JP2004206804A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】媒体ノイズの低減化を図りつつ面記録密度の増大化を可能とする磁気記録媒体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｃｏを母材とする第１の層（１４ａ）とＰｔまたはＰｄを母材とする第２の層（１４ｂ）とを交互に多数積層させた多数積層記録層（１４）をスパッタ成膜する際のターゲット中に予めＢの酸化物Ｂ２Ｏ３−ｘ（０≦ｘ＜３）を添加しておき、第１の層（１４ａ）と第２の層（１４ｂ）の少なくとも一方の層に、ｘＢをＢ濃度（ａｔ％）、ｘＯをＯ濃度（ａｔ％）として、７≦ｘＢ≦２３、１０≦ｘＯ≦３６、ｘＯ≦１．５ｘＢ＋１、となるようにスパッタ成膜することとした。これにより、多数積層記録層（１４）中の結晶粒界に偏析する添加元素量を大きくして結晶粒子間の間隔を広げることで結晶粒子間の磁気的相互作用のエネルギを減少させ媒体ノイズを低減することとした。
【選択図】 図２
【解決手段】Ｃｏを母材とする第１の層（１４ａ）とＰｔまたはＰｄを母材とする第２の層（１４ｂ）とを交互に多数積層させた多数積層記録層（１４）をスパッタ成膜する際のターゲット中に予めＢの酸化物Ｂ２Ｏ３−ｘ（０≦ｘ＜３）を添加しておき、第１の層（１４ａ）と第２の層（１４ｂ）の少なくとも一方の層に、ｘＢをＢ濃度（ａｔ％）、ｘＯをＯ濃度（ａｔ％）として、７≦ｘＢ≦２３、１０≦ｘＯ≦３６、ｘＯ≦１．５ｘＢ＋１、となるようにスパッタ成膜することとした。これにより、多数積層記録層（１４）中の結晶粒界に偏析する添加元素量を大きくして結晶粒子間の間隔を広げることで結晶粒子間の磁気的相互作用のエネルギを減少させ媒体ノイズを低減することとした。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体およびその製造方法に関し、より詳細には、媒体ノイズの低減化を図りつつ面記録密度の増大化を可能とする磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
固定磁気ディスクの面記録密度は年々増大し続けており、現在では約５０Ｇｂ／ｉｎ２の面記録密度のものが製品化されている。一方、このような固定磁気ディスクの高記録密度化に伴って、記録ビットの熱的不安定性が顕在化しはじめてきており、高い面記録密度と媒体ノイズの低減化および記録ビットの熱安定性を実現可能な垂直磁気記録媒体が求められている。
【０００３】
垂直磁気記録媒体の構造は「単層媒体」と「２層媒体」とに大別され、このうち「単層媒体」は、ＮｉＰメッキを施したＡｌ基板やガラス基板上にＴｉ膜やＴｉＣｒ膜などの下地層を設け、この下地層の上にＴａ、Ｐｔ、Ｂなどの元素が添加されたＣｏＣｒ系合金の記録層を積層し、この記録層上にカーボン保護膜を設けて構成される。また、「２層媒体」は、上述の基板と下地層との間にさらに軟磁性層を設けて構成される。
【０００４】
これら各層の成膜は一般的にはスパッタリングで実行され、各層の膜厚は概ね、軟磁性層３００〜５００ｎｍ、下地層１０〜５０ｎｍ、記録層３０〜１００ｎｍに設定されるのが通常である。また、一般に、下地層と記録層は多結晶薄膜とされ、軟磁性層にはＮｉＦｅ、ＦｅＳｉＡｌ、ＦｅＴａＣなどの多結晶とＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどのアモルファスの両方が用いられる。
【０００５】
ＣｏＣｒ系合金を記録層とする磁気記録媒体では、ＣｏＣｒ系合金薄膜の磁気異方性エネルギ（Ｋｕ）が比較的小さいために、へッドにより書き込まれた記録ビットの十分な熱安定性を得ることが困難である。このため、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互にｎ層ずつ積層させた（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ多層積層膜やＣｏ層とＰｄ層とを交互にｎ層ずつ積層させた（Ｃｏ／Ｐｄ）ｎ多層積層膜を記録層として用いた垂直磁気記録媒体の開発が行なわれており、Ｃｏ層の厚みを０．１〜０．３ｎｍ、Ｐｔ層（またはＰｄ層）の厚みを０．６〜１．０ｎｍ程度と設定した磁気記録媒体で高い保磁力（Ｈｃ）と高い角型比（Ｓ）とが得られている。
【０００６】
多層積層膜を記録層として用いたこのような垂直磁気記録媒体は記録ビットの熱安定性に優れる反面、媒体ノイズが比較的大きいという問題があるため、記録層を成膜するに際してボロン（Ｂ）のチップをスパッタ・ターゲットの表面に配置し、この状態でＡｒとＯ２の混合ガス中でスパッタリング成膜し、ボロン（Ｂ）と酸素（Ｏ）とを記録層の結晶粒界に偏析させることにより媒体ノイズを低減させる方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−２５０３２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１に記載されている媒体ノイズの低減方法では、磁気記録媒体のＳ／Ｎ改善に効果のあるＢ添加量は１．０ａｔ％まで、Ｏ添加量も０．１ａｔ％までであり、これ以上のＢやＯの添加をおこなってもＳ／Ｎ値は飽和したままであり改善効果は認められない。
【０００９】
従って、磁気記録媒体の面記録密度の向上を図るためには、面記録密度の増大化と媒体ノイズの更なる低減化とを両立させることが必要となる。
【００１０】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、媒体ノイズの低減化を図りつつ面記録密度の増大化を可能とする磁気記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、基板上に、軟磁性層と下地層と磁気記録層とカーボン保護膜とが順次積層されて構成されている磁気記録媒体であって、前記磁気記録層は、第１の層と第２の層とを交互に多数積層させた多数積層膜であり、前記第１の層と前記第２の層の少なくとも一方の層には、ボロン（Ｂ）と酸素（Ｏ）とが、ｘＢをＢ濃度（ａｔ％）、ｘＯをＯ濃度（ａｔ％）として、７≦ｘＢ≦２３、１０≦ｘＯ≦３６、ｘＯ≦１．５ｘＢ＋１、を満たす濃度で添加されていることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の磁気記録媒体において、前記Ｂ濃度およびＯ濃度が、１０≦ｘＢ≦１９、１１≦ｘＯ≦２９、ｘＯ≦１．