JP2004193536A - プラズマアッシング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空容器内にO2ガスを主体としたプラズマを発生させ、電極上に載置された被処理基板上のレジスト除去を行うプラズマアッシング方法であって、前記電極の温度を100℃以下とし、かつ、2つの処理ステップにて処理を行う場合に、第2ステップのレジスト除去速度を第1ステップの2倍以上となるような条件にて処理を行うことで解決できる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶用トランジスタ素子形成などに利用されるプラズマ処理技術に関し、特に当該デバイス作製の際に使用されるフォトレジスト膜のプラズマアッシング方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、ガラス基板を用いる液晶用TFT形成工程においては、低コスト化、環境負荷低減のため、エッチングやドーピングの際に使用されたフォトレジスト膜のアッシングを、薬液を用いないドライプロセスにて行う動きが高まってきている。
【0003】
しかしながら、エッチングやイオンドーピングに使用されたレジスト表面は変質・硬化しており、完全に除去することは難しく、フルアッシングを行っても基板表面にレジストの残渣が発生し、後工程への悪影響やデバイスそのものの不良を引き起こすという問題がある。
【0004】
そこで、コイルを用いた誘導結合型のICPプラズマ源や、マイクロ波を用いたプラズマ源を使用してより高密度なプラズマを生成し、かつ数種のガスを混合したプラズマを用いたり、複数の処理ステップを用いたりして、レジストの完全除去を達成する方法が提案されてきた(特許文献1及び2など)。
【0005】
上記2つの特許文献に開示された技術は、O2にFを含むガスを添加したプラズマによりレジストをアッシングする第1の工程と、Fを含むガスを用いない第2の工程を有することを特徴としており、これによりエッチングやドーピングによって変質したレジストを完全除去できるというものである。
【0006】
【特許文献1】
特許第2644758号公報
【特許文献2】
特許第2746496号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ガラスなどの誘電体を基板とする液晶プロセスや、半導体分野でもどう配線を用いる場合などは、被処理基板を載置する電極もしくはステージの温度が高すぎると基板のそりや配線の酸化が問題となってしまうため、前記温度として100℃以下のプロセスが要求されているが、上述した従来のレジスト除去方法では、特にFを含むガスを添加しない工程にて著しくレジスト除去速度が低下し、処理タクトの低下が問題となる。
【0008】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、エッチングやドーピング等の前処理により変質したレジスト膜を残渣なくフルアッシングすることが可能で、かつ処理時間を要さないプラズマアッシング方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本願第1の発明に係る請求項1に記載されたプラズマアッシング方法は、真空容器内にO2ガスを主体としたプラズマを発生させ、電極上に載置された被処理基板上のレジスト除去を行うプラズマアッシング方法であって、前記電極の温度を100℃以下とし、かつ、2つの処理ステップにて処理を行う場合に、第2ステップのレジスト除去速度を第1ステップの2倍以上となるような条件にて処理を行うことを特徴とする。
【0010】
このとき好適には、第1ステップは、電極に印加する電力密度が0.115W/cm2以下もしくはゼロとし、かつ第2ステップは前記電力密度が0.115W/cm2以上となる条件にて処理を行うことが望ましい。
【0011】
更に好適には、第1ステップにおいて、O2ガスにCF4ガスをO2ガス流量の5%以下添加することが望ましい。また、第1、第2ステップの処理順を逆としても効果がある。
【0012】
また、本願第2の発明に係る請求項5に記載されたプラズマアッシング方法は、真空容器内にO2ガスを主体としたプラズマを発生させ、電極上に載置された被処理基板上のレジスト除去を行うプラズマアッシング方法であって、前記電極の温度を100℃以下とし、かつ、複数の処理ステップにて処理を行う場合に、第1もしくは最終ステップ以外のステップの中に少なくとも1ステップはレジスト除去速度を第1もしくは最終ステップのどちらかの2倍以上となるような条件にて処理を行うことを特徴とする。
【0013】
このとき好適には、第1もしくは最終ステップは、電極に印加する電力密度がともに0.115W/cm2以下もしくはゼロとし、かつレジスト除去速度が2倍以上となるステップは前記電力密度が0.115W/cm2以上となる条件にて処理を行うことが望ましい。
【0014】
更に好適には、第1もしくは最終ステップにて、O2ガスにCF4ガスをO2ガス流量の5%以下添加することが望ましい。
【0015】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
以下、本願発明の第1の実施形態について図1を用いて説明する。
【0016】
図1に示すように、エッチングやドーピング処理後のレジスト膜を有する被処理基板1を高周波電源2に接続された電極3上に載置し、その後、真空容器4内にガス導入装置5によりO2ガス及びCF4(O2ガス流量の5%以下)を導入して、排気装置6により一定圧力に排気/調圧する。
【0017】
続いて、コイル7に接続された第2の高周波電源8及び第1の高周波電源2に高周波電力を投入することにより、真空容器4内にプラズマを発生させ、被処理基板1のアッシング処理の第1ステップを開始する(高周波電源2に印加する電力は0〜0.115W/cm2)。
【0018】
第1ステップ終了後、高周波電源の投入及びCF4ガスの導入を停止し、再度、真空容器4内を一定圧力に保ったのち、再度、高周波電源2,8により電力を投入してプラズマを発生させ、第1ステップのアッシング処理速度の2倍以上の速度を有する第2のステップを実施し、アッシング処理を完了する(高周波電源2に印加する電力は0.115W/cm2以上)。なお、電極3は冷却装置9に接続されており、100℃以下になるように冷却かつ制御されている。
