JP2004186696A - 電解コンデンサ用電極およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 46
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 43
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 14
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 12
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 10
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- -1 alkali metal salts Chemical class 0.000 claims description 10
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical group C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 6
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 claims 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 15
- 239000000047 product Substances 0.000 description 14
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1,2-dimethylbenzimidazole Chemical compound ClC1=CC=C2N(C)C(C)=NC2=C1 FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001741 Ammonium adipate Substances 0.000 description 5
- 235000019293 ammonium adipate Nutrition 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 241001379910 Ephemera danica Species 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L adipate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCCCC([O-])=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000694440 Colpidium aqueous Species 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 235000010338 boric acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006298 dechlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000012144 step-by-step procedure Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
- H01G9/045—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material based on aluminium
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
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- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
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Abstract
【課題】真空蒸着法による固有静電容量を持つ電解コンデンサ電極、及びそのような電極を形成するための方法を提供する。
【解決手段】（１）基板１２を提供するステップと、（２）弁金属、弁金属酸化物、およびそれらの混合物から選択された少なくとも１つの物質を含む多孔性皮膜１４をそこに真空蒸着することによって、基板の表面を被覆するステップと、（３）多孔性皮膜の有効表面積を増加するステップと、（４）多孔性皮膜の表面を覆う少なくとも１つの陽極酸化処理された弁酸化物層１８を電解生成するステップとを順次含む、陽極酸化電極を形成するための方法を提供する。
【選択図】図２
【解決手段】（１）基板１２を提供するステップと、（２）弁金属、弁金属酸化物、およびそれらの混合物から選択された少なくとも１つの物質を含む多孔性皮膜１４をそこに真空蒸着することによって、基板の表面を被覆するステップと、（３）多孔性皮膜の有効表面積を増加するステップと、（４）多孔性皮膜の表面を覆う少なくとも１つの陽極酸化処理された弁酸化物層１８を電解生成するステップとを順次含む、陽極酸化電極を形成するための方法を提供する。
【選択図】図２
Description