５ｘＢ＋１、を満足していることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の磁気記録媒体において、前記第１の層の母材料はＣｏ、前記第２の層の母材料はＰｔであり、前記下地層はＰｔ膜、Ｐｄ膜またはＲｕ膜の何れかであることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１または２に記載の磁気記録媒体において、前記第１の層の母材料はＣｏ、前記第２の層の母材料はＰｄであり、前記下地層はＰｔ膜、Ｐｄ膜またはＲｕ膜に何れかであることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項５に記載の発明は、請求項３または４に記載の磁気記録媒体において、前記下地層はＲｕ膜であり、前記軟磁性層上に、Ｔａ層とＮｉＦｅ合金層と前記Ｒｕ膜の下地層とが順次積層されていることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の磁気記録媒体において、前記ＮｉＦｅ合金層はＮｉＦｅＣｒ層であることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６の何れかに記載の磁気記録媒体において、前記軟磁性層は、アモルファスのＣｏＺｒＮｂ膜またはＣｏＴａＺｒ膜、多結晶のＮｉＦｅ膜またはＦｅＳｉＡｌ膜若しくはＦｅＴａＣ膜、の何れかであることを特徴とする。
【００１８】
さらに、請求項８に記載の発明は、請求項１乃至７に記載の磁気記録媒体において、前記基板はガラス基板であることを特徴とする。
【００１９】
請求項９に記載の発明は、請求項１乃至８に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、スパッタターゲットにボロン酸化物（Ｂ２Ｏ３−ｘ：０≦ｘ＜３）を予め添加した混合ターゲットを用いて前記磁気記録層をスパッタ成膜するステップを備えていることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至８に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、スパッタターゲット上にボロン酸化物（Ｂ２Ｏ３−ｘ：０≦ｘ＜３）のチップを載置して前記磁気記録層をスパッタ成膜するステップを備えていることを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【００２２】
本発明者は、記録層をスパッタ成膜する際のターゲット中に予めＢの酸化物Ｂ２Ｏ３−ｘ（０≦ｘ＜３）を添加しておきＡｒをスパッタガスとして成膜することで、媒体ノイズの低い記録層が得られることを見出した。これは、このような方法で成膜された記録層中のＢとＯの濃度が従来の方法で成膜された記録層の添加濃度に比較して高いために記録層の結晶粒界に偏析する添加元素量が多くなって結晶粒子間の間隔を広げることが可能となり、結晶粒子間の磁気的相互作用のエネルギが減少することによるものと解釈される。
【００２３】
これに対して従来の金属ボロンをＡｒとＯ２の混合ガス中でスパッタして成膜する方法では、記録層中のＢとＯの濃度を高くしていくとＣｏあるいはＰｔ結晶粒内に固溶するＢとＯが多くなることが判明した。このため、膜全体でのＢとＯの濃度を高くしても結晶粒界に偏析するこれらの添加元素量はほとんど増加せず、結晶粒子間の間隔も広がることがない。このために媒体ノイズの低減効果が上述した一定の添加量で飽和してＳ／Ｎ値も飽和してしまうこととなるものと考えられる。さらに、このような膜中のＯとＢの比（Ｏ／Ｂ）が１．５を超えると、Ｏは結晶粒界に局在するだけでなく結晶粒内に固溶し始め、結晶粒内に固溶したＯは、記録層である（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ膜の保磁力を低下させてＳ／Ｎを低下させてしまう。このような理由により、添加されるＢとＯの濃度はｘＯ≦１．５ｘＢ＋１の関係を満足することが必要とされる。
【００２４】
一方、本発明の方法で成膜した記録層の場合には、ＢやＯの添加濃度を高くするとこれらの元素の結晶粒界への偏析が進行し、結晶粒内に固溶するＢやＯの濃度はほとんど増加しない。従って、本発明の方法では、Ｂ添加濃度が１．０ａｔ％以上、Ｏ添加濃度が０．１ａｔ％以上の場合でも、Ｓ／Ｎ改善効果が認められることとなる。
【００２５】
本発明の方法により記録層を成膜する際のスパッタ方法は、ＤＣマグネトロンスパッタ法あるいはＡＣマグネトロンスパッタ法のどちらでも良い。ただし、ＢとＯの添加源であるＢ２Ｏ３−ｘのターゲット中での濃度を高くしたい場合には、Ｂ２Ｏ３−ｘの電気抵抗値が高いためにターゲットに電荷が蓄積されて異常放電を起こし易くなるため、ＡＣマグネトロンスパッタ法が好ましい。また、成膜時の基板加熱は必須ではないが、２５０℃程度までの基板加熱であれば必要に応じて実行することも可能である。
【００２６】
なお、上述の方法と同様に、Ｂ酸化物Ｂ２Ｏ３−ｘ（０≦ｘ＜３）のチップをターゲット上に配置してＡｒガス中でスパッタ成膜しても媒体ノイズの低い記録層が得られる。
【００２７】
図１は、本発明の磁気記録媒体の構成例を説明するための図で、基板としてガラス基板１１を用い、このガラス基板１１の上に、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層１２と、Ｐｔ下地層１３と、多層積層記録層１４と、カーボン（Ｃ）保護層１５とが順次積層されており、この図に示した構成例では、多層積層記録層１４は、第１の層である（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜１４ａと第２の層であるＰｔ膜１４ｂとが所望の層数だけ交互に積層されて構成されている。
【００２８】
なお、この図に示した多層積層記録層１４の構成では第１および第２の層の母組成を各々ＣｏおよびＰｔとしたが、第２の層はＰｔに替えてＰｄを母組成として（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３−ｘ／Ｐｄ‐Ｂ２Ｏ３−ｘ）ｎ多層積層膜としたり、第２の層にのみＢ２Ｏ３−ｘを加えた（Ｃｏ／Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３−ｘ）ｎ多層積層膜としてもＳ／Ｎの大幅な改善が可能である。このような記録層中のＢ濃度とＯ濃度は、Ｂについて７〜２３ａｔ％、Ｏについて１０〜３６ａｔ％でＳ／Ｎが大きい値を示す。また、第１の層の膜厚は０．１〜１．０ｎｍ、第２の層の膜厚は０．１〜１．０ｎｍが好ましく、多層積層回数ｎは１０〜３０であることが好ましい。
【００２９】
下地膜はＰｔの代わりにＰｄ膜を用いることも可能であり、これらの下地層の膜厚は３〜２０ｎｍとすることが好ましい。さらに、Ｒｕ膜を下地層として用いることも可能であり、Ｒｕ膜の結晶配向性を向上させるためにＲｕ下地層と軟磁性層との間にＴａ層とＮｉＦｅ合金層（例えばＮｉＦｅＣｒ）をこの順番で設けることもできる。なお、この場合のＲｕ膜厚は３〜２０ｎｍ、Ｔａ膜厚は３〜１０ｎｍ、ＮｉＦｅ合金層厚は５〜２０ｎｍが好ましい。
