間的長さ）及び冷却時間（冷却パルスの時間的長さ）を十分に確保できなくなる。従って、基準クロック周期Ｔが２５ｎｓｅｃ以下となるような記録線速度における記録においては、本発明のｎ／ｍ（詳細は後述する）を１．２５以上とする記録方法を用いる意義が特に高い。

以上の理由から、本発明においては、上記一の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足した時間的長さを、クロック周期の略１．２５倍（１．２５Ｔ）以上となるように構成する記録方法を用いる。
つまり、上記従来からの方法に対して、より記録線速度の速い記録にも対応するために、複数の記録パルスからなるパルス列の発生間隔を１Ｔよりも大きくする記録ストラテジーを用いる。この記録ストラテジーは、具体的には、複数の記録パルスからなるパルス列の発生間隔を概ねクロック周期の１．２５倍（１．２５Ｔ）以上とするものである。これは、一の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足した時間的長さを、クロック周期の略１．２５倍（１．２５Ｔ）以上（具体的には、１．５Ｔ、２Ｔ、２．５Ｔ、３Ｔ・・）となるように構成する方法である。

なお、本発明においては、例えば、記録パルスが概ねクロック周期（１Ｔ）で繰り返すようにする記録ストラテジーを１Ｔ分割パルス（１Ｔ分割パルス記録ストラテジー）という。同様に、例えば、記録パルスが概ねクロック周期の２倍（２Ｔ）で繰り返すようにする記録ストラテジーを２Ｔ分割パルス（２Ｔ分割パルス記録ストラテジー）という。
以下の説明では、複数の記録パルスからなるパルス列を概ねクロック周期の１．２５倍以上とする記録ストラテジーについて説明する。そして、このような記録ストラテジーのより具体的な方法の一つとして２Ｔ分割パルス記録ストラテジーについて説明する。なお、以下では、特にクロック周期の１．２５倍以上とする場合について説明するが、本発明は、１Ｔ分割パルス記録ストラテジーに適用できるのは言うまでもない。

但し、本発明においては２Ｔ分割パルス記録ストラテジーに限られるものではなく、例えばクロック周期の１．５倍（１．５Ｔ）、２．５倍（２．５Ｔ）、３倍（３Ｔ）等で繰り返すような記録ストラテジーとしても良い。この場合にも、後述する本実施形態における特徴的な点を適用することができる。
［２Ｂ−２］一般説明
従来から用いられている１Ｔパルス分割は、パルス分割数ｍをｎ−ｋ個（ｋは１又は２）とするものである。例えば、１１Ｔマーク（ｎ＝１１）を形成する場合にパルス分割数ｍを１０とすると、一の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足したものは１．１Ｔ（ｍ＝１０、ｋ＝１）となる。つまり、記録パルスが１．１Ｔの間隔で繰り返し発生されることとなる。

これに対して、本発明で用いる光記録方法は、パルス分割方式による分割数ｍを少なくして記録パルスの発生間隔を長くする方法である。この方法を採用することにより、一の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足した時間的長さを長くすることができる。このため、各記録パルスが発生される時間的長さを長くすることができるようになり、書換型光記録媒体の光照射部分の加熱時間を記録パルス（レーザパルス）の応答速度（記録パルスのオン・オフ時の応答速度）に対して十分長くとることが可能となる。加えて、冷却パルスが発生される時間的長さを長くすることができるようになり、非晶質の記録マーク形成時の冷却時間を十分長くとることができるようになる。その結果、２５ｎｓｅｃ以下という短いクロック周期においても良好なマーク長記録が行なえる。本発明で用いる光記録方法は、リライタブルＤＶＤにおいて記録線速度を２倍速以上とした場合に特に有効となる。

本発明において採用する分割記録パルスストラテジーは以下の通りである。
すなわち、相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の前記相変化型記録層の結晶状態を未記録・消去状態とし、これに様々な時間的長さｎＴ（Ｔは基準クロック周期で、ｎは２以上の整数である。）を有する非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いる光記録方法であって、
記録線速度が、前記書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録線速度の範囲内である場合は、
時間的長さｎＴを、
η₁Ｔ、α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・、
α_iＴ、β_iＴ、・・・、α_mＴ、β_mＴ、η₂Ｔ
（ｍはパルス分割数であり、ｉは１以上ｍ以下の整数である。Σ_i（α_i＋β_i）＋η₁＋η₂＝ｎである。α_i（１≦ｉ≦ｍ）は０より大きい実数であり、β_i（１≦ｉ≦ｍ−１）は０より大きい実数であり、β_mは０以上の実数であり、η₁及びη₂はそれぞれ−２以上２以下の実数である。）の順に分割し、少なくとも一つの記録マークの時間的長さは、上記パルス分割数ｍを２以上とし、かつ、全ての記録マークの時間的長さは、ｎ／ｍ≧１．２５を満たすようにして、
α_iＴの時間内には、記録パワーＰｗ_i（１≦ｉ≦ｍ）の記録光を照射し、
β_iＴの時間内には、バイアスパワーＰｂ_i（１≦ｉ≦ｍ、Ｐｂ_i＜Ｐｗ_i、Ｐｂ_i＜Ｐｗ_i+1）の記録光を照射し、
ｎＴの時間的長さを有する複数の記録マークを形成し、
複数の記録マーク間には、消去パワーＰｅ（Ｐｅは１≦ｉ≦ｍにおけるｍ個のＰｂ_iそれぞれの値以上であり、１≦ｉ≦ｍにおけるｍ個のＰｗ_iそれぞれの値よりも小さい値である。）の記録光を照射する。

なお、２つ以上の異なる時間的長さｎＴを有する記録マークを同一の分割数ｍで形成する記録方法を用いる場合、上記２つ以上の異なる時間的長さｎＴを有する記録マークのぞれぞれにおけるα_i及び／又はβ_iを異なる値とすることが好ましい。つまり、同一の分割数ｍにおける、２つ以上の異なる時間的長さｎＴを有する記録マークにおいて、１≦ｉ≦ｍのいずれかのｉにおけるα_iＴ、β_iＴの時間幅をそれぞれ調整して、上記２つ以上の異なる時間的長さｎＴを有する記録マークを形成しわけるのである。

従来の１Ｔパルス分割によればパルス分割数ｍをｎ−ｋ個（ｋは１または２）としたが、本発明ではｍを別の観点から規定する。
本発明においては、少なくとも一つの記録マークの時間的長さについては上記パルス分割数ｍを２以上とする。つまり、必ずしも全てのｎＴの記録マークについて、ｍを２以上とするパルス分割を行う必要はない。特に２Ｔ、３Ｔや４Ｔなどの短いマークにおいては熱の蓄積の問題が比較的小さく、パルスの応答速度が追いつかない場合があるため、記録パワーＰｗ_i（１≦ｉ≦ｍ）の記録光を１パルス照射するだけ、或いは記録パワーＰｗ_i（１≦ｉ≦ｍ）の記録光を１パルスとバイアスパワーＰｂ_i（１≦ｉ≦ｍ）の記録光を１パルス照射する方が好ましい。

上記記録方法の特徴は、全ての記録マークの時間的長さについてｎ／ｍ≧１．２５とすることである。
仮にη₁、η₂を共に０とすると、Σ_i（α_i＋β_i）／ｍ＝ｎ／ｍであるから、ｎ／ｍは（α_i＋β_i）の平均的な長さに対応する値であり、（ｎ／ｍ）Ｔは、一の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足して得られる平均周期（分割パルスの平均的周期）に対応する値となる。

従来の１Ｔパルス分割では、ｍ＝ｎ−ｋであってｋは１または２に固定されているから、ｎ／ｍ＝ｎ／（ｎ−１）又はｎ／ｍ＝ｎ／（ｎ−２）である。この値は、ｎが大きいほど小さいから、最長のマーク時間長をｎ_maxＴとするとｎ_maxにおいてｎ／ｍは最小となる。即ち、一の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足して得られる平均周期（分割パルスの平均的周期）は最短マークで最も長く最長マークで最も短いから、α_iＴ、β_iＴは最長マークで最も短い。

例えば、ＣＤで採用されているＥＦＭ変調方式では、ｎ＝３〜１１、ｋ＝２であるから、（ｎ_max／ｍ）は、１１／（１１−２）＝１．２２となる。また、ＤＶＤで採用されているＥＦＭ＋変調方式では、ｎ＝３〜１４、ｋ＝２であるから、（ｎ_max／ｍ）は、１４／（１４−２）＝１．１６となる。同様に、（１，７）−ＲＬＬ−ＮＲＺＩ変調方式では、ｎ＝２〜８、ｋ＝１であるから、（ｎ_max／ｍ）は、８／（８−１）＝１．１４となる。

上記から明らかなように、従来の１Ｔパルス分割では、一の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足して得られる平均周期（分割パルスの平均的周期）を示すｎ／ｍの最小値は、１．２２、１．１６、１．１４程度となっており、全ての記録マークの時間的長さについて、ｎ／ｍ≧１．２５とならない。ここで、１Ｔパルス分割では、基準クロック周期Ｔがおよそ２５ナノ秒より短くなると、上記最長の時間的長さを有する記録マークにおいて分割パルスの平均的周期が２５ナノ秒程度となるといえる。これは、記録パルス区間α_iＴの平均値又はオフパルス区間β_iＴの平均値が１２．５ナノ秒程度となることを意味する。これは、少なくとも一つのｉに対して、α_iＴもしくはβ_iＴのいずれかが１２．５ナノ秒程度になることを示す。さらに、基準クロック周期Ｔが約２０ナノ秒以下となると、α_iＴもしくはβ_iＴのいずれかがさらに小さくなる。

なお、上記の説明において、どれか特定のα_iもしくはβ_iが平均値より長くなったとしても、それは他方別のα_iもしくはβ_iがさらに短くなることを意味しているから、やはりα_iＴもしくはβ_iＴのいずれかが小さくなることに変わりはない。
また正確には、１Ｔパルス分割ではΣ（α_i＋β_i）は必らずしもｎと等しくなく、ｎ−η（η＝０〜２）となっていてもよいが、この場合はα_iやβ_iの平均値はさらに短くなるので、むしろ問題は一層深刻となる。

上記問題に対して、本発明で用いる光記録方法においては、全ての記録マークの時間的長さについて（全てのｎについて）、ｎ／ｍ≧１．２５を満たすようにｍを設定する。その結果、α_iＴとβ_iＴの長さを十分なものとすることができる。１Ｔパルス分割においては、記録パルス区間α_iＴ及びオフパルス区間β_iＴが概ね０．５Ｔ程度となるが、ｎ／ｍ≧１．２５とすることにより、記録パルス区間α_iＴ及びオフパルス区間β_iＴを概ね０．５Ｔより長めに取ることができ、記録層の加熱を十分に行う一方、後続パルスによる熱の供給を抑えて十分な冷却効果を得ることができる。

特にマークが長い場合には熱蓄積によるマーク形状が歪みやすいため、好ましくは時間的長さ７Ｔ以上のマークに対してはｎ／ｍは１．５以上とする。勿論、６Ｔ以下の短マークについてもｎ／ｍは１．５以上とするのが好ましい。より好ましくは、ｎ／ｍを１．８以上とすることである。
ただし、ｎ／ｍの値が大きすぎると熱蓄積が大きくなるため、ｎ／ｍは通常４以下とし、好ましくは３．５以下とし、より好ましくは３以下とする。

本発明で用いる上記光記録方法は、基準クロック周期Ｔが短いほど効果が大きい。このためクロック周期Ｔは、好ましくは２５ｎｓｅｃ以下、より好ましくは２０ｎｓｅｃ以下、さらに好ましくは１５ｎｓｅｃ以下とする。ただし、あまりに短いクロック周期は実用上得にくいので通常０．１ｎｓｅｃ以上、好ましくは１ｎｓｅｃ以上、さらに好ましくは３ｎｓｅｃ以上とする。クロック周期Ｔが小さいほど、ｎ／ｍの最小値を大きくするのが好ましい。

本発明において、α_i、β_i、η₁、η₂、Ｐｗ_i、Ｐｂ_i等の分割パルスに関するパラメータは、マーク長やｉに応じて適宜変化させることができる。
また、本発明においては、ｍ個の記録パルス区間α_iＴ（１≦ｉ≦ｍ）の平均値及び（ｍ−１）個のオフパルス区間β_iＴ（１≦ｉ≦ｍ−１）の平均値を、ともに通常３ナノ秒以上、好ましくは５ナノ秒以上、さらに好ましくは１０ナノ秒以上とする。この範囲とすれば、照射する光の追従性を確保することができるようになる。一方、個々のα_iＴ（１≦ｉ≦ｍ）および個々のβ_iＴ（１≦ｉ≦ｍ−１）を、好ましくは３ナノ秒以上、より好ましくは５ナノ秒以上、さらに好ましくは１０ナノ秒以上とする。なお、記録の際に通常使用するレーザー光のパワーの立ち上がり時間や立ち下がり時間は、最小のα_iＴ（１≦ｉ≦ｍ）の時間的長さ、及び最小のβ_iＴ（１≦ｉ≦ｍ）の時間的長さにおける５０％以下の時間的長さ以内に抑えることが好ましい。

本発明においては、β_mを０として最後のオフパルス区間であるβ_mＴに光を照射しなくてもよいが、マーク後端部の熱蓄積の問題が大きい場合はβ_mＴを設けるのが好ましい。その場合はβ_mＴも通常３ナノ秒以上、好ましくは５ナノ秒以上とし、より好ましくは１０ナノ秒以上とする。
記録パルス区間α_iＴ（１≦ｉ≦ｍ）が３ナノ秒以上、特に５ナノ秒以上あれば、記録光の立ち上がり／立ち下がりの問題はあるものの、記録パワーＰｗ_iを上げることで記録に必要な照射エネルギーを確保できる。

一方、オフパルス区間β_iＴ（１≦ｉ≦ｍ−１）も、３ナノ秒以上、特に５ナノ秒以上あれば、バイアスパワーＰｂを再生光パワーＰｒと同程度、あるいはトラッキングサーボなど他に支障の無い限り０まで下げることで冷却効果が確保できる。
さらに大きな冷却効果を得るためには、全ての記録マークの時間的長さについて、Σ_i（α_i）を、通常０．６ｎよりも小さくする、好ましくは０．５ｎよりも小さくする、より好ましくは０．４ｎ以下とする。すなわち、記録パルス区間の総和Σ_i（α_iＴ）とオフパルス区間の総和Σ_i（β_iＴ）とを同等、又は、記録パルス区間の総和Σ_i（α_iＴ）をオフパルス区間の総和Σ_i（β_iＴ）よりも短くして、各マーク内でオフパルス区間が長くなるようにする。特に好ましくは、ｉ＝２〜ｍ−１の全てのｉに対してα_iＴ≦β_iＴとし、少なくとも２番目以降の記録パルス列においてβ_iＴのほうを長くする。

