JPH06260461A - プラズマによる基板表面の洗浄方法 - Google Patents

プラズマによる基板表面の洗浄方法

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JPH06260461A
JPH06260461A JP3338226A JP33822691A JPH06260461A JP H06260461 A JPH06260461 A JP H06260461A JP 3338226 A JP3338226 A JP 3338226A JP 33822691 A JP33822691 A JP 33822691A JP H06260461 A JPH06260461 A JP H06260461A
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デュタルトル ディデ
Daniel Bensahel
ベンサエル ダニエル
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 低温下でのプラズマによる基板洗浄方法を提
供する。 【構成】 別の処理に先立ち、基板の表面をプラズマで
洗浄する方法であって、基板に負の極性を与え、その基
板をアルゴンプラズマにさらす第１の洗浄工程と、基板
表面の十分な洗浄を保証するために、前処理された基板
を水素プラズマにさらす第２の洗浄工程とから構成され
る。エピタクシーをもたらすために、シリコン基板の前
洗浄にこれを適用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的には基板表面の
洗浄或はエッチング方法の技術分野に属し、プラズマに
よる基板表面の洗浄方法に関し、好適に言えば、シリコ
ン基板、特に、層或は沈殿の成長によるシリコン基板表
面の洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコン基板のようなエピタクシーの取
り扱いには、その基板が良質のエピタクシーを得るため
にクリーンな表面をもっていることが要求される。それ
故に、その基板表面に存在する酸素、炭素、その他の不
純物を除去することが必要であると考えられる。
【０００３】前述の好適な場合、即ち、シリコンのエピ
タクシーにおいて、従来より、基板表面の洗浄方法とし
て、約８００〜９００℃の比較的に高温で作用するサー
マルエッチングの利用が提案され、これによって、酸化
シリコンから揮発性物質への変換が行われてきた。
【０００４】これらの、比較的高温で行われる、洗浄方
法は、超大規模集積回路（ＵＬＳＩ）の微細電子部品の
生産には適していない。超高温加熱を用いるとき、基板
の高度なドーピングプロファイルを維持することは全く
不可能である。また、高温を用いることは、ヘテロ構造
やヘテロエピタクシーのような新しい微細電気構造の動
作とは両立するものではない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これらの欠点を解決す
るための試みとして、従来より低温でのそのような洗浄
に効果のあるイオン衝撃を用いることが提案されてき
た。この効果に関しては、アンソニーら（B. ANTHONY e
t al. ）による論文（J. Vac. Sci. Tenhnol., B7,621
ページ, 1989年）が、前記のエッチング機能を保証する
ために水素プラズマの使用を推奨していた。しかし、そ
のようなプラズマでは、シリコン表面上に存在する酸素
を簡単に除去できないことが発見された。さらに、水素
プラズマはケイ酸よりシリコンにはるかに速くエッチン
グを行い、ケイ酸表面のどんな粗さもシリコンに移さ
れ、シリコン上で目立ってしまうという問題点もある。
【０００６】さらにまた、ドナウエら（T.J. DONAHUE e
t al. ）による論文（J.Appl.Phys.57, 2757ページ, 19
85年）やコンフォートら（COMFORT et al.）による論文
（J.Appl. Phys. 62, 3388ページ, 1987年）には、スプ
レイメカニズムに従って作用することが知られているア
ルゴンプラズマの使用を提案している。しかしながら、
アルゴンプラズマの使用はシリコンに欠陥を生じさせる
とともに、基板中へのアルゴンの混入の原因となる高エ
ネルギーをもつイオンの使用を示唆するものである。そ
の結果、アルゴンプラズマは十分に高い温度で用いられ
ることが必要であり、一般にはその後に前記技術によっ
て生み出された全ての欠陥を除去するために約８００℃
程度の比較的高温での熱処理が続く。
【０００７】最後に、ヨウら（TRI-RUNG YEW et al. ）
の論文（J. Appl. Phys. 68, 4681ページ, 1990年）は
約７００℃の温度条件で水素と混合したアルゴンプラズ
マに基板をさらすことを推奨している。
【０００８】このように、従来技術でなされた分析を考
慮すると、エピタクシーや沈殿のような別の取り扱いの
前に組み込まれるべき低温での基板表面の洗浄方法を見
いだす必要があることが理解できる。
【０００９】本発明は上記従来例に鑑みてなされたもの
で、基板表面から全ての不純物を除去し、その結果、後
続するコーティングに良好な条件を与える、低温での、
プラズマによる基板表面の洗浄方法を提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のプラズマによる基板表面の洗浄方法は、以下
の様な工程からなる。即ち、基板を応用して取り扱う前
のプラズマによる基板表面の洗浄方法であって、前記基
板に負の極性を与え、前記基板をアルゴンプラズマにさ
らす第１の洗浄工程と、前記基板の表面の十分な洗浄を
保証するために前記前処理がなされた基板を水素プラズ
マにさらす第２の洗浄工程とを有することを特徴とする
プラズマによる基板表面の洗浄方法を備える。
【００１１】