【００３０】
軟磁性層の材料としては、アモルファスＣｏＴａＺｒのほか、アモルファスＣｏＺｒＮｂや、ＮｉＦｅ、ＦｅＳｉＡｌ、ＦｅＴａＣなどの多結晶を用いることが可能であり、軟磁性層の膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましい。
【００３１】
図２は、上述の本発明の方法で成膜した記録層を備える図１に示した構成の垂直磁気記録媒体に３００ｋＦＣＩで信号を書き込み、この書込信号を再生した際のＳ／ＮとＣｏ層中のＢ濃度との関係を説明するための図である。この図に示されているように、Ｂ濃度の増大に伴ってＳ／Ｎは増大しＢ濃度１５ａｔ％付近で最大値を示す。Ｂ濃度は７〜２３ａｔ％の濃度範囲でＳ／Ｎが改善される。同様のＳ／Ｎ改善効果はＯ添加濃度についても認められ、Ｏの濃度１０〜３６ａｔ％の範囲でＳ／Ｎ改善効果が認められる。特に、Ｂ濃度範囲１０〜１９ａｔ％、Ｏ濃度範囲１１〜２９ａｔ％において顕著なＳ／Ｎ改善効果が認められる。
【００３２】
従って、本発明の磁気記録媒体の多層積層記録層を構成する第１および／または第２の層に添加されるＢおよび／またはＯの濃度は、ｘＢをＢの濃度（ａｔ％）、ｘＯをＯの濃度（ａｔ％）として、
７≦ｘＢ≦２３ （１）
１０≦ｘＯ≦３６ （２）
ｘＯ≦１．５ｘＢ＋１ （３）
の範囲に制御され、好ましくは、
１０≦ｘＢ≦１９ （４）
１１≦ｘＯ≦２９ （５）
ｘＯ≦１．５ｘＢ＋１ （３）
の範囲に制御される。
【００３３】
以下に、実施例により本発明についてさらに詳しく説明する。
（実施例１）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００３４】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１５ａｔ％、Ｏ濃度は２１ａｔ％である。
【００３５】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【００３６】
（実施例２）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００３７】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は７ａｔ％、Ｏ濃度は１１ａｔ％である。
【００３８】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１３ｄＢであった。
【００３９】
（実施例３）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００４０】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１０ａｔ％、Ｏ濃度は１４ａｔ％である。
【００４１】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１６ｄＢであった。
【００４２】
（実施例４）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００４３】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１９ａｔ％、Ｏ濃度は２８ａｔ％である。
【００４４】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１６ｄＢであった。
【００４５】
（実施例５）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００４６】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は２３ａｔ％、Ｏ濃度は３３ａｔ％である。
【００４７】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１３ｄＢであった。
【００４８】
（実施例６）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００４９】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は２３ａｔ％、Ｏ濃度は１１ａｔ％である。
【００５０】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１１ｄＢであった。
【００５１】
（実施例７）
スパッタ装置内で基板を１００℃で加熱した後に、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００５２】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１５ａｔ％、Ｏ濃度は１１ａｔ％である。
【００５３】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１５ｄＢであった。
【００５４】
（実施例８）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、５ｎｍのＴａ膜、１０ｎｍのＮｉＦｅＣｒ膜、２０ｎｍのＲｕ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００５５】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１５ａｔ％、Ｏ濃度は２１ａｔ％である。
【００５６】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層、Ｔａ膜、およびＮｉＦｅＣｒ膜について１０ｍｔｏｒｒ、Ｒｕ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【００５７】
（実施例９）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、（Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００５８】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜および（Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）膜は各々、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットおよびＰｔにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１５ａｔ％、Ｏ濃度は２１ａｔ％で、（Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１４ａｔ％、Ｏ濃度はａｔ２０％である。