本発明は、電解コンデンサ用電極および、増大された有効表面積を有する、陰極も含むが特に陽極を含むそのような電極を製造するための方法に関する。本発明はさらに、分岐した形態を有する非円筒形の細孔を備えた陽極酸化電極に関する。電解コンデンサは、その極板上に静電気を蓄積するように意図された基本的電気装置である。一方の極板は金属であり、他方の極板は電解質である。２つの極板の間に介在するのは、金属極板上の表面酸化皮膜から成る誘電体である。従来、誘電体皮膜が形成される金属極板は陽極と呼ばれる。用語「陽極」はここでは、金属極板自体および金属極板と誘電体皮膜の結合体の両方を指すのに使用する。どちらの「陽極」の意味を意図しているかは、文脈から明らかになるであろう。
金属電極の表面積を実質的に、およびその結果として固有静電容量の値を増大するために、金属を溶解して箔の表面積を増大する塩化物溶液で電解エッチング加工を実行し、無数の極めて微細な溝（ピット）のような緻密な網目を形成する。例えば、箔をエッチングし、それを洗浄して陽極酸化処理を行い、洗浄した箔を約５９５〜６５０℃で熱処理し、次いで処理済み箔をアジピン酸塩電解液中で陽極酸化処理を行うことを含む、低電圧アルミ箔電解コンデンサ電極の製造を記載した、米国特許第４，５３７，６６５号（グエンら）を参照されたい。
他の従来のエッチング技法では、エッチング溶液は一般的にＣｌ−イオンを含む。例えば、水和ＡｌＣｌ３、ＨＣｌ、Ｈ２ＳＯ４、およびＨＣｌＯ４またはＣｌＯ４ −を使用した米国特許第６，１６８，７０６号（ヘンフィルら）を参照されたい。しかし、エッチング溶液中のハロゲンの存在は、深刻な環境問題および高コスト廃棄の原因になることに加えて、陽極酸化を阻害する傾向がある。
２００２年１０月１７日に公開された米国特許公報２００２０１４９９０２Ａｌには、表面から箔の厚さ方向に伸長させるためにアルミ箔の両面をエッチングすることによって形成される複数の主ピット、および主ピットから主ピットの長さに沿って分岐する副ピットを含むアルミ電解コンデンサ用の電極箔と同様に、主ピットおよび副ピットの両方を形成し拡大するためのマルチステップエッチング手順も記載されている。実際には、主ピットは垂直であり、均一かつ見かけ上円筒形の断面を有する一方、副ピットは主ピットの長手軸に対して直角に形成され、同じく均等かつ見かけの円筒形断面を持つように見える。この手順における塩素を含むエッチング液の使用は、脱塩素化ステップを必然的に伴った。
より薄いＡｌ箔を使用することによってそのような不都合を克服するため、かつコンデンサの大きさを低減するためにも、最近、箔電極の表面積を増大するための真空蒸着が提案されてきた。こうして、例えばドレイクは米国特許第４，３０９，８１０号で、箔構造への低角度での金属蒸気の真空蒸着を教示し、アルミニウム上にアルミニウムを蒸着して柱状構造をもたらす例を提示している。しかし、ドレイクの箔は、電解コンデンサの製造における標準的な手順の１つとして箔を円筒状に巻いたときに柱が壊れるので、電解コンデンサに使用するには脆弱すぎることが分かった。
高い表面積値を達成する改善された真空蒸着法による電極製造の別の方法が、米国特許第６，２８７，６７３号にＫａｔｓｉｒらによって記載されている。この方法は、高い表面積を有する多孔性皮膜構造を生成するように、低圧不活性ガス／酸素混合気の雰囲気で薄い導電性基板上に金属蒸気を凝縮することを利用する。アルミニウムは一般的に、その高い導電性、高純度アルミ箔およびバルク金属の低価格、アルミナの優れた誘電特性、および他の技術的利点のため、弁金属群から選択するのに適した材料である。要求される酸化物膜は、ホウ酸、クエン酸、シュウ酸、およびアジピン酸、またはそれらの混合物などの非溶解または弱溶解電解質中のＤＣ電流により、得られた皮膜を電解陽極酸化処理を行うことによって生成される。
箔を陽極酸化処理する工程が、アルミナ層の厚さの増加のため、その細孔が酸化物によって徐々に充填されることを伴うのは避けられず、言うまでもないが、充填された細孔は表面積に積極的に貢献しない。細孔の幅および深さが、得られる皮膜の重要なパラメータであることは明らかである。トレンチ状細孔の初期サイズが充分に大きくなければ、陽極酸化中に細孔を充填する工程は、所望の電極の静電容量の急速な低下を導く。他方、細孔サイズが大きすぎても静電容量は低下する。陽極箔の場合、細孔径は、陽極酸化電圧によって形成される誘電体皮膜（例えばＡｌ２Ｏ３）の厚さより実質的に大きいことが必要である。例として、６０Ｖの形成電圧つまり最終電圧の場合のＡｌ２Ｏ３の厚さの簡易概算は次の通りである。すなわち、Ａｌ２Ｏ３の厚さは、１４Å／ボルト×６０ボルト＝８４０Åとなる。したがって、この例示の場合、細孔径は８４０Å（×２）より大きくする必要があり、より小さい径の細孔サイズは、細孔がＡｌ２Ｏ３によって充満されるので、静電容量に貢献しない。誘電体層の厚さが増加するにつれて静電容量は減少するが、コンデンサの動作電圧が結果的に増加する。
真空蒸着法それ自体が、大きい細孔を形成するその能力に限界がある。したがって、極めて低い電圧範囲でのみ、そのような公知の方法を用いて高い静電容量を得ることができる。
したがって、電解コンデンサの電極を製造するためにＣｌを使用しない方法を提供し、かつ、１００ボルトまでおよびそれ以上のより広範囲の使用時電圧に適した、増加した値の固有静電容量を持つアルミ電解コンデンサ用の（例えば）陽極箔を得ることが望ましい。したがって、本発明の目的は、真空蒸着法に基づくが増加した値の固有静電容量を持つ電解コンデンサ電極、およびそのような電極を形成するための方法を提供することである。
