JP2004200794A - 光検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】A/D変換回路を含み高速動作が可能な光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出装置1では、(K×M×N)個のフォトダイオードPDk,m,nが光検出部10においてM行(K×N)列に配列されていて、各行の(K×N)個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K、n=1〜N)それぞれについて、時間T毎に処理(電荷蓄積、CDS、フィルタリング、A/D変換)がなされる。積分回路20m,nにおける電荷蓄積動作、CDS回路30m,nにおけるCDS動作、フィルタ回路40m,nにおけるフィルタリング動作、および、A/D変換回路50m,nにおけるA/D変換動作それぞれは、時間(N×T)毎に処理がなされる。
【選択図】 図1
【解決手段】光検出装置1では、(K×M×N)個のフォトダイオードPDk,m,nが光検出部10においてM行(K×N)列に配列されていて、各行の(K×N)個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K、n=1〜N)それぞれについて、時間T毎に処理(電荷蓄積、CDS、フィルタリング、A/D変換)がなされる。積分回路20m,nにおける電荷蓄積動作、CDS回路30m,nにおけるCDS動作、フィルタ回路40m,nにおけるフィルタリング動作、および、A/D変換回路50m,nにおけるA/D変換動作それぞれは、時間(N×T)毎に処理がなされる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配列された複数のフォトダイオードを含む光検出装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光検出装置は、2次元状または1次元状に配列された複数のフォトダイオードと、アンプおよび積分容量素子を含む積分回路とを備えた装置であり、また、さらにA/D変換回路などをも備える場合がある(例えば特許文献1を参照)。この光検出装置では、各フォトダイオードへの入射光の強度に応じた量の電荷が該フォトダイオードから出力され、その電荷が積分容量素子に蓄積され、その蓄積された電荷の量に応じた電圧値が積分回路から出力される。そして、積分回路から出力された電圧値はA/D変換回路によりデジタル値に変換される。複数のフォトダイオードそれぞれで発生した電荷の量に応じてA/D変換回路から出力されるデジタル値に基づいて、複数のフォトダイオードが配列された光検出面へ入射する光が検出される。
【0003】
【特許文献1】
特開平9−270960号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような光検出装置において高速に光検出する際には、A/D変換回路の処理速度を高速にすることが必要であるが、A/D変換回路を高速動作させてA/D変換誤差を低減しようとすると、A/D変換回路の消費電力が大きくなる。多数のA/D変換回路を集積化する場合には、A/D変換回路の消費電力が大きいほど、発熱の問題が生じる。したがって、A/D変換回路を高速動作させるにも限界がある。
【0005】
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、A/D変換回路を含み高速動作が可能な光検出装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光検出装置は、(1) 入射光強度に応じた量の電荷を各々発生する(K×M×N)個のフォトダイオードPDk,m,nと(ただし、Kは2以上の整数、kは1以上K以下の各整数、Mは1以上の整数、mは1以上M以下の各整数、Nは2以上の整数、nは1以上N以下の各整数)、(2) (K×M×N)個のフォトダイオードPDk,m,nのうちK個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K)に対応して1つずつ設けられ、これらK個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K)それぞれで発生した電荷を順次に入力して蓄積し、この蓄積した電荷の量に応じた電圧値を出力する(M×N)個の積分回路と、(3) (M×N)個の積分回路それぞれに対応して1つずつ設けられ、各々対応する積分回路から出力された電圧値に応じたデジタル値を出力するA/D変換回路と、を備えることを特徴とする。
【0007】
本発明に係る光検出装置では、各m値および各n値について、K個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K)それぞれにおいて光入射に応じて発生した電荷は、順次に、1個の積分回路に入力して蓄積され、この蓄積された電荷の量に応じた電圧値が積分回路から出力される。そして、積分回路から出力された電圧値に応じたデジタル値がA/D変換回路から出力される。したがって、この光検出装置は高速動作が可能である。
【0008】
本発明に係る光検出装置は、積分回路とA/D変換回路との間に設けられ、積分回路から出力された電圧値を入力し、この電圧値の一定時間の変化分を表す電圧値を出力するCDS回路を更に備えるのが好適である。この場合には、積分回路から出力された電圧値はCDS回路に入力して、この電圧値の一定時間の変化分を表す電圧値がCDS回路から出力されるので、積分回路のアンプのオフセットばらつきがCDS回路により除去され得る。
【0009】
本発明に係る光検出装置は、(K×M×N)個のフォトダイオードPDk,m,nがM行(K×N)列に2次元状(M=2のとき)または1次元状(M=1のとき)に配列されており、フォトダイオードPDk,m,nが第m行第(n+(k−1)N)列の位置に配置されているのが好適である。この場合には、フォトダイオードについての処理(電荷蓄積およびA/D変換の他、必要に応じてCDS)は、各行について列の並び順になされ得る。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【0011】
図1は、本実施形態に係る光検出装置1の全体構成図である。図2は、本実施形態に係る光検出装置1の一部構成図である。図1で示された光検出部10の詳細が図2に示されている。
【0012】