本発明の記録方法において、α_i（１≦ｉ≦ｍ）及びβ_i（１≦ｉ≦ｍ−１）の値は、記録パルス区間α_iＴ（１≦ｉ≦ｍ）やオフパルス区間β_iＴ（１≦ｉ≦ｍ−１）等の値によって適宜設定される。通常、α_i（１≦ｉ≦ｍ）は０より大きい実数とする。β_i（１≦ｉ≦ｍ−１）は０より大きい実数とする。また、β_mは０以上の実数とする。具体的には、α_i（１≦ｉ≦ｍ）及びβ_i（１≦ｉ≦ｍ−１）は、それぞれ通常０．０１以上、好ましくは０．０５以上であり、一方、通常５以下、好ましくは３以下である。

特に、β_i（１≦ｉ≦ｍ−１）については、あまりに小さいと冷却効果が不十分になることがあるので、より好ましくは０．５以上、特に好ましくは１以上とする。一方、β_i（１≦ｉ≦ｍ−１）があまりに大きいと冷却されすぎて記録マークが光学的に分離されてしまうことがあるので、より好ましくは２．５以下、特に好ましくは２以下とする。β_i（１≦ｉ≦ｍ−１）を上記範囲とする効果は、マーク先端の形状に大きな影響を与える最初のオフパルス区間β₁Ｔにおいて特に大きい。

マーク後端の形状に大きな影響を与える最後のオフパルス区間β_mＴについても、上記同様のことがいえる。このため、β_mは、通常０以上、好ましくは０．０５以上、より好ましくは０．１以上、さらに好ましくは０．３以上とし、最も好ましくは０．７以上とする。一方、好ましくは２．５以下、特に好ましくは２以下とする。
分割パルスの発生制御回路の設計を簡略化するために、先頭パルス区間α₁Ｔと最後尾パルス区間α_mＴとの間の中間パルス区間（群）α_iＴ（２≦ｉ≦ｍ−１）の切り替え周期を一定値とすることが好ましい。具体的には、（α_i＋β_i）Ｔ（ただし２≦ｉ≦ｍ−１）または（β_i-1＋α_i）Ｔ（ただし２≦ｉ≦ｍ−１）は、１．５Ｔ、２Ｔ又は２．５Ｔとするのが好ましい。

本発明においては、オフパルス区間β_iＴ（１≦ｉ≦ｍ−１）に照射する記録光のパワーＰｂ_iは、記録パルス区間α_iＴ及びα_i+1Ｔに照射する記録光のパワーＰｗ_i及びＰｗ_i+1よりも小さくする。大きな冷却効果を得るためには、全ての記録マークの時間的長さについてＰｂ_i＜Ｐｗ_iとするのが好ましい。より好ましくは１≦ｉ≦ｍにおいてＰｂ_i／Ｐｗ_i≦０．５とすること、さらに好ましくは１≦ｉ≦ｍにおいてＰｂ_i／Ｐｗ_i≦０．２とすることである。また、バイアスパワーＰｂ_iは再生時に照射する光のパワーＰｒと等しくすることができる。その結果、パルス分割に必要な分割パルスの発生制御回路の設定を簡便にできるようになる。

一つの記録マークの時間的長さに対して、ｉに応じてＰｂ_i及び／又はＰｗ_iを変化させてもよい。具体的には、一つの記録マークの時間的長さに対して、ｉに応じてＰｂ_i及び／又はＰｗ_iを異なる２以上の値としてもよい。特に、先頭の記録パルス区間α₁Ｔにおける記録パワーＰｗ₁と、最後尾の記録パルス区間α_mＴにおける記録パワーＰｗ_mとを、中間の記録パルス区間α_iＴ（２≦ｉ≦ｍ−１）における記録パワーＰｗ_i（２≦ｉ≦ｍ−１）とは異なる値とすることで、マークの始端部・終端部のマーク形状を正確に制御することができる。ここで、分割パルスの発生制御回路の設定が簡便とする点から、中間の記録パルス区間α_iＴ（２≦ｉ≦ｍ−１）における、ｍ−２個の記録パワーＰｗ_i（２≦ｉ≦ｍ−１）を、できるだけ全て同じパワー値にすることが好ましい。

オフパルス区間β_iＴ（１≦ｉ≦ｍ−１）におけるバイアスパワーＰｂ_iについても同様に、特に理由がない限りできるだけ全て同じパワー値にするのが好ましい。また、異なるｎを有する少なくとも２つの記録マークの間で、同じｉに対して異なるＰｗ_i及び／又はＰｂ_iの値としてもよい。
本発明においては、記録マークを形成しないマーク間にどのようなパワーの光を照射するか限定されないが、好ましくはＰｂ_i≦Ｐｅ＜Ｐｗ_i（１≦ｉ≦ｍ）なるパワーＰｅの光を照射する。Ｐｅは記録済みマークを消去するための消去パワーとなる。

より好ましくは、Ｐｂ_i＜Ｐｅとする。特に低線速でオーバーライトする場合は、光記録媒体の記録層における溶融後の再結晶化が著しくなる（非晶質マークの形成が困難となる）ため、Ｐｂ_iをできる限り小さくすることが望ましい。
η₁Ｔ、η₂Ｔ区間には、バイアスパワーＰｂ_i以上、消去パワーＰｅ以下の光を照射するのが好ましい。但し、分割パルスの発生制御回路の設定を簡便にするために、η₁Ｔ、η₂Ｔ区間に照射する記録光のパワーは、バイアスパワーＰｂ_iと同等にする、又は消去パワーＰｅと同等にすることが好ましい。

なお、η₁Ｔなる区間においてバイアスパワーＰｂ_iの光を照射する場合、先頭の記録パルス区間α₁Ｔに先行してバイアスパワーＰｂ_iの光を照射することとなるので、先行する記録マークからの余熱の影響を小さくすることができる。
記録パワーＰｗ_i及びバイアスパワーＰｂ_i、または消去パワーＰｅについては、使用される光記録媒体のタイプによって、それぞれの物理的機能は異なってくる。

相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の場合、非晶質化よる記録を行う場合には、Ｐｗ_iは、少なくとも記録層をその融点より高い温度まで昇温することができるパワーである。非晶質化記録、結晶化消去によってオーバーライトを行う場合には、Ｐｅは記録層を少なくとも結晶化温度以上に昇温せしめるパワーである。
使用する書換型光記録媒体の種類によって、記録パワーＰｗ_i及びバイアスパワーＰｂ_iの値は異なるが、例えば、相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の場合、通常記録パワーＰｗ_iは１〜１００ｍＷ程度、バイアスパワーＰｂ_iは０．０１〜１０ｍＷ程度である。

いずれの媒体を使用した場合でも、記録パワーＰｗ_iは記録層になんらかの光学的変化を誘起するに必要な温度まで記録層を昇温し、場合によってはその温度を保持するに必要なレーザー光パワーである。一方、バイアスパワーＰｂ_iは少なくとも記録パワーＰｗ_iより低いパワーである。通常は、バイアスパワーＰｂ_iは、記録パワーＰｗ_i及び消去パワーＰｅよりも低く、記録層になんら物理的変化を誘発しないような低いパワーである。

本発明で用いる記録方法においては、時間的長さｎＴにおいてｎの異なる少なくとも２つの記録マークに対して、同一のパルス分割数ｍを用いてよい。通常は、３Ｔマークと４Ｔマークなど隣合う時間的長さをもつｎＴマークに対してｍを同一にする。ｍを同一にしたうえで、α_i（１≦ｉ≦ｍ）、β_i（１≦ｉ≦ｍ）、η₁、η₂、Ｐｗ_i（１≦ｉ≦ｍ）及びＰｂ_i（１≦ｉ≦ｍ）の少なくとも１つを相互に異ならせることによって同じ分割数であっても異なるマーク時間長のマークを形成し分けることができる。

分割数ｍはｎの値の大小とは無関係に並んでいても良いが、好ましくは長いマークほど、つまりｎが大きいほどｍを単調に大きく（等しい場合も含む）する。
η₁、η₂は、通常、−２以上２以下とする。この範囲とすれば、時間的長さｎＴの記録マーク長が正確に得られるようになる。
以下に、本発明のパルス分割方式の具体例を示す。この具体例は、ｎ／ｍを概ね２とする２Ｔ分割パルスストラテジーの一例である。
［２Ｂ−３］２Ｔ分割パルスストラテジーの具体例
２Ｔ分割パルスストラテジーの具体例としては以下の記録方法を挙げることができる。すなわち、記録線速度が、書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録線速度の範囲内である場合においては、
ｎＴの時間的長さを有する記録マークを形成する際に、
ｎ＝２ｍ（ｍはパルス分割数であり、１以上の自然数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ（ｊは−２〜２なる実数）を、
α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・・、α_mＴ、β_mＴ、
からなるｍ個のα_iＴとβ_iＴからなる区間（ただしΣ_i（α_i＋β_i）＝ｎ−ｊ）に
分割し、
ｎ＝２ｍ＋１なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ（ｋは−２〜２なる実数）を、
α₁’Ｔ、β₁’Ｔ、α₂’Ｔ、β₂’Ｔ、・・・・、α_m’Ｔ、β_m’Ｔ、
からなるｍ個のα_i’Ｔとβ_i’Ｔからなる区間（ただし、Σ_i（α_i’＋β_i’）＝
ｎ−ｋ）に分割し、
ｍ≧４では、β_i-1＋α_i＝β_i-1’＋α_i’＝２±０．２（ｉ＝３〜ｍ−１）として、
α_iＴおよびα_i’Ｔの時間内には、記録パワーＰｗ_i（ｉは１以上ｍ以下の整数）の記録光を照射し、
β_iＴおよびβ_i’Ｔの時間内には、バイアスパワーＰｂ_i（ｉは１以上ｍ以下の整数）の記録光を照射するようにする。

本実施形態においては、パルス分割の発生制御回路をより簡略化するために、記録パワーＰｗ_iを１≦ｉ≦ｍにおいて一定値ＰｗＬとし、バイアスパワーＰｂ_iを１≦ｉ≦ｍにおいて一定値ＰｂＬとすることが好ましい。
本実施形態のより好ましい実施形態を図２（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。
図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、記録線速度（書込線速度；記録速度）が所定記録線速度（所定記録速度）以下の低い線速度（例えば書換可能な最大記録線速度以下の線速度）の場合、ｎＴマークの記録時に、ｍ個の記録パワーＰｗＬの記録パルスを分割パルスとして照射するようにする。

そして、ｎが偶数のときには（ｎ＝２ｍ）、記録パルスのパルス幅の期間と冷却パルスのパルス幅の期間とを足したものが略２Ｔになるようにする。
一方、ｎが奇数のときには（ｎ＝２ｍ+１）、２番目の記録パルスのパルス幅の期間α₂’Ｔと、その直前のバイアス（冷却）パワーＰｂＬのビームを照射する冷却パルスのパルス幅の期間β₁’Ｔとを足した期間を（２＋Δ₁）Ｔとし、最後の記録パルスのパルス幅の期間α_m’Ｔとその直前のバイアス（冷却）パワーＰｂＬのビームを照射する冷却パルスのパルス幅の期間β_m-1’Ｔとを足した期間を（２＋Δ_mm）Ｔとし、その他の記録パルスの期間とその直前のバイアス（冷却）パワーＰｂＬのビームを照射する冷却パルスのパルス幅の期間とを足した期間を略２Ｔとしている。

つまり、本実施形態では、図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、記録速度が所定記録速度（書換可能な最大記録線速度）以下の場合は、一つの記録マークを形成するために複数の記録パルスからなるパルス列を用い、このパルス列が、記録パワーレベルの先頭パルスと、バイアス（冷却）パワーレベルの冷却パルス及び記録パワーレベルの記録パルスの対が繰り返される後続パルス列と、最後尾の冷却パルスとからなるようにする。

そして、ｎＴ（ｎ：３以上の自然数，Ｔ：クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、ｎが偶数であるときは（ｎ＝２ｍ）、上記後続パルス列における、一対の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足したものが略２になるようにする。
一方、ｎが奇数のときは（ｎ＝２ｍ+１）、上記後続パルス列を構成する冷却パルス及び記録パルスのうち、最先の冷却パルス（β₁’Ｔ）とその冷却パルスに続く記録パルス（α₂’Ｔ）の対、及び最後の記録パルス（α_m’Ｔ）とその前の冷却パルス（β_m-1’Ｔ）との対を除いた、冷却パルスと記録パルスの対において冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足した時間的長さを略２になるようにする。

以上をまとめて、本実施形態におけるｎが偶数・奇数の場合において共通する事項を説明すると以下の通りとなる。すなわち、略２とする記録パルスの期間とその直前の冷却パルスとのパルスの期間とを足した期間は、分割数ｍが４以上となる場合において、ｉが３〜ｍ−１であるβ_i-1＋α_i及びβ_i-1’＋α_i’となる。
また、本実施形態では、ｎが奇数のとき（ｎ＝２ｍ+１）及びｎが偶数のとき（ｎ＝２ｍ）のそれぞれの記録パルスと冷却パルスの対の数をｍで同数とする。

これは、パルス列のうちの後続パルス列を構成する記録パルスの数を、ｎが奇数であるか偶数であるかに関わらず同数にすることを意味する。そして、ｎが奇数の場合は、前記後続パルス列を構成する、最先の冷却パルスのパルス幅、最先の記録パルスのパルス幅、最後の冷却パルスのパルス幅、及び最後の記録パルスのパルス幅から選ばれる少なくとも１つを、ｎが偶数の場合の、最先の冷却パルスのパルス幅、最先の記録パルスのパルス幅、最後の冷却パルスのパルス幅、最後の記録パルスのパルス幅のそれぞれに対して変化させる。

