JP4455718B2 - 信号処理回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、信号処理回路に関し、特に、固体撮像素子から出力される映像信号をデジタル信号に変換すると共に、その2値化を行う信号処理回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、固体撮像素子等のセンサからの出力信号を処理する信号処理回路が知られている。本発明者らは、このような信号処理回路の開発を行ってきた。例えば、特開平2000−32342号公報に記載の信号処理回路は、センサからの出力信号に相関二重サンプリング(CDS)を施してオフセットノイズを除去しつつ、A/D変換を行うという優れた特性を発揮する。
【0003】
すなわち、この信号処理回路においては、入力されたセンサからのアナログ信号を可変容量に基づいて電圧信号に変換し、変換された電圧信号と基準電圧とを比較器に入力し、この比較器の出力に基づいて、上記電圧信号と基準電圧とが一致するように可変容量を制御し、この制御量をデジタル量として出力している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の信号処理回路においては、予め設定されたA/D入力範囲固定電圧に対して変換されたA/D値の、最上位ビットのみを抽出して、2値化することは可能であったが、任意の基準レベルアナログ電圧に対し、信号処理回路からの出力信号を二値化することはできなかった。本発明は、かかる信号処理回路の改良に係るものであり、入力されたアナログ信号をデジタル信号に変換すると共に、任意の基準レベルアナログ電圧に対し、その2値化を行うことが可能な信号処理回路を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の信号処理回路は、入力されたアナログ信号を可変パラメータに基づいて電圧信号に変換する変換部と、前記電圧信号と基準電圧とが入力される比較器と、前記比較器の出力に基づいて、前記電圧信号と前記基準電圧とが一致するように前記可変パラメータを制御し、この制御量をデジタル信号として出力する制御部と、を備える信号処理回路において、第1期間においては、前記可変パラメータを制御しないで、前記基準電圧は、2値化を行うために前記電圧信号と共に前記比較器に入力されることで、前記比較器からは2値化信号が出力され、第2期間においては、前記基準電圧は、前記電圧信号と共に前記比較器に入力され、前記制御部は、前記比較器の出力に基づいて、前記電圧信号と前記基準電圧とが一致するように、前記可変パラメータを制御し、この制御量をデジタル信号として出力し、前記基準電圧は可変であって、前記第1及び第2期間に応じて選択的に切り換えられる、ことを特徴とする。なお、上記変換は、電荷信号を電圧信号に変換するもの、電流信号を電圧信号に変換するもの、入力された電圧信号を入力とは異なる電圧信号に変換するもののいずれであってもよい。
【0006】
入力されたアナログ信号は、可変パラメータを変化させれば、その制御量がデジタル信号として出力されるが、可変パラメータを固定した状態で、比較器に入力される基準電圧を2値化用の閾値として設定すれば、比較器の出力は入力されたアナログ信号の2値化信号となる。すなわち、本発明の信号処理回路は、可変パラメータを制御しない第1期間と制御する第2期間とを有し、基準電圧は第1及び第2期間に応じて選択的に切り換えられる。もちろん、第2期間内において、前記基準電圧はさらに切換可能とされていることとしてもよい。これにより、A/D変換されるアナログ信号の変動範囲を設定することができる。
【0007】
可変パラメータとしては様々なものが考えられるが、パラメータは容量であり、本発明の信号処理回路においては、固体撮像素子から出力された電荷又はこれに対応した電圧を前記アナログ信号とし、前記電圧信号は、このアナログ信号を可変パラメータとしての容量に応じて変換することによって生成されることが好ましい。このような信号処理回路は、固体撮像素子から出力される映像信号の処理回路として用いることができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態に係る信号処理回路について説明する。なお、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。本信号処理回路は、固体撮像素子等のセンサ1からの信号を読み出し、A/D変換及び2値化等の処理を行う。