【００５９】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【００６０】
（実施例１０）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、Ｃｏ膜と（Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ／Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成するＣｏ膜の厚みは０．４４ｎｍ、（Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００６１】
（Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＰｔにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１４ａｔ％、Ｏ濃度は２０ａｔ％である。
【００６２】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１６ｄＢであった。
【００６３】
（実施例１１）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｄ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００６４】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１５ａｔ％、Ｏ濃度は２１ａｔ％である。
【００６５】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｄ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【００６６】
（実施例１２）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｄ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．３５ｎｍ、Ｐｄ膜の厚みは０．６５ｎｍである。
【００６７】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１５ａｔ％、Ｏ濃度は２１ａｔ％である。
【００６８】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｄ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１７ｄＢであった。
【００６９】
（実施例１３）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｄ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｄ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｄ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．３５ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．６５ｎｍである。
【００７０】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１５ａｔ％、Ｏ濃度は２１ａｔ％である。
【００７１】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｄ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｄ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１７ｄＢであった。
【００７２】
以上の実施例１〜１３の結果を纏めたものが表１である。
【００７３】
【表１】
【００７４】
何れの磁気記録媒体のＳ／Ｎも１１〜１８ｄＢと高く、媒体ノイズの低減化が実現されている。
【００７５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、多層積層記録層をスパッタ成膜する際のターゲット中に予めＢの酸化物Ｂ２Ｏ３−ｘ（０≦ｘ＜３）を添加しておきＡｒをスパッタガスとして成膜することとし、記録層中の結晶粒界に偏析する添加元素量を大きくして結晶粒子間の間隔を広げて結晶粒子間の磁気的相互作用のエネルギを減少させることとしたので、媒体ノイズの低減化を図りつつ面記録密度の増大化を可能とする磁気記録媒体およびその製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の構成例を説明するための図である。
【図２】本発明の方法で成膜した記録層を備える磁気記録媒体のＳ／ＮとＣｏ層中のＢ濃度の関係を説明するための図である。
【符号の説明】
１１ ガラス基板
１２ ＣｏＴａＺｒ軟磁性層
１３ Ｐｔ下地層
１４ 多層積層記録層
１４ａ （Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜
１４ｂ Ｐｔ膜
１５ カーボン保護層
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体およびその製造方法に関し、より詳細には、媒体ノイズの低減化を図りつつ面記録密度の増大化を可能とする磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
固定磁気ディスクの面記録密度は年々増大し続けており、現在では約５０Ｇｂ／ｉｎ２の面記録密度のものが製品化されている。一方、このような固定磁気ディスクの高記録密度化に伴って、記録ビットの熱的不安定性が顕在化しはじめてきており、高い面記録密度と媒体ノイズの低減化および記録ビットの熱安定性を実現可能な垂直磁気記録媒体が求められている。
【０００３】
垂直磁気記録媒体の構造は「単層媒体」と「２層媒体」とに大別され、このうち「単層媒体」は、ＮｉＰメッキを施したＡｌ基板やガラス基板上にＴｉ膜やＴｉＣｒ膜などの下地層を設け、この下地層の上にＴａ、Ｐｔ、Ｂなどの元素が添加されたＣｏＣｒ系合金の記録層を積層し、この記録層上にカーボン保護膜を設けて構成される。また、「２層媒体」は、上述の基板と下地層との間にさらに軟磁性層を設けて構成される。
【０００４】