これらの図に示される光検出装置1は、光検出部10、(M×N)個の積分回路201,1〜20M,N、(M×N)個のCDS回路301,1〜30M,N、(M×N)個のフィルタ回路401,1〜40M,N、(M×N)個のA/D変換回路501,1〜50M,N、および制御回路60を備える。また、光検出部10は、(K×M×N)個のフォトダイオードPD1,1,1〜PDK,M,N、および、(K×M×N)個のスイッチSW1,1,1〜SWK,M,Nを有する。ここで、Kは2以上の整数であり、Mは1以上の整数であり、Nは2以上の整数である。また、以下に現れるk,m,nについては、kは1以上K以下の各整数であり、mは1以上M以下の各整数であり、nは1以上N以下の各整数である。なお、図1および図2では、Kを2とし、MおよびNを4としている。
【0013】
フォトダイオードPDk,m,nは、入射光強度に応じた量の電荷を発生して接合容量部に蓄積するものである。これら(K×M×N)個のフォトダイオードPDk,m,nは、光検出部10において、M行(K×N)列に2次元状(M=2のとき)または1次元状(M=1のとき)に等間隔に配列されている。フォトダイオードPDk,m,nは第m行第(n+(k−1)N)列の位置に配置されている。スイッチSWk,m,nは、フォトダイオードPDk,m,nに対して1対1に対応して、該フォトダイオードPDk,m,nと信号線SLm,nとの間に設けられている。K個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K)それぞれは、対応するスイッチSWk,m,nを介して、信号線SLm,nと接続されている。この信号線SLm,nは、積分回路20m,nの入力端に接続されている。また、M個のスイッチSWk,m,n(m=1〜M)は、制御回路60から制御線CLk,nに出力された制御信号により一括して開閉が制御される。
【0014】
積分回路20m,nは、K個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K)に対応して1つずつ設けられており、これらK個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K)それぞれで発生した電荷がスイッチSWk,m,nおよび信号線SLm,nを経て順次に到達した電荷を入力して蓄積し、この蓄積した電荷の量に応じた電圧値を出力する。CDS(Correlated Double Sampling、相関二重サンプリング)回路30m,nは、積分回路20m,nから出力された電圧値を入力し、この電圧値の一定時間の変化分を表す電圧値を出力する。
【0015】
フィルタ回路40m,nは、CDS回路30m,nから出力された電圧値を入力して、この電圧値に含まれる熱雑音成分を低減して、その熱雑音成分低減後の電圧値を出力する。このフィルタ回路40m,nは、熱雑音成分を低減し得るフィルタ特性を有するローパスフィルタであるのが好適である。A/D変換回路50m,nは、フィルタ回路40m,nから出力された電圧値を入力し、この電圧値をA/D変換して、この電圧値(アナログ値)に応じたデジタル値を出力する。
【0016】
制御回路60は、(K×M×N)個のスイッチSW1,1,1〜SWK,M,Nそれぞれの開閉を制御する為の制御信号を制御線CLk,nに出力する。また、制御回路60は、積分回路20m,n、CDS回路30m,nおよびA/D変換回路50m,nそれぞれの動作をも制御する。
【0017】
図3は、本実施形態に係る光検出装置1の回路図である。この図では、簡略化の為に、フォトダイオードPDk,m,n、スイッチSWk,m,n、積分回路20m,n、CDS回路30m,n、フィルタ回路40m,nおよびA/D変換回路50m,nが1組のみ示されている。
【0018】
積分回路20m,nは、アンプA20、積分容量素子C20およびスイッチSW20を有している。アンプA20の入力端子は信号線SLm,nに接続されている。アンプA20の入出力端子間に積分容量素子C20およびスイッチSW20が並列的に設けられている。スイッチSW20は制御部60により制御されて開閉する。スイッチSW20が閉じているとき、積分容量素子C20は放電されて、積分回路20m,nから出力される電圧値は初期化される。一方、スイッチSW20が開いているとき、信号線SLm,nを経て到達した電荷が積分容量素子C20に蓄積され、この積分容量素子C20に蓄積されている電荷の量に応じた電圧値が積分回路20m,nから出力される。
【0019】
CDS回路30m,nは、アンプA30、積分容量素子C31、結合容量素子C32およびスイッチSW30を有している。アンプA30の入力端子は、結合容量素子C32を介して、積分回路20m,nのアンプA20の出力端子に接続されている。アンプA30の入出力端子間に積分容量素子C31およびスイッチSW30が並列的に設けられている。スイッチSW30は制御部60により制御されて開閉する。スイッチSW30が閉じているとき、積分容量素子C31は放電されて、CDS回路30m,nから出力される電圧値は初期化される。一方、スイッチSW30が開いた時刻t0より以降、積分回路20m,nから出力された電圧値の変動分に応じた電荷が積分容量素子C31に蓄積され、この積分容量素子C31に蓄積されている電荷の量に応じた電圧値がCDS回路30m,nから出力される。
【0020】
フィルタ回路40m,nは、抵抗素子R40および容量素子C40を有している。抵抗素子R40は、フィルタ回路40m,nの入力端と出力端との間に設けられており、その出力端は、容量素子C40を介して接地電位と接続されている。このフィルタ回路40m,nはローパスフィルタとして作用し、そのフィルタ特性におけるカットオフ周波数は、抵抗素子R40の抵抗値および容量素子C40の容量値に応じたものである。
【0021】
図3に示された回路図において、各素子の特性値の一例は以下のとおりである。フォトダイオードPDm,nの接合容量値Cdと信号線SLm,nの寄生容量値との和は220pFであり、信号線SLm,nの抵抗値は1kΩである。積分回路20m,nの積分容量素子C20の容量値Cfは1.25pFであり、積分回路20m,nのアンプA20の周波数帯域Bは1MHzであり、アンプA20の入力トランジスタ・コンダクタンスGmは10mSである。また、温度Tは27℃である。このとき、積分回路20m,nのアンプA20で生じる熱雑音Vnは1210μVrmsである。そして、フィルタ回路40m,nの容量素子C40の容量値を100pFとし、フィルタ回路40m,nの抵抗素子R40の抵抗値を20kΩとすると、フィルタ回路40m,nのフィルタ特性におけるカットオフ周波数は0.08MHzであり、フィルタ回路40m,nから出力される電圧値に含まれる熱雑音成分は724μVrmsまで低減される。
【0022】
次に、本実施形態に係る光検出装置1の動作について説明する。本実施形態に係る光検出装置1は、制御部60による制御の下に、以下のように動作する。図4は、本実施形態に係る光検出装置1の動作を説明するタイミングチャートである。この光検出装置1は、第1行〜第M行が並列動作する。