本発明の他の目的は、以下の説明から明らかになるであろう。上述の米国特許および公開米国特許出願の内容全体を参考の為に本明細書に示す。
したがって、本発明は、一態様で、
（１）基板を提供するステップと、
（２）弁金属、弁金属酸化物、およびそれらの混合物から選択された少なくとも１つの物質を含む多孔性皮膜をそこに真空蒸着することによって、基板の表面を被覆するステップと、
（３）多孔性皮膜の有効表面積を増加するステップと、
（４）多孔性皮膜の表面を覆う少なくとも１つの陽極酸化された弁酸化物層を電解生成するステップと
を順次含む、陽極酸化電極を形成するための方法を提供する。
（１）基板を提供するステップと、
（２）弁金属、弁金属酸化物、およびそれらの混合物から選択された少なくとも１つの物質を含む多孔性皮膜をそこに真空蒸着することによって、基板の表面を被覆するステップと、
（３）多孔性皮膜の有効表面積を増加するステップと、
（４）多孔性皮膜の表面を覆う少なくとも１つの陽極酸化された弁酸化物層を電解生成するステップと
を順次含む、陽極酸化電極を形成するための方法を提供する。
さらに、本発明は、別の態様で、
（１）金属箔基板を提供するステップと、
（２）本質的にアルミニウム金属成分および酸化アルミニウム成分から成る多孔質層が基板上に蒸着されるように、少量の酸素の存在下でアルミニウム蒸気をそこに真空蒸着することによって、基板の表面を被覆するステップと、
（３）アンモニウムおよびアルカリ金属から選択された飽和ジカルボン酸塩を含む電解質の存在下で電解陽極酸化によって、かつ、こうして形成された弁金属酸化物のみならず酸化アルミニウム成分の少なくとも一部分をも、その場でまたは別個のその後のサブステップでハロゲンが含まれない化学エッチング液を用いて除去することによって、多孔性皮膜の有効表面積を増加するステップと、
（４）多孔性皮膜の表面を覆う少なくとも１つの陽極酸化された酸化アルミニウム層を電解生成するステップと
を順次含む、分岐した形態を有する細孔を含む陽極酸化電極を形成するための方法を提供する。
（１）金属箔基板を提供するステップと、
（２）本質的にアルミニウム金属成分および酸化アルミニウム成分から成る多孔質層が基板上に蒸着されるように、少量の酸素の存在下でアルミニウム蒸気をそこに真空蒸着することによって、基板の表面を被覆するステップと、
（３）アンモニウムおよびアルカリ金属から選択された飽和ジカルボン酸塩を含む電解質の存在下で電解陽極酸化によって、かつ、こうして形成された弁金属酸化物のみならず酸化アルミニウム成分の少なくとも一部分をも、その場でまたは別個のその後のサブステップでハロゲンが含まれない化学エッチング液を用いて除去することによって、多孔性皮膜の有効表面積を増加するステップと、
（４）多孔性皮膜の表面を覆う少なくとも１つの陽極酸化された酸化アルミニウム層を電解生成するステップと
を順次含む、分岐した形態を有する細孔を含む陽極酸化電極を形成するための方法を提供する。
さらに別の態様では、本発明は、基板と、基板の表面に真空蒸着によって形成される多孔性皮膜であって、弁金属、弁金属酸化物、およびそれらの混合物から選択された少なくとも１つの物質を含む多孔性皮膜と、弁金属酸化物およびそれらの混合物から選択された、少なくとも１つの電解生成された陽極酸化層と、を含み、少なくとも１つの陽極酸化層の蒸着前に多孔性皮膜の有効表面積が増大された、陽極酸化電極を提供する。
本発明の方法では、多孔性皮膜の有効表面積の増加は、多孔性皮膜の総細孔容積を増加することによって、かつ／または多孔性皮膜の平均細孔幅を増加することによって達成することができる。用語「平均細孔幅」とは、蒸着された皮膜の表面の平均細孔幅を意味する。
さらに、本発明は、さらに別の態様で、分岐した形態を有する非円筒形の細孔を含み、特に、細孔の少なくとも一部が一般的に逆円錐形に構成された陽極酸化電極を提供する。
本発明は（非エッチングの場合と比較して）、特に形成電圧が４０から８０ボルトまでの範囲の比較的大きい値である場合、製造された箔の固有静電容量が実質的に１００％またはそれ以上の増加を達成することが可能であることが明らかになった。
本発明の陽極酸化電極は、以下の特徴の少なくとも１つによってさらに特徴付けられることが好ましい。
（ａ）導電性基板は金属箔基板である。
（ｂ）初期層は、アルミニウム、酸化アルミニウム、およびそれらの混合物から選択された少なくとも１種を含む。
（ｃ）初期層は蒸着層である。
（ｄ）最終層（単数または複数）は酸化アルミニウムを含む。
（ｅ）細孔容積の拡大は、初期層の表面を酸化し、こうして形成された弁金属酸化物を除去することによって達成される。
（ａ）導電性基板は金属箔基板である。
（ｂ）初期層は、アルミニウム、酸化アルミニウム、およびそれらの混合物から選択された少なくとも１種を含む。
（ｃ）初期層は蒸着層である。
（ｄ）最終層（単数または複数）は酸化アルミニウムを含む。
（ｅ）細孔容積の拡大は、初期層の表面を酸化し、こうして形成された弁金属酸化物を除去することによって達成される。
また、本発明の方法では、以下の条件の少なくとも１つを適用することが好ましい。
（ａ）基板は導電性基板である。
（ｂ）多孔性皮膜は、アルミニウム、酸化アルミニウム、およびそれらの混合物から選択された少なくとも１種を含む。
（ｃ）少なくとも１つの電解生成層は酸化アルミニウムを含む。
（ｄ）有効表面積の増加は、
電気化学エッチング、および、多孔性層の表面を酸化した後で、こうして形成された酸化物を除去すること、から選択された少なくとも１つの手順によって実現される。