【実施例】以下添付図面を参照して本発明の好適な実施
例を詳細に説明する。
【００１２】図１は、本発明の代表的な実施例である、
基板、好適には、シリコンの表面を洗浄する方法を応用
して組み込んだ装置を示す図である。本装置、例えば、
ＪＩＰＥＬＥＣ、タイプＦＵＶ４は、多極性のマイクロ
波プラズマを発生するために備えられたプラズマ発生器
２が備えられた密閉容器１を有している。従来から、良
好な均質性をもつプラズマを得るために、多極性の磁気
閉じ込め領域を生成し、局所化されたマイクロ波源を用
いることは可能である。
【００１３】密閉容器１には、また、シリコンボードの
ような基板４を密閉容器１にフィードするフィード装置
３が備えられている。密閉容器１は、また、ガス送り込
み装置５やガスポンピング装置６が備えられ、イオン化
されるガス圧力が所望の値、例えば、１０-1〜１０パス
カル（Ｐａ）が維持される。
【００１４】本実施例での洗浄方法は、アルゴンをチャ
ンバーに供給しプラズマに点火して基板４をアルゴンプ
ラズマにさらす第１工程を有している。この洗浄工程の
間には、基板が何か既知の適切な手段、例えば、基板ホ
ルダの連続的な成極作用のようなもの、によって負の極
性が与えられることが必要である。
【００１５】アルゴンプラズマの機能は、基板表面に存
在する酸素、炭素、その他不純物を取り除くことであ
る。これは、アルゴンプラズマなどに現れるスプレイメ
カニズムによって保証される。イオン分極とそのイオン
エネルギーは、そうした機能を実行するために選択さ
れ、表面の準備、特に、表面のケイ酸の厚さに相対して
調整できる。
【００１６】経験的に、基板は２０〜１００Ｖの電圧範
囲内で負の極性が与えられ、イオンエネルギーは好適に
は、２０〜１００ｅＶになることが示されている。実際
の実験では、５０〜１００ｅＶの範囲で、エネルギーが
約１０15イオン／ｃｍ2 のイオン電流で、約２分間で、
室温での処理が上記の洗浄機能を実行するのに十分であ
ったことが示された。前述の条件で実行された処理は、
５０Åの研磨に相当する。
【００１７】アルゴンプラズマでの処理が基板を加熱す
る手段を用いることなく実行できることは特に顕著な利
点として注目に値する。それ故に、そのような洗浄は室
温或はそれ以下の温度で実行される。
【００１８】本実施例に従うなら、アルゴンプラズマに
よって前処理がなされた基板は第１工程に引き続く第２
の洗浄フェイズで水素プラズマにさらされる。上記の装
置において、チャンバー１のアルゴンを水素に置き換え
ることが必要である。容易に理解されることであるが、
第１の処理工程の後、基板４を密閉容器１と同一な水素
プラズマが生成される別の容器に移すことも可能であ
る。比較的シリコンにエッチングすることが効率的な水
素プラズマによって、アルゴンプラズマの処理によって
影響を受けたシリコン領域の基板からの除去が可能とな
る。この第２工程の実行でも加熱を行う必要がないこと
は利点である。
【００１９】実験は、２分間の室温での水素プラズマで
の基板表面処理が完全に表面を洗浄することを証明し
た。水素プラズマでの、そのような処理は単結晶シリコ
ンの１００Åのエッチングに相当する。
【００２０】好適には、水素プラズマは低エネルギーを
生成する特性をもつため、シリコンの欠陥が形成される
のを防ぐ。例えば、前述のエレクトロンボルト程度にイ
オンエネルギーがセットされるように提案できる。
【００２１】本方法の利点に従うなら、基板はこの第２
洗浄工程において正の極性が与えられる。
【００２２】さて、２つの洗浄工程を結合させると、基
板洗浄の質が十分に良質なものとなる。また、２つの洗
浄工程が低温で実行されることも利点である。低温下で
基板洗浄が可能である本実施例に従う方法に従えば、Ｕ
ＬＳＩタイプのような微細電子部品を生産することが可
能になる。さらに、わずかに選択的な工程で開始され
る、この提案された方法は、わずかに相対的にだけ基板
がうける前処理に依存するだけである。それ故に、その
ような方法は、シリコン基板に広く用いられる。このよ
うにして洗浄されエッチングされた基板４は、特に、リ
アクタ７の中でエピタクシーな沈殿を受けるのに適切な
ものとなる。例えば、そのような沈殿はこうした技術で
は比較的低温度とされる約８００℃の温度で実行され
る。
【００２３】本実施例に従う洗浄方法は、また、室温或
はそれ以下の温度で、従来技術において存在することが
知られているどんな欠点、例えば、１つにはシリコン表
面を粗くするようなシリコンに比較して酸素に対する処
理の非能率性のような欠点、もう１つにはシリコン格子
の中に沈殿するアルゴンの混入のような欠点もなく、基
板表面にエッチングすることを可能にしている。
【００２４】上述の説明では、本発明の好適な実施例の
みが示された。様々な態様が、本明細書に記載の特許請
求の範囲によつてのみ限定される本発明の範囲から逸脱
することなく、当業者には明らかである。それ故に、本
発明はここで示され説明された実施例のみに限定される
ものではない。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、何
の加熱工程を用いることなく、第１及び第２の洗浄工程
が実行される効果がある。また、２０〜１００Ｖの電圧
範囲内で、第１洗浄工程の間に基板に負の極性を与える
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の代表的な実施例である洗浄方法を組み
込んだ装置を示す図である。
【符号の説明】 １ 密閉容器 ２ プラズマ発生器 ３ フィード装置 ４ 基板 ５ ガス送り込み装置 ６ ガスポンピング装置 ７ リアクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダニエル ベンサエル フランス国 グレノーブル 38000 ルー コルベルト， ６ (72)発明者 ジョルジュ エル． レゴリニ フランス国 メラン 38240 ルー シャ ン ロシャ， 10