【0023】
この図には、上から順に、スイッチSW1,m,1の開閉、スイッチSW1,m,2の開閉、スイッチSW1,m,3の開閉、スイッチSW1,m,4の開閉、スイッチSW2,m,1の開閉、スイッチSW2,m,2の開閉、スイッチSW2,m,3の開閉、および、スイッチSW2,m,4の開閉、が示されている。さらに続いて、積分回路20m,1の出力電圧値、積分回路20m,2の出力電圧値、積分回路20m,3の出力電圧値、積分回路20m,4の出力電圧値、フィルタ回路40m,1の出力電圧値、フィルタ回路40m,2の出力電圧値、フィルタ回路40m,3の出力電圧値、フィルタ回路40m,4の出力電圧値、A/D変換回路50m,1の出力デジタル値、A/D変換回路50m,2の出力デジタル値、A/D変換回路50m,3の出力デジタル値、および、A/D変換回路50m,4の出力デジタル値、が示されている。
【0024】
また、この図に示されるように、光検出装置1の動作は、循環する8つの期間T1,1、T1,2、T1,3、T1,4、T2,1、T2,2、T2,3およびT2,4に区分される。これらの各期間Tk,nの時間Tは一定である。スイッチSW1,m,1は期間T1,1内に閉じ、スイッチSW1,m,2は期間T1,2内に閉じ、スイッチSW1,m,3は期間T1,3内に閉じ、スイッチSW1,m,4は期間T1,4内に閉じ、スイッチSW2,m,1は期間T2,1内に閉じ、スイッチSW2,m,2は期間T2,2内に閉じ、スイッチSW2,m,3は期間T2,3内に閉じ、スイッチSW2,m,4は期間T2,4内に閉じ、以降、このようなスイッチの開閉が繰り返される。
【0025】
スイッチSW1,m,1は期間T1,1内に閉じる。また、この期間T1,1前に、積分回路20m,1のスイッチSW20は一旦閉じた後に開き、積分回路20m,1の出力電圧値は初期化されている。スイッチSW1,m,1が閉じると、それまでフォトダイオードPD1,m,1で発生して接合容量部に蓄積されていた電荷は、スイッチSW1,m,1および信号線SLm,1を経て積分回路20m,1に入力し、この積分回路20m,1の積分容量素子C20に蓄積され、その蓄積された電荷の量に応じた電圧値が積分回路20m,1から出力される。積分回路20m,1の出力電圧値は期間T1,1後も期間T1,3まで保持され、期間T1,4になって、積分回路20m,1のスイッチSW20が閉じると、積分回路20m,1の出力電圧値が初期化される。
【0026】
積分回路20m,1の出力電圧値はCDS回路30m,1に入力する。このCDS回路30m,1からは、期間T1,1から期間T1,2までのうちの一定時間における積分回路20m,1の出力電圧値の変化分に応じた電圧値が出力される。CDS回路30m,1の出力電圧値は、フィルタ回路40m,1に入力して熱雑音成分が低減される。しかし、フィルタ回路40m,1のフィルタ特性に因り、フィルタ回路40m,1の出力電圧波形は、CDS回路30m,1の出力電圧波形と比べて鈍ったものとなる。
【0027】
フィルタ回路40m,1の出力電圧値は、その値が安定した時点でA/D変換回路50m,1によりA/D変換されて、期間T1,3にA/D変換回路50m,1からデジタル値が出力される。ここで、期間T1,3にA/D変換回路50m,1から出力されるデジタル値は、期間T1,1にフォトダイオードPD1,m,1の接合容量部から積分回路20m,1の積分容量素子C20に移動した電荷の量に応じたもの、すなわち、フォトダイオードPD1,m,1への光入射の強度に応じたものである。
【0028】
また、スイッチSW2,m,1は期間T2,1内に閉じる。また、この期間T2,1前に、積分回路20m,1のスイッチSW20は一旦閉じた後に開き、積分回路20m,1の出力電圧値は初期化されている。スイッチSW2,m,1が閉じると、それまでフォトダイオードPD2,m,1で発生して接合容量部に蓄積されていた電荷は、スイッチSW2,m,1および信号線SLm,1を経て積分回路20m,1に入力し、この積分回路20m,1の積分容量素子C20に蓄積され、その蓄積された電荷の量に応じた電圧値が積分回路20m,1から出力される。積分回路20m,1の出力電圧値は期間T2,1後も期間T2,3まで保持され、期間T2,4になって、積分回路20m,1のスイッチSW20が閉じると、積分回路20m,1の出力電圧値が初期化される。
【0029】
積分回路20m,1の出力電圧値はCDS回路30m,1に入力する。このCDS回路30m,1からは、期間T2,1から期間T2,2までのうちの一定時間における積分回路20m,1の出力電圧値の変化分に応じた電圧値が出力される。CDS回路30m,1の出力電圧値は、フィルタ回路40m,1に入力して熱雑音成分が低減される。しかし、フィルタ回路40m,1のフィルタ特性に因り、フィルタ回路40m,1の出力電圧波形は、CDS回路30m,1の出力電圧波形と比べて鈍ったものとなる。
【0030】
フィルタ回路40m,1の出力電圧値は、その値が安定した時点でA/D変換回路50m,1によりA/D変換されて、期間T2,3にA/D変換回路50m,1からデジタル値が出力される。ここで、期間T2,3にA/D変換回路50m,1から出力されるデジタル値は、期間T2,1にフォトダイオードPD2,m,1の接合容量部から積分回路20m,1の積分容量素子C20に移動した電荷の量に応じたもの、すなわち、フォトダイオードPD2,m,1への光入射の強度に応じたものである。
【0031】
以上では、スイッチSW1,m,1、スイッチSW2,m,1、積分回路20m,1、CDS回路30m,1、フィルタ回路40m,1およびA/D変換回路50m,1について、すなわち、nが1の場合について、動作を説明した。nが2〜4の場合も、動作タイミングがシフトするものの同様である。
【0032】
したがって、フォトダイオードPD1,m,1への光入射の強度に応じたデジタル値が期間T1,3に出力され、フォトダイオードPD1,m,2への光入射の強度に応じたデジタル値が期間T1,4に出力され、フォトダイオードPD1,m,3への光入射の強度に応じたデジタル値が期間T2,1に出力され、フォトダイオードPD1,m,4への光入射の強度に応じたデジタル値が期間T2,2に出力され、フォトダイオードPD2,m,1への光入射の強度に応じたデジタル値が期間T2,3に出力され、フォトダイオードPD2,m,2への光入射の強度に応じたデジタル値が期間T2,4に出力され、フォトダイオードPD2,m,3への光入射の強度に応じたデジタル値がその後の期間T1,1に出力され、フォトダイオードPD2,m,4への光入射の強度に応じたデジタル値が期間T1,2に出力される。