【0009】
図1は、上記センサ1及び信号処理回路2のシステム構成図である。信号処理回路2は、入力されたアナログ信号を電圧信号Vに変換する変換部50を有する。この変換は、例えば、電荷信号を電圧信号に変換するものであるが、見方を変えて、電流信号を電圧信号に、或いは入力された電圧信号をこれとは異なる電圧信号に変換するものであってもよい。変換部50は、可変パラメータ(パラメータ可変部)53を備えている。
【0010】
この可変パラメータ53は変換係数を構成し、入力されたアナログ信号は可変パラメータ53に基づいて電圧信号Vに変換される。例えば、入力されるアナログ信号を電荷量で表記した場合には、可変パラメータを並列容量(コンデンサ)とし、この容量を増加させれば、電荷量一定のもとではコンデンサ両端間の電圧信号Vは小さくなる。すなわち、この場合、可変パラメータ53の増加量は電圧信号Vの減少量を示すこととなる。換言すれば、電圧信号Vが一定値となるように、可変パラメータ53を帰還制御すると、この制御量は入力されたアナログ信号の振幅、すなわち、電荷量に比例することとなる。
【0011】
このような帰還制御を行うため、変換された電圧信号Vと基準電圧Vrefとは比較器60に入力され、比較器60の出力に基づいて、電圧信号Vと基準電圧Vrefとが一致するように、可変パラメータ53を制御部70で制御する。なお、このA/D変換制御期間T2においては、スイッチ素子SW1及びSW3はAD側に接続され、基準電圧Vrefは、例えばVAD1に設定される(スイッチ素子SW2をAD1側に接続する)。したがって、制御部70における制御量は、入力されたアナログ信号の振幅に比例したデジタル信号として出力され、結果的にA/D変換が行われたこととなる。
【0012】
ここで、基準電圧Vrefは可変である。上述のように、入力されたアナログ信号は、可変パラメータ53を変化させれば、その制御量がデジタル信号として出力されるが、可変パラメータ53を固定した状態(SW3をBI側に接続して、帰還ループを切断する)で、比較器60に入力される基準電圧Vrefを2値化用の閾値電圧VBIとして設定すれば(スイッチ素子SW1をBI側に接続する)、比較器60の出力は、入力されたアナログ信号の2値化信号となる(二値化期間T1)。
【0013】
すなわち、本信号処理回路は、可変パラメータ53を制御しない第1期間(二値化期間)T1と制御する第2期間(A/D変換期間)T2とを有し、基準電圧Vrefはスイッチ素子SW1によって、第1及び第2期間T1,T2に応じて選択的に切り換えられる。第1期間T1,第2期間T2は、いずれが先に設定されてもよいが、第2期間T2におけるA/D変換動作は、入力信号が制御部70に到達した時点から始まるので、この入力信号の到達過程に第1期間T1を設定すれば、すなわち、入力されたアナログ信号の二値化を行った後に、この信号が制御部70に入力された時点から第2期間T2を開始すれば、換言すれば、第1期間T1の後に第2期間T2が設定されれば、A/D変換及び二値化双方の処理に要する全体の時間を短くすることができる。
【0014】
期間T1において、スイッチ素子SW1によって、基準電圧VrefをVBIに設定した場合、スイッチ素子SW3によって、比較器60の出力を二値化結果記憶部BINLに入力する。二値化結果記憶部BINLは、比較器60から出力される二値化信号を一時的に記憶し、しかる後、記憶された二値化信号を出力する。なお、スイッチ素子SW3は双方の回路素子70,BINLに同時接続することもできる。
【0015】
期間T2において、スイッチ素子SW1,SW2によって、基準電圧VrefをVAD1又はVAD2に設定した場合、スイッチ素子SW3によって、比較器60の出力を制御部70に入力する。制御部70は、制御部70による制御量を上記デジタル信号として一時的に記憶し、しかる後、記憶されたデジタル信号を出力する。
【0016】
制御部70及び二値化結果記憶部BINLからの信号は、パラレル出力であってもよいし、シフトレジスタを用いて出力線を順次切り換えるシリアル出力であってもよい。