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板を応用して取り扱う前のプラズマに
    よる基板表面の洗浄方法であって、 前記基板に負の極性を与え、前記基板をアルゴンプラズ
    マにさらす第１の洗浄工程と、 前記基板の表面の十分な洗浄を保証するために前記前処
    理がなされた基板を水素プラズマにさらす第２の洗浄工
    程とを有することを特徴とするプラズマによる基板表面
    の洗浄方法。
  2. 【請求項２】 加熱が行われることなく前記第１の洗浄
    工程と前記第２の洗浄工程とが実行されることを特徴と
    する請求項第１項に記載のプラズマによる基板表面の洗
    浄方法。
  3. 【請求項３】 前記第１の洗浄工程が実行中、２０〜１
    ００Ｖの電圧範囲内で前記基板に負の極性を与えること
    を特徴とする請求項第１項に記載のプラズマによる基板
    表面の洗浄方法。
  4. 【請求項４】 前記基板を２０〜１００ｅＶのイオンエ
    ネルギーをもつアルゴンプラズマにさらすことを特徴と
    する請求項第１項に記載のプラズマによる基板表面の洗
    浄方法。
  5. 【請求項５】 前記基板を２０〜１００ｅＶのイオンエ
    ネルギーをもつ水素プラズマにさらすことを特徴とする
    請求項第１項に記載のプラズマによる基板表面の洗浄方
    法。
  6. 【請求項６】 前記第２の洗浄工程では、前記基板に正
    の極性を与えることを特徴とする請求項第１項に記載の
    プラズマによる基板表面の洗浄方法。
  7. 【請求項７】 前記第１及び第２の洗浄工程は２つの異
    なるチャンバーの中で実行されることを特徴とする請求
    項第１項に記載のプラズマによる基板表面の洗浄方法。
JP3338226A 1990-12-20 1991-12-20 プラズマによる基板表面の洗浄方法 Withdrawn JPH06260461A (ja)

