JP2000031126A - レジストの除去方法 - Google Patents
レジストの除去方法Info
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- JP2000031126A JP2000031126A JP10200965A JP20096598A JP2000031126A JP 2000031126 A JP2000031126 A JP 2000031126A JP 10200965 A JP10200965 A JP 10200965A JP 20096598 A JP20096598 A JP 20096598A JP 2000031126 A JP2000031126 A JP 2000031126A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薬液によってアッシング残渣を除く工程を用
いることなく、アッシングのみによって高いスループッ
トで行えるレジスト除去方法を提供する 【解決手段】 真空チャンバ内に酸素ガスを導入し基板
を載せるステージに高周波電圧を印加することにより酸
素プラズマを生成し該プラズマ中でレジストを有する基
板のレジストのアッシングを行った後に、同じ真空チャ
ンバ内に酸素ガスに微量のフッ素系ガスの添加された混
合ガスを導入し、マイクロ波ないしは高周波電磁界によ
り該混合ガスのプラズマを生成しダウンフローによって
残ったレジストおよび残渣を選択的にアッシングして除
去する。
いることなく、アッシングのみによって高いスループッ
トで行えるレジスト除去方法を提供する 【解決手段】 真空チャンバ内に酸素ガスを導入し基板
を載せるステージに高周波電圧を印加することにより酸
素プラズマを生成し該プラズマ中でレジストを有する基
板のレジストのアッシングを行った後に、同じ真空チャ
ンバ内に酸素ガスに微量のフッ素系ガスの添加された混
合ガスを導入し、マイクロ波ないしは高周波電磁界によ
り該混合ガスのプラズマを生成しダウンフローによって
残ったレジストおよび残渣を選択的にアッシングして除
去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細加工を行った
基板の製造における、プラズマを利用した基板上のレジ
ストの除去方法に関する。
基板の製造における、プラズマを利用した基板上のレジ
ストの除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路や液晶パネルのＴＦＴア
レイ基板などの製造工程において、ドライエッチングを
終えた後のレジストの剥離除去には、酸素ガスプラズマ
によるアッシングが用いられている。アッシング工程に
おいては、スループットを高めつつも、残渣を残さずに
完全にレジストを剥離することが、工程歩留まりを確保
する上できわめて大切な点である。最近ではこうした点
に関して、基板面の大面積化やパターンの高精細化に対
応したアッシング技術の高度化が強く望まれている。
レイ基板などの製造工程において、ドライエッチングを
終えた後のレジストの剥離除去には、酸素ガスプラズマ
によるアッシングが用いられている。アッシング工程に
おいては、スループットを高めつつも、残渣を残さずに
完全にレジストを剥離することが、工程歩留まりを確保
する上できわめて大切な点である。最近ではこうした点
に関して、基板面の大面積化やパターンの高精細化に対
応したアッシング技術の高度化が強く望まれている。
【０００３】基板上のレジストは、ドライエッチングな
どのプラズマ処理工程を経ることにより架橋されるなど
して、少なからず変質し、アッシングに時間を要するよ
うになる。このため液晶パネル基板のように、基板の面
積が大きく、しかもプラズマ処理工程を経たものは、ア
ッシングによる基板上のレジスト剥離除去のスループッ
トが低くなってしまうという問題がある。
どのプラズマ処理工程を経ることにより架橋されるなど
して、少なからず変質し、アッシングに時間を要するよ
うになる。このため液晶パネル基板のように、基板の面
積が大きく、しかもプラズマ処理工程を経たものは、ア
ッシングによる基板上のレジスト剥離除去のスループッ
トが低くなってしまうという問題がある。
【０００４】そこで、例えば液晶パネルのＴＦＴアレイ
基板の製造においては、酸素ガスプラズマによるアッシ
ングを軽く行った後に、薬液処理を行ってレジストを剥
離除去する方法が用いられており、この薬液処理を併用
することによってレジスト剥離除去時間の短縮が図られ
ている。
基板の製造においては、酸素ガスプラズマによるアッシ
ングを軽く行った後に、薬液処理を行ってレジストを剥
離除去する方法が用いられており、この薬液処理を併用
することによってレジスト剥離除去時間の短縮が図られ
ている。
【０００５】しかしながら、薬液処理は薬液および廃液
処理のコストが高いという問題点があり、しかも薬液処