【0033】
以上のように、本実施形態に係る光検出装置1では、(K×M×N)個のフォトダイオードPDk,m,nが光検出部10においてM行(K×N)列に配列されていて、各行の(K×N)個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K、n=1〜N)について順次に時間T毎に処理(電荷蓄積、CDS、フィルタリング、A/D変換)がなされる。一方、積分回路20m,nにおける電荷蓄積動作、CDS回路30m,nにおけるCDS動作、フィルタ回路40m,nにおけるフィルタリング動作、および、A/D変換回路50m,nにおけるA/D変換動作それぞれは、時間(N×T)毎に処理がなされる。
【0034】
本実施形態に係る光検出装置1では、A/D変換回路50m,nは時間(N×T)毎に処理をすればよく、A/D変換回路50m,nに対する高速処理の要求が緩和されるので、A/D変換回路50m,nにおける消費電力の増加が抑制される。
【0035】
また、積分回路20m,nから出力された電圧値に含まれる熱雑音成分がフィルタ回路40m,nにより低減される。また、フィルタ回路40m,nから出力される電圧値波形は鈍るが、積分回路20m,nにおける電荷蓄積からA/D変換回路50m,nにおけるA/D変換に至る迄の動作は時間(N×T)毎に処理がなされ、フィルタ回路40m,nから出力される電圧値は、その値が安定した時点でA/D変換回路50m,nによりA/D変換される。したがって、この光検出装置1は、光検出の高速性を維持したまま、光検出のS/N比が改善され得る。また、積分回路20m,nに含まれるアンプA20の入力トランジスタ・コンダクタンスGmを大きくしなくても、光検出のS/N比の改善が図られるので、アンプA20の消費電力の増加が抑制され、この点でも、発熱の問題が低減される。
【0036】
また、CDS回路30m,nが設けられていることにより、積分回路20m,nのアンプA20のオフセットばらつきがCDS回路30m,nにより除去されるので、この点でも、光検出のS/N比の改善が図られる。なお、CDS回路30m,nにもアンプA30が含まれているが、このアンプA30で生じる熱雑音は、積分回路20m,nに含まれているアンプA20で生じる熱雑音と比べて僅かである。
【0037】
さらに、(K×M×N)個のフォトダイオードPDk,m,nがM行(K×N)列に配列されていて、フォトダイオードPDk,m,nが第m行第(n+(k−1)N)列の位置に配置されており、フォトダイオードPDk,m,nについての処理(電荷蓄積、CDS、フィルタリング、A/D変換)が各行について列の並び順になされるので、光検出装置1により得られた光検出データの記憶や画像処理が容易である。
【0038】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したとおり、本発明に係る光検出装置では、各m値および各n値について、K個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K)それぞれにおいて光入射に応じて発生した電荷は、順次に、1個の積分回路に入力して蓄積され、この蓄積された電荷の量に応じた電圧値が積分回路から出力される。そして、積分回路から出力された電圧値に応じたデジタル値がA/D変換回路から出力される。したがって、この光検出装置は高速動作が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態に係る光検出装置1の全体構成図である。
【図2】本実施形態に係る光検出装置1の一部構成図である。
【図3】本実施形態に係る光検出装置1の回路図である。
【図4】本実施形態に係る光検出装置1の動作を説明するタイミングチャートである。
【符号の説明】
1…光検出装置、10…光検出部、20…積分回路、30…CDS回路、40…フィルタ回路、50…A/D変換回路、60…制御回路、A…アンプ、C…容量素子、R…抵抗素子、PD…フォトダイオード、SW…スイッチ、CL…制御線、SL…信号線。
【発明の属する技術分野】
本発明は、配列された複数のフォトダイオードを含む光検出装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光検出装置は、2次元状または1次元状に配列された複数のフォトダイオードと、アンプおよび積分容量素子を含む積分回路とを備えた装置であり、また、さらにA/D変換回路などをも備える場合がある(例えば特許文献1を参照)。この光検出装置では、各フォトダイオードへの入射光の強度に応じた量の電荷が該フォトダイオードから出力され、その電荷が積分容量素子に蓄積され、その蓄積された電荷の量に応じた電圧値が積分回路から出力される。そして、積分回路から出力された電圧値はA/D変換回路によりデジタル値に変換される。複数のフォトダイオードそれぞれで発生した電荷の量に応じてA/D変換回路から出力されるデジタル値に基づいて、複数のフォトダイオードが配列された光検出面へ入射する光が検出される。
【0003】
【特許文献1】
特開平9−270960号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような光検出装置において高速に光検出する際には、A/D変換回路の処理速度を高速にすることが必要であるが、A/D変換回路を高速動作させてA/D変換誤差を低減しようとすると、A/D変換回路の消費電力が大きくなる。多数のA/D変換回路を集積化する場合には、A/D変換回路の消費電力が大きいほど、発熱の問題が生じる。したがって、A/D変換回路を高速動作させるにも限界がある。
【0005】
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、A/D変換回路を含み高速動作が可能な光検出装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光検出装置は、(1) 入射光強度に応じた量の電荷を各々発生する(K×M×N)個のフォトダイオードPDk,m,nと(ただし、Kは2以上の整数、kは1以上K以下の各整数、Mは1以上の整数、mは1以上M以下の各整数、Nは2以上の整数、nは1以上N以下の各整数)、(2) (K×M×N)個のフォトダイオードPDk,m,nのうちK個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K)に対応して1つずつ設けられ、これらK個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K)それぞれで発生した電荷を順次に入力して蓄積し、この蓄積した電荷の量に応じた電圧値を出力する(M×N)個の積分回路と、(3) (M×N)個の積分回路それぞれに対応して1つずつ設けられ、各々対応する積分回路から出力された電圧値に応じたデジタル値を出力するA/D変換回路と、を備えることを特徴とする。