【0017】
なお、本例においては、第2期間T2内においても、スイッチ素子SW2をAD1側又はAD2側に接続することにより、基準電圧Vrefは電圧VAD1,VAD2に切換可能とされており、これにより、A/D変換されるアナログ信号の変動範囲を設定することができる。
【0018】
可変パラメータ53としては様々なものが考えられるが、パラメータ53が容量であり、本信号処理回路2においては、センサ1から出力された電荷又はこれに対応する電圧をアナログ信号とし、電圧信号Vは、このアナログ信号を可変パラメータ53としての容量に応じて変換することによって生成される。また、可変パラメータ53は、抵抗によって構成することもできる。
【0019】
センサ1を固体撮像素子(MOS型イメージセンサ、CCDイメージセンサ)とすると、本信号処理回路2は固体撮像素子を有する撮像カメラから出力される映像信号(アナログ信号)の処理回路として用いることができる。
【0020】
例えば、車両等の移動体に、前方或いは後方観測用の固体撮像素子1を搭載し、当該撮像素子1からの映像信号をA/D変換してデジタル量としてコンピュータに入力し、この映像信号を表示器上に表示すると共に、二値化された映像信号もコンピュータに入力し、二値化された映像信号に基づいて固体撮像素子1で撮影された画像に含まれる人物や障害物などの物体の輪郭処理を行ったり、その重心位置を求めることができる。
【0021】
固体撮像素子1が可視光、赤外線に感度を有するものである場合には、表示器上には物体の可視光、赤外線画像と、二値化された映像信号から演算された物体の輪郭線が表示されるが、コンピュータは輪郭線によって物体の存在を認識し、認識された物体との衝突を避けるような停止動作等の回避処理、或いは輪郭線によって物体を信号機や標識として認識した場合には、信号機や標識の表示結果に適合する車両挙動制御を行わせることができる。
【0022】
次に、図1に示したセンサ1としてMOS型イメージセンサを用いた場合の好適な例について説明する。
【0023】
図2は、MOS型イメージセンサ1及び信号処理回路2のシステム構成図である。
【0024】
MOS型イメージセンサ1は、複数の光電変換素子PDを二次元状に配列し、各光電変換素子PDにスイッチ素子FETを設けてなる。なお、本例における光電変換素子PDはホトダイオードであり、スイッチ素子FETはシフトレジスタ1SFからの駆動信号によって各垂直列毎に順次接続される。すなわち、各垂直列121,12LのホトダイオードPDは、そのスイッチ素子FETを接続させることにより、各出力端子OUTに接続される。
【0025】
詳説すれば、このホトダイオード列は、水平方向に隣接して複数配置されており、シフトレジスタ1SFからの信号によって、水平方向に隣接した垂直ホトダイオード列を順次選択し、選択されたホトダイオード列のホトダイオードPDを出力端子OUTに接続する。
【0026】
これにより、二次元的な広がりを有する光のイメージセンサ1への入力を電気信号に変換して出力端子OUTから出力することができる。
【0027】
なお、シフトレジスタ1SFはタイミング発生回路4から出力されるパルスによって駆動され、タイミング発生回路4は水晶発振器やマルチバイブレータ等の発振器3から出力される基準周波数のクロック信号から、シフトレジスタ1SFの駆動信号をはじめ、本装置の駆動に必要なパルス信号を生成する。
【0028】
ホトダイオードPD、スイッチ素子FET、シフトレジスタ1SFは、同一半導体基板内に設けられており、各ホトダイオードPDに接続された信号出力用電極パッドOUTは基板の端部に設けられ、配線Wを介して信号読出回路2に接続されている。
【0029】
信号読出回路2は、チャージアンプ30、変換部50、比較器60、制御部70及び二値化結果記憶部BINLを直列に接続してなる回路列MAINを複数列(本列では5列)備えている。信号読出回路2は半導体基板上に形成されており、この半導体基板の端部には、各回路列の入力端子として機能する信号入力用電極パッドINが設けられている。
【0030】