理はウエットプロセスであるため、ドライプロセスの間
にウエットプロセスを入れることになって、工程上も望
ましくない。従ってドライプロセスだけを用いて、高い
スループットで行えるレジスト剥離除去方法が望まれ
る。
処理のコストが高いという問題点があり、しかも薬液処
理はウエットプロセスであるため、ドライプロセスの間
にウエットプロセスを入れることになって、工程上も望
ましくない。従ってドライプロセスだけを用いて、高い
スループットで行えるレジスト剥離除去方法が望まれ
る。
【０００６】従来、酸素ガスプラズマによって、アッシ
ングレートを高め、１μｍ／分以上のアッシングレート
を得る方法としては、次の３つの方法が知られている。
ングレートを高め、１μｍ／分以上のアッシングレート
を得る方法としては、次の３つの方法が知られている。
【０００７】１）基板の温度を２００℃程度まで上げ
る。
る。
【０００８】２）酸素ガスにフッ素系ガスを微量添加す
る。
る。
【０００９】３）基板ステージに高周波電圧を印加して
プラズマを発生させ、自己バイアスを有する状態でアッ
シングする。
プラズマを発生させ、自己バイアスを有する状態でアッ
シングする。
【００１０】ところが、上記１）の方法において基板の
温度を２００℃程度まで上昇させるには、熱伝導率の比
較的小さい基板に対して長時間の昇温時間および降温時
間を必要とすることになるので、アッシングレートその
ものは高まるとしても、工程としてのスループットを高
めることができない。しかも加熱によって大面積の基板
が熱変形を起しやすいという問題もある。
温度を２００℃程度まで上昇させるには、熱伝導率の比
較的小さい基板に対して長時間の昇温時間および降温時
間を必要とすることになるので、アッシングレートその
ものは高まるとしても、工程としてのスループットを高
めることができない。しかも加熱によって大面積の基板
が熱変形を起しやすいという問題もある。
【００１１】また２）の方法において酸素ガスにフッ素
系ガスを微量添加する場合は、選択比が有限であって、
レジストと同時に下地も少し削られてしまうために、デ
バイスの性能に望ましくない影響を及ぼしてしまうとい
う問題がある。
系ガスを微量添加する場合は、選択比が有限であって、
レジストと同時に下地も少し削られてしまうために、デ
バイスの性能に望ましくない影響を及ぼしてしまうとい
う問題がある。
【００１２】さらに３）の基板ステージに高周波電圧を
印加してプラズマを発生させる方法によれば、下地との
選択性が無限大であってレジストだけを剥離除去するこ
とができる。しかしエッチング後の生成物やレジストの
変質層がアッシング後に残渣として残ってしまうため、
この方法だけで剥離除去を完了させることができない。
このため、例えば薬液処理のような追加の工程が必要と
なるという問題がある。 従って上記の３つの方法はい
ずれもアッシングレートを高めることはできるものの、
それぞれに問題を有しており、レジストの剥離除去方法
として満足できるものではない。
印加してプラズマを発生させる方法によれば、下地との
選択性が無限大であってレジストだけを剥離除去するこ
とができる。しかしエッチング後の生成物やレジストの
変質層がアッシング後に残渣として残ってしまうため、
この方法だけで剥離除去を完了させることができない。
このため、例えば薬液処理のような追加の工程が必要と
なるという問題がある。 従って上記の３つの方法はい
ずれもアッシングレートを高めることはできるものの、
それぞれに問題を有しており、レジストの剥離除去方法
として満足できるものではない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来技術の
問題点に鑑み、本発明はアッシングによって高いスルー
プットで行えるレジスト除去方法を提供するものであ
る。
問題点に鑑み、本発明はアッシングによって高いスルー
プットで行えるレジスト除去方法を提供するものであ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のレジストの除去
方法は、上部にマイクロ波または高周波電力導入部を配
置し、基板配置部に近接して高周波電極を配置してなる
プラズマアッシング装置内にレジストが被着された基板
を配置する工程と、前記アッシング装置にアッシングガ
スを導入しつつ前記基板配置部に近接した高周波電極に
高周波電力を供給して前記アッシングガスのプラズマを
発生させ前記基板に対しアッシング処理する第一のアッ
シング工程と、前記アッシング装置内に前記アッシング
ガスにプロモートガスを混合した混合ガスを導入しつ
つ、前記マイクロ波または高周波導入部からマイクロ波
または高周波電力を導入して前記混合ガスのプラズマを
発生させ、前記基板にダウンフローを行って、前記基板
に対しアッシング処理する第二のアッシング工程とを有
することを特徴とするレジストの除去方法である。
方法は、上部にマイクロ波または高周波電力導入部を配