これら各層の成膜は一般的にはスパッタリングで実行され、各層の膜厚は概ね、軟磁性層３００〜５００ｎｍ、下地層１０〜５０ｎｍ、記録層３０〜１００ｎｍに設定されるのが通常である。また、一般に、下地層と記録層は多結晶薄膜とされ、軟磁性層にはＮｉＦｅ、ＦｅＳｉＡｌ、ＦｅＴａＣなどの多結晶とＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどのアモルファスの両方が用いられる。
【０００５】
ＣｏＣｒ系合金を記録層とする磁気記録媒体では、ＣｏＣｒ系合金薄膜の磁気異方性エネルギ（Ｋｕ）が比較的小さいために、へッドにより書き込まれた記録ビットの十分な熱安定性を得ることが困難である。このため、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互にｎ層ずつ積層させた（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ多層積層膜やＣｏ層とＰｄ層とを交互にｎ層ずつ積層させた（Ｃｏ／Ｐｄ）ｎ多層積層膜を記録層として用いた垂直磁気記録媒体の開発が行なわれており、Ｃｏ層の厚みを０．１〜０．３ｎｍ、Ｐｔ層（またはＰｄ層）の厚みを０．６〜１．０ｎｍ程度と設定した磁気記録媒体で高い保磁力（Ｈｃ）と高い角型比（Ｓ）とが得られている。
【０００６】
多層積層膜を記録層として用いたこのような垂直磁気記録媒体は記録ビットの熱安定性に優れる反面、媒体ノイズが比較的大きいという問題があるため、記録層を成膜するに際してボロン（Ｂ）のチップをスパッタ・ターゲットの表面に配置し、この状態でＡｒとＯ２の混合ガス中でスパッタリング成膜し、ボロン（Ｂ）と酸素（Ｏ）とを記録層の結晶粒界に偏析させることにより媒体ノイズを低減させる方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−２５０３２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１に記載されている媒体ノイズの低減方法では、磁気記録媒体のＳ／Ｎ改善に効果のあるＢ添加量は１．０ａｔ％まで、Ｏ添加量も０．１ａｔ％までであり、これ以上のＢやＯの添加をおこなってもＳ／Ｎ値は飽和したままであり改善効果は認められない。
【０００９】
従って、磁気記録媒体の面記録密度の向上を図るためには、面記録密度の増大化と媒体ノイズの更なる低減化とを両立させることが必要となる。
【００１０】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、媒体ノイズの低減化を図りつつ面記録密度の増大化を可能とする磁気記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、基板上に、軟磁性層と下地層と磁気記録層とカーボン保護膜とが順次積層されて構成されている磁気記録媒体であって、前記磁気記録層は、第１の層と第２の層とを交互に多数積層させた多数積層膜であり、前記第１の層と前記第２の層の少なくとも一方の層には、ボロン（Ｂ）と酸素（Ｏ）とが、ｘＢをＢ濃度（ａｔ％）、ｘＯをＯ濃度（ａｔ％）として、７≦ｘＢ≦２３、１０≦ｘＯ≦３６、ｘＯ≦１．５ｘＢ＋１、を満たす濃度で添加されていることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の磁気記録媒体において、前記Ｂ濃度およびＯ濃度が、１０≦ｘＢ≦１９、１１≦ｘＯ≦２９、ｘＯ≦１．５ｘＢ＋１、を満足していることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の磁気記録媒体において、前記第１の層の母材料はＣｏ、前記第２の層の母材料はＰｔであり、前記下地層はＰｔ膜、Ｐｄ膜またはＲｕ膜の何れかであることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１または２に記載の磁気記録媒体において、前記第１の層の母材料はＣｏ、前記第２の層の母材料はＰｄであり、前記下地層はＰｔ膜、Ｐｄ膜またはＲｕ膜に何れかであることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項５に記載の発明は、請求項３または４に記載の磁気記録媒体において、前記下地層はＲｕ膜であり、前記軟磁性層上に、Ｔａ層とＮｉＦｅ合金層と前記Ｒｕ膜の下地層とが順次積層されていることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の磁気記録媒体において、前記ＮｉＦｅ合金層はＮｉＦｅＣｒ層であることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６の何れかに記載の磁気記録媒体において、前記軟磁性層は、アモルファスのＣｏＺｒＮｂ膜またはＣｏＴａＺｒ膜、多結晶のＮｉＦｅ膜またはＦｅＳｉＡｌ膜若しくはＦｅＴａＣ膜、の何れかであることを特徴とする。
【００１８】
さらに、請求項８に記載の発明は、請求項１乃至７に記載の磁気記録媒体において、前記基板はガラス基板であることを特徴とする。
【００１９】
請求項９に記載の発明は、請求項１乃至８に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、スパッタターゲットにボロン酸化物（Ｂ２Ｏ３−ｘ：０≦ｘ＜３）を予め添加した混合ターゲットを用いて前記磁気記録層をスパッタ成膜するステップを備えていることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至８に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、スパッタターゲット上にボロン酸化物（Ｂ２Ｏ３−ｘ：０≦ｘ＜３）のチップを載置して前記磁気記録層をスパッタ成膜するステップを備えていることを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【００２２】
本発明者は、記録層をスパッタ成膜する際のターゲット中に予めＢの酸化物Ｂ２Ｏ３−ｘ（０≦ｘ＜３）を添加しておきＡｒをスパッタガスとして成膜することで、媒体ノイズの低い記録層が得られることを見出した。これは、このような方法で成膜された記録層中のＢとＯの濃度が従来の方法で成膜された記録層の添加濃度に比較して高いために記録層の結晶粒界に偏析する添加元素量が多くなって結晶粒子間の間隔を広げることが可能となり、結晶粒子間の磁気的相互作用のエネルギが減少することによるものと解釈される。
【００２３】