【0007】
本発明に係る光検出装置では、各m値および各n値について、K個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K)それぞれにおいて光入射に応じて発生した電荷は、順次に、1個の積分回路に入力して蓄積され、この蓄積された電荷の量に応じた電圧値が積分回路から出力される。そして、積分回路から出力された電圧値に応じたデジタル値がA/D変換回路から出力される。したがって、この光検出装置は高速動作が可能である。
【0008】
本発明に係る光検出装置は、積分回路とA/D変換回路との間に設けられ、積分回路から出力された電圧値を入力し、この電圧値の一定時間の変化分を表す電圧値を出力するCDS回路を更に備えるのが好適である。この場合には、積分回路から出力された電圧値はCDS回路に入力して、この電圧値の一定時間の変化分を表す電圧値がCDS回路から出力されるので、積分回路のアンプのオフセットばらつきがCDS回路により除去され得る。
【0009】
本発明に係る光検出装置は、(K×M×N)個のフォトダイオードPDk,m,nがM行(K×N)列に2次元状(M=2のとき)または1次元状(M=1のとき)に配列されており、フォトダイオードPDk,m,nが第m行第(n+(k−1)N)列の位置に配置されているのが好適である。この場合には、フォトダイオードについての処理(電荷蓄積およびA/D変換の他、必要に応じてCDS)は、各行について列の並び順になされ得る。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【0011】
図1は、本実施形態に係る光検出装置1の全体構成図である。図2は、本実施形態に係る光検出装置1の一部構成図である。図1で示された光検出部10の詳細が図2に示されている。
【0012】
これらの図に示される光検出装置1は、光検出部10、(M×N)個の積分回路201,1〜20M,N、(M×N)個のCDS回路301,1〜30M,N、(M×N)個のフィルタ回路401,1〜40M,N、(M×N)個のA/D変換回路501,1〜50M,N、および制御回路60を備える。また、光検出部10は、(K×M×N)個のフォトダイオードPD1,1,1〜PDK,M,N、および、(K×M×N)個のスイッチSW1,1,1〜SWK,M,Nを有する。ここで、Kは2以上の整数であり、Mは1以上の整数であり、Nは2以上の整数である。また、以下に現れるk,m,nについては、kは1以上K以下の各整数であり、mは1以上M以下の各整数であり、nは1以上N以下の各整数である。なお、図1および図2では、Kを2とし、MおよびNを4としている。
【0013】
フォトダイオードPDk,m,nは、入射光強度に応じた量の電荷を発生して接合容量部に蓄積するものである。これら(K×M×N)個のフォトダイオードPDk,m,nは、光検出部10において、M行(K×N)列に2次元状(M=2のとき)または1次元状(M=1のとき)に等間隔に配列されている。フォトダイオードPDk,m,nは第m行第(n+(k−1)N)列の位置に配置されている。スイッチSWk,m,nは、フォトダイオードPDk,m,nに対して1対1に対応して、該フォトダイオードPDk,m,nと信号線SLm,nとの間に設けられている。K個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K)それぞれは、対応するスイッチSWk,m,nを介して、信号線SLm,nと接続されている。この信号線SLm,nは、積分回路20m,nの入力端に接続されている。また、M個のスイッチSWk,m,n(m=1〜M)は、制御回路60から制御線CLk,nに出力された制御信号により一括して開閉が制御される。
【0014】
積分回路20m,nは、K個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K)に対応して1つずつ設けられており、これらK個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K)それぞれで発生した電荷がスイッチSWk,m,nおよび信号線SLm,nを経て順次に到達した電荷を入力して蓄積し、この蓄積した電荷の量に応じた電圧値を出力する。CDS(Correlated Double Sampling、相関二重サンプリング)回路30m,nは、積分回路20m,nから出力された電圧値を入力し、この電圧値の一定時間の変化分を表す電圧値を出力する。
【0015】
フィルタ回路40m,nは、CDS回路30m,nから出力された電圧値を入力して、この電圧値に含まれる熱雑音成分を低減して、その熱雑音成分低減後の電圧値を出力する。このフィルタ回路40m,nは、熱雑音成分を低減し得るフィルタ特性を有するローパスフィルタであるのが好適である。A/D変換回路50m,nは、フィルタ回路40m,nから出力された電圧値を入力し、この電圧値をA/D変換して、この電圧値(アナログ値)に応じたデジタル値を出力する。
【0016】
制御回路60は、(K×M×N)個のスイッチSW1,1,1〜SWK,M,Nそれぞれの開閉を制御する為の制御信号を制御線CLk,nに出力する。また、制御回路60は、積分回路20m,n、CDS回路30m,nおよびA/D変換回路50m,nそれぞれの動作をも制御する。
【0017】
図3は、本実施形態に係る光検出装置1の回路図である。この図では、簡略化の為に、フォトダイオードPDk,m,n、スイッチSWk,m,n、積分回路20m,n、CDS回路30m,n、フィルタ回路40m,nおよびA/D変換回路50m,nが1組のみ示されている。
【0018】
積分回路20m,nは、アンプA20、積分容量素子C20およびスイッチSW20を有している。アンプA20の入力端子は信号線SLm,nに接続されている。アンプA20の入出力端子間に積分容量素子C20およびスイッチSW20が並列的に設けられている。スイッチSW20は制御部60により制御されて開閉する。スイッチSW20が閉じているとき、積分容量素子C20は放電されて、積分回路20m,nから出力される電圧値は初期化される。一方、スイッチSW20が開いているとき、信号線SLm,nを経て到達した電荷が積分容量素子C20に蓄積され、この積分容量素子C20に蓄積されている電荷の量に応じた電圧値が積分回路20m,nから出力される。
【0019】