置し、基板配置部に近接して高周波電極を配置してなる
プラズマアッシング装置内にレジストが被着された基板
を配置する工程と、前記アッシング装置にアッシングガ
スを導入しつつ前記基板配置部に近接した高周波電極に
高周波電力を供給して前記アッシングガスのプラズマを
発生させ前記基板に対しアッシング処理する第一のアッ
シング工程と、前記アッシング装置内に前記アッシング
ガスにプロモートガスを混合した混合ガスを導入しつ
つ、前記マイクロ波または高周波導入部からマイクロ波
または高周波電力を導入して前記混合ガスのプラズマを
発生させ、前記基板にダウンフローを行って、前記基板
に対しアッシング処理する第二のアッシング工程とを有
することを特徴とするレジストの除去方法である。
【００１５】本発明のレジストの除去方法においては、
前記第一のアッシング工程において、前記基板配置部に
近接した高周波電極に高周波電力を供給してプラズマを
発生させるとともに、前記マイクロ波または高周波導入
部からマイクロ波または高周波電力を導入してプラズマ
を発生させ、基板へのダウンフローを合わせて行うこと
により、アッシングレートを高めることができる。
前記第一のアッシング工程において、前記基板配置部に
近接した高周波電極に高周波電力を供給してプラズマを
発生させるとともに、前記マイクロ波または高周波導入
部からマイクロ波または高周波電力を導入してプラズマ
を発生させ、基板へのダウンフローを合わせて行うこと
により、アッシングレートを高めることができる。
【００１６】本発明において、アッシングガス、即ちプ
ラズマ状態においてレジストを選択的に剥離除去するガ
スとしては、例えば酸素ガスが好まく用いられる。
ラズマ状態においてレジストを選択的に剥離除去するガ
スとしては、例えば酸素ガスが好まく用いられる。
【００１７】また、本発明においてプロモートガス、即
ちアッシングを促進するガスとしては、例えばフッ素系
ガスが好まく用いられる。
ちアッシングを促進するガスとしては、例えばフッ素系
ガスが好まく用いられる。
【００１８】また、本発明において、基板配置部に近接
した高周波電極として、基板ステージを用いることがで
きる。
した高周波電極として、基板ステージを用いることがで
きる。
【００１９】本発明のレジストの除去方法の一実施形態
を示すプラズマアッシング装置の模式的断面図を図１に
示す。図１において記号１は真空チャンバ、２は基板ス
テージ、３は基板、４はマイクロ波透過窓、５はガス導
入口、６は高周波発生源、７はマイクロ波導波管、そし
て８は排気口である。
を示すプラズマアッシング装置の模式的断面図を図１に
示す。図１において記号１は真空チャンバ、２は基板ス
テージ、３は基板、４はマイクロ波透過窓、５はガス導
入口、６は高周波発生源、７はマイクロ波導波管、そし
て８は排気口である。
【００２０】図１のプラズマアッシング装置において、
ステージ２にプラズマエッチング処理を終えてレジスト
の付いた基板３を載せる。基板の温度はステージ２の保
有する基板温度制御機構によって所定の温度範囲に保つ
ことができる。基板の温度を所定の温度範囲に保つこと
によって、液晶パネル基板のように面積が大きく、しか
も変形の生じ易い基板を変形させることなく、アッシン
グによりレジストの剥離除去を行うことができる。
ステージ２にプラズマエッチング処理を終えてレジスト
の付いた基板３を載せる。基板の温度はステージ２の保
有する基板温度制御機構によって所定の温度範囲に保つ
ことができる。基板の温度を所定の温度範囲に保つこと
によって、液晶パネル基板のように面積が大きく、しか
も変形の生じ易い基板を変形させることなく、アッシン
グによりレジストの剥離除去を行うことができる。
【００２１】このプラズマアッシング装置にガス導入口
４より酸素ガスを導入して適当な酸素圧とし、これに基
板ホルダーに接続された高周波電源６より電力を投入し
て酸素プラズマを発生させ、基板上のレジストのアッシ
ングを行う。この際、上部のマイクロ波導波管７よりマ
イクロ波電力をマイクロは透過窓４を通じて投入し、酸
素ガスのプラズマを発生させ、基板上にダウンフローさ
せることを合わせて行うことができる。
４より酸素ガスを導入して適当な酸素圧とし、これに基
板ホルダーに接続された高周波電源６より電力を投入し
て酸素プラズマを発生させ、基板上のレジストのアッシ
ングを行う。この際、上部のマイクロ波導波管７よりマ
イクロ波電力をマイクロは透過窓４を通じて投入し、酸
素ガスのプラズマを発生させ、基板上にダウンフローさ
せることを合わせて行うことができる。
【００２２】アッシング時間は、例えば発光分光を用い
てアッシングの終点検出を行うことができ、終点よりさ
らに時間を所定時間延長して行うことができる。
てアッシングの終点検出を行うことができ、終点よりさ
らに時間を所定時間延長して行うことができる。
【００２３】次に酸素ガスに微量のフッ素系ガス、例え
ばＣＦ4 ガスを加えた混合ガスをガス導入口５から導入