つまり、本実施形態では、ｎが奇数のとき（ｎ＝２ｍ＋１）のパルス分割数ｍ及びｎが偶数のとき（ｎ＝２ｍ）のパルス分割数ｍを同数とすることを特徴の一つとする。
そして、ｎが奇数の場合は、先頭パルスα₁’、上記後続パルス列を構成する最先の冷却パルスにおけるβ₁’、この冷却パルスに続く記録パルスにおけるα₂’、最後の記録パルスにおけるα_m’、その前の冷却パルスにおけるβ_m-1’、及び最後尾の冷却パルスにおけるβ_m’のうちの少なくとも１つを、同一のパルス分割数ｍにおけるｎが偶数の場合の、α₁、β₁、α₂、β_m-1、α_m及びβ_mのそれぞれに対して適宜調整するようにしている。すなわち、α₁≠α₁’、β₁≠β₁’、α₂≠α₂’、β_m-1≠β_m-1’、α_m≠α_m’及びβ_m≠β_m’のうちの少なくとも一つが満たされるようにすることが好ましい。

尚、後続パルス列の最後の記録パルスの後に続くバイアス（冷却）パワーＰｂＬのビームを照射する期間、つまり、最後の期間β_mＴ、β_m’Ｔの終了時期は、ｎＴ又は（ｎ＋１）Ｔの記録マークを形成するためのデータ信号パルスの終了時期とは必ずしも同期しない。
上記２Ｔパルス分割ストラテジーをリライタブルＤＶＤに用いるより好ましい記録方法として、以下の記録方法を挙げることができる。

すなわち、記録線速度が所定記録線速度（書換可能な最大記録線速度）以下の線速度の場合に、
ｎＴ（ｎ：３以上の自然数）の時間的長さを有する記録マークを形成する際に、
ｎ＝２ｍ（ｍ：２以上の自然数）なる記録マーク（偶数長マーク）を形成するときは、その時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ（ｊは−２〜２なる実数）を、
α₁Ｔ，β₁Ｔ，α₂Ｔ，β₂Ｔ，・・・・，α_mＴ，β_mＴ
からなるｍ個のα_iＴとβ_iＴからなる区間（ただしΣ_i（α_i＋β_i）＝ｎ−ｊ）に分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍ：１以上の自然数）なる記録マーク（奇数長マーク）を形成するときは、その時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ（ｋは−２〜２なる実数）を、
α₁’Ｔ，β₁’Ｔ，α₂’Ｔ，β₂’Ｔ，・・・・，α_m’Ｔ，β_m’Ｔ
からなるｍ個のα_i’Ｔとβ_i’Ｔからなる区間（ただし、Σ_i（α_i’＋β_i’）＝ｎ−ｋ）に分割し、
α_iＴおよびα_i’Ｔの記録パルスの時間（ｉは１からｍまでの整数）内には、記録パワーＰｗＬのレーザ光を照射し、
β_iＴおよびβ_i’Ｔの冷却パルス間の時間（ｉは１からｍまでの整数）内には、バイアス（冷却）パワーＰｂＬのレーザ光を照射することによって、時間的長さｎＴの記録マークを形成する書換型光記録媒体への記録方法であって、
ｉ＝２〜ｍにおいて、β_i-1＋α_i及びβ_i-1’＋α_i’を概ね２（但し、ｉ＝２及び／又はｉ＝ｍにおいてはこの限りでない）とする。

ここで、β_i-1＋α_i及びβ_i-1’＋α_i’（ｉ＝２〜ｍ）は概ね２とするが、これは、レーザ駆動回路（分割パルスの発生制御回路）の設計上不可避的に生じるゆらぎ程度の誤差は含みうるものであり、具体的には０．１Ｔ程度（好ましくは０．２Ｔ程度）の差は、実質的に等しいとみなされる。すなわち、β_i-1＋α_i＝β_i-1’＋α_i’＝２±０．１（好ましくは２±０．２）（ｉ＝２〜ｍ）とする。

また、偶数長マークにおけるｉ＝２及び／又はｉ＝ｍ、すなわちβ₁＋α₂及び／又はβ_m-1＋α_mに関しては、積極的に±０．３程度の範囲で２からのずれを許容したほうが、より正確なマーク長及びマーク端のジッター制御が可能となる場合もある。この場合は、β₁＋α₂及びβ_m-1＋α_mの間に存在するβ_i-1＋α_iを概ね２とすればよい。
さらに、奇数長マークにおけるｉ＝２及び／又はｉ＝ｍ、すなわちβ₁’＋α₂’及び／又はβ_m-1’＋α_m’も少なくとも０．５〜２程度２からのずれを許容したほうが、より正確なマーク長及びマーク端のジッター制御が可能となる。従って、この場合は、β₁’＋α₂’及びβ_m-1’＋α_m’の間に存在するβ_i-1’＋α_i’を概ね２とすればよい。

以下、上記２Ｔパルス分割ストラテジーについて、図２（ａ）〜（ｃ）及び図３（ａ）〜（ｃ）を参照しながら、より具体的に説明する。
図２（ａ）〜（ｃ）は、ｎ＝２ｍ又は２ｍ＋１のｎＴ記録マークを形成するための２Ｔパルス分割ストラテジーによる記録ストラテジーにおける各記録パルスの関係の一例を示した図である。なお、図２（ｂ）におけるマーク長２ｍＴを形成するための記録パルス及び冷却パルスの時間幅は、本来は、α₁Ｔ，β₁Ｔ，αｃＴ，…，α_mＴ，β_mＴと表されるが、図を見やすくする観点から、図２（ｂ）においては、単にα₁，β₁，αｃ，…，α_m，β_mと記載し、クロック周期Ｔの表示を省略してある。これは図２（ｃ）においても同様である。

図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、上記２Ｔパルス分割ストラテジーにおいては、ｎＴマークのｎのとり得る値が奇数であるか偶数であるかに分けて考える。分割数ｍが同じ偶数長マークと奇数長マークのマーク長差１Ｔの補正を、先頭の記録パルスに続くオフパルス区間β₁Ｔ及び最後尾から２番目の記録パルス周期（β_m-1＋α_m）Ｔに分散して割り当てる。つまり、β₁≠β₁’、β_m-1≠β_m-1’、及びα_m≠α_m’として、マーク長１Ｔの補正をオフパルス長β₁Ｔ及びβ_m-1Ｔ、さらには最後尾の記録パルス区間パルスα_mＴの調整にて行なう。

図２（ａ）〜（ｃ）において、３００は周期Ｔの基準クロックをあらわす。
図２（ａ）は、長さｎＴ＝２ｍＴ、もしくはｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔの記録マークに対応したパルス波形であり、符号３０１が長さ２ｍＴの記録マークの長さに、符号３０２が長さ（２ｍ＋１）Ｔの記録マークの長さに対応する。図２（ａ）においては、ｍ＝５の場合が示してある。

図２（ｂ）の３０３は、ｎ＝２ｍ（＝１０）の場合の分割記録パルスの波形であり、図２（ｃ）の３０７は、ｎ＝２ｍ＋１（＝１１）の場合の分割記録パルスの波形である。
Ｔ_d1にＴをかけた値は、α₁Ｔ及びα₁’ＴのｎＴマークの前端Ｔ₀に対する遅延時間であり、通常はｎによらず一定とする。遅延時間は、ｎＴの長さを有する記録マークの先頭位置から遅れる場合を正とする。

通常は、記録パルス発生回路（分割パルスの発生制御回路）の同期の取り易さから、（Ｔ_d1＋α₁）Ｔ＝（Ｔ_d1＋α₁’）Ｔ＝２Ｔとする。但し、（Ｔ_d1＋α₁）Ｔ、（Ｔ_d1＋α₁’）Ｔは、それぞれ±０．５Ｔ程度の微調整をしてもよい。特に、３Ｔ，４Ｔ，５Ｔマークにおいては、Ｔ_d1Ｔの微調整を行なうことが好ましい。記録パルス区間α_iＴ（ｉ＝１〜ｍ）における記録パワーレベルはＰｗＬで一定であり、オフパルス区間β_iＴ（ｉ＝１〜ｍ）におけるバイアス（冷却）パワーレベルはＰｂＬで一定であり、記録マークと記録マークの間、すなわちα_iＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びβ_iＴ（ｉ＝１〜ｍ）以外の記録マーク間の区間における光照射のパワーは消去パワーＰｅで一定とする。

ｎが偶数の場合は、先頭の記録パルスと最後尾のオフパルスを除く区間３０４（つまり図２の３０５、３０６を除く区間）では、（β_i-1＋α_i）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）で一定とする。ここで、「２Ｔで一定」とはいっても、前述の通り、±０．２Ｔ程度の誤差は許容するものとする。ただし、（β₁＋α₂）Ｔ、及び（β_m-1＋α_m）Ｔについてのみ、±０．３Ｔの範囲で微調整可能とする。

一方、ｎが奇数の場合は、図２の区間３０８で表される区間、すなわち（β_i-1’＋α_i’）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝３〜ｍ−１）で一定とする。
そして、同一分割数でｎ＝２ｍ及び２ｍ＋１の２種類のマーク長を記録するために、ｎ＝２ｍの記録マークにおける区間（β₁＋α₂）Ｔ、及び区間（β_m-1＋α_m）Ｔをそれぞれ約０．５Ｔずつ増減して長さを調整して、ｎ＝２ｍ＋１の記録マークを形成する。なお、熱干渉等の影響で、この値は正確に０．５Ｔとなるとは限らないが、概ね０．３Ｔ〜０．６Ｔの範囲にある。

図２において、偶数長マークｎＴ＝１０Ｔと奇数長マークｎＴ＝１１Ｔのマーク長の差１Ｔ分の記録は、以下の操作１、２によって行われる。
操作１：図２の区間３０９のように、区間（β₁’＋α₂’）Ｔのβ₁’のみにΔ₁を付加し、β₁’＝β₁＋Δ₁，α₂’＝αｃとする。
操作２：図２の区間３１０のように、区間（β_m-1’＋α_m’）ＴにΔ_mmＴを付加する。

ここで、Δ_mm＝Δ_m-1＋Δ_mとして、Δ_mmをΔ_m-1とΔ_mとに分けて、β_m-1にはΔ_m-1を付加し、α_mにはΔ_mを付加してもよい。尚、Δ_m-1又はΔ_mの片方がゼロであってもよい。
好ましいのはΔ_mを０よりも大きくすること、つまり、α_m≠α_m’とすることである。Δ_mを０よりも大きくすることにより、同一分割数ｍのうちのｎが奇数である記録マーク後端部の形状が安定してジッター特性が飛躍的に改善される。さらに好ましいのは、Δ_m-1とΔ_mとをほぼ等しい値とすることである。Δ_m-1とΔ_mとをほぼ等しくすれば、ジッター特性を良好に保ちつつも、パルス光の発生を制御する電子回路（集積回路、分割パルスの発生制御回路）の設計を簡便にすることができるようになる。

以上の操作は３以上のｍにおいて行われ、Δ₁，Δ_mmは、通常０．３〜０．６の値をとるものとする。Δ_m-1及びΔ_mは、Δ_mmをどのように配分するかによって、それぞれ０〜０．６の値をとり得る。Δ₁，Δ_m-1，Δ_mそしてΔ_mmは、前述のように必ずしも０．５とはならない。Δ₁，Δ_m-1，Δ_mは、０．５より小さめの値が好ましい。
また、特に、ｍが３以上では、α₁’＝α₁，β_m’＝β_mとし、α_i及びα_i’は、ｉ＝２〜ｍ−１に対しては、αｃでｉによらず一定とすることが好ましい。また、α_m及びα_m’もｍによらず一定値とすることが好ましい。さらにα₁（α₁’）は、０．７〜１．４、αｃは０．７〜１．２、α_mは０．７〜１．２とすることが好ましい。

さらに、ｍが３以上の場合には、α₁（＝α₁’），αｃ，β_m（＝β_m’），β₁，Δ₁，β_m-1，Δ_m-1，Δ_mはｍによらず一定とすることが好ましい。
ここでαｃの設定の一例を説明する。まず、αｃ＝α_i（ｉ＝２〜ｍ−１）は、１として、その後±０．２の範囲で微調整を行なう。そして、α₁及びα_mは、まずαｃと同じ値を採用し、そしてαｃより最大０．３程度大きい範囲で微調整を行なうものとする。

このようにして、偶数長マークに対して、図２（ｂ）の点線で示される記録パルス列３０３が得られ、奇数長マークに対して、図２（ｃ）の点線で示される記録パルス列３０７が得られる。
なお、ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α₁’Ｔとバイアスパワー照射区間β₁’Ｔからなる記録光の照射を行なう。この場合、α₁’は、２以上のｍにおけるα₁’より０．１から１．５程度大きくし、β₁’は２以上のｍにおけるβ₁’より小さく、かつ、β_m，β_m’と同じか、それらより大きくするのが好ましい。

図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明に用いる２Ｔ分割パルスによる記録ストラテジーにおける各記録パルス関係の好ましい他の例である。図３（ａ）〜（ｃ）には、ｎ＝２ｍ又は２ｍ＋１のｎＴ記録マークを形成する場合のパルス分割方法が示されている。なお、図３（ｂ）におけるマーク長２ｍＴを形成するための記録パルス及び冷却パルスの時間幅は、本来は、α₁Ｔ，β₁Ｔ，αｃＴ，…，α_mＴ，β_mＴと表されるが、図を見やすくする観点から、図３（ｂ）においては、単にα₁，β₁，αｃ，…，α_m，β_mと記載し、クロック周期Ｔの表示を省略してある。これは図３（ｃ）においても同様である。

図３に示すように、ｎＴマークのｎのとり得る値が奇数であるか偶数であるかに分けて考える。分割数ｍが同じ偶数長マークと奇数長マークのマーク長差１Ｔの補正を、最後尾から２番目の記録パルス周期（β_m-1＋α_m）Ｔ及び最後尾のオフパルスβ_mＴに分散して割り当てる。つまり、マーク長１Ｔの補正をオフパルス長β_m-1Ｔ及びβ_mＴ、さらには最後尾の記録パルス区間パルスα_mＴの調整にて行なう。

図３において、４００は周期Ｔの基準クロックをあらわす。
図３（ａ）は、長さｎＴ＝２ｍＴ、もしくはｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔの記録マークに対応したパルス波形であり、符号４０１が長さ２ｍＴの記録マークの長さに、符号４０２が長さ（２ｍ＋１）Ｔの記録マークの長さに対応する。図３（ａ）においては、ｍ＝５の場合が示してある。