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FR9016385 1990-12-20

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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5470768A (en) 1992-08-07 1995-11-28 Fujitsu Limited Method for fabricating a thin-film transistor
DE4308990A1 (de) * 1993-03-20 1994-09-22 Bosch Gmbh Robert Ätzverfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Halbleiterelementen, insbesondere Leistungsdioden
US5385864A (en) * 1993-05-28 1995-01-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor thin film and a Hall-effect device
US5423918A (en) * 1993-09-21 1995-06-13 Applied Materials, Inc. Method for reducing particulate contamination during plasma processing of semiconductor devices
US5882423A (en) * 1994-02-03 1999-03-16 Harris Corporation Plasma cleaning method for improved ink brand permanency on IC packages
DE4414263C2 (de) * 1994-04-23 2000-07-06 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Verdampfer zur plasmachemischen Reinigung von Substraten
DE4430990C2 (de) * 1994-08-31 2002-10-24 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Reinigung der Rückseite eines Chips sowie der Oberfläche von nach außen freiliegenden Teilen der aus dem Chip und einem Träger bestehenden Anordnung
US5833758A (en) * 1995-02-07 1998-11-10 Harris Corporation Method for cleaning semiconductor wafers to improve dice to substrate solderability
US5674357A (en) * 1995-08-30 1997-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor substrate cleaning process
KR100440418B1 (ko) 1995-12-12 2004-10-20 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 저압,저온의반도체갭충전처리방법
KR19980064441A (ko) * 1996-12-20 1998-10-07 윌리엄비.켐플러 전도물질을 반도체 소자 표면에 선택적으로 결합시키는 방법
US5980768A (en) * 1997-03-07 1999-11-09 Lam Research Corp. Methods and apparatus for removing photoresist mask defects in a plasma reactor
US6432751B1 (en) * 1997-04-11 2002-08-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Resin mold electric part and producing method therefor
EP0898345A3 (en) * 1997-08-13 2004-01-02 Mitsubishi Chemical Corporation Compound semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
US6074895A (en) 1997-09-23 2000-06-13 International Business Machines Corporation Method of forming a flip chip assembly
US6799076B2 (en) 1999-12-07 2004-09-28 Greatbatch-Hittman, Inc. Coated electrode and method of making a coated electrode
KR100580584B1 (ko) * 2004-05-21 2006-05-16 삼성전자주식회사 리모트 플라즈마 발생 튜브의 표면 세정 방법과 이를이용하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US7780862B2 (en) * 2006-03-21 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Device and method for etching flash memory gate stacks comprising high-k dielectric
US8722547B2 (en) * 2006-04-20 2014-05-13 Applied Materials, Inc. Etching high K dielectrics with high selectivity to oxide containing layers at elevated temperatures with BC13 based etch chemistries
US8487440B2 (en) * 2010-07-09 2013-07-16 Infineon Technologies Ag Backside processing of semiconductor devices
US9553016B2 (en) 2010-07-09 2017-01-24 Infineon Technologies Ag Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof
KR20140061691A (ko) * 2012-11-14 2014-05-22 삼성전자주식회사 웨이퍼 홀더 클리닝 장치 및 이를 구비하는 성막 시스템
US20160068957A1 (en) * 2013-04-12 2016-03-10 Haydn N.G. Wadley Corrosion resistant metal and metal alloy coatings containing supersaturated concentrations of corrosion inhibiting elements and methods and systems for making the same
JP6667410B2 (ja) * 2016-09-29 2020-03-18 東京エレクトロン株式会社 ハードマスクおよびその製造方法
US10544519B2 (en) 2017-08-25 2020-01-28 Aixtron Se Method and apparatus for surface preparation prior to epitaxial deposition

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4555612A (en) * 1983-10-17 1985-11-26 General Electric Co. Plasma jet cleaning apparatus and method
KR940000906B1 (ko) * 1988-11-21 1994-02-04 가부시키가이샤 도시바 반도체장치의 제조방법
US4923828A (en) * 1989-07-07 1990-05-08 Eastman Kodak Company Gaseous cleaning method for silicon devices
US5043299B1 (en) * 1989-12-01 1997-02-25 Applied Materials Inc Process for selective deposition of tungsten on semiconductor wafer

Also Published As

Publication number Publication date
US5252181A (en) 1993-10-12
EP0493278A1 (fr) 1992-07-01
FR2670693B1 (fr) 1993-04-16
FR2670693A1 (fr) 1992-06-26

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