し、上部のマイクロ波導波管７よりマイクロ波電力をマ
イクロは透過窓４を通じて投入し、混合ガスのプラズマ
を発生させ、ダウンフローによって基板に残されたレジ
ストおよびその残渣の除去を行う。
ばＣＦ4 ガスを加えた混合ガスをガス導入口５から導入
し、上部のマイクロ波導波管７よりマイクロ波電力をマ
イクロは透過窓４を通じて投入し、混合ガスのプラズマ
を発生させ、ダウンフローによって基板に残されたレジ
ストおよびその残渣の除去を行う。
【００２４】本発明は図２に示すプラズマアッシング装
置の模式的断面図のように、シャワーヘッド９を設けて
プラズマイオンの基板への到達を防ぐことができる。
置の模式的断面図のように、シャワーヘッド９を設けて
プラズマイオンの基板への到達を防ぐことができる。
【００２５】さらに図３および図４に示すように、図１
および図２のマイクロ波源およびマイクロ波導波管の代
わりに高周波電源を接続し、プラズマ発生電力のマイク
ロ波を高周波におき換えることができる。図３および図
４において、１０は真空チャンバ、１１は基板ステー
ジ、１２は基板、１３は誘電体、１４はガス導入口、１
５は高周波発生源、１６は排気口、１７は誘導コイル、
１８は高周波発生源、そして１９はシャワーヘッドであ
る。
および図２のマイクロ波源およびマイクロ波導波管の代
わりに高周波電源を接続し、プラズマ発生電力のマイク
ロ波を高周波におき換えることができる。図３および図
４において、１０は真空チャンバ、１１は基板ステー
ジ、１２は基板、１３は誘電体、１４はガス導入口、１
５は高周波発生源、１６は排気口、１７は誘導コイル、
１８は高周波発生源、そして１９はシャワーヘッドであ
る。
【００２６】本発明においては、先のアッシング工程で
基板ステージに高周波電圧を印加して酸素プラズマを発
生させるので、自己バイアスにより、基板にはバイアス
電圧がかかるため、高いレートでレジストを除去するこ
とができる。そして有機物に対し選択性の高い酸素プラ
ズマを用いることにより、下地膜との選択比は無限大に
することができる。
基板ステージに高周波電圧を印加して酸素プラズマを発
生させるので、自己バイアスにより、基板にはバイアス
電圧がかかるため、高いレートでレジストを除去するこ
とができる。そして有機物に対し選択性の高い酸素プラ
ズマを用いることにより、下地膜との選択比は無限大に
することができる。
【００２７】また本発明においては、後のアッシング工
程においては、先のアッシング工程で大部分のレジスト
を除いているので、後のアッシング工程においては、残
ったレジストと残渣の剥離除去はわずかであって、あま
り多くのアッシングを必要とせず、しかもダウンフロー
アッシングを行うのでアッシングレートを低めることが
できる。このため、アッシング時間を選んで残ったレジ
ストと残渣の剥離除去が十分であって、しかも下地膜な
どの削れ量は微量で問題のない範囲にとどめることが容
易に行える。
程においては、先のアッシング工程で大部分のレジスト
を除いているので、後のアッシング工程においては、残
ったレジストと残渣の剥離除去はわずかであって、あま
り多くのアッシングを必要とせず、しかもダウンフロー
アッシングを行うのでアッシングレートを低めることが
できる。このため、アッシング時間を選んで残ったレジ
ストと残渣の剥離除去が十分であって、しかも下地膜な
どの削れ量は微量で問題のない範囲にとどめることが容
易に行える。
【００２８】本発明の後のアッシング工程において酸素
ガスに混入させるフッ素系ガスとして、ＣＦ4 のほか、
例えばＣ2 Ｆ6 などの炭化物や、ＮＦ3 など非炭化物ガ
スを使用することができる。そして酸素に対するフッ素
系ガスの混入率は好ましくは０．１〜１０モル％、より
好ましくは０．５〜１０モル％の範囲である。
ガスに混入させるフッ素系ガスとして、ＣＦ4 のほか、
例えばＣ2 Ｆ6 などの炭化物や、ＮＦ3 など非炭化物ガ
スを使用することができる。そして酸素に対するフッ素
系ガスの混入率は好ましくは０．１〜１０モル％、より
好ましくは０．５〜１０モル％の範囲である。
【００２９】次に本発明の作用を述べる。
【００３０】本発明におけるレジスト除去は、先のアッ
シング工程でプラズマアッシング装置内の基板に近い高
周波電極に高周波電圧を印加して亜アッシングガスのプ
ラズマを形成し、基板にバイアス電圧の加わった状態で
レジストに対し選択的に作用するプラズマによるアッシ
ングを行うので、高いアッシングレートでほとんど全部
のレジストを選択的にアッシングして除去することがで
きる。
シング工程でプラズマアッシング装置内の基板に近い高
周波電極に高周波電圧を印加して亜アッシングガスのプ
ラズマを形成し、基板にバイアス電圧の加わった状態で
レジストに対し選択的に作用するプラズマによるアッシ
ングを行うので、高いアッシングレートでほとんど全部
のレジストを選択的にアッシングして除去することがで
きる。
【００３１】そして後のアッシング工程ではアッシング