各ホトダイオードPDと各チャージアンプ30は、信号出力用電極パッドOUT、ボンディングワイヤW、信号入力用電極パッドINを介して接続されている。なお、ボンディングワイヤWの長さは短い方が、チャージアンプ30の寄生容量の影響を抑制することができるので、センサと信号読出回路は同一半導体基板上に形成されることが好ましいが、本例では、別の半導体基板上にそれぞれ形成されていることとする。
【0031】
各ホトダイオードPDからの出力は、配線Wを経て、チャージアンプ30、変換部50、比較器60に順次入力され、二値化期間T1においては二値化結果記憶部BINLに、A/D変換期間T2においては制御部70に入力される。複数の比較器60は、それぞれが図1において示したものと同様に機能する。すなわち、ホトダイオードPDから出力された電荷信号は、出力端子OUT、配線W、入力端子INを介してチャージアンプ30に入力され、チャージアンプ30によって電荷電圧変換された後、変換部50に入力される。
【0032】
変換部50は、容量を可変パラメータとする可変容量付きの電圧変換回路であり、制御部70によって、その容量を制御すると、入力された電荷量又は電圧に応じて電圧信号Vのレベルが変動し、AD変換期間T2においては制御部70による制御量を、電荷量としてデジタル信号で出力する。
【0033】
二値化期間T1においては制御部70による制御を行わないので、同じく入力された電荷量に応じて比較器60に入力される電圧信号Vのレベルが変動するが、比較器60は、基準電圧VBIに対して比較を行い、その比較結果を二値化信号として出力し、この二値化信号は二値化結果記憶部BINLに記憶され、しかる後、二値化結果記憶部BINLから出力される。なお、変換部50は、入力信号を相関二重サンプリング(CDS)しながら出力するCDS回路としても機能している。
【0034】
ここで、5つの回路列のうちの1つの回路列MAINの構成について、更に詳説する。なお、他の回路列の構成は、この回路列と同一である。また、上記実施形態では、複数のホトダイオード水平列毎に対応して複数の回路列を設けた例を説明したが、これは1つの回路列MAINに各ホトダイオード水平列の出力を順番に入力することとしてもよい。
【0035】
図3は、センサ1及び1つの回路列MAINの回路構成図である。
【0036】
チャージアンプ30は積分回路を構成しており、出力端子OUTから出力された電流信号が入力され、その電流信号を積分して電圧信号を出力端子に出力する。チャージアンプ30は、オペアンプ31、容量素子32及びリセット用のスイッチ素子33を備えている。オペアンプ31は、非反転入力端子(+)が固定電位に接続され、反転入力端子(−)に電流信号を入力する。容量素子32は、オペアンプ31の反転入力端子と出力端子との間に並列に設けられ、入力した電流信号、すなわち電荷を蓄える。スイッチ素子33は、オペアンプ31の反転入力端子と出力端子との間に設けられ、開いているときには容量素子32に電荷の蓄積を行わせ、閉じているときには容量素子32における電荷蓄積をリセットする。
【0037】
チャージアンプ30の出力は変換部50に入力される。変換部50は、容量素子51、オペアンプ52、可変容量部53及びリセット用のスイッチ素子54を備えている。容量素子51は、チャージアンプ30の出力端子と増幅器52の反転入力端子との間に設けられている。オペアンプ52の非反転入力端子は固定電位に接続され、反転入力端子に容量素子51からの電圧信号が入力する。可変容量部53は、容量が可変であって制御可能であり、オペアンプ52の反転入力端子と出力端子との間に設けられ、入力した電圧信号に応じて電荷を蓄える。スイッチ素子54は、オペアンプ52の反転入力端子と出力端子との間に設けられ、開いているときには可変容量部53に電荷の蓄積を行わせ、閉じているときには可変容量部53における電荷蓄積をリセットする。変換部50は入力された電圧信号を可変容量部50の容量に応じて積分し、積分した結果である積分信号を電圧信号Vとして出力する。
【0038】
比較器60は、変換部50から出力された積分信号を反転入力端子に入力し、非反転入力端子が上記基準電位Vrefに設定されており、積分信号Vの値と基準電位Vrefとを大小比較して、その大小比較の結果である比較結果信号を出力する。
【0039】