これに対して従来の金属ボロンをＡｒとＯ２の混合ガス中でスパッタして成膜する方法では、記録層中のＢとＯの濃度を高くしていくとＣｏあるいはＰｔ結晶粒内に固溶するＢとＯが多くなることが判明した。このため、膜全体でのＢとＯの濃度を高くしても結晶粒界に偏析するこれらの添加元素量はほとんど増加せず、結晶粒子間の間隔も広がることがない。このために媒体ノイズの低減効果が上述した一定の添加量で飽和してＳ／Ｎ値も飽和してしまうこととなるものと考えられる。さらに、このような膜中のＯとＢの比（Ｏ／Ｂ）が１．５を超えると、Ｏは結晶粒界に局在するだけでなく結晶粒内に固溶し始め、結晶粒内に固溶したＯは、記録層である（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ膜の保磁力を低下させてＳ／Ｎを低下させてしまう。このような理由により、添加されるＢとＯの濃度はｘＯ≦１．５ｘＢ＋１の関係を満足することが必要とされる。
【００２４】
一方、本発明の方法で成膜した記録層の場合には、ＢやＯの添加濃度を高くするとこれらの元素の結晶粒界への偏析が進行し、結晶粒内に固溶するＢやＯの濃度はほとんど増加しない。従って、本発明の方法では、Ｂ添加濃度が１．０ａｔ％以上、Ｏ添加濃度が０．１ａｔ％以上の場合でも、Ｓ／Ｎ改善効果が認められることとなる。
【００２５】
本発明の方法により記録層を成膜する際のスパッタ方法は、ＤＣマグネトロンスパッタ法あるいはＡＣマグネトロンスパッタ法のどちらでも良い。ただし、ＢとＯの添加源であるＢ２Ｏ３−ｘのターゲット中での濃度を高くしたい場合には、Ｂ２Ｏ３−ｘの電気抵抗値が高いためにターゲットに電荷が蓄積されて異常放電を起こし易くなるため、ＡＣマグネトロンスパッタ法が好ましい。また、成膜時の基板加熱は必須ではないが、２５０℃程度までの基板加熱であれば必要に応じて実行することも可能である。
【００２６】
なお、上述の方法と同様に、Ｂ酸化物Ｂ２Ｏ３−ｘ（０≦ｘ＜３）のチップをターゲット上に配置してＡｒガス中でスパッタ成膜しても媒体ノイズの低い記録層が得られる。
【００２７】
図１は、本発明の磁気記録媒体の構成例を説明するための図で、基板としてガラス基板１１を用い、このガラス基板１１の上に、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層１２と、Ｐｔ下地層１３と、多層積層記録層１４と、カーボン（Ｃ）保護層１５とが順次積層されており、この図に示した構成例では、多層積層記録層１４は、第１の層である（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜１４ａと第２の層であるＰｔ膜１４ｂとが所望の層数だけ交互に積層されて構成されている。
【００２８】
なお、この図に示した多層積層記録層１４の構成では第１および第２の層の母組成を各々ＣｏおよびＰｔとしたが、第２の層はＰｔに替えてＰｄを母組成として（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３−ｘ／Ｐｄ‐Ｂ２Ｏ３−ｘ）ｎ多層積層膜としたり、第２の層にのみＢ２Ｏ３−ｘを加えた（Ｃｏ／Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３−ｘ）ｎ多層積層膜としてもＳ／Ｎの大幅な改善が可能である。このような記録層中のＢ濃度とＯ濃度は、Ｂについて７〜２３ａｔ％、Ｏについて１０〜３６ａｔ％でＳ／Ｎが大きい値を示す。また、第１の層の膜厚は０．１〜１．０ｎｍ、第２の層の膜厚は０．１〜１．０ｎｍが好ましく、多層積層回数ｎは１０〜３０であることが好ましい。
【００２９】
下地膜はＰｔの代わりにＰｄ膜を用いることも可能であり、これらの下地層の膜厚は３〜２０ｎｍとすることが好ましい。さらに、Ｒｕ膜を下地層として用いることも可能であり、Ｒｕ膜の結晶配向性を向上させるためにＲｕ下地層と軟磁性層との間にＴａ層とＮｉＦｅ合金層（例えばＮｉＦｅＣｒ）をこの順番で設けることもできる。なお、この場合のＲｕ膜厚は３〜２０ｎｍ、Ｔａ膜厚は３〜１０ｎｍ、ＮｉＦｅ合金層厚は５〜２０ｎｍが好ましい。
【００３０】
軟磁性層の材料としては、アモルファスＣｏＴａＺｒのほか、アモルファスＣｏＺｒＮｂや、ＮｉＦｅ、ＦｅＳｉＡｌ、ＦｅＴａＣなどの多結晶を用いることが可能であり、軟磁性層の膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましい。
【００３１】
図２は、上述の本発明の方法で成膜した記録層を備える図１に示した構成の垂直磁気記録媒体に３００ｋＦＣＩで信号を書き込み、この書込信号を再生した際のＳ／ＮとＣｏ層中のＢ濃度との関係を説明するための図である。この図に示されているように、Ｂ濃度の増大に伴ってＳ／Ｎは増大しＢ濃度１５ａｔ％付近で最大値を示す。Ｂ濃度は７〜２３ａｔ％の濃度範囲でＳ／Ｎが改善される。同様のＳ／Ｎ改善効果はＯ添加濃度についても認められ、Ｏの濃度１０〜３６ａｔ％の範囲でＳ／Ｎ改善効果が認められる。特に、Ｂ濃度範囲１０〜１９ａｔ％、Ｏ濃度範囲１１〜２９ａｔ％において顕著なＳ／Ｎ改善効果が認められる。
【００３２】
従って、本発明の磁気記録媒体の多層積層記録層を構成する第１および／または第２の層に添加されるＢおよび／またはＯの濃度は、ｘＢをＢの濃度（ａｔ％）、ｘＯをＯの濃度（ａｔ％）として、
７≦ｘＢ≦２３ （１）
１０≦ｘＯ≦３６ （２）
ｘＯ≦１．５ｘＢ＋１ （３）
の範囲に制御され、好ましくは、
１０≦ｘＢ≦１９ （４）
１１≦ｘＯ≦２９ （５）
ｘＯ≦１．５ｘＢ＋１ （３）
の範囲に制御される。
【００３３】
以下に、実施例により本発明についてさらに詳しく説明する。
（実施例１）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００３４】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１５ａｔ％、Ｏ濃度は２１ａｔ％である。
【００３５】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【００３６】
（実施例２）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００３７】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は７ａｔ％、Ｏ濃度は１１ａｔ％である。
【００３８】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１３ｄＢであった。
【００３９】
（実施例３）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００４０】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１０ａｔ％、Ｏ濃度は１４ａｔ％である。
【００４１】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１６ｄＢであった。