（ｅ）多孔性皮膜の蒸着前に、基板の表面に、機械的、化学的、および電気化学的手順から選択された粗面処理を受けさせる。
（ｆ）真空蒸着は約１０−３トルから約１０−２トルの間の圧力の不活性ガス雰囲気で行なわれる。
（ｇ）真空蒸着は不活性ガス雰囲気で少量の酸素の存在下で行なわれる。
（ｈ）ステップ（４）の後で、生成物を蒸留水および脱イオン水から選択された液体で充分に洗浄し、次いで乾燥する。
（ａ）基板は導電性基板である。
（ｂ）多孔性皮膜は、アルミニウム、酸化アルミニウム、およびそれらの混合物から選択された少なくとも１種を含む。
（ｃ）少なくとも１つの電解生成層は酸化アルミニウムを含む。
（ｄ）有効表面積の増加は、
電気化学エッチング、および、多孔性層の表面を酸化した後で、こうして形成された酸化物を除去すること、から選択された少なくとも１つの手順によって実現される。
（ｅ）多孔性皮膜の蒸着前に、基板の表面に、機械的、化学的、および電気化学的手順から選択された粗面処理を受けさせる。
（ｆ）真空蒸着は約１０−３トルから約１０−２トルの間の圧力の不活性ガス雰囲気で行なわれる。
（ｇ）真空蒸着は不活性ガス雰囲気で少量の酸素の存在下で行なわれる。
（ｈ）ステップ（４）の後で、生成物を蒸留水および脱イオン水から選択された液体で充分に洗浄し、次いで乾燥する。
上述の「課題を解決する手段」の段落における本発明の方法では、細孔容積拡大ステップ（３）は、アンモニウムおよびアルカリ金属塩から選択された飽和ジカルボキシル酸塩（例えばアジピン酸塩）を含む電解質の存在下で、電解陽極酸化によって達成することが好ましい。こうして形成された弁金属酸化物は、（例えば無機および有機酸から選択された）ハロゲンを含まない化学エッチング液をその場でまたは別個のその後のサブステップで使用することにより、除去することが好ましい。さらに、ステップ（３）の後で、こうして拡大した細孔容積を有する基板は、ステップ（４）に進む前に、蒸留水および脱イオン水から選択された液体で充分に洗浄することが好ましい。
特定の実施形態では、ステップ（４）は、少なくとも２つの電解蒸着層を蒸着することによって、例えば少なくとも２つの連続陽極酸化ステップを実行することによって行なわれ、生成物は、最後の連続陽極酸化ステップの前に焼きなましを受けることが好ましい。また、生成物は、焼きなましの前に、蒸留水および脱イオン水から選択された液体で充分に洗浄することも好ましい。さらに、生成物は、最後の連続陽極酸化ステップの後に、蒸留水および脱イオン水から選択された液体で充分に洗浄し、次いで乾燥することも望ましい。
上述したことから、かつ本書で規定する本発明の範囲を損なうことなく、弁金属はアルミニウムを含むことが好ましいことは理解されるであろう。
本発明の特定の実施形態では、真空蒸着条件は、酸素の存在下でアルミニウムを使用する場合、ステップ（３）の前の多孔性層が本質的に少なくとも４０％（好ましくは５０〜８５％）のアルミニウム金属と残部の酸化アルミニウムから構成されるようにする。
上述した化学エッチング液は、クロム酸、シュウ酸、リン酸、およびそれらの混合物から選択することが好ましい。
図１は、Ａｌ箔基板（２）の表面（８）に蒸着された例えばＡｌおよび／またはＡｌ酸化物の蒸着（ＶＤ）層の断面を図式的に示す。ＶＤ層はおそらく、図示するために三角形の断面を有し、最大幅ｘおよび高さｙを有するトレンチ状細孔（６）を含む。
図２は、図１のＶＤ層に本発明を適用した結果、すなわち細孔容積を増加した結果の断面を図式的に示す。図示した実施形態では、これは、陽極酸化によって蒸着されたＡｌ酸化物層を化学的にエッチングすることにより、あるいは言い換えると電気化学的に酸化し、こうしてＶＤ層の表面を腐食させることにより、除去することによって行なわれる。明細書の他の箇所で述べた通り、最初に生成されたＡｌ酸化物を除去し、こうして細孔を拡大したエッチングステップの後で、最終生成物を得るために、エッチングされた表面に１ステップまたはそれ以上のステップで陽極酸化層が塗布される。図２では、Ａｌ箔基板（１２）にＶＤ層（１４）が蒸着され、細孔（１６）を含むＶＤ層連続体の上部表面全体が最終陽極酸化層１８によって被覆されている。本発明の適用から結果的に得られる細孔１６は、エッチング手順により一方では表面金属が除去されたが、他方では細孔の貫通がおそらく基板１２とＶＤ層１４との間の接触面１０まで増加したので、今や、ＶＤ層の元の細孔より大きい幅（ｘ＋ａ）および異なる深さｚを有する。
本発明の電極箔の固有静電容量Ｃ（固有）＝μＦ／ｃｍ２はＶＤ皮膜の厚さＤ（μｍ）にほぼ比例し、陽極酸化された酸化物膜の厚さδ（ｎｍ）に反比例するので、酸化物層の耐電圧Ｗはδに比例し、従って箔の品質はパラメータξ＝Ｃ（固有）Ｗ／Ｄによって概算することができる。パラメータξの値が大きければ大きいほど、これらの箔はコンデンサ電極として改善された特製を持つはずであると推測することができる。図３には、３つの箔についてのξ値が形成（すなわち最終陽極酸化）電圧に対して描かれている。三角形の点は、塩化物溶液により電気化学的に実行される、従来のエッチング加工によって生成されたアノード箔の性能を表わす。この場合、Ｄの値は細孔の深さに等しいと想定した。中空矩形の点は、Ｋａｔｓｉｒらの米国特許第６，２８７，６７３号に係る真空蒸着によって製造されたＶＤ被覆箔の典型的データを表わす。中実矩形の点は、本書の実施例ＩＩに従って作成された本発明の実施形態のデータを表わす。この図は、先行技術に比較して本発明の広範囲の形成電圧にわたる顕著なξの増加を示している。