図３（ｂ）の４０３は、ｎ＝２ｍ（＝１０）における分割記録パルスの波形であり、図３（ｃ）の４０６は、ｎ＝２ｍ＋１（＝１１）における分割記録パルスの波形である。
Ｔ_d1にＴをかけた値は、α₁Ｔ及びα₁’ＴのｎＴマークの前端Ｔ₀に対する遅延時間であり、通常はｎによらず一定とする。遅延時間は、ｎＴの長さを有する記録マークの先頭位置から遅れる場合を正とする。

通常は、記録パルス発生回路（分割パルスの発生制御回路）の同期の取り易さから、（Ｔ_d1＋α₁）Ｔ＝（Ｔ_d1＋α₁’）Ｔ＝２Ｔとする。但し、（Ｔ_d1＋α₁）Ｔ、（Ｔ_d1＋α₁’）Ｔは、それぞれ±０．５Ｔ程度の微調整は許容する。特に、３Ｔ，４Ｔ，５Ｔマークにおいては、Ｔ_d1Ｔの微調整を行なうことが好ましい。記録パルス区間α_iＴ（ｉ＝１〜ｍ）における記録パワーレベルはＰｗＬで一定であり、オフパルス区間β_iＴ（ｉ＝１〜ｍ）におけるバイアスパワーレベルはＰｂＬで一定であり、記録マークと記録マークの間、すなわちα_iＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びβ_iＴ（ｉ＝１〜ｍ）以外の区間における光照射のパワーは消去パワーＰｅで一定とする。

ｎが偶数である場合には、区間４０４では、（β_i-1＋α_i）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）で一定とする。ここで、「２Ｔで一定」とはいっても、前述の通り、±０．２Ｔ程度の誤差は許容するものとする。ただし、（β₁＋α₂）Ｔ、及び（β_m-1＋α_m）Ｔについてのみ、±０．３Ｔの範囲で微調整可能とする。
一方、ｎが奇数の場合は、図３の区間４０７では、（β_i-1’＋α_i’）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ−１）で一定とする。ただし、（β₁’＋α₂’）Ｔは（β₁＋α₂）Ｔと等しくする。ここで、「２Ｔで一定」とはいっても、前述の通り、±０．２Ｔ程度の誤差は許容するものとする。

そして、同一分割数でｎ＝２ｍ及び２ｍ＋１の２種類のマーク長を記録するために、区間（β_m-1＋α_m）Ｔを約１Ｔ増減して長さを調整する。なお、熱干渉等の影響で、この値は正確に１Ｔとなるとは限らないが、概ね０．５Ｔ〜１．２Ｔの範囲とする。つまり、上記パルス分割ストラテジーにおいて、まずは、β_m-1≠β_m-1’及びα_m≠α_m’が満たされるようにするとすることが好ましい。

β_mはβ_m’と０〜２の範囲でほぼ同じ値としていもよいが、マーク後端ジッターへの影響を補正するために、β_m，β_m’も個別に微調整してもよい。
図３において、偶数長マークｎＴ＝１０Ｔと奇数長マークｎＴ＝１１Ｔとのマーク長の差１Ｔ分の記録は、以下の操作３によって行われる。
操作３：図３の区間４０８のように、区間（β_m-1＋α_m）ＴにΔ_mmＴを付加して、（β_m-1’＋α_m’）Ｔとする。ここで、Δ_mm＝Δ_m-1＋Δ_mとして、Δ_mmをΔ_m-1とΔ_mとに分けて、β_m-1にはΔ_m-1を付加し、α_mにはΔ_mを付加する。また、マーク後端のジッターへの影響を補正するため、β_mにΔ_m’を付加してβ_m’とする。

以上の操作は３以上のｍにおいて行われ、Δ_mmは、通常、０．５〜１．２の値をとるものとする。Δ_m-1及びΔ_mは、Δ_mmをどのように配分するかによって、それぞれ０〜０．９の値をとり得る。
Δ_m-1又はΔ_mの片方がゼロであってもよいが、好ましいのはΔ_mを０よりも大きくすること、つまり、α_m≠α_m’とすることである。Δ_mを０よりも大きくすることにより、同一分割数ｍのうちのｎが奇数である記録マーク後端部の形状が安定してジッター特性が飛躍的に改善される。Δ_mは、通常０．１以上、一方、通常０．９以下、好ましくは０．５以下とする。Δ_mの値は、記録線速度に応じて適宜設定する。記録線速度が高くなるほど溶融時間を確保することが重要になるため、高線速度になるにつれてΔ_mを大きくすることが好ましい。

Δ_m-1は、通常０．１以上、好ましくは０．３以上、一方、通常０．９以下、好ましくは０．８以下とする。Δ_m-1の値は、記録線速度に応じて適宜設定する。記録線速度が低くなるほど冷却速度を確保することが重要になるため、低線速度になるにつれてΔ_m-1を大きくすることが好ましい。
さらに好ましいのは、Δ_m-1とΔ_mとをほぼ等しい値とすることである。Δ_m-1とΔ_mとをほぼ等しくすれば、ジッター特性を良好に保ちつつも、パルス分割の発生制御回路（集積回路）の設計を簡便にすることができるようになる。Δ_m’は、通常０〜１の値をとり、より好ましくは０〜０．６の値をとる。特に低線速度ではΔ_m’は大きくするのが好ましい。一方、高線速度では、Δ_m’＝０とするのが好ましい。但し、全ての線速度においてΔ_m’＝０とすれば、パルス発生制御回路の設計を簡便にすることができる。

また、特に、ｍが３以上では、α₁’＝α₁、β₁’＝β₁とし、α_i及びα_i’は、ｉ＝２〜ｍ−１に対しては、αｃでｉによらず一定とすることが好ましい。また、α₁（＝α₁’）は、通常、０．３〜１．７の範囲の値をとり、好ましくは、０．３〜１．０の範囲の値をとる。β₁，αｃ，β_m-1及びα_mは、通常、０．３〜１．７の範囲の値とすることが好ましい。より好ましくは、α₁（＝α₁’），β₁，αｃ及びα_mは０．３〜１．６の範囲とする。一方、β_m-1の値は、より好ましくは、０．７以上、さらに好ましくは１以上、一方、より好ましくは１．６以下とする。

さらに、ｍが３以上の場合には、α₁（＝α₁’），β₁，αｃ，β_m-1，Δ_m-1，α_m，Δ_m，β_m，Δ_m’はｍによらず一定とすることが好ましい。
ここで、αｃの設定について説明する。まず、αｃ＝α_i（ｉ＝２〜ｍ）は１として、その後さらに±０．２の範囲で微調整を行なうのが好ましい。そして、α₁及びα_mは、まずαｃと同じ値を採用し、そしてαｃより最大０．３程度大きい範囲で微調整を行なう。

Δ_m，Δ_m-1は約０．４を初期値とし、所定のマーク長が得られるように微調整を行なう。
また、区間４１０のβ_m’はまず、区間４０５のβ_mと等しくし、その後、微調整を行なう。
このようにして、偶数長マークに対して、図３（ｂ）の点線で示される記録パルス列４０３が得られ、奇数長マークに対して、図３（ｃ）の点線で示される記録パルス列４０６が得られる。

なお、ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α₁’Ｔとバイアスパワー照射区間β₁’Ｔからなる記録光の照射を行なう。この場合、α₁’は、２以上のｍにおけるα₁’より０．１から１．５程度大きくするのが好ましい。
［２Ｃ］全ての記録線速度において共通して用いることが好ましい事項
上記［２Ａ］の「所定記録速度（所定記録線速度；例えば書換可能な最大記録線速度）より速い記録速度（線速度）での記録方法」、及び、上記［２Ｂ］の「所定記録線速度（所定記録速度）以下の線速度（書換可能な線速度範囲；記録速度）での記録方法（パルス分割法）」、に共通して用いることが好ましい事項について説明する。

分割パルスの発生制御回路を簡便化するために、分割記録パルスを用いて記録を行う際の記録パワーＰｗＬと、ブロックパルスを用いて記録を行う際の記録パワーＰｗＨとを等しくすることが好ましい。
また、分割記録パルスにおける冷却パルス期間に照射するバイアスパワーＰｂＬと、ブロックパルスを用いて記録を行う際に用いるバイアスパワーＰｂＨとを等しくすることが好ましい。
［２Ｄ］本発明に用いる記録再生装置
本発明においては、上記記録方法を行うべく分割パルスの発生制御回路の設計を行い、この分割パルスの発生制御回路を公知の記録再生装置（ドライブ）に組み込むことによって、記録再生装置を得ることができる。そして、この記録再生装置（ドライブ）に円盤状の書換型光記録媒体（例えばＤＶＤは直径約１２ｃｍの円盤形状となる）を装着して、スピンドルモータ等を駆動して書換型光記録媒体を回転させる。さらに、書換型光記録媒体に対して記録を行う所望の半径位置において、下記「書換記録モード」、「ライトワンス記録モード」、「ＤＣ消去モード」に従って記録光を照射することによって、相変化記録層に様々な時間的長さを有する非晶質状態の記録マークを形成して、情報の記録・消去を行う。

なお、本発明に用いる記録方法を実行する記録再生装置には、市販のパーソナルコンピュータやＤＶＤ記録再生装置に搭載されているドライブのように、記録のみならず再生機能を付加してもよいことはいうまでもない。
本発明に用いる記録再生装置の詳細は、以下の通りである。
すなわち、相変化型記録層を有し、前記相変化型記録層の結晶状態を未記録・消去状態とし、この未記録・消去状態に様々な時間的長さｎＴ（Ｔは基準クロック周期、ｎは２以上の整数である。）の非晶質状態の記録マークを形成することによって、情報を記録する円盤状の書換型光記録媒体を装着し、前記書換型光記録媒体を回転させた状態で前記書換型光記録媒体に記録光を照射することによって前記情報の記録を行う記録再生装置であって、
前記記録再生装置が、書換記録モード、ライトワンス記録モード、及びＤＣ消去モードの３つの記録光照射モードを有し、
（Ａ−１）書換記録モードにおいては、
情報の記録を行う書換型光記録媒体の半径位置における線速度が、前記書換型光記録媒体の書換可能な記録線速度の範囲内となるように前記書換型光記録媒体を回転させた状態で、
時間的長さｎＴを、
η₁Ｔ、α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・、
α_iＴ、β_iＴ、・・・、α_mＴ、β_mＴ、η₂Ｔ
（ｍはパルス分割数であり、ｉは１以上ｍ以下の整数である。Σ_i（α_i＋β_i）＋η₁＋η₂＝ｎである。α_i（１≦ｉ≦ｍ）は０より大きい実数であり、β_i（１≦ｉ≦ｍ−１）は０より大きい実数であり、β_mは０以上の実数であり、η₁及びη₂はそれぞれ−２以上２以下の実数である。）の順に分割し、少なくとも一つの記録マークの時間的長さは、上記パルス分割数ｍを２以上とし、かつ、全ての記録マークの時間的長さは、ｎ／ｍ≧１．２５を満たすようにして、
α_iＴの時間内には、記録パワーＰｗ_i（１≦ｉ≦ｍ）の記録光を照射し、
β_iＴの時間内には、バイアスパワーＰｂ_i（１≦ｉ≦ｍ、Ｐｂ_i＜Ｐｗ_i、Ｐｂ_i＜Ｐｗ_i+1）の記録光を照射し、
ｎＴの時間的長さを有する複数の記録マークを形成し、
複数の記録マーク間は、消去パワーＰｅ（Ｐｅは、１≦ｉ≦ｍにおけるｍ個のＰｂ_iそれぞれの値以上であり、１≦ｉ≦ｍにおけるｍ個のＰｗ_iそれぞれの値よりも小さい値である。）の記録光を照射することによって、前記書換型光記録媒体に記録を行い、
（Ａ−２）ライトワンス記録モードにおいては、
情報の記録を行う書換型光記録媒体の半径位置における線速度が、前記書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録線速度よりも速くなるように前記書換型光記録媒体を回転させた状態で、
ｎＴの時間的長さを有する記録マークを、記録パワーＰｗＨの記録光とバイアスパワーＰｂＨの記録光とを照射しうる一つのブロックパルスを用いて形成することによって、前記書換型光記録媒体に記録を行い、
（Ａ−３）ＤＣ消去モードにおいては、
情報の消去を行う書換型光記録媒体の半径位置における線速度が、前記書換型光記録媒体の書換可能な記録線速度の範囲内となるように前記書換型光記録媒体を回転させた状態で、消去パワーＰ_DCの記録光を照射することによって、前記書換型光記録媒体の情報の消去を行い、
（Ａ−４）前記書換記録モードを実行した後に前記ライトワンス記録モードを実行する場合、又は、前記ライトワンス記録モードを実行した後に再度前記ライトワンス記録モードを実行する場合には、前記ＤＣ消去モードを行って前記書換型光記録媒体に記録されている情報を消去する、
ことを特徴とする。

本発明の記録再生装置は、書換記録モード、ライトワンス記録モード、及びＤＣ消去モードの３つの記録モードを有する。ライトワンス記録モードにおいては、上記［２Ａ］で説明したブロックパルスを用いる記録方法によって書換型光記録媒体に情報の記録を行う。また、書換記録モードにおいては、上記［２Ｂ］で説明した分割パルスを用いる記録方法によって書換型光記録媒体に情報の記録を行う。

ここで、前記バイアスパワーＰｂ_i及びＰｂＨが、前記消去パワーＰｅよりも小さいことが好ましいことは、上記［２Ａ］、［２Ｂ］で説明した通りである。
また、書換記録モードにおいて、記録パワーＰｗ_iを１≦ｉ≦ｍにおいて一定値ＰｗＬとし、前記バイアスパワーＰｂ_iを１≦ｉ≦ｍにおいて一定値ＰｂＬとすることが好ましいことは、上記［２Ｂ］で説明した通りである。

さらに、書換記録モードの記録パワーＰｗＬを、ライトワンス記録モードの記録パワーＰｗＨと等しくすることが好ましいことは、上記［２Ｃ］で説明した通りである。
同様に、書換記録モードのバイアスパワーＰｂＬを、ライトワンス記録モードのバイアスパワーＰｂＨと等しくすることが好ましいことも、上記［２Ｃ］で説明した通りである。

さらに、書換記録モードのバイアスパワーＰｂＬ、ライトワンス記録モードのバイアスパワーＰｂＨが、ともに消去パワーＰｅよりも小さいことが好ましいことも上記［２Ｂ］、［２Ｃ］で説明した通りである。
上述したように、リライタブルＤＶＤのような書換型光記録媒体の相変化型記録層は、例えば出荷時や販売時などには初期状態として結晶状態（消去状態）となっているため、この状態でライトワンスメディアとして用いることができる。このため、このような初期状態の書換型光記録媒体に対しては、本発明の記録再生装置にこの書換型光記録媒体を挿入後、ライトワンス記録モードで記録を実行することによって、書換可能な最大記録線速度より速い記録線速度での記録が可能となる。