ガスにプロモートガスを微量含有させてプラズマを発生
させダウンフローすることにより、残ったレジストおよ
び残渣に対し作用させることができる。そして残ったレ
ジストおよび残渣はわずかであるためアッシング量は少
なく、しかもプラズマを直接に基板に当てるのではな
く、ダウンフローを行うことによってアッシングレート
を低くすることができるので、アッシング時間を選部こ
とによって、残ったレジストおよび残渣の剥離除去を十
分に行う一方、下地膜などの削れ量は全く問題にならな
いごくわずかな量にとどめることができる。
ガスにプロモートガスを微量含有させてプラズマを発生
させダウンフローすることにより、残ったレジストおよ
び残渣に対し作用させることができる。そして残ったレ
ジストおよび残渣はわずかであるためアッシング量は少
なく、しかもプラズマを直接に基板に当てるのではな
く、ダウンフローを行うことによってアッシングレート
を低くすることができるので、アッシング時間を選部こ
とによって、残ったレジストおよび残渣の剥離除去を十
分に行う一方、下地膜などの削れ量は全く問題にならな
いごくわずかな量にとどめることができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を実施
例に基づき詳細に説明する。
例に基づき詳細に説明する。
【００３３】（実施例１）図１のプラズマアッシング装
置において、ステージ２にプラズマエッチング処理を終
えてレジストの付いた基板３を載せ、基板温度をステー
ジ２の基板温度制御機構によって２５℃に保った。この
プラズマアッシング装置に酸素ガスを流量５００ｓｃｃ
ｍにて導入して酸素圧を５０Ｐａとし、基板ホルダーに
接続された高周波電源６より２ｋＷの電力を投入してプ
ラズマを発生させ、アッシング工程を行ってレジストを
剥離除去した。アッシング時間は発光分光によって検出
されたアッシングの終点より３０％の時間をオーバーさ
せて行った。ここで基板上のレジストの厚さ９００ｎｍ
に対し、アッシング時間は７０秒であった。
置において、ステージ２にプラズマエッチング処理を終
えてレジストの付いた基板３を載せ、基板温度をステー
ジ２の基板温度制御機構によって２５℃に保った。この
プラズマアッシング装置に酸素ガスを流量５００ｓｃｃ
ｍにて導入して酸素圧を５０Ｐａとし、基板ホルダーに
接続された高周波電源６より２ｋＷの電力を投入してプ
ラズマを発生させ、アッシング工程を行ってレジストを
剥離除去した。アッシング時間は発光分光によって検出
されたアッシングの終点より３０％の時間をオーバーさ
せて行った。ここで基板上のレジストの厚さ９００ｎｍ
に対し、アッシング時間は７０秒であった。
【００３４】次に流量１９９０ｓｃｃｍの酸素ガスに対
し、流量１０ｓｃｃｍのＣＦ4 ガスを加えた混合ガスを
ガス導入口５から導入して混合ガス圧を５０Ｐａとし、
上部のマイクロ波導波管７よりマイクロ波電力３ｋＷを
マイクロは透過窓４を通じて投入し、混合ガスのプラズ
マを発生させ、ダウンフローによって基板に残されたレ
ジストおよびその残渣の除去するアッシング工程を１０
秒間行った。
し、流量１０ｓｃｃｍのＣＦ4 ガスを加えた混合ガスを
ガス導入口５から導入して混合ガス圧を５０Ｐａとし、
上部のマイクロ波導波管７よりマイクロ波電力３ｋＷを
マイクロは透過窓４を通じて投入し、混合ガスのプラズ
マを発生させ、ダウンフローによって基板に残されたレ
ジストおよびその残渣の除去するアッシング工程を１０
秒間行った。
【００３５】この結果、残渣を残すことなく、また下地
膜を削ることなく、基板上のレジストを除去することが
できた。
膜を削ることなく、基板上のレジストを除去することが
できた。
【００３６】（実施例２）図１のプラズマアッシング装
置において、実施例１と同様にステージ２にプラズマエ
ッチング処理を終えてレジストの付いた基板３を載せ、
基板温度をステージ２の基板温度制御機構によって２５
℃に保った。このプラズマアッシング装置に酸素ガスを
実施例１と同じ流量５００ｓｃｃｍにて導入して酸素圧
を５０Ｐａとし、基板ホルダーに接続された高周波電源
６より２ｋＷの電力を投入するのに加えて、上部のマイ
クロ波導波管７よりマイクロ波電力２．５ｋＷをマイク
ロ波透過窓４を通じて投入してアッシングを行った。
置において、実施例１と同様にステージ２にプラズマエ
ッチング処理を終えてレジストの付いた基板３を載せ、
基板温度をステージ２の基板温度制御機構によって２５
℃に保った。このプラズマアッシング装置に酸素ガスを
実施例１と同じ流量５００ｓｃｃｍにて導入して酸素圧
を５０Ｐａとし、基板ホルダーに接続された高周波電源
６より２ｋＷの電力を投入するのに加えて、上部のマイ
クロ波導波管７よりマイクロ波電力２．５ｋＷをマイク
ロ波透過窓４を通じて投入してアッシングを行った。
【００３７】アッシング時間は、発光分光によって検出
されたアッシングの終点より３０％の時間をオーバーさ
せて行った。基板上のレジストの厚さ９００ｎｍに対