【００４２】
（実施例４）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００４３】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１９ａｔ％、Ｏ濃度は２８ａｔ％である。
【００４４】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１６ｄＢであった。
【００４５】
（実施例５）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００４６】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は２３ａｔ％、Ｏ濃度は３３ａｔ％である。
【００４７】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１３ｄＢであった。
【００４８】
（実施例６）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００４９】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は２３ａｔ％、Ｏ濃度は１１ａｔ％である。
【００５０】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１１ｄＢであった。
【００５１】
（実施例７）
スパッタ装置内で基板を１００℃で加熱した後に、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００５２】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１５ａｔ％、Ｏ濃度は１１ａｔ％である。
【００５３】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１５ｄＢであった。
【００５４】
（実施例８）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、５ｎｍのＴａ膜、１０ｎｍのＮｉＦｅＣｒ膜、２０ｎｍのＲｕ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００５５】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１５ａｔ％、Ｏ濃度は２１ａｔ％である。
【００５６】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層、Ｔａ膜、およびＮｉＦｅＣｒ膜について１０ｍｔｏｒｒ、Ｒｕ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【００５７】
（実施例９）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、（Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００５８】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜および（Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）膜は各々、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットおよびＰｔにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１５ａｔ％、Ｏ濃度は２１ａｔ％で、（Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１４ａｔ％、Ｏ濃度はａｔ２０％である。
【００５９】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【００６０】
（実施例１０）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、Ｃｏ膜と（Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ／Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成するＣｏ膜の厚みは０．４４ｎｍ、（Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００６１】
（Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＰｔにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１４ａｔ％、Ｏ濃度は２０ａｔ％である。
【００６２】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｔ‐Ｂ２Ｏ３）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１６ｄＢであった。
【００６３】
（実施例１１）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｄ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００６４】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１５ａｔ％、Ｏ濃度は２１ａｔ％である。
【００６５】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｄ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【００６６】
（実施例１２）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｄ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．３５ｎｍ、Ｐｄ膜の厚みは０．６５ｎｍである。
【００６７】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１５ａｔ％、Ｏ濃度は２１ａｔ％である。
【００６８】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｄ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１７ｄＢであった。
【００６９】