一方、上記ライトワンス記録モードの実行又は書換記録モードの実行によって、既に書換型光記録層に情報が書き込まれている場合（相変化型記録層に非晶質の記録マークが形成されている状態）に、再度ライトワンス記録モードを実行する場合には以下の操作を行う。すなわち、ライトワンス記録モードでの書き込みを行なう前にＤＣ光を照射することで相変化型記録層を結晶状態（消去状態）に戻すのである（ＤＣ消去モードを行う）。ＤＣ消去モードは、具体的には、前記書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録線速度において消去パワーＰ_DCの記録光を照射することによって行う。

ここで、分割パルスの発生制御回路を簡便化する点から好ましいのは、ＤＣ消去モードにおける消去パワーＰ_DCを、消去パワーＰｅと等しくすることである。
本発明の記録再生装置に用いる、レーザ露光装置や書換型光記録媒体の駆動装置等は、従来公知のものを用いることができる。
［３］本発明に用いる好適な相変化型記録層を有する光記録媒体
以下、本発明に用いる光記録媒体の具体的な態様について、リライタブルＤＶＤを例にいくつか説明する。

本発明の記録方法は、結晶状態と非晶質状態とで情報の記録を行い、情報の書き換えが可能な相変化型記録層を有する光記録媒体に適用する。
相変化型記録層を有する光記録媒体の具体例としては、基板上に、第一保護層（下部保護層）、記録層（相変化型記録層）、第二保護層（上部保護層）、反射層、及び保護コート層をこの順に有する層構成をとり、基板を通してレーザ光を照射することにより信号の記録再生を行う光記録媒体（基板面入射型の光記録媒体）を挙げることができる。

また、相変化型記録層を有する光記録媒体の他の具体例としては、基板上に、反射層、第一保護層（下部保護層）、記録層（相変化型記録層）、第二保護層（上部保護層）、及び保護コート層をこの順に有する層構成をとり、上部保護層を通じてレーザ光を照射することにより信号の記録再生を行う光記録媒体（膜面入射型の光記録媒体）を挙げることができる。この膜面入射型の光記録媒体では、基板を通さずに上部保護層側からレーザ光を照射することにより信号の記録再生を行うため、記録層と光ヘッドの距離を数百ミクロン以下に接近させることが可能となり、開口数が０．７以上の対物レンズを使用することで媒体の記録密度を向上させることが出来る。

尚、上記基板面入射型の光記録媒体及び膜面入射型の光記録媒体それぞれの層構成は例示である。例えば、基板面入射型の光記録媒体及び膜面入射型の光記録媒体のいずれにおいても、保護層と反射層との間に界面層を設けることができるし、膜面入射型の光記録媒体において、基板と反射層との間に下地層を設けてもよい。
本発明において好ましいのは、高データ転送レートが可能な書き換え型相変化型の光記録媒体である。このような光記録媒体は、通常、結晶化速度の速い記録材料を記録層に用いることによって実現できる。

以下、記録層、基板、保護層、反射層、保護コート層の各層について説明する。
［３Ａ］記録層
記録層としては、例えば、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＳｂＴｅ、及びＡｇＩｎＳｂＴｅといった系列の化合物が繰り返し記録可能な材料として選ばれる。これらの中で、Ｓｂ₂Ｔｅ₃とＧｅＴｅの疑似２元合金を主成分とする組成、より具体的には、｛（Ｓｂ₂Ｔｅ₃）_1-α（ＧｅＴｅ）α｝_1-βＳｂβ組成（ただし、０．２≦α≦０．９、０≦β≦０．１）、あるいは、Ｓｂを５０原子％以上含むＳｂを主成分とする組成のいずれかであることが多い。

本実施の形態が適用される光記録媒体においては、結晶化速度を高めるために、前記記録層にＳｂを主成分とする組成を用いることがより好ましい。なお、本発明において、「Ｓｂを主成分とする」とは、記録層全体のうち、Ｓｂの含有量が５０原子％以上であることを意味する。Ｓｂを主成分とする理由は、Ｓｂの非晶質は、非常に高速で結晶化できるため、非晶質マークを短時間で結晶化することが可能となる。このため、非晶質状態の記録マークの消去が容易となる。この点から、Ｓｂの含有量は６０原子％以上であることが好ましく、７０原子％以上であることがより好ましい。しかし、一方で、Ｓｂ単独で用いるよりも、非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高めるための添加元素をＳｂと共に併用することが好ましい。記録層の非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高めるためには、上記添加元素の含有量を、通常１原子％以上、好ましくは５原子％以上、より好ましくは１０原子％以上とし、一方、通常３０原子％以下とする。

非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高める上記添加元素は、結晶化温度を高める効果もある。このような添加元素としては、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、希土類元素、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ 、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｃｏ、窒素、酸素、及びＳｅ等を用いることができる。これら添加元素のうち、非晶質形成の促進、非晶質状態の経時安定性の向上、及び結晶化温度を高める観点から、好ましいのはＧｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｎからなる群から選ばれる少なくとも１つとすることであり、特に好ましいのは、Ｇｅ及び／又はＴｅを用いるか、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｎの少なくとも１つを用いることである。

上述の通り、本実施の形態が適用される光記録媒体においては、記録層の材料として、ＳｂとＧｅ及び／又はＴｅとを併用することが特に好ましい。Ｇｅ及び／又はＴｅをＳｂに添加する際に、記録層中におけるＧｅ又はＴｅそれぞれの含有量を、１原子％以上３０原子％以下とすることが好ましい。つまり、Ｇｅ及びＴｅは、それぞれ単独で１原子％以上３０原子％以下ずつ含有されていることが好ましい。但し、記録層の主成分をＳｂとした場合にＳｂの含有量は５０原子％以上となるため、Ｓｂと共にＧｅ及びＴｅを記録層に含有させる場合、Ｇｅ及びＴｅの合計量は５０原子％よりは少なくなる。

記録層中におけるＧｅ又はＴｅのそれぞれの含有量は、より好ましくは３原子％以上、さらに好ましくは５原子％以上とする。この範囲とすれば、非晶質マークを安定化する効果が十分に発揮されるようになる。一方、記録層中におけるＧｅ又はＴｅのそれぞれの含有量は、より好ましくは２０原子％以下、さらに好ましくは１５原子％以下とする。この範囲とすれば、非晶質が安定になりすぎて逆に結晶化が遅くなるという傾向を良好に抑制することができるようになり、結晶粒界での光散乱によるノイズを抑制することができるようになる。

上記Ｓｂを主成分とする組成は、記録層中に含有されるＴｅの量によって、２種類に分類することができる。一つは、Ｔｅを１０原子％以上含有する組成であり、もう一つはＴｅを１０原子％未満含有する組成（Ｔｅを含有しない場合を含む）である。
そのひとつは、記録層材料を、Ｔｅを概ね１０原子％以上含みつつ、Ｓｂ₇₀Ｔｅ₃₀共晶組成よりも過剰のＳｂを含有する合金が主成分である組成範囲とすることである。この記録層材料を、以下において、ＳｂＴｅ共晶系と呼ぶ。ここで、Ｓｂ／Ｔｅは３以上とすることが好ましく、４以上とすることがより好ましい。

記録層中に含有されるＴｅの量によって分類することができる、上記Ｓｂを主成分とするもう一つの組成としては以下のものをあげることができる。すなわち、記録層の組成を、Ｓｂを主成分としつつ、Ｔｅを１０原子％未満とし、さらにＧｅを必須成分として含有するようにするのである。上記記録層の組成の具体例としては、Ｓｂ₉₀Ｇｅ₁₀近傍組成の共晶合金を主成分とし、Ｔｅを１０原子％未満含有する合金（本明細書においては、この合金をＳｂＧｅ共晶系と呼ぶ。）を好ましく挙げることができる。

Ｔｅ添加量が１０原子％未満の組成は、ＳｂＴｅ共晶系ではなく、ＳｂＧｅ共晶系としての性質を有するようになる。このＳｂＧｅ共晶系の合金は、Ｇｅ含有量が１０原子％程度と高くても、初期結晶化後の多結晶状態の結晶粒径は比較的微細なために結晶状態が単一相となりやすく、ノイズが低い。ＳｂＧｅ共晶系の合金においては、Ｔｅは、付加的に添加されるにすぎず必須元素とはならない。

ＳｂＧｅ共晶系合金では、Ｓｂ／Ｇｅ比を相対的に高くすることで、結晶化速度を速めることができ、再結晶化による非晶質マークの再結晶化が可能である。
記録層にＳｂを主成分とする組成を用い、結晶状態を未記録・消去状態とし、非晶質マークを形成して記録を行う場合、冷却効率を良くすることが非常に重要となる。これは以下の理由による。

すなわち、上記ＳｂＴｅ共晶系又はＳｂＧｅ共晶系等のＳｂを主成分とする記録層は、高速記録に対応するために、Ｓｂ₇₀Ｔｅ₃₀共晶点あるいはＳｂ₉₀Ｇｅ₁₀共晶点近傍よりもさらにＳｂを過剰に添加して、結晶核生成速度ではなく結晶成長速度を高めることにより結晶化速度を高めている。このため、これら記録層においては、記録層の冷却速度を速くして、再結晶化による非晶質マークの変化（非晶質マークが所望のサイズよりも小さくなること）を抑制することが好ましい。従って、記録層を溶融した後に非晶質マークを確実に形成するために記録層を急冷することが重要となり、記録層の冷却効率を良くすることが非常に重要となるのである。そのため、上記記録層組成においては、反射層に放熱性の高いＡｇ又はＡｇ合金を用いることが特に好ましい。そして、このような記録時の冷却効率を上げる必要がある記録層を有する光記録媒体に対して、本発明の光記録方法を用いる意義が大きい。

本実施の形態が適用される光記録媒体では、上記、ＳｂＴｅ共晶系又はＳｂＧｅ共晶系等のＳｂを主成分とする組成を用いる記録層において、さらに、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｎの少なくとも１つを含有し、前記記録層中におけるＩｎ、Ｇａ、及びＳｎのそれぞれの含有量が１原子％以上３０原子％以下であることが特に好ましい。
以下、Ｓｂを主成分とする組成の具体例についてさらに説明する。

Ｓｂを主成分とする組成としては、まず、（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-yＭ_y（ただし、０．６≦ｘ≦０．９、０≦ｙ≦０．３、ＭはＧｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｖ、Ｎｂ、及びＴａより選ばれる少なくとも１種）合金を主成分とするＳｂＴｅ共晶系の組成を好ましく挙げることができる。なお、上記組成式は、原子数比で組成を表している。従って、例えばｘ＝０．６は、６０原子％を意味する。

上記（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-yＭ_y組成においては、Ｍとしては、Ｇｅ、Ｇａ、Ａｇ又はＩｎを単独又は併用して用いることが、オーバーライト特性等の記録特性の観点から特に好ましい。
上記（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-yＭ_y組成においては、ｘは、通常０．６以上、好ましくは０．７以上、より好ましくは０．７５以上であり、一方、通常０．９以下とする。また、ｙは、通常０以上、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０３以上であり、一方、通常０．３以下、好ましくは０．２以下、より好ましくは０．１以下である。ｘ、ｙを上記範囲とすれば、高速記録に対応可能な記録層を得ることができるようになる。

上記（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-yＭ_y組成においてＭとしてＧｅを用いる組成について更に説明する。この組成としては、Ｓｂ₇₀Ｔｅ₃₀共晶点組成を基本として大幅に過剰のＳｂを含むＳｂ₇₀Ｔｅ₃₀合金を母体とし、さらにＧｅを含む、Ｇｅ_y（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-y（ただし、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．８２≦ｘ≦０．９）であらわされる組成を用いることが好ましい。Ｇｅ量は、Ｇｅ_y（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-yにおけるｙの値として０．０１以上、特に、０．０２以上であることが好ましい。一方、このようにＳｂ含有量が多いＳｂＴｅ共晶組成では、Ｇｅ量が多すぎると、ＧｅＴｅやＧｅＳｂＴｅ系の金属間化合物が析出するとともに、ＳｂＧｅ合金も析出しうるために、記録層中に光学定数の異なる結晶粒が混在すると推定される。そして、この結晶粒の混在により、記録層のノイズが上昇しジッタが増加することがある。また、Ｇｅをあまりに多く添加しても非晶質マークの経時安定性の効果が飽和する。このため、通常Ｇｅ量は、Ｇｅ_y（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-yにおけるｙの値として、０．０６以下、好ましくは０．０５以下、より好ましくは０．０４以下である。

上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系の組成においては、さらにＩｎ、Ｇａ、Ｓｎを含有させることが特に好ましい。すなわち、Ｍ１_zＧｅ_y（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-y-z（０．０１≦ ｚ≦０．４、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．８２≦ｘ≦０．９であり、Ｍ１は、Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を表す。）で表される組成を用いることが特に好ましい。上記Ｍ１をＩｎ、Ｇａ及びＳｎで示される一群の元素のうち少なくとも１種を添加することによりさらに特性が改善される。Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎの元素は、結晶状態と非晶質状態の光学的コントラストを大きくでき、ジッタを低減する効果もある。Ｍ１の含有量を示すｚは、通常０．０１以上、好ましくは０．０２以上、より好ましくは０．０５以上、一方、通常０．４以下、好ましくは０．３以下、より好ましくは０．２以下、特に好ましくは０．１以下とする。この範囲とすれば、上記特性改善の効果が良好に発揮されるようになる。

上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系の組成においてＩｎ、Ｇａ、Ｓｎ以外に含みうる元素としては、窒素、酸素及び硫黄を挙げることができる。これら元素は、繰返しオーバーライトにおける偏析の防止や光学特性の微調整ができるという効果がある。窒素、酸素及び硫黄の含有量は、Ｓｂ、Ｔｅ及びＧｅの合計量に対して５原子％以下であることがより好ましい。
また、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｏを上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系の組成に含有させることもできる。これらの元素は、ごく微量の添加により、結晶成長速度を低下させることなく、結晶化温度を上昇させ、さらなる経時安定性の改善に効果がある。ただし、これら元素の量が多すぎると特定の物質の経時的偏析や繰返しオーバーライトによる偏析が起こりやすくなるため、添加量は５原子％以下、特に３原子％以下とするのが好ましい。偏析が生じると、記録層が初期に有する非晶質の安定性や再結晶化速度等が変化して、オーバーライト特性が悪化することがある。