細孔が分岐した形態を有する本発明の態様の一実施形態を示す図４では、基板２０上に、実例となる細孔２６を含む皮膜２２が蒸着されている。エッチングステップで、真空蒸着された皮膜を除去して分岐２８が形成される。参照番号２４は、エッチングの後に残った残留表面酸化物を表わす。
本発明の特徴である細孔容積の拡大は、多数の方法で達成することができる。
高純度アルミニウム表面を、約１０−３トルから約１０−２トルの間の圧力を有し、酸素の部分圧をも含む、不活性ガスの雰囲気でＡｌ／Ａｌ２Ｏ３を反応性蒸着した後（米国特許第６，２８７，６７３号を参照）、約５０℃の温度で、所要の使用時電圧までの電圧で、アジピン酸アンモニウムの水溶液中で約２Ａ／ｄｍ２の初期電流密度の直流電流によって陽極酸化する。この工程を４０ｍＡ／ｄｍ２付近の電流密度で停止する。脱イオン水による箔の充分な洗浄に続いて、化学エッチングを行なう。これは例えば、リン酸／クロム酸混合物の水溶液中で、約４０℃の溶液温度で約２〜３分間行なうことができる。環境保護の観点からより受け入れ易い代替実施形態では、カルボキシル酸（シュウ酸など）を使用して、０．１Ｍの水溶液中で、５０〜８０℃の温度で、例えば約６０℃で、５〜１０分間、例えば約７分間、エッチングを行なう。さらに別の実施形態では、アジピン酸アンモニウムなどのカルボキシル酸塩水溶液で初期陽極酸化を行なう一方、電解槽に溶解した０．０１Ｍないし０．０２Ｍ（例えば０．０１４Ｍ）のシュウ酸の存在によって事実上同時にエッチングを行なう。操作は約５０℃で実行する。陽極酸化された皮膜は、電流が突然低下した後、１０分間安定化させることができる。生成工程は、約５００℃で約２分間の焼きなまし、および前述の条件下での約２分間のさらなる陽極酸化処理によって完了することができる。
本発明を以下の非限定的実施例によって解説する。
以下の段階的手順によって陽極酸化された箔電極を製造する。
１．米国特許第６，２８７，６７３号に記載されるように、高純度アルミニウム表面に、約１０−３トルから約１０−２トルの間の圧力を有し、酸素の部分圧をも含む、不活性ガスの雰囲気でＡｌ／Ａｌ２Ｏ３の反応性蒸着を施す。
２．ステップ１の生成物を、約８５℃の温度で、アジピン酸アンモニウムの０．８３Ｍ水溶液中で、約２Ａ／ｄｍ２の初期電流密度の直流電流によって陽極酸化を行う。陽極酸化を電流の発生から１０分後まで続ける。
３．ステップ２の生成物を脱イオン水で充分に洗浄する。
４．ステップ３の生成物を、Ｈ３ＰＯ４（３５ｇ／ｌの８０％酸）およびクロム酸（２０ｇ／ｌのＣｒＯ３）を含む４０℃の水溶液中に２．５分間浸漬することによってエッチングする。
５．ステップ４の生成物をステップ２の条件下で陽極酸化する。
６．ステップ５の生成物を脱イオン水で充分に洗浄する。
７．ステップ６の生成物に、熱気流中で約５００℃で約２分間焼きなましを行ない、前述の条件下で２分間さらに陽極酸化する。
８．ステップ７の生成物をステップ２の条件下で約２分間陽極酸化する。
９．ステップ８の生成物を脱イオン水で充分に洗浄し、熱気流中で乾燥させる。
１．米国特許第６，２８７，６７３号に記載されるように、高純度アルミニウム表面に、約１０−３トルから約１０−２トルの間の圧力を有し、酸素の部分圧をも含む、不活性ガスの雰囲気でＡｌ／Ａｌ２Ｏ３の反応性蒸着を施す。
２．ステップ１の生成物を、約８５℃の温度で、アジピン酸アンモニウムの０．８３Ｍ水溶液中で、約２Ａ／ｄｍ２の初期電流密度の直流電流によって陽極酸化を行う。陽極酸化を電流の発生から１０分後まで続ける。
３．ステップ２の生成物を脱イオン水で充分に洗浄する。
４．ステップ３の生成物を、Ｈ３ＰＯ４（３５ｇ／ｌの８０％酸）およびクロム酸（２０ｇ／ｌのＣｒＯ３）を含む４０℃の水溶液中に２．５分間浸漬することによってエッチングする。
５．ステップ４の生成物をステップ２の条件下で陽極酸化する。
６．ステップ５の生成物を脱イオン水で充分に洗浄する。
７．ステップ６の生成物に、熱気流中で約５００℃で約２分間焼きなましを行ない、前述の条件下で２分間さらに陽極酸化する。
８．ステップ７の生成物をステップ２の条件下で約２分間陽極酸化する。
９．ステップ８の生成物を脱イオン水で充分に洗浄し、熱気流中で乾燥させる。
この実施例、ならびに実施例ＩＩおよびＩＩＩでは、手順は、ロール状にしたＡｌ箔を１つのステップから次のステップに送ることによって、連続的に実行されると理解される。
これは、エッチングステップ４が浸漬によって実行されることを除いては、実施例Ｉと同様に実行される。ステップ３の生成物は、６０℃のシュウ酸の０．１Ｍ水溶液中に約７分間浸漬することによってエッチングされる。結果的に得られた電極の断面を図５の顕微鏡写真に示す。
これは、ステップ２〜４が以下の手順（事実上同時の初期陽極酸化およびエッチング）によって置き換えられることを除いては、実施例Ｉと同様に実行される。ステップ１の生成物を、アジピン酸アンモニウムについては０．８３Ｍ、シュウ酸については０．１４Ｍの水溶液を含む単一槽内に浸漬する。この操作の電流密度、温度、および時間は、実施例Ｉのステップ２に記載した通りである。箔を脱イオン水で充分に洗浄し、その後で、実施例Ｉのステップ５〜９に記載した操作を実行する。
細孔容積拡大の判定
方法：厚さ６３μｍおよび総面積１２．３８ｃｍ２のＡｌ箔基板に基づくＶＤ箔の２つの同一サンプルＮＮ４６４／１／１１／１および４６４／１／１１／２の両面に、米国特許第６，２８７，６７３号に記載された通り、各面に厚さ２０μｍのＡｌ／Ａｌ２Ｏ３を被覆した。各被覆表面の面積は１１．９１ｃｍ２であった。両サンプルを形成電圧２１ボルト、形成電流０．５Ａ、および電解液温度８５℃で、アジピン酸アンモニウム溶液中で１０分間形成（陽極酸化）した。そのように陽極酸化されたサンプルの面積は１０ｃｍ２であった。次いでサンプルを脱イオン水で洗浄し、乾燥し、計量した。