容量制御部70は、比較器60から出力された比較結果信号を入力し、この比較結果信号に基づいて可変容量部53の容量を制御する容量指示信号Cを出力するとともに、この比較結果信号に基づいて積分信号の値と基準電位Vrefとが所定の分解能で一致していると判断した場合に可変容量部53の容量に応じた第1のデジタル信号を上述の制御量として出力する。なお、容量制御部70の後段側に変換部50のオフセット値を除去するための読み出し部を設けても良い。
【0040】
変換部50、比較器60、容量制御部70を1組として信号処理部100が構成される。信号処理部100は、オフセット誤差を除去するCDS機能、及び、アナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換機能を有する。これらの機能を行う変換部50について、更に詳説する。
【0041】
図4は、変換部50の回路構成図であり、これは上述の従来技術に記載されたものと同様であるので、以下、必要に応じて図3を参照しつつ、アンプ30と変換部50の機能について簡単に説明する。
【0042】
ここでは 1/24=16の分解能を有するA/D変換機能を備える回路構成を示し、以下、この回路構成で説明する。可変容量部53は、容量素子C1〜C4、スイッチ素子SW11〜SW14及びスイッチ素子SW21〜SW24を備える。容量素子C1,C2,C3,C4のそれぞれと、スイッチ素子SW11,SW12,SW13,SW14のそれぞれは、互いに縦続接続されて、増幅器52の反転入力端子と出力端子との間に並列に設けられている。スイッチ素子SW21,SW22,SW23,SW24のそれぞれは、容量素子C11,C12,C13,C14とスイッチ素子SW11,SW12,SW13,SW14の接続点のそれぞれと、接地電位との間に設けられている。
【0043】
スイッチ素子SW11〜SW14それぞれは、容量制御部70から出力された容量指示信号CのC11〜C14の値に応じて開閉する。スイッチ素子SW21〜SW24それぞれは、容量制御部70から出力された容量指示信号CのC21〜C24の値に応じて開閉する。容量素子C1〜C4の容量値C1〜C4は、以下の関係を満たす。
C1=2×C2=4×C3=8×C4
C1+C2+C3+C4=C0
ホトダイオードPDからの信号が入力されない状態として、チャージアンプ30のスイッチ素子33を閉じることにより、チャージアンプ30をリセット状態とする。変換部50のスイッチ素子54を閉じることにより変換部50をリセット状態とする。また、変換部50のスイッチ素子SW11〜SW14をそれぞれを閉じ、スイッチ素子SW21〜SW24それぞれを開くことにより、可変容量部53の容量値をC0に設定する。そして、この状態で、チャージアンプ30のスイッチ素子33を開くことにより、チャージアンプ30での積分動作を可能にする。この時点で、スイッチ素子33の寄生容量の作用により、チャージアンプ30にはスイッチングノイズとなるオフセット電圧が発生する。
【0044】
スイッチ素子33を開いた時刻から僅かな時間ΔTdだけ遅れて、スイッチ素子54を開く。これにより、積分回路50の出力端子には、チャージアンプ30のオフセットレベルが除去された形で、この後に発生する光電荷分に応じただけの電圧レベルが相対的に変化する。すなわち、いわゆるCDS(相関二重サンプリング、Correlated Double Sampling)作用が生じる。
【0045】
ホトダイオード垂直列121のスイッチ素子FETのみを接続すると、このホトダイオードPDに蓄積された電荷は、電流信号となってチャージアンプ30に入力し、チャージアンプ30により積分され、変換部50に入力される。変換部50の容量素子51に入力する電圧信号は、チャージアンプ30での光電荷量に応じた出力電圧変化分だけ変動し、その電圧変動分と可変容量部53の容量値C0に応じた電荷Qが可変容量部53に流入する。
【0046】
引き続き、容量制御部70は、可変容量部53のスイッチ素子SW12〜SW14を開いた後、スイッチ素子SW22〜SW24を閉じる。この結果、可変容量部53の容量値はC1となり、変換部50から出力される積分信号の値Vは、V=Q/C1となる。この積分信号は、比較器60に入力し、その値が基準電位Vrefと大小比較される。
【0047】