一方、Ｓｂを主成分とする組成であるＳｂＧｅ共晶系組成としては、ＳｂＧｅ共晶系にＴｅを添加するＴｅＧｅＳｂ系を主成分とする組成、ＳｂＧｅ共晶系にＩｎ、Ｇａ又はＳｎを添加した、ＩｎＧｅＳｂ系、ＧａＧｅＳｂ系、又はＳｎＧｅＳｂ系３元合金を主成分とする組成を挙げることができる。ＳｂＧｅ共晶系の合金に、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｇａ、又はＳｎを添加することにより、結晶状態と非晶質状態の光学的特性差を大きくする効果を顕著とすることができるが、特にＳｎを添加することが好ましい。

このようなＳｂＧｅ共晶系合金の好ましい組成としては、ＴｅγＭ２δ（ＧｅεＳｂ_1-ε）_1-δーγ（ただし、０．０１≦ε≦０．３、０≦δ≦０．３、０≦γ＜０．１、２≦δ／γ、０＜δ＋γ≦０．４であり、Ｍ２はＩｎ、Ｇａ、及びＳｎからなる群から選ばれる一つである。）を挙げることができる。ＳｂＧｅ共晶系合金に、Ｉｎ、Ｇａ、又はＳｎを添加することにより、結晶状態と非晶質状態との光学的特性差を大きくできる効果を顕著とすることができる。

元素Ｍ２としてＩｎ、Ｇａを用いることで、超高速記録におけるジッタが改善され、光学的なコントラストも大きくすることができるようになる。このため、Ｉｎ及び／又はＧａの含有量を示すδは、通常０以上、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上とする。ただし、Ｉｎ又はＧａが過度に多いと、消去状態として使用する結晶相とは別に、非常に低反射率のＩｎ−Ｓｂ系、又はＧａ−Ｓｂ系の他の結晶相が形成される場合がある。従って、δは、通常０．３以下、好ましくは、０．２以下とする。尚、ＩｎとＧａとを比較すると、Ｉｎの方がより低ジッタを実現できるため、上記Ｍ２はＩｎとすることが好ましい。

一方、元素Ｍ２としてＳｎを用いることで、超高速記録におけるジッタが改善され、光学的なコントラスト（結晶状態と非晶質状態の反射率差）が大きくとれるようになる。このため、Ｓｎの含有量を示すδは、通常０以上、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上とする。ただし、Ｓｎが過度に多いと、記録直後の非晶質相が、低反射率の他の非晶質相に変化する場合がある。特に、長時間保存した場合に、この安定化非晶質相が析出して消去性能が低下する傾向がある。従って、δは、通常０．３以下、好ましくは０．２以下とする。

元素Ｍ２として、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｎのうち複数の元素を用いることもできるが、特に、Ｉｎ及びＳｎを含有させることが好ましい。Ｉｎ及びＳｎを含有させる場合、これら元素の合計含有量は、通常１原子％以上、好ましくは５原子％以上とし、通常４０原子％以下、好ましくは３０原子％以下、より好ましくは２５原子％以下とする。
上記ＴｅＭ２ＧｅＳｂ系の組成においては、Ｔｅを含有することで超高速記録における消去比の経時的変化を改善することができるようになる。このため、Ｔｅの含有量を示すγは、通常０以上とするが、好ましくは０．０１以上、特に好ましくは０．０５以上とする。ただし、Ｔｅが過度に多いと、ノイズが高くなる場合があるため、γは、通常０．１より小とする。

尚、上記ＴｅＭ２ＧｅＳｂ系の組成において、Ｔｅと元素Ｍ２とを含有させる場合は、これらの合計含有量を制御することが有効である。従って、Ｔｅ及び元素Ｍ２の含有量を示すδ＋γは、通常０より大きくするが、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上とすることである。δ＋γを上記範囲とすることで、Ｔｅ及び元素Ｍ２を同時に含有させる効果が良好に発揮されるようになる。一方、ＧｅＳｂ系共晶合金を主成分とする効果を良好に発揮されるために、δ＋γは、通常０．４以下、好ましくは０．３５以下、より好ましくは０．３以下とする。一方、元素Ｍ２とＴｅとの原子数比を表すδ／γは２以上とするのが好ましい。Ｔｅを含有させることによって光学的コントラストが低下する傾向にあるため、Ｔｅを含有させた場合には、元素Ｍ２の含有量を若干多くする（δを若干大きくする）ことが好ましい。

上記ＴｅＭ２ＧｅＳｂ系の組成に添加しうる元素としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、希土類元素、Ｎ、Ｏ等があり、光学特性や結晶化速度の微調整等に使われるが、その添加量は、最大で１０原子％程度である。
以上において最も好ましい組成の一つは、Ｉｎ_pＳｎ_qＴｅ_rＧｅ_sＳｂ_t（０≦ｐ≦０．３、０≦ｑ≦０．３、０＜ｐ＋ｑ≦０．３、０≦ｒ＜０．１、０＜ｓ≦０．２、０．５≦ｔ≦０．９、ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝１）なる合金系を主成分とする組成である。ＴｅとＩｎ及び／又はＳｎとを併用する場合は、（ｐ＋ｑ）／ｒ≧２とするのが好ましい。

記録層の膜厚は、十分な光学的コントラストを得、また結晶化速度を速くし短時間での記録消去を達成するためには５ｎｍ以上あるのが好ましい。また反射率を十分に高くするために、より好ましくは１０ｎｍ以上とする。
一方、クラックを生じにくく、かつ十分な光学的コントラストを得るためには、記録層膜厚は１００ｎｍ以下とするのが好ましいが、より好ましくは５０ｎｍ以下とする。これは、熱容量を小さくし記録感度を上げるためである。また、上記範囲とすれば相変化に伴う体積変化を小さくできるため、上下の保護層に対する、繰り返しオーバーライトによる繰り返し体積変化の影響を小さくすることもできる。ひいては、不可逆な微視的変形の蓄積が抑えられノイズが低減され、繰り返しオーバーライト耐久性が向上する。

書き換え可能型ＤＶＤのような高密度記録用媒体では、ノイズに対する要求が一層厳しいため、より好ましくは記録層膜厚を３０ｎｍ以下とする。
上記記録層は、通常、所定の合金ターゲットを不活性ガス、特にＡｒガス中でＤＣまたはＲＦスパッタリングして得ることができる。
また、記録層の密度は、バルク密度の通常８０％以上、好ましくは９０％以上とする。ここでいうバルク密度ρとは、通常下記（１）式による近似値を用いるが、記録層を構成する合金組成の塊を作成して実測することもできる。

ρ＝Σｍ_iρ_i・・・（１）
（ここで、ｍ_iは各元素ｉのモル濃度であり、ｍ_iρ_iは元素ｉの原子量である。）
スパッタ成膜法においては、成膜時のスパッタガス（通常、Ａｒ等の希ガス。以下、Ａｒの場合を例に説明する。）の圧力を低くしたり、ターゲット正面に近接して基板を配置するなどして、記録層に照射される高エネルギーＡｒ量を多くすることによって、記録層の密度を上げることができる。高エネルギーＡｒは、通常スパッタのためにターゲットに照射されるＡｒイオンが一部跳ね返されて基板側に到達するものか、プラズマ中のＡｒイオンが基板全面のシース電圧で加速されて基板に達するものかのいずれかである。

このような高エネルギーの希ガスの照射効果をAtomic peening効果というが、一般的に使用されるＡｒガスでのスパッタではAtomic peening効果により、Ａｒがスパッタ膜に混入される。膜中のＡｒ量により、Atomic peening効果を見積もることができる。すなわち、Ａｒ量が少なければ、高エネルギーＡｒ照射効果が少ないことを意味し、密度の疎な膜が形成されやすい。

一方、Ａｒ量が多ければ、高エネルギーＡｒの照射が激しくなり、膜の密度は高くなるものの、膜中に取り込まれたＡｒが繰り返しオーバーライト時にｖｏｉｄとなって析出し、繰り返しの耐久性を劣化させやすい。従って、適度な圧力、通常は１０^-2〜１０^-1Ｐａのオーダーの範囲で放電を行う。
［３Ｂ］基板
基板には、例えば、ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフィンなどの樹脂、あるいはガラスを用いることができる。なかでもポリカーボネート樹脂はＣＤ−ＲＯＭ等において最も広く用いられている実績もあり安価でもあるので最も好ましい。基板の厚さは、通常０．１ｍｍ以上、好ましくは０．３ｍｍ以上であり、一方、通常２０ｍｍ以下、好ましくは１５ｍｍ以下である。一般的には０．６ｍｍ〜１．２ｍｍ程度とされる。基板面入射型の光記録媒体においては、基板はレーザ光を透過する必要があるため、レーザ光に対して透明である必要がある。一方、膜面入射型の光記録媒体においては、基板は必ずしも透明である必要はない。
［３Ｃ］保護層
記録層の相変化に伴う蒸発・変形を防止し、その際の熱拡散を制御するため、通常記録層の上下一方または両方、好ましくは両方に保護層が形成される。保護層の材料は、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定される。一般的には透明性が高く高融点である金属や半導体の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物等の誘電体を用いることができる。

この場合、これらの酸化物、硫化物、窒化物、炭化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御したり、混合して用いることも有効である。繰り返し記録特性を考慮すると誘電体の混合物が好ましい。より具体的には、ＺｎＳや希土類硫化物等のカルコゲン化合物と酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物等の耐熱化合物の混合物が挙げられる。例えば、ＺｎＳを主成分とする耐熱化合物の混合物や、希土類の硫酸化物、特にＹ₂Ｏ₂Ｓを主成分とする耐熱化合物の混合物は好ましい保護層組成の一例である。

保護層の材料としては、通常、誘電体材料を挙げることができる。誘電体材料としては、例えば、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、及びＴｅ等の酸化物、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、及びＰｂ等の窒化物、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＳｉ等の炭化物、又はこれらの混合物を挙げることができる。また、誘電体材料としては、Ｚｎ、Ｙ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、及びＢｉ等の硫化物、セレン化物もしくはテルル化物、Ｍｇ、Ｃａ、Ｌｉ等のフッ化物、又はこれらの混合物を挙げることができる。

さらに誘電体材料の具体例としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＣｒＮ、ＴａＳ₂、Ｙ₂Ｏ₂Ｓ等を挙げることができる。これら材料の中でも、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂は、成膜速度の速さ、膜応力の小ささ、温度変化による体積変化率の小ささ、及び優れた耐候性から広く利用される。ＺｎＳ−ＳｉＯ₂を用いる場合、ＺｎＳとＳｉＯ₂との組成比ＺｎＳ：ＳｉＯ₂は、通常０：１〜１：０、好ましくは０．５：０．５〜０．９５：０．０５、より好ましくは０．７：０．３〜０．９：０．１とする。最も好ましいのはＺｎＳ：ＳｉＯ₂を０．８：０．２とすることである。

より具体的には、Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｙ等の希土類の硫化物、硫酸化物を５０ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ％以下含む複合誘電体や、ＺｎＳ，ＴａＳ₂を７０ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ％以下含有する複合誘電体が望ましい。
繰り返し記録特性を考慮すると、保護層の膜密度はバルク状態の８０％以上であることが機械的強度の面から望ましい。誘電体の混合物を用いる場合には、バルク密度として上述の一般式（１）の理論密度を用いる。

保護層の厚さは、一般的に通常１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。１ｎｍ以上とすることで、基板や記録層の変形防止効果を十分確保することができ、保護層としての役目を十分果たすことができる。また、５００ｎｍ以下とすれば、保護層としての役目を十分果たしつつ、保護層自体の内部応力や基板との弾性特性の差等が顕著になって、クラックが発生するということを防止することができる。

特に、基板と記録層の間に保護層（下部保護層と称することがある）を設ける場合、下部保護層は、熱による基板変形を抑制する必要があるため、その厚さは通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは４０ｎｍ以上である。このようにすれば、繰り返し記録中の微視的な基板変形の蓄積が抑制され、再生光が散乱されてノイズ上昇が著しくなるということがなくなる。

一方、下部保護層の厚みは、成膜に要する時間の関係から、通常４００ｎｍ以下、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下、さらに好ましくは１５０ｎｍ以下、特に好ましくは１００ｎｍ以下である。このようにすれば、記録層平面で見た基板の溝形状が変わるということがなくなる。すなわち、溝の深さや幅が、基板表面で意図した形状より小さくなったりする現象が起こりにくくなる。

一方、記録層の基板とは反対側に保護層（上部保護層と称することがある）を設ける場合、上部保護層は、記録層の変形抑制のために、通常その厚さは１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは１５ｎｍ以上である。また、繰り返し記録に伴って発生する上部保護層内部の微視的な塑性変形の蓄積を防止し、再生光の散乱によるノイズ上昇を抑制するため、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下、さらに好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下、最も好ましくは３０ｎｍ以下である。

なお、記録層及び保護層の厚みは、機械的強度、信頼性の面からの制限の他に、多層構成に伴う干渉効果も考慮して、レーザー光の吸収効率がよく、記録信号の振幅が大きく、すなわち記録状態と未記録状態のコントラストが大きくなるように選ばれる。
保護層は通常スパッタ法で形成されるが、ターゲットそのものの不純物量や、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不純物量を２原子％未満とするのが好ましい。このために保護層をスパッタリングによって形成する際、プロセスチャンバの到達真空度は１×１０^-3Ｐａ未満とすることが望ましい。
［３Ｄ］反射層
光記録媒体においては、さらに反射層を設けることができる。反射層の設けられる位置は、通常再生光の入射方向に依存し、入射側に対して記録層の反対側に設けられる。すなわち、基板側から再生光を入射する場合は、基板に対して記録層の反対側に反射層を設けるのが通常であり、記録層側から再生光を入射する場合は記録層と基板との間に反射層を設けるのが通常である。

反射層に使用する材料は、反射率の大きい物質が好ましく、特に放熱効果も期待できるＡｕ、ＡｇまたはＡｌ等の金属が好ましい。その放熱性は膜厚と熱伝導率で決まるが、熱伝導率は、これら金属ではほぼ体積抵抗率に比例するため、放熱性能を面積抵抗率で表すことができる。面積抵抗率は、通常０．０５Ω／□以上、好ましくは０．１Ω／□以上、一方、通常０．６Ω／□以下、好ましくは０．５Ω／□以下とする。