【0019】
前記処理の際、第1ステップにて添加するCF4ガスをO2流量に対して5%以下とすることで、下地酸化膜のエッチングを防止しつつ、レジスト変質層の有効な除去が図れる。また、第1ステップにおいては被処理基板1を載置する電極3に印加する高周波電力を0.115W/cm2以下としなければレジスト残渣が発生しやすい。さらに、第2のステップにおいて被処理基板1を載置する電極3に印加する高周波電力を0.115W/cm2以上とすることで、第1ステップの2倍以上の処理速度を得ることができ、処理タクトを向上させることが可能となる。
【0020】
また、第1ステップ終了の判断は、事前に第1ステップの処理時間に対するレジスト変質層の除去具合を評価しておき、その結果から変質層の除去が十分と思われる時間だけ処理を実施する方法や、プラズマの発光状態の変化から判断する方法などがある。第2ステップの処理終了の判断も同様である。
【0021】
また、第1ステップ終了後に、高周波電源2,8への電力投入を停止せずにプラズマを維持したままガスのみ交換(この場合はCF4ガスの停止)しても、アッシング状態には影響はなく、さらに処理タクトを向上させることができる。
【0022】
なお、被処理基板の状態(下地膜の種類、前処理の条件等)によっては、上記第1及び第2の処理順を逆としても問題ない。
【0023】
(第2の実施形態)
以下、本願発明の第2の実施形態について説明する。
【0024】
図1に示すように、エッチングやドーピング後のレジスト膜を有する被処理基板1を高周波電源2に接続された電極3上に載置し、その後、真空容器4内にガス導入装置5によりO2ガス及びCF4ガス(O2ガス流量の5%以下)を導入して、排気装置6により一定圧力に排気/調圧する。
【0025】
続いて、コイル7に接続された第2の高周波電源8及び第1の高周波電源2に高周波電力を投入することにより、真空容器4内にプラズマを発生させ、被処理基板1のアッシング処理の第1ステップを開始する(高周波電源2に印加する電力は0〜0.115W/cm2)。
【0026】
第1ステップ終了後、高周波電源の投入及びガスの導入を停止する。その後、最終ステップまでに、少なくとも1ステップは第1ステップもしくは最終ステップのアッシング処理速度の2倍以上の速度を有する中間ステップを実施する(高周波電源2に印加する電力は0.115W/cm2以上)。最終ステップは、第1ステップと同様CF4ガスを5%以下添加してプラズマ処理を行い、アッシングを完了させる。なお、電極3は冷却装置9に接続されており、100℃以下になるように冷却かつ制御されている。
【0027】
前記処理の際、第1ステップもしくは最終ステップにて添加するCF4ガスをO2ガス流量に対して5%以下とすることで、下地酸化膜のエッチングを防止しつつ、レジスト変質層やレジスト残渣の有効な除去が図れる。また、第1ステップもしくは最終ステップにおいては被処理基板1を載置する電極3に印加する高周波電力を0.115W/cm2以下としなければレジスト残渣が発生しやすい。さらに、第2のステップにおいて被処理基板1を載置する電極3に印加する高周波電力を0.115W/cm2以上とすることで、第1ステップもしくは最終ステップの2倍以上の処理速度を得ることができ、処理タクトを向上させることが可能となる。
【0028】
また、第1ステップ終了の判断は、事前に第1ステップの処理時間に対するレジスト変質層の除去具合を評価しておき、その結果から変質層の除去が十分と思われる時間だけ処理を実施する方法や、プラズマの発光状態の変化から判断する方法などがある。中間ステップ及び最終ステップの処理終了の判断も同様である。
【0029】
また、各ステップ終了後に、高周波電源2,8への電力投入を停止せずにプラズマを維持したままガスのみ交換(この場合はCF4ガスの停止)しても、アッシング状態には影響はなく、さらに処理タクトを向上させることができる。
【0030】
以下に、本願発明の第2の実施形態に対する具体的な実施例を説明する。
【0031】
図1に示したような誘導結合型のプラズマを発生させることのできるプラズマ処理装置にて、ガラス基板上の絶縁膜エッチングに使用したレジストのアッシング処理を実施した。
【0032】
処理条件は、下表(表1)に示す通りである。
【0033】
【表1】
【0034】
なお、第1ステップの処理時間は、事前に処理時間に対するレジストの除去状態を評価して最適化した。また第2ステップの処理時間は、プラズマ発光分光により、図2に示すように波形の変化をよみとり、図中Aの時点で停止した。この場合、COの発光波長にて強度測定をしているため、強度が低下したA点では、レジストのアッシング処理がほぼ完了している状態であると考えられる。また第3ステップは、第1ステップと同様に最適化した。
【0035】
上記処理を実施した結果、レジスト残渣なく、かつ処理時間トータル4分を実現した。各ステップのアッシング速度は、第1ステップ及び最終ステップが300nm/min、第2ステップが1000nm/minであった。
【0036】
従来の方法で実施した場合は、下部電極の温度が100℃以下ではCF4ガスの添加を停止した時点でアッシング速度が極端に低下(ほぼゼロ)となってしまうためレジストを完全除去することはできなかった。
【0037】
なお、上記実施例においては、第1ステップと最終ステップを全く同じ条件としたが、レジストの種類や状態によっては、第1もしくは最終ステップのどちらかの処理速度の2倍以上となるように中間ステップを処理速度を設定すれば問題なく、第1ステップと最終ステップが同じ条件でなくても同様の効果が得られる。
【0038】
【発明の効果】
本願第1の発明に係るプラズマアッシング方法によれば、2つの処理ステップにて処理を行う場合に、処理の第2ステップのレジスト除去速度を第1ステップの2倍以上となるような条件にて処理を行うことにより、エッチングやドーピング等の前処理により変質したレジスト膜を残渣なくフルアッシングすることが可能で、かつ処理時間を要さないプラズマアッシングを実現できる。
【0039】