CDS回路30m,nは、アンプA30、積分容量素子C31、結合容量素子C32およびスイッチSW30を有している。アンプA30の入力端子は、結合容量素子C32を介して、積分回路20m,nのアンプA20の出力端子に接続されている。アンプA30の入出力端子間に積分容量素子C31およびスイッチSW30が並列的に設けられている。スイッチSW30は制御部60により制御されて開閉する。スイッチSW30が閉じているとき、積分容量素子C31は放電されて、CDS回路30m,nから出力される電圧値は初期化される。一方、スイッチSW30が開いた時刻t0より以降、積分回路20m,nから出力された電圧値の変動分に応じた電荷が積分容量素子C31に蓄積され、この積分容量素子C31に蓄積されている電荷の量に応じた電圧値がCDS回路30m,nから出力される。
【0020】
フィルタ回路40m,nは、抵抗素子R40および容量素子C40を有している。抵抗素子R40は、フィルタ回路40m,nの入力端と出力端との間に設けられており、その出力端は、容量素子C40を介して接地電位と接続されている。このフィルタ回路40m,nはローパスフィルタとして作用し、そのフィルタ特性におけるカットオフ周波数は、抵抗素子R40の抵抗値および容量素子C40の容量値に応じたものである。
【0021】
図3に示された回路図において、各素子の特性値の一例は以下のとおりである。フォトダイオードPDm,nの接合容量値Cdと信号線SLm,nの寄生容量値との和は220pFであり、信号線SLm,nの抵抗値は1kΩである。積分回路20m,nの積分容量素子C20の容量値Cfは1.25pFであり、積分回路20m,nのアンプA20の周波数帯域Bは1MHzであり、アンプA20の入力トランジスタ・コンダクタンスGmは10mSである。また、温度Tは27℃である。このとき、積分回路20m,nのアンプA20で生じる熱雑音Vnは1210μVrmsである。そして、フィルタ回路40m,nの容量素子C40の容量値を100pFとし、フィルタ回路40m,nの抵抗素子R40の抵抗値を20kΩとすると、フィルタ回路40m,nのフィルタ特性におけるカットオフ周波数は0.08MHzであり、フィルタ回路40m,nから出力される電圧値に含まれる熱雑音成分は724μVrmsまで低減される。
【0022】
次に、本実施形態に係る光検出装置1の動作について説明する。本実施形態に係る光検出装置1は、制御部60による制御の下に、以下のように動作する。図4は、本実施形態に係る光検出装置1の動作を説明するタイミングチャートである。この光検出装置1は、第1行〜第M行が並列動作する。
【0023】
この図には、上から順に、スイッチSW1,m,1の開閉、スイッチSW1,m,2の開閉、スイッチSW1,m,3の開閉、スイッチSW1,m,4の開閉、スイッチSW2,m,1の開閉、スイッチSW2,m,2の開閉、スイッチSW2,m,3の開閉、および、スイッチSW2,m,4の開閉、が示されている。さらに続いて、積分回路20m,1の出力電圧値、積分回路20m,2の出力電圧値、積分回路20m,3の出力電圧値、積分回路20m,4の出力電圧値、フィルタ回路40m,1の出力電圧値、フィルタ回路40m,2の出力電圧値、フィルタ回路40m,3の出力電圧値、フィルタ回路40m,4の出力電圧値、A/D変換回路50m,1の出力デジタル値、A/D変換回路50m,2の出力デジタル値、A/D変換回路50m,3の出力デジタル値、および、A/D変換回路50m,4の出力デジタル値、が示されている。
【0024】
また、この図に示されるように、光検出装置1の動作は、循環する8つの期間T1,1、T1,2、T1,3、T1,4、T2,1、T2,2、T2,3およびT2,4に区分される。これらの各期間Tk,nの時間Tは一定である。スイッチSW1,m,1は期間T1,1内に閉じ、スイッチSW1,m,2は期間T1,2内に閉じ、スイッチSW1,m,3は期間T1,3内に閉じ、スイッチSW1,m,4は期間T1,4内に閉じ、スイッチSW2,m,1は期間T2,1内に閉じ、スイッチSW2,m,2は期間T2,2内に閉じ、スイッチSW2,m,3は期間T2,3内に閉じ、スイッチSW2,m,4は期間T2,4内に閉じ、以降、このようなスイッチの開閉が繰り返される。
【0025】
スイッチSW1,m,1は期間T1,1内に閉じる。また、この期間T1,1前に、積分回路20m,1のスイッチSW20は一旦閉じた後に開き、積分回路20m,1の出力電圧値は初期化されている。スイッチSW1,m,1が閉じると、それまでフォトダイオードPD1,m,1で発生して接合容量部に蓄積されていた電荷は、スイッチSW1,m,1および信号線SLm,1を経て積分回路20m,1に入力し、この積分回路20m,1の積分容量素子C20に蓄積され、その蓄積された電荷の量に応じた電圧値が積分回路20m,1から出力される。積分回路20m,1の出力電圧値は期間T1,1後も期間T1,3まで保持され、期間T1,4になって、積分回路20m,1のスイッチSW20が閉じると、積分回路20m,1の出力電圧値が初期化される。
【0026】
積分回路20m,1の出力電圧値はCDS回路30m,1に入力する。このCDS回路30m,1からは、期間T1,1から期間T1,2までのうちの一定時間における積分回路20m,1の出力電圧値の変化分に応じた電圧値が出力される。CDS回路30m,1の出力電圧値は、フィルタ回路40m,1に入力して熱雑音成分が低減される。しかし、フィルタ回路40m,1のフィルタ特性に因り、フィルタ回路40m,1の出力電圧波形は、CDS回路30m,1の出力電圧波形と比べて鈍ったものとなる。
【0027】
フィルタ回路40m,1の出力電圧値は、その値が安定した時点でA/D変換回路50m,1によりA/D変換されて、期間T1,3にA/D変換回路50m,1からデジタル値が出力される。ここで、期間T1,3にA/D変換回路50m,1から出力されるデジタル値は、期間T1,1にフォトダイオードPD1,m,1の接合容量部から積分回路20m,1の積分容量素子C20に移動した電荷の量に応じたもの、すなわち、フォトダイオードPD1,m,1への光入射の強度に応じたものである。
【0028】
また、スイッチSW2,m,1は期間T2,1内に閉じる。また、この期間T2,1前に、積分回路20m,1のスイッチSW20は一旦閉じた後に開き、積分回路20m,1の出力電圧値は初期化されている。スイッチSW2,m,1が閉じると、それまでフォトダイオードPD2,m,1で発生して接合容量部に蓄積されていた電荷は、スイッチSW2,m,1および信号線SLm,1を経て積分回路20m,1に入力し、この積分回路20m,1の積分容量素子C20に蓄積され、その蓄積された電荷の量に応じた電圧値が積分回路20m,1から出力される。積分回路20m,1の出力電圧値は期間T2,1後も期間T2,3まで保持され、期間T2,4になって、積分回路20m,1のスイッチSW20が閉じると、積分回路20m,1の出力電圧値が初期化される。
【0029】