これは、特に放熱性が高いことを保証するものであり、光記録媒体に用いる記録層のように、非晶質マーク形成において、非晶質化と再結晶化の競合が顕著である場合に、再結晶化をある程度抑制するために必要なことである。反射層自体の熱伝導度制御や、耐腐蝕性の改善のため上記の金属にＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｉ等を少量加えてもよい。添加量は通常０．０１原子％以上２０原子％以下である。

本発明に適した反射層の材料をより具体的に述べると、ＡｌにＴａ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｓｃ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｍｇ，Ｚｒ，Ｍｏ及びＭｎからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含むＡｌ合金を挙げることができる。これらの合金は、耐ヒロック性が改善されることが知られているので、耐久性，体積抵抗率，成膜速度等を考慮して用いることができる。上記元素の含有量は、通常０．１原子％以上、好ましくは０．２原子％以上、一方、通常２原子％以下、好ましくは１原子％以下である。Ａｌ合金に関しては、添加不純物量が少なすぎると、成膜条件にもよるが、耐ヒロック性は不十分であることが多い。また、多すぎると十分な放熱効果が得られにくい。

アルミニウム合金の具体例としては、Ｔａ及びＴｉの少なくとも一方を１５原子％以下含有するアルミニウム合金、特に、Ａｌα Ｔａ_1-α（０≦α≦０．１５）なる合金は、耐腐蝕性に優れており、光記録媒体の信頼性を向上させる上で特に好ましい反射層材料である。
反射層材料の好ましい例としては、純ＡｇまたはＡｇにＴｉ，Ｖ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｗ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｃ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｍｇ，Ｚｒ，Ｍｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、及び希土類元素からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含むＡｇ合金を挙げることができる。経時安定性をより重視する場合には添加成分としてはＴｉ，Ｍｇ又はＰｄが好ましい。上記元素の含有量は、通常０．０１原子％以上、好ましくは０．２原子％以上、一方、通常１０原子％以下、好ましくは５原子％以下である。

特に、ＡｇにＭｇ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、希土類元素のいずれか一種を０．０１原子％以上１０原子％以下含むＡｇ合金は、反射率、熱伝導率が高く、耐熱性も優れていて好ましい。
なお、上部保護層の膜厚を４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする場合には特に、反射層を高熱伝導率にするため、含まれる添加元素を２原子％以下とするのが好ましい。

反射層の材料として特に好ましいのは、Ａｇを主成分とすることであり、最も好ましいのは純Ａｇとすることである。Ａｇを主成分とすることが好ましい理由は以下のとおりである。すなわち、長期保存した記録マークを再度記録すると、保存直後の第一回目の記録だけ、相変化記録層の再結晶化速度が速くなる現象が発生する場合がある。このような現象が発生する理由は不明であるが、この保存直後における記録層の再結晶化速度の増加により、保存直後の第一回目の記録で形成した非晶質マークの大きさが所望するマークの大きさよりも小さくなるのではないかと推測される。したがって、このような現象が発生する場合には、反射層に放熱性が非常に高いＡｇを用いて記録層の冷却速度を上げることにより、保存直後における第一回目の記録時の記録層の再結晶化を抑制して非晶質マークの大きさを所望の大きさに保つことができるようになる。

反射層の膜厚としては、透過光がなく完全に入射光を反射させるために通常１０ｎｍ以上とするが、２０ｎｍ以上とすることが好ましく、４０ｎｍ以上とすることがより好ましく、５０ｎｍ以上とすることがさらに好ましい。また、あまりに厚すぎても、放熱効果に変化はなくいたずらに生産性を悪くし、また、クラックが発生しやすくなるので、通常は５００ｎｍ以下とするが、４００ｎｍ以下とすることが好ましく、３００ｎｍ以下とすることがより好ましく、２００ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。

なお、反射層は通常スパッタ法や真空蒸着法で形成されるが、ターゲットや蒸着材料そのものの不純物量や、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不純物量を２原子％未満とするのが好ましい。このために反射層をスパッタリングによって形成する際、プロセスチャンバの到達真空度は１×１０^-3Ｐａ未満とすることが望ましい。
また、１０^-4Ｐａより悪い到達真空度で成膜するなら、成膜レートを１ｎｍ／秒以上、好ましくは１０ｎｍ／秒以上として不純物が取り込まれるのを防ぐことが望ましい。あるいは、意図的な添加元素を１原子％より多く含む場合は、成膜レートを１０ｎｍ／秒以上として付加的な不純物混入を極力防ぐことが望ましい。

さらなる高熱伝導と高信頼性を得るために反射層を多層化することも有効である。この場合、少なくとも１層は全反射層膜厚の５０％以上の膜厚を有する上記の材料とするのが好ましい。この層は実質的に放熱効果を司り、他の層が耐食性や保護層との密着性、耐ヒロック性の改善に寄与するように構成される。特に、純ＡｇまたはＡｇを主成分とする反射層を、硫黄を含むＺｎＳ等を含む保護層と接して設ける場合には、Ａｇの硫黄との反応による腐食を防ぐために、通常、硫黄を含まない界面層を設けるが、界面層が、反射層として機能するような金属であることが好ましい。界面層の材料としては、Ｔａ、Ｎｂを挙げることができる。この場合、基板上に、第一保護層、相変化型記録層、第二保護層、界面層、反射層（ここで、界面層と反射層とが多層の反射層を構成していると考えることもできる。）をこの順に有する層構成をとることになる。

記録層用ターゲット、保護層用ターゲット、必要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャンバー内に設置したインライン装置で膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。また、生産性の面からも優れている。
［３Ｅ］保護コート層
光記録媒体の最表面側には、空気との直接接触を防いだり、異物との接触による傷を防ぐため、紫外線硬化樹脂や熱硬化型樹脂からなる保護コート層を設けるのが好ましい。保護コート層は通常１μｍから数百μｍの厚さである。また、硬度の高い誘電体保護層をさらに設けたり、その上にさらに樹脂層を設けることもできる。
［３Ｆ］その他
なお、ここでは、リライタブルＤＶＤとして１層構造のものを例に説明したが、これに限られるものではなく、他の構造のもの（例えば２層構造のものやそれ以上の多層構造のもの、２層構造で片面入射型のものや両面入射型のものなど）にも本発明を適用することができる。

したがって、本実施形態にかかる光記録方法によれば、例えばリライタブルＤＶＤのような大容量の書換型光記録媒体を追記型光記録媒体（ライトワンスメディア）として用い、記録速度に応じた記録パルスとすることで、大容量の光記録媒体における高速記録を実現できるという利点がある。

次に、実施例によって本発明を更に詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。
基板のトラックピッチが０．７４μｍ、溝幅０．３２μｍ、溝深さ３２ｎｍ、厚み０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、Ａｒガスを用いたスパッタリング法により、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀保護層を８０ｎｍ、Ｉｎ₃Ｇｅ₃Ｓｂ₇₀Ｔｅ₂₀記録層を１４ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀保護層を２２ｎｍ、Ｔａ拡散防止層を２ｎｍ、Ａｇ反射膜を１００ｎｍ、この順に形成した。

各層の成膜は到達真空度４×１０^-4Ｐａ以下になってから実施した。
第１保護層は、Ａｒガスを導入し成膜圧力を２．６×１０^-1Ｐａとし、成膜パワー２ｋＷのＲＦスパッタリングで形成した。
記録層は、成膜圧力２．１×１０^-1Ｐａとし、成膜パワー３００ＷのＲＦスパッタリングで形成した。

第２保護層は成膜圧力３．９×１０^-1Ｐａとし、成膜パワー１．２ｋＷのＲＦスパッタリングで形成した。
拡散防止層は、成膜圧力１．７×１０^-1Ｐａとし、成膜パワー５００ＷのＤＣスパッタリングで形成した。
反射層は、成膜圧力６．４×１０^-1Ｐａとし、成膜パワー７５０ＷのＤＣスパッタリングで形成した。

その上に紫外線硬化樹脂からなる保護コートをしたのち、０．６ｍｍ厚ポリカーボネート基板と貼り合わせて１．２ｍｍ厚のディスク（光記録媒体）とした。
このディスクを線速度５ｍ／ｓにおいて高出力半導体レーザを用いて初期化を行った。ここで、初期化レーザパワーは１４００Ｗとした。
記録及び記録信号の特性評価には、波長６５０ｎｍ，ＮＡ＝０．６５のパルステック社製光ディスクテスタＤＤＵ１０００を用いた。

基準線速度をＤＶＤの基準線速度である３．４９ｍ／ｓとし、基準クロック周波数を２６．２ＭＨｚ（クロック周期Ｔ_s＝３８．２ｎｓ）とし、ＥＦＭ＋変調信号を各線速度で記録した後、基準線速度に於いてクロックジッターを測定した。
ここで、クロックジッターとは、再生信号をイコライザとＬＰＦを通過させた後に、スライサにより２値化信号とし、該２値化信号のリーディングエッジとトレーリングエッジのＰＬＬクロックに対する時間のずれの標準偏差（ジッター）をクロック周期：Ｔで規格化したものである。詳細な測定方法は、ＤＶＤ−ＲＯＭ規格書やリライタブルＤＶＤ規格書に規定されている。

下記表１は、記録線速度を基準線速度の１倍，２．４倍，４倍とする場合に実際に使用した記録ストラテジー（１Ｔパルス分割ストラテジー）を示している。表１にあるストラテジーは、各線速度においてα_i（ｉ＝２〜ｍの自然数）は一定値をとり、β_k（ｋ＝２〜ｍ−１の自然数）も一定値をとっており、上述の実施形態において説明した分割パルス１Ｔストラテジーのより規則性を上げたものとしている。また、β_i-1＋α_iは１（ｉ＝３〜ｍ−１）となっている。

下記表２は、このような分割パルス１Ｔストラテジーを用いる場合のレーザパワー及びそのレーザパワーで記録した信号のクロックジッターを示している。

いずれの線速度においてもクロックジッターが９％以下であり良好であることがわかる。
次に、記録線速度を基準線速度の１倍，２．４倍，４倍とする場合に実際に使用した記録ストラテジー（２Ｔパルス分割ストラテジー）をそれぞれ表３，表４，表５に示す。尚、表３，４，５において奇数マーク（ｎＴマークにおいてｎが奇数の場合）のストラテジーを規定する記録パルス長の係数α_i’と冷却パルス長の係数β_i’は、表を見やすくするためにそれぞれα_iとβ_iの欄に記載した。

さらに、下記表６に各線速度でのレーザパワーと該記録条件で記録された信号のクロックジッターとを示す。

いずれの線速度においてもクロックジッターが９％以下であり良好であることがわかる。
さて、書換記録可能範囲を確認するために、上記表１に示されるような記録ストラテジーを用いて１０回オーバーライトした記録信号のクロックジッターを測定した。その結果を下記表７に示す。４倍速まではクロックジッターが９％以下であり良好な結果が得られている。

そこで、更に、表８のような記録ストラテジー（１Ｔパルス分割ストラテジー）を用い、レーザパワーとして、記録パワーＰｗＬ：２１ｍＷ、消去パワーＰｅ：４ｍＷ、バイアスパワーＰｂＬ：０．５ｍＷを印加して５倍速で１０回オーバーライトを試みた。その結果は表７に示されているようにクロックジッターが１１．０％であった。

一般に、ＤＶＤではクロックジッターが１０％以下であればリードエラーが起こることがないとされている。従って、本実施例においては、上記表７に示された１０回オーバーライト後のクロックジッターの測定結果より４倍速を書換可能範囲の上限と定めるのが妥当である。
そこで、書換可能範囲を超える５倍速以上の線速度では、上述の実施形態で説明した１つのパルス（ブロックパルス）で記録するストラテジー（ブロックパルスストラテジー）を用いて追記型記録を実施した。実際に使用した、ストラテジーを下記表９に示す。

本実施例で使用したストラテジーはγがｎによらず０．５と一定値であり、上述の実施形態で説明したブロックパルスストラテジーを更に限定したものである。即ち、ＣＡＶ記録のように光ディスクの記録半径位置によって線速度が変化する場合であってもクロック周期：Ｔの係数は固定であることから、記録再生装置にとっては記録パルス制御がより簡易であるとすることができる。

上記表９に示したストラテジーで基準線速度の５倍速から１６倍速で追記型記録をしたときのクロックジッターと記録に要したレーザパワーＰｗＨとＰｂＨを下記表１０に示す。

これによると、５倍速から１６倍速までジッターが９％以下であり良好な記録特性になっていることが分かる。
次に、８倍速で追記型記録をした信号の上に、ＤＣ消去をすることなく直接２．４倍速で信号を一回上書きする実験を行った。ストラテジーは上記表１にある通り（１Ｔパルス分割ストラテジー）とした。重ね書きした信号のクロックジッターは７．２％であった。更にその上に２．４倍速でもう一度重ね書きを行ったところクロックジッターは７．１％であった。すなわち、これは追記型記録をしてもユーザが書換型記録モードを選択すればＤＣ消去を経ることなく直接上書きができるということを示している。

次に、８倍速で追記型記録をした信号を、１倍速で１３ｍＷのＤＣ光を１回照射して消去し、その上に８倍速で追記型記録を実施した。ストラテジーは上記表９にある通りとした。その信号のクロックジッターを測定したところ７％であることが確認できた。これは、追記型で記録した信号もユーザが選択すれば、ＤＣ消去を行った後に、再度高速度で追記型記録が可能であることを示すものである。

（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態にかかる光記録方法において所定記録線速度以上の線速度で書き込みを行なう場合の記録パルスを説明するための図である。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態にかかる光記録方法において所定記録線速度よりも低い線速度で書き込みを行なう場合の２Ｔ分割パルスストラテジーを説明するための図である。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態にかかる光記録方法において所定記録線速度よりも低い線速度で書き込みを行なう場合の２Ｔ分割パルスストラテジーの他の例を説明するための図である。

符号の説明

３００，４００ クロック
３０１，４０１ ２ｍＴの記録マークの長さ
３０２，４０２ （２ｍ＋１）Ｔの記録マークの長さ
３０３，４０３ ｎ＝２ｍ（＝１０）の場合の分割記録パルスの記録パルス列
３０７，４０６ ｎ＝２ｍ＋１（＝１１）の場合の分割記録パルスの記録パルス列
３０４〜３０６，３０８〜３１０，４０４，４０５，４０７，４０８，４１０ 区間