し、アッシング時間は６０秒であった。
されたアッシングの終点より３０％の時間をオーバーさ
せて行った。基板上のレジストの厚さ９００ｎｍに対
し、アッシング時間は６０秒であった。
【００３８】次に実施例１と同様に流量１９９０ｓｃｃ
ｍの酸素ガスに対し、流量１０ｓｃｃｍのＣＦ4 ガスを
加えた混合ガスをガス導入口５から導入して混合ガス圧
を５０Ｐａとし、上部のマイクロ波導波管７よりマイク
ロ波電力３ｋＷをマイクロは透過窓４を通じて投入し、
混合ガスのプラズマを発生させ、ダウンフローによって
基板に残されたレジストおよびその残渣の除去するアッ
シング工程を１０秒間行った。
ｍの酸素ガスに対し、流量１０ｓｃｃｍのＣＦ4 ガスを
加えた混合ガスをガス導入口５から導入して混合ガス圧
を５０Ｐａとし、上部のマイクロ波導波管７よりマイク
ロ波電力３ｋＷをマイクロは透過窓４を通じて投入し、
混合ガスのプラズマを発生させ、ダウンフローによって
基板に残されたレジストおよびその残渣の除去するアッ
シング工程を１０秒間行った。
【００３９】この結果、残渣を残すことなく、また下地
膜を削ることなく、基板上のレジストを除去することが
できた。
膜を削ることなく、基板上のレジストを除去することが
できた。
【００４０】（実施例３）次に図２に示すように、マイ
クロ波によるプラズマの発生部分にシャワーヘッド９を
有するプラズマアッシング装置を用いた。
クロ波によるプラズマの発生部分にシャワーヘッド９を
有するプラズマアッシング装置を用いた。
【００４１】実施例１の場合と同じ条件で先のアッシン
グ工程を行い、次いで、混合ガスのプラズマを発生さ
せ、ダウンフローによって基板に残されたレジストおよ
びその残渣の除去する時間を１２秒間にしたほかは、実
施例１と同じ条件によって行い、残渣を残すことなく、
また下地膜を削ることなく、基板上のレジストを除去す
ることができた。
グ工程を行い、次いで、混合ガスのプラズマを発生さ
せ、ダウンフローによって基板に残されたレジストおよ
びその残渣の除去する時間を１２秒間にしたほかは、実
施例１と同じ条件によって行い、残渣を残すことなく、
また下地膜を削ることなく、基板上のレジストを除去す
ることができた。
【００４２】（実施例４）図３に示すように、ダウンフ
ローのためのマイクロ波電力源の代わりに、誘導コイル
１７および誘電体１３を有するプラズマアッシング装置
を用いた。
ローのためのマイクロ波電力源の代わりに、誘導コイル
１７および誘電体１３を有するプラズマアッシング装置
を用いた。
【００４３】そしてこのプラズマアッシング装置に酸素
ガスを実施例１と同じ流量５００ｓｃｃｍにて導入して
酸素圧を５０Ｐａとし、基板ホルダーに接続された高周
波電源より２ｋＷの電力を投入してプラズマを発生させ
る条件でアッシング工程を行った。アッシング時間は、
発光分光によって検出したアッシングの終点より３０％
の時間をオーバーさせて行った。ここで基板上のレジス
トの厚さ９００ｎｍに対し、アッシング時間は７０秒で
あった。
ガスを実施例１と同じ流量５００ｓｃｃｍにて導入して
酸素圧を５０Ｐａとし、基板ホルダーに接続された高周
波電源より２ｋＷの電力を投入してプラズマを発生させ
る条件でアッシング工程を行った。アッシング時間は、
発光分光によって検出したアッシングの終点より３０％
の時間をオーバーさせて行った。ここで基板上のレジス
トの厚さ９００ｎｍに対し、アッシング時間は７０秒で
あった。
【００４４】次にダウンフローのためのプラズマ電力源
として高周波電力を用いた。高周波電力として３ｋＷを
投入し、酸素ガス１９９０ｓｃｃｍ、ＣＦ4 ガス流量１
０ｓｃｃｍとした混合ガス圧力５０Ｐａとしてプラズマ
を生成し、１０秒間のレジスト除去を行った。その結
果、残渣を残すことなく、また下地膜を削ることなく、
基板上のレジストを除去することができた。
として高周波電力を用いた。高周波電力として３ｋＷを
投入し、酸素ガス１９９０ｓｃｃｍ、ＣＦ4 ガス流量１
０ｓｃｃｍとした混合ガス圧力５０Ｐａとしてプラズマ
を生成し、１０秒間のレジスト除去を行った。その結
果、残渣を残すことなく、また下地膜を削ることなく、
基板上のレジストを除去することができた。
【００４５】（実施例５）実施例４において、このプラ
ズマアッシング装置に酸素ガスを実施例１と同じ流量５
００ｓｃｃｍにて導入して酸素圧を５０Ｐａとし、基板
ホルダーに接続された高周波電源より１．５ｋＷの電力
を投入してプラズマを発生させるのに加えて、上部の高
周波電力２．５ｋＷを高周波誘導コイルを通じて投入す
ることによってレジストのアッシングを行った。アッシ
ング時間は、発光分光によって検出したアッシングの終
点より３０％の時間をオーバーさせて行った。ここで基
板上のレジストの厚さ９００ｎｍに対し、アッシング時
間は６０秒であった。
ズマアッシング装置に酸素ガスを実施例１と同じ流量５
００ｓｃｃｍにて導入して酸素圧を５０Ｐａとし、基板
ホルダーに接続された高周波電源より１．５ｋＷの電力