また、本願第2の発明に係るプラズマアッシング方法によれば、複数の処理ステップにて処理を行う場合に、処理の第1もしくは最終ステップ以外のステップの中に少なくとも1ステップはレジスト除去速度を第1もしくは最終ステップの2倍以上となるような条件にて処理を行うことにより、エッチングやドーピング等の前処理により変質したレジスト膜を残渣なくフルアッシングすることが可能で、かつ処理時間を要さないプラズマアッシングを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を説明するプラズマ処理装置の構成図
【図2】本発明の実施形態における各ステップの切り替えタイミングを示すプラズマ発光波形を示す図
【符号の説明】
1 被処理基板
2 高周波電源
3 電極
4 真空容器
5 ガス導入装置
6 排気装置
7 コイル
8 高周波電源
9 冷却装置
Claims (7)
- 真空容器内にO2ガスを主体としたプラズマを発生させ、電極上に載置された被処理基板上のレジスト除去を行うプラズマアッシング方法であって、
前記電極の温度を100℃以下とし、かつ、2つの処理ステップにて処理を行う場合に、第2ステップのレジスト除去速度を第1ステップの2倍以上となるような条件にて処理を行うこと
を特徴とするプラズマアッシング方法。 - 第1ステップは、電極に印加する電力密度が0.115W/cm2以下もしくはゼロとし、かつ第2ステップは前記電力密度が0.115W/cm2以上となる条件にて処理を行うこと
を特徴とする請求項1記載のプラズマアッシング方法。 - 第1ステップにおいて、O2ガスにCF4ガスをO2ガス流量の5%以下添加すること
を特徴とする請求項1または2記載のプラズマアッシング方法。 - 第1ステップと第2ステップの処理の順序を逆とすることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載のプラズマアッシング方法。
- 真空容器内にO2ガスを主体としたプラズマを発生させ、電極上に載置された被処理基板上のレジスト除去を行うプラズマアッシング方法であって、
前記電極の温度を100℃以下とし、かつ、複数の処理ステップにて処理を行う場合に、第1もしくは最終ステップ以外のステップの中に少なくとも1ステップはレジスト除去速度を第1もしくは最終ステップのどちらかの2倍以上となるような条件にて処理を行うこと
を特徴とするプラズマアッシング方法。 - 第1もしくは最終ステップは、電極に印加する電力密度がともに0.115W/cm2以下もしくはゼロとし、かつレジスト除去速度が2倍以上となるステップは前記電力密度が0.115W/cm2以上となる条件にて処理を行うこと
を特徴とする請求項5記載のプラズマアッシング方法。 - 第1もしくは最終ステップにて、O2ガスにCF4ガスをO2ガス流量の5%以下添加すること
を特徴とする請求項5または6記載のプラズマアッシング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003013058A JP4078989B2 (ja) | 2002-10-18 | 2003-01-22 | プラズマアッシング方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002304782 | 2002-10-18 | ||
JP2003013058A JP4078989B2 (ja) | 2002-10-18 | 2003-01-22 | プラズマアッシング方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004193536A true JP2004193536A (ja) | 2004-07-08 |
JP2004193536A5 JP2004193536A5 (ja) | 2006-02-09 |
JP4078989B2 JP4078989B2 (ja) | 2008-04-23 |
Family
ID=32774442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4078989B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006073754A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電気部品の製造方法 |
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KR101233621B1 (ko) * | 2004-09-01 | 2013-02-15 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 전기부품의 제조방법 |
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---|---|
JP4078989B2 (ja) | 2008-04-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051219 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051219 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070410 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070911 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070927 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080115 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080128 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 3 |
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