Claims (18)

1. 相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の前記相変化型記録層の結晶状態を未記録・消去状態とし、様々な時間的長さｎＴ（Ｔは基準クロック周期、ｎは２以上の整数）を有する非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いる光記録方法であって、
   （Ｍ−１）記録速度が、前記書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度の範囲内である場合は、
   時間的長さｎＴを、
   η₁Ｔ、α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・、
   α_iＴ、β_iＴ、・・・、α_mＴ、β_mＴ、η₂Ｔ
   （ｍはパルス分割数であり、ｉは１以上ｍ以下の整数である。Σ_i（α_i＋β_i）＋η₁＋η₂＝ｎである。α_i（１≦ｉ≦ｍ）は０より大きい実数であり、β_i（１≦ｉ≦ｍ−１）は０より大きい実数であり、β_mは０以上の実数であり、η₁及びη₂はそれぞれ−２以上２以下の実数である。）の順に分割し、少なくとも一つの記録マークの時間的長さは、前記パルス分割数ｍを２以上とし、かつ、全ての記録マークの時間的長さは、ｎ／ｍ≧１．２５を満たすようにして、
   α_iＴの時間内には、記録パワーＰｗ_i（１≦ｉ≦ｍ）の記録光を照射し、
   β_iＴの時間内には、バイアスパワーＰｂ_i（１≦ｉ≦ｍ、Ｐｂ_i＜Ｐｗ_i、Ｐｂ_i＜Ｐｗ_i+1）の記録光を照射して、
   ｎＴの時間的長さを有する複数の記録マークを形成し、
   前記複数の記録マーク間には、消去パワーＰｅ（Ｐｅは１≦ｉ≦ｍにおけるｍ個のＰｂ_iそれぞれの値以上であり、１≦ｉ≦ｍにおけるｍ個のＰｗ_iそれぞれの値よりも小さい値である。）の記録光を照射し、
   （Ｍ−２）前記記録速度が、前記書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度よりも速い場合は、
   ｎＴの時間的長さを有する記録マークを、記録パワーＰｗＨの記録光とバイアスパワーＰｂＨの記録光とを照射しうる一つのブロックパルスを用いて形成する
   ことを特徴とする、光記録方法。
2. 前記バイアスパワーＰｂ_i及びＰｂＨが、前記消去パワーＰｅよりも小さいことを特徴とする、請求項１記載の光記録方法。
3. 前記記録速度が、前記書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度よりも速い場合において、
   前記ｎＴ（ｎはｋ₀以上の自然数、ｋ₀は２又は３）の記録マークを、ｋ₀Ｔ、・・、（ｋ₀＋（ｋ₁−１））Ｔの時間的長さを有する記録マーク（ｋ₁は整数）と、（ｋ₀＋ｋ₁）Ｔ以上の時間的長さを有する記録マークとに分け、
   γ（γは０以上２以下の値）をｎによって異なり得るものとし、
   ｋ₀Ｔ、・・、（ｋ₀＋（ｋ₁−１））Ｔの時間的長さを有する前記記録マークを形成する場合には、前記記録マークの始点からＴ_dkＴ（Ｔ_dkは−１から１の間の値）の時間だけ遅れた時点から前記記録パワーＰｗＨの記録光の照射を開始し、前記記録マークの終点からγＴの時間だけ早い時点において前記記録パワーＰｗＨの記録光の照射を終了することによって記録マークを形成し、
   （ｋ₀＋ｋ₁）Ｔ以上の時間的長さを有する前記記録マークを形成する場合には、前記記録マークの始点から前記記録パワーＰｗＨの記録光の照射を開始し、前記記録マークの終点からγＴの時間だけ早い時点において前記記録パワーＰｗＨの記録光の照射を終了することによって記録マークを形成することを特徴とする、請求項１又は２記載の光記録方法。
4. 前記記録速度が、前記書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度の範囲内である場合は、
   ｎＴの時間的長さを有する記録マークを形成する際に、
   ｎ＝２ｍ（ｍはパルス分割数、１以上の自然数）なる記録マークについては、時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ（ｊは−２〜２なる実数）を、
   α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・・、α_mＴ、β_mＴ
   からなるｍ個のα_iＴとβ_iＴとからなる区間（ただしΣ_i（α_i＋β_i）＝ｎ−ｊ）
   に分割し、
   ｎ＝２ｍ＋１なる記録マークについては、時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ（ｋは−２〜２なる実数）を、
   α₁’Ｔ、β₁’Ｔ、α₂’Ｔ、β₂’Ｔ、・・・・、α_m’Ｔ、β_m’Ｔ
   からなるｍ個のα_i’Ｔとβ_i’Ｔからなる区間（ただし、Σ_i（α_i’＋β_i’）＝
   ｎ−ｋ）に分割し、
   ｍ≧４では、β_i-1＋α_i＝β_i-1’＋α_i’＝２±０．２（ｉ＝３〜ｍ−１）として、
   前記α_iＴ及び前記α_i’Ｔの時間内には、前記記録パワーＰｗ_i（ｉは１以上ｍ以下の整数）の記録光を照射し、
   前記β_iＴ及び前記β_i’Ｔの時間内には、前記バイアスパワーＰｂ_i（ｉは１以上ｍ以下の整数）の記録光を照射することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光記録方法。
5. 前記記録パワーＰｗ_iが、１≦ｉ≦ｍにおいて一定値ＰｗＬであり、
   前記バイアスパワーＰｂ_iが、１≦ｉ≦ｍにおいて一定値ＰｂＬであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光記録方法。
6. α₁≠α₁’、β₁≠β₁’、α₂≠α₂’、β_m-1≠β_m-1’、α_m≠α_m’及びβ_m≠β_m’のうちの少なくとも一つを満たすようにすることを特徴とする、請求項４又は５記載の光記録方法。
7. β_m-1≠β_m-1’及びα_m≠α_m’を満たすようにすることを特徴とする、請求項４又は５記載の光記録方法。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の光記録方法によって情報を記録されうる書換型光記録媒体であって、前記相変化型記録層がＳｂを主成分とする組成であることを特徴とする、書換型光記録媒体。
9. 相変化型記録層を有し、前記相変化型記録層の結晶状態を未記録・消去状態とし、この未記録・消去状態に様々な時間的長さｎＴ（Ｔは基準クロック周期、ｎは２以上の整数）の非晶質状態の記録マークを形成することによって、情報を記録する円盤状の書換型光記録媒体を装着し、前記書換型光記録媒体を回転させた状態で前記書換型光記録媒体に記録光を照射することによって前記情報の記録を行う記録再生装置であって、
   書換記録モード、ライトワンス記録モード、及びＤＣ消去モードの３つの記録光照射モードを有し、
   （Ａ−１）書換記録モードにおいては、
   情報の記録を行なう前記書換型光記録媒体の半径位置における線速度が、前記書換型光記録媒体の書換可能な記録速度の範囲内となるように前記書換型光記録媒体を回転させた状態で、
   時間的長さｎＴを、
   η₁Ｔ、α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・、
   α_iＴ、β_iＴ、・・・、α_mＴ、β_mＴ、η₂Ｔ
   （ｍはパルス分割数であり、ｉは１以上ｍ以下の整数である。Σ_i（α_i＋β_i）＋η₁＋η₂＝ｎである。α_i（１≦ｉ≦ｍ）は０より大きい実数であり、β_i（１≦ｉ≦ｍ−１）は０より大きい実数であり、β_mは０以上の実数であり、η₁及びη₂はそれぞれ−２以上２以下の実数である。）の順に分割し、少なくとも一つの記録マークの時間的長さは、前記パルス分割数ｍを２以上とし、かつ、全ての記録マークの時間的長さは、ｎ／ｍ≧１．２５を満たすようにして、
   α_iＴの時間内には、記録パワーＰｗ_i（１≦ｉ≦ｍ）の記録光を照射し、
   β_iＴの時間内には、バイアスパワーＰｂ_i（１≦ｉ≦ｍ、Ｐｂ_i＜Ｐｗ_i、Ｐｂ_i＜Ｐｗ_i+1）の記録光を照射し、
   ｎＴの時間的長さを有する複数の記録マークを形成し、
   前記複数の記録マーク間には、消去パワーＰｅ（Ｐｅは１≦ｉ≦ｍにおけるｍ個のＰｂ_iそれぞれの値以上であり、１≦ｉ≦ｍにおけるｍ個のＰｗ_iそれぞれの値よりも小さい値である。）の記録光を照射することによって、前記書換型光記録媒体に記録を行い、
   （Ａ−２）ライトワンス記録モードにおいては、
   情報の記録を行う前記書換型光記録媒体の半径位置における線速度が、前記書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度よりも速くなるように前記書換型光記録媒体を回転させた状態で、
   ｎＴの時間的長さを有する記録マークを、記録パワーＰｗＨの記録光とバイアスパワーＰｂＨの記録光とを照射しうる一つのブロックパルスを用いて形成することによって、前記書換型光記録媒体に記録を行い、
   （Ａ−３）ＤＣ消去モードにおいては、
   情報の消去を行う前記書換型光記録媒体の半径位置における線速度が、前記書換型光記録媒体の書換可能な記録速度の範囲内となるように前記書換型光記録媒体を回転させた状態で、消去パワーＰ_DCの記録光を照射することによって、前記書換型光記録媒体に記録されている情報の消去を行い、
   （Ａ−４）前記書換記録モードを実行した後に前記ライトワンス記録モードを実行する場合、又は、前記ライトワンス記録モードを実行した後に再度前記ライトワンス記録モードを実行する場合には、前記ＤＣ消去モードを行って前記書換型光記録媒体に記録されている情報を消去するように構成されることを特徴とする、記録再生装置。
10. 前記バイアスパワーＰｂ_i及びＰｂＨが、前記消去パワーＰｅよりも小さくなるように構成されることを特徴とする、請求項９に記載の記録再生装置。
11. 前記記録パワーＰｗ_iが、１≦ｉ≦ｍにおいて一定値ＰｗＬであり、
    前記バイアスパワーＰｂ_iが、１≦ｉ≦ｍにおいて一定値ＰｂＬであることを特徴とする、請求項９又は１０記載の記録再生装置。
12. 前記ＤＣ消去モードにおける消去パワーＰ_DCが、前記書換記録モードにおける消去パワーＰｅと等しいことを特徴とする、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の記録再生装置。
13. 相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の前記相変化型記録層の結晶状態を未記録・消去状態とし、これに様々な長さの非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いる光記録方法であって、
    記録速度が書換可能な記録速度よりも速い場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして一つのブロックパルスを用い、前記記録マークの長さが所定長さ以上のときは、前記ブロックパルスの終了時期がデータ信号パルスの終了時期よりも第１所定時間だけ早くなるようにし、前記記録マークの長さが所定長さよりも短いときは、前記ブロックパルスの開始時期がデータ信号パルスの開始時期よりも第２所定時間だけ遅れるようにするとともに、前記ブロックパルスの終了時期がデータ信号パルスの終了時期よりも第１所定時間だけ早くなるようにするとともに、
    記録速度が書換可能な記録速度以下の場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして複数の記録パルスからなるパルス列を用いることを特徴とする、光記録方法。
14. 前記パルス列が、記録パワーレベルの先頭パルスと、冷却パワーレベルの冷却パルスと記録パワーレベルの記録パルスとの対が繰り返される後続パルス列と、最後尾の冷却パルスとからなるものとし、ｎＴ（ｎ：３以上の自然数，Ｔ：クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、ｎが偶数であるときは、前記後続パルス列における一対の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足したものが略２になるようにすることを特徴とする、請求項１３記載の光記録方法。
15. 前記パルス列が、記録パワーレベルの先頭パルスと、冷却パワーレベルの冷却パルスと記録パワーレベルの記録パルスとの対が繰り返される後続パルス列と、最後尾の冷却パルスとからなるものとし、ｎＴ（ｎ：３以上の自然数，Ｔ：クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、ｎが奇数のときは、前記後続パルス列を構成する冷却パルスと記録パルスとの対のうち、最先の冷却パルスと記録パルスとの対及び最後の冷却パルスと記録パルスとの対以外の、一対の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足したものが略２になるようにすることを特徴とする、請求項１３又は１４記載の光記録方法。
16. 前記パルス列が、記録パワーレベルの先頭パルスと、冷却パワーレベルの冷却パルスと記録パワーレベルの記録パルスとの対が繰り返される後続パルス列と、最後尾の冷却パルスとからなるものとし、ｎＴ（ｎ：３以上の自然数，Ｔ：クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、
    前記後続パルス列を構成する記録パルスの数を、ｎが奇数であるか偶数であるかに関わらず同数にし、
    ｎが奇数の場合は、前記後続パルス列を構成する、最先の冷却パルスのパルス幅、最先の記録パルスのパルス幅、最後の冷却パルスのパルス幅、及び最後の記録パルスのパルス幅から選ばれる少なくとも１つを、
    ｎが偶数の場合の、最先の冷却パルスのパルス幅、最先の記録パルスのパルス幅、最後の冷却パルスのパルス幅、最後の記録パルスのパルス幅のそれぞれに対して変化させることを特徴とする、請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の光記録方法。
17. 相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の前記相変化型記録層の結晶状態を未記録・消去状態とし、これに様々な長さの非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いる光記録方法であって、
    記録速度が書換可能な記録速度よりも速い場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして一つのブロックパルスを用い、前記記録マークの長さが所定長さよりも短いときは、前記記録マークの長さが所定長さ以上のときよりも、前記ブロックパルスの開始時期が所定時間だけ遅れるようにすることを特徴とする、光記録方法。
18. 相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の前記相変化型記録層の結晶状態を未記録・消去状態とし、これに様々な長さの非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いられる記録再生装置であって、
    記録速度が書換可能な記録速度よりも速い場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして一つのブロックパルスを用い、前記記録マークの長さが所定長さ以上のときは、前記ブロックパルスの終了時期がデータ信号パルスの終了時期よりも第１所定時間だけ早くなるようにし、前記記録マークの長さが所定長さよりも短いときは、前記ブロックパルスの開始時期がデータ信号パルスの開始時期よりも第２所定時間だけ遅れるようにするとともに、前記ブロックパルスの終了時期がデータ信号パルスの終了時期よりも第１所定時間だけ早くなるようにするとともに、
    記録速度が書換可能な記録速度以下の場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして複数の記録パルスからなるパルス列を用いるように構成されることを特徴とする、記録再生装置。
    

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