方法：厚さ６３μｍおよび総面積１２．３８ｃｍ２のＡｌ箔基板に基づくＶＤ箔の２つの同一サンプルＮＮ４６４／１／１１／１および４６４／１／１１／２の両面に、米国特許第６，２８７，６７３号に記載された通り、各面に厚さ２０μｍのＡｌ／Ａｌ２Ｏ３を被覆した。各被覆表面の面積は１１．９１ｃｍ２であった。両サンプルを形成電圧２１ボルト、形成電流０．５Ａ、および電解液温度８５℃で、アジピン酸アンモニウム溶液中で１０分間形成（陽極酸化）した。そのように陽極酸化されたサンプルの面積は１０ｃｍ２であった。次いでサンプルを脱イオン水で洗浄し、乾燥し、計量した。
細孔容積を比較するために、最終陽極酸化の前に第２サンプルを６０℃で０．３Ｍのシュウ酸溶液中で１５分間エッチングし、次いで上と同様に陽極酸化し、洗浄し、乾燥して計量した。
ここでサンプルを１００℃に加熱した比重０．８７ｇ／ｃｍ３の油（ＴＫＯ−１９＋）に浸漬した。過剰な油を慎重に除去し、両サンプルを計量した。実質的に全ての細孔が加熱油によって完全に充填されたと信じられる。
計算
第１の（非エッチング）箔サンプルは、１１．９１ｃｍ２の面積に分散されて、８．９ｍｇの油すなわち８．９／０．８７＝１０．２２ｍｍ３の油を吸収したことが分かった。したがって、サンプルの陽極酸化面積（１０ｃｍ２）に吸収された油の体積は１０．２２×１０／１１．９１＝８．５８ｍｍ３である。陽極酸化によって生じた細孔容積の低減は１５ｎｍの推定壁厚差に関係し、約５．５５ｍｍ３であるので、陽極酸化前の細孔容積は５．５５＋８．５８＝１４．１３ｍｍ３であった。（基板の両面の）処理対象の皮膜の体積は約４０ｍｍ３であるので、初期サンプルの間隙率は１００×１４．１３／４０＝３５．３％である。１９．６５ｍｍ３の油を吸収したことが明らかになった第２の（エッチングおよび陽極酸化を行なった）箔サンプルの間隙率の同様の評価は、推定４１．２％の間隙率になる。
第１の（非エッチング）箔サンプルは、１１．９１ｃｍ２の面積に分散されて、８．９ｍｇの油すなわち８．９／０．８７＝１０．２２ｍｍ３の油を吸収したことが分かった。したがって、サンプルの陽極酸化面積（１０ｃｍ２）に吸収された油の体積は１０．２２×１０／１１．９１＝８．５８ｍｍ３である。陽極酸化によって生じた細孔容積の低減は１５ｎｍの推定壁厚差に関係し、約５．５５ｍｍ３であるので、陽極酸化前の細孔容積は５．５５＋８．５８＝１４．１３ｍｍ３であった。（基板の両面の）処理対象の皮膜の体積は約４０ｍｍ３であるので、初期サンプルの間隙率は１００×１４．１３／４０＝３５．３％である。１９．６５ｍｍ３の油を吸収したことが明らかになった第２の（エッチングおよび陽極酸化を行なった）箔サンプルの間隙率の同様の評価は、推定４１．２％の間隙率になる。
結論
本発明のこの例示としての実施形態では、追加のエッチングステップにより、細孔容積がほぼ２倍になり、サンプルの間隙率は約２０％増加した。
本発明のこの例示としての実施形態では、追加のエッチングステップにより、細孔容積がほぼ２倍になり、サンプルの間隙率は約２０％増加した。
以上に本発明の特定の実施形態を説明したが、当業者には容易に理解される通り、本発明は多くの変更または変形を施すことが可能であるので、それらの実施形態に限定されない。ここで詳述しなかったそのような変更または変形は、本発明の明らかな同等とみなされる。
Claims (24)
- （１）基板を提供するステップと、
（２）弁金属、弁金属酸化物、およびそれらの混合物から選択された少なくとも１つの物質を含む多孔性皮膜をそこに真空蒸着することによって、前記基板の表面を被覆するステップと、
（３）前記多孔性皮膜の有効表面積を増加するステップと、
（４）前記多孔性皮膜の表面を覆う少なくとも１つの陽極酸化された弁酸化物層を電解生成するステップと
を順次含む、陽極酸化電極を生成するための方法。 - 前記多孔性皮膜の有効表面積の増加が、
前記多孔性皮膜の総細孔容積を増加すること、および
前記多孔性皮膜の平均細孔幅を増加すること、
のうちの少なくとも１つによって実現される、請求項１に記載の方法。 - 次の特徴、すなわち
（ａ）前記基板は導電性基板であること、
（ｂ）前記多孔性皮膜は、アルミニウム、酸化アルミニウム、およびそれらの混合物から選択された少なくとも１種を含むこと、
（ｃ）前記少なくとも１つの電解生成層は酸化アルミニウムを含むこと、
（ｄ）前記有効表面積の増加は、
電気化学エッチング、および
多孔性層の表面を酸化した後で、こうして形成された酸化物を除去すること
から選択される少なくとも１つの手順によって実現されること、
（ｅ）前記多孔性皮膜の蒸着前に、前記基板の表面に、機械的、化学的、および電気化学的手順から選択された粗面処理を受けさせること、
（ｆ）前記真空蒸着は約１０−３トルから約１０−２トルの間の圧力の不活性ガス雰囲気で行なわれること、
（ｇ）前記真空蒸着は不活性ガス雰囲気で少量の酸素の存在下で行なわれる、
（ｈ）前記ステップ（４）の後で、生成物を蒸留水および脱イオン水から選択された液体で充分に洗浄し、次いで乾燥すること
のうちの少なくとも１つによってさらに特徴付けられる、請求項１に記載の方法。 - 次の特徴、すなわち
（Ａ）前記導電性基板は金属箔基板であること、
（Ｂ）前記ステップ（３）は、電解陽極酸化と、電解生成された弁金属酸化物を同時にまたはその後に除去することとによって実現されること