を投入してプラズマを発生させるのに加えて、上部の高
周波電力２．５ｋＷを高周波誘導コイルを通じて投入す
ることによってレジストのアッシングを行った。アッシ
ング時間は、発光分光によって検出したアッシングの終
点より３０％の時間をオーバーさせて行った。ここで基
板上のレジストの厚さ９００ｎｍに対し、アッシング時
間は６０秒であった。
【００４６】次に第２のアッシング工程は、実施例４の
場合と全く同じ条件で行った。その結果、残渣を残すこ
となく、また下地膜を削ることなく、基板上のレジスト
を除去することができた。
場合と全く同じ条件で行った。その結果、残渣を残すこ
となく、また下地膜を削ることなく、基板上のレジスト
を除去することができた。
【００４７】（実施例６）図４に示すダウンフローのた
めの誘導結合コイル１７および誘電体１３を有し、さら
にシャワーヘッド１９を有するプラズマアッシング装置
を用いた。
めの誘導結合コイル１７および誘電体１３を有し、さら
にシャワーヘッド１９を有するプラズマアッシング装置
を用いた。
【００４８】先のアッシング工程は実施例４と同じ条件
で行い、後のアッシング工程はアッシング時間を１２秒
としたほかは、実施例４と同じ条件で行った。
で行い、後のアッシング工程はアッシング時間を１２秒
としたほかは、実施例４と同じ条件で行った。
【００４９】その結果、実施例１と同様に、残渣を残す
ことなく、また下地膜を削ることなく、基板上のレジス
トを除去することができた。
ことなく、また下地膜を削ることなく、基板上のレジス
トを除去することができた。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマ処理によって
ダメージを受けたレジストを大面積の基板上からアッシ
ングによって高いスループットで残渣を残さずに除去す
ることができる。このため高価な薬液を用い、薬液処理
によって残渣を除くウエット工程をなくすことができ
る。
ダメージを受けたレジストを大面積の基板上からアッシ
ングによって高いスループットで残渣を残さずに除去す
ることができる。このため高価な薬液を用い、薬液処理
によって残渣を除くウエット工程をなくすことができ
る。
【図１】本発明のレジスト除去方法の一実施形態を示す
アッシング装置の模式的側断面図である。
アッシング装置の模式的側断面図である。
【図２】本発明のレジスト除去方法の他の一実施形態を
示すアッシング装置の模式的側断面図である。
示すアッシング装置の模式的側断面図である。
【図３】本発明のレジスト除去方法のさらに他の一実施
形態を示すアッシング装置の模式的側断面図である。
形態を示すアッシング装置の模式的側断面図である。
【図４】本発明のレジスト除去方法のさらに他の一実施
形態を示すアッシング装置の模式的側断面図である。
形態を示すアッシング装置の模式的側断面図である。
１……真空チャンバ、 ２……基板ステージ、 ３
……基板、 ４……マイクロ波透過窓、 ５……ガ
ス導入口、 ６……高周波発生源、 ７……マイク
ロ波導波管、 ８……排気口、 ９……シャワーヘ
ッド、１０……真空チャンバ、 １１……基板ステー
ジ、 １２……基板、 １３……誘電体、 １４
……ガス導入口、 １５……高周波発生源、 １６
……排気口、 １７……誘導コイル、 １８……高
周波発生源、 １９……シャワーヘッド。
……基板、 ４……マイクロ波透過窓、 ５……ガ
ス導入口、 ６……高周波発生源、 ７……マイク
ロ波導波管、 ８……排気口、 ９……シャワーヘ
ッド、１０……真空チャンバ、 １１……基板ステー
ジ、 １２……基板、 １３……誘電体、 １４
……ガス導入口、 １５……高周波発生源、 １６
……排気口、 １７……誘導コイル、 １８……高
周波発生源、 １９……シャワーヘッド。
Claims (4)
- 【請求項１】 上部にマイクロ波または高周波電力導入
部を配置し、基板配置部に近接して高周波電極を配置し
てなるプラズマアッシング装置内にレジストが被着され
た基板を配置する工程と、 前記アッシング装置にアッシングガスを導入しつつ前記
基板配置部に近接した高周波電極に高周波電力を供給し
て前記アッシングガスのプラズマを発生させ前記基板に
対しアッシング処理する第一のアッシング工程と、 前記アッシング装置内に前記アッシングガスにプロモー
トガスを混合した混合ガスを導入しつつ、前記マイクロ
波または高周波導入部からマイクロ波または高周波電力
を導入して前記混合ガスのプラズマを発生させ、前記基
板にダウンフローを行って、前記基板に対しアッシング
処理する第二のアッシング工程とを有することを特徴と
するレジストの除去方法。 - 【請求項２】 前記第一のアッシング工程において、前
記基板配置部に近接した高周波電極に高周波電力を供給
してプラズマを発生させるとともに、前記マイクロ波ま
たは高周波導入部からマイクロ波または高周波電力を導
入してプラズマを発生させ、基板へのダウンフローを合
わせて行うことを特徴とする請求項１のレジストの除去