積分回路20m,1の出力電圧値はCDS回路30m,1に入力する。このCDS回路30m,1からは、期間T2,1から期間T2,2までのうちの一定時間における積分回路20m,1の出力電圧値の変化分に応じた電圧値が出力される。CDS回路30m,1の出力電圧値は、フィルタ回路40m,1に入力して熱雑音成分が低減される。しかし、フィルタ回路40m,1のフィルタ特性に因り、フィルタ回路40m,1の出力電圧波形は、CDS回路30m,1の出力電圧波形と比べて鈍ったものとなる。
【0030】
フィルタ回路40m,1の出力電圧値は、その値が安定した時点でA/D変換回路50m,1によりA/D変換されて、期間T2,3にA/D変換回路50m,1からデジタル値が出力される。ここで、期間T2,3にA/D変換回路50m,1から出力されるデジタル値は、期間T2,1にフォトダイオードPD2,m,1の接合容量部から積分回路20m,1の積分容量素子C20に移動した電荷の量に応じたもの、すなわち、フォトダイオードPD2,m,1への光入射の強度に応じたものである。
【0031】
以上では、スイッチSW1,m,1、スイッチSW2,m,1、積分回路20m,1、CDS回路30m,1、フィルタ回路40m,1およびA/D変換回路50m,1について、すなわち、nが1の場合について、動作を説明した。nが2〜4の場合も、動作タイミングがシフトするものの同様である。
【0032】
したがって、フォトダイオードPD1,m,1への光入射の強度に応じたデジタル値が期間T1,3に出力され、フォトダイオードPD1,m,2への光入射の強度に応じたデジタル値が期間T1,4に出力され、フォトダイオードPD1,m,3への光入射の強度に応じたデジタル値が期間T2,1に出力され、フォトダイオードPD1,m,4への光入射の強度に応じたデジタル値が期間T2,2に出力され、フォトダイオードPD2,m,1への光入射の強度に応じたデジタル値が期間T2,3に出力され、フォトダイオードPD2,m,2への光入射の強度に応じたデジタル値が期間T2,4に出力され、フォトダイオードPD2,m,3への光入射の強度に応じたデジタル値がその後の期間T1,1に出力され、フォトダイオードPD2,m,4への光入射の強度に応じたデジタル値が期間T1,2に出力される。
【0033】
以上のように、本実施形態に係る光検出装置1では、(K×M×N)個のフォトダイオードPDk,m,nが光検出部10においてM行(K×N)列に配列されていて、各行の(K×N)個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K、n=1〜N)について順次に時間T毎に処理(電荷蓄積、CDS、フィルタリング、A/D変換)がなされる。一方、積分回路20m,nにおける電荷蓄積動作、CDS回路30m,nにおけるCDS動作、フィルタ回路40m,nにおけるフィルタリング動作、および、A/D変換回路50m,nにおけるA/D変換動作それぞれは、時間(N×T)毎に処理がなされる。
【0034】
本実施形態に係る光検出装置1では、A/D変換回路50m,nは時間(N×T)毎に処理をすればよく、A/D変換回路50m,nに対する高速処理の要求が緩和されるので、A/D変換回路50m,nにおける消費電力の増加が抑制される。
【0035】
また、積分回路20m,nから出力された電圧値に含まれる熱雑音成分がフィルタ回路40m,nにより低減される。また、フィルタ回路40m,nから出力される電圧値波形は鈍るが、積分回路20m,nにおける電荷蓄積からA/D変換回路50m,nにおけるA/D変換に至る迄の動作は時間(N×T)毎に処理がなされ、フィルタ回路40m,nから出力される電圧値は、その値が安定した時点でA/D変換回路50m,nによりA/D変換される。したがって、この光検出装置1は、光検出の高速性を維持したまま、光検出のS/N比が改善され得る。また、積分回路20m,nに含まれるアンプA20の入力トランジスタ・コンダクタンスGmを大きくしなくても、光検出のS/N比の改善が図られるので、アンプA20の消費電力の増加が抑制され、この点でも、発熱の問題が低減される。
【0036】
また、CDS回路30m,nが設けられていることにより、積分回路20m,nのアンプA20のオフセットばらつきがCDS回路30m,nにより除去されるので、この点でも、光検出のS/N比の改善が図られる。なお、CDS回路30m,nにもアンプA30が含まれているが、このアンプA30で生じる熱雑音は、積分回路20m,nに含まれているアンプA20で生じる熱雑音と比べて僅かである。
【0037】
さらに、(K×M×N)個のフォトダイオードPDk,m,nがM行(K×N)列に配列されていて、フォトダイオードPDk,m,nが第m行第(n+(k−1)N)列の位置に配置されており、フォトダイオードPDk,m,nについての処理(電荷蓄積、CDS、フィルタリング、A/D変換)が各行について列の並び順になされるので、光検出装置1により得られた光検出データの記憶や画像処理が容易である。
【0038】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したとおり、本発明に係る光検出装置では、各m値および各n値について、K個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K)それぞれにおいて光入射に応じて発生した電荷は、順次に、1個の積分回路に入力して蓄積され、この蓄積された電荷の量に応じた電圧値が積分回路から出力される。そして、積分回路から出力された電圧値に応じたデジタル値がA/D変換回路から出力される。したがって、この光検出装置は高速動作が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態に係る光検出装置1の全体構成図である。
【図2】本実施形態に係る光検出装置1の一部構成図である。
【図3】本実施形態に係る光検出装置1の回路図である。
【図4】本実施形態に係る光検出装置1の動作を説明するタイミングチャートである。
【符号の説明】
1…光検出装置、10…光検出部、20…積分回路、30…CDS回路、40…フィルタ回路、50…A/D変換回路、60…制御回路、A…アンプ、C…容量素子、R…抵抗素子、PD…フォトダイオード、SW…スイッチ、CL…制御線、SL…信号線。
Claims (3)
- 入射光強度に応じた量の電荷を各々発生する(K×M×N)個のフォトダイオードPDk,m,nと(ただし、Kは2以上の整数、kは1以上K以下の各整数、Mは1以上の整数、mは1以上M以下の各整数、Nは2以上の整数、nは1以上N以下の各整数)、