のうちの少なくとも１つによってさらに特徴付けられる、請求項３に記載の方法。 - 前記ステップ（４）が少なくとも２つの陽極酸化層を形成することによって実行され、生成物が前記少なくとも２つの陽極酸化ステップのうちの最後のステップの前に焼きなましを受ける、請求項４に記載の方法。
- 前記生成物が前記焼きなましの前に、蒸留水および脱イオン水から選択される液体により充分に洗浄される、請求項５に記載の方法。
- 前記基板が金属箔基板であり、前記ステップ（２）で、前記少なくとも１つの弁金属がアルミニウムを含み、前記ステップ（３）で、前記増加が、アンモニウムおよびアルカリ金属塩から選択された飽和ジカルボキシル酸塩を含む電解質の存在下での陽極酸化によって初期層の表面を酸化し、かつこのように形成された弁金属酸化物を、その場でまたは別個のその後のサブステップでハロゲンを含まない化学エッチング液を使用することにより除去することによって実現され、前記ステップ（４）で、前記少なくとも１つの層が酸化アルミニウムを含む、請求項４に記載の方法。
- 前記ステップ（４）が少なくとも２つの陽極酸化層を形成することによって実行され、生成物が前記少なくとも２つの陽極酸化ステップのうちの最後のステップの前に焼きなましを受ける、請求項７に記載の方法。
- 次の特徴、すなわち
前記真空蒸着が、少量の酸素の存在下で約１０−３トルから約１０−２トルの間の圧力の不活性ガス雰囲気で実行されること、
前記電解質がアンモニウムおよびアルカリ金属アジピン酸塩から選択される塩を含むこと、および
前記化学エッチング液がクロム酸、シュウ酸、およびリン酸、ならびにそれらの混合物から選択されること
のうちの少なくとも１つが適用される、請求項７に記載の方法。 - 次の特徴、すなわち
前記真空蒸着が、少量の酸素の存在下で約１０−３トルから約１０−２トルの間の圧力の不活性ガス雰囲気で実行されること、
前記電解質がアンモニウムおよびアルカリ金属アジピン酸塩から選択される塩を含むこと、および
前記化学エッチング液がクロム酸、シュウ酸、およびリン酸、ならびにそれらの混合物から選択されること
のうちの少なくとも１つが適用される、請求項８に記載の方法。 - 前記基板が金属箔基板であり、前記ステップ（２）で、前記少なくとも１つの弁金属が本質的にアルミニウムから成り、かつ、前記多孔質層が本質的にアルミニウム金属および酸化アルミニウムから構成されるように、前記蒸着が少量の酸素の存在下で実行され、前記ステップ（３）で、前記増加が、アンモニウムおよびアルカリ金属塩から選択された飽和ジカルボキシル酸塩を含む電解質の存在下での陽極酸化によって初期層の表面を酸化し、かつこのように形成された弁金属酸化物を、その場でまたは別個のその後のサブステップでハロゲンを含まない化学エッチング液を使用することにより除去することによって実現され、前記ステップ（４）で、前記少なくとも１つの層が酸化アルミニウムを含む、請求項４に記載の方法。
- 前記ステップ（４）が少なくとも２つの陽極酸化層を形成することによって実行され、生成物が前記少なくとも２つの陽極酸化ステップのうちの最後のステップの前に焼きなましを受ける、請求項１１に記載の方法。
- 次の特徴、すなわち
前記真空蒸着が、約１０−３トルから約１０−２トルの間の圧力の不活性ガス雰囲気で実行されること、
前記真空蒸着条件は、ステップ（３）の前の前記多孔性層が本質的に少なくとも４０％のアルミニウム金属と残部の酸化アルミニウムから構成されるようにすること、
前記電解質がアンモニウムおよびアルカリ金属アジピン酸塩から選択される塩を含むこと、および
前記化学エッチング液がクロム酸、シュウ酸、およびリン酸、ならびにそれらの混合物から選択されること
のうちの少なくとも１つが適用される、請求項１１に記載の方法。 - 次の特徴、すなわち
前記真空蒸着が、約１０−３トルから約１０−２トルの間の圧力の不活性ガス雰囲気で実行されること、
前記真空蒸着条件は、ステップ（３）の前の前記多孔性層が本質的に５０〜８５％のアルミニウム金属と残部の酸化アルミニウムから構成されるようにすること、
前記電解質がアンモニウムおよびアルカリ金属アジピン酸塩から選択される塩を含むこと、および
前記化学エッチング液がクロム酸、シュウ酸、およびリン酸、ならびにそれらの混合物から選択されること
のうちの少なくとも１つが適用される、請求項１１に記載の方法。 - （１）金属箔基板を提供するステップと、
（２）本質的にアルミニウム金属成分および酸化アルミニウム成分から成る多孔質層が前記基板上に蒸着されるように、少量の酸素の存在下でアルミニウム蒸気をそこに真空蒸着することによって、前記基板の表面を被覆するステップと、
（３）アンモニウムおよびアルカリ金属から選択された飽和ジカルボン酸塩を含む電解質の存在下で電解陽極酸化によって、かつ、こうして形成された弁金属酸化物のみならず酸化アルミニウム成分の少なくとも一部分をも、その場でまたは別個のその後のサブステップでハロゲンを含まない化学エッチング液を使用することにより除去することによって、多孔性皮膜の有効表面積を増加するステップと、
（４）前記多孔性皮膜の表面を覆う少なくとも１つの陽極酸化された酸化アルミニウム層を電解生成するステップと
を順次含む、分岐した形態を有する細孔を含む陽極酸化電極を生成するための方法。 - 次の特徴、すなわち
前記真空蒸着が、約１０−３トルから約１０−２トルの間の圧力の不活性ガス雰囲気で実行されること、
前記真空蒸着条件は、ステップ（３）の前の前記多孔性層が本質的に少なくとも４０％のアルミニウム金属と残部の酸化アルミニウムから構成されるようにすること、
前記電解質がアンモニウムおよびアルカリ金属アジピン酸塩から選択される塩を含むこと、および