（実施例１３）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｄ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜とＰｄ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｄ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．３５ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．６５ｎｍである。
【００７０】
（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）層中のＢ濃度は１５ａｔ％、Ｏ濃度は２１ａｔ％である。
【００７１】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｄ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３／Ｐｄ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１７ｄＢであった。
【００７２】
以上の実施例１〜１３の結果を纏めたものが表１である。
【００７３】
【表１】
何れの磁気記録媒体のＳ／Ｎも１１〜１８ｄＢと高く、媒体ノイズの低減化が実現されている。
【００７５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、多層積層記録層をスパッタ成膜する際のターゲット中に予めＢの酸化物Ｂ２Ｏ３−ｘ（０≦ｘ＜３）を添加しておきＡｒをスパッタガスとして成膜することとし、記録層中の結晶粒界に偏析する添加元素量を大きくして結晶粒子間の間隔を広げて結晶粒子間の磁気的相互作用のエネルギを減少させることとしたので、媒体ノイズの低減化を図りつつ面記録密度の増大化を可能とする磁気記録媒体およびその製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の構成例を説明するための図である。
【図２】本発明の方法で成膜した記録層を備える磁気記録媒体のＳ／ＮとＣｏ層中のＢ濃度の関係を説明するための図である。
【符号の説明】
１１ ガラス基板
１２ ＣｏＴａＺｒ軟磁性層
１３ Ｐｔ下地層
１４ 多層積層記録層
１４ａ （Ｃｏ‐Ｂ２Ｏ３）膜
１４ｂ Ｐｔ膜
１５ カーボン保護層
Claims (10)
- 基板上に、軟磁性層と下地層と磁気記録層とカーボン保護膜とが順次積層されて構成されている磁気記録媒体であって、
前記磁気記録層は、第１の層と第２の層とを交互に多数積層させた多数積層膜であり、
前記第１の層と前記第２の層の少なくとも一方の層には、ボロン（Ｂ）と酸素（Ｏ）とが次式を満たす濃度で添加されていることを特徴とする磁気記録媒体。
ｘＢをＢ濃度（ａｔ％）、ｘＯをＯ濃度（ａｔ％）として、
７≦ｘＢ≦２３
１０≦ｘＯ≦３６
ｘＯ≦１．５ｘＢ＋１ - 前記Ｂ濃度およびＯ濃度が次式を満足していることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
１０≦ｘＢ≦１９
１１≦ｘＯ≦２９
ｘＯ≦１．５ｘＢ＋１ - 前記第１の層の母材料はＣｏ、前記第２の層の母材料はＰｔであり、
前記下地層はＰｔ膜、Ｐｄ膜またはＲｕ膜の何れかであることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。 - 前記第１の層の母材料はＣｏ、前記第２の層の母材料はＰｄであり、
前記下地層はＰｔ膜、Ｐｄ膜またはＲｕ膜に何れかであることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。 - 前記下地層はＲｕ膜であり、
前記軟磁性層上に、Ｔａ層とＮｉＦｅ合金層と前記Ｒｕ膜の下地層とが順次積層されていることを特徴とする請求項３または４に記載の磁気記録媒体。 - 前記ＮｉＦｅ合金層はＮｉＦｅＣｒ層であることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
- 前記軟磁性層は、
アモルファスのＣｏＺｒＮｂ膜またはＣｏＴａＺｒ膜、多結晶のＮｉＦｅ膜またはＦｅＳｉＡｌ膜若しくはＦｅＴａＣ膜、の何れかであることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の磁気記録媒体。 - 前記基板はガラス基板であることを特徴とする請求項１乃至７に記載の磁気記録媒体。
- 請求項１乃至８に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、
スパッタターゲットにボロン酸化物（Ｂ２Ｏ３−ｘ：０≦ｘ＜３）を予め添加した混合ターゲットを用いて前記磁気記録層をスパッタ成膜するステップを備えていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 請求項１乃至８に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、
スパッタターゲット上にボロン酸化物（Ｂ２Ｏ３−ｘ：０≦ｘ＜３）のチップを載置して前記磁気記録層をスパッタ成膜するステップを備えていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
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| JP2002375403A JP2004206804A (ja) | 2002-12-25 | 2002-12-25 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015155573A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-08-27 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁性記録媒体用スパッタリングターゲット |
| WO2021241319A1 (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 | ソニーグループ株式会社 | 磁気記録媒体 |
-
2002
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| WO2021241319A1 (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 | ソニーグループ株式会社 | 磁気記録媒体 |
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