前記(K×M×N)個のフォトダイオードPDk,m,nのうちK個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K)に対応して1つずつ設けられ、これらK個のフォトダイオードPDk,m,n(k=1〜K)それぞれで発生した電荷を順次に入力して蓄積し、この蓄積した電荷の量に応じた電圧値を出力する(M×N)個の積分回路と、
前記(M×N)個の積分回路それぞれに対応して1つずつ設けられ、各々対応する積分回路から出力された電圧値に応じたデジタル値を出力するA/D変換回路と、
を備えることを特徴とする光検出装置。 - 前記積分回路と前記A/D変換回路との間に設けられ、前記積分回路から出力された電圧値を入力し、この電圧値の一定時間の変化分を表す電圧値を出力するCDS回路を更に備えることを特徴とする請求項1記載の光検出装置。
- 前記(K×M×N)個のフォトダイオードPDk,m,nがM行(K×N)列に2次元状(M=2のとき)または1次元状(M=1のとき)に配列されており、フォトダイオードPDk,m,nが第m行第(n+(k−1)N)列の位置に配置されている、ことを特徴とする請求項1記載の光検出装置。
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JP3817294B2 (ja) * | 1996-04-01 | 2006-09-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
US5892540A (en) * | 1996-06-13 | 1999-04-06 | Rockwell International Corporation | Low noise amplifier for passive pixel CMOS imager |
US6031570A (en) * | 1997-03-19 | 2000-02-29 | Omnivision Technologies, Inc. | Image acquisition and processing system |
US6344877B1 (en) * | 1997-06-12 | 2002-02-05 | International Business Machines Corporation | Image sensor with dummy pixel or dummy pixel array |
JP4098884B2 (ja) * | 1998-07-08 | 2008-06-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
AU5449999A (en) * | 1998-09-09 | 2000-03-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid-state camera |
DE60030959T2 (de) * | 1999-01-29 | 2007-06-14 | Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu | Photodetektorvorrichtung |
JP4358351B2 (ja) * | 1999-04-27 | 2009-11-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
JP2000324397A (ja) * | 1999-05-12 | 2000-11-24 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP4119052B2 (ja) * | 1999-07-16 | 2008-07-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
AU6320300A (en) * | 1999-08-05 | 2001-03-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid-state imaging device and range finding device |
US6753912B1 (en) | 1999-08-31 | 2004-06-22 | Taiwan Advanced Sensors Corporation | Self compensating correlated double sampling circuit |
JP4424796B2 (ja) * | 1999-11-18 | 2010-03-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
US6873364B1 (en) * | 2000-06-08 | 2005-03-29 | Micron Technology, Inc. | Low-power signal chain for image sensors |
JP4489914B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2010-06-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | A/d変換装置および固体撮像装置 |
EP1314969B1 (en) * | 2000-08-03 | 2006-03-22 | Hamamatsu Photonics K. K. | Optical sensor |
JP2002051264A (ja) | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Sharp Corp | 相関2重サンプリング回路 |
JP2002176588A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Canon Inc | 撮像方法及び撮像装置並びに記憶媒体 |
JP2002199282A (ja) | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Sharp Corp | 光電変換装置、及びその駆動方法 |
JP4414646B2 (ja) * | 2002-11-18 | 2010-02-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
JP4293588B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2009-07-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
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