方法。 - 【請求項３】 アッシングガスが、酸素ガスであること
を特徴とする、請求項１または請求項２のいずれか１項
記載のレジストの除去方法。 - 【請求項４】 プロモートガスが、フッ素系ガスである
ことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１
項記載のレジストの除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10200965A JP2000031126A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | レジストの除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10200965A JP2000031126A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | レジストの除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031126A true JP2000031126A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=16433271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10200965A Withdrawn JP2000031126A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | レジストの除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031126A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093779A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-29 | Yac Co Ltd | プラズマ処理方法ならびにプラズマ処理装置 |
| KR100441457B1 (ko) * | 2000-11-15 | 2004-07-23 | 샤프 가부시키가이샤 | 애싱 방법 |
| CN106575616A (zh) * | 2014-08-14 | 2017-04-19 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于各向异性蚀刻衬底的装置和用于运行用于各向异性蚀刻衬底的装置的方法 |
| CN108010839A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-05-08 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺 |
-
1998
- 1998-07-15 JP JP10200965A patent/JP2000031126A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093779A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-29 | Yac Co Ltd | プラズマ処理方法ならびにプラズマ処理装置 |
| KR100441457B1 (ko) * | 2000-11-15 | 2004-07-23 | 샤프 가부시키가이샤 | 애싱 방법 |
| CN106575616A (zh) * | 2014-08-14 | 2017-04-19 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于各向异性蚀刻衬底的装置和用于运行用于各向异性蚀刻衬底的装置的方法 |
| US10497543B2 (en) | 2014-08-14 | 2019-12-03 | Robert Bosch Gmbh | Device for anisotropically etching a substrate, and method for operating a device for anisotropically etching a substrate |
| CN106575616B (zh) * | 2014-08-14 | 2020-02-14 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于各向异性蚀刻衬底的装置和用于运行用于各向异性蚀刻衬底的装置的方法 |
| CN108010839A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-05-08 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20051004 |