前記化学エッチング液がクロム酸、シュウ酸、およびリン酸、ならびにそれらの混合物から選択されること
のうちの少なくとも１つが適用される、請求項１５に記載の方法。 - 前記ステップ（４）が少なくとも２つの陽極酸化層を形成することによって実行され、生成物が前記少なくとも２つの陽極酸化ステップのうちの最後のステップの前に焼きなましを受ける、請求項１６に記載の方法。
- 基板と、前記基板の表面に真空蒸着によって形成される多孔性皮膜であって、弁金属、弁金属酸化物、およびそれらの混合物から選択された少なくとも１つの物質を含む多孔性皮膜と、弁金属酸化物およびそれらの混合物から選択された、少なくとも１つの電解生成された陽極酸化層と、を含み、
前記多孔性皮膜における有効表面積が、前記少なくとも１つの陽極酸化層の蒸着前に増大されて成る、陽極酸化電極。 - 次の特徴、すなわち
（ａ）前記基板が導電性基板であること、
（ｂ）前記多孔性皮膜はアルミニウム、酸化アルミニウム、およびそれらの混合物から選択された少なくとも１種を含むこと、
（ｃ）少なくとも１つの陽極酸化層は酸化アルミニウムを含むこと、
（ｄ）前記有効面積の増加は、前記多孔質層の表面を酸化し、かつこうして形成された酸化物を除去することによって実現されること、
（ｅ）前記多孔性皮膜の蒸着前に、前記基板の表面に、機械的、化学的、および電気化学的手順から選択された粗面処理を受けさせること、
の少なくとも１つによってさらに特徴付けられる、請求項１８に記載の陽極酸化電極。 - 前記多孔性皮膜が本質的にアルミニウムおよび酸化アルミニウムから構成され、前記少なくとも１つの陽極酸化層が本質的に酸化アルミニウムから構成される、請求項１９に記載の陽極酸化電極。
- 有効表面積の増加および陽極酸化の前に、前記多孔性皮膜が本質的に５０〜８５％のアルミニウム金属および残部の酸化アルミニウムから構成される、請求項２０に記載の陽極酸化電極。
- 前記有効表面積の増加が、
前記多孔性皮膜の総細孔容積を増加すること、および
前記多孔性皮膜の平均細孔幅を増加すること、
のうちの少なくとも１つによって実現される、請求項１８に記載の陽極酸化電極。 - 分岐した形態を有する非円筒形の細孔を含む陽極酸化電極。
- 前記細孔の少なくとも一部が一般的に逆円錐形に構成された、請求項２３に記載の陽極酸化電極。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IL153289A IL153289A (en) | 2002-12-05 | 2002-12-05 | Electrodes for electrolytic capacitors and method for producing them |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004186696A true JP2004186696A (ja) | 2004-07-02 |
Family
ID=29798352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003405715A Pending JP2004186696A (ja) | 2002-12-05 | 2003-12-04 | 電解コンデンサ用電極およびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7404887B2 (ja) |
| EP (1) | EP1426987B1 (ja) |
| JP (1) | JP2004186696A (ja) |
| AT (1) | ATE517424T1 (ja) |
| IL (1) | IL153289A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| IL153289A0 (en) | 2003-07-06 |
| EP1426987A3 (en) | 2006-08-23 |
| IL153289A (en) | 2010-06-16 |
| EP1426987B1 (en) | 2011-07-20 |
| US7404887B2 (en) | 2008-07-29 |
| EP1426987A2 (en) | 2004-06-09 |
| US20040168929A1 (en) | 2004-09-02 |
| ATE517424T1 (de) | 2011-08-15 |
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Legal Events
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A601 | Written request for extension of time |
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| A602 | Written permission of extension of time |
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|
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| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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