もし、V>Vrefであれば、この比較結果を受けて容量制御部70は、更に、可変容量部53のスイッチ素子SW22を開いた後に、スイッチ素子SW12を閉じる。この結果、可変容量部53の容量値はC1+C2となり、変換部50から出力される積分信号の値Vは、V=Q/(C1+C2)となる。この積分信号は、比較器60に入力し、その値が基準電位Vrefと大小比較される。
【0048】
また、V<Vref であれば、この比較結果を受けて容量制御部70は、更に、可変容量部53のスイッチ素子SW11及びSW22を開いた後に、スイッチ素子SW12及びSW21を閉じる。この結果、可変容量部53の容量値はC2となり、変換部50から出力される積分信号の値Vは、V=Q/C2となる。この積分信号は、比較器60に入力し、その値が基準電位Vrefと大小比較される。
【0049】
以後、同様にして、変換部50、比較器60及び容量制御部70からなるフィードバックループにより、積分信号の値Vと基準電位Vrefとが所定の分解能で一致していると容量制御部70により判断されるまで、可変容量部53の容量値の設定及び積分信号の値と基準電位Vrefとの大小比較を繰り返す。容量制御部70は、このようにして可変容量部53の容量素子C1〜C4の全てについて容量制御を終了すると、可変容量部53の最終的な容量値に応じたデジタル信号を読み出し部に向けて出力し、読み出し部では、容量制御部70から出力されたデジタル信号をフォトダイオード列のアドレスに応じてデータ入力し、記憶素子のそのアドレスに記憶されているデジタルデータを、本実施形態に係る固体撮像装置の光検出信号として出力する。
【0050】
一列目のホトダイオードPDが、蓄積した電荷を放出しきったと推定される時間を見計らって、これに接続されたスイッチ素子FETを開き、以降、同様に垂直ホトダイオード列の接続・切断を繰り返しながら信号を読み出していく。
【0051】
変換部50の可変容量部53の構成は、図4に示された回路構成に限られるものではなく、従来から知られる他の回路構成であってもよい。
【0052】
また、上記光電変換素子は、CCD等のように、光の入射に応じて半導体基板表面に形成されたポテンシャル井戸に電荷が蓄積されるタイプのものであってもよい。更に、上記光電変換素子として、光電子増倍管を用いることもできる。
【0053】
【発明の効果】
以上、本発明の信号処理回路によれば、入力されたアナログ信号をデジタル信号に変換すると共に、その2値化を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】センサ1と信号処理回路2のシステム構成図である。
【図2】MOS型イメージセンサ1と信号処理回路2のシステム構成図である。
【図3】センサ1及び1つの回路列MAINの回路構成図である。
【図4】変換部50の回路構成図である。
【符号の説明】
60…比較器、70…制御部、Vref…基準電圧。
Claims (3)
- 入力されたアナログ信号を可変パラメータに基づいて電圧信号に変換する変換部と、
前記電圧信号と基準電圧とが入力される比較器と、
前記比較器の出力に基づいて、前記電圧信号と前記基準電圧とが一致するように前記可変パラメータを制御し、この制御量をデジタル信号として出力する制御部と、
を備える信号処理回路において、
第1期間においては、前記可変パラメータを制御しないで、前記基準電圧は、2値化を行うために前記電圧信号と共に前記比較器に入力されることで、前記比較器からは2値化信号が出力され、
第2期間においては、前記基準電圧は、前記電圧信号と共に前記比較器に入力され、前記制御部は、前記比較器の出力に基づいて、前記電圧信号と前記基準電圧とが一致するように、前記可変パラメータを制御し、この制御量をデジタル信号として出力し、
前記基準電圧は可変であって、前記第1及び第2期間に応じて選択的に切り換えられる、ことを特徴とする信号処理回路。 - 前記パラメータは容量であり、固体撮像素子から出力された電荷又は電圧を前記アナログ信号とし、前記電圧信号は、このアナログ信号を前記容量に応じて変換することによって生成されることを特徴とする請求項1に記載の信号処理回路。
- 前記第2期間内において、前記基準電圧はさらに切換可能とされていることを特徴とする請求項2に記載の信号